Tecnolgico de Estudios Superiores

De Ecatepec
Divisin de Ingeniera en Electrnica

Trabajo de Investigacin

Profesor:
Jaimes Serrano Daniel

Materia:
Diseo de Transistores

Alumnos:
Glvez Chavarra Salvador Vicente

Grupo:
1601

Dispositivos Semiconductores de Tres Terminales

El Transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos
capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo
p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo
transistor pnp.
El transistor tiene tres partes, como el triodo. Una que
emite electrones (emisor), otra que los recibe o recolecta (colector) y otra con la
que se modula el paso de dichos electrones (base). El funcionamiento es muy
parecido al deltriodo.
Una pequea seal elctrica aplicada entre la base y emisor modula la que
circula entre emisor y receptor. La seal base emisor puede ser muy pequea
en comparacin con la emisor receptor. La seal emisor-receptor es
aproximadamente la misma que la base-emisor pero amplificada.
El transistor se utiliza, por tanto, como amplificador. Adems, todo amplificador
oscila as que puede usarse como oscilador y tambin como rectificador y
como conmutador on-off.
El transistor tambin funciona por tanto como un interruptor electrnico, siendo
esta propiedad aplicada en la electrnica en el diseo de algunos tipos de
memorias y de otros circuitos como controladores de motores de DC y de
pasos.

Tipos de Transistores
Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificacin ms
aceptada consiste en dividirlos en transistores de bipolares o BJT (Bipolar
Junction Transistor) y transistores de efecto de campo o FET (Field Effect
Transistor). La familia de los transistores de efecto de campo es a su vez
bastante amplia, englobando los JFET, IGFET, MOSFET, FET, NPN. PNP, BJT,
VMOS, CMOS.

Transistor BJT
Para la polarizacin las terminales se indican mediante las literales E para el
emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollar una apreciacin de
la eleccin de esta notacin cuando se analice la operacin bsica del
transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingls, Bipolar
Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El
trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en
el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo
se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo
unipolar.
Su principal caracterstica es que permiten amplificar voltaje o corriente.

Transistores de efecto de campo

Los transistores de efecto de campo ms conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales denominadas puerta (o gate) a la equivalente a la base
del BJT, y que regula el paso de corriente por las otras dos terminales,
llamadas drenador (drain) y fuente (source).
Presentan diferencias de comportamiento respecto a los BJT. Una diferencia
significativa es que, en los MOSFET, la puerta no absorbe intensidad en
absoluto, frente a los BJT, donde la intensidad que atraviesa la base es
pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, pero no
siempre puede ser despreciada

Transistor FET
El JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de
controlar el flujo de corriente entre las otras dos terminales. Hay dos tipos de
JFET, denominadas de canal N y canal P.
La construccin bsica del JFET de canal N, la mayor parte de la estructura es
el material tipo N que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo
P. El extremo superior del canal tipo N se conecta mediante contacto hmico a
la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo
inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la
terminal llamada la fuente (sourse) (S). Los dos materiales tipo P se encuentran
conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (G).
Por tanto, el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del
canal tipo N y la compuerta, a las dos capas del material tipo P.

Transistor MOSFET

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son

dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una
canal de conduccin.
Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los
circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y
MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de
acumulacin (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los
segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern descritos
los MOS de acumulacin tambin conocidos como de enriquecimiento.
La figura 1.14 indica los diferentes smbolos utilizados para describir los
transistores MOS.

Transistores de potencia
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de
tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as
como actualmente los transistores son empleados en convertidores estticos
de potencia, principalmente Inversores.

NTE
Es el remplazo de los transistores comunes , aunque algunos aun no estn en
el comercio.

Encapsulados
Los transistores bipolares, triacs, SCR y otros tipos de dispositivos semiconductores vienen
en muchas presentaciones o encapsulados.

Estas presentaciones dependen del tipo de aplicacin en que se les van a utilizar.
Cada transistor (dispositivo semiconductor) tiene impreso en el cuerpo del mismo, el tipo de
transistor que es, siendo as muy fcil poder encontrar sus caractersticas tcnicas en un
manual como el ECG, NTE u otro.
En estos manuales tambin se pueden encontrar transistores de caractersticas similares o
muy parecidas a los que se les llama "equivalentes"
Entre los encapsulados ms comunes estn:
- El TO-92: Este transistor pequeo
amplificacin de pequeas seales.

es

muy

utilizado

para

la

La asignacin de patitas (emisor - base - colector) no est

estandarizado, por lo que es necesario a veces recurrir a los manuales
de equivalencias para obtener estos datos.
- El TO-18: Es un poco ms grande que el encapsulado TO-92, pero es
metlico. En la carcasa hay un pequeo saliente que indica que la patita
ms cercana es el emisor.
Para saber la configuracin de patitas es necesario a veces recurrir a los
manuales de equivalencias.
- El TO-39: Tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es ms grande.
Al igual que el anterior tiene una saliente que indica la cercana del
emisor, pero tambin tiene la patita del colector pegado a la carcasa,
para efectos de disipacin de calor.
- El TO-126:

Este tipo de encapsulado se utiliza mucho en aplicaciones de pequea a mediana potencia.

Puede o no utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en se este utilizando.
Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se debe
utilizar una mica aislante
- El TO-220: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que sedeba de disipar potencia
algo menor que con el encapsulado TO-3, y al igual que el TO-126 debe
utilizar una mica aislante si va a utilizardisipador, fijado por un
tornillo debidamente aislado.
- El TO-3: Este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia.
Como se puede ver en el grfico es de gran tamao debido a que tiene
que disipar bastante calor. Est fabricado de metal y es muy normal
ponerle un "disipador" para liberar la energa que este genera en calor.

Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues este estara
conectado directamente con el colector del transistor (ver siguiente prrafo). Para evitar
elcontacto se pone una mica para que sirva de aislante y a la vez de buen conductor trmico.
El disipador de fija al transistor con ayuda de tornillos adecuadamente
aislados que se introducen el los orificios que estos tienen.
(ver figura arriba)
En el transistor con encapsulado TO-3 el colector esta directamente
conectado al cuerpo del mismo (carcasa), pudiendo verse que slo tiene
dos pines o patitas.
Estas patitas no estn en el centro del transistor sino que ligeramente a un lado y si se pone
el transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estar el emisor y la derecha la
base.

Bibliografa

http://www.unicrom.com/Tut_encapsulado_transistor.asp
www.nteinc.com
enciclopedia.us.es
www.electronicafacil.net
www.fim.umich.mx
www.monografias.com