Efeito Hall em Germnio p e n

Efeito Hall em Germnio p e n

1

Franklin Vieira Guedes , Humberto Salvino Batista Torres , Karen Cristina Silva

Universidade Federal de Gois / Instituto de Fsica

1

franklinvieiraguedes@gmail.com , humberto.sb.torres@hotmail.com , karencristinasilva@yahoo.com.br

29 de setembro de 2014

Resumo
A resistividade e a tenso Hall de uma amostra retangular de Germnio so medidas em funo da temperatura e do
campo magntico aplicado. A condutncia especca (condutividade), o tipo de carga transportada e a mobilidade desses
portadores de carga so determinados pelas medidas efetuadas. Neste experimento, analisamos o Efeito Hall em uma
placa de semicondutor de Germnio do tipo p e outra do tipo n. A partir da anlise dos dados foi possvel determinar
o tipo, que est relacionado ao tipo de portador de carga, se so buracos ou eltrons, como tambm a concentrao
destes portadores, a mobilidade, a condutividade e o coeciente Hall. Os valores que obtivemos, aferidos em uma
sala temperatura ambiente, foram comparados com os valores informados pelo fabricante do aparato experimental
utilizado.Para a amostra de Ge p encontramos: RH = (6, 8 0, 3) 103 m3 /A.s; = (300 20) 103 m2 /V.s;
0 = (44 1)1 .m1 , e para o Ge n: RH = (6, 3 0, 3) 103 m3 /A.s; = (270 20) 103 m2 /V.s; 0 =
(42, 9 0, 9)1 .m1 .

1 Introduo
O efeito de Hall resulta da ao conjunta dum campo
eltrico e magntico no movimento dos portadores de
carga num semicondutor. O efeito de Hall manifesta-se
sobretudo nos semicondutores extrnsecos fracamente dopados embora, de forma menos evidente, tambm esteja
presente nos semicondutores intrnsecos e metais.
Para os semicondutores extrnsecos o efeito de Hall pode
ser analisado de forma relativamente simples pois suciente considerar um nico tipo de portadores, os maioritrios. A ttulo de exemplo vai-se analisar o efeito de Hall
num semicondutor extrnseco tipo-n de forma paralelepipdica, no qual se estabeleceram quatro contatos em duas
direces perpendiculares (gura 1). Entre os contactos A
e B faz-se passar uma corrente eltrica constante de intensidade I . Sem campo de induo magntica B , a tenso
UH entre os terminais C e D igual a zero. Quando se
aplica um campo esttico B , no necessariamente uniforme, aparece entre C e D uma tenso UH diferente de
zero e negativa, se for aplicado como se mostra na gura
1. O efeito de Hall consiste no aparecimento da tenso UH
, designada por tenso de Hall.
A existncia de corrente eltrica permite associar a cada
tipo de portadores de carga uma velocidade mdia no
nula. Nestas condies a ao dum campo B d origem a
uma fora de natureza magntica, a fora de Lorentz que,
para os eletrons, dada por:
FB = q[<vn >, B],

e para os buracos
FB = q[<vp >, B].

Figura 1: Congurao utilizada para o estudo do efeito

de Hall.
O vetor fora magntica tem o sentido e direo denidos pelo produto externo e pelo sinal da carga e um
mdulo dado por
|FB | = q|v||B| sin(),

(3)

em que o ngulo que o vetor velocidade faz com

o vetor B, gura 2. Se os vetores forem perpendiculares
= 90 e portanto |FB | = q|v||B|.
Consideremos ento um semicondutor tipo-n e desprezemos a contribuio para a corrente dos portadores minoritrios, os buracos (gura 3(a)). De acordo com a relao
1 e atendendo aos sentidos para <vn > e B, a fora de
(1) natureza magntica FB est dirigida segundo y e vale
|FB | = q|<vn >||B|. A fora d origem a acumulao
de carga negativa nas regies do semicondutor junto ao
contacto C , estabelecendo-se por isso uma diferena de
potencial entre C e D, com o campo eltrico dirigido de
(2) D para C . Deste modo a tenso de Hall negativa de
1

em que

Ey = Ey uy .

(5)

FE + FB = 0,

(6)

Da igualdade:
tira-se que:

vx B =

Ey .

(7)

v = vx

ux ;

(8)

B = B uz .

(9)

I = qnvx ly lz ,

(10)

de notar que:
Figura 2: Vetor fora magntica para: (a) eltrons e (b)
buracos.
Como:

acordo com o sentido convencionado na gura 3. Devido

ao aparecimento de uma componente do campo segundo
y , o campo total no semicondutor no ser dirigido s segundo x. Ao ngulo formado entre o vetor campo eltrico
e a sua componente segundo x, designa-se por ngulo de
Hall, H , que ser tanto maior quanto maior for o efeito de
Hall. de realar que se o semicondutor fosse do tipo p e
mantendo as restantes condies, i.e., sentidos de I, B, UH
como na gura 3(b), ento UH > 0 . Este facto resulta
de que FB tem o mesmo sentido que na situao em que
o semicondutor do tipo-n pois h duas trocas de sinal:
carga e velocidade. Assim, a acumulao de carga positiva no semicondutor junto a C . Deste modo, o efeito de
Hall pode ser usado na determinao do tipo de portadores
maioritrios de um semicondutor.

ento,

Ey
e portanto:



1
IB
=
,
qn ly lz


U H = E y ly =

qn

IB
,
lz

(11)

(12)

que se pode escrever como

UH = RH

em que
RH =

IB
,
lz

(13)

1
,
qn

(14)

se designa por constante de Hall.

Para semicondutores fortemente dopados, ou metais,
RH muito pequeno e portanto as tenses de Hall so bastante baixas, e o efeito de Hall dicilmente detectvel.
No sentido de aumentar UH pode-se diminuir a espessura
da amostra lz . A importncia do efeito de Hall enorme
pois para alm de permitir identicar o tipo de semicondutor extrnseco em anlise, permite obter a densidade de
portadores maioritrios, conhecidos lz , I, B e UH , e pode
ainda ser utilizado na medida do campo B. As sondas de
Hall so sensores de medida de B que se baseiam no efeito
de Hall.
Para semicondutores extrnsecos tipo-p, a expresso
para tenso de Hall idntica a equao 14, mas com
a constante de Hall positiva, dada por:
RH =

1
.
qp

(15)

No caso em que ambos os portadores, eltrons e buracos,

Figura 3: Efeito de Hall num semicondutor tipo-n (a) e
contribuem para a corrente eltrica, a constante de Hall
num semiconductor tipo-p (b).
dada por:
Nas condies da gura 3(a), e na situao estacionria,
p2p n2n
a fora de natureza magntica FB equilibrada pela fora
RH =
.
(16)
q(nn + pp )2
de natureza eltrica FE associada ao campo Ey .
A fora de natureza eltrica FE dada por:
Esta relao geral e permite obter as relaes 14 e 15
no caso particular dos semicondutores serem extrnsecos
FE = qEy ,
(4) tipo-n e tipo-p, respectivamente.
2

2 Procedimento Experimental
2.1

voltagem Hall em funo da corrente atravs da amostra. Em um segundo momento, zemos a corrente eltrica constante, com valor prximo a 30 mA, e medimos
a voltagem atravs do cristal em funo do campo magntico com o objetivo de calcular a resistncia, tambm
medimos a voltagem para o campo magntico aproximadamente nulo. Num terceiro momento, medimos a voltagem Hall em funo do campo magntico para um valor
de corrente constante. Este procedimento foi feito para
duas placas de Germnio tipos p e n.

Materiais Utilizados

Para o desenvolvimento da dinmica experimental usamos uma fonte de corrente contnua, uma ponte reticadora, capacitor eletroltico, um potencimetro, resistores,
um teslmetro de 330 , placas de Germnio e multmetros.

3 Resultados e Discusses
3.1

Germnio p

As dimenses da amostra de Ge, do tipo p, utiliza so:

espessura d = 1, 0mm, comprimento l = 20, 0mm e rea
de seo transversal A = s.d = 10, 0mm2 . O valor medido
para a resistncia inicial, na ausncia de campo magntico para a amostra foi de R0 = 46, a tabela 1 mostra
os valores de resistncias apresentadas pela amostra na
presena de um campo magntico com diferentes valores.
Figura 4: Montagem do experimento para medidas do Calculamos com os valores medidos de resistncia a relaEfeito Hall.
o (RB R0 )/R0 . E em seguida foi feito o Grco da
gura 6, de (RB R0 /R0 ) B .
Tabela 1: Resistncia variando com o campo magntico
com corrente eltrica constante I = 30mA.
B(mT )
0
34
62
92
121
153
181
207
234
252
277
316

Figura 5: Fonte de corrente d.c. para conectar ao semicondutor.

2.2

Descrio Experimental

Utilizamos a fonte (sada A.C.) para fornecer corrente

eltrica para o Germnio, com a ajuda do capacitor eletroltico e uma ponte reticadora. Esta corrente foi controlada com um potencimetro, para no exceder a corrente
mxima suportada pela amostra, alm disso tivemos um
resistor de 330 ligado em srie para limitar a corrente.
Nos terminais A e B colocamos a amostra de Germnio,
e nos terminais D e E medimos o potencial Hall com um
multmetro.
Uma sada D.C. da fonte alimentou as duas bobinas
para gerar um campo magntico na amostra. O medimos
com uma sonda Hall que colocamos prximo ao cristal no
centro do campo. Num primeiro momento, temperatura
ambiente, e com campo magntico constante, medimos a

R()
46
51, 9
57, 8
63, 7
67, 4
72, 5
77, 9
82, 2
87, 8
92
96, 2
100, 9

RB R0 /R0
0, 000
0, 128
0, 257
0, 385
0, 465
0, 576
0, 694
0, 787
0, 909
1, 000
1, 091
1, 194

Na segunda parte foram medidos valores de tenso Hall

(UH ) em funo da corrente (I) os valores so apresentados

na tabela 2,0 valor do campo magntico utilizado foi e

30mT .
Com os dados coletados foi construdo o grco da gura
7 de UH I , no qual foi feito um ajuste linear (ax +
b), o coeciente angular fornece o da equao , o valor
encontrado foi:

= (0, 2700 0, 0006)

(17)

UH = I

(18)

Figura 6: Grco de RB R0 /R0 B para o Ge p.

Figura 7: Grco UH I para o Ge p.

Tabela 2: Voltagem Hall em funo da corrente eltrica

com campo magntico constante B = 30mT .
i(A)
3, 00 102
2, 70 102
2, 40 102
2, 10 102
1, 80 102
1, 50 102
1, 20 102
9, 00 103
6, 00 103
3, 00 103
0, 00
3, 00 103
6, 00 103
9, 00 103
1, 20 102
1, 50 102
1, 80 102
2, 10 102
2, 40 102
2, 70 102
3, 00 102

Tabela 3: Voltagem Hall em funo do campo magntico

com corrente eltrica constante I = 30mA.

UH (V )
8, 10 103
7, 30 103
6, 50 103
5, 70 103
4, 90 103
4, 00 103
3, 20 103
2, 40 103
1, 60 103
7, 00 104
0, 00
7, 00 104
1, 60 103
2, 40 103
3, 20 103
4, 00 103
4, 90 103
5, 70 103
6, 50 103
7, 30 103
8, 10 103

B(T )
3, 00 101
2, 70 101
2, 40 101
2, 10 101
1, 80 101
1, 50 101
1, 20 101
9, 00 102
6, 00 102
3, 00 102
0, 00
3, 00 102
6, 00 102
9, 00 102
1, 20 101
1, 50 101
1, 80 101
2, 10 101
2, 40 101
2, 70 101
3, 00 101

UH (V )
5, 93 102
5, 42 102
4, 90 102
4, 36 102
3, 81 102
3, 24 102
2, 64 102
2, 04 102
1, 43 102
8, 20 103
1, 90 103
8, 10 103
1, 43 102
2, 05 102
2, 64 102
3, 24 102
3, 80 102
4, 35 102
4, 89 102
5, 42 102
5, 90 102

Na ltima parte foi medida a voltagem Hall (UH ) em

funo do campo magntico (B) com a corrente constante
I = 30mA, os valores so apresentados na tabela 3.
dade 0 , o valor foi obtido 0 = (44 1)1 .m1 .
Foi feito o grco da tenso Hall em funo do campo
l
magntico, gura 8, o ajuste linear fornece b = 0, 205
0 =
(21)
0, 002, com esse valor calculamos o coeciente Hall com a
R0 .A
equao 20, onde a expessura da amostra d = 1, 0103 m.
Com o coeciente Hall e a condutividade 0 , calculamos
O valor encontrado foi:
a mobilidade dos portadores H e a densidade de portadores n atravs das equaes 24 e 25. Os valores encontrador
m3
(19) foram:
RH = (6, 8 0, 3) 103
A.s

RH = b.

d
I

H = (300 20) 103

(20)

Atravs da equao 21 e R0 determinamos a condutivi-

n = 9, 2 1020 m3

m2
V.s

(22)
(23)

Figura 8: Grco UH B para o Ge p.

H = RH .0

n=

3.2

1
e.RH

Figura 9: Grco de RB R0 /R0 B para o Ge n.

Tabela 5: Voltagem Hall em funo da corrente eltrica
(24) com campo magntico constante B = 30mT .
i(A)
3, 00 102
2, 70 102
2, 40 102
2, 10 102
1, 80 102
1, 50 102
1, 20 102
9, 00 103
6, 00 103
3, 00 103
0, 00
3, 00 103
6, 00 103
9, 00 103
1, 20 102
1, 50 102
1, 80 102
2, 10 102
2, 40 102
2, 70 102
3, 00 102

(25)

Germnio n

As dimenses da amostra de Ge, do tipo n, utilizada so:

expessura d = 1, 0mm, comprimento l = 20, 0mm e rea
de seo transversal A = s.d = 10, 0mm2 . A resistncia
inicial, na ausncia de campo magntico para a amostra
medido foi R0 = 46, 6, a tabela 4 mostra a variao da
resistncia devida a variao do campo magntico. Calculamos com os valores medidos de resistncia a relao
(RB R0 )/R0 .
Tabela 4: Resistncia variando com o campo magntico
com corrente eltrica constante I = 30mA.
B(mT )
0
58
85
106
137
165
195
222
250
274

R()
46, 6
99, 8
123, 7
142, 9
171, 6
196, 1
225
251, 2
277, 6
301, 5

RB R0 /R0
0
1, 1416309013
1, 6545064378
2, 0665236052
2, 6824034335
3, 2081545064
3, 8283261803
4, 3905579399
4, 9570815451
5, 4699570815

UH (V )
8, 00 103
7, 20 103
6, 40 103
5, 60 103
4, 80 103
4, 00 103
3, 20 103
2, 40 103
1, 60 103
7, 00 104
0, 00
7, 00 104
1, 60 103
2, 40 103
3, 20 103
4, 00 103
4, 80 103
5, 60 103
6, 50 103
7, 30 103
8, 10 103

o valor encontrado para foi:

= (0, 2678 0, 0005)

(26)

Na terceira parte foi medida a voltagem Hall (UH ) em

funo do campo magntico (B) com a corrente constante
I = 30mA, tabela 3.
Foi feito o grco da tenso Hall em funo do campo
E em seguida foi feito o Grco da gura 9, de (RB
magntico
grco 6, o ajuste linear fornece b = 0, 188
R0 /R0 ) B .
0, 002, com o valor absoluto de b calculamos o coeciente
Na segunda parte foram medidos valores de tenso Hall
Hall com a equao 20, onde a espessura da amostra d =
(UH ) em funo da corrente (I), tabela 5, o valor do campo
1, 0 103 m. O valor encontrado foi:
magntico utilizado foi e 30mT .
Com os dados coletados foi construdo o grco da gura
m3
RH = (6, 3 0, 3) 103
(27)
10 de UH I , no qual foi feito um ajuste linear (ax + b),
A.s
5

Com o coeciente Hall e a condutividade 0 , calculamos

a mobilidade dos portadores H e a densidade de portadores n atravz da equaes 24 e 25. Os valores encontrados
foram:
H = (270 20) 103

m2
V.s

(28)
(29)

n = 9, 9 1020 m3

4 Concluso
Os grcos das guras 6 e 9 mostram que a resistncia
aumenta conforme o campo vai aumentando. Essa variao est associada diminuio do livre caminho mdio
Figura 10: Grco UH I para o Ge n.
dos portadores de carga. O campo aplicado introduz um
aumento no fator de coliso, o que faz a frequncia das
Tabela 6: Voltagem Hall em funo do campo magntico colises ser maior aumentando assim a resistncia.
Os portadores de carga na amostra de germnio p so
com corrente eltrica constante I = 30mA.
positivos ou seja buracos pois o coeciente angular do grco 3 positivo b = 0, 205 0, 002, j na amostra de gerB(T )
UH (V )
mnio n so eltrons pois o coeciente angular no grco
2, 65 101
4, 82 102
6 negativo b = 0, 188 0, 002.
2, 40 101
4, 41 102
Abaixo so apresentadas duas tabelas onde so compa2, 10 101
3, 92 102
rados os valores encontrados com os valores esperados, na
1, 80 101
3, 40 102
primeira esto os valores relacionados ao Grmanio p e na
1
segunda ao n.
1, 50 10
2, 88 102
1, 20 101
9, 00 102
6, 00 102
3, 00 102
0, 00
3, 00 102
6, 00 102
9, 00 102
1, 20 101
1, 50 101
1, 80 101
2, 10 101
2, 40 101
2, 66 101

2, 37 102
1, 86 102
1, 33 102
8, 10 103
2, 70 103
8, 20 103
1, 33 102
1, 86 102
2, 38 102
2, 88 102
3, 38 102
3, 90 102
4, 41 102
4, 86 102

Tabela 7: Grmanio tipo P

Grandeza

(6, 8 0, 3) 103
(44 1)
(300 20) 103
9, 2 1020

Valores Esperados

Erro Percentual

(4, 17 0, 08) 103

57, 14
(238 5) 103
14, 9 1020

Figura 11: Grco UH B para o Ge n.

Atravs da equao 21 e R0 determinamos a condutividade 0 , o valor foi obtido 0 = (42, 9 0, 9)1 .m1 .
6

Valores Experimentais

RH (m3 /A.s)
0 (1 .m1 )
(m2 /V.s)
n (buracos/m3 )

63%
23%
26%
38%

Tabela 8: Grmanio tipo n

Grandeza

Valores Experimentais

RH (m3 /A.s)
0 (1 .m1 )
(m2 /V.s)
n (eltrons/m3 )

(6, 3 0, 3) 103
(42, 9 0, 9)
(270 20) 103
9, 9 1020

Valores Esperados

Erro Percentual

(4, 8 0, 2) 103
53, 6
(257 5) 103
13, 0 1020

31%
20%
5%
24%

Os objetivos do experimento foram alcanados.

5 Referncias Bibliogrcas
CARVALHO Jesiel Freitas, SANTANA Ricardo Costa,
Apostila de Laboratrio de Fsica Moderna - Roteiro dos
experimentos, 2014.
R. Eisberg, R. Resnick, Fsica Quntica, Ed.
pus, Rio de Janeiro, 1979.

Cam-

Laurence Hall Van Vlack, Princpios da cincia e

tecnologia de materiais Elsevier, 29 Reimpresso, Rio de
Janeiro, 1984.
D. Halliday, R. Resnick, J. Walker, Fundamentos da
Fsica, Volume 4, LTC, 8 ED., Rio de Janeiro, 2008.
Callister, Jr., William D., Fundamentos da Cincia
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LTC, 2 ED., Rio de Janeiro, 2006.