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Graficas:
MATERIALES:
1 DIODO
1N4007
1 RESISTENCIA
10 K
1 TRANSISTOR
T1P41C
1 RESISTENCIA
1K
1 RESISTENCIA
150
1 GENERADOR
1 OSCILOSCOPIO
1 FUENTE D.C.
1 PROTOBOARD
DIODO:
TRANSISTOR BJT:
TA= 1,25 s
Ts= 26 s
TB= 6,25 s
Tf= 4 s
Por lo tanto:
Ton= 1,25+6,25= 7,5 s
Tiempo de conmutacin durante un ciclo de trabajo:
T= Ton+Toff= 7,5+30= 37,5 s
Toff= 26+4= 30 s
Tiempos de conmutacin.
Parmetro Descripcin
td
tr
ton
ts
tf
toff
CONCLUSIONES
El transistor es un gran aporte al campo del desarrollo cientfico y tecnolgico, dado su
amplia versatilidad y su gran aplicabilidad en la investigacin y desarrollo. Sus fundamentos
fsicos son fundamentados en las bases de la mecnica cuntica, aprovechando sus
concepciones y formulaciones tericas es posible llevar a la prctica elementos prcticos e
innovadores como el transistor. La incursin de los transistores sustituyo los tubos al vaco y
permiti la reduccin de sistemas y diseos electrnicos, siendo estos ms estables y de
mayor rendimiento.
El estudio del efecto de transicin de niveles de energa y el espectro atmico fueron
decisivos en la formulacin terica del transistor, adems del estudio del tomo de la
mecnica cuntica y la fsica atmica, permitiendo aprovechar las propiedades intrnsecas
de los tomos de Germanio, fosforo entre otros, para el diseo de sistemas basados en las
reacciones atmicas entre ellos por sus electrones, perfeccionando este proceso hasta
llevarlo a lo que actualmente conocemos como transistores.
Curva de prdida de disipacin de potencia tpica para os transistores de silicio.
FACULTAD DE TECNOLOGA
COCHABAMBA
PRACTICA # 1
TIEMPOS DE CONMUTACIN
COCHABAMBA BOLIVIA