FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGA

ELECTRNICA ANALGICA 1
PERIODO 41
TEMA: SIMULACION COMPUTACIONAL

INTEGRANTES:
ANDRADE DAYANA
AGUAS KATHERINE
RAMOS MARCO

PRACTICA N3
SIMULACION COMPUTACIONAL
OBJETIVOS:
Realizar clculos que nos demuestren las varianzas que existen entre un valor
calculado de forma terica y en forma prctica para de esta manera apreciar de
manera directa la relacin q existe entre cada uno de los circuitos
MARCO TEORICO
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones:
por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto y por
encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea, se les
suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte
negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en
corriente continua.

Curva caracterstica de un diodo:

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece,
de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de
la intensidad de corriente.
Corriente mxima (Imax).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseo del mismo
.
Corriente inversa de saturacin (Is).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la

formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica
por cada incremento de 10 en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa),
esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la
tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
1. Realizar el anlisis de los circuitos simulados en el laboratorio
Cada circuito tiene una diferente forma de onda para sus respectivos elementos en
especial el diodo.

2. Presentar los grficos respectivos obtenidos de la simulacin, as como los

respectivos simulados.

GRFICOS OBTENIDOS EN LA SIMULACIN EN MULTISIM

GRFICOS OBTENIDOS EN LA SIMULACIN EN CIRCUITMAKER

Figura2.1

Figura 2.2

Figura 2.3

3. Comentar los errores obtenidos.

4. Conclusiones.
El proceso de simulacin de circuitos nos ayudo a entender de manera mas
concisa todo lo referente al diodo sus caracterstica la medicin de valores mas
exactos y los pudimos comparar con los resultaos tericos.
5. Bibliografa.
http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/ideias-dicas-e-informacoes-uteis/165diodos/2687-ip253.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://www.diodes.com/datasheets/ds28002.pdf

INFORME N3
FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGA
ELECTRNICA ANALGICA 1
PERIODO 41
TEMA: SIMULACION COMPUTACIONAL
INTEGRANTES:

ANDRADE DAYANA
AGUAS KATHERINE
RAMOS MARCO

Simulacin obtenida en el laboratorio:

D4
1N4007
V4
-12/12V
2kHz

R1
2.7k

A: v4_1

12.50 V
7.500 V
2.500 V
-2.500 V
-7.500 V
-12.50 V
0.000ms

A: d4_k

0.250ms

0.500ms

0.750ms

1.000ms

1.250ms

1.500ms

1.750ms

2.000ms

2.250ms

2.500ms

0.250ms

0.500ms

0.750ms

1.000ms

1.250ms

1.500ms

1.750ms

2.000ms

2.250ms

2.500ms

0.250ms

0.500ms

0.750ms

50.00us

100.0us

150.0us

12.50 V

7.500 V

2.500 V

-2.500 V
0.000ms

A: d4_k
B: v4_1

12.50 V
7.500 V
2.500 V
-2.500 V
-7.500 V
-12.50 V
0.000ms

A: v4_1
B: d4_k

1.000ms

1.250ms

1.500ms

1.750ms

2.000ms

2.250ms

2.500ms

12.50 V
7.500 V
2.500 V
-2.500 V
-7.500 V
-12.50 V
0.000us

200.0us

250.0us

300.0us

350.0us

400.0us

450.0us

500.0us