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DAMEC
ENERGIA E FLUIDOS 2
EF2_LE3_1
27/6/2005
Prof. Raul
LACIT
CEFETPR
DAMEC
Resistncia de contato
5 Um chip de silcio est encapsulado de modo
que, em regime permanente, toda a potncia
dissipada se transfere por conveco para uma
corrente de fluido na qual h= 1000 W/m2K e
T=20oC. O chip est separado do fluido por uma
cobertura de alumnio, com 2 mm de espessura, e a
resistncia trmica de contato na interface chipalumnio 0,5 x 10-4 m2K/W.
Sabendo-se que a rea superficial do chip
1000 mm2 e a temperatura mxima admissvel
850C. Qual a dissipao de potncia mxima
permissvel no chip?
Sol.: 5,7 W
EF2_LE3_1
27/6/2005
Prof. Raul
LACIT