Bandas de energa

Electrones
que
participan en la
corriente elctrica

nicos
electrones
que
pueden
ser
separados del tomo

Al
ncleo

Semiconductores

Conduccin

Nivel de energa ubicado

afuera del tomo

Valencia

Orbital ms alejado del

ncleo
Bandas prohibidas: Espacio
entre bandas, ningn electrn
puede residir all

Niveles ubicados dentro del tomo

Representan el nivel de energa que tienen los electrones al girar

dentro de un tomo, entre ms cerca est del ncleo ms energa
posee.
Electricidad 3

Semiconductores

Conduccin elctrica
e

Conduccin

Eg

Valencia

Conductores: Eg 0
Aislantes: Eg > 5 eV

Sper aislante: Eg =

Superconductores: Eg = 0

Toda la energa es usada para

impulsar los electrones

Es imposible construir un sper aislante,

tiene su punto de ruptura elctrico

todo material

La cantidad de energa que se le debe quitar o aadir al electrn

para que pase de la banda de valencia a conduccin se le llama
brecha energtica (Eg). La conductividad de un material depende
Los niveles de energa por encima a Eg se utilizan
del tamao de esta.
para impulsar los electrones libre

Electricidad 3

Semiconductores

Semiconductores
e

Conduccin

Eg

Valencia

Silicio: Eg = 1,1 eV
Germanio: Eg = 0,67 eV
Arseniuro de galio: Eg = 1,41 eV

Materiales que presentan caractersticas de conduccin

intermedias, no conducen tan bien como un conductor ni tan mal
como un aislante. Son ejemplos de semiconductores el silicio, el
germanio y el selenio.
Electricidad 3

Semiconductores

Enlace covalente

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Los electrones de valencia son compartidos por varios tomos, de

forma que el ltimo orbital tiende a llenarse.
La unin covalente mostrada solo se presenta en un cristal puro y a una temperatura de 0 K.

Electricidad 3

Semiconductores

Efecto de la temperatura

Un
El cristal
electrn
sigue
saliendo
siendodel
elctricamente
enlace, llenando
neutro,
un pues
huecoelonmero
vagando
depor
protones
el material
y electrones
es una
corriente
totales son
elctrica.
iguales.

Si

Si

Si
Electrn libre

Hueco

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Eventualmente
algn
libre
llenar
un
hueco
con
lo que
AlPor
aumentar
la temperatura
interna
los
enlaces
covalentes
Llegar
el aumente
momento
que
else
enlace
se
rompa
efecto
de
la electrn
temperatura
crean
igual
cantidad
de
Conforme
la en
temperatura
la
probabilidad
decreando
que
se se
eliminarn
ambos
portadores
(aunque
el
seguir
empiezan
aconocidos
desestabilizarse.
portadores,
como
libres
y huecos
(el el
portadores.
Entre
mayor
la
temperatura
interna
mejor
La
temperatura
esportadores
uno
de sea
loselectrones
factores
queelectrn
ms
afectan
formen
nuevos
tambin
aumenta.
existiendo,
pero
ahora
dentro
de el
unelectrn),
enlace), el
estadsticamente,
espacio
vaco
de
donde
seun
liber
electrn libre
conducir
elelctrico
semiconductor.
comportamiento
de
semiconductor.
algn
otro
enlace
se romper
creando nuevos portadores.
puede
vagar
dentro
del cristal.
Electricidad 3

Semiconductores

C (Coeficiente negativo de temperatura)

Si
la
temperatura
aumenta, la resistencia
interna disminuye.

I
Al
bajar
la
resistencia sube
la corriente por el
semiconductor.

T
Al
aumentar
la
corriente vuelve a
subir la temperatura
interna, creando un
crculo vicioso.

La operacin de un dispositivo semiconductor se debe realizar

Se refiere
a que
al subir
la temperatura
la resistencia
siempre
dentro
de los
rangos
de temperatura
permitidosinterna
si no se
disminuye.
toma
en cuenta este efecto el semiconductor puede daarse
permanentemente.
Electricidad 3

Semiconductores

Efecto del voltaje

El voltaje aplicado a
tiene el mismo efecto
en el mismo.

un semiconductor
que la temperatura

Al aumentar el voltaje la
resistencia interna disminuye.
Los semiconductores no son
componentes lineales pues el valor
de su resistencia depende del
voltaje aplicado.

Los mtodos de anlisis que suponen linealidad no

trabajar con semiconductores, a menos que estos
linealmente primero.
Electricidad 3

son vlidos al
se aproximen

Semiconductores intrnsecos

Semiconductores

Es un semiconductor puro, 100 % de sus

tomos son del mismo material.

Su comportamiento es el visto hasta ahora.

En la naturaleza no existe un grado perfecto de pureza,

por eso la definicin aceptada de semiconductor
intrnseco es un material altamente puro.
El precio del semiconductor depende de su pureza, entre ms
puro es ms caro.
Electricidad 3

Semiconductores extrnsecos

Semiconductores

Semiconductor al cual se dopa para

variar sus caractersticas elctricas.

Dopar es agregar sustancias extraas a un

cuerpo para variar sus caractersticas
fsicas.
Existen dos tipos de sustancias dopadoras, las
donadoras (agregan un electrn libre de ms) y las
aceptoras (agregan un hueco de ms).
Entre ms dopado est un semiconductor mejor conduce, sin
importar el tipo de dopaje.
Electricidad 3

Semiconductores

Tipo N
Electrn libre de ms

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Los electrones libres son

portadores mayoritarios
y
los
huecos
minoritarios.

Se utilizan sustancias pentavalentes como el fsforo, cada tomo

de fsforo contribuye con un electrn al enlace covalente,
sobrando uno, el cual ser libre.
El material sigue siendo elctricamente neutro, sin embargo tendr ms electrones libres.
Electricidad 3

10

Semiconductores

Tipo P
Si

Si

Si

Hueco de ms

Si

Si

Si

Si

Si

Los electrones libres son

portadores minoritarios y
los huecos mayoritarios.

Se utilizan sustancias trivalentes como el boro, cada tomo de

fsforo contribuye con un electrn al enlace covalente, faltando
uno, por lo que habr un hueco de ms.
El material sigue siendo elctricamente neutro, sin embargo tendr ms huecos.
Electricidad 3

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