Captulo 1

Introduo
Julio Cezar Adamowski
Laboratrio de Sensores e Atuadores
Departamento de Engenharia Mecatrnica e de Sistemas Mecnicos.
Escola Politcnica da USP
Rua Prof. Mello Moraes, 2231, Cidade Universitria SP
jcadamow@usp.br

1.1 INTRODUO
O grau de desenvolvimento de uma sociedade industrializada pode ser avaliado pelo uso
que esta faz de instrumentos de medio, definidos como dispositivos para detectar, medir,
registrar ou controlar a variao de parmetros em um processo. Nos laboratrios e fbricas
em todo o mundo, a demanda para este tipo de equipamento cada vez maior, para que a
fabricao e a qualidade de um produto possa ser adequadamente monitorada.
Acompanhando o avano acelerado dos sistemas computacionais, os sensores tm se
tornado cada vez mais sofisticados para atender as necessidades de interao desses
sistemas com o meio ambiente. Esses sensores incorporam circuitos eletrnicos integrados
que os tornam insensveis s variaes indesejveis do ambiente e de fcil conexo nas
aplicaes. Alm disso, tem havido uma corrida para o desenvolvimento de novos
materiais, visando aumento de sensibilidade, resposta em freqncia adequada, estabilidade
ao longo do tempo, entre outras caractersticas. O desenvolvimento de novos sensores e a
aplicao adequada dos sensores j existentes requerem um profundo conhecimento dos
fundamentos tericos e dos princpios de funcionamento envolvidos.
Considerando a importncia da automao industrial no pas, foi criada a rede de
Automao Industrial no lanamento do programa de redes cooperativas de engenharia
(RECOPE), em meados de 1996, visando colocar em contacto profissionais das
universidades, centros de pesquisa e da indstria. A automao industrial apresenta
diferentes nveis indo desde sensores e atuadores at sistemas de gerenciamento. O nvel de
sensores e atuadores exige um elevado grau de compreenso do fenmeno fsico envolvido
e o nvel de gerenciamento um elevado grau de abstrao. Considerando esse amplo
espectro, foi natural a reorganizao da Rede de Automao Industrial entre grupos de
pesquisa com trabalhos mais afins, dando origem Rede de Sensores, constituda por 12
grupos de pesquisa das seguintes instituies:

Departamento de Engenharia Mecatrnica e de Sistemas Mecnicos da Escola

Politcnica da USP (EPUSP-PMR);

Laboratrio de Microeletrnica da Escola Politcnica da USP (EPUSP-LME);

Faculdade de Engenharia Eltrica da UNICAMP (UNICAMP-FEE/DEB);

Instituto de Fsica da UNICAMP (UNICAMP-IF);

Departamentos de Engenharia Eltrica e de Fsica da Universidade Federal de

Pernambuco (UFPE-DF/DEE);

Laboratrio de Sistemas Integrveis da Escola Politcnica da USP (EPUSPLSI);

Departamentos de Engenharia Eltrica e Mecnica da Escola de Engenharia de

So Carlos, Universidade de So Paulo (EESC-DEM/DEE);

Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo (IFUSP)

Departamentos de Fsica e da Universidade Federal de So Carlos (UFSCarDF);

COPPE, Universidade Federal do Rio de Janeiro (COPPE-PEMM);

Em linhas gerais, os grupos de pesquisa participantes da Rede de Sensores exploraram

os seguintes aspectos de sensores: caracterizao de materiais; processos de fabricao;
modelagem e simulao; verificao e calibrao; aplicao e integrao.
Grande parte das pesquisas desenvolvidas por esses grupos est relacionada a sensores
piezoeltricos, pticos e sensores de gases. Por esse motivo, neste livro esto destacados
desde os princpios bsicos dos materiais piezoeltricos at a vasta aplicao destes como
sensores. O mesmo se aplicada ptica, aqui so apresentados os fundamentos da ptica e
uma gama de sensores pticos desde os mais tradicionais, como os hologrficos, at os de
ptica integrada. Um dos captulos trata de sensores de gases baseados em tcnicas de
micro-eletrnica.
Os sensores pticos tm se beneficiado das tcnicas de eletrnica e da fsica do estado
slido permitindo o desenvolvimento de dispositivos de ptica integrada, os quais so
sensores sofisticados, como por exemplo, os utilizados em giroscpios pticos, sensores de
posio etc. Alm dos sensores pticos, houve tambm um grande avano das fontes
luminosas de estado slido que teve como precursor o LED e atualmente est na fase do
diodo laser.
As cermicas piezoeltricas surgiram na dcada de cinqenta visando aplicaes em
sonares e atualmente ocupam um grande espao na fabricao de sensores. Um dos grandes

avanos na aplicao de cermicas piezoeltricas est na rea de diagnstico mdico por

ultra-som. Alm disso, os sensores piezoeltricos tambm so muito aplicados a ensaios de
falhas em estruturas, medio de densidade e viscosidade de lquidos, medio de vazo de
fluidos etc.
Os sensores de gases tiveram um grande avano com o desenvolvimento das tcnicas de
micro-eletrnica.
Nos diversos encontros dos grupos, desde a formao da Rede de Sensores, foram
ministrados mini-cursos sobre tpicos das especialidades dos grupos. Parte do material
didtico desenvolvido foi formatado em sete captulos, numerados de 2 ao 8 no volume 1
desse livro, intitulado Sensores - Tecnologias e Aplicaes. Estes captulos esto listados
abaixo, nos quais h um link que permite o acesso direto a cada captulo.

Captulo 2 - Materiais piezoeltricos

Captulo 3 - Transdutores de ultra-som: modelagem, construo e caracterizao
Captulo 4 - Tcnicas de caracterizao de lquidos por ultra-som
Captulo 5 - Sensores a Ondas Acsticas de Superfcie
Captulo 6 - Sensores de gs
Captulo 7 - Sensores pticos integrados e em fibra
Captulo 8 - Holografia: Princpio e Aplicaes

Os assuntos abordados neste livro abrangem parte das tecnologias de sensores e

destinam-se a pesquisadores, alunos de ps-graduao e outros profissionais da rea.
A elaborao desse CD s foi possvel com o apoio da FINEP, atravs do programa
RECOPE, e o esforo dos participantes da Rede de Sensores.

Captulo 2

Materiais Piezoeltricos
Jos Antonio Eiras
Grupo de Cermicas Ferroeltricas
Departamento de Fsica - Universidade Federal de So Carlos
CEP: 13.565-905 So Carlos / SP, Brasil
eiras@df.ufscar.br

Contedo
2.1.

INTRODUO .............................................................................................. 3

2.1.1.

Fundamentos de piezoeletricidade.......................................................... 3

2.1.2.

Equaes fundamentais........................................................................... 4

2.1.3.

Monocristais vs. policristais (cermicas ou filmes finos)....................... 7

2.2.

MATERIAIS PIEZOELTRICOS ................................................................. 9

2.2.1.

Cristais .................................................................................................... 9

2.2.1.1.

Quartzo (SiO2) .................................................................................... 9

2.2.1.2.

Niobato de ltio (LiNbO3 - LN) e tantalato de ltio (LiTaO3-LT)..... 10

2.2.2.

Semicondutores..................................................................................... 12

2.2.3.

Cermicas.............................................................................................. 13

2.2.3.1.

Perovskitas ((A1,A2)(B1,B2)O3) ........................................................ 14

2.2.4.

Polmeros .............................................................................................. 16

2.2.5.

Compsitos ........................................................................................... 18

2.2.6.

Filmes finos........................................................................................... 21

2.3.

CARACTERIZAO

DE

PROPRIEDADES

DIELTRICAS

PIEZOELTRICAS.......................................................................................................... 23
2.3.1.

Introduo ............................................................................................. 23

2.3.2.

Propriedades dieltricas ........................................................................ 23

2.3.3.

Propriedades piezoeltricas................................................................... 25

2.4.

2.3.3.1.

O mtodo da ressonncia ................................................................. 26

2.3.3.2.

Condies de caracterizao de elementos piezoeltricos................ 28

2.3.3.3.

Modos de vibrao em piezoeltricos............................................. 31

REFERNCIAS............................................................................................ 33

2.1.

INTRODUO

O efeito piezoeltrico foi descoberto em 1880 em cristais de quartzo pelos irmos

Pierre e Jacques Curie [1]. Desde ento tem motivado inmeras investigaes para o
desenvolvimento de sistemas transdutores eletromecnicos.
O efeito consiste basicamente na converso de energia mecnica em eltrica (do
grego piezo presso). Posteriormente, em 1881, por anlises termodinmicas,
Lippman [2] previu a existncia do efeito piezoeltrico inverso, que consiste no
aparecimento de uma deformao do material quando submetido a um campo eltrico.
A primeira aplicao tecnolgica de um elemento piezoeltrico pode ser atribuda a
Langevin (1921) [3], que desenvolveu um sonar utilizando o quartzo como elemento
piezoeltrico. O descobrimento, por Roberts [4], que cermicas ferroelctricas de titanato
de brio (BaTiO3) polarizadas apresentam o efeito piezoeltrico marcou o incio da
gerao das piezocermicas.
Os estudos de solues slidas de PbZrO3- PbTiO3, por Jaffe [5,6] nos anos 50,
resultaram na obteno de cermicas de titanato zirconato de chumbo (PZT), que
passaram a ser objeto de freqentes investigaes para a otimizao de suas propriedades
ou como motivao para o desenvolvimento de novos compostos cermicos.
Na atualidade materiais piezoeltricos so utilizados como elementos sensores e/ou
atuadores em aplicaes tecnolgicas desde baixas (na faixa de Hz) at freqncias da
ordem de 109 Hz. As baixas freqncias so cobertas principalmente pelos materiais
policristalinos (cermicos, polmeros ou compsitos). Cristais e filmes finos, por sua vez,
so os mais utilizados em aplicaes de altas freqncias.
Neste captulo apresentaremos um resumo dos conceitos fundamentais da
piezoeletricidade e dos materiais e formas mais destacadas nas aplicaes de materiais
piezoeltricos.

2.1.1. Fundamentos de piezoeletricidade

De uma forma geral o efeito piezoeltrico pode ser definido como a converso de
energia mecnica em energia eltrica (direto) ou a converso de energia eltrica em
energia mecnica (inverso). Uma representao esquemtica apresentada na Figura 2.1.
3

Direto
Energia Mecnica

Inverso

Energia Eltrica

Figura 2.1- Representao esquemtica da converso de energia no efeito

piezoeltrico.

Um sistema piezoeltrico constitudo de dois sistemas fsicos acoplados, o

mecnico e o eltrico.
O efeito piezoeltrico pode ser descrito de forma simplificada, desconsiderando a
simetria do material, pelas seguintes equaes:
D = dT + E

(direto)

(2.1)

S = sT + d E

(inverso)

(2.2)

D - vetor deslocamento eltrico

T Tenso mecnica

E - campo eltrico

S Deformao

permissividade dieltrica

s coeficiente elstico

d coeficiente piezoeltrico

importante notar que o efeito piezoeltrico representa uma dependncia linear da

deformao com o campo eltrico aplicado. Portanto, se o sentido do campo eltrico
invertido, o sentido da deformao tambm ser invertido.

2.1.2. Equaes fundamentais

As equaes constitutivas para representar o efeito piezoeltrico em geral utilizam a
notao matricial. As equaes e unidades que sero apresentadas neste captulo so as
mesmas que se encontram nos IRE Standards on Piezoelectric Crystals ou Ceramics
[7,8,9].
A ausncia de um centro de simetria uma condio necessria para que um material
possa apresentar o fenmeno da piezoeletricidade, por isso todos os materiais
piezoeltricos so anisotrpicos. Para descrever as propriedades de todas as classes de
materiais anisotrpicos existem 18 coeficientes piezoeltricos, 21 coeficientes elsticos e
4

6 coeficientes dieltricos independentes. Na interao piezoeltrica, que resulta da

interao entre o sistema eltrico e o mecnico, dois conjuntos de coeficientes eltricos,
S ou T, e dois conjuntos de coeficientes elsticos, cE, sE ou cD, sD, so definidos
dependendo das condies em que se realizam suas medies, a T (tenso mecnica), S
(deformao mecnica), E (campo eltrico) ou D (vetor deslocamento eltrico)
constantes. Dependendo da simetria que apresente o material o nmero de coeficientes
no nulos pode diminuir. Quanto maior a simetria menor ser o nmero de coeficientes
diferentes de zero. A reduo por simetria do nmero de coeficientes independentes e a
transio da notao tensorial para a notao matricial discutida em detalhes no livro de
Nye [10].
Alguns cristais no centrossimtricos e cermicas ferroelctricas polarizadas
apresentam o efeito piezoeltrico. Considerando que os campos eltricos aplicados e as
temperaturas sejam baixas, comparadas s temperaturas de Curie Tc, as equaes
piezoeltricas lineares (como as Eq. 2.1 e 2.2) podem ser utilizadas para descrev-los.
Para descrever um material piezoeltrico as matrizes adequadas para representar os
coeficientes S ou T, cE, sE ou cD, sD e d, para serem utilizadas nas Eq. (2.1) e (2.2), se
obtm considerando sua simetria macroscpica [7-10]. Assim, por exemplo, para cristais
de quartzo tem-se que considerar as matrizes correspondentes simetria trigonal (32),
enquanto que para cermicas polarizadas as matrizes da simetria (6mm ou mm) [11]
devem ser utilizadas.
Considerando

diferentes formas da energia de Gibbs e desprezando efeitos

magnticos e de variaes de entropia, possvel obter as seguintes relaes para

descrever o efeito piezoeltrico [10,11]:

S i = sijE T j + d mi Em

S i = sijDT j + g mi Dm

T
Dn = d miTi + mn
Em

T
E m = g miTi + mn
Dn

(2.3)

Ti = cijE S j emi Em

Ti = cijD S j hmi Dm

S
Dn = emi S i + mn
Em

S
E m = hmi S i + mn
Dn

i,j 1,2,...,6
n,m 1,2,3
5

, -

coef. dieltricos

d,g,e,h -

coef. piezoeltricos

dmi

coeficiente piezoeltrico

mn

permissividade dieltrica

Dn

vetor deslocamento eltrico

Em

campo eltrico

T1, T2, T3

tenses de trao ou compresso

T4, T5, T6

tenses de cisalhamento

S1, S2, S3

deformaes puras

S4, S5, S6

deformaes de cisalhamento
E campo eltrico constante

Condies de Medida

D polarizao constante

(Superescritos)

T tenso mecnica constante

S deformao constante

onde,

E1
D, E = E 2
E3

11 12
=
22

d11

d, g =

13
23
33

S1

S2
S
S,T = 3
S4
S
5
S
6

d12

d13

d14

d15

d 22

d 23

d 24

d 25

d 33

d 34

d 35

s11 s12 s13 s14 s15

s 22 s 23 s24 s25
s33 s34 s35
s, c =
s 44 s 45
s55

s16
s 26
s 36
s 46
s56
s 66

d16

d 26
d 36

so as matrizes gerais, que representam as diferentes propriedades dieltricas,

mecnicas e piezoeltricas dos materiais piezoeltricos.
A escolha de quais equaes utilizar para descrever um determinado sistema depende
de que variveis eltricas, campo eltrico (E) ou vetor deslocamento eltrico (D), ou

mecnicas, tenso mecnica (T) ou deformao mecnica (S), devem ser escolhidas
como variveis independentes [9,10].

2.1.3. Monocristais vs. policristais (cermicas ou filmes finos)

Como mencionado anteriormente, embora as primeiras aplicaes de materiais
piezoeltricos tenham sido realizadas utilizando cristais, particularmente o quartzo, o
maior crescimento do nmero de aplicaes ocorreu a partir do descobrimento dos
piezoeltricos cermicos baseados em titanato zirconato de chumbo (PZT) nos anos 50
[5,6]. Desde ento as piezocermicas so utilizadas em inmeras aplicaes.
Entretanto, cristais piezoeltricos seguem sendo os mais utilizados para aplicaes
como osciladores estabilizados e componentes que funcionam com ondas acsticas de
superfcie. Como principais vantagens dos cristais, frente s piezocermicas, pode-se
destacar suas altas temperaturas de Curie, alta estabilidade trmica (pequenas alteraes
de suas propriedades piezoeltricas em funo da temperatura) e alto fator de qualidade
mecnico. Por sua vez, a obteno de cristais de alta qualidade requer processos ou muito
demorados, ou processos de crescimento muito caros, como os mtodos Czochralski ou
Bridgeman, por exemplo. Por serem anisotrpicos os cristais requerem todavia cortes em
orientaes especficas para que se possa utiliz-los de forma adequada.
Materiais cermicos (policristalinos), por sua vez, apresentam as seguintes
vantagens, frente aos cristais: processo de obteno mais barato, a possibilidade de serem
preparados em uma grande variedade de composies, o que permite controlar ou alterar
suas propriedades fsicas, e a possibilidade de serem produzidos numa maior variedade de
geometrias.
Os materiais piezocermicos pertencem classe dos materiais ferroeltricos1 e,
quando recm produzidos, so isotrpicos, no apresentando uma orientao
macroscpica da polarizao espontnea. Por isso requerem que, para que seja possvel
utiliz-los como elementos piezoeltricos, sejam polarizados sob a aplicao de altos
campos eltricos. Assim, durante o processo de polarizao, possvel escolher a direo

Materiais ferroeltricos, ou simplesmente ferroeltricos, caracterizam-se por apresentarem, em um

determinado intervalo de temperatura, polarizao espontnea que pode ser reorientada pela aplicao de
um campo eltrico (inferior ao campo de ruptura).
7

da polarizao macroscpica. O estado polarizado , por isso, metaestvel e pode variar

com o tempo, com o aumento da temperatura ou sob a aplicao de altos campos eltricos
(da ordem do campo de polarizao), com sentidos diferentes ao do campo de
polarizao.
Como desvantagens das piezocermicas, em comparao aos cristais, poder-se-ia
destacar a maior dependncia de suas propriedades eletromecnicas com a temperatura, a
formao de fases no desejadas durante sua produo, o que pode alterar suas
propriedades, e a variao de suas propriedades com o tempo (envelhecimento
aging).
Para selecionar um material piezoeltrico para aplicaes tecnolgicas procura-se,
em geral, conhecer suas propriedades dieltricas, elsticas e piezoeltricas, que
determinam sua eficincia como elemento piezoeltrico. Entretanto, para uma aplicao
especfica nem sempre necessrio determinar todas essas propriedades. Inicialmente
necessrio identificar que coeficientes (dieltricos, elsticos e piezoeltricos) ou modos
de vibrao so os mais importantes para a aplicao em que se deseja utiliz-los.
Os parmetros prticos mais importantes dos materiais piezoeltricos so: a
orientao do corte (para cristais) ou da polarizao macroscpica (para cermicas), as
constantes dieltricas T/o, S/o (o permissividade no vcuo), o fator de acoplamento
eletromecnico k, os coeficientes piezoeltricos d e g, a constante de freqncia N, a
velocidade do som no meio piezoeltrico v, o fator de qualidade mecnico Qm (para o
modo de vibrao que ser utilizado), a densidade , a impedncia acstica Z (=v) e o
coeficiente de temperatura CT (que caracteriza a variao de uma dessas propriedades
com a temperatura).
Buscando intensificar algumas dessas propriedades, para otimizar a performance do
material piezoeltrico numa determinada aplicao, tem-se buscado ainda preparar
materiais piezoeltricos na forma de filmes finos (para aplicaes com ondas de
superfcie ou microatuadores) ou na forma de compsitos (em aplicaes em que se busca
casar impedncia acstica a outro meio ou amplificar a deformao gerada pelo elemento
piezoeltrico, por exemplo).

2.2.

MATERIAIS PIEZOELTRICOS

Nesta seo so apresentados os materiais piezoeltricos mais utilizados na

atualidade em aplicaes tecnolgicas. Informaes mais detalhadas ou complementares
sobre outros materiais podero ser encontradas nos livros de Cady [12], Mason [13] e
Ikeda [11].

2.2.1. Cristais
2.2.1.1. Quartzo (SiO2)
Cristais de quartzo apresentam a fase em temperaturas inferiores a 573oC, que
possui simetria trigonal e pertence ao grupo pontual 32. Os coeficientes piezoeltricos so
d11=-d12, d14=-d25, d26=-2d11, e11=-e12, e14=-e25 e e26=-e11 [7,10,11]. Como se pode
verificar o quartzo possui somente dois coeficientes piezoeltricos d ou e independentes.
Uma anlise da matriz dos coeficientes mostra claramente que no h resposta
piezoeltrica quando aplicamos um campo eltrico ou tenso mecnica na direo z do
cristal.
Em 573oC o quartzo- sofre uma transformao de fase , que pertence ao grupo
pontual 622, na qual o coeficiente d14=-d25 praticamente triplica. Para aplicaes
tecnolgicas, em geral, deseja-se ter modos de vibrao puros, alto fator de qualidade
mecnico Qm e baixo (ou nulo) coeficiente de temperatura CT. Visando alcanar essas
condies foram encontrados diversos cortes prticos para os cristais de quartzo,
conforme se apresenta na Figura 2.2.
Cristais de quartzo so encontrados na natureza (minerais de quartzo, que para
crescer naturalmente demoram muitos anos) ou podem ser crescidos artificialmente, por
exemplo, por processos hidrotrmicos. Alguns de seus coeficientes caractersticos so
apresentados na Tabela 2.1.

Figura 2.2 Cortes caractersticos de cristais de quartzo para ressonadores [11].

Tabela 2.1 Coeficientes eletromecnicos caractersticos para cristais de quartzo.

Quartzo

Corte
0oX
0oX
-18,5oX
0oY
AT
AC

Modo
TE
LE
LE
TS
TS
TS

c/co
4,6
4,6
4,6
4,6
4,6
4,6

k
0,10
0,10
0,095
0,14
0,09
0,10

d (p.C.N-1)
2,3
-2,3
-2,3
-4,6
-3,4
-3,7

e (C.m-2)
0,17

-0,17
-0,095
-0,11

N (Hz.m)
2850
2750
2550
1925
1660
1650

2.2.1.2. Niobato de ltio (LiNbO3 - LN) e tantalato de ltio (LiTaO3-LT)

Niobato e tantalato de ltio so cristais isomorfos que apresentam simetria trigonal e
pertencem ao grupo pontual 3m na fase ferroeltrica, abaixo de suas temperaturas de
Curie Tc (Tc(LiNbO3)~1210oC e Tc(LiTaO3)~660oC). Na fase ferroeltrica apresentam a
polarizao espontnea paralela direo do eixo c. O niobato de ltio (LN) apresenta os
coeficientes piezoeltricos d33= 16 e d15= 74 pC/N. O tantalato de ltio LT, por sua vez,
apresenta menores valores de coeficientes piezoeltricos d33= 8 e d15= 26 pC/N e de
10

coeficiente de temperatura (CT), por isso preferido em aplicaes onde se deseja alta
estabilidade.
Os cortes mais importantes para aplicaes do LN esto apresentados na Figura 2.3.
Os cortes E rodados de 163o para o LN e de 165o para o LT so particularmente
interessantes pois apresentam coeficientes de acoplamento eletromecnico nulos para o
modo longitudinal, enquanto que para o modo transversal podem chegar a 0,60 (LN) e
0,41 (LT) [14].
LN e LT so largamente utilizados em aplicaes com ondas acsticas de superfcie
(SAW surface acoustic waves), como filtros eletromecnicos e detectores de
vibraes.
Cristais de LN ou LT podem ser crescidos do material fundido em composies
contendo entre 46 e 50% ou 44 e 54% atmico de Li para o LN ou LT, respectivamente.
A fuso congruente ocorre para concentrao de aproximadamente 48.6% at. de Li para o
LN e entre 48.8 e 49.2% at. de Li para o LT [15]. Para os dois cristais se observa um
aumento da temperatura de Curie quando se aumenta a concentrao de Li. Cristais
mistos de Li(Nb,Ta)O3 podem ser crescidos e apresentam propriedades intermedirias
entre as do LN e LT.

Figura 2.3 Cortes caractersticos de cristais de niobato ou tantalato de ltio [11].

11

Na Tabela 2.2 so apresentados os coeficientes caractersticos para cristais de

niobato ou tantalato de ltio.
Tabela 2.2 Coeficientes eletromecnicos caractersticos para cristais de LN ou LT.

[10 kg.m ]
11T/0
33T/0
3

-3

c11E[1011 N.m-2]
c33E
c12E
c13E
c14E
c55E
c66E

LiNbO3
4,7
84
30
2,03
2,45
0,53
0,75
0,09
0,60
0,75

LiTaO3
5,3
51
45
2,33
2,75
0,47
0,80
-0,11
0,94
0,93

d33[10-12 C.N-1]
d31
d22
d15
e33[C.m-2]
e31
e22
e15
k33
k31
kt
k15

LiNbO3
6
-1
21
68
1,3
0,2
2,5
3,7
0,17
0,03
0,16
0,68

LiTaO3
8
-2
7
26
1,9
0,0
1,6
2,6
0,19
0,05
0,18
0,43

2.2.2. Semicondutores
Materiais semicondutores com estrutura do tipo wurzita, simetria 6mm, apresentam o
efeito piezoeltrico e valores de coeficientes adequados ou suficientes para aplicaes.
Entre esses materiais pode-se destacar o xido de zinco (ZnO), o sulfeto de cdmio (CdS)
e o nitreto de alumnio (AlN).
Para suas aplicaes mais importantes esses materiais tm sido preparados na forma
de filmes finos e servem como geradores ultra-snicos de alta freqncia. Na Tabela 2.3
so apresentados alguns coeficientes dos principais semicondutores piezoeltricos.
O ZnO o mais utilizado para aplicaes que envolvem gerao e/ou deteco de
ondas acsticas de superfcie (SAW). O AlN, em particular, se destaca por apresentar alta
velocidade de propagao do som.
Cristais de ZnO (com grandes dimenses) podem ser crescidos por processos
hidrotrmicos, enquanto que cristais de AlN so muito difceis de crescer.
Filmes finos de ZnO so obtidos por evaporao ou sputtering do material em
substratos de safira, apropriados para obter orientaes adequadas no filme. Embora o
filme seja policristalino possvel obter una orientao preferencial do eixo c
perpendicular superfcie do substrato.

12

Tabela 2.3 Coeficientes dieltricos e piezoeltricos de semicondutores piezoeltricos.

[10 kg.m ]
3

-3

11T/0
33T/0
d33[10-12 C.N-1]
d31
d15
e33[C.m-2]
e31
e15
c33E[1011 N.m-2]
c11E
c55E
c33D
c11D
c55D
v31 [km.s-1]
v1t
k33
k31
k3t
k15

BeO
3,009
7,66
0,24
-0,12

>12
0,019
0,009

ZnO
5,675
8,50
10,9
12,4
-5,0
-8,3
1,57
-0,36
-0,36
2,11
2,10
0,43
2,29
2,15
0,47
6,40
2,95
0,48
0,182
0,38
0,196

CdS
4,819
9,35
10,3
10,3
-5,2
-14,0
0,44
-0,24
-0,21
0,94
0,91
0,15
0,96
0,91
0,16
4,50
1,80
0,262
0,119
0,154
0,188

CdSe
5,684
9,70
10,6
7,8
-3,9
-10,5
0,35
-0,16
-0,14
0,84
0,74
0,13
0,85
0,74
0,13
3,86
1,54
0,194
0,084
0,124
0,130

AlN
3,26
9,0
10,7
5

1,55
-0,58
-0,48
3,95
3,45
1,18

11,35
0,31
0,14
0,25
0,15

A deposio de filmes finos de AlN feita, mais freqentemente por deposio de

vapor qumico (chemical vapour deposition CVD) ou por sputtering.

2.2.3. Cermicas
Desde o descobrimento, por Roberts [4], de que cermicas de titanato de brio
(BaTiO3) podiam ser polarizadas e apresentar o efeito piezoeltrico, materiais cermicos
so os mais utilizados, at o presente, como elementos piezoeltricos na maioria das
aplicaes tecnolgicas. O descobrimento de Roberts marca assim o incio da era das
piezocermicas. As piezocermicas so materiais ferroeltricos que se obtm atravs de
mtodos de preparao de cermicas avanadas. Em seu estado no polarizado (e no
texturadas) so isotrpicas. Para sua utilizao como elementos piezoeltricos precisam
ser polarizadas sob a aplicao de um campo eltrico dc da ordem de alguns kilovolts por
milmetro (kV/mm). O fato de ser ferroeltricas permite que se reoriente a polarizao
espontnea, na direo do campo de polarizao. Cermicas piezoeltricas (ou
ferroeltricas polarizadas) apresentam simetria 6mm ou mm.
No se pretende neste captulo discutir todas as composies estudadas para produzir
piezocermicas, pois so muitas, mas apenas apresentar as mais destacadas. Em geral, as
13

piezocermicas comerciais possuem mais de um elemento dopante em suas composies

bsicas, que so incorporados para controlar ou intensificar determinadas propriedades
fsicas. As cermicas mais utilizadas como elementos piezoeltricos possuem estrutura
do tipo perovskita, por essa razo ser a nica estrutura apresentada neste captulo.

2.2.3.1. Perovskitas ((A1,A2)(B1,B2)O3)

Perovskita o nome originalmente designado estrutura do titanato de clcio
(CaTiO3). A maioria dos materiais piezoeltricos cermicos apresentam a estrutura
perovskita.
Estudos em cermicas da famlia das perovskitas tm sido centrados essencialmente
em algumas composies base como o titanato de brio (BaTiO3), solues slidas de
titanato zirconato de chumbo (Pb(Zr,Ti)O3 - PZT), (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PMN) [16] e
perovskitas complexas

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PbTiO3 (PMN-PT), Pb(Zn1/3Nb2/3)O3

PbTiO3 (PZN-PT), Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 Pb(Zr,TiO3) (PMN-PZT) [17] entre outras. Na

estrutura perovskita, generalizada como ABO3, os stios A so ocupados por ctions
divalentes (Pb2+, Ba2+, Ca2+...) enquanto que os stios B, no centro do octaedro de
oxignio, so ocupados por ction Ti4+, Zr4+, Nb5+, Mg2+ ou Zn2+. Na Figura 2.4
apresenta-se uma representao esquemtica de uma clula unitria de uma estrutura
perovskita.

Figura 2.4 - Representao esquemtica de uma clula unitria com estrutura perovskita.

Os primeiros intentos para otimizar as propriedades eletromecnicas do titanato de

brio (BaTiO3 - BT) se basearam na substituio do Ba por Pb, Sr ou Ca e de Ti por Zr,
14

ou Sn. temperatura ambiente o BT apresenta uma estrutura tetragonal (4mm) e

temperatura de Curie Tc=120oC. Vrias solues slidas de (PbxBa1-x)TiO3 e (CaxBa1x)TiO3

foram desenvolvidas com propriedades adequadas para aplicaes tecnolgicas

[6].
Desde que foi constatado por Jaffe et. al [5,6] que solues slidas de (Pb(ZrxTi1x)O3

- PZT) apresentam excelentes propriedades piezoeltricas, ao redor do contorno de

fase morfotrpico (0.51 x 0.55), o PZT passou a ser mais utilizado que o BT em
transdutores piezoeltricos. O PZT tem estrutura perovskita com os ctions Zr4+ e Ti4+
distribudos de forma aleatria no sitio B.
A substituio progressiva do BT pelo PZT para a produo de piezocermicas
ocorreu porque, quando comparado ao BT, o PZT apresenta: 1) maiores coeficientes
eletromecnicos, 2) temperatura de Curie mais alta para a maioria das composies
prticas (Tc ~ 360oC), 3) mais fcil de ser polarizado e 4) possvel incorporar uma
grande variedade de dopantes, o que permite alterar de forma controlada muitas de suas
propriedades

eletromecnicas. Desde o descobrimento do PZT muitos trabalhos de

investigao foram desenvolvidos com o objetivo de otimizar ou controlar suas

propriedades eletromecnicas, atravs da adio de xidos de ctions de bi- a
pentavalentes em substituio ao Pb, Zr ou Ti. Desse tipo de estudos resultou a srie
PZT4, -5, -6, -7 e -8 (patente da Clevite Corporation). Trabalhos de Takahashi et. al
[18,19] por sua vez determinaram a influncia da adio de ctions nas propriedades
ferroeltricas e eletromecnicas do PZT. Um resumo dos resultados mais importantes
[6,18,19] publicados mostram que:
1) Elementos aceitadores. A adio de elementos de menor valncia, elementos
aceitadores (Fe3+, Al3+ em substituio a Zr4+ o Ti4+) compensada pela formao de
vacncias de oxignio, que passam a formar um defeito complexo (com o Zr4+ ou Ti4+)
20. Sua incorporao causa um aumento do campo coercitivo, do fator de qualidade
mecnico e do envelhecimento (variao de suas propriedades com o tempo) e uma
diminuio da constante dieltrica, da polarizao remanente e das perdas dieltricas.
PZTs com essas caractersticas so utilizados como elementos piezoeltricos em
transdutores de alta potncia, como em sonares, soldadores e limpadores ultra-snicos.
2) Elementos doadores. A adio de ctions de maior valncia compensada pela
formao de vacncias de chumbo (para pequenas quantidades do aditivo). Elementos
doadores (Nb5+, W6+ em substituio ao Zr ou Ti, ou La3+ em substituio ao Pb2+)
15

diminuem o campo coercitivo, o fator de qualidade mecnico e o envelhecimento,

enquanto que aumentam a constante dieltrica, a polarizao remanente e o fator de
acoplamento eletromecnico .
Aplicaes tpicas de PZTs com essas caractersticas so os hidrofones, transdutores
ultra-snicos de diagnose (ensaios no destrutivos ou em medicina), em que atuam como
emissores e receptores, e em sensores.
3) Elementos isovalentes. Elementos isovalentes (Ba2+, Sr2+ em substituio ao Pb2+)
diminuem a dissipao dieltrica e aumentam o envelhecimento .
4) Cr3+ e Mn2+. Elementos como o mangans e o cromo atuam como estabilizadores
das propriedades.
Cermicas de titanato de chumbo (PbTiO3 - PT) com alta densidade so difceis de
obter, sem a adio de aditivos, devido alta deformao espontnea na transio de fase
para ferroeltrica (Tc=490OC). Na fase ferroeltrica o PT apresenta simetria tetragonal
com c/a ~1.061 [21]. Ikegami et. al [22] conseguiram sinterizar cermicas densas de PT
dopadas com La e Mn, com alta anisotropia piezoeltrica (kt/ k31 ~ 25) e baixa razo de
Poisson ( ~0.2 0.3), quando comparados a outros materiais (PZT - kt/ k31~1 e ~0.3
0.4). Estas caractersticas so particularmente importantes para aplicaes em
transdutores e filtros eletromecnicos, visto que promovem a supresso de ressonncias
esprias. Trabalhos posteriores [22] mostraram que composies de (Pb1-xMx)TiO3 + 0.2
mol% Mn (com M=La, Sm, Nd...) apresentam baixo coeficiente de temperatura e
propriedades adequadas para dispositivos SAW.
Valores tpicos dos coeficientes eletromecnicos para piezocermicas so mostrados
na Tabela 2.4.

2.2.4. Polmeros
O descobrimento da piezoeletricidade em polmeros se deve a Kawai [23], que
observou que o polyvinylidene fuoride (PVDF o PVF2) tracionado e polarizado em altos
campos eltricos (~300 kVcm-1) apresenta coeficientes piezoeltricos superiores aos do
quartzo.

16

Tabela 2.4 Coeficientes eletromecnicos caractersticos para cermicas piezoeltricas [11].

PVDF um polmero que apresenta una cristalinidade de 40-50% e pode ser obtido
nas fases: I ou (que piezoeltrica) e II ou .
Na Tabela 2.5 so apresentados valores tpicos para coeficientes eletromecnicos de
alguns polmeros piezoeltricos.

Tabela 2.5. Valores tpicos para coeficientes eletromecnicos de polmeros piezoeltricos [11].

17

2.2.5. Compsitos
A motivao para o desenvolvimento de materiais piezoeltricos compsitos resultou
da necessidade de alcanar propriedades especficas num material, que no podem ser
encontradas em materiais com uma nica fase. Por exemplo, para aumentar a
sensibilidade piezoeltrica de transdutores eletromecnicos, para obter um melhor
casamento acstico com a gua, se necessita diminuir a densidade do elemento
piezoeltrico ou, por outro lado, para obter elementos mecanicamente flexveis, para
poder acopl-los a superfcies curvas. Essas propriedades podem ser muito difceis de
obter em materiais monofsicos. Logo, um material compsito um material que possui
dois ou mais componentes e que apresenta propriedades fsicas e qumicas que resultam
da soma, de uma combinao ou do produto das propriedades de seus componentes.
As primeiras investigaes com compsitos piezoeltricos foram realizadas para
obter hidrofones, para aplicaes submarinas [24,25,26]. Um hidrofone um transdutor
ou microfone utilizado para detectar ondas acsticas na gua. A sensibilidade de um
hidrofone determinada pela voltagem produzida por uma onda de presso hidrosttica,
que est associada ao coeficiente de voltagem hidrosttico gh. O coeficiente hidrosttico
de deformao dh (dh=gh/o, o-permissividade do vcuo e K- constante dieltrica), que
relaciona a voltagem que resulta de uma presso hidrosttica, tambm um coeficiente
utilizado para avaliar um hidrofone. Uma figura de mrito prtica para caracterizar um
hidrofone o produto dhgh.
Cermicas como o PZT so muito utilizadas em transdutores porque possuem altos
coeficientes piezoeltricos. Entretanto, para a utilizao em hidrofones o PZT apresenta
algumas desvantagens, pois possui altos coeficientes d33 e d31 (que tem o sinal contrrio
ao d33, ou seja, negativo, se d33 considerado positivo). Por isso seu coeficiente
hidrosttico dh=(d33+2d31) pequeno ou quase nulo. Alm disso, o PZT tem alta
constante dieltrica K (>1000) e alta densidade (=7,9 kg/m3, comparada da gua), o
que resulta num baixo coeficiente gh e maior dificuldade em conseguir um casamento
acstico com a gua.
Polmeros como o PVDF oferecem vrias vantagens, como baixa constante
dieltrica, baixa densidade e flexibilidade, para aplicaes em hidrofones. Por isso,
embora tenham baixos coeficientes d33 e dh, quando comparados ao PZT, seu coeficiente
gh grande devido a sua baixa constante dieltrica. Por outro lado, polmeros apresentam
18

desvantagens, como a dificuldade de serem polarizados e baixa constante dieltrica (e,

em geral, pequena espessura), o que dificulta a construo de circuitos de deteco
(devido sua baixa capacitncia).
Buscando minimizar essas desvantagens apresentadas pelos polmeros e cermicas
foram desenvolvidos os compsitos piezoeltricos.
A maneira em que os materiais componentes se encontram interconectados em um
compsito denomina-se conectividade [27]. Para compsitos compostos de dois
componentes existem 10 conectividades: 0-0, 1-0, 2-0, 3-0, 1-1, 2-1, 3-1, 2-2, 3-2 e 3-3.
Os nmeros 1 a 3 se referem aos trs eixos ortogonais, que indicam as direes em que
cada componente est interconectado ou contnuo. Compsitos piezoeltricos, em geral,
so compostos de cermicas e polmero ou vidro. Por conveno, o primeiro nmero se
refere conectividade da cermica, enquanto que o segundo ao polmero ou vidro. Uma
representao esquemtica das 10 conectividades mostrada na Figura 2.5.

Figura 2.5. Formas de conectividade para compsitos de dois componentes. As setas indicam a
direo em que cada componente est conectado [11].

Entre os compsitos piezoeltricos aqueles com conectividade 1-3 (palitos de PZT /

polmero) e 0-3 (partculas de PZT dispersas em polmero), pela maior facilidade de
19

obteno, so os mais estudados para a construo de elementos eletromecnicos. As

principais vantagens desses compsitos so a baixa impedncia acstica (que possibilita
um melhor casamento com meios que tm impedncia acstica menor que a da
cermica), alta flexibilidade mecnica e baixo fator de qualidade mecnico

(o que

permite deteco num largo espectro de freqncias). Os compsitos 1-3 possuem alto
fator de acoplamento eletromecnico de espessura (kt), aproximadamente igual ao fator
de acoplamento eletromecnico k33 da cermica. A Figura 2.6 apresenta a variao da
impedncia acstica (Figura 2.6a) e do fator de acoplamento eletromecnico (Figura
2.6b), para compsitos piezoeltricos polmero (poliuretano)-cermica (PZT) 3-1, em
funo da concentrao volumtrica de cermica no elemento.

(a)

(b)

Figura 2.6. - Variao da impedncia acstica (a) e do fator de acoplamento

eletromecnico (b), para compsitos piezoeltricos polmero (poliuretano)-cermica
(PZT) 3 -1, em funo do volume fracionrio de PZT.

Na Tabela 2.6, a seguir, so apresentados alguns resultados caractersticos obtidos

em compsitos piezoeltricos para diferentes conectividades. Uma descrio detalhada
dos resultados mais importantes obtidos em compsitos piezoeltricos pode ser
encontrada no livro de Levinson [28].

20

Tabela 2.6 Coeficientes dieltrico e piezoeltricos de compsitos piezoeltricos

cermica / polmero com conectividade 1-3.
__

Compsito

(Kg/m3)
PZT palitos Spurrs 1370
epoxy [24]
PZT
palitos
1430
Poliuretano [29]
PZT
palitos
930
Poliuretano [29]

__

K 33

__

__

__

__

______

d 33

g 33

dh

dh

dh gh

(pC/N) (10-3Vm/N)

(10-15m2/N)

54

150

313

(pC/N) (10-3Vm/N)
27
56

40

170

480

20

56

1120

41

180

495

73

210

15330

1536

2.2.6. Filmes finos

Filmes finos no constituem propriamente uma classe de materiais piezoeltricos,
mas sim uma outra geometria. Entretanto, pela crescente importncia que tm atualmente
os filmes finos para o desenvolvimento de sensores e atuadores, consideramos importante
acrescentar esta seo.
Na realidade filmes finos piezoeltricos so produzidos com os mesmos materiais
que se utilizam na forma de cristais ou cermicas piezoeltricas. Na maioria dos casos
tm sido preparados com as mesmas composies que os elementos cermicos.
Conforme mencionado anteriormente, aplicaes que envolvem ondas acsticas de
superfcie (SAW Surface Acoustic Waves) so as que apresentam maior potencial para
utilizao em filmes finos piezoeltricos. As ondas superficiais so ondas de Rayleigh e,
conseqentemente, o transporte de energia encontra-se confinado prximo superfcie.
As principais aplicaes consistem em ressonadores, filtros ou linhas de atraso. Um
diagrama esquemtico de um transdutor de SAW apresentado na Figura 2.7.

Figura 2.7. Diagrama esquemtico de um transdutor de SAW.

21

Os parmetros mais importantes para a seleo de um material para aplicaes SAW

so a velocidade da onda superficial (Vsup), o coeficiente de temperatura (CT), o
coeficiente de acoplamento eletromecnico (ksup) e a atenuao de onda acstica durante
a propagao.
Cristais de LiNbO3 e LiTaO3 so os mais utilizados em altas freqncias (> 500
MHz).
xido de zinco (ZnO) e nitreto de alumnio (AlN), que possuem estrutura wurzita,
so materiais que podem ser depositados, com orientao c, por sputtering em
substratos (de safira ou vidro, por exemplo). A performance do ZnO limitada por seu
baixo coeficiente de acoplamento eletromecnico .
Filmes finos de materiais cermicos como os PZTs, os titanatos de brio (BT) ou de
chumbo (PT) vm despertando grande interesse para aplicaes como microatuadores.
Para aplicaes como filtros esses materiais apresentam as limitaes de possuir baixo
fator de qualidade mecnico e alto coeficiente de temperatura, quando comparados aos
cristais.
Na Tabela 2.7 so apresentados os coeficientes caractersticos de materiais, cristais
ou cermicos, mais utilizados como componentes baseados em ondas acsticas de
superfcie.
Tabela 2.7. Coeficientes eletromecnicos caractersticos (fator de acoplamento (k), coeficiente de
temperatura (TCD), velocidade da onda de superfcie (vo) e constante dieltrica relativa (r) para os
materiais mais usados em dispositivos baseados em ondas acsticas de superfcie).

22

2.3.

CARACTERIZAO DE PROPRIEDADES DIELTRICAS E

PIEZOELTRICAS

2.3.1. Introduo
A caracterizao completa de um material que se deseja utilizar como transdutor
(atuador ou

sensor) requer, na maioria dos casos, a determinao de diferentes

propriedades fsicas. Materiais ferroeltricos por que apresentam propriedades dieltricas

e piezoeltricas destacadas frente a outros materiais, entre outras, so os mais utilizados
e destacados para aplicaes em sensores e atuadores.
A determinao das propriedades dieltricas, em funo da freqncia, temperatura
ou voltagem constitui a primeira e principal caracterizao de um material ferroeltrico .
Por isso deve ser executada antes de se efetuar uma caracterizao mais detalhada das
propriedades piezoeltricas.
As propriedades piezoeltricas de um material so definidas, por sua vez, pelos
coeficientes dieltricos, elsticos e piezoeltricos. Todos esses coeficientes dependem da
amplitude do sinal de medio (de campo eltrico ou tenso mecnica) e, em caso de
materiais ferroeltricos, dependem do estado de polarizao . Em geral a determinao
desses coeficientes feita na regio linear (baixos campos).
Neste capitulo so apresentados os fundamentos de tcnicas dinmicas de
caracterizao que se utilizam para determinar as propriedades dieltricas e piezoeltricas
de materiais ferroeltricos. Para a caracterizao de cristais as tcnicas so exatamente as
mesmas, com a exceo de que o elemento piezoeltrico deve ter seus cortes efetuados
segundo orientaes cristalogrficas definidas, conforme mostrado anteriormente.

2.3.2. Propriedades dieltricas

A permissividade dieltrica geral varia com a freqncia de medida e, por isso,
conveniente defini-la como uma funo complexa, * = + i ( parte real e
parte imaginria) [30].
A determinao da permissividade dieltrica ou da constante dieltrica (=/o, o
a permissividade do vcuo) e do fator de dissipao D (=/o), a baixos campos (<1

23

V/mm, regio linear), uma das caracterizaes mais importantes nos materiais
ferroeltricos.
Em geral, esses parmetros so determinados em amostras em forma de discos ou
placas, que possuem eletrodos em suas faces, de forma que possam ser analisadas como
capacitores plano-paralelos preenchidos com um dieltrico (o material que se deseja
caracterizar). Os eletrodos so depositados nas faces por evaporao, sputtering ou
pintura (com prata, grafite ou outro material condutor), de forma que fiquem aderidos ao
material. Dessa maneira, a medio consiste basicamente em uma medida da capacitncia
de um capacitor.
Existem varias tcnicas que podem ser utilizadas para medir a capacitncia de um
capacitor, cada uma com vantagens e desvantagens frente s demais. Consideraes
como intervalo de freqncia, valores de capacitncia, preciso e facilidade de operao
determinam a opo

por uma determinada tcnica. Considerando o intervalo de

freqncia como critrio, so recomendados os circuitos ponte (ponte de Shering, por

exemplo), circuitos ressonantes e medidas de I V (I-corrente eltrica e V-voltagem)
desde ~10 Hz at ~100 MHz (analisadores de impedncia); medidas de RF I V entre
100 MHz e ~3 GHz (analisadores de impedncia) e analisadores de rede para freqncias
superiores a 3 GHz. Por

conveno, medies

standard so

realizadas

na

freqncia de 1 kHz. Na Figura 2.8 se apresenta um diagrama esquemtico de um

sistema para medir a constante dieltrica de uma amostra.

Figura 2.8. Diagrama esquemtico de um sistema para medir a constante dieltrica

de uma amostra em funo da freqncia e/ou temperatura.

24

Uma vez determinada a capacitncia C (=C + iC) do capacitor que representa a

amostra, a constante dieltrica () e o fator de dissipao (D) so calculados com as
seguintes relaes :
k = C'

D = C"

A
o

(2.4)

onde d a espessura da amostra e A a rea do eletrodo.

Para materiais isolantes e cermicas ferroelctricas no polarizadas a constante
dieltrica praticamente no varia at ~400 MHz. Em freqncias superiores alguns
materiais ferroeltricos, como o titanato de brio e o titanato zirconato de chumbo podem
apresentar uma relaxao provavelmente associada aos domnios ferroeltricos. Em
baixas freqncias mecanismos de polarizao interfacial e de conduo

afetam as

medidas de constante dieltrica em amostras cermicas.

Em cermicas ferroelctricas polarizadas a impedncia de uma amostra, na forma de
um capacitor plano-paralelo, pode apresentar forte dependncia com a freqncia devido
ao efeito piezoeltrico, como ser mostrado a seguir (em propriedades piezoeltricas).

2.3.3. Propriedades piezoeltricas

Conforme mencionado anteriormente a caracterizao completa das propriedades
piezoeltricas ou eletromecnicas de um material requer a determinao

de seus

coeficientes elsticos, dieltricos e piezoeltricos. O nmero desses coeficientes, para a

um determinado material, depende da simetria macroscpica do material. Assim, por
exemplo, para cristais de quartzo tem-se que considerar a simetria trigonal (32), enquanto
que para cermicas polarizadas a simetria (mm) [11] deve ser considerada.
Muitas vezes no necessria a determinao de todos os coeficientes elsticos,
dieltricos e piezoeltricos, mas somente de alguns deles, para avaliar o potencial de
aplicao do material como elemento piezoeltrico. fundamental, porm, que se saiba
exatamente que coeficiente se est medindo.
Um sistema piezoeltrico constitudo de dois sistemas acoplados, o mecnico e o
eltrico, conforme apresentado anteriormente.
A determinao dos coeficientes piezoeltricos de um material pode ser realizada
atravs de tcnicas estticas ou quasi-estticas e dinmicas (ressonantes).

25

As tcnicas estticas ou quasi-estticas consistem em aplicar uma tenso mecnica

ou uma voltagem (campo eltrico) a uma amostra do material e medir a carga eltrica em
eletrodos, que se depositam nas faces (efeito piezoeltrico direto) ou a deformao do
material (efeito piezoeltrico inverso), respectivamente.
As tcnicas ressonantes consistem em excitar a amostra com uma freqncia em
torno da freqncia fundamental de ressonncia mecnica, de um de seus modos de
vibrao caracterstico. Assim, por exemplo, uma amostra em forma de disco pode ser
excitada para vibrar no modo de vibrao radial ou planar e no modo de espessura.
As tcnicas ressonantes so mais precisas e permitem a determinao de um nmero
maior de coeficientes eletromecnicos e de alguns coeficientes elsticos. Alm disso, as
tcnicas ressonantes fornecem os valores dos coeficientes em regime dinmico, condio
em que os elementos piezoeltricos so mais comumente utilizados.
A seguir apresentado o mtodo da ressonncia, com os coeficientes que podem ser
determinados, dependendo dos modos caractersticos de vibrao de cermicas
polarizadas.

2.3.3.1. O mtodo da ressonncia

O mtodo da ressonncia para caracterizar elementos piezoeltricos, assim como as
equaes e unidades, encontram-se discutidas em detalhes nos IRE Standards on
Piezoelectric Crystals ou Ceramics [31].
Ressonadores piezoeltricos consistem de amostras de um material piezoeltrico, em
forma de disco, barra ou anis, com eletrodos depositados de forma a poder excitar
isoladamente um de seus modos de vibrao. Em geral, se considera que a freqncia de
ressonncia do modo em anlise situa-se distante daquela de outro modo de vibrao do
ressonador.
A representao mais simples do comportamento de um ressonador piezoeltrico,
forado a oscilar em torno de uma ressonncia, dada por um circuito equivalente como
o da Figura 2.9.
As ressonncias mecnicas do ressonador so representadas, na Figura 2.9, pelos
componentes L, C, R1 e R2. A capacitncia Co e a resistncia Ro reapresentam o capacitor
formado pelo material e seus eletrodos.

26

Figura 2.9. Circuito equivalente de um ressonador piezoeltrico .

No mtodo da ressonncia a admitncia do ressonador, o mdulo ou

suas partes

real e imaginria, so determinados em funo da freqncia. Um arranjo experimental

para a realizao das medidas pelo mtodo da ressonncia pode ser o mesmo utilizado
para a caracterizao dieltrica (Figura 2.8), desde que o intervalo de freqncias permita
cobrir as freqncias de ressonncia desejadas. Na Figura 2.10 se apresenta como varia a

4,0

3,5

Real
Im aginario

3,5

FR

3,0

FR

3,0
2,5

2,5

G , B (mS)

Mdulo da Admitncia (mS)

admitncia com a freqncia de excitao em freqncias prximas de uma ressonncia .

2,0
1,5

FA

1,0

2,0

f-1/2

1,5

0,5
0,0

FR

-0,5

0,5

f1/2

1,0

FA

-1,0
0,0
50

60

70

80

90

100

110

120

130

140

-1,5
70

150

80

90

100

110

120

130

Frequncia (kHz)

Frequncia (kHz)

(a)

(b)

Figura 2.10. Admitncia, a) modulo y b) partes real e imaginaria, em funo da freqncia

de um ressonador piezoeltrico ao redor de uma ressonncia .

Nas Figuras 2.10a e 2.10b FR e FA correspondem s freqncias de ressonncia e

anti-ressonncia do piezoeltrico, respectivamente. Observa-se que na freqncia de
ressonncia FR a admitncia mxima, que corresponde ressonncia do ramo R1R2LCsrie do circuito da Figura 2.9. Na freqncia de anti-ressonncia FA a admitncia
mnima e corresponde ressonncia do ramo formado pelo ramo R1R2LC-srie em
paralelo com Co.
Caracterizando as freqncias de ressonncia e anti-ressonncia para os diferentes
modos de vibrao de um

ressonador piezoeltrico possvel determinar seus

27

coeficientes eletromecnicos. Para caracterizar completamente um material piezoeltrico

necessrio preparar amostras com diferentes geometrias ou orientaes (no caso de
cristais), de forma a poder excitar diferentes modos puros de vibrao, como veremos
adiante.
Para a determinao das freqncias de ressonncia e anti-ressonncia um ressonador
pode ser forado a vibrar em, essencialmente, duas condies: vibrao (ou acoplamento)
transversal e vibrao (ou acoplamento) longitudinal, que sero apresentadas a seguir.

2.3.3.2. Condies de caracterizao de elementos piezoeltricos

Materiais elsticos podem apresentar um grande nmero de ressonncias mecnicas,
a fundamental e os respectivos harmnicos de cada modo de vibrao. As mais
pronunciadas so aquelas em que a dimenso das amostras, na direo da deformao em
anlise, corresponde aproximadamente metade do comprimento de onda de uma onda
elstica estacionria.
Para caracterizar as propriedades piezoeltricas de um material se utiliza o efeito
piezoeltrico para excitar uma onda estacionria em uma determinada direo da amostra.
Para uma caracterizao precisa de um determinado modo de vibrao

procura-se

desacoplar o modo de interesse dos demais, ou seja, isolar a freqncia fundamental de

ressonncia do modo em anlise de qualquer ressonncia de outros modos. A forma
prtica de obter essa condio preparar a amostra com dimenses, comprimento,
dimetro ou espessura, adequados para que se desacoplem os modos, como veremos a
seguir.
Consideremos uma amostra piezoeltrica em forma de uma placa de espessura

t,comprimento L e largura w, com eletrodos nas faces e excitada por uma tenso alternada
V na direo 3, conforme mostra a Figura 2.11.

28

w
t

2
1

Figura 2.11. Reapresentao esquemtica do arranjo experimental para

caracterizao de uma amostra piezoeltrica pelo mtodo da ressonncia .

Conforme mencionado anteriormente, a caracterizao de materiais piezoeltricos

feita essencialmente em duas condies: 1) anlise da deformao ou vibrao em uma
direo perpendicular excitao eltrica aplicada acoplamento transversal ou 2)
anlise da deformao ou vibrao na direo paralela excitao eltrica aplicada

acoplamento longitudinal.

2.3.3.2.1. Acoplamento transversal (vibrao transversal)

Para a anlise do acoplamento transversal, utilizando a Figura 2.11, considera-se a
vibrao da amostra na direo do comprimento L. Para obter o desacoplamento dos
modos de vibrao se requer que as dimenses das amostras satisfaam a seguinte
condio : L > w >> t.
As condies de contorno eltricas e mecnicas so:
Mecnicas

Eltricas

Ti 0 exceto T2
T2 = 0

p/

Ei = E3
y = L/2

dE/dy = 0 (campo uniforme)

onde Ti so as tenses mecnicas e Ei o campo eltrico (=V/L).

Quando se varia a freqncia da tenso eltrica V na ressonncia a mais baixa
freqncia, na curva de admitncia (Figura 2.10), pela condio L > w >>t, ocorrer em
uma freqncia fR dada por:

29

f R2 =

4 L ( s 11E )

fR =

2L

1
2L

1
s11E

L = /2

(2.5)

onde v a velocidade da onda mecnica extensional, a densidade do material, s11E a

constante elstica a campo eltrico constante e o comprimento de onda.
Quando se registra a curva da admitncia da amostra em funo da freqncia f da
tenso eltrica externa aplicada, se obtm as curvas como as das Figuras 2.10a ou 2.10b.
A partir das freqncias de ressonncia fR e anti-ressonncia fA, que se obtm das curvas
de admitncia, possvel calcular a constante elstica s11E e o fator de acoplamento
eletromecnico k31 para o modo de vibrao transversal com a relao abaixo [8,9]:
2
k 31

2
k 31

fA
2 fR

tg (

fA fR
2

fR

)
(2.6)

A notao com o sufixo 31 corresponde utilizada em piezoeltricos cermicos,

onde o sufixo 3 se refere direo de aplicao do campo e o sufixo 1 direo da
deformao.

2.3.3.2.2. Acoplamento Longitudinal (Vibrao de Espessura)

Para a anlise da vibrao de espessura (acoplamento longitudinal) se considera a
deformao na direo do campo eltrico aplicado. As condies de contorno eltricas e
mecnicas so:

Mecnicas

Eltricas

Sij 0 exceto S3

Ei = E3

dD/dz= 0 (pol. uniforme)

onde Si a deformao relativa (strain) e D o vetor deslocamento eltrico.
A condio L > w >>t implica que as ressonncias do modo de vibrao de
espessura ocorrem em freqncias superiores s dos modos transversais e seus
harmnicos. Na prtica, para isolar a freqncia fundamental do modo de espessura
dos harmnicos dos modos transversais, as dimenses da amostra devem ser tais que L e

w 20-25 t.
30

Para o modo de vibrao de espessura a condio t = /2 ocorre na

freqncia

de anti-ressonncia fA, dada por:

fA =

2t

1 c33D
2t

fA =

c33D
4t 2

t = /2

(2.7)

onde v a velocidade da onda mecnica, a densidade do material, c33D a constante

elstica stiffness a deslocamento eltrico constante e o comprimento de onda.
Determinando as freqncias de ressonncia fR e anti-ressonncia fA das curvas de
admitncia, pode-se calcular o fator de acoplamento para o modo de espessura ou
longitudinal kt com a seguinte equao :

kt2 =

fR
2 fA

tg(

fA fR
2

fR

)
(2.8)

2.3.3.3. Modos de vibrao em piezoeltricos

As condies de caracterizao apresentadas anteriormente quando utilizadas para
determinar todos os coeficientes eletromecnicos (elsticos, eltricos e piezoeltricos)
requerem que amostras sejam preparadas com orientaes ou geometrias diferentes, cada
uma adequada para obter determinados coeficientes.
Para o caso de cristais necessrio cort-los segundo orientaes

especficas

escolhidas de tal forma a poder excitar modos de vibrao puros. As orientaes dos
cortes dependem da simetria do cristal, como foi mostrado anteriormente para o quartzo,
niobato de ltio e tantalato de ltio.
Para materiais cermicos, por sua vez, tem-se que considerar que no estado
polarizado sua simetria macroscpica sempre mm. Assim, para determinar suas
propriedades piezoeltricas necessrio preparar as

amostras com geometrias

diferentes direes de polarizao. A Tabela 2.8, apresenta as geometrias mais comuns

utilizadas em transdutores piezoeltricos, as condies de contorno e quais coeficientes
podem ser determinados nesse tipo de amostra. As letras (T) ou (L) se referem ao
acoplamento transversal ou longitudinal, respectivamente. A flecha () indica a direo
da vibrao correspondente ao modo que ser excitado.

31

Tabela 2.8 Modos de vibraes em cermicas piezoeltricas.

Geometria
ressonador

do

Condio de contorno
Elstica

1
(T)

E3
=0
x2

k312 =

T1=T2 0

D3
=0
x2

k332 =

T3 0

E3
=0
r

k p2 =

S3 0

E3
=0
r

k p' 2 =

S2 0
T3 0

E3
=0
x1

k =

S3 0
T2 0

E3
=0
x1

k =

S1 0
S2 0

D3
=0
x3

k =

S2 0
S3 0

E3
=0
x1

kte2 =

S4 0

D1
=0
x1

k =

S6 0

E1
=0
x1

k15' 2 =

Longitudinal

3
(T)
Radial/Extensional
4
(T)

6
(T)

7
(L)
8
(L)

s
E
11

Espessura (1)

Espessura (2)

9
(L)
Cisalhamento (1)
10
(T)

2
t

2
15

T
33

1
s33D

d 332

T
s33E 33

d312
2
T
(1 - ) s11E 33
2
e31
2
(1 + ' ) E ~ T
c11 33
'2
e31

'2
31

"2
31

1
s11E

d312

Radial/Dilatacional

5
(T)

Constante
Elstica

Eltrica

T1=T3 0
Transversal

2
(L)

Fator de Acoplamento
(k2)

k =

11

cef' E.

2
e33

c33D

c33D 33S
2
e31

c11E

c11E 33S
e152

c55D

c55D 11S
e152

c55E

c55E 11S

Hidrosttico

32

T
shE 33

c11E

(b)

(e)

cef' E ef" T

d h2

(b)

(c)

cefE .

Cisalhamento (2)
2
h

cefE .

(d)

cefE efT
'" 2
e31

(a)

(g)

(ff)

a) = - s12

E
11

f) cef' E = c11E - (c12E ) 2 / c11E

- razo de Poisson.

b) cefE = 1 / s11E (1 2 ) = c11E - (c13E ) 2 / c33E .

E

c) = - c12

E
11

g) d h = 2d 31 + d 33 ;

T
(1 - k 332 ) .
; ~33T = 33

shE = 2( s11E + s12E ) + 4 s13E + s33E

'
= e31 - e33c13E / c33E ; efT = 33T (1 - k 312 ) .
d) e31
"
= e31 (1 - c13E / c11E ) .
e) e31

2.4.

REFERNCIAS

1. Jacques and Pierre Curie, Comptes Remdus 91, 294 (1880).

Jacques and Pierre Curie, Comptes Remdus 93, 1137 (1881).
2. G. Lippman, An. Chim. Phys. 24, 145-178 (1881).
3. P. Langevin, French Patent 505.703 (1920).
P. Langevin, British Patent 145.691 (1921).
4. S. Roberts, Phys. Rev. 71, 890-895 (1947).
5. B. Jaffe, R. S. Roth, and S. Marzullo, J. Appl. Phys. 25, 809 (1954).
B. Jaffe, R. S. Roth, and S. Marzullo, J. Res. Nat. Bur. Std. 55, 239-254 (1955).
6. B. Jaffe, W. R. Cook, and H. Jaffe in Piezoelectric Ceramics, Academic Press
London and N. York (1971).
7. IRE Standards on Piezoelectric Crystals, Proc. IRE 46, 764-778 (1958).
8. IRE Standards on Piezoelectric Ceramics, Proc. IRE 49, 1161 (1961).
9. IEEE Standards on Piezoelectricity, IEEE Trans. on Sonics and Ultrasonics SU-31(2)
(1984).
10. J. F. Nye, in Physical Properties of Crystals Claremdon Press Oxford (1957).
11. T. Ikeda, Fundamemtals of Piezoelectricity Oxford University Press Oxford, N.
York and Tokio (1990).
12. W. G. Cady, in Piezoelectricity McGraw-Hill Book Company N.York and
London (1946).
13. W. P. Mason, in Physical Acoustics Principles and Methods vol. 2, Academic
Press London and N. York (1966).
14 A. W. Warner, M. Onoe, and G. A Coquin, J. Acoust. Soc. of Am. 42, 1223 (1967).

33

15. J. M. Herbert, em Ferroelectric Transducers and Sensors, Gordon and Breach

Science Publishers, N. York London Paris (1982).
16. G. A Smolemkii, Sov. Phys. Sol. State 1, 150 (1950).
17. H. Ouchi, K. Nagano and S. Hayakawa, J. Am. Cer. Soc. 48, 630 (1965).
18. M. Takahashi, Jap. J. Appl. Phys. 10, 5 (1971).
19. S. Takahashi, FERROELECTRICS 41, 143 (1982).
20. P. V. Lambeck and G. H. Jonker, FERROELECTRICS 22, 729 (1978).
21. T. Yamamoto, H. Igarashi and K. Okazaki, J. Am. Cer. Soc. 66, 363 (1983).
22. S. Ikegami, I. Ueda, and T. Nagata, J. Acoust. Soc. of Am. 50, 1060 (1971).
23. H. Kawai, Jap. J. of Appl. Phys. 8, 975 (1969).
24. K. A Klicker, J. V. Biggers, and R. E. Newnham, J. Am. Cer. Soc. 64, 5 (1981).
25. T. R. Gururaja, W. A Schulze, L. E. Cross, and R. E. Newnham, IEEE Trans. Sonic
and Ultrasonics SU-32, 481 (1985).
26. J. R. Giniewicz, R. E. Newnham, and Safari, Ferroelectrics 66, 135 (19860.
27. R. E. Newnham, D. P. Skinner, and L. E. Cross, Mat. Res. Bull. 13, 525 (1978).
28. L. M. Levinson, em Electronic Ceramics Properties, Devices and Applications
Marcel Dekker, Inc. (1987).
29. K. A Klicker, W. A Shulze, and J. Biggers, J. Am. Cer. Soc. 65, C208 (1982).
30. M. E. Lines, and A M. Glass, em Principles and Applications of Ferroelectric
Materials Clarendon Press Oxford (1977).
31. IEEE Standards Definitions and Methods of Measurement for Piezoelectric Vibrators,
IEEE 177 (1970).

34

Captulo 3

Transdutores de Ultra-Som:
Modelagem, Construo e
Caracterizao
Eduardo Tavares Costaa
Vera Lcia da Silveira Nantes Buttona
Ricardo Grossi Dantasa
Hayram Nicacioa
Jorge Andr Giro Albuquerquea
Joaquim Miguel Maiab
Ricardo Tokio Higutic
a

Centro de Engenharia Biomdica

Departamento de Engenharia Biomdica
Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao
Universidade Estadual de Campinas Unicamp
educosta@ceb.unicamp.br, vera@ceb.unicamp.br
b

Departamento Acadmico de Eletrnica

Centro Federal de Educao Tecnolgica do Paran - CEFET-PR
c

Laboratrio de Ultra-som
Departamento de Engenharia Eltrica
Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira - Unesp
tokio@dee.feis.unesp.br

Contedo
3.1.

INTRODUO...................................................................................................... 4

3.2.

ONDAS ACSTICAS .......................................................................................... 5

3.2.1.

Movimento Harmnico Simples ................................................................... 5

3.2.2.

Ondas Transversais........................................................................................ 8

3.2.3.

Ondas Longitudinais...................................................................................... 9

3.2.4.

Velocidade, atenuao e impedncia acstica ........................................... 10

3.3.

O CAMPO ACSTICO ...................................................................................... 12

3.3.1.

Integral de Superfcie de Rayleigh.............................................................. 14

3.3.2.

A Soluo de Zemanek................................................................................ 16

3.3.2.1.

Simulao e visualizao do campo acstico de transdutores ultra-

snicos

................................................................................................................... 20

3.3.3.

A Soluo de Tupholme .............................................................................. 21

3.3.4.

A Soluo de Stepanishen ........................................................................... 23

3.3.4.1.

Simulao e visualizao do campo acstico de transdutores ultra-

snicos

................................................................................................................... 27

3.3.5.

O Espectro de Diretividade ......................................................................... 31

3.3.5.1.

Mtodo usando o Espectro de Diretividade ........................................... 33

3.3.5.2.

O Mtodo.................................................................................................. 36

3.3.5.3.

Hidrofone de Larga rea Ativa .............................................................. 41

3.3.5.4.

Mapeamento Angular .............................................................................. 42

3.3.6.
3.4.

Retropropagao de Pulsos Mapeados pelo Espectro de Diretividade..... 44

CONSTRUO

DE

TRANSDUTORES

DE

ULTRA-SOM

COM

CERMICAS PIEZOELTRICAS ........................................................................................ 46

3.5.

TRANSDUTORES PIEZOCOMPSITOS....................................................... 67

3.5.1.

Materiais Piezocompsitos.......................................................................... 67

3.5.2.

Nomenclatura ............................................................................................... 68

3.5.3.

Mtodos de fabricao................................................................................. 69

3.5.4.

Modelagem e Projeto................................................................................... 70

3.5.5.

Procedimento de Projeto.............................................................................. 72

3.6.

MAPEAMENTO

DE

CAMPO

ACSTICO

DE

TRANSDUTORES

PIEZOELTRICOS.................................................................................................................. 76
3.6.1.

Hidrofones Pontuais..................................................................................... 76

3.6.2.

Tanque de Ensaios Acsticos...................................................................... 77

3.6.3.

Posicionamento Tridimensional.................................................................. 79

3.6.4.

O Programa de Controle.............................................................................. 81

3.6.5.

Mapeamento Pontual de Campo Acstico ................................................. 81

3.6.6.

Mapeamento Angular de Campo Acstico ................................................ 82

3.7.

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DOS EQUIPAMENTOS DE ULTRA-

SOM

............................................................................................................................... 84
3.7.1.

Equipamentos Funcionando no Modo Amplitude (A-mode).................... 86

3.7.2.

Equipamentos Funcionando no Modo Brilho (B-Mode) .......................... 88

Aplicaes do modo B .............................................................................................. 93

3.8.

REFERNCIAS ................................................................................................... 93

3.1.

INTRODUO

Ultra-som (US) pode ser definido como ondas acsticas imperceptveis ao ouvido
humano, ou seja, aquelas cujas freqncias so superiores a 20kHz. So vibraes
mecnicas que se propagam em um determinado meio (ar, gua, sangue, tecido biolgico,
materiais slidos etc.), sendo que cada material apresenta propriedades acsticas
caractersticas como impedncia, velocidade de propagao e atenuao, por exemplo.
O transdutor o corao de todas as tcnicas baseadas em US. A maioria dos
transdutores encontrados nos equipamentos comerciais de US baseada em cermicas
piezoeltricas, sendo elementos singulares (geralmente na forma de discos) ou matrizes
com os elementos cermicos consecutivos diminutos (array transducers). A caracterizao
destes transdutores importante e o levantamento do campo acstico por eles gerado
essencial para o melhor entendimento da informao gerada pela interao do US com os
diversos meios e tecidos (no caso de imagens mdicas ou nos ensaios no-destrutivos) [1].
Para entender o ultra-som como ferramenta de trabalho em muitos campos de
atuao, neste captulo se far uma reviso sobre ondas acsticas, sua propagao e
interao com os diversos meios, como so geradas e detectadas, e como podemos construir
e caracterizar os transdutores que as produzem e detectam. Iniciaremos com uma reviso
sobre movimento harmnico simples e descreveremos as ondas acsticas e suas interaes.
Mostraremos como construir um transdutor piezoeltrico de US, a instrumentao
necessria para a excitao e deteco de ondas acsticas na faixa de ultra-som de 110MHz, as solues da Equao de onda e os mtodos para previso do campo acstico
gerado pelos transdutores piezoeltricos, a gerao e mapeamento do campo acstico de
transdutores.

3.2.

ONDAS ACSTICAS

Lista de Smbolos:
Seo 3.2
m
.
F
u
a
f = 1/
=2f
v, a
Ek, Ep

Z = c

i , r., t.
pi, p r, pt
R

massa
constante elstica
fora
amplitude do deslocamento da partcula
acelerao da partcula
freqncia de oscilao = 1/perodo de oscilao
freqncia angular
velocidade e acelerao da partcula
Energia cintica, Energia potencial
comprimento de onda
velocidade de propagao da onda
impedncia acstica
densidade do material
ngulos de incidncia, reflexo e transmisso
presses de incidncia, refletida e transmitida
coeficiente de reflexo
coeficiente de atenuao

3.2.1. Movimento Harmnico Simples

Uma das formas mais simples de oscilao, seja ela mecnica ou no, o
movimento harmnico simples. Um sistema massa-mola pode ser utilizado para melhor
compreenso do movimento harmnico simples, e sua Equao de onda anloga s
oscilaes acsticas (harmnicas). Considere o sistema massa-mola representado na Figura
3.1, o qual pode ser considerado uma aproximao para o modelo de pisto fixado a um
anteparo rgido, que normalmente utilizado para representar um transdutor de ultra-som.
Neste sistema, uma partcula de massa m apoiada sobre uma superfcie sem atrito, e
fixada a uma mola de massa desprezvel e constante elstica . Ao deslocar a partcula da
sua posio de equilbrio, uma fora F atuar na partcula, sendo que esta fora definida
pela lei de Hooke mostrada na Equao 3.1, sendo u a amplitude do deslocamento da
partcula:

F = u /

(3.1)

Esta fora F conhecida como fora de recuperao, pois age no sentido contrrio

ao deslocamento, atuando na tentativa de reposicionar a partcula no ponto de equilbrio. A

magnitude desta fora diretamente proporcional amplitude do deslocamento da
partcula. Esta relao diretamente proporcional que distingue o movimento harmnico
simples se comparado a outras oscilaes mais complexas [2].
Aplicando a segunda lei de Newton Equao 3.1, tem-se a relao da Equao 3.2,
onde a a acelerao da partcula no tempo t.
u / = ma = m

d 2u
dt 2

(3.2)

Figura 3.1. Sistema Massa-Mola em Movimento Harmnico Simples

A Equao 3.2 pode ser reescrita na forma mostrada na Equao 3.3.

d 2u 1
+
u=0
dt 2 m

(3.3)

A dimenso de 1/m [T -2]. A partcula completa um ciclo de oscilao em um

perodo , que tem dimenso [T]; a freqncia f dada por f = 1/ de modo que 1/m tem a
mesma dimenso de f 2. Assim, a Equao 3.3 pode ser escrita como a Equao 3.4, onde
(bf)2 = 1/m, sendo b uma constante [2].
d 2u
+ (bf ) 2 u = 0
dt 2

(3.4)

H duas solues possveis para a Equao 3.4:

u = A cos(bft ) = A cos( t )

(3.5)

u = Bsen(bft ) = Bsen( t )

(3.6)

Estas solues satisfazem a Equao 3.4 porque da Equao 3.5 tem-se que

d 2u
d 2u
2
=

cos(

t
)
e
da
Equao
3.6
tem-se
que
= B 2sen(t ) , onde A e B so
dt 2
dt 2
constantes de mesma dimenso de u, e = bf = 2f, onde define a freqncia angular do
sistema. Portanto, a soluo geral para a Equao 3.4 dada pela superposio das
equaes 3.5 e 3.6 mostrada na Equao 3.7.
u = A cos( t ) + Bsen( t )

(3.7)

Considerando as constantes A = u 0 sen e B = u0 cos, onde u 0 = (A2 + B2)1/2, e

tambm constante, a Equao 3.7 pode ser escrita da forma simplificada na Equao 3.8.
u = u0sen cos t u0 cos sen t
= u0sen( t )

(3.8)

A velocidade e a acelerao da partcula podem ser obtidas por primeira e segunda

derivadas da Equao 3.8, respectivamente.
du
= u0 cos( t )
dt
dv
= u0 2sen( t )
a=
dt
v=

(3.9)

Considerando que a energia armazenada no sistema permanece constante, por no

haver, neste caso, perdas por atrito ou outra forma de dissipao, a energia potencial
armazenada dada pela Equao 3.10 e a energia cintica pela Equao 3.11.

Ep =

du = u 2 / 2

Ek = mv 2 / 2

(3.10)
(3.11)

A energia total armazenada pode ser obtida pela Equao 3.12.

E = E p + Ek = u 2 / 2 + mv 2 / 2
ou

(3.12)

E = u0 2 / 2 = m(u0 ) 2 / 2

Dependendo da direo da propagao em relao vibrao das partculas, as

principais formas de oscilaes acsticas podem ser caracterizadas como transversais ou
longitudinais.

3.2.2. Ondas Transversais

A propagao de uma onda acstica, molcula a molcula, ocorre de forma anloga
ao do sistema massa-mola apresentado na seo anterior. Para facilitar o entendimento da
propagao de ondas transversais, ser utilizado o sistema mais conhecido deste tipo de
propagao, que a vibrao de uma corda.
Considere uma corda comprida e fina fixada em uma das extremidades. A outra
extremidade acoplada a um oscilador, de modo que esta extremidade se mova em
movimento harmnico simples ao longo de uma linha perpendicular ao eixo z mostrado na
Figura 3.2. As vibraes se propagam ao longo da corda, e desta forma, a energia
transmitida pela corda a uma velocidade finita. A onda que se propaga em uma corda uma
onda transversal, porque as partculas (cada elemento da corda) oscilam em uma direo
normal direo de propagao da onda.

Figura 3.2. Onda transversal em uma corda: (a) Distribuio espacial no instante t; (b) Distribuio
temporal na posio z.

A Figura 3.2(a) representa a variao do deslocamento no espao em um

determinado instante de tempo t. O comprimento de onda corresponde menor distncia
no eixo z entre duas partculas cujas amplitudes de deslocamento sejam idnticas. E a
8

Figura 3.2 (b) representa a variao no tempo em uma determinada posio z do espao (no
caso unidimensional). O perodo corresponde ao tempo necessrio para a onda percorrer
uma distncia , ou seja, a onda completa um ciclo de oscilao, sendo a freqncia f = 1/.
A velocidade c de propagao da onda igual distncia percorrida em uma
unidade de tempo, ou seja, c = f. = /.

3.2.3. Ondas Longitudinais

Outro modo de propagao de ondas ocorre nas ondas longitudinais, no qual as
partculas do meio oscilam na mesma direo em que a onda se propaga. Neste contexto,
uma partcula um elemento de volume grande o suficiente para conter milhes de
molculas, de modo que seja contnuo em relao sua periferia, e pequeno o bastante para
que grandezas como os deslocamentos de amplitude sejam constantes nesta partcula.
A oscilao das partculas determina variaes peridicas na presso no meio na
medida em que as partculas interagem entre si, como ilustrado na Figura 3.3.

Figura 3.3. Onda longitudinal em um meio extenso: (a) distribuio espacial da amplitude de
deslocamento e do espaamento entre partculas no instante t; (b) distribuio temporal da amplitude de
deslocamento na posio z.

3.2.4. Velocidade, atenuao e impedncia acstica

De forma semelhante aos efeitos que ocorrem com radiaes eletromagnticas, as
ondas sonoras sofrem reflexo, refrao e absoro causadas pelo meio onde se propagam.
A velocidade de propagao de uma onda sonora em um determinado meio funo de seu
comprimento de onda:
c= f

(3.13)

onde:
c a velocidade do som no meio (m/s);

o comprimento de onda (m);

f a freqncia sonora (Hz).
Outro parmetro que caracteriza um determinado material sua impedncia acstica,
definida por:

Z = c

(3.14)

onde:
Z a impedncia acstica (kgm/ls ou 10-3kg/m2s);

a densidade do material (g/ml);

c a velocidade do som no meio (m/s).

Estes dois parmetros (velocidade de propagao e impedncia acstica) so

importantes no estudo do comportamento de uma onda sonora na interface entre dois meios
compostos por materiais distintos. A Figura 3.4 ilustra uma onda, que se propaga no meio
1, atingindo o meio 2, resultando numa parcela refletida e outra transmitida, ambas
sofrendo desvio de direo [2-4].

10

Figura 3.4 Comportamento de uma onda acstica na interface de dois meios distintos.

Pode ser observado que, para uma interface plana, o ngulo de reflexo igual ao
de incidncia: i = r. J o ngulo de transmisso relaciona-se com o de incidncia em
funo das velocidades de propagao dos meios 1 e 2 (c1 e c2) pela seguinte frmula:
sen i c1
=
sen t c 2

(3.15)

A parcela da presso da onda incidente (pi) que refletida (pr) dada pelo
coeficiente R, segundo a seguinte relao:

R=

pi Z 2 cos i Z1 cos t
=
p r Z 2 cos i + Z1 cos t

(3.16)

ou para incidncia normal em relao interface ( i = r = t = 0):

R=

pi Z 2 Z1
=
pr Z 2 + Z1

(3.17)

A atenuao outro parmetro importante, pois trata do decaimento exponencial da

amplitude de uma onda acstica que se propaga atravs de um material. Vrios fatores
contribuem para a atenuao das ondas acsticas, podendo-se citar:

Divergncia do feixe em relao ao eixo central (o que provoca uma diminuio da

energia por unidade de rea);

11

Espalhamento devido no homogeneidade do meio (uma parcela da energia se desvia da

direo de propagao inicial);

Converso em outros modos de vibrao resultando no compartilhamento da energia com

duas ou mais ondas propagando-se com velocidades e sentidos diferentes;

Absoro pelo meio, onde parte da energia convertida em calor, principalmente devido
s foras de atrito que agem em oposio ao movimento das partculas;

O coeficiente de atenuao dado por:

= af b

(3.18)

onde:

o coeficiente de atenuao (dB/cm);

f a freqncia (MHz);
a o coeficiente de atenuao para 1MHz;
b o parmetro correspondente dependncia de atenuao com a freqncia.

3.3.

O CAMPO ACSTICO

Lista de Smbolos:
Seo 3.3
a
raio do transdutor
ngulo de divergncia do feixe na regio de campo distante

limite entre campo prximo e campo distante

z = a2/
potencial velocidade
(r ,t )
velocidade na face de um pisto plano
vn (r0 , t )

p(r , t )
r
S
R

k=/c
D( )
J1(.)
D(k)
f D (k , L)
L
P(x,z)

presso
posio no campo acstico
superfcie do pisto plano
distncia de um elemento do pisto dS at um ponto de observao no
espao r
nmero de onda, constante de propagao
fator de diretividade
funo de Bessel de primeira ordem
espectro de diretividade
fator de deslocamento
distncia percorrida pela onda
projeo da distribuio espacial de um pulso ultra-snico p ( x, y, z, t ) no
instante de tempo t=0 e no plano (x,z)

12

A descrio do campo acstico produzido por um transdutor pode ser feita

considerando-o geralmente dividido em duas regies ao longo do eixo de propagao da onda.
Uma fica limitada s vizinhanas do transdutor, denominada regio de campo prximo
("nearfield region") ou regio de difrao de Fresnel. A outra conhecida como regio de
campo distante ("farfield region") ou regio de Fraunhofer. A regio de campo prximo
caracteriza-se pela ocorrncia de superposio entre as ondas de borda (geradas na periferia do
transdutor) e as ondas diretas (geradas a partir de toda a face do transdutor). Como estas ondas
podem ter amplitude e fase diferentes h interferncia construtiva e destrutiva provocando
mximos e mnimos na intensidade do campo acstico. Nesta regio h pouca divergncia do
feixe ultra-snico. Na regio de campo distante, a diferena de fase entre as ondas de borda e a
direta no so to evidentes e a interferncia construtiva de maneira a formar uma frente de
onda quase plana que atenua medida que se propaga no meio, distanciando-se da fonte.
Nesta regio o campo tende a ser divergente [5, 6]. A Figura 3.5 mostra a propagao de uma
onda acstica gerada por um transdutor, onde pode ser observado que, medida que a mesma
se distancia da fonte, as ondas de borda tendem a se propagar em fase com a onda direta.

t = 1s

t = 10 s

t = 35 s

Figura 3.5 Propagao de ondas acsticas geradas a partir de um transdutor circular, mostrando a
interao entre as ondas de borda (geradas na periferia do mesmo) e a onda direta. medida que o tempo
passa (aumenta a distncia da fonte geradora) as ondas de borda tendem a se propagar em fase com a onda
direta.

A Figura 3.6 mostra de maneira esquemtica a separao entre as regies de campo

prximo e de campo distante ao longo do eixo axial de um transdutor circular de raio a, onde o
ngulo de divergncia do feixe na regio de campo distante dado aproximadamente por: =
sin-1(0,61 /a). A maioria dos autores considera o ponto de separao entre as duas regies

13

(ltimo mximo na intensidade da presso) como ocorrendo a uma distncia axial z = a2/,
porm Zemanek [7] mostrou que esta transio ocorre a uma distncia menor (z = 0,75a2/).

Figura 3.6 - (a) Seo longitudinal atravs do feixe ultra-snico gerado por um transdutor circular de
raio a. (b) Variao da intensidade de presso ao longo do eixo axial do transdutor.

Para se entender a descrio dos campos acsticos como mostrado nas Figuras 3.5 e
3.6, descreve-se a seguir como possvel visualizar-se o campo ultra-snico a partir da
integral de Rayleigh e as solues desta integral propostas por Zemaneck (para onda
contnua), por Tupholme e por Stepanishen (para campos pulsados ou contnuos). H ainda
uma segunda abordagem, que a do mtodo do espectro de diretividade, que permite no
s a simulao e visualizao de campos contnuos ou pulsados, como tambm uma forma
diferenciada (simulada e experimental) de mapeamento do campo acstico de transdutores
usando hidrofones de larga rea ativa (LAH large aperture hydrophone).

3.3.1. Integral de Superfcie de Rayleigh

Uma das primeiras investigaes sobre a perturbao acstica causada pelo
movimento de um pisto acoplado a um anteparo rgido, em meio fluido, de extenso
semi-infinita, foi conduzida por Rayleigh no sculo XIX. Seus estudos aplicavam-se a
oscilaes harmnicas de um pisto de forma arbitrria. Aps Rayleigh, muitos autores se
dedicaram ao estudo do problema do pisto rgido, sendo que a maior parte da literatura

14

sobre o assunto dedicada a pistes circulares cujas pequenas oscilaes so harmnicas

[8].
A integral de Rayleigh, mostrada na Equao 3.19, define o potencial velocidade
como uma funo do tempo e do espao, e conhecida no domnio do tempo e da
freqncia, sendo sua transformada de Laplace mostrada na Equao 3.20.

(r , t ) =
S

(r , s ) =

v n (r0 , t R / c )
dS
2R

(3.19)

Vn (r0 , s )e sR / c
dS
R
2

(3.20)

As equaes 3.19 e 3.20 expressam o potencial velocidade para um ponto P

produzido pelo movimento de um pisto, sendo a forma deste pisto definida por uma
superfcie S localizada no plano z = 0, como mostra a Figura 3.7.

Figura 3.7: Geometria de um pisto plano de forma arbitrria e sistema de coordenadas para integral de
Rayleigh.

As equaes 3.19 e 3.20 valem para radiao acstica em um meio isotrpico,

homogneo e sem perdas, cuja velocidade de propagao do som seja c. O pisto se move
na direo normal ao plano, e sua velocidade descrita pela funo vn (r0 , t ) ou por sua
transformada de Laplace Vn (r0 , s ) . Conhecido o potencial velocidade, a presso p (r , t )
pode ser obtida pela relao da Equao 3.21, onde a densidade do meio.
p(r , t ) =

(r , t )
t

15

(3.21)

Fisicamente, a integral de Rayleigh uma aplicao do princpio de Huygens,

demonstrada por Fresnel, a qual determina que cada ponto da superfcie oscilatria pode ser
considerado como uma fonte de radiao (acstica) que se propaga em todas as direes, e
o campo em um ponto qualquer pode ser obtido pela superposio das ondas provenientes
de todas as fontes. O conceito de Huygens-Fresnel foi formulado analiticamente por
Helmholtz e Kirchhoff, e a integral de Rayleigh um caso especial da soluo de
Helmholtz-Kirchhoff na qual a fonte de radiao plana [9].
Alm de Rayleigh, outros autores forneceram solues alternativas para o clculo
do campo gerado por oscilaes harmnicas geradas pelo modelo de um pisto fixo em um
anteparo rgido. Dentre eles, destacam-se King, que apresentou seu trabalho em 1934, e
Schoch, que publicou em 1941 [9]. Este modelo do pisto fixo em um anteparo rgido tem
sido usado como uma aproximao vlida para descrever o comportamento de um
transdutor de ultra-som.
As equaes 3.19 e 3.21 so solues genricas para o potencial velocidade e para a
presso acstica, respectivamente, aplicveis a qualquer geometria de pisto. Nas sees
seguintes so apresentadas solues com simplificaes especficas para geometrias
circulares, as quais so mais amplamente discutidas na literatura.

3.3.2. A Soluo de Zemanek

O campo ultra-snico produzido por transdutores de variadas formas estudado,
normalmente, considerando estes transdutores com rea fechada e vibrando imersos em um
anteparo rgido. De modo geral, assume-se que a rea do transdutor anloga a um pisto,
ou seja, toda a face move uniformemente. Assim, possvel prever o campo de presso que
se propaga a partir deste pisto, tanto para o caso de ondas contnuas quanto para ondas
pulsadas [1]. A abordagem de Zemanek [7] restrita a campos de ondas contnuas.
Por questes de ordem prtica, pressupe-se que as oscilaes so de pequena
amplitude e que o meio homogneo e sem perdas. A partir da integral de Rayleigh
(Equao 3.19) que determina o potencial velocidade , da sua relao (Equao 3.21) com
a presso acstica p e definindo a funo velocidade do pisto vn (r , t ) , possvel calcular a
presso em qualquer ponto do campo acstico gerado pela oscilao do pisto. A principal

16

simplificao deste mtodo considerar uniforme o movimento da face do pisto, o que

torna a velocidade da face uma funo independente da posio, ou seja, a funo vn (r , t )
simplificada para vn(t), e que esta funo senoidal (Equao 3.22, na forma exponencial),
correspondendo ao movimento harmnico simples, onde u0 a mxima amplitude de
deslocamento.
vn (t ) = u0 exp(i t )

(3.22)

Substituindo esta funo velocidade na Equao 3.19, obtm-se o potencial

velocidade como funo do tempo e da posio r no campo, como mostrado na Equao
3.23, onde k = / c.

(r ,t ) =

u0 exp [ i (t R / c ) ]
dS

2
R
S

u
= 0
2

exp [i ( t kR ) ]
dS
R

(3.23)

Para obter a presso p, basta usar a relao descrita na Equao 3.21, onde a presso
proporcional ao gradiente do potencial velocidade, o que nos fornece a expresso
mostrada na Equao 3.24.

(r , t )
t
u exp [i ( t kR ) ]
= 0
dS
2 t S
R

p (r ,t ) =

(3.24)

iu0 ck exp [i ( t kR ) ]
dS
2 S
R

A expresso para calcular a presso mostrada na Equao 3.24 est referenciada

pelo sistema de coordenadas da Figura 3.7, como mostrado no incio da seo.

17

Figura 3.8: Sistema de Coordenadas Cilndricas.

Devido simetria radial do modelo utilizado, conveniente adotar um sistema de

coordenadas cilndricas para calcular o valor da presso acstica. O novo sistema de
coordenadas mostrado na Figura 3.8. Neste novo sistema de coordenadas, a expresso
para a presso dada pela Equao 3.25.
p (r ,t ) =

2
exp [i ( t kr ) ]
iu0 ck a
d
d
2 0
r
0

(3.25)

sendo r = (r 2 + 2 2r sen cos )1/ 2

onde:

a densidade do meio
c a velocidade do som no meio
k = 2 / = /c o nmero de onda, e o comprimento de onda, e
r a distncia do ponto de observao ao elemento de rea dS.

Esta expresso pode ser calculada numericamente. Assumindo simetria radial, e

definindo as variveis adimensionais X =

x
z
e Z= 2
, relativas ao comprimento de
a /
a /
2

onda e ao raio a do transdutor, obtm-se a Equao 3.26.

18

P( Z , X ) =

S q

p =1 q =1

R pq

exp {2 i(a / ) 2 R pq }

(3.26)

onde:

S q = q
1
2

q = ( q )
1
na /
= / m
=

n = 4a / , m = n
1

R pq = ( R 2 + q2 R qsen cos p ) 2
1

R = (Z 2 + X 2 ) 2

= tan 1 ( X / Z )
1
p = (p )
2
z
x
, X= 2
Z= 2
a /
a /
A partir da Equao 3.25, se considerar-se que a distncia do ponto a ser calculado
at o centro do pisto bem maior que o raio do transdutor, ou seja r >> a [7], a
distncia do ponto at a face do transdutor pode ser simplificada Equao 3.27.
r = r sen cos

(3.27)

Substituindo a Equao 3.27 na Equao 3.25, e resolvendo a integral, a expresso

para a presso pode ser dada pela Equao 3.28, onde J1 a funo de Bessel de primeira
ordem.

p ( r , ) =

i cka 2u0
2 J1 ( kasen )
exp {i( t kr )}
2r
kasen

19

(3.28)

A expresso entre colchetes D( ) =

2 J1 (kasen )
conhecida como fator de
kasen

diretividade, e no depende da distncia r do ponto analisado ao transdutor, servindo

apenas para descrever a presso acstica em uma distncia radial constante, como uma
funo do ngulo entre o eixo normal ao transdutor e o ponto de observao [7].

3.3.2.1. Simulao e visualizao do campo acstico de transdutores

ultra-snicos
Como exemplo de visualizao de campos produzidos por transdutores ultrasnicos, pode-se ver o resultado de simulaes utilizando o modelo de Zemanek de subrotina executada no ambiente Octave. O resultado, apresentado na Figura 3.9 e na Figura
3.10 corresponde simulao de um transdutor plano, de 12,7mm de dimetro, excitado a
uma freqncia de 2MHz, para o qual foi simulado o plano XY.

Figura 3.9: Imagem gerada pelo programa de simulao para transdutor com dimetro de 12,7mm
excitado a 2MHz viso do plano x-y (soluo de [7]).

20

Figura 3.10: Imagem gerada pelo programa de simulao para transdutor com dimetro de 12,7mm
excitado a 2MHz viso dos trs eixos x-y-p (soluo de [7]).

3.3.3. A Soluo de Tupholme

Resultados numricos para o clculo da radiao acstica transiente, produzida por um
pisto, foram apresentados por [8]. Seu trabalho apresenta a soluo para o clculo do pulso
de presso gerado por um pisto cuja borda definida por uma curva fechada, e aplica
esta soluo para o caso onde o pisto fixado a um anteparo rgido.
Definidas as condies iniciais onde o pisto e o anteparo so coplanares e t = 0, o
pulso gerado no fluido pelo movimento inicial do pisto. O sistema de coordenadas
cartesianas (x,y,z) definido em relao origem O situada dentro da posio inicial de ,
sendo o eixo z normal superfcie do pisto no plano , como mostrado na Figura 3.11. O
movimento do pisto especificado pela velocidade v(t) na sentido positivo do eixo z, e o
pulso acstico descrito pelo potencial velocidade , como funo de x,y,z e t.

21

Figura 3.11: Geometria para o clculo do potencial velocidade.

O potencial velocidade deve, portanto, satisfazer ao seguinte problema de condies

de contorno:
2 2 2 1 2
+
+
=
, para z > 0, t 0
x 2 y 2 z 2 c 2 t 2

= 0,
t
v(t ),

=
0,
z

= 0,

(3.29)

para z 0 em t = 0

(3.30)

para pontos dentro de , t 0, em z = 0

para pontos fora de , t 0, em z = 0

(0.1)

Para a soluo deste problema de condies de contorno, Tupholme prope o uso da

funo de Green da Equao 3.31, onde = (x x )2 + ( y y )2 + ( z z )2

1
2

denota a

distncia entre o ponto P( x, y , z ) e um ponto P( x , y , z ) fixo no fluido, e H a funo

unitria de Heaviside.
G ( , t ) = v (t c ) H (t c ) 2

22

(3.31)

Integrando-se a funo de Green da Equao 3.32 sobre o plano ( z = 0 ) ocupado

pelo pisto, percebe-se que o problema da Equao 3.29 possui a soluo formal da
Equao 3.32.

( x, y , z , t ) =

1
2

v(t c )H (t c )dxdy

(3.32)

Tupholme desenvolveu a soluo analtica para um pisto em forma de disco

circular, entre outras geometrias, mas limitou a velocidade v(t) da face do pisto funo
degrau. Uma soluo mais simples e elegante foi proposta por Stepanishen que vislumbrou
o uso da funo delta de Dirac e uma simples operao de convoluo para calcular o
campo acstico.

3.3.4. A Soluo de Stepanishen

Stepanishen [10] props uma abordagem diferente da de Tupholme, definindo uma resposta
ao impulso como sendo o potencial velocidade resultante do movimento impulsivo do
pisto. Esta resposta ao impulso, que pode ser expressa por uma integral de superfcie,
ento transladada para uma nova posio no espao atravs de uma transformao de
coordenadas da origem para o observador. Para o mesmo caso da Figura 3.7, Stepanishen
descreve o potencial velocidade em termos da funo de Green g (r , t r0 , t 0 ) , como na
Equao 3.33.
t

(r , t ) = vn (t 0 ) g (r , t r0 , t 0 )dtdS
0

(3.33)

Nota-se que, nesta formulao, a velocidade vn da face do pisto considerada uniforme em

toda a sua superfcie, no dependendo, portanto, da posio r . A funo de Green para este
problema conhecida e dada pela Equao 3.34.

g (r , t r0 , t 0 ) =

1 (t t 0 R / c )

2
R

23

(3.34)

Substituindo a Equao 3.34 na Equao 3.33, temos a Equao 3.35 para o

potencial velocidade.
t

( r , t ) = v n (t 0 )
0

(t t 0 R / c )
dtdS
2R
S

(3.35)

A Equao 3.35 pode ser integrada no tempo, o que nos fornece a frmula de Rayleigh
para o potencial velocidade em funo do tempo (Equao 3.36).

(r , t ) =
S

v n (t R / c )
dS
2 R

(3.36)

Alternativamente, a Equao 3.35 pode ser calculada desenvolvendo, primeiro, a

integral de superfcie. Desta forma, o potencial velocidade pode ser expresso como a
convoluo da velocidade vn da face do pisto com a resposta impulsiva h( r ,t) do pisto
relativa ao ponto localizado na posio r , como mostrado nas equaes 3.37 e 3.38.

(r , t ) = v n (t ) h (r , t )
(t R / c )
h( r , t ) =
dS
2R
S

(3.37)
(3.38)

Conhecida a resposta ao impulso h( r ,t), o potencial velocidade ( r , t ) pode ser

determinado a partir da especificao da velocidade do pisto. Conseqentemente, tambm
se pode determinar a presso pela relao p ( r , t ) =

(r , t ) , que pode ser escrita como

t

mostrado na Equao 3.39:

p(r , t ) =

h( r , t ) vn ( ) d = h(r , t ) vn (t )
t
t

= h( r , t ) vn (t ) = h( r , t ) vn (t )

(3.39)

Para resolver esta integral, o primeiro passo conhecer a funo de resposta ao

impulso h (r , t ) para cada ponto em que se deseja calcular o campo acstico. A funo
h (r , t ) pode ser calculada considerando que a presso p ( r , t ) formada pela contribuio

24

de todos os elementos dL na face do transdutor que so eqidistantes do ponto Q (r ) para

um determinado instante de tempo onde se deseja calcular a presso, formando um arco
circular na face do transdutor, como mostrado na Figura 3.12.

Figura 3.12: Geometria usada para calcular a resposta ao impulso no ponto Q.

A projeo do ponto Q (r ) no plano x-y corresponde ao ponto Q( x, y , 0) , e este ponto

o centro do arco circular de raio L formado pelos pontos do plano x-y eqidistantes do
ponto Q(r ) . Definindo (r) como um ngulo formado neste arco circular para o ponto
Q( x, y , 0) , possvel determinar o elemento de rea dS usado na integrao mostrada na
Equao 3.38.
r 2 = L2 + z 2
dr = ( L / r ) dL

(3.40)

dS = (r ) LdL = (r ) r dr
Substituindo a Equao 3.40 na Equao 3.38, obtm-se a nova expresso para a
funo resposta ao impulso, como mostrada na Equao 3.41. Na Equao 3.41, r1 a
distncia mais prxima e r2 a distncia mais afastada da borda do pisto ao ponto de
interesse, como mostrado na Figura 3.13.

25

h( r , t ) =

(c, t ) se r1 < ct < r2

=0

(3.41)

caso contrrio

Como a funo resposta ao impulso depende tanto da posio quanto do tempo, ela
deve ser calculada para cada ponto onde se deseja conhecer o campo acstico. Para o caso
de transdutores circulares, esta funo conhecida.

Figura 3.13: Geometria usada para um transdutor circular.

A Equao 3.42 apresenta a expresso para o clculo da funo resposta ao impulso

separada em duas regies: y < a e y a.

26

Para y < a:
h( r , t ) = 0

para t < t0 e t > t2

=c
=

para t0 < t < t1

cos 1

(ct ) 2 z 2 + y 2 a 2
2 y (ct ) 2 z 2

1/ 2

Para y a:
h( r , t ) = 0
=

para t1 < t < t 2

para t < t1 e t > t2

cos 1

(ct ) 2 z 2 + y 2 a 2
2 y (ct ) 2 z 2

1/ 2

para t1 < t < t 2

onde:
t0 = z / c
t1 = (1/ c) z 2 + ( y a ) 2

1/ 2

t2 = (1/ c) z 2 + ( y + a ) 2

1/ 2

(3.42)

Conhecida a funo de resposta ao impulso h (r , t ) , necessrio definir a funo

velocidade de movimentao da face do pisto e calcular sua derivada vn (t ) . A convoluo
entre estas duas funes multiplicada pela densidade do meio fornece a variao da presso
no ponto Q.

3.3.4.1. Simulao e visualizao do campo acstico de transdutores

ultra-snicos
As simulaes baseadas no modelo de Stepanishen so divididas, basicamente, em
duas partes: o clculo da funo resposta ao impulso h (r , t ) e a convoluo desta funo
com a funo velocidade de movimentao v(t). Aps a obteno da forma de onda no
ponto desejado, calcula-se a intensidade da presso e armazena-se o resultado. Nas Figuras
3.14 a 3.18 so apresentados alguns grficos para a funo h (r , t ) calculada para um
transdutor de raio r = 6,35mm, excitado a 2MHz. Nestes grficos, a posio calculada

27

corresponde a z = 2mm, x = 0, sendo que para cada grfico tem-se uma posio diferente no
eixo y.

Figura 3.14: Funo resposta ao impulso h(r,t) para y/r = 0.

Figura 3.15: Funo resposta ao impulso h(r,t) para y/r = 0,1.

28

Figura 3.16: Funo resposta ao impulso h(r,t) para y/r = 0,5.

Figura 3.17: Funo resposta ao impulso h(r,t) para y/r = 0,9.

29

Figura 3.18: Funo Resposta ao Impulso h(r,t) para y/r = 1,0.

Conhecida a resposta ao impulso do transdutor e a funo velocidade de

movimentao da face, obtm-se os valores da presso acstica em cada ponto do campo.
As Figuras 3.19 e 3.20 apresentam as simulaes de campo acstico para um transdutor
cermico com dimetro de 12,7mm excitado em 2MHz.

Figura 3.19: Imagem gerada pelo programa de simulao para transdutor com dimetro de 12,7mm
excitado a 2MHz viso do plano x-y (soluo de Stepanishen).

30

Figura 3.20: Imagem gerada pelo programa de simulao para transdutor com dimetro de 12,7mm excitado a
2MHz viso dos trs eixos x-y-p (soluo de Stepanishen).

3.3.5. O Espectro de Diretividade

Os mtodos de anlise pontual do campo acstico no fornecem informaes
detalhadas sobre o perfil real de vibrao da face do transdutor, sendo que este perfil o
que mais afeta o feixe ultra-snico transmitido. As mais poderosas tcnicas para estudo da
propagao de campos so baseadas no espectro angular, ou decomposio de Fourier [11].
O mtodo apresentado por Schafer e Lewin baseado na medida do espectro angular
utilizando hidrofones pontuais que exige demorado processo de alinhamento e obteno. Os
resultados de Schafer e Lewin, apresentados em matrizes de 64 por 64 pixels, demoraram 9
horas cada uma para serem formadas.
Para contornar o problema do tempo de processamento dos dados no mtodo do
espectro angular, Healey e Leeman [12] propuseram a utilizao de projees do campo
acstico, e sugeriram um novo mtodo, que, segundo eles, uma generalizao do espectro
angular, chamado espectro de diretividade.
Leeman e Healey [13] apresentaram uma soluo vlida para a Equao de onda na
forma cannica (3.43) que pode ser escrita tambm no domnio da freqncia (Fourier).
31

 2 p(r , t )

1 2 p( r , t )

=0
c2
t 2

(3.43)

A soluo proposta por Leeman e colaboradores pode ser escrita como na Equao
4. 44, onde feita uma integral tridimensional nas variveis kx, ky e kz, sendo (-,+) o
perodo de integrao para cada dimenso, e designa a quantidade ck c k x2 + k y2 + k z2 .

p(r , t ) =

1
(2 )3

D (k ) exp(i[k r t ]) dk 3

(3.44)

Define-se D(k) como espectro de diretividade, e Leeman e colaboradores [14]

demonstraram que o espectro de diretividade pode ser calculado como a Transformada de
Fourier da distribuio espacial do campo acstico, medido (ou assumido) em um
determinado instante, que convenientemente escolhe-se t = 0 por questes de simplificao.

D( k ) =

p( r , t ) exp(ik r )dr 3

(3.45)

Conhecido o espectro de diretividade, as equaes 3.44 e 3.45 permitem o clculo

da distribuio espacial tridimensional do campo transiente em qualquer instante do tempo.
D(k) chamado de espectro de diretividade porque representa uma forma geral do

espectro angular e codifica informao sobre a diretividade do campo transiente.

O mtodo do espectro de diretividade proposto por Leeman e colaboradores [14]
aplica-se tanto simulao de campos acsticos, especialmente campos pulsados, quanto
aquisio da distribuio espacial da onda de presso em um determinado instante, tambm
conhecida como fotografia acstica (snapshot). Para obter medidas do espectro de
diretividade, Healey e Leeman [12] utilizaram um hidrofone de larga rea ativa [1],
diferentemente da medida de espectro angular feita por Schafer e Lewin [11], que
utilizaram hidrofones pontuais.

32

3.3.5.1. Mtodo usando o Espectro de Diretividade

A partir da Equao 3.44, descrita no modelo que representa um pulso ultra-snico a
partir do seu espectro de diretividade, possvel estabelecer uma seqncia de
procedimentos para a simulao por computador de um pulso ultra-snico. No entanto,
interessante acrescentar dois outros elementos: o fator de deslocamento e o operador para
projeo do pulso em um plano.

3.3.5.1.1. O Fator de Deslocamento

O fator de deslocamento define em qual posio do espao/tempo o pulso ultrasnico, que se propaga, ser reconstrudo, a partir do seu espectro de diretividade, sendo
este fator uma conseqncia da propriedade de translao no tempo/freqncia da
transformada

de

Fourier,

onde

FT { g ( x x0 )} = G ( ) exp( x0 )

FT 1{G ( ) exp( x0 )} = g ( x x0 ) . Assim, a Equao 3.45 pode ser reescrita de modo a

evidenciar o fator de deslocamento, como mostrado na Equao 3.46.

1
(2 )3
1
=
(2 )3

p(r , t ) =

D( k ) exp(i[k r t ]) dk 3
(3.46)
D (k ) exp(ik r ) exp(i t ) dk

Na Equao 3.46, a freqncia espacial, e est relacionada com o mdulo do

nmero de onda k pela velocidade de propagao c, sendo = c k . Considerando um
determinado instante de tempo t > 0, a onda percorreu uma distncia L = ct. Substituindo
estas grandezas na Equao 3.46, possvel reescrever o pulso p (r , t ) como funo do
deslocamento L, ou seja, p (r , L) como na Equao 3.47.

33

1
(2 )3
1
=
(2 )3
1
p ( r , L) =
(2 )3
p(r , t ) =

D (k ) exp(ik r ) exp(i t ) dk 3
D (k ) exp(ik r ) exp( ic k t )dk 3

(3.47)

D( k ) exp(ik r ) exp( ikL) dk 3

Neste caso, o termo f D (k , L) = exp(i k L) = exp(ikL) denominado fator de

deslocamento, e est definido para o espao k = (k x , k y , k z ) .
Conceitualmente, pode-se entender que a Equao 3.38 mostra como reconstruir o
pulso no instante de tempo t ou aps este ser deslocado de uma distncia L. No mtodo aqui
abordado, a segunda notao mais conveniente, como ser mostrado adiante.

3.3.5.1.2. Projeo do Pulso

No modelo mostrado nas sees anteriores para representar o campo acstico em
funo do seu espectro de diretividade, a reconstruo do pulso e o clculo do espectro de
diretividade foi apresentado, basicamente, como uma transformada tridimensional de
Fourier. Esta operao - a transformada de Fourier conhecida e existem variadas
alternativas para implement-la computacionalmente. No entanto, trabalhar com a
representao tridimensional de um pulso ultra-snico dificulta sua visualizao. Alm da
visualizao, o processamento tridimensional dos dados levaria em conta centenas de
planos (dependendo da resoluo desejada), sendo que os mtodos convencionais simulam
e fazem o mapeamento de apenas um plano. Com o propsito de simplificar o
processamento e a visualizao, Leeman e colaboradores [15] mostraram que possvel
aplicar o mtodo do espectro de diretividade em um nico plano (duas dimenses ao invs
de trs) que sintetiza a informao tridimensional, ou seja, um plano que contenha a
projeo do pulso ultra-snico.
Para tornar o equacionamento mais claro, a funo p ( r , t ) na qual r = ( x, y, z )
escrita como p ( x, y, z , t ) . Analogamente, a funo D( k ) reescrita como D(kx, ky, kz).
Considere a projeo P(x,z) da distribuio espacial de um pulso ultra-snico no instante de
tempo t = 0 e no plano (x,z) como mostrado na Figura 3.21 e a Equao 3.48.

34

Figura 3.21: Sistema de coordenadas e plano de projeo.

P ( x, z )

p( x, y, z ,0)dy

1
(2 )3

D (k x , k y , k z ) exp i k x x + k y y + k z z

) dk dy
3

(3.48)

1
D (k x , k y , k z ) exp ( i [ k x x + k z z ]) exp(ik y y )dk 3dy
3
(2
)

Sabe-se que a funo delta de Dirac por ser expressa pela Equao 3.49:
=

1
(f)=
2

exp(ifm) dm

(3.49)

Substituindo a Equao 3.49 na Equao 3.48, com a devida alterao de dm por dy

e de f por ky [1], tem-se que:
P ( x, z ) =

(2 )
1
=
(2 ) 2
2

D( k x , k y , k z ) exp ( i [ k x x + k z z ]) (k y ) dk 3
D (k x , 0, k z ) exp ( i [ k x x + kz z ]) dk x dk z FT21 {D (k x , 0, k z )}

A projeo P(x,z) pode ser obtida a partir da expresso que define o pulso p(x,y,z,t)
no instante de tempo t = 0 como mostrado na Equao 3.48, onde FT21 { D( k x , 0, k z )}
corresponde transformada inversa bidimensional de Fourier do espectro de diretividade
do pulso no plano (kx,kz). Ou seja, Leeman [15] mostrou que a projeo P(x,z) da
distribuio espacial de um pulso ultra-snico em um plano, (x,z) neste caso, est
relacionada com o espectro de diretividade neste plano por uma transformao de Fourier.
Alm disso, foi mostrado tambm que a projeo do pulso pode ser reconstruda em um

35

instante de tempo diferente da condio inicial t = 0, aps o pulso ter percorrido um

deslocamento L, analogamente situao mostrada na 3.47.
Considerando a projeo P(x,z,L/c) em um instante de tempo t = L/c, a Equao
3.50 mostra como obt-la a partir do espectro de diretividade no plano (x,z).

P ( x, z , L / c )

p ( x, y, z, L / c) dy

=
=

1
3
(2 )
1
(2 ) 2

D (k x , k y , k z ) exp i kx x + k y y + k z z ikL dk 3 dy

(3.50)

D( kx , 0, k z ) exp ( i [ k x x + k z z ] ikL ) dkx dk z

FT21 D (k x , 0, k z ) f D ( k , L)

Na Equao 3.50, f D (k , L) o fator de deslocamento.

3.3.5.2. O Mtodo
Feitas as consideraes sobre o fator de deslocamento e sobre a possibilidade de se
trabalhar com projees dos pulsos ao invs de sua representao tridimensional, possvel
estabelecer, agora, uma seqncia de procedimentos para simular em computador a
propagao de um pulso ultra-snico. A Figura 3.22 mostra um diagrama esquemtico do
mtodo utilizado.
Inicialmente, define-se o pulso no instante inicial, que pode corresponder a qualquer
posio no espao. Por questes de simplificao, escolhe-se t = 0 correspondendo regio
imediatamente aps a face do transdutor, como mostrado na Figura 3.23.
Este pulso formado utilizando-se uma forma de onda que deve ser a mais prxima
possvel de um sinal real. No caso apresentado, foi utilizada a forma de onda da Figura 3.24

36

Condio Inicial: Pulso no

Instante de tempo zero

Projeo do
Pulso

Transformada de Fourier 2D:

Valores apropriados de D(k)

Clculo do Fator
de Deslocamento

Propagao de D(k)
para nova posio

Escolha da forma
de visualizao

Reconstruo
espacial do pulso

Figura 3.22: Diagrama esquemtico do mtodo de simulao pelo espectro de diretividade.

Figura 3.23. Pulso imediatamente aps a face do transdutor (Tx) no instante t = 0.

37

Figura 3.24. Forma de onda do pulso usada nas simulaes. Amplitude normalizada x posio (mm).

Depois de definida a forma de onda, monta-se a imagem do pulso no instante t = 0

aplicando-se esta forma de onda a toda a extenso do transdutor, modulada pela projeo da
geometria deste transdutor. A Figura 3.25 mostra a projeo de um transdutor de geometria
circular, formada pela funo y = 2 r 2 x 2 , que a projeo de um crculo.

Figura 3.25. Projeo da face de um transdutor circular. Altura (%) x Posio ao longo do eixo x (mm).

Alternativamente, esta projeo pode ser obtida a partir de uma matriz que armazene
a geometria do transdutor, como mostrado na Figura 3.26.

38

(a)
(b)
Figura 3.26. Representao da geometria do transdutor em uma matriz.
(a) Polarizao uniforme (b) Polarizao mais intensa no centro.

O somatrio de cada coluna de uma matriz que armazene a geometria de um

transdutor, como as apresentadas na Figura 3.26, fornece a projeo desta geometria. A Figura
3.26 (a) corresponde a um transdutor de geometria circular, uniformemente polarizado, ou
seja, todas as partculas da sua face se movem uniformemente e com a mesma amplitude ao
serem estimuladas, o que resulta em uma projeo semelhante mostrada na Figura 3.25.
Caso se queira simular uma situao diferente, como uma polarizao no uniforme da
cermica do transdutor, por exemplo, basta utilizar valores menores que o mximo na
formao da matriz que define a geometria do transdutor (no caso apresentado, os valores
foram normalizados para amplitude mxima unitria). A Figura 3.26 (b) apresenta um
exemplo de como se obter a projeo da geometria de um transdutor cuja cermica apresenta
uma polarizao mais intensa no centro (valor mximo unitrio, elemento central da matriz
armazena o valor 1) e menos intensa nas bordas (valores menores que 1).
A imagem correspondendo ao pulso formado pela forma de onda da Figura 3.26
modulada pela projeo de um transdutor circular mostrada na Figura 3.27. Nesta imagem, o
eixo x corresponde aos pontos da forma de onda mostrada na Figura 3.25 modulados em tons
de cinza. O eixo y corresponde ao perfil mostrado na Figura 3.26, sendo que o eixo y foi
posicionado na posio de mximo valor do sinal apenas para facilitar a ilustrao, e o eixo x
foi posicionado no centro do transdutor.

39

Figura 3.27. Pulso inicial correspondendo regio imediatamente aps face do transdutor.

A imagem mostrada na Figura 3.27 armazenada em uma matriz bidimensional,

onde cada ponto/pixel (m,n) guarda um valor de presso. A estes valores atribudo um tom
de cinza, onde o valor mximo corresponde cor branca e o valor mnimo cor preta.
Conhecida a distribuio espacial inicial do pulso, esta pode ser deslocada para
qualquer outra posio, conforme previsto na teoria. Este deslocamento feito no domnio da
freqncia, aplicando-se o que se convencionou chamar de fator de deslocamento (fD). Para
isto, calcula-se o mdulo da transformada bidimensional de Fourier da distribuio espacial do
pulso inicial (que corresponde ao espectro de diretividade). Esta operao retorna uma matriz
da mesma dimenso (m,n) que a matriz correspondente ao pulso inicial. No entanto, se for o
caso de transdutores circulares, pode-se aproveitar suas propriedades de simetria e trabalhar
com apenas um quadrante desta matriz.
Obtido o espectro de diretividade, multiplica-se cada elemento da matriz que o
armazena (agora no espao k) pelo seu fator de deslocamento correspondente, cujo valor
dado pela Equao 3.51. Nesta expresso, L corresponde ao deslocamento que ser aplicado.

f D (k , L) = exp( i k L)

(3.51)

O prximo passo reconstruir a distribuio espacial do pulso, j na nova posio, o

que corresponde transformada inversa de Fourier do espectro de diretividade. Nota-se que o
fator de deslocamento altera a fase da transformada de Fourier do pulso, correspondendo ao

40

seu deslocamento no domnio do tempo/espao, sendo que sua magnitude (que representa o
espectro de diretividade) permanece inalterada.

3.3.5.3. Hidrofone de Larga rea Ativa

Como j comentado, uma alternativa complementar ao mapeamento pontual
apresentado nas sees anteriores o mapeamento angular. O mapeamento angular est
relacionado ao espectro de diretividade do campo acstico, e sua medio requer o uso de
um hidrofone com caractersticas diferentes das de um hidrofone pontual.
O uso de hidrofones de larga rea ativa (LAH - large aperture hydrophone)
consegue resolver o problema da difrao em algumas situaes e j foi mostrada sua
utilidade na medio de atenuao, velocidade e impedncia caracterstica. Um dos mais
importantes aspectos do LAH a sua capacidade de medir os campos ultra-snicos
evitando os efeitos da difrao nas medidas. Isto devido sua capacidade de medir
somente as componentes de campo que so perpendiculares sua face, ou seja, ele age
como um filtro espacial na direo normal face da membrana, provendo uma medida
unidimensional de um campo tridimensional [1, 16-18].
Essencialmente, o LAH consiste em uma fina membrana de PVDF (entre 9 e 52m de
espessura) uniformemente polarizada. Esta membrana esticada e fixada em uma moldura
plana circular de dimetro interno igual a 75 mm, como mostrado na Figura 3.28.

Figura 3.28. Hidrofone de larga rea ativa (LAH).

41

Estes hidrofones produzem o mesmo sinal de sada independentemente da sua

distncia ao transdutor emissor, desde que o campo emitido seja completamente interceptado
pela membrana em um meio sem perdas [16-18]. A gua aproxima, de forma aceitvel, a
condio de meio sem perdas.
Por suas caractersticas, possvel a utilizao do LAH na caracterizao de
transdutores j que, com poucas medies em ngulos diferentes, consegue-se levantar o
campo acstico gerado por estes transdutores.

3.3.5.4. Mapeamento Angular

O mapeamento angular do campo acstico, utilizando hidrofone de larga rea ativa,
contorna alguns problemas enfrentados no mapeamento pontual e no mapeamento pelo
espectro angular. Nos dois casos anteriores, o hidrofone pontual considerado ideal, o que
uma simplificao que nem sempre pode ser feita. Leeman e colaboradores [14, 19] citam as
especificaes necessrias ao hidrofone pontual para que esta aproximao possa ser feita.
Alm de ter resposta omnidirecional ao campo acstico, ele deve estar sempre orientado
radialmente na direo do transdutor, o que difcil obter em sistemas que foram projetados
para mapeamento pontual tridimensional. J o hidrofone de larga rea ativa tem a nica
restrio de ser de um dimetro tal que envolva todo o campo acstico a ser medido. Alm
disso, este mtodo apropriado para se medir todo o campo p ( r , t ) e no apenas as
componentes harmnicas como feito pelo espectro angular [14], e pode medir campos de
onda contnua ou pulsada de transdutores planos ou focalizados [1].
As medidas so feitas posicionando o hidrofone de larga rea ativa frente do
transdutor emissor, de modo que todo o campo possa ser integrado pelo hidrofone, como
mostrado na Figura 3.29.

42

Figura 3.29. Posicionamento do Hidrofone de Larga rea Ativa (LAH) frente do transdutor.

Captura-se o sinal temporal fornecido pelo LAH, que corresponde ao campo integrado
ao longo de toda sua superfcie, para vrios ngulos , o que fornece uma imagem t-. Esta
imagem pode ser facilmente convertida em uma imagem x-, utilizando a relao x = ct , onde
c a velocidade do som no meio. A fim de se obter uma imagem da distribuio espacial do
pulso ultra-snico medido, deve-se transformar a imagem x- para as dimenses x-y. Esta
imagem x-y corresponde projeo do pulso no plano que intercepta o campo acstico e no
qual foi feita a varredura angular. O mdulo da transformada de Fourier deste pulso
corresponde ao espectro de diretividade. Esta seqncia de procedimentos est esquematizada
na Figura 3.30.
O sistema de medidas do LUS-CEB permite variaes nos ngulos vertical e
horizontal do hidrofone, correspondendo ao mapeamento de dois planos perpendiculares entre
si. possvel deslocar o hidrofone em 40, correspondendo s posies de -20 a +20 em
relao ao plano paralelo face do transdutor. O mapeamento no ngulo vertical possui uma
resoluo muito maior que no ngulo horizontal devido forma como o sistema foi
construdo. Para deslocar um grau no eixo vertical, so necessrios 180 passos no motor, e no
eixo horizontal apenas 4 passos. Isto corresponde a uma resoluo maior que 0,01 no eixo
vertical e uma resoluo de apenas 0,25 no eixo horizontal. Como h simetria na maioria dos
transdutores que so ensaiados, geralmente usado somente o eixo de melhor resoluo.
Estes procedimentos, portanto, permitem obter a distribuio espacial do pulso
acstico e o espectro de diretividade deste pulso. A distribuio espacial do pulso obtida
corresponde posio onde foi colocado o hidrofone de larga rea ativa durante a medio.
No entanto, o seu espectro de diretividade permite reconstruir este pulso em outra posio,
43

seja ela mais distante ou mais prxima do transdutor, como foi mostrado para pulsos
simulados. Neste caso, porm, o pulso utilizado como condio inicial foi medido, ao invs
de criado a partir da simulao.

Figura 3.30. Diagrama esquemtico para medio do espectro de diretividade.

Foi elaborada uma seqncia de procedimentos (script) que l os dados gerados

pelo programa de mapeamento angular e os converte do sistema de coordenadas t- para o
sistema de coordenadas x-y. Aps a converso entre sistemas de coordenadas, os dados
podem ser visualizados ou manipulados no prprio ambiente de simulao, atravs de
funes j existentes neste ambiente, como por exemplo, calcular o mdulo da
transformada bidimensional de Fourier destes dados (espectro de diretividade).

3.3.6. Retropropagao

de

Pulsos

Mapeados

pelo

Espectro

de

Diretividade
Para se entender como poderosa esta ferramenta matemtica e fcil sua
implementao computacional para se conhecer a propagao de pulsos ultra-snicos, mostra-

44

se como possvel retropropagar e conhecer o pulso espacial a qualquer distncia do

transdutor, desde que se conhea o seu espectro de diretividade. Para facilitar a compreenso
deste mtodo de reconstruo, a Equao 3.49 foi reescrita como mostrado na Equao 3.52,
evidenciando o termo que define este deslocamento, conhecido como fator de deslocamento
f D = exp( ikL ) .

p ( r , L) =

1
(2 )

D (k ) exp(ik r ) exp(ikL)dk 3

(3.52)

Caso L = 0, esta reconstruo corresponde ao processo inverso do clculo do espectro

de diretividade (transformada inversa de Fourier), mostrado na Equao 3.48 (transformada de
Fourier), que retorna o pulso exatamente como foi medido. No entanto, atribuindo-se valores
negativos a L, o pulso p ( r , L) pode ser reconstrudo em uma posio mais prxima da face do
transdutor que do ponto onde foi medido. A posio relativa de cada um destes pulsos em
relao ao hidrofone de larga rea ativa e ao transdutor mostrada na Figura 3.31. Esta figura
mostra sucessivos deslocamentos (L negativos), onde possvel observar a retropropagao
do pulso mapeado a uma distncia L0 = 6mm.

Figura 3.31. Posio do pulso em relao ao hidrofone e ao transdutor.

Os resultados mostrados na Figura 3.32 demonstram a possibilidade de observar a

projeo do pulso bem prximo da face do transdutor, o que d uma idia do perfil de
vibrao da face da cermica. Se o sistema de mapeamento angular for modificado para
mapear outros planos normais face do transdutor, possvel reconstruir o pulso
tridimensionalmente e obter um resultado mais detalhado da vibrao na face do transdutor.
L0 = 6mm

L1 = 4mm

45

L2 = 2mm

L3 = 0mm

Figura 3.32. Retropropagao de um pulso ultra-snico.

3.4.

CONSTRUO DE TRANSDUTORES DE ULTRA-SOM COM

CERMICAS PIEZOELTRICAS

Lista de Smbolos:
Seo 3.4
freqncia de ressonncia
fr
freqncia de anti-ressonncia
f ar
k
Rr
Cr
Lr
C0
R0
BW

coeficiente de acoplamento
valor da impedncia na freqncia de ressonncia
capacitncia srie na ressonncia
indutncia srie na ressonncia
capacitncia eltrica ou intrnseca da cermica
perdas eltricas na cermica
faixa de passagem, largura de banda

46

impedncia do transdutor
impedncia da camada de casamento
impedncia do meio de transmisso

ZT
ZC
ZM

importante notar que a simulao do campo acstico de um transdutor permite que se

tenha uma idia razovel sobre como ser o campo de radiao mas, ao se montar uma
cermica piezoeltrica em um encapsulamento apropriado para a manipulao do transdutor
em um ambiente de medida, esperado que o campo ultra-snico real seja semelhante ao
simulado. Nesta seo mostrado como pode ser construdo um transdutor de ultra-som
com cermica piezoeltrica e como feito o mapeamento do campo pelo mtodo pontual.
O protocolo para a construo de transdutores de ultra-som o do procedimento utilizado
no Laboratrio de Ultra-Som (LUS) do Departamento de Engenharia Biomdica
(DEB/FEEC) e do Centro de Engenharia Biomdica (CEB) da UNICAMP.
Os transdutores so construdos com cermicas piezoeltricas polarizadas (ou
apodizadas). Na Figura 3.33 so apresentados desenhos ilustrativos de discos de cermica
piezoeltrica despolarizada, polarizada e apodizada. Na cermica despolarizada, a
distribuio dos dipolos ferroeltricos aleatria e o efeito lquido da piezoeletricidade
desprezvel. Na cermica polarizada (aquecida at a temperatura de Curie, submetida a um
campo eltrico uniforme intenso de pelo menos 2kV/mm de espessura, e resfriada) os
dipolos ferroeltricos so realinhados segundo a direo de um campo eltrico externo. No
processo de apodizao de uma cermica piezoeltrica, o campo eltrico de polarizao
formatado, por exemplo, utilizando-se um eletrodo esfrico, como o mostrado na Figura
3.33 (c), de modo que em regies distintas da cermica a direo e a intensidade da
polarizao resultante so diferentes.
Eletrodo esfrico metlico
(5mm de raio)

cermica
cermica

Dipolo
Dipolo
eltrico
eltrico

Cermica
piezoeltrica
Cermica
despolarizada

(a)

Cermica
polarizada

2kV/mm

(b)

(c)

Figura 3.33. Orientao dos dipolos eltricos em um disco de cermica despolarizada (a), polarizada (b)
e apodizada (c) (Modificada de Duarte, 2003).

47

Na Figura 3.34 apresenta-se o esquema de montagem de um transdutor de ultra-som

com elemento piezoeltrico circular nico. Os passos principais de construo so descritos
a seguir.
Contato eltrico com a face frontal e
Camada de acoplamento acstico

Elemento cermico

Camada de retaguada

Tubo de lato

Tubo de PVC externo

Conexo eltrica

Tubo de PVC interno

Aterramento

Indutor

Cabo coaxial

Figura 3.34. Esquema de montagem do transdutor ultra-snico com elemento piezoeltrico circular
nico, mostrando seus componentes principais (Modificada de Nascimento, 2003).

(1) Avaliao das cermicas no Analisador de Impedncias. O elemento transdutor ou

elemento ativo aquele que converte a excitao eltrica em campo acstico, na operao
de transmisso, ou converte a presso do som em sinal eltrico, operando como receptor.
Cermicas piezoeltricas so os elementos transdutores mais utilizados como detectores e
geradores de potncia acstica, para aplicaes em alta freqncia, que o caso dos
transdutores ultra-snicos para aplicao mdica. O elemento ativo de um transdutor ultrasnico bsico um disco de cermica piezoeltrica, com dimetro maior que a espessura e
com eletrodos metlicos depositados nas faces paralelas.
Normalmente, o disco de cermica polarizado na direo do eixo 3 (Figura 3.35),
para vibrar preferencialmente no modo espessura, porm, quando a cermica excitada
para vibrar num modo principal, parte da energia tambm acoplada a outros modos. Em
um disco de cermica piezoeltrica vibrando livremente, os modos de vibrao mais
intensos so o modo espessura e o radial [20].
Todos os discos de cermica piezoeltrica com os quais sero construdos
transdutores, passam por uma varredura de freqncias num Analisador de Impedncias, no
qual so obtidas as curvas de Mdulo e Fase de Impedncia versus Freqncia. A partir

48

destas curvas (Figura 3.36) so determinados os valores das freqncias de ressonncia e

anti-ressonncia e do fator de acoplamento de cada modo de vibrao das cermicas.

Figura 3.35. Principais modos de vibrao de um disco de cermica piezoeltrica: radial (a) e em
espessura (b). O eixo 3 coincide com a direo de polarizao.
100

80

24950

60

20
14950
0
10

110

210

310

410

510

-20
9950

IMPEDNCIA(K ohms)

19950

40

FASE
Impedncia

-40

-60

Ressonncia
Anti-ressonncia

4950

-80

-100

-50
FREQNCIA(KHz)

(a)
100

2500

80

60

2000

40

20

1500
FASE

0
IMPEDNCIA
500

600

700

800

900

1000

1100

-20

1200

1300

1400

1500
1000

-40

-60

500

-80

-100

Ressonncia
Anti-ressonncia

0
FR E QN C I A ( K H z )

(b)
Figura 3.36. Curvas de mdulo (rosa) e fase (azul) da impedncia mostrando o modo radial (a) e em
espessura (b) de vibrao de um disco de cermica piezoeltrica (vibrando livre).

49

Como exemplo dos resultados que se obtm da avaliao das cermicas no

Analisador de Impedncias, mostra-se a seguir a Tabela 3.1 com as caractersticas de
cermicas piezoeltricas PZT5A com dimetro 17,5mm e espessura 1mm, fabricadas no
Grupo de Cermicas Ferroeltricas do Departamento de Fsica da UFSCar. Os dados foram
obtidos no Analisador de Impedncias HP-4192A LF Impedance Analyzer. Foram obtidas
curvas de mdulo e fase da impedncia versus freqncia para os discos de cermica
vibrando livres. Destas curvas so obtidos os valores da freqncia de ressonncia (menor
impedncia) e da freqncia de anti-ressonncia (maior impedncia) e calculado o
coeficiente de acoplamento (k) para cada modo de ressonncia.

Parmetro
Modo 1 (Radial) 25kHz-1025kHz
fr (kHz)
far (kHz)
k

Tabela 3.1. Caracterizao das Cermicas

Cermica #
1
2
3
4
5
163,50
194,14
0,51

162,44
193,79
0,55

165,36
198,01
0,55

163,44
197,18
0,56

162,74
193,65
0,54

164,00
195,28
0,54

162,05
194,41
0,55

Modo 0 (espessura) 1000kHz-2500kHz

2108,12 2103,30 2099,86 2093,25 2093,64 2118,75 2081,91
fr (kHz)
far (kHz)
2304,45 2349,00 2335,10 2343,77 2339,79 2354,85 2330,86
k
0,40
0,45
0,44
0,45
0,45
0,44
0,45

(2) Fases da montagem.

Fase 2.1. O primeiro passo na construo do transdutor estabelecer contato

eltrico com o disco de cermica piezoeltrica. O disco de cermica piezoeltrica
fornecido pelo fabricante polarizado e com eletrodos metlicos (prata ou ouro) depositados
em ambas as faces. A direo da polarizao indicada pelo sinal + marcado na face
positiva do disco. O lado positivo do disco de cermica piezoeltrica deve coincidir com a
face frontal do transdutor, e estar aterrado com a carcaa (tubo de lato) atravs de um
contato eltrico estabelecido por soldagem de fio ou com cola condutiva. Na face negativa
de cada disco, limpa-se bem uma rea prxima borda da face, onde soldado um fio
flexvel. Utiliza-se fio de wire-wrap de aproximadamente 15cm, desencapado apenas na
extremidade a ser soldada no eletrodo metlico da cermica. Utiliza-se uma estao de
soldagem com controle de temperatura e com ponteiras especiais de dimetros reduzidos
para facilitar o processo de soldagem e evitar despolarizar a cermica na regio da solda

50

(por aquecimento excessivo). Pode-se soldar pelo menos mais um fio, para garantir que no
caso de quebra de um dos fios, durante o processo de montagem, no se perca o contato
eltrico de aterramento.

Fase 2.2 . Um tubo de PVC com o dimetro interno aproximadamente 0,5mm maior
que o dimetro da cermica constitui o molde para a camada de retaguarda do

transdutor. A cermica colocada dentro do tubo de maneira que a face positiva fique
faceando uma extremidade do tubo e o fio soldado no lado negativo saia pelo outro lado do
tubo. Esse conjunto ento colocado com a face positiva da cermica virada para baixo,
sobre um pedao de acetato colocado sobre uma superfcie rgida e lisa.

Fase 2.3. Nesta fase colocada a camada de retaguarda do transdutor. Trs

quartos () do volume do tubo de PVC so ento preenchidos com uma mistura de epxi
de baixa viscosidade (as porcentagens corretas da mistura de cola e endurecedor devem ser
obedecidas) e alumina em p e/ou tungstnio em p (em porcentagens diversas). A
porcentagem correta de cola e de endurecedor e dessa mistura e do p de alumina e/ou de
tungstnio so conferidas com uma balana analtica. Esta mistura constituir a camada de
retaguarda (backing) do transdutor. A mistura deve ser colocada no tubo de PVC
cuidadosamente, comprimindo-se homogeneamente pequenos volumes contra a face
negativa da cermica, por dentro do tubo at atingir o volume final desejado. Deve-se tomar
cuidado para no quebrar a cermica nem romper o fio soldado no lado negativo do disco.
A Figura 37 ilustra as fases 2.1 a 2.3 da montagem de um transdutor de ultra-som.

(a)

(b)

(c)

(d)

Figura 3.37. Etapas 2.1 a 2.3 da construo de transdutores. (a) soldagem de fios no eletrodo da
cermica; (b) colocao do tubo de PVC que d forma camada de retaguarda; e (c) colocao da mistura de
epxi e/ou tungstnio e p de alumina que constitui a camada de retaguarda (Modificada de Duarte, 2003). (d)
Detalhe mostrando a solda do fio no eletrodo da cermica a 90.

51

A camada de retaguarda usada para dar suporte mecnico ao transdutor, para

garantir mxima eficincia no acoplamento eletromecnico, e para impedir que haja
reverberao. A reverberao causada pela diferena entre as impedncias acsticas da
cermica piezoeltrica e os meios que fazem contato com ela. A impedncia acstica
definida como o produto da densidade (g/cm3) do material pela velocidade c (cm/s) do
som no material:

Z = .c

(3.53)

Ao atravessar a interface entre dois meios de transmisso (meio-1 e meio-2, Figura

38) de impedncias acsticas Z1 e Z 2 diferentes, parte do campo acstico transmitida
para o meio-2 atravs da interface e parte refletida de volta para o meio-1 (Figura 38 (a)).
Quando o campo acstico incide normalmente na interface, uma parcela R da energia
acstica refletida de acordo com a Equao:

R = ( Z 2 Z 1 ) / ( Z 2 + Z1 )

]2

(3.54)

As intensidades dos campos refletido e transmitido dependem do ngulo de

incidncia do ultra-som na interface entre os meios e das impedncias acsticas dos meios.
Quanto maior a impedncia do meio-2 em relao do meio-1, maior a parcela de energia
acstica refletida na interface. E tambm, quo mais prximo de 90 for o ngulo de
incidncia, menor a parcela de campo refletido e maior a parcela de energia acstica
transmitida.
Quando um transdutor ultra-snico usado diretamente no corpo, menos de 20% da
energia acstica incidente, que chega na face posterior da cermica transferida para o
meio de transmisso, ou seja para o corpo e a maior parte dela refletida de volta na
cermica (vide Figura 3.38 (b)). Quando a onda acstica alcana a face anterior da
cermica, novamente a energia acstica no transferida para o meio anterior cermica, e
transmitida em direo face posterior. Dessa maneira, a cermica permanece vibrando
at que a energia acstica seja totalmente dissipada (transmitida ou perdida sob forma de
calor). Quando um transdutor usado em diagnstico por ultra-som, desejvel reduzir a
parcela de energia acstica refletida na interface entre o transdutor e a superfcie do corpo,
para obter o melhor possvel em sensibilidade e penetrao do campo acstico.

52

No meio anterior cermica piezoeltrica, pode existir ar (como em algumas

aplicaes Doppler) ou, mais comumente, uma mistura de resina epoxi com tungstnio ou
alumina, que possui impedncia acstica semelhante das cermicas piezoeltricas e
absorve totalmente a energia da vibrao sem refleti-la de volta. Na Tabela 3.2 so
mostrados os valores resultantes de impedncia acstica para diversas composies de
camada de retaguarda.

(a)

(b)

Figura 3.38. Transmisso do campo acstico atravs da interface entre dois meios de impedncias
acsticas diferentes: (a) incidncia, reflexo e transmisso da energia acstica; e (b) efeito de reverberao da
energia acstica.
Tabela 3.2. Valores da impedncia acstica Z0 do PZTY5A e para composies diferentes da camada de
retagurada

Z0 (kg/m2s)
Material cermico tipo PZT-5A

33,7E+06

Camada de Retaguarda de epxi e alumina

composio 19,81g de epxi, 6,93g de endurecedor e 17,8g de alumina em p (39,98%) 5,58E+06
Camada de Retaguarda de epxi e tungstnio
composio 19,2g de epxi, 6,72g de endurecedor e 6,7g de tungstnio (W) ( 25,85%) 16,3E+06
Camada de Retaguarda de epxi e alumina e tungstnio
composio 43,88g de epxi, 15,36g de endurecedor, 14,93g de p de W (16,76%) e
14,90g de p de alumina (16,61%)

14,2E+06

Fase 2.4. Depois da fase 2.3, os transdutores so colocados em suportes, com a face
negativa voltada para baixo, e os conjuntos so centrifugados por aproximadamente 3
minutos, para que a mistura de epxi e Alumina fique bem compactada contra a face
posterior da cermica e eliminando bolhas de ar. Os transdutores so deixados em repouso
53

por 24 horas para a resina curar (opcionalmente pode-se coloc-los em uma estufa a 30-40
Celsius, por 2 horas), e novamente so medidas as freqncias de ressonncia e antiressonncia das cermicas no Analisador de Impedncias.

Fase 2.5. Nesta etapa podem estar includos procedimentos de formatao do

backing, remoo do tubo de PVC (no torno mecnico) e/ou simplesmente a adio da
carcaa metlica do transdutor. Um tubo de lato com dimetro interno aproximadamente
0,5mm maior que o dimetro externo do tubo de PVC, e ligeiramente mais comprido que o
de PVC, colado (com epxi) no transdutor, tomando-se o cuidado de facear corretamente
a face negativa da cermica com uma das extremidades do tubo de lato. Os conjuntos so
deixados em repouso por 24 horas para secagem da cola. Deve-se verificar a ocorrncia de
possvel curto-circuito entre a carcaa metlica e a face negativa da cermica antes de
prosseguir com a montagem dos transdutores. Pode-se verificar tambm se houve
modificao das freqncias de ressonncia e anti-ressonncia e dos coeficientes de
acoplamento eletromecnico, principalmente do modo espessura, com o Analisador de
Impedncias. Na Tabela 3.3 so mostrados os valores das freqncias de ressonncia e de
anti-ressonncia e do coeficiente de acoplamento eletromecnico k, obtidos a partir das
curvas traadas no Analisador de Impedncias, aps a colocao da camada de retaguarda,
de transdutores construdos no LUS (Laboratrio de Ultra-Som, DEB/FEEC e CEB,
UNICAMP) (as cermicas so as mesmas da Tabela 3.1).
Os dados apresentados nas Tabelas 3.1 e 3.3 mostram que a montagem do transdutor
at a Fase 2.5 altera as caractersticas de transduo (freqncias de ressonncia e de
ressonncia e fator de acoplamento) das cermicas, em relao aos mesmos parmetros
avaliados com as cermicas vibrando livres.
Tabela 3.3. Avaliao das cermicas com a camada de backing
Cermica #
3
4
5
7
Modo 1 (Radial) 25kHz-1025kHz
fr (kHz)
149
151,99 169
164,8
far (kHz)
156,9 157,13 199
185,5
k
0,313 0,254 0,528 0,663
Modo 0 (espessura) 1000kHz-2500kHz
fr (kHz)
2142 2156
2029
2152,5
far (kHz)
2344,5 2238
2273
2319
k
0,551 0,268 0,451 0,549
Parmetro

54

Fase 2.6. O prximo passo diz respeito a compatibilizao eltrica do transdutor. A

compatibilizao eltrica usada para compatibilizar as impedncias eltricas do transdutor
e do instrumento eltrico que funciona como gerador de pulso/receptor. Varia desde um
simples indutor a circuitos RLC e transformadores. Quando a diferena de impedncias
entre o gerador de pulso/receptor (valor tpico = 50 ) e o transdutor (na ressonncia < 10
) no equilibrada, ocorre o electrical ringing, quando uma parte do pulso de excitao
eltrica da cermica refletida para o gerador.
Na Figura 3.39(a) apresentado um modelo simplificado que representa um
transdutor piezoeltrico vibrando no modo espessura. Este modelo derivado do circuito
equivalente de [21], e nele distinguem-se duas partes: uma eltrica, representada por R 0 e
C 0 e uma mecnica, representada por C r , Lr e R r . Mesmo sendo bastante simples, o
modelo representa bem a cermica piezoeltrica para valores de freqncia prximos
ressonncia e anti-ressonncia. onde os parmetros envolvidos so:
f r = freqncia de ressonncia srie, na qual a impedncia atinge um valor mnimo R r ;
f ar = freqncia paralela ou de anti-ressonncia, na qual a impedncia atinge um valor
mximo;
R r= valor da impedncia na freqncia de ressonncia; representa os efeitos de atrito na
cermica;
C r = a capacitncia srie na ressonncia; representa os efeitos de elasticidade da cermica;
L r = a indutncia srie na ressonncia; representa os efeitos inerciais da cermica;
C 0 = a capacitncia eltrica ou intrnseca da cermica; e

R0 que representa as perdas eltricas na cermica.

Para o modelo simplificado de Mason, as seguintes equaes so vlidas:

C r = C 0 f ar2 f r2

f r2

(3.55)

C 0 = C ' C r

(3.56)

L r = 1 ( 2f r ) Cr

(3.57)

onde: C' a capacitncia da cermica numa freqncia bem abaixo da ressonncia f r .

55

Lr
V

R0

IN

C0

Lr
V
IN

Cr

L0

R0

C0

Rr

Cr
Rr

(a)

(b)

Figura 3.39. (a) Modelo simplificado, derivado do circuito equivalente de Mason, do transdutor prximo
ressonncia. (b) Modelo simplificado com indutor em paralelo para compatibilizao eltrica passiva.

Das equaes 3.55 a 3.57 nota-se que a capacitncia da cermica na ressonncia est
relacionada ao valor da capacitncia intrnseca, atravs do coeficiente de acoplamento
eletromecnico (Equao 3.55). Os valores da indutncia L r e da capacitncia C r so tais
que as componentes reativas da impedncia da cermica na ressonncia anulam-se
(Equao 3.57), resultando apenas a componente resistiva Rr em paralelo com C 0 e R0
(Figura 3.39 (a)).
Uma soluo bastante simples para realizar a compatibilizao eltrica de maneira
passiva a utilizao de um indutor em paralelo com o transdutor, indicada na Figura 3.39
(b). O valor da indutncia L 0 deve ser escolhido de maneira a anular a componente reativa
da impedncia eltrica do transdutor na freqncia de ressonncia f r , de acordo com a
Equao 3.58:
Z = 1 R + j wC 0 1 wL
0
0

(3.58)

ou seja:
L0 = 1

( 2f r ) 2 C0

(3.59)

Em geral, o transdutor com indutor em paralelo, em relao ao transdutor sem

compatibilizao eltrica, tem uma faixa de passagem maior para uma mesma impedncia
da camada de anteparo (backing), e tambm o valor da impedncia prximo
ressonncia aumenta, o que possibilita um melhor acoplamento com a impedncia tpica de
um gerador de pulso/receptor (50 ).
A partir do valor terico calculado com a Equao 3.59, podem ser testados vrios
valores de indutor, prximos ao calculado, para determinar exatamente o melhor valor a ser

56

utilizado. Isto necessrio porque ao medir as capacitncias C' e C r , para calcular C 0

(Equao 3.56), dificilmente se obtm valores de leitura estveis no Analisador de
Impedncias. A leitura no Analisador de Impedncias muda continuamente e a cada nova
leitura o valor da capacitncia diminui. Para testar um dado valor de indutncia, o indutor
deve ser conectado ao transdutor, entre a carcaa e o fio soldado na face negativa, e traamse as curvas de fase e de impedncia versus freqncia, na faixa que contenha os modos
radial e em espessura do transdutor. Deve ser escolhido como melhor valor de indutncia,
aquele que resulte em curvas xf e Zxf com a ressonncia e a anti-ressonncia bem
definidas de cada modo. Um valor incorreto de indutncia pode at anular a ressonncia.
Na Figura 3.40 so apresentadas as curvas

xf e Zxf para um transdutor construdo no

LUS.
A compatibilizao eltrica melhora a faixa de passagem e a sensibilidade do
transdutor, pois permite uma excitao mais eficiente do elemento piezoeltrico. Na Tabela
3.4 so mostrados os valores da faixa de passagem (BW) de transdutores construdos no
LUS com e sem compatibilizao eltrica.

Tabela 3.4. Faixa de passagem dos transdutores sem indutor e com indutor (com compatibilizao
eltrica)
sem indutor

com indutor

Transdutor

BW %

fpico (MHz)

fcentral (MHz)

BW %

fpico (MHz)

fcentral (MHz)

#16
#18

23,00
19,96

2,07
2,18

2,05
2,20

29,54
21,12

2,05
2,16

2,02
2,17

#19

16,60

2,18

2,15

18,76

2,16

2,13

Aps a determinao dos valores adequados da indutncia para a compatibilizao

eltrica, os indutores so ento soldados com um dos seus terminais na carcaa do
transdutor e o outro na face negativa da cermica (indutor em paralelo com a cermica). A
rea do tubo metlico onde foi soldado o terminal do indutor deve ser lixada para facilitar a
soldagem, que deve ser rpida para no aquecer demasiadamente a carcaa, pois a mesma
est em contato com a cermica, que pode ser despolarizada. No mesmo local tambm
soldado o cabo do transdutor (etapa 2.7), sendo que a malha do cabo soldada no fio terra
(em contato com a face negativa da cermica).

57

Fase 2.7. A prxima etapa a colocao do cabo do transdutor, tomando-se o

cuidado de preencher a regio aps o backing, ocupada pelo indutor e pelo cabo, com
epxi. Isto garante que o conjunto backing/indutor/cabo fique rgido para evitar tanto o
rompimento de fio ou de solda, como a infiltrao de gua.

Fase 2.8. Nesta etapa feito o contato eltrico da face frontal do transdutor com a
carcaa metlica, por exemplo, soldando-se um fio (de wire-wrapp descascado) entre o
eletrodo da face frontal da cermica e a carcaa.

Fase 2.9. Nesta etapa so colocados o revestimento externo e a camada de

compatibilizao acstica do transdutor. O revestimento (casing), um tubo de PVC,
colado no tubo de lato e deve cobrir o transdutor, desde a face frontal at a sada do cabo
coaxial (aproximadamente 5 a 6 cm de comprimento). A distncia que deve ser deixada
entre a face frontal da cermica e a borda deste revestimento, corresponde a / 4 ou a um
mltiplo mpar de / 4 ( o comprimento de onda do ultra-som). A regio resultante
deste espaamento preenchida posteriormente com epxi e corresponde camada de
compatibilizao do transdutor. A espessura da camada de compatibilizao ajustada com
um micrmetro digital (Figura 3.41).
Um valor tpico de impedncia acstica de transdutor de ultra-som com cermica
piezoeltrica de PZT 5A 34 kg/m2 .s, e para tecido biolgico 1,6 kg/m2 .s. A cermica e
o meio posterior cermica piezoeltrica, tecido biolgico, possuem impedncias acsticas
bem diferentes, o que implica em grande parte do sinal ser refletido de volta para a
cermica.

58

(a)

(b)

(c)

(d)

Figura 3.40. Curvas de mdulo e fase da impedncia versus freqncia para um transdutor ultrasnico
construdo com disco de cemica piezoeltrica, (a) e (b) antes do acoplamento eltrico e (c) e (d) com indutor
L 0 colocado em paralelo ao transdutor.

59

Figura 3.41. A colocao da camada de compatibilizao acstica do transdutor feita usando um

micrmetro para ajustar sua espessura.

Para aumentar a eficincia da transferncia de energia acstica do transdutor para o

meio de transmisso do sinal acstico, nos transdutores usados em imagens mdicas por
ultra-som, costuma-se incluir uma camada de um material com impedncia acstica de
valor intermedirio entre a cermica e o tecido biolgico, que colocada na frente da
cermica, para fazer a compatibilizao das impedncias. Como est indicado na Figura
3.42, a incluso dessa camada resulta em duas interfaces acsticas. As parcelas de energia
acstica refletida e transmitida atravs dessa camada, so dependentes do ngulo de
incidncia do campo acstico, das impedncias acsticas dos trs materiais (cermica,
camada de compatibilizao acstica e tecido biolgico ou meio de transmisso) e da
espessura da camada de compatibilizao. A escolha apropriada do material e da espessura
da camada, pode resultar numa transmisso mais efetiva do campo acstico do meio 1 para
o meio 2, atravs da camada de compatibilizao. A camada de compatibilizao,
adequadamente construda, permite que a energia acstica disponvel no transdutor seja
transmitida da face frontal da cermica para a carga, ou meio de transmisso (tecido
biolgico), em vez de ser refletida e absorvida pela camada de retaguarda, diminuindo
perdas e possibilitando uma presso acstica final maior.

60

Figura 3.42. Camada de compatibilizao includa entre os meios 1 e 2.

Essa camada geralmente implementada atravs de um material com impedncia

acstica de valor intermedirio entre os valores da cermica e do tecido biolgico e com
espessura igual a do comprimento de onda da vibrao principal ou de um valor prximo
a ela ( / 4 ). Na Figura 3.44 apresenta-se um esquema de como a camada de
compatibilizao com espessura / 4 atua, aumentando a parcela de som transmitido do
meio1 para o meio 2. Quando duas ondas acsticas esto em fase, suas intensidades
adicionam-se, e quando esto fora de fase, subtraem-se, com a tendncia de uma cancelar a
outra (Figura 3.43). Como no possvel evitar a reflexo de parte da energia acstica
incidente, procura-se com a tcnica da camada de compatibilizao de espessura / 4 ,
colocar as ondas refletidas em fase com as ondas transmitidas atravs da interface
camada/meio 2, de modo a refor-las.

61

Figura 3.43. Na figura, as ondas A e B esto em fase, no entanto a onda C est em oposio de fase com
as outras duas ( A e B) (Modificado de [22]).

(a)
(b)
(c)
Figura 3.44. Propagao de campo acstico atravs de camada de compatibilizao com espessura igual
a / 4 (Modificado de [22]).

Na Figura 3.44, esquematiza-se o processo de reforo das ondas acsticas incidentes,

pelas ondas refletidas, atravs de uma camada de compatibilizao de espessura / 4 . Os
pontos A e B representam duas das inmeras fontes do campo acstico da cermica
piezoeltrica (meio 1) na interface com a camada de compatibilizao. No instante t1 so
iniciadas duas ondas que atravessam a camada de compatibilizao e atingem a interface
com o meio 2 em t2 (Figura 3.44 (a)), quando ocorre a transmisso da onda B para o meio
2, e

a reflexo da onda A (A) (Figura 3.44 (b)). Como a espessura da camada de

compatibilizao / 4 , no instante t3 as ondas iniciadas em A e B no instante t1,

percorreram uma distncia igual a / 2 em relao onda de referncia: a onda iniciada em

62

A, atravessou a camada de compatibilizao e foi refletida de volta para o ponto de origem;

e a onda iniciada em B atravessou a camada de compatibilizao e percorreu uma distncia

/ 4 atravs do meio 2. No instante t4 (Figura 3.44 (c)), a onda refletida A e as novas

ondas iniciadas em A e B chegam na interface camada/meio 2 em fase, produzindo um
reforo da energia acstica. Esse processo de reforo ocorre continuamente, j que uma
parcela da energia emitida sempre refletida, a cada vez que a frente de onda atinge uma
interface acstica (que pode ser uma estrutura de tecido biolgico). Uma camada de
compatibilizao com espessura igual a 3 / 4 tambm produz esse mesmo efeito de reforo
do sinal inicial; no entanto, a camada deve ser o menos espessa possvel para minimizar
perdas por atenuao do campo acstico atravs do material.
O material da camada de compatibilizao com espessura / 4 deve ser escolhido de
modo a apresentar impedncia acstica ( Z C ) intermediria entre os valores de impedncias
do material do transdutor ( Z T ) e do meio de transmisso do campo acstico ( Z M ). O
valor terico timo de Z C , para se obter o mximo de transmisso da energia acstica,
pode ser calculado [23] atravs da Equao:

ZC = ZT . Z M

(3.60)

Souquet et alii [24] investigaram vrias maneiras de obter a transferncia tima de

energia acstica atravs da camada de compatibilizao / 4 , usando o circuito
equivalente de Mason para um transdutor sem camada de anteparo (air-backed), e
indicaram que a compatibilidade tima ocorre quando, ao usar uma nica camada, a mesma
tenha impedncia acstica igual a:

Z C = 3 2Z T . Z M

(3.61)

A soluo da camada de compatibilizao com espessura / 4 resolve o problema de

transferncia de energia acstica para apenas uma freqncia e deixa a faixa de passagem
do transdutor ainda mais estreita. No diagnstico por ultra-som atravs da tcnica de pulso-

63

eco, usam-se pulsos estreitos de faixa larga, que contm uma quantidade significativa de
energia acstica fora da freqncia principal, e o coeficiente de reflexo razoavelmente
grande para os comprimentos de onda diferentes do qual foi considerado para a escolha da
camada de compatibilizao. O coeficiente de reflexo definido como a razo das
amplitudes do som incidente e do som refletido.
Para melhorar o desempenho do transdutor, a idia da camada de compatibilizao
pode ser expandida, incorporando-se uma segunda camada, como indicado na Figura 3.45,
onde a primeira camada tem espessura dL1 e impedncia acstica ZC1 e a segunda camada
tem espessura d L2 e impedncia acstica ZC2.

Figura 3.45. Esquema do uso de duas camadas de compatibilizao de impedncia acstica.

Na Figura 3.46 so apresentadas as distribuies da amplitude de sada de um

transdutor versus freqncia para 3 situaes: (1) transdutor operando em pulso-eco,
perfeitamente casado com o meio de transmisso; (2) a utilizao de uma camada de
compatibilizao / 4 reduz a faixa de passagem do transdutor; e (3) a faixa de passagem
mais larga que na situao (2), quando utiliza-se 2 camadas de compatibilizao com
impedncias acsticas intermedirias entre a cermica e o meio de transmisso. A transio
da impedncia acstica da cermica para a do tecido biolgico em dois passos, resulta
numa reflexo menor, e portanto, melhor transmisso e aumento da faixa de passagem do
transdutor. A espessura de cada uma das camadas de compatibilizao pode ser, mas no
est limitada a / 4 e o valor da impedncia de cada camada pode ser calculada atravs da
simulao do modelo em computador. A utilizao de duas (ou mesmo mltiplas) camadas

64

de compatibilizao acstica reduz a reverberao em cada uma das camadas, resultando

num pulso acstico transmitido mais estreito e com faixa de passagem mais larga [23].

(1)

(3)
(2)

Figura 3.46. Amplitude de sada do transdutor (pulso-eco) versus freqncia (1) perfeitamente casado
com o meio de transmisso; (2) com uma camada de compatibilizao acstica; e (3) com duas camadas de
compatibilizao acstica. f0 = freqncia de ressonncia natural do transdutor.

Desilets et alii. [25] descreveram uma formulao geral para vrias camadas de
compatibilizao de um transdutor sem camada de retaguarda (air-backed), usando as
propriedades de linha de transmisso de um disco fino de material piezoeltrico (modelo
KLM). Dessa anlise resultou que a impedncia acstica Z C de uma camada de
compatibilizao / 4 deveria ter o valor calculado pela Equao:

2
ZC = 3 ZT .3 Z M

(3.62)

para obter transmisso e faixa de passagem timos. Para 2 camadas de compatibilizao, as

impedncias acsticas Z C1 e Z C2 de cada camada deveriam ser calculadas pelas equaes:
1

Z C 2 = Z T 7 . Z M7
e

65

(3.63)

Z C1 = Z T 7 . Z M7

(3.64)

Um transdutor perfeitamente casado com o meio de transmisso aquele que est

operando com uma camada de anteparo com impedncia acstica igual do elemento
transdutor, a qual dissipa toda a energia acstica que recebe, e camada de compatibilizao
que transmite toda a energia acstica para o meio de transmisso, sem reflexo.

Fase 2.10. A ltima etapa a colocao do terminal BNC na extremidade externa

do cabo do transdutor (que pode ser feita na etapa 2.7). O comprimento do cabo entre o
transdutor e o conector BNC de 1,5m. Novamente as curvas

xf e Zxf dos transdutores

devem ser obtidas no Analisador de Impedncias, como parte inicial da caracterizao dos
transdutores. Na Figura 3.47 so mostradas algumas das etapas de construo dos
transdutores.

(e)
(d)
(c)
(b)
(a)

Figura 3.47. Foto mostrando as etapas de construo de um transdutor de ultra-som com disco de
cermica piezoeltrica. (a) disco de cermica com eletrodos de prata depositados em ambas as faces; (b) fio
soldado no eletrodo da face negativa do disco; (c) colocao do tubo de PVC e da camada de retaguarda; (d)
colocao do tubo de lato (contato eltrico com o eletrodo da face positiva); (e) colocao do revestimento
externo, da camada de acoplamento acstico e do cabo (f)
coaxial; e transdutor pronto.

66

3.5.

TRANSDUTORES PIEZOCOMPSITOS

Lista de Smbolos:
Seo 3.5
kt
fator de acoplamento eletromecnico
b
largura da ferramenta de corte
a
largura do elemento piezoeltrico
t
espessura do elemento piezoeltrico
d
passo da ferramenta de corte
proporo em volume de cermica

impedncia acstica

fL
freqncia de ressonncia do modo lateral
f0
freqncia de ressonncia desejada
Freqentemente deseja-se trabalhar com transdutores que tenham boa resoluo
axial. Neste caso, importante que o sinal gerado pelo transdutor tenha poucos ciclos, ou
em outras palavras, que o transdutor seja de banda larga.
Existem diversas alternativas para a fabricao de transdutores de banda larga:
cristais ou cermicas operando nos modos de vibrao superiores [26, 27]; filmes
piezeltricos, por exemplo, de xido de Zinco [28, 29]; PVDF em estruturas multi-camadas
[30]; materiais compsitos (cermicas/polmeros). As vantagens de se utilizar materiais
compsitos so a relativa simplicidade (em comparao com os filmes), eficincia (maior
que das cermicas e PVDF) e pode tornar-se desnecessrio o uso de camadas de casamento
de impedncia acstica e eltrica. Dessa forma, o transdutor torna-se mais simples, com o
desempenho desejado.

3.5.1. Materiais Piezocompsitos

Um piezocompsito (ou simplesmente compsito) um material obtido a partir da
combinao entre um material piezeltrico (cermica, polmero) e um material nopiezeltrico (geralmente um polmero), formando um novo material piezeltrico com
diferentes propriedades.
As vantagens que podem ser obtidas com essa implementao so as seguintes (no
todas necessariamente simultneas):

67

Pode-se chegar a um fator de acoplamento eletromecnico kt maior que o da

cermica pura, o que se reflete em uma maior largura de banda e maior eficincia;

Reduz-se a impedncia acstica do transdutor, o que melhor para acoplamento

num meio com impedncia mais baixa como a pele, lquidos ou polmeros. A
proximidade entre as impedncias implica num mais fcil casamento, ou mesmo a
no necessidade de uma camada de casamento de impedncia.

Velocidade de propagao longitudinal prxima do material de contato (pele,

polmero etc.);

Possibilidade de se variar a constante dieltrica para ajustar-se impedncia eltrica

do circuito de excitao/recepo;

As perdas dieltricas e mecnicas podem ser menores.

Alm dessas vantagens de carter de desempenho, em geral o piezocompsito tornase ligeiramente malevel, possibilitando a produo de transdutores focalizados sem a
necessidade do uso de lentes, por exemplo.

3.5.2. Nomenclatura

Existe uma nomenclatura que identifica os diversos tipos de conectividade entre as

diversas fases do material compsito. Por exemplo, para um material composto por duas
fases, uma cermica e um polmero, que o caso mais comum, tem-se a representao por
dois dgitos, um para cada fase. Cada dgito pode variar entre 0 e 3, dependendo de como a
fase interliga-se com ela mesma:

0 - indica que um elemento bsico daquela fase no se interliga com outro elemento
bsico da mesma fase (por exemplo um material em partculas);

1 - indica que essa interligao se d numa dimenso (uma barra);

2 - indica que a interligao se d num plano e

3 - indica que a interligao se d nas trs dimenses.

68

Alguns exemplos so ilustrados na Figura 3.48, onde o primeiro dgito refere-se

cermica, o segundo ao polmero e cada cubo um elemento bsico citado anteriormente.
Por exemplo, transdutores compsitos 1-3 so os mais comumente utilizados.

Figura 3.48. Alguns exemplos de conectividades em materiais compsitos. O primeiro dgito refere-se
fase de cor cinza, e o segundo fase de cor branca.

3.5.3. Mtodos de fabricao

O mtodo para fabricar um material compsito depende da geometria, ou

conectividade entre as fases. Uma das geometrias mais aplicadas para transdutores
compsitos a 1-3 [31]. O mtodo mais comum utilizado para a produo de materiais
piezocompsitos tipo 1-3 a partir de cortes ao longo da superfcie de um disco cermico,
com posterior preenchimento dos espaos vazios com o polmero desejado (dice-and-fill).
Os cortes nas cermicas so feitos com uma mquina com motor de alta rotao,
que utiliza discos diamantados. Duas estratgias podem ser utilizadas: a primeira a
produo do compsito a partir de uma cermica com espessura maior que a desejada, ou
seja, com uma freqncia menor (por exemplo, de 2 MHz e aproximadamente 1 mm de
espessura). Depois disso, deve-se reduzir a espessura, utilizando uma retfica plana, at
chegar ao valor desejado.

69

Outra estratgia consiste em fazer os cortes numa cermica cuja espessura j a

desejada. Esta se apresenta um pouco mais complicada, pois ao se cortar a cermica at o
final, as barras podem ficar sem sustentao mecnica. Uma soluo no cortar as barras
em toda a sua extenso, deixando uma pequena poro prxima borda para servir de
sustentao. Ao final, essa regio descartada, podendo ser deixada sem metalizao ou ser
simplesmente eliminada.
Uma outra tcnica que pode ser utilizada para produzir transdutores compsitos a
tcnica de fraturao da cermica [32, 33]. uma tcnica que produz multi-fraturas na
cermica, que so preenchidas com um polmero. Assim, criam-se espaos aleatoriamente
distribudos, que uma caracterstica interessante por evitar as ressonncias laterais,
presentes nos compsitos produzidos com cortes peridicos. Parte-se de um disco de
cermica, que pressionado com uma espcie de pisto contra um suporte com formato de
uma calota esfrica. Entre o pisto e o transdutor coloca-se um material que preencher as
fraturas, e que ser j o backing. Assim, se produz de maneira rpida um transdutor
compsito e focalizado. Por outro lado, no se podem ter propores de polmero muito
grandes, e no h muito controle sobre as distribuies das fraturas.

3.5.4. Modelagem e Projeto

De grande importncia para a aplicao do transdutor so os modos de vibrao.

Estes dependem da geometria e das dimenses do elemento compsito. No compsito 1-3,
o modo de vibrao de interesse o de espessura, mas o projeto deve cuidar para que outros
modos no interfiram nesse modo desejado e reduzam a eficincia do transdutor. Esses
outros modos so o radial (ou planar) e lateral [34]. O modo radial aquele em que a
cermica vibra na direo perpendicular ao modo de espessura, depende do dimetro do
transdutor e no chega a interferir no modo desejado, pois geralmente essa freqncia de
ressonncia est bem abaixo da faixa de freqncia de interesse. Os modos laterais so
provenientes de ondas de superfcie que sofrem reflexes na estrutura peridica do
compsito, e podem apresentar freqncias de ressonncia prximas daquela de interesse.

70

importante salientar que o compsito como um todo vibra no modo espessura, mas cada
elemento cermico vibra no modo barra.
Um modelo simples para o material piezocompsito considera que este se comporta
como um material homogneo, cujas propriedades elsticas e eltricas equivalentes
dependem das propriedades e propores das fases constituintes. Nesse caso, as dimenses
e periodicidades do material devem ser muito menores que o comprimento de onda.
Consideraes tericas mais detalhadas so dadas em [35, 36]. As aproximaes
mais importantes so: o campo eltrico na direo de vibrao (espessura) o mesmo nas
duas fases; uma deformao perpendicular espessura numa fase compensada por uma
deformao complementar da fase adjacente; as deformaes na direo da espessura so
iguais nas duas fases.
Como exemplo, tm-se na Figura 3.49 as curvas simuladas do coeficiente de
acoplamento eletromecnico e impedncia acstica equivalentes (normalizados pelos
respectivos valores da cermica) em funo da proporo em volume de cermica () para
um compsito 1-3 (cermica PZT e polmero Araldite). Nota-se que podem chegar a
valores de kt quase 40% maiores que o da cermica, enquanto que a impedncia pode ser
substancialmente menor. Dependendo da espessura e da porcentagem de cermica (que
tambm define a velocidade de propagao acstica), pode-se variar a freqncia de
ressonncia do piezocompsito.

71

1.4
1.2

kt / ktcer

1
0.8
0.6
Z / Zcer

0.4
0.2
0
0

0.2

0.4

[%]

0.6

0.8

Figura 3.49. Propriedades de um material compsito 1-3 em funo da proporo em volume de

cermica : constante de acoplamento piezeltrico (kt) e impedncia acstica (Z). Valores normalizados em
relao s propriedades da cermica.

3.5.5. Procedimento de Projeto

Para o projeto do elemento piezocompsito, inicialmente deve-se estabelecer a

porcentagem de cermica de acordo com as propriedades desejadas, utilizando um grfico
como o da Figura 3.49. Devem ser determinadas as dimenses indicadas na Figura 3.50.
Utilizando-se o mtodo de corte da cermica, b a largura da ferramenta de corte, a+b=d
o passo de corte e t a espessura do elemento piezeltrico. As dimenses mnimas so, a
princpio, limitadas pela ferramenta de corte e pela cermica.

Figura 3.50. Dimenses do elemento cermico (barra) e compsito 1-3 (vista superior).

72

O procedimento de projeto o seguinte:

a partir da porcentagem volumtrica de cermica, fixa-se a relao espacial a/d , pois = a2
/ d 2.
para que cada elemento cermico (rod ) vibre no modo barra, este deve ter a espessura
maior que as dimenses laterais [31], e esta condio pode ser estabelecida fazendo-se t/a >
2. A freqncia de ressonncia do modo lateral (fL) deve estar distante da freqncia de
ressonncia desejada f0, e tambm depende inversamente da periodicidade do compsito, d
[31]. A velocidade de propagao dessa onda de cerca de 1000 m/s, e portanto deve-se ter
que fL ~ 1000/d >> f0.
Por exemplo, para um compsito operando a 5 MHz com cerca de 40% de cermica
e uma espessura de 0,3 mm, tem-se que a relao espacial a/d=0,63. Escolhendo a=90m,
tem-se que t/a = 3,33 e d=140m. Nesse caso, a freqncia do modo lateral estar em torno
de 7,1 MHz e deve ser utilizada uma ferramenta de corte com espessura de 50m. Por essas
dimenses nota-se a dificuldade tecnolgica em se produzir compsitos para freqncias
acima de 5 MHz.
Os materiais assim projetados e fabricados podem, posteriormente, ser
caracterizados da mesma maneira que uma cermica comum, usando-se um analisador de
impedncias, e medindo-se sua resposta no tempo e em freqncia.
Na Figura 3.51 tem-se uma foto de um compsito aps a operao de corte (vista
superior), onde as barras de cermica esto representadas por uma cor mais clara, e pode-se
notar alguma metalizao (partes brilhantes) que no foi eliminada no processo de corte.
Posteriormente coloca-se o epxi e ambas faces do material so metalizadas com

sputtering .

73

Figura 3.51. Foto de um compsito: as partes mais claras indicam a parte cermica com metalizao, e
as partes escuras as regies do polmero. A espessura da ferramenta de corte igual a 50 m (partes escuras).

Medindo as caractersticas deste compsito atravs das curvas de impedncia em

funo da freqncia, chegou-se a um valor de kt igual a 0,55, 25% acima do coeficiente de
acoplamento da cermica, igual a 0,44.
Um experimento foi realizado aderindo-se o compsito sobre uma linha de retardo
de acrlico de 10 mm de comprimento, e captando os ecos com um receptor de PVDF,
posicionado entre o acrlico e uma pea de vidro. Foram comparados os resultados quando
se utilizou o compsito e um transdutor comercial (Panametrics, V308SU, 5 MHz). Devese ressaltar que, ao usar o compsito, no se utilizou nenhuma camada de retaguarda nem
circuito de casamento de impedncia eltrico. Os sinais no tempo e freqncia captados
pelo receptor de PVDF esto indicados nas Figuras 3.52 e 3.53, respectivamente. Nota-se
pelos espectros que a resposta quando se utiliza o compsito de banda mais larga. De fato,
medindo-se as larguras de banda de 3 dB, tem-se 2,41 MHz para o transdutor comercial e
5,51 MHz para o compsito (3,18 e 6,86 MHz para as larguras de banda de -6dB).
Nota-se o bom desempenho do piezocompsito, que poderia ser inclusive
melhorado se fossem utilizados um backing e um matching , usando os mesmos
procedimentos descritos anteriormente para a construo de transdutores. Uma dificuldade
a fabricao de transdutores de altas freqncias usando o mtodo de fabricao descrito,
devido ao problema do corte da cermica, limitando-se a cerca de 10 MHz. No entanto,
adequada para a faixa de freqncia usada em aplicaes biomdicas e de ensaios nodestrutivos.

74

t [s]
Figura 3.52. Respostas de um receptor de PVDF com vrios emissores e uma linha de retardo de
acrlico. (a) Transdutor comercial; (b) compsito.

f [MHz]
Figura 3.53. Espectros de magnitude das respostas de um receptor de PVDF com vrios emissores e uma
linha de retardo de acrlico. (a) Transdutor comercial, (b) compsito.

75

3.6.

MAPEAMENTO DE CAMPO ACSTICO DE TRANSDUTORES

PIEZOELTRICOS
O mapeamento de campo acstico pressupe o uso de hidrofones pontuais ou no

(dependendo do tipo de mapeamento requerido). Embora novas tcnicas de caracterizao

de transdutores ultra-snicos estejam disponveis como a tcnica do mapeamento angular
com hidrofones de larga rea ativa usando o espectro de diretividade [37], neste captulo
ser mostrada somente a tcnica de mapeamento pontual.

3.6.1. Hidrofones Pontuais

Atualmente, a caracterizao dos transdutores se d por meio do levantamento do
campo acstico por hidrofones pontuais (dimetro de 0,2mm a 2mm), como mostrado na
Figura 3.54, difceis de construir e que, devido sua pequena rea ativa, produzem sinais
de baixssima amplitude, complicando sua aquisio e processamento [1].

Figura 3.54. Hidrofones pontuais.

Diversos autores apresentam resultados de mapeamento de campo acstico de

transdutores de ultra-som com a finalidade de comparar o campo medido com as previses
tericas. Hayman e Weight [5] apresentaram resultados de medidas feitas com hidrofone
pontual (150 m de dimetro) em um nico ponto. Foi discutida pelos autores a
necessidade de hidrofones com ampla resposta em freqncia e o menor dimetro possvel.
Em outro trabalho, Weight e Hayman [38] compararam os campos gerados por transdutores
circulares e por transdutores quadrados, com nfase na interao entre as ondas de borda e a
76

onda plana. Hutchins e colaboradores [39] mapearam e compararam campos transientes

irradiados por transdutores de PVDF, em duas dimenses (x-z), com as previses tericas.
Eles mostraram que transdutores de PVDF podem ser construdos de modo a se comportar
como pistes planos ao vibrarem. Para registrar as variaes de presso do campo gerado
pelos transdutores de PVDF, eles utilizaram hidrofones de PZT com dimetro de 1,0mm, e
fizeram a varredura em um tanque de gua com o posicionamento do hidrofone controlado
por computador.
Apesar do grupo de Hutchins ter utilizado hidrofones de PZT, o Instituto Americano
de Ultra-som em Medicina [40] recomenda a construo de hidrofones de PVDF, pois os
hidrofones cermicos falham em importantes critrios necessrios ao bom desempenho:
largura de banda e ampla diretividade angular. Alm de critrios e requisitos de
desempenho, o AIUM estabelece e recomenda procedimentos para confeco, calibrao e
caracterizao de transdutores e hidrofones. Os hidrofones da Figura 3.54 so de PVDF e
so fabricados e distribudos comercialmente pela Precision Acoustics Ltd., sendo
hidrofones de 0,2mm de dimetro e 9 micrmetros de espessura.

3.6.2. Tanque de Ensaios Acsticos

O Laboratrio de Ultra-Som do CEB/Unicamp est equipado com um tanque com
capacidade para realizar mapeamentos acsticos conforme esquematizado na Figura 3.55.

Figura 3.55. Esquema de ligao dos equipamentos para mapeamento do transdutor.

77

No sistema acima, um gerador de funes determina a forma de onda a ser utilizada

para estimular o transdutor, e sua sada tambm dispara a varredura horizontal do
osciloscpio para aquisio da forma de onda recebida pelo hidrofone. A fim de simular a
excitao senoidal contnua, utilizam-se trens de pulsos com 10 a 20 ciclos de 1MHz a
2,5MHz e taxa de repetio de 100Hz. Este sinal amplificado para tenses prximas a 100
volts e ento aplicado ao transdutor. A freqncia da onda senoidal aplicada ao transdutor
depende de sua freqncia de ressonncia, ou seja, um transdutor montado com uma
cermica de 5MHz dever ser excitado nesta freqncia. O campo gerado captado por um
hidrofone pontual e visualizado no segundo canal do osciloscpio. A posio do hidrofone
em relao ao transdutor controlada por um sistema de posicionamento (X-Y-Z) atravs
de motores de passo. Um microcomputador utilizado para controlar os motores de passo e
capturar o sinal mostrado no osciloscpio atravs de uma interface GPIB, permitindo o
processamento deste sinal e a construo de grficos para melhor visualizao.
Ao serem estimulados, os transdutores produzem ondas de presso que se propagam
e so captadas pelos hidrofones pontuais. A propagao destas ondas aproxima da condio
ideal considerada na literatura quando ocorre em meio aquoso, portanto, os elementos
transmissor e receptor devem estar imersos em gua. Recomenda-se utilizar gua filtrada e
deionizada, e eliminar partculas e bolhas para que estes elementos no causem artefatos
nas medidas. Nestes ensaios utilizado um tanque com dimenses suficientemente grandes
para evitar que reflexes destas ondas nas paredes do tanque interfiram com os sinais
captados no processo de mapeamento. A Figura 3.56 apresenta o tanque de ensaios
acsticos disponvel no LUS-CEB, o qual tem dimenses de 700 mm x 1000 mm x 600 mm
(largura x comprimento x altura). Nele colocado o transdutor a ser caracterizado e o
hidrofone pontual posicionado sua frente e, sobre o tanque, o sistema de posicionamento
do hidrofone para a varredura ponto a ponto do campo acstico.

78

Figura 3.56. Tanque de ensaios acsticos do Laboratrio de Ultra-Som do CEB/Unicamp.

3.6.3. Posicionamento Tridimensional

Criadas as condies que mais se aproximam do meio ideal, o hidrofone pontual
deve ser posicionado frente do transdutor para captar o campo acstico gerado por ele,
como mostra a Figura 3.57. Dependendo do que se deseja observar, pode-se efetuar a
medida em um nico ponto, percorrer uma linha (o eixo acstico, por exemplo), ou varrer
todo um plano frente do transdutor, como mostrado na Figura 3.58.
A medio em um nico ponto do campo til quando se deseja verificar algumas
caractersticas de um transdutor como, por exemplo, a melhor freqncia de resposta do
transdutor, quantas oscilaes ele produz com um nico pulso de excitao, a forma de
onda destas oscilaes no campo distante, ou outra caracterstica que possa ser utilizada
para caracterizar o transdutor sob ensaio.

79

Figura 3.57. Hidrofone pontual posicionado frente do transdutor cujo campo ser mapeado.

Medies feitas ao longo de uma linha podem ser utilizadas para identificar a que
distncia do transdutor ocorre a transio de campo prximo para campo distante e a
largura do feixe ultra-snico, por exemplo.

x
Figura 3.58. Varredura no plano X-Z para mapeamento ponto a ponto.

Para que a informao obtida pelo mapeamento, seja em uma linha ou em um plano,
represente a distribuio do campo na regio mapeada, importante que a posio do
hidrofone em relao ao transdutor (conseqentemente sua posio no campo acstico) seja
conhecida com a melhor preciso possvel. Por esse motivo, o sistema de posicionamento
do hidrofone deve permitir deslocamentos mnimos com a resoluo desejada, que
normalmente est relacionada com o dimetro do hidrofone.
O sistema possui um motor de passo para cada um dos eixos X-Y-Z, e este motor
faz girar um fuso ao qual est acoplado o suporte do hidrofone. O conjunto motor-fuso
permite deslocamentos mnimos de 12,5m, o que corresponde a 80 passos do motor para

80

um deslocamento de 1,0mm. Como o menor hidrofone disponvel no laboratrio de

0,2mm, a resoluo do sistema de posicionamento suficiente.

3.6.4. O Programa de Controle

O controle dos motores de passo do sistema de posicionamento do hidrofone feito
por um sistema eletrnico que gera os pulsos necessrios nas bobinas destes motores, sendo
que este sistema eletrnico fornece tambm a potncia requerida movimentao de todo o
conjunto. Os sinais que indicam qual motor deve ser movimentado, qual ser o sentido do
movimento e qual a amplitude do deslocamento so gerados por um microcomputador e
passados ao sistema eletrnico que alimenta os motores. Estes sinais so de baixa potncia,
fornecidos pela porta paralela do microcomputador, e so determinados em funo dos
deslocamentos necessrios para se fazer um mapeamento completo, seja apenas o
posicionamento em um determinado ponto ou a varredura de uma linha, ou at mesmo um
plano inteiro. Para definir a seqncia de movimentao do hidrofone em um mapeamento,
existe um programa que faz a interface com o usurio. Feitas as configuraes, o
mapeamento ocorre de forma automtica, e os dados so armazenados em um arquivo
definido pelo operador.

3.6.5. Mapeamento Pontual de Campo Acstico

Utilizando o sistema de mapeamento descrito nas sub-sees anteriores, apresenta-se a
seguir o resultado de mapeamento de um transdutor construdo no LUS-CEB [41]. A
Figura 3.59 mostra o campo mapeado de um transdutor plano construdo com cermica
polarizada uniformemente. Este mapeamento confirma resultados de simulaes, tanto pelo
modelo de Zemanek quanto pelo modelo de Stepanishen. A Figura 3.60 apresenta o mesmo
campo acstico mostrando os valores relativos de presso na ordenada.

81

Figura 3.59. Mapeamento pontual de transdutor plano plano x-y.

Figura 3.60: Mapeamento pontual de transdutor plano plano x-y, viso x-y-p.

3.6.6. Mapeamento Angular de Campo Acstico

Como exemplo de mapeamento angular usando o mtodo do espectro de diretividade,
pode-se ver na Figura 3.61 o mapeamento angular do mesmo transdutor plano cujo
mapeamento angular foi mostrado nas Figuras 3.59 e 3.60. O mapeamento angular gera
grficos -t que podem ser vistos tambm como -x, se modificado o eixo horizontal pela
relao x = ct . Foram feitas medidas com 300 ngulos distintos (de -15 a +15, com passo de
0,1), e 1024 pontos no tempo para cada ngulo, resultando em uma imagem de 300 por 1024

82

pontos. Este mapeamento foi realizado em 40 minutos, mostrando-se muito mais rpido que o
mapeamento utilizando hidrofones pontuais, o qual tem uma durao aproximada de 6 horas
para produzir uma imagem de 100 por 150 pontos.

b)

Figura 3.61. Mapeamento angular do pulso ultra-snico mostrados na forma -t. para o transdutor plano.

Para que esta imagem passe a corresponder distribuio espacial do pulso

ultra-snico, necessria uma transformao trigonomtrica do sistema de coordenadas -x
para o sistema y-x , como esquematizado na Figura 3.62.

Figura 3.62. Transformao do sistema de coordenadas -x para o sistema y-x.

Uma vez medida a distribuio espacial do campo acstico p ( r , t0 ) , possvel

calcular o espectro de diretividade deste campo atravs da transformada (bidimensional) de

83

Fourier. apresentado na Figura 3.63 o espectro de diretividade do transdutor plano (Figura

3.61).

b)

Figura 3.63. Espectro de diretividade do transdutor plano (superior); sistema de coordenadas kx

ky.(inferior).

3.7.

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DOS EQUIPAMENTOS DE

ULTRA-SOM
A radiao ultra-snica (ou campo ultra-snico) gerada pela aplicao de um sinal

eltrico (pulso de curta durao ou salva de senides ou ondas retangulares) a um

dispositivo transdutor com caractersticas piezoeltricas, ou seja, que converte a energia
eltrica em energia mecnica (vibraes) e vice-versa (o efeito piezoeltrico, como j visto,
aparece em alguns cristais e cermicas sinterizadas, como o Quartzo, Sal de Rochelle,
Titanato de Brio, Titanato de Zirconato de Chumbo PZT-4 e PZT-5). O transdutor,
geralmente, fica em contato com o objeto em estudo (por exemplo, o corpo de um paciente,
ou uma estrutura metlica) utilizando-se um meio de acoplamento. As ondas geradas pelo
transdutor propagam-se para o interior do objeto e interagem com as diferentes estruturas
presentes no objeto, gerando ondas (ecos) que so espalhadas e que propagam em todas as
direes e tambm na direo do transdutor emissor. Estes ecos so detectados por este
transdutor (que age como receptor). Conhecida a velocidade de propagao do ultra-som

84

naquele meio, busca-se interpretar os sinais recebidos a diferentes profundidades

(distncias da face do transdutor). Se no for conhecida a velocidade, possvel determinla como meio de caracterizar o material. Dependendo da informao requerida possvel,
por exemplo, visualizar estruturas internas ou estimar o fluxo de um lquido em escoamento
por tubulaes ou a atenuao das ondas devido s diferenas de densidades entre as
diversas estruturas, podendo mais uma vez permitir sua caracterizao.
Um equipamento bsico de ultra-som formado por uma unidade de gerao e
transmisso dos pulsos eltricos para excitao dos transdutores, uma unidade de recepo
e amplificao dos sinais captados, uma unidade de controle e processamento que
utilizada para configurar os parmetros das unidades de transmisso e recepo e uma
unidade para visualizao dos resultados do processamento. O tipo de anlise e de
processamento efetuados nos sinais enviados e recebidos pelos transdutores depende das
informaes requeridas.
A pesquisa na rea de transdutores de ultra-som (probes) est em constante
desenvolvimento e vrios tipos tm sido utilizados em equipamentos de uso geral. A
freqncia do sinal e a largura do campo acstico gerado pelos transdutores dependem da
espessura e do dimetro do cristal piezoeltrico, respectivamente. Transdutores que gerem
altas freqncias produzem comprimento de ondas menores e campos acsticos mais
estreitos, o que melhora a resoluo mas, por outro lado, como a atenuao maior nas
altas freqncias, a profundidade atingida menor. Para corrigir em parte este problema, os
equipamentos apresentam um controle de ganho que pode ser ajustado pelo operador para
poder visualizar interfaces mais distantes da face do transdutor.
No incio da utilizao do ultra-som, era comum o uso de transdutores circulares
que faziam varredura em uma direo de uma rea de interesse e as freqncias variavam
entre 1MHz e 3,5MHz. Com o advento de novas tcnicas de fabricao e encapsulamento
das cermicas piezoeltricas, passou a ser comum o uso de transdutores do tipo matricial
(array transducers), e o acionamento de cada elemento do array passou a ser eletrnico
(varredura eletrnica). Alm do desenvolvimento da eletrnica analgica e digital, a
fabricao de transdutores de freqncia acima de 3,5MHz tornou-se comum. Isto facilitou
a utilizao do ultra-som em diversas reas, sendo muito comum na medicina sua utilizao
em oftalmologia com transdutores operando em freqncias entre 10MHz e 25MHz.

85

Ultimamente, grande a quantidade de pesquisadores que esto desenvolvendo

transdutores que chegam a operar entre 25MHz e 100MHz, com aplicao direta na
visualizao de estruturas de artrias e vasos.

3.7.1. Equipamentos Funcionando no Modo Amplitude (A-mode)

Este modo, como os demais, exceto o Doppler Contnuo, tem como base a tcnica
pulso-eco, onde um pulso de ultra-som de curta durao transmitido por um transdutor.
Este pulso viaja atravs do meio que est sendo investigado e toda vez que ocorre uma
mudana da impedncia acstica neste meio, ocorrem reflexes e estas podem ser captadas
pelo mesmo transdutor. O tempo decorrido entre a transmisso do pulso e a recepo do
eco proporcional profundidade de penetrao, o que possibilita o mapeamento
unidimensional das interfaces na direo de propagao do campo. A Figura 3.64 mostra o
diagrama em blocos de um equipamento no Modo A (aplicao biomdica).

Figura 3.64. Elementos de um equipamento no modo A (Modificado de [4]).

O circuito de pulso aplica um pulso de curta durao (da ordem de 10 a 500 ns,
dependendo da freqncia do transdutor) e alta amplitude (da ordem de dezenas ou
centenas de volts) ao transdutor atravs do circuito de chaveamento T/R, que isola os
circuitos de recepo durante a aplicao do pulso de alta energia para evitar saturao,
sobrecarga e danos dos mesmos e, durante a recepo, deixa passar os ecos de baixa
amplitude (da ordem de unidades a dezenas de milivolts, dependendo da atenuao do meio
86

e da energia inicial aplicada ao transdutor). O transdutor gera uma onda ultra-snica (pulso
incidente) que se propaga na estrutura em exame e sofre reflexes nas interfaces dos meios
1 e 2 (Z1/Z2 e Z2/Z1). Os ecos gerados nessas interfaces so captados pelo transdutor (que
passa a operar como receptor), amplificados e condicionados nos circuitos de recepo
(utilizando-se circuitos demoduladores que geram a envoltria do sinal, controle de ganho
varivel com o tempo, circuitos que realizam compresso logartmica para permitir que
ecos muito longos ou muito curtos sejam mostrados na mesma escala, comparadores de
limiar, filtros analgicos, etc.) e depois so mostrados no display (TRC Tubo de Raios
Catdicos) de forma semelhante ao que feito em um osciloscpio, onde o eixo horizontal
representa a varredura ao longo do tempo (distncia) e no eixo vertical do display so
mostradas as amplitudes dos sinais recebidos aps terem sido amplificados e condicionados
adequadamente. O display pode ainda ser do tipo LCD ou outra tecnologia. A Figura
3.65 mostra a seqncia de passos normalmente implementada no processamento do sinal
recebido no Modo A.

87

Figura 3.65. Seqncia de passos implementada no processamento do sinal recebido no Modo A.

3.7.2. Equipamentos Funcionando no Modo Brilho (B-Mode)

O Modo B produz uma imagem bidimensional do meio sob estudo pela combinao
dos sinais do Modo A em vrias direes, obtidos pelo deslocamento mecnico do
transdutor (ou por varredura eletrnica de uma matriz de cermicas piezoeltricas
devidamente montadas em um probe). A posio do transdutor determinada medindo-se
o ngulo entre a armao que serve para sustentar e direcionar o mesmo e uma determinada
referncia. Este modo pode ser melhor entendido considerando-se uma linha no Modo A,
modificada de tal forma que a amplitude do sinal recebido no cause um deslocamento
vertical do feixe do tubo de raios catdicos, mas sim aumento ou diminuio do brilho. O
eixo na direo de propagao do pulso, da mesma forma que no Modo A, representa a
profundidade de penetrao ou distncia. A Figura 3.66 mostra como uma linha do Modo B
pode ser obtida a partir do Modo A para o mesmo objeto e a Figura 3.67 mostra o diagrama
em blocos de um equipamento no Modo B com varredura mecnica. Os circuitos para
gerao do pulso de excitao do transdutor, chaveamento, amplificao e condicionamento
dos ecos recebidos so semelhantes aos descritos anteriormente para os equipamentos no
modo A, sendo que a diferena est no fato que a sada do circuito de recepo, neste caso,
modula o brilho de cada linha no display (TRC). A direo de cada linha (dada pelo
ngulo ) determinada pelos transdutores de posio adaptados ao suporte para o
transdutor ultra-snico. Aps a varredura completa da regio desejada, a imagem em duas
dimenses atualizada no display. importante ficar claro que a varredura pode ser
eletrnica.

88

Figura 3.66 Obteno de uma linha do Modo B a partir do sinal do Modo A.

Figura 3.67 Elementos de um equipamento no Modo B. (Modificado de [4]).

importante e necessria a utilizao de mtodos de varredura que permitam obter

imagens em tempo real como a varredura mecnica ou a varredura eletrnica. A Figura
3.68 mostra alguns modos de varredura mecnica para obter setores no Modo B e a Figura
3.69 mostra o mecanismo de funcionamento de um arranjo de 5 elementos em um
transdutor matricial linear para realizar a varredura eletrnica, onde o direcionamento do
feixe obtido por meio de atrasos na excitao dos transdutores.

89

Figura 3.68 Varredura mecnica no Modo B: (a) Rotao do transdutor; (b) Oscilao do transdutor; (c)
Oscilao do refletor.

90

Figura 3.69 Arranjo de 5 elementos de um transdutor matricial linear para varredura e direcionamento
do feixe eletronicamente: (a) paralelo; (b) inclinado; (c) focalizado (d) focalizado e inclinado (Modificado de
[3].

As imagens de ultra-som so geralmente bidimensionais (2D) como pode ser visto

na Figura 3.70. No caso de imagens obtidas com outros tipos de radiao, como em
tomografia computadorizada por Raios-X, comum buscar-se a visualizao tridimensional
(3D) das estruturas e rgos internos do corpo. No caso do ultra-som, a obteno de
imagens tridimensionais difcil e se encontra em estgio ainda inicial, embora muitas

91

pesquisas e desenvolvimento estejam sendo realizados com sucesso por pesquisadores e

empresas.

(a) Imagem obtida com transdutor matricial com varredura linear.

(b) Imagem obtida com transdutor matricial com varredura setorial.

Figura 3.70 - Imagens 2D obtidas com transdutores matriciais especficos para (a) varredura linear e (b)
setorial. (Imagens cedidas pela ATL Ultrasound - 2000 ATL Ultrasound).

92

Aplicaes do modo B
Os instrumentos no Modo B representam a grande maioria dos equipamentos de
ultra-som para diagnstico atualmente, principalmente devido ao grande nmero de regies
anatmicas que podem ser observadas com este modo e tambm a facilidade na
interpretao de imagens em duas dimenses e mais recentemente em 3 dimenses.
Uma das principais aplicaes deste modo est na obstetrcia, onde a taxa de
crescimento, posio e anormalidades podem ser observadas sem o risco de submeter o feto
e a me radiao X. A localizao da placenta ou a presena de gmeos podem ser
tambm verificadas facilmente. Na ginecologia este modo pode ser utilizado na
identificao de tumores malignos e cistos no ovrio.
Na regio abdominal podem ser obtidas imagens do fgado, do bao, da vescula
biliar e dos rins. As anormalidades causadas por tumores ou outras leses nessa regio
podem ser facilmente observadas neste modo.
Outras aplicaes incluem a obteno de imagens do seio para diagnosticar a
presena de tumores e tambm imagens de alguns pontos do corao. Imagens do corao
ficam bastante limitadas visto que o mesmo fica praticamente todo envolvido pelo pulmo,
onde a presena de ar nos alvolos impede a passagem das ondas ultra-snicas atravs do
mesmo e para solucionar este problema, so utilizados transdutores especiais (transesofgicos) ou o acesso feito pela regio do abdome.

3.8.

REFERNCIAS

1. E.T. Costa, Development and Application of a Large-Aperture PVDF Hydrophone for

Measurement of Linear and Non-linear Ultrasound Fields. PhD Thesis, University of
London, 1989.
2. P.N.T. Wells, Biomedical Ultrasonics, Academic Press Inc., New York, pp.635, 1977.
3. J. D. Bronzino, Biomedical Engineering and Instrumentation: Basic Concepts and
Application. BWS - Kent, p. 347-386, 1986.
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93

5. A.J.Hayman and J.P. Weight, Transmission and Reception of Short Ultrasonic Pulses
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Spectrum Method. J. Acoust. Soc. Am., vol 85, 2202-2214, 1989
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Fields. Acoustical Imaging, vol. 22, 45-50, Ed. P. Tortoli and L. Masotti, Plenum
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Propagation Technique. Acoustical Imaging, vol. 25, 41-45, Ed. Halliwell, M.; Wells,
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14. S. Leeman and A. J. Healey, Propagation and Imaging of Wideband ThreeDimensional Ultrasound Fields. Proc. Of SPIE, vol. 3336, 124-132, 1998.
15. S. Leeman, R. G. Dantas and E. T. Costa, Pulsed Ultrasound Field Simulation and
Visualisation. Proc. Of SPIE, vol. 3982, 109-115, 2000-b.
16. E.T. Costa, J.C. Hoddinott and S. Leeman, Artifact-free measurement of attenuation,
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IEEE, New York, pp.963-966, 1986.
17. E. T. Costa, J. C. Hoddinott and S. Leeman, Attenuation without diffraction?
Experimental results, Proc. 6th. EEC Workshop on Ultrasonic Tissue Characterization
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94

18. E. T. Costa and S. Leeman, Diffraction Artifacts and Their Removal, Acoustical
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19. S. Leeman, A. J. Healey, E. T. Costa, H. Nicacio, R. G. Dantas and J. M. Maia,
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Diagnostic Imaging: Multiple Matching Layer Theory and Application. KrauftkramerBranson, Inc., 1980.
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30. Q. Zhang, P. A. Lewin and P .E. Bloomfield, PVDF transducers - a performance

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36. H. L. W. Chan and J. Unsworth, Simple model for piezoelectric ceramic/polymer 1-3
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Ferroelec. Freq. Control, v. 36, n. 4, p. 434-441, 1989.
37. H. Nicacio, Simulao e Mapeamento de Campos Ultra-snicos para Caracterizao de
Transdutores Utilizando os Mtodos Pontual e Angular, Tese de Mestrado, Unicamp,
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Transducers, J. Acoust. Soc. Am., vol 82, 183-192, 1987.

96

40. American Institute of Ultrasound in Medicine Acoustic Output Measurement and

Labeling Standard for Diagnostic Ultrasound Equipment, ed. A.I.U.M. and
N.E.M.A.,1992.
41. V.L.S.N. Button, Efeito da Polarizao No-Uniforme de Cermicas Piezoeltricas no
Campo de Transdutores de Ultra-Som. Tese de doutorado, Universidade Estadual de
Campinas, 1999.

97

Captulo 4

Caracterizao de Lquidos por Ultra-Som

Julio Cezar Adamowskia
Flvio Buiochia
Celso Massatoshi Furukawaa
Ricardo Tokio Higutib
a

Laboratrio de Sensores e Atuadores

Departamento de Engenharia Mecatrnica e de Sistemas Mecnicos.
Escola Politcnica da USP
Rua Prof. Mello Moraes, 2231, Cidade Universitria SP
jcadamow@usp.br; cmfuruka@usp.br; fbuiochi@usp.br

Laboratrio de Ultra-som
Departamento de Engenharia Eltrica
Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira - Unesp
tokio@dee.feis.unesp.br

Contedo
4.1.

INTRODUO ...............................................................................................................5

4.2.

MEDIO DA VELOCIDADE DE PROPAGAO E ATENUAO......................6

4.2.1.
4.2.1.1.
4.2.2.

4.3.

Mtodos de ressonncia ou de onda contnua..........................................................7

Mtodo de Medio .............................................................................................8
Mtodos Pulsados ....................................................................................................9

4.2.2.1.

Mtodo de Medio ...........................................................................................10

4.2.2.2.

Mtodos Convencionais.....................................................................................11

4.2.2.3.

Outros Mtodos..................................................................................................12

MEDIO DE COEFICIENTE DE REFLEXO E DENSIDADE ............................15

4.3.1.

Mtodo de Reflexo Relativa.................................................................................16

4.3.2.

Mtodo de Mltiplas Reflexes .............................................................................17

4.3.3.

Efeito da difrao acstica na medio de parmetros acsticos...........................19

4.3.3.1.

Modelos tericos para correo da difrao ......................................................20

4.3.3.2.

Correo matemtica do efeito de difrao........................................................25

4.3.4.
4.3.4.1.
4.4.

Eiminao do efeito da difrao utilizando receptores com grande abertura ........27

Clula de medio..............................................................................................30

EXEMPLOS DE APLICAO DENSIDADE, VELOCIDADE E ATENUAO.32

4.4.1.

Montagem experimental ........................................................................................32

4.4.2.

Resultados experimentais.......................................................................................32

4.5.

MEDIO DE VISCOSIDADE ...................................................................................34

4.5.1.

Aspectos Tericos para medio de viscosidade ...................................................35

4.5.1.1.

Fenmenos de Transmisso ...............................................................................35

4.5.1.2.

Propagao de ondas de cisalhamento ...............................................................39

4.5.2.

Mtodo de Mltiplas Reflexes .............................................................................40

4.5.3.

Clula de Medio .................................................................................................42

4.5.4.

Modelo de Maxwell ...............................................................................................43

4.6.

EXEMPLOS DE APLICAO - VISCOSIDADE ......................................................44

4.7.

REFERNCIAS.............................................................................................................47

Lista de Smbolos:

c
Z
Q

B
d
f,
Tx
Rx
x, y, z
A(x)
A0
t
pi(t)
Pi(f)
ai, Ai
Ri, Rij
Tij
l, L
a, b
S
DL
Jn
p
k
V, v

i
i

ui
G*
G
G

Tij

densidade
velocidade de propagao
impedncia acstica
fator/ndice de mrito ou qualidade de um ressonador
comprimento de onda
coeficiente de atenuao
largura de banda de 3 dB
espessura
frequncia, frequncia angular
transmissor
receptor
direo de propagao
amplitude de onda
amplitude inicial
intervalo de tempo
pulso no domnio do tempo
pulso no domnio da frequncia
amplitude de sinal (tempo, frequncia)
coeficiente de reflexo entre interfaces i e j
coeficiente de transmisso entre interfaces i e j
comprimento
raio do transdutor
parmetro de Seki
parmetro para correo da difrao
funo de Bessel de ordem n
presso acstica
constante de propagao ou nmero de onda
amplitude de velocidade na face de um pisto plano
potencial de velocidade
ngulo (incidncia ,reflexo, refrao)
deslocamento
mdulo de cisalhamento complexo
mdulo elstico
mdulo de perda
viscosidade dinmica
tenso de cisalhamento
tempo de relaxao

4.1.

INTRODUO

Existe um grande potencial de aplicao de mtodos para caracterizao de lquidos em

diversos setores produtivos e de pesquisa. Para cada aplicao pode se medir uma ou mais
propriedades do lquido, como a densidade, viscosidade, propriedades qumicas, termodinmicas,
acsticas, pticas, eltricas, que direta ou indiretamente podem ser utilizadas para caracterizar o
lquido. As tcnicas acsticas apresentam as caractersticas de serem no-destrutivas, com
possibilidade de aplicaes no-invasivas e em linha; as ondas acsticas podem propagar-se por
lquidos opacos, mas h uma forte influncia de bolhas de ar. Os mtodos apresentados neste
trabalho permitem a medio da densidade, viscosidade, velocidade de propagao, disperso e
atenuao acsticas em lquidos, utilizando ondas longitudinais e de cisalhamento na faixa de
freqncia entre 1 e 15 MHz.
Um exemplo de aplicao que pode ser citado em oleodutos onde diversos tipos de lquidos
so transportados num mesmo duto, de maneira contnua (um lquido seguido do outro), e deve-se
determinar o tipo de lquido transportado em cada instante para que estes sejam desviados aos
respectivos reservatrios de destino. Atravs da densidade pode-se diferenciar claramente o leo
diesel da gasolina, por exemplo.
Em muitas aplicaes industriais existem misturas de lquidos, ou misturas de lquidos e
slidos, formando meios homogneos, emulses ou suspenses. Exemplos so a indstria de
alimentos (leite, iogurte, sucos, molhos para salada, sorvete), farmacutica e cosmtica (cremes e
loes), petroqumica, agrcola, txtil, de papel, de tintas [1-3]. Nesses casos de interesse o
conhecimento da concentrao de um lquido em outro ou o tamanho e distribuio de partculas.
Isso pode ser obtido atravs da densidade, velocidade de propagao, atenuao ou espalhamento
acstico em funo da freqncia.
Ainda com relao ao problema de misturas, pode-se utilizar o ultra-som para a determinao
de separao de fases e coagulao no processo de produo de queijo [4]. Encontram-se aplicaes
tambm na rea biomdica, por exemplo, na deteco de micrbios em culturas em estgios
anteriores aos que seriam detectados por mtodos convencionais [5], atravs do uso da velocidade
de propagao do som.
Na pesquisa bsica, existem aplicaes em fsica, qumica, biologia e cincia dos materiais [6],
nas quais podem ser empregados mtodos de espectrometria acstica, em faixas largas de
freqncia. As ondas acsticas so influenciadas por diversos parmetros termodinmicos da
amostra, o que permite medir indiretamente propriedades a nvel molecular.

De todas as propriedades fsicas do lquido, a viscosidade a que requer maior considerao no

estudo dos escoamentos, pois ela oferece resistncia ao cisalhamento, dificultando o seu fluxo em
tubulaes, cavidades de moldes etc. Alm disso, utilizada para o desenvolvimento e controle de
qualidade de produtos, sendo crucial sua medio para inmeras indstrias nos campos da qumica,
farmcia e produo de alimentos, entre outras. A viscosidade um parmetro muito importante em
processos qumicos, como na produo de peas plsticas em moldes, onde se deve monitorar o
processo de cura do polmero.
Na medio de densidade de lquidos por ultra-som, a densidade de um lquido Newtoniano
obtida pela relao Z = c, sendo c a velocidade de propagao da onda acstica no lquido, e Z a
impedncia acstica caracterstica do meio. A determinao da impedncia caracterstica do meio
feita a partir da medio do coeficiente de reflexo na interface entre este meio e um segundo meio,
cuja impedncia caracterstica conhecida, que atua como referncia. A partir da obteno do Z do
lquido, deve-se medir a velocidade c (que corresponde medio do tempo de trnsito entre dois
ecos subseqentes, conhecendo-se a distncia entre as interfaces), e calcular a densidade do lquido.
Muitas variveis interferem no processo de medio, tais como: difrao acstica, temperatura,
erros mecnicos de construo da clula de medio, estabilidade dos transdutores, rudos eltricos,
etc. Os erros introduzidos por essas variveis podem ser minimizados utilizando-se estratgias
apropriadas de medio [7]. Neste trabalho, so apresentadas duas tcnicas, uma denominada
tcnica de mltiplas reflexes e outra, tcnica de reflexo relativa. O controle da densidade de
lquidos em processos industriais geralmente requer medio com o lquido escoando em tubos.
Ambas as tcnicas de medio mencionadas acima podem ser aplicadas para lquidos em
movimento.
Neste trabalho, descrevem-se alguns mtodos de medio de parmetros acsticos em lquidos,
tais como velocidade de propagao, atenuao, disperso, coeficiente de reflexo e impedncia
caracterstica, e coeficiente de reflexo complexo para ondas transversais em interface slidolquido. Descrevem-se tambm os mtodos de medio de densidade e viscosidade de lquidos, e
aplicaes dos parmetros acsticos na caracterizao do teor de gordura em leite.

So

apresentados detalhes das clulas de medio e dos respectivos sistemas eletrnicos utilizados e do
processamento de sinais aplicados medio da velocidade, atenuao e coeficiente de reflexo.

4.2.

MEDIO DA VELOCIDADE DE PROPAGAO E ATENUAO

A espectrometria acstica consiste em caracterizar materiais relacionando alguma propriedade

deste com a velocidade ou atenuao em funo da freqncia. Para isso, pode-se utilizar mtodos
6

de onda contnua (ou ressonncia) ou pulsados. Os mtodos de ressonncia so aplicados em

freqncias mais baixas, menores que 10 MHz em geral, e os mtodos pulsados so aplicados desde
a faixa de MHz at a faixa de GHz. Para determinados estudos de relaxao qumica e estrutural,
onde se necessita conhecer a atenuao numa faixa larga, como em trs a quatro dcadas de
freqncia, podem ser empregados ambos os mtodos. Para estudos de espalhamento em emulses,
por exemplo, a operao em uma ou duas dcadas na faixa de MHz j suficiente.

4.2.1. Mtodos de ressonncia ou de onda contnua

Os mtodos de ressonncia ou de onda contnua foram os primeiros a ser desenvolvidos, e so
mais adequados para aplicaes onde a atenuao na amostra baixa e se opera em freqncias
abaixo de 10 MHz, embora existam alguns que operam na faixa de 30 MHz [6]. Nos mtodos de
ressonncia, o ressoador consiste de uma cavidade, geralmente de formato cilndrico, que
preenchida com o lquido a ser investigado. Dois transdutores so posicionados de modo a fechar o
cilindro, ocorre a excitao com onda contnua e mede-se a ressonncia do conjunto. Destas
medidas obtm-se o fator de mrito Q, que definido como a relao entre a freqncia de
ressonncia e a largura de banda B de -3 dB, ou tambm igual a 2 vezes a energia armazenada
dividido pela energia dissipada por ciclo. O valor de Q relacionado com o coeficiente de
atenuao e com a velocidade de propagao c na freqncia de ressonncia por

Q=

= ,

(4.1)

onde o comprimento de onda na ressonncia [8].

Cuidados devem ser tomados em relao difrao acstica, e para isso se utilizam
transdutores com dimetro grande [9] ou com partes cncavas (refletor/transdutor) [8]. Outro
cuidado a ser tomado est relacionado s freqncias de ressonncias do transdutor, que
normalmente apresenta picos de resposta nos mltiplos mpares da freqncia fundamental.
Prximo dessas freqncias, o sistema pode apresentar medidas de ressonncia erradas, pois o que
se deseja medir so as ressonncias do material que se est analisando.

4.2.1.1. Mtodo de Medio

Na Figura 4.1 tem-se um mtodo de ressonncia utilizando o circuito de ganho/fase de um
analisador de impedncias HP4194A. No caso do exemplo (Figura 4.1b) foram utilizados
transdutores de 5 MHz acoplados a uma placa de alumnio com espessura d igual a 4 mm. Com uma
montagem adequada, com suportes para os transdutores e uma cavidade para a amostra, o mtodo
poderia ser aplicado para lquidos. As ressonncias ocorrem em mltiplos inteiros de meio
comprimento de onda:

d =n

c
=n
, n = 1, 2,
2
2f

A partir de dois ou mais picos de magnitude da impedncia, que ocorrem nas freqncias de
ressonncia, determina-se o valor de f, de onde se pode obter a velocidade de propagao ou a
espessura:

f =n

c
2d

f =

c
2d

(4.2)

-10

Rx

Tx

-20

-30

[dB]

-40

test
Output
dual

-50

-60

HP4194A

-70
1

10

f [MHz]
(a)
(b)
Figura 4.1. Mtodo de ressonncia utilizando analisador de impedncia.

Medindo-se o fator de mrito Q em cada ressonncia, pode-se obter tambm a atenuao,

atravs da Eq. 4.1. Nota-se na figura que sobreposta curva de ressonncia tem-se a curva de
resposta do transdutor. Para a medio da atenuao, deve-se subtrair da curva de ressonncia a
resposta do transdutor, resultando apenas na curva de resposta da amostra.

4.2.2. Mtodos Pulsados

A partir de certa freqncia de operao e atenuao na amostra, podem ser utilizados mtodos
pulsados que so mais rpidos, e onde, geralmente, os tamanhos dos transdutores e da amostra so
menores. Problemas de difrao tambm podem ser considerados menores, mas ainda existentes. Os
mtodos pulsados tornaram-se mais populares aps a Segunda Guerra Mundial [10-12], devido aos
avanos nas tcnicas de sonar e radar, e atualmente o mtodo mais aplicado, devido
simplicidade e rapidez. o mtodo mais comum tambm na rea de ensaios no destrutivos por
ultra-som.
Como j foi comentado anteriormente, a faixa de freqncia normalmente utilizada em
mtodos pulsados vai de 1 MHz a 10 GHz. Eggers e Kaatze [6] comentam que os esforos esto
mais concentrados em melhorar as tcnicas nesta faixa de freqncia ao invs de expandir mais a
freqncia de operao.
Podem ser utilizados um ou dois transdutores. No primeiro caso, o transdutor opera no modo
pulso-eco utilizando um refletor slido [13, 14]. Problemas decorrentes dessa configurao esto
relacionados ao pulso de excitao, que causa o aparecimento do chamado tempo morto [15],
devido sobrecarga de RF (RF overloading). Nesse caso ainda, o pulso propaga-se pelo menos
duas vezes pela amostra, o que pode ser limitante no caso de uma amostra com atenuao elevada.
No segundo caso, a maioria dos espectrmetros utiliza dois transdutores [8, 16-19], um operando
como transmissor e o outro como receptor, sendo que geralmente o mesmo material utilizado para
o emissor e o receptor. Isso pode no ser ideal, devido s caractersticas piezoeltricas de cada
material, pois sabido que determinados materiais operam de maneira mais eficiente como
transmissores, e outros como receptores. Materiais que tm sido utilizados em transdutores so:

Cristais de quartzo [18];

Niobato de ltio [8, 16];

Cermicas piezoeltricas, como o PZT [17] e transdutores compsitos;

Filmes de oxido de zinco [19, 20];

PVDF em estruturas multicamadas [21, 22].

Um outro aspecto comum maioria dos espectrmetros a utilizao de linhas de atraso. Uma
das suas funes de separar os transdutores da amostra, caso em que desejvel utilizar um
material quimicamente inerte, como por exemplo, o vidro ou a safira [6]. Este material tambm
deve ter baixa atenuao acstica na faixa de freqncia de operao. Uma impedncia acstica

prxima do lquido desejvel por resultar em maior sensibilidade. Dependendo da disposio do

emissor e do receptor, a linha de atraso tambm tem a funo de separar estes dois elementos.
Adamowski [7] implementa um transdutor duplo-elemento onde um receptor est posicionado entre
duas linhas de atraso, e a grande abertura do receptor elimina o problema da difrao acstica.
Na operao com mtodos pulsados, tem-se a possibilidade de se trabalhar com tamanho de
amostra fixo [8, 17] ou varivel [16, 18, 19]. Utilizando tamanho de amostra fixo, deve-se utilizar
um lquido de referncia com propriedades conhecidas (velocidade de propagao e coeficiente de
atenuao) para calibrar a clula e medir o tamanho da cmara de amostra. Utilizando tamanho de
amostra varivel, por outro lado, tem-se uma medida absoluta da atenuao e da velocidade de
propagao atravs da medio em duas ou mais distncias diferentes. Algumas das desvantagens
em relao ao mtodo anterior so: a necessidade de se manter o paralelismo entre as faces durante
a movimentao e a necessidade de se medir com preciso a alterao na distncia. Este ltimo
ponto um dos mais crticos quando se trabalha em freqncias acima da faixa de 100 MHz [6, 16].
Durante as medies, a temperatura da amostra deve permanecer constante, pois podem ocorrer
pequenas variaes na velocidade e na atenuao, que tornam os resultados inconsistentes. Opes
existentes para a estabilizao da temperatura so a imerso da clula num banho com temperatura
controlada ou a incluso, na prpria clula, de canais de passagem de lquido termosttico prximos
ao reservatrio da amostra, e de termopares para monitorao da temperatura em diversos pontos do
sensor. O reservatrio da amostra deve preferencialmente ser transparente para a observao de
bolhas e de fcil acesso para limpeza e troca de amostras.
So apresentados nesta seo alguns mtodos prticos para determinao da velocidade de
propagao e da atenuao acstica, utilizando ondas pulsadas.

4.2.2.1. Mtodo de Medio

Na Figura 4.2, est indicado o mtodo pulsado com duas opes: (a) com um transdutor
operando no modo pulso-eco, e (b) com dois transdutores, um operando como transmissor e o outro
como receptor. Pode-se ter o acoplamento direto ou utilizar uma linha de atraso entre o transdutor e
a amostra.

10

Tx/Rx

Tx
a

excitao

Rx

tempo

tempo

(a)
(b)
Figura 4.2. Medio de atraso de tempo mtodo pulsado. (a) pulso-eco; (b) transmisso-recepo.

Em ambos os casos, pode-se obter a partir do atraso de tempo t a velocidade de propagao

no material c, ou a espessura d:
d = c t / 2 .

(4.3)

A atenuao pode ser obtida atravs da relao entre as amplitudes das mltiplas reflexes
dentro do material, atravs da relao:

A( x ) = A0 e x .
So descritos a seguir alguns mtodos utilizados para a determinao do atraso de tempo,
divididos em convencionais (deteco de nvel, pico, zero) e outros incluindo mtodos de
processamento digital de sinais (correlao cruzada, transformada de Hilbert).

4.2.2.2. Mtodos Convencionais

Os mtodos de deteco de nvel ou de pico, chamados aqui de convencionais, so geralmente
empregados em aparelhos analgicos de ensaios no destrutivos por ultra-som. A Figura 4.3 ilustra
essas tcnicas, onde os sinais representados so os sinais a e b (ou a e b) na Figura 4.2.
Para a deteco de nvel, a diferena de tempo determinada quando o sinal (ou sua envoltria)
ultrapassa um determinado limiar de tenso (tlimiar). Efeitos de atenuao podem afetar esse
mtodo, e alguns aparelhos incorporam um ganho (exponencial) que aumenta com o tempo durante
a propagao do sinal acstico. Na deteco de pico, o intervalo de tempo dado pela localizao
dos picos do sinal ou da sua envoltria (tpico, tpicoenv). Nesse caso, efeitos de atenuao com a

11

freqncia podem afetar o mtodo, distorcendo o sinal e a localizao do ponto de mximo. No

mtodo de cruzamento com zero o intervalo (tzero) dado pelo instante de cruzamento com zero de
um determinado ciclo do sinal. Uma dificuldade neste mtodo determinar qual o cruzamento com
zero correto, e pode-se cometer erros de um ou mais perodos do sinal. Nota-se que dependendo do
mtodo utilizado pode-se obter pequenas diferenas entre os resultados de cada mtodo.

1.5

amplitude
tpico
tpicoenv

envoltria
0.5

limiar
-0.5

tzero
-1

Sinal de eco

tlimiar

tempo
Figura 4.3. Mtodos de deteco de nvel, pico e cruzamento com zero.

4.2.2.3. Outros Mtodos

Para sinais digitalizados, pode-se aplicar mtodos de processamento digital de sinais para
automatizar e melhorar a performance na medio do atraso de tempo. Os mtodos convencionais
tambm podem ser implementados digitalmente, dispensando inclusive os circuitos de ganho
dependente de tempo utilizados no caso analgico.
Uma tcnica largamente empregada a de correlao cruzada, onde a diferena de tempo entre
dois sinais de eco est relacionada no ponto de mximo da funo de correlao cruzada entre os
dois sinais (Figura 4.4). Pode-se provar que em lquidos cujo coeficiente de atenuao varia com
f n , onde f a freqncia e n uma constante, no h influncia da atenuao sobre esta tcnica [7].
No entanto, para sinais digitalizados este mtodo tem a resoluo limitada pelo intervalo de
amostragem, pois no se garante que o ponto de mximo esteja representado numa amostra do sinal.
Assim, outras tcnicas podem ser utilizadas em conjunto para melhorar a resoluo do mtodo de
correlao cruzada por meio de interpolao [23] ou usando a transformada de Hilbert [24].
Tcnicas equivalentes envolvem o clculo do mdulo da diferena entre as duas formas de onda em

12

funo do atraso relativo, ou do mdulo ao quadrado [25], que possuem desempenho prximo ao
mtodo de correlao cruzada, com a vantagem de ter um custo computacional menor, pois no se
realizam multiplicaes.

0.10

amplitude

0.05
0.00
-0.05
-0.10
-0.15
0
0.6

400

600

800

1000

400

600

800

1000

0.4

amplitude

200

0.2
0.0
-0.2
-0.4
0

200

amostra

Figura 4.4. Tcnica de correlao. Sinais de eco (parte superior) e sua correlao cruzada.

Pode-se interpolar a funo de correlao prximo da regio de interesse e localizar o ponto de

mximo. No entanto, como essa uma regio de derivada nula, alguma incerteza pode ocorrer. O
uso da transformada de Hilbert mais adequado, pois substitui o problema de localizao do
mximo pela localizao de um cruzamento com zero. Pode-se mostrar que no ponto de mximo da
funo de correlao, a sua transformada de Hilbert passa pelo zero [24]. O mesmo ocorre com a
fase do sinal analtico da funo de correlao, que, alm disso, uma funo linear. Assim, por
meio de uma interpolao linear pode-se determinar com preciso o ponto de mximo da funo de
correlao, utilizando a fase do sinal analtico da funo de correlao, ou a prpria transformada de
Hilbert, que pode ser bem aproximada por uma funo linear nessa regio. A Figura 4.5 ilustra a
tcnica da transformada de Hilbert.

13

2.0

0.6
0.5

0.5

1.5
0.4

0.2

amplitude

amplitude

0.5
0.0

0.1

0.0

0.0
-0.1

-0.5
-0.2
-0.3

-0.5
200

400

600

-1.0

correlao
T. Hilbert
Fase do sinal analtico

-0.4

correlao
T. Hilbert da correlao

fase [rad]

1.0

0.3

-1.5

-0.5

-2.0

-0.6
480

800

490

500

510

520

530

amostra

amostra

(a)
(b)
Figura 4.5. Uso da transformada de Hilbert. (a) Sinal de correlao e sua transformada de Hilbert.
(b) detalhe prximo da regio de mximo da funo de correlao.

Como exemplo de aplicao da tcnica, na Figura 4.6 tem-se a velocidade de propagao num
processo de cura de resina ao longo do tempo, medida com o mtodo de correlao e com a
transformada de Hilbert da funo de correlao. Notam-se claramente os problemas de resoluo
do mtodo de correlao e a melhora quando se utiliza a transformada de Hilbert.

Velocidade de propagao [m/s]

1656
1654
1652
1650
1648
1646
1644

Hilbert
Correlao

1642
1640
0

10

15

t [min]

Figura 4.6. Velocidade de propagao num processo de cura de resina epxi.

Uma outra alternativa medir a velocidade em funo da freqncia utilizando os espectros de

fase dos sinais, calculados pela transformada de Fourier de pulsos de banda larga. De maneira
simplificada, a relao entre dois sinais de eco cuja diferena de tempo igual a t pode ser escrita
como:

p1 ( t ) = p0 ( t t ) .
Tomando a transformada de Fourier, fica-se com:

14

P1 ( f ) = P0 ( f ) e j 2 f t ,
e o intervalo de tempo obtido por:

t =

1
[ P0 ( f ) P1 ( f )] ,
2f

onde (.) indica a fase em radianos do argumento. A Figura 4.7 mostra os resultados da
velocidade de propagao em funo da freqncia obtidos para um leo lubrificante temperatura
de 15oC, medidas com as vrias tcnicas de processamento e diferentes sinais de excitao:
utilizando um pulso de banda larga e a transformada de Fourier (linha cheia), com um pulso de
banda larga e a transformada de Hilbert (linha pontilhada), e com pulsos senoidais nas freqncias
de 3, 5, 7 e 9 MHz, utilizando-se a transformada de Hilbert. Nota-se que as concordncias entre os
diversos mtodos so boas, e em casos como deste exemplo, onde existe disperso, existe a
influncia do tipo de sinal de excitao e do mtodo de anlise utilizado.
1495.5

1495

1494.5

c
[m/s]

1494

1493.5

1493

1492.5

1492
2

6
f [MHz]

10

Figura 4.7. Velocidade de propagao em leo lubrificante, medida com diversas tcnicas e sinais de excitao. Pulso
de banda larga e fase da transformada de Fourier (linha cheia), pulso de banda larga e transformada de Hilbert (linha
pontilhada), pulsos senoidais e transformada de Hilbert (smbolos).

4.3.

MEDIO DE COEFICIENTE DE REFLEXO E DENSIDADE

A densidade de um lquido est relacionada impedncia acstica e velocidade de

propagao atravs da relao Z = c. A velocidade pode ser medida atravs dos mtodos j
descritos, enquanto que a impedncia pode ser obtida atravs da medida do coeficiente de reflexo
numa interface entre um material de referncia e o lquido [7, 13, 26]. So descritas duas maneiras

15

de se obter o coeficiente de reflexo: um dos mtodos necessita uma calibrao com uma reflexo
com o ar, e outra que no necessita essa calibrao [7].

4.3.1. Mtodo de Reflexo Relativa

Considere o esquema da Figura 4.8, onde se tem um transdutor operando no modo pulso-eco
acoplado a uma linha de atraso (acrlico ou vidro, por exemplo), que por sua vez est em contato
com o lquido que se deseja medir, e um refletor, geralmente metlico com elevada impedncia em
comparao ao lquido.

Tx/Rx

A0
A1
A2

referncia amostra

refletor

Figura 4.8. Princpio para medio de densidade pelo mtodo da reflexo relativa.

Considerando inicialmente o ar como amostra, o coeficiente de reflexo na interface refernciaar praticamente igual a 1.

Rar = AR1 ar / A0 1 ,
onde A0 a amplitude do sinal que atinge a interface entre a referncia e o ar e AR1ar a amplitude
do sinal refletido nessa mesma interface.
Colocando-se o lquido, tem-se o coeficiente de reflexo na interface referncia-lquido, dado
por:
Rliq = AR1 liq / A0 A1 liq / A1 ar ,

(4.4)

onde AR1liq a amplitude do sinal refletido na interface referncia/lquido, A1liq e A1ar so as

amplitudes dos sinais refletidos medidas pelo transdutor quando a amostra o lquido e o ar,
respectivamente. A densidade do lquido obtida a partir da expresso do coeficiente de reflexo
para ondas planas incidindo perpendicularmente em uma interface entre dois meios com
impedncias acsticas Z1 e Z2:
R12 =

Z 2 Z1
Z 2 + Z1
16

(4.5)

Deve-se conhecer a densidade e a velocidade no material de referncia (meio 1) e a velocidade

de propagao no lquido (meio 2), que pode ser obtida utilizando-se os ecos A1 e A2. Assim a
densidade do lquido fica

2 =

1c1 1 + R12
,
c 2 1 R12

(4.6)

onde deve-se ter claro que em geral a impedncia do lquido menor que a impedncia do material
de referncia, e R12 negativo. Alguns problemas nesta configurao so a necessidade de se
realizar a medida com ar, e a instabilidade na eletrnica que pode alterar o a amplitude do sinal
transmitido A0 (assumido constante nessa anlise) entre a calibrao com ar e a medida com o
lquido, e perdas por difrao acstica.

4.3.2. Mtodo de Mltiplas Reflexes

Neste mtodo tambm utiliza-se um meio que funciona como uma linha de retardo entre o
transdutor e a amostra, cujas propriedades acsticas sero medidas. A amostra fica entre a linha de
retardo e um meio refletor (impedncia acstica muito diferente da amostra). A Figura 4.9 mostra
um desenho esquemtico do mtodo de mltiplas reflexes. O transdutor emite um pulso (ou um
trem de pulsos) com amplitude Ai que se propaga pela linha de retardo (meio 1) e, ao encontrar a
interface com a amostra (meio 2) parte do pulso transmitida e parte refletida e se propaga de
volta at atingir o transdutor, com amplitude A0. A parte transmitida que se propaga pela amostra
refletida pelo refletor (meio 3) e volta para a interface amostra/linha de retardo, sendo que parte
transmitida e captada pelo transdutor, com amplitude A1, parte refletida e se propaga na amostra
at atingir o refletor, sendo que parte deste eco chegar ao transdutor com amplitude A2. A Figura
4.10 mostra os sinais recebidos no mtodo de mltiplas reflexes, com excitao pulsada. O
material da linha de retardo tem coeficiente de atenuao 1, e o da amostra tem coeficiente de
atenuao 2. As expresses 4.7, 4.8 e 4.9 relacionam as amplitudes dos ecos com a amplitude
incidente, atravs dos coeficientes de reflexo, transmisso e atenuao.
A0 = Ai R12 e 2 1l

(4.7)

A1 = Ai T12 R23T21 e 2 1l e 2 2 L

(4.8)

A2 = Ai R21T12 R23 R23T21e 2 1l e 4 2 L

(4.9)

17

onde:

Rmn = coeficiente de reflexo da onda se propagando no meio m ao atingir o meio n

Tmn = coeficiente de transmisso da onda do meio m para o meio n
l = distncia percorrida na linha de retardo
L = distncia percorrida na amostra

linha de retardo

amostra

1 1

transdutor

refletor

2 2

A0
A

Figura 4.9. Mtodo das mltiplas reflexes.

Considerando R = R12 chega-se seguinte relao:

AA
R2
= 0 2 .
2
A1 A1
(1 R )

(4.10)

Os valores das amplitudes (pico-a-pico) A0, A1 e A2 devem ser acompanhados dos respectivos
sinais, de acordo com a fase do eco recebido.

0.1

A1

AMPLITUDE
(Volts)

0.05

A0

A2

-0.05
0

2 s

-0.1

Figura 4.10. Sinais obtidos no mtodo de mltiplas reflexes.

18

No arranjo mostrado na Figura 4.11, a onda refletida na interface entre a linha de retardo e a
amostra, que tem amplitude A0, est em oposio de fase onda incidente Ai. As fases esto
representadas pelos sinais (+) e (-). Assim, o produto A0A2 sempre ter sinal negativo.
Z >Z
1

Z = c
1

transdutor

Z > Z

Z = c

A (-)
0
A (+)

(+)

A (+)

(+)

A (+)
2

(+)

linha de retardo (referncia)

amostra
lquido

plstico

refletor
metal

Figura 4.11. Anlise das fases dos ecos recebidos no mtodo de mltiplas reflexes.

desejvel que o material da linha de retardo tenha um baixo coeficiente de atenuao, e que
sua impedncia acstica no seja muito diferente da amostra, para que se obtenham amplitudes com
valores da mesma ordem de grandeza, o que aumenta a sensibilidade nas medies.
O coeficiente de atenuao na amostra determinado pela expresso:

2 =

ln( RR 23 A1 / A2 )
2L

(4.11)

Para se obter 2 necessrio calcular R e R23 atravs das impedncias acsticas da linha de
retardo, da amostra e do meio refletor.

4.3.3. Efeito da difrao acstica na medio de parmetros acsticos

Devido dimenso finita do transdutor, o feixe vai abrindo ao se propagar. Este efeito
conhecido como difrao acstica e deve ser corrigido. A correo pode ser feita matematicamente
e depende da velocidade de propagao da onda acstica no meio e das caractersticas do
transdutor. A Figura 4.12 mostra um desenho esquemtico do efeito de abertura do feixe acstico
[27].

19

transdutor

A
2
A
1
A
0

linha de retardo (referncia)

amostra

refletor

Figura 4.12. Efeito da difrao acstica.

O campo acstico irradiado por um pisto plano, circundado por um refletor rgido infinito,
vibrando segundo uma excitao harmnica contnua ou uma excitao transiente, pode ser tratado,
de modo simplificado, considerando-se a propagao de ondas planas e ondas de borda, geradas
pelo movimento de um pisto plano, que geram interferncias construtivas e destrutivas,
responsveis pelo efeito de difrao. Nos casos de excitao transiente ou excitao com trem de
ciclos de senides, geralmente o transdutor opera em modo pulso-eco.
O efeito da difrao acstica tem grande influncia na medio de propriedades acsticas e
mecnicas de materiais utilizando-se a propagao de ondas de ultra-som. Este efeito tem sido
muito estudado durante algumas dcadas, por pesquisadores da rea, e existem modelos tericos
para correo matemtica [28-32]. Uma outra abordagem para eliminar os efeitos da difrao a
utilizao de um receptor com uma superfcie capaz de interceptar todo o campo acstico irradiado
[33]. Segundo Bass [34], o campo acstico na zona de Fresnel de um transdutor emissor pode ser
considerado como um feixe de ondas planas desde que o transdutor receptor tenha uma superfcie
capaz de interceptar todo o campo acstico gerado.
A medida precisa do coeficiente de atenuao num meio, dos coeficientes de reflexo e de
transmisso em interfaces entre dois meios, e da velocidade de propagao da onda acstica pelos
mtodos normalmente utilizados requer a correo matemtica do efeito de difrao causado pelas
dimenses finitas do emissor e do receptor. Uma boa reviso dos mtodos de correo de difrao
para lquidos homogneos e slidos isotrpicos apresentada por Gitis e Khimunin [30].

4.3.3.1. Modelos tericos para correo da difrao

A tenso eltrica num receptor proporcional, com boa aproximao, presso mdia
incidente em sua superfcie. Os modelos tericos do efeito de difrao tratam da determinao da
20

presso mdia, utilizando as expresses para determinao da presso num ponto arbitrrio do
campo irradiado por um emissor, sobre a rea de um receptor.

Seki, Granato e Truell [28]

observaram que, para materiais com baixo coeficiente de atenuao, a curva de decaimento do eco
no tinha comportamento exponencial e apresentava um pico distncia a 2 / do transdutor
(emissor). Eles calcularam a integral de Rayleigh utilizando sries de Lommel, atravs de um
mtodo grfico para obter as perdas em dB como funo da distncia, normalizada, S = x / a 2
(conhecida como parmetro de Seki), entre o emissor e o receptor, com o mesmo dimetro igual a
2a, coaxialmente alinhados, e separados por uma distncia x. A correo de difrao para um
emissor modelado como um pisto plano circular de raio a definida como a integral do campo
acstico gerado pelo pisto sobre a superfcie de um crculo coaxial de raio a, que no interfere no
campo, localizado a uma distncia x do pisto. Os resultados obtidos por Seki, Granato e Truell
esto em forma de tabelas para correo do efeito de difrao na medida de atenuao (correo de
amplitude), e na medida de velocidade de propagao (correo de fase). Rogers e Van Buren [35]
deduziram uma expresso analtica para a integral de difrao de Lommel, cujo mdulo da correo
dado pela expresso:
D L = {[cos( 2 / S ) J 0 ( 2 / S )] 2 + [ sin( 2 / S ) J 1 ( 2 / S )] 2 }1 / 2 ,

(4.12)

onde DL varia de 0 a 1, S o parmetro de Seki, e Jn a funo de Bessel de ordem n. A Figura

4.13 mostra as perdas, calculadas em dB ( 20 log DL ), em funo de S obtidas a partir da Eq. 4.12.

dB
5

0
0

0.5

1.5

2.5

3.5

Figura 4.13. Perdas devido difrao acstica.

21

4.5

A Eq. 12 aplicvel apenas quando o emissor e o receptor tm dimetros iguais, e quando ka

muito maior que 1. Para um emissor de raio a e um receptor de raio b posicionados coaxialmente, a
presso mdia na superfcie do receptor, localizado a uma distncia x do emissor, dada pela
expresso

S2

pdS 2 = ( jVe jt / 2 )

S1 S 2

( e jkr / r )dS1 dS 2 ,

(4.13)

onde k e so a constante de propagao e a densidade do meio respectivamente, e Ve jt so a

freqncia angular e a velocidade da face do emissor, S1 e S2 so as reas do emissor e receptor,
respectivamente, e r a distncia entre os elementos de rea dS1 e dS2 [36]. Considerando = b/a
tem-se

S2

Ve jt
pdS 2 =
k

2 2 jkx 1 2 { jk [ a 2 ( 1+ 2 cos + 2 )+ x 2 ]1 / 2 }

sin 2
a e
e
d ,
2
0

1 + 2 cos +

(4.14)

2 jkx 2
a e

(4.15)

para 1, e

S2

Ve jt
pdS 2 =
k

e { jk [ a

( 1+ 2 cos + 2 )+ x 2 ] 1 / 2 }

sin 2
d ,
2
1 + 2 cos +

para >1.
As curvas da Figura 4.14 foram calculadas a partir das expresses 4.14 e 4.15, para um emissor
de raio a = 2.5 cm, e k = 5 cm-1.

p
po

=0.5
=1

=2

distncia axial x

(cm)

Figura 4.14. Presso mdia relativa no receptor versus a distncia entre emissor e receptor.

22

O clculo de S exige o conhecimento do comprimento de onda , no meio de propagao, e do

raio a do transdutor. O comprimento de onda est relacionado com a freqncia do sinal de
excitao, sendo que para excitao com pulsos estreitos em transdutores banda larga, deve se
considerar a correo para uma dada freqncia (por exemplo a freqncia central do transdutor).
Quanto ao raio a do elemento transdutor, Chivers [37] recomenda uma medio do raio efetivo da
abertura de radiao do transdutor, que geralmente difere do raio da cermica piezoeltrica. Existem
casos com diferenas de at 40% entre o raio efetivo do transdutor e o raio da cermica, que
proporcionam erros elevados nas correes de difrao. A metodologia para o clculo do raio
efetivo est relacionada com a medio do ltimo mximo e o ltimo mnimo de presso da
resposta axial para excitao em algumas freqncias.
O efeito de difrao pode ser analisado considerando-se as solues baseadas na resposta
impulsiva do transdutor [38]. McLaren [39] estudou a resposta do eco recebido de obstculos de
dimenses finitas por transdutores operando em modo pulso-eco. Assumindo que o transdutor,
funcionando como receptor, tem sensibilidade uniforme presso acstica, sua resposta eltrica E(t)
ao receber o eco de um refletor ideal (coeficiente de reflexo = -1) pontual, dado por

E( t ) =

K 0

v( t ) i i ,
2c 0
t
t

(4.16)

onde K uma constante, c0 a velocidade de propagao no meio (lquido), 0 a densidade do

meio, v(t) a funo que descreve o movimento do emissor, e i a resposta impulsiva do
velocidade potencial.
Para um obstculo plano e circular com raio b, posicionado coaxialmente frente do transdutor,
como mostrado na Figura 4.15, a resposta do transdutor (receptor) dada pela expresso

E( t ) =

c 0 c0
0
v( t ) 1 1
2
1 c1 + 0 c 0

b i i

2 ydy ,

t
0 t

onde 1c1 representa a impedncia caracterstica do obstculo.

23

(4.17)

y
a
transdutor
x

obstculo

Figura 4.15. Transdutor e obstculo alinhados coaxialmente.

O termo entre parnteses na Eq. 4.17 o coeficiente de reflexo do material do obstculo. A

superfcie do obstculo deve ter uma baixa rugosidade e deve ser perfeitamente plana. A resposta
depende das dimenses e do material do obstculo.
A Eq. 4.17 fornece resultados significativos quando aplicada para obteno de valores
relativos, como por exemplo, para obstculos de diferentes tamanhos mas de mesmo material.
Quando o obstculo substitudo por um receptor de raio b , a resposta deste receptor dada por

E ( t ) = K r v( t )

i
2 ydy ,
t

(4.18)

onde Kr uma constante relacionada ao receptor, considerando-se este tenha uma resposta plana na
faixa de freqncias de operao.
A perda devido ao efeito de difrao pode ser calculada a partir da Eq. 4.18, considerando-se
um receptor com dimetro igual ao do emissor. A Figura 4.16 mostra a curva de perdas em dB em
funo do parmetro S, calculada para uma funo v(t) igual a um trem de ciclos de senide (10 a
12 ciclos) numa determinada freqncia.

2.8
PERDAS
dB

2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
0

0.5

1.5

2
S

24

Figura 4.16. Perda por difrao pelo mtodo de resposta impulsiva para onda contnua.

Os mtodos apresentados acima referem-se correo de difrao para emisso em modo

contnuo. A Eq. 4.18 permite a verificao terica do efeito de difrao para emisso pulsada,
considerando-se v(t) igual componente de onda plana do pulso emitido. Esta componente pode ser
obtida com um receptor pontual, ou com um receptor com grande abertura.
Os mtodos tericos apresentados so aplicveis quando o funcionamento do transdutor se
aproxima do modelo do pisto plano. Os transdutores reais nem sempre funcionam segundo o
modelo do pisto plano. Nos transdutores com lentes de focalizao, por exemplo, estes modelos
no apresentam um bom resultado. Como tambm nos fabricados a partir de cermicas de PZT, que
apresentam um elevado coeficiente de acoplamento eletromecnico radial, responsvel pela gerao
de ondas devido ao modo radial conhecidas como "head waves".
Uma outra possibilidade calcular as perdas por difrao utilizando a Eq. 4.18 para excitao
pulsada, isto , considerando a funo da velocidade na face do pisto igual do sinal da onda
plana, obtido com um hidrofone, por exemplo.

4.3.3.2. Correo matemtica do efeito de difrao

Considerando-se o arranjo da Figura 4.9, as perdas devido ao efeito de difrao so dadas pelo
grfico da Figura 4.17, considerando-se que o transdutor se comporta como um pisto circular plano
irradiando ondas longitudinais. Uma outra condio que a >> , caso contrrio a curva torna-se
dependente da relao a/.
As posies dos trs ecos Aj (j = 0, 1, 2) so mostradas na Figura 4.17. Para cada posio
normalizada Sj corresponde a correo CDj em dB. A posio normalizada Sj calculada,
considerando-se a distncia percorrida pelo eco correspondente, e o comprimento de onda , numa
dada freqncia. As posies normalizadas S0, S1, e S2 so dadas pelas expresses:
S 0 = 2lc1 / a 2 f

(4.19)

S1 = S 0 + 2 Lc 2 / a 2 f

(4.20)

S 2 = S1 + 2 Lc2 / a 2 f

(4.21)

onde f a freqncia do eco recebido. As amplitudes corrigidas j, correspondentes, so dadas pela

expresso

25

CD j = 20 log( j / A j )

para j = 0, 1, 2

(4.22)

dB
5

A2

CD 2
2

A1

CD 1
CD 0

A0

S0

0
0

0.5

S1
1

S2
1.5

2.5

3.5

4.5

Figura 4.17. Grfico para correo de difrao.

Quando os ecos so provenientes de uma emisso pulsada (pulso estreito) necessrio obter a
resposta em freqncia de cada eco para efetuar a correo de amplitude numa nica freqncia 40].
A Figura 4.18 mostra os grficos das respostas em freqncias dos trs ecos obtidos a partir da
emisso de um pulso estreito.

26

2.5

Mtodo mltiplas reflexes

A0

transdutores
emissor: 1.6 MHz 19 mm (no focalizado)
receptor: PVDF (52 m) 60 mm

1.5

excitao: pulso estreito

1

linha de retardo: polimetil-metacrilato

lquido: gua destilada

0.5

0
0

2
frequncia (MHz)

A1

A2
1.5

3
1
2
0.5
1

0
0

frequncia (MHz)

frequncia (MHz)

Figura 4.18. Resposta em freqncia dos ecos A0, A1 e A2.

4.3.4. Eiminao do efeito da difrao utilizando receptores com grande

abertura
O efeito de difrao diminui com o aumento do dimetro do transdutor e com o aumento da
freqncia do pulso. No grfico da Figura 4.14, verifica-se que para = 2 a presso mdia
permanece quase constante com a distncia entre emissor e receptor. Leeman et al [41] propuseram
um receptor piezoeltrico insensvel aos efeitos da difrao para medida de atenuao acstica. Este
transdutor foi desenvolvido e explorado no trabalho de Costa [33]. Consta de um receptor (tipo
hidrofone) com grande abertura para interceptar todo o campo acstico, construdo com uma
membrana, muito fina (espessura em torno de 28 m), de PVDF. A membrana metalizada em
ambas as faces e forma um receptor muito diretivo com uma boa resposta em freqncia. A
membrana alm de ter uma espessura muito pequena, comparada com o mnimo comprimento de
onda acstica no meio, nas freqncias de trabalho, tem uma impedncia acstica prxima a da
gua, por isto tem pouca interferncia no campo acstico. Este receptor foi chamado de "diffraction
insensitive (DI) hydrophone", e aqui ser chamado de hidrofone DI.

27

O hidrofone DI responde apenas s componentes de presso que incidem perpendicularmente

sua superfcie, funcionando como um filtro de componentes incidindo em qualquer outra direo,
desde que esteja interceptando todo o campo acstico. A resposta deste transdutor independe dos
efeitos de difrao e de focalizao do transdutor que est gerando o campo [33].
A Figura 4.19 mostra o esquema da clula desenvolvida por Adamowski [7] para medir a
densidade de um lquido e outras propriedades acsticas, tais como a velocidade de propagao e
coeficiente de atenuao, sem os inconvenientes da montagem descrita anteriormente. Essa clula
composta de trs partes: transdutor duplo-elemento, lquido e refletor. Na montagem desse
transdutor, utiliza-se como emissor um transdutor cermico e como receptor uma membrana de
PVDF (Polyvinylidene Fluoride), separados por uma linha de retardo de vidro (I). A membrana de
PVDF, de 52m de espessura, metalizada em ambas as faces e apresenta um grande dimetro
(~60mm), comparado ao dimetro do emissor, sendo capaz de interceptar totalmente o campo
acstico. Assim, a perda por difrao na recepo do sinal torna-se desprezvel. A membrana
tambm separada do lquido por uma outra linha de retardo de vidro (II), que possui baixo
coeficiente de atenuao acstica. O meio 2 o lquido no qual se quer medir as caractersticas e o
meio 3 um refletor metlico de ao inox, que a prpria carcaa do medidor. Alguns cuidados
devem ser tomados na confeco da clula, relacionados principalmente ao paralelismo entre as
interfaces.
transdutor duplo elemento
linha de retardo I

lquido

refletor

linha de retardo II
Z 1 = 1 c 1

aT

Z 2 = 2 c 2

a1
a2
a3
transdutor
de cermica
(emissor)

1
l

membrana de PVDF
(receptor)

Figura 4.19. Clula de medio e transdutor duplo-elemento.

O mtodo de medio utilizado chamado de mtodo de mltiplas reflexes. Como mostrado

na Figura 4.19, o emissor gera uma onda acstica, que se propaga atravs da linha de retardo I at
atingir a membrana de PVDF do receptor. O receptor mede o sinal transmitido aT e as mltiplas
reflexes nas interfaces linha de retardo II/lquido e lquido/refletor representados pelos sinais a1, a2

28

e a3. A Figura 4.20a mostra exemplos dos sinais utilizados. Para se obterem as propriedades
acsticas, pode-se utilizar as transformadas de Fourier dos sinais a1, a2 e a3, selecionando-se o valor
da amplitude para uma dada freqncia no espectro de cada sinal (A1, A2 e A3). A Figura 4.20b
ilustra a magnitude do espectro de um sinal de eco experimental. Trabalha-se sempre na freqncia
de mximo da magnitude de A3.

70

1.5

Ai

60

aT

50

0.5

a1

a2

40

a3

30

-0.5

20

-1

10

1s

-1.5

0.5

tempo

1.5
2
frequncia [MHz]

(a)

2.5

3.5

(b)

Figura 4.20. Exemplos de sinais experimentais: (a) sinais de eco no domnio do tempo e (b) espectro tpico de um sinal.

As transformadas de Fourier dos pulsos de interesse so escritas como

A1 ( f ) = AT ( f ) R12 exp[ 21 ( f )l ] exp[ j 2 f t1 ]

A2 ( f ) = AT ( f ) T12 R23 T21 exp[ 21 ( f )l ] exp[ 2 2 ( f ) L ] exp[ j 2 f (t1 + t2 )]

A3 ( f ) = AT ( f ) T12 R232 R21 T21 exp[ 21 ( f )l ] exp[ 4 2 ( f ) L ] exp[ j 2 f (t1 + 2t2 )] ,

onde Rij e Tij so os coeficientes de reflexo e transmisso nas interfaces entre os meios i e j,
respectivamente, i o coeficiente de atenuao, l e L so os comprimentos da linha de retardo II e
da amostra, respectivamente, e t1 e t 2 so os tempos que a onda leva para percorrer duas vezes a
distncia l e L, respectivamente. O meio 1 o material de referncia, o meio 2 o lquido e o meio
3 o refletor.
De posse desses valores de magnitude, pode-se calcular o coeficiente de reflexo na interface
linha de retardo II/lquido (R12):

R12 =

1
,
1 x

x=

29

| A2 ( f ) || A2 ( f ) |
| A1 ( f ) || A3 ( f ) |

(4.23)
fi

onde a varivel x calculada numa nica freqncia fi.

Outra maneira de obter o valor de x por meio dos espectros de energia [42, 43], que resulta
mais preciso e sofre menor influncia do rudo.

x=

| A ( f ) || A ( f ) | df
| A ( f ) || A ( f ) | df
2

(4.24)

A velocidade de propagao acstica c2 no lquido calculada a partir da medio do tempo de

propagao t12 entre os sinais a1 e a2, utilizando os mtodos j descritos, e o tamanho da cmara de
amostra, L, obtida mediante calibrao com gua destilada:
De posse dos valores de R12 e c2, determina-se o valor da densidade da amostra utilizando a
expresso 4.6. O coeficiente de atenuao no lquido calculado pela expresso

( f ) =

1 A1 ( f ) 1 R122
ln
R23 ,
2 L A2 ( f ) R12

(4.25)

onde R23 o coeficiente de reflexo na interface lquido/refletor. Neste caso, assume-se que a
impedncia acstica do refletor seja conhecida e varie pouco na faixa de temperatura de operao.
Esta clula foi montada com um transdutor emissor de banda larga tipo compsito, funcionando
como um espectrmetro, podendo assim aumentar a sua gama de aplicaes, como descritas a
seguir.

4.3.4.1. Clula de medio

A Figura 4.21 mostra um desenho esquemtico do prottipo da clula. Nesse prottipo, a linha
de retardo de referncia, constituda por um tarugo de vidro, montada de topo pea do refletor
que tem uma cmara de amostras com dimenses fixas. O tarugo de vidro encosta na pea metlica
do refletor com uma determinada pr-tenso dada pela deformao elstica de um O-ring chamado
de O-ring de pr-tenso. Para reter o lquido na cmara de amostras, existe o O-ring de vedao. O
O-ring (anel) de vedao deve permitir que o tarugo de vidro escoste por completo na pea
metlica. Para isso, foi considerada uma deformao de 0,2 mm no anel de vedao e uma
deformao de 0,4 mm no anel de pr-tenso. Considerando as dimenses e o material dos anis foi
calculado um valor de pr-tenso da ordem de 140 N, suficiente para manter a estabilidade
mecnica do conjunto. Foram construdas duas clulas, uma com cmara de amostras de 2,0 mm de
comprimento e outra com 3,5 mm. Em ambas as clulas foram utilizadas membranas de P(VDF-

30

TrFe) com espessura de 52 m, metalizadas em mabas as faces. Um suporte de fixao em forma de

anel fixado ao tarugo de vidro com resina epoxy. Esse anel possui roscas que permitem a fixao
do tarugo de acrlico que retm a membrana de P(VDF-TrFe) e um anel metlico para o contato
eltrico. As mesmas roscas so utilizadas para a fixao do refletor atravs de parafusos. O lquido
pode circular na cmara de amostras por dois orifcios na parte traseira do refletor. As fotos da
Figura 4.22 mostram algumas clulas de medio montadas. Na Figura 4.22a tem-se uma clula
com dimetro maior, e pode-se observar esquerda a capa de proteo do transdutor emissor, que
no caso um material compsito de banda larga, juntamente com os cabos. A figura 4.22b mostra
uma foto de outra clula montada, e na Figura 4.22c o transdutor duplo-elemento e o refletor esto
separados, podendo se observar a cmara de amostra incorporada no refletor.
cmara de
amostras

suporte de
fixao

Oring de vedao
Oring de
pr-tenso

receptor
P(VDF-TrFe)

sada de
lquido
refletor
vidro
acrlico

entrada de
lquido

transdutor
emissor

parafusos

Figura 4.21. Desenho esquemtico do prottipo III da clula de medio.

(a)

(b)

(c)

Figura 4.22. Clulas de medio de densidade de lquidos.

31

4.4.

EXEMPLOS DE APLICAO DENSIDADE, VELOCIDADE E

ATENUAO.

So mostrados alguns exemplos de aplicao, envolvendo a medio da densidade de diversos

tipos de lquidos e de caracterizao de amostras de leite em funo do teor de gordura.

4.4.1. Montagem experimental

A Figura 4.23 mostra o diagrama de blocos dos equipamentos utilizados nos experimentos. O
sinal de excitao do transdutor obtido a partir de um gerador de funes acoplado a um
amplificador de potncia, ou a partir de um pulsador/receptor ultra-snico, com um pulso estreito.
Os sinais do receptor so amplificados e filtrados no pulsador/receptor e digitalizados por uma placa
de aquisio ou por um osciloscpio digital conectado via uma interface GPIB (IEEE-488). Os
dados so armazenados e processados num computador. Em experimentos com temperatura
controlada, pode-se utilizar um banho termosttico acoplado a um sistema de refrigerao, onde se
pode colocar a clula de medio.

Figura 4.23. Montagem Experimental.

4.4.2. Resultados experimentais

Usando a clula de medio de densidade (esquema da Figura 4.19), foram medidas as
densidades de diversos lquidos, entre eles combustveis e leos lubrificantes e de milho, descritos
na Tabela 4.1. Comparando-se os valores com os medidos com um mtodo convencional de

32

medio de densidade. o picnmetro, obtm-se excelentes resultados, com mxima diferena de

0,2%.
Tabela 4.1 Densidade obtida com a clula de medio e picnmetro. Valores em kg/m3. T=20oC.
Lquido
Gasolina
Diesel
lcool
leo Mobil DTE
leo de milho
Glicerina

Clula
747.6 0.6
844.5 0.6
807.6 0.5
877.6 0.5
916.2 0.8
1260.2 1.0

Picnmetro
746.2
842.7
808.6
877.3
917.0
1260.3

Diferena [%]
+0.19
+0.20
-0.12
+0.03
-0.09
-0.01

Outra aplicao na caracterizao de leite homogeneizado tipo UHT, para determinao do

teor de gordura. Na Figura 4.24 tm-se a velocidade de propagao e a disperso (variao da
velocidade com a freqncia) e na Figura 4.25, a atenuao em funo da concentrao de gordura,
onde nota-se uma clara variao dos parmetros, permitindo a discriminao entre amostras com
diferenas de at 0,1% de gordura. No caso particular da atenuao, nota-se que a sensibilidade
aumenta medida que aumenta-se a freqncia de operao. A velocidade o parmetro mais
sensvel, mas tambm sofre maior influncia da temperatura.

1520

c [m/s]

1518

1516
15 MHz
10
5

disperso [(m/s)/MHz]

1514

0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

% gordura

Figura 4.24. Velocidade de propagao (a) e disperso (b) em amostras de leite tipo UHT em funo da concentrao
de gordura (T=25oC).

33

40

15 MHz

36
32
28

[Np/m]

10 MHz
24
20
16

5 MHz

12
8
4
0
0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

% gordura

Figura 4.25. Atenuao acstica em amostras de leite tipo UHT em funo da concentrao de gordura. T=25oC.

4.5.

MEDIO DE VISCOSIDADE

Mtodos tpicos de medio de viscosidade em baixas freqncias no so apropriados para o

controle de processos em tempo real, pois dependem do arrasto de uma superfcie oscilatria imersa
no lquido, dificultando sua aplicao. Um exemplo clssico o viscosmetro rotacional, que pode
obstruir o escoamento dos lquidos que passam por uma pequena fenda definida por um cilindro
mvel que gira coaxialmente dentro de outro cilindro estacionrio. Um mtodo que se apresenta
mais vivel para o controle em tempo real em altas freqncias, empregando ondas ultra-snicas na
obteno da viscosidade de lquidos o mtodo da reflexo ultra-snica, desenvolvido por Mason et
al. [44]. Esse mtodo baseia-se na medio do coeficiente de reflexo complexo de uma onda plana

de cisalhamento incidindo obliquamente ou normalmente na interface entre um slido e o lquido

cuja viscosidade se quer medir.
Uma estratgia de medio baseada no mtodo de reflexo relativa com incidncia normal,
desenvolvida por Buiochi et al. [45, 46], utiliza uma clula de medio de viscosidade dinmica de
lquidos usando a converso de modo de ondas logitudinais para ondas de cisalhamento e viceversa. A clula de medio apresentada por Buiochi et al. [46] emprega um transdutor piezoeltrico
que gera ondas longitudinais e uma membrana piezoeltrica de PVDF que responde somente ao
modo longitudinal, utilizada como receptor das ondas refletidas na interface slido-lquido. A
converso de modo ocorre na face oblqua de um prisma de alumnio ou acrlico (polimetilmetacrilato) imerso na gua e a reflexo da onda ocorre numa interface desse prisma em contato
com o lquido. Os resultados experimentais obtidos com a clula com reflexo relativa (CRR)
mostram uma boa reprodutibilidade das grandezas medidas, tais como: magnitude e fase do
34

coeficiente de reflexo complexo e viscosidade dinmica do lquido. Entretanto, h algumas

desvantagens na utilizao da CRR: a montagem impede a medio da velocidade de propagao da
onda de cisalhamento no prisma usada na determinao da viscosidade; as medidas da magnitude e
fase do coeficiente de reflexo so mais sensveis ao nvel de rudo quando se utiliza o prisma de
alumnio, pois as variaes medidas devido interface alumnio-lquido so pequenas; e quando se
utiliza o prisma de acrlico no se pode empregar freqncias mais elevadas devido ao maior
coeficiente de atenuao do acrlico comparado com o alumnio.
Uma nova estratgia de medio baseada no mtodo de mltiplas reflexes relativas com
incidncia normal desenvolvida por Buiochi [47], utilizando a clula descrita acima com o prisma
de alumnio fixo a uma linha de retardo de acrlico de faces paralelas, designada como linha de
retardo de medio. As mltiplas reflexes ocorrem no interior dessa linha de retardo, de modo a
possibilitar a medio da velocidade de propagao da onda de cisalhamento nesse meio. Essa
combinao prisma de alumnio e linha de retardo de acrlico, possibilita o aumento da freqncia
de excitao na medio do coeficiente de reflexo complexo na interface acrlico-lquido [48, 49].
importante frisar que a viscosidade dinmica depende da freqncia da tenso de
cisalhamento atuante sobre o lquido. Um lquido classificado como Newtoniano caracterizado
por uma viscosidade que independente da taxa de deformao com a qual medida. Esse
comportamento viscoso observado quando se tem uma superfcie slida em contato com o lquido,
oscilando em baixas freqncias (da ordem de Hz). Porm, esse mesmo lquido ser classificado
como no-Newtoniano quando submetido a altas freqncias de excitao (da ordem de MHz).
Nesse caso, o lquido passa a ter simultaneamente o comportamento elstico e viscoso, sendo
designado como um meio viscoelstico [50].

4.5.1. Aspectos Tericos para medio de viscosidade

A teoria que utiliza o mtodo da reflexo de ondas de cisalhamento na determinao de
viscosidade de lquidos pode ser encontrada em diversos artigos e livros [51-54]. Inicialmente
apresenta-se uma reviso dos fenmenos de transmisso de ondas elsticas numa interface entre
dois meios.

4.5.1.1. Fenmenos de Transmisso

Quando uma onda acstica plana propaga-se em um meio elstico, homogneo, isotrpico e
atinge uma interface plana definida por um segundo meio diferente do primeiro, ela pode ser

35

parcialmente ou totalmente refletida. Durante o processo de reflexo a amplitude e a fase da onda

podem mudar. Parte da onda atravessa essa interface resultando numa refrao. Como na reflexo, a
fase e a amplitude na transmisso so diferentes da onda incidente. As relaes entre as amplitudes
de presses das ondas transmitida e refletida com a amplitude da onda incidente dependem das
impedncias caractersticas dos dois meios, do ngulo de incidncia da onda incidente e dos tipos de
onda incidente, por exemplo, onda longitudinal ou de cisalhamento. Durante a transmisso e a
reflexo da onda podem surgir converso de modos entre os vrios tipos de onda. A anlise desse
fenmeno simplificada quando a incidncia for normal e ocorrer numa interface definida entre
dois meios lquidos. Quando a incidncia for oblqua e um dos meios for um slido, o fenmeno
torna-se mais complicado devido converso de modos [55].
Os problemas de condies de contorno envolvendo ondas acsticas em slidos so geralmente
complicados e de difcil soluo. A literatura tcnica nessa rea extensa e os mtodos de anlise
so sofisticados [56]. Porm, Oliner [57] apresenta uma srie de passos que conduzem o problema
para uma soluo direta e sistemtica. Nesse trabalho, representaes so deduzidas para os modos
de linha de transmisso, as analogias eltricas so feitas com a corrente e a tenso eltrica
introduzidas como medidas da velocidade das partculas e do vetor tenso mecnica,
respectivamente, e as impedncias caractersticas e funes modais so derivadas. O mtodo
apresentado em detalhe no artigo, possibilitando sua aplicao em outros tipos de ondas tais como:
ondas Rayleigh, Leaky Rayleigh, Lamb e Love.
Em slidos isotrpicos so possveis trs tipos de ondas: uma longitudinal (onda P) e duas de
cisalhamento, a vertical (onda SV) e a horizontal (onda SH). Ambas as ondas de cisalhamento so
ondas transversais no sentido de que a direo dos deslocamentos das partculas perpendicular
direo de propagao. Porm, as polarizaes das ondas so diferentes. Para a onda SV os
deslocamentos das partculas so confinados ao plano xz, apresentado na Figura 4.26, e para a onda
SH, so perpendiculares a esse plano. Em lquidos no viscosos propagam-se somente ondas
longitudinais. Se os lquidos so viscosos, alm das ondas longitudinais existem as ondas de
cisalhamento que so atenuadas rapidamente.

36

slido

slido

onda P
onda SV

onda P
x
onda SV
z

onda P
(incidente)

interface

Figura 4.26. Incidncia oblqua de uma onda longitudinal sobre uma interface slido-slido.

Quando uma onda longitudinal plana propagando-se num slido incide obliquamente numa
interface plana definida por um outro slido ( z = 0 ), duas ondas aparecem na reflexo em direes
diferentes, uma onda longitudinal e outra de cisalhamento (onda SV), e o mesmo acontece na
refrao. Esse fato pode ser visto na Figura 4.26 com os respectivos modos de vibrar das partculas.
Esses ngulos so determinados de acordo com a lei de Snell, que fornece apenas informao da
direo e no da amplitude da onda. Utilizando os modelos de linha de transmisso apresentados
por Oliner [57] para esses dois tipos de ondas, o sistema de equaes que descreve o problema
facilmente obtido ao se impor quatro condies de contorno: continuidade dos componentes normal
e tangencial da tenso mecnica e tambm da velocidade da partcula. O sistema de equaes
envolve os coeficientes de reflexo e transmisso da onda longitudinal e os coeficientes de reflexo
e transmisso da onda SV. Esse sistema representa um caso geral que pode ser particularizado
mesmo quando um dos meios for um lquido, bastando considerar a velocidade de propagao
acstica complexa.
Quando uma onda longitudinal plana propaga-se num lquido no viscoso e atinge
obliquamente uma interface plana com um slido, so geradas trs ondas: onda longitudinal
refletida, onda P transmitida e onda SV transmitida, como mostra a Figura 4.27. Os ngulos de
reflexo e refrao so determinados de acordo com a lei de Snell:
sen l sen P sen SV
,
=
=
cl
cP
c SV

(4.26)

onde cl , c P e c SV so as velocidades de propagao da onda longitudinal no lquido e das ondas P

e SV no slido, respectivamente, e l , P e SV so os ngulos definidos entre a normal da
interface e a direo de propagao das respectivas ondas.

37

lquido

slido
onda P

onda
longitudinal

SV

onda SV

onda longitudinal
(incidente)

interface

Figura 4.27. Incidncia oblqua de uma onda longitudinal sobre uma interface lquido no viscoso-slido.

O sistema de equaes que descreve o problema na interface lquido no viscoso-slido

facilmente obtido impondo trs condies de contorno: continuidade do componente normal da
tenso mecnica, componente tangencial da tenso igual a zero no lado do slido e continuidade do
componente normal da velocidade da partcula [57]. A Figura 4.28 mostra as curvas dos
coeficientes de reflexo de potncia1 (PRl), transmisso da onda P (PTP) e transmisso da onda SV
(PTSV) em funo do ngulo de incidncia, na interface gua-alumnio.

Coeficientes de Potncia
1

PRl

0.8

0.6

0.4

PTP
PTSV
0.2

10

20

30

40
50
60
70
ngulo de incidncia (graus)

80

90

Figura 4.28. Coeficientes de reflexo de potncia (PRl), transmisso da onda P (PTP) e transmisso da onda SV (PTSV)
em funo do ngulo de incidncia na interface gua-alumnio.

Existe um ngulo crtico de incidncia de 13,6o em que o componente da onda P transmitida

desaparece. Imediatamente, uma forte onda SV surge e permanece no alumnio enquanto o ngulo
de incidncia cresce at 28,5o. Esse o segundo ngulo crtico definido para a onda SV, visto na

A intensidade de uma onda plana, progressiva e harmnica definida pela relao entre a amplitude de presso

(valor efetivo) ao quadrado dividido pela impedncia acstica do meio. J o coeficiente de potncia a razo entre a
intensidade da onda de anlise e a intensidade da onda incidente na interface (Kinsler et al., 1982).
38

Figura 4.28. Um grande interesse existe na regio definida por esses dois ngulos crticos, pois
somente um tipo de onda transmitido (onda SV). Num ngulo de incidncia de aproximadamente
17o, quase metade da potncia incidente convertida para onda SV. Assim, so obtidas as ondas SV
a partir de transdutores de ondas longitudinais.
Esse fenmeno extremamente til na maioria das aplicaes em ensaios no destrutivos por
ultra-som. Procura-se propagar um nico tipo de onda no material a ser inspecionado, pois difcil
a interpretao correta do sinal de eco recebido se coexistirem dois tipos [15, 58].

4.5.1.2. Propagao de ondas de cisalhamento

Considerando uma onda de cisalhamento, plana e harmnica, propagando-se num meio
viscoelstico (meio 2) ao longo do eixo z e tomando a direo de movimento das partculas como a
direo x, a equao dessa onda pode ser descrita por:

2u x 2 2u x
=
,
z 2 G2* t 2

(4.27)

onde ux o deslocamento transversal na direo x, G2* o mdulo de cisalhamento complexo do

meio 2, e 2 a densidade do meio 2. O mdulo de cisalhamento complexo definido pela razo
entre a tenso de cisalhamento pela deformao de cisalhamento, G 2* = G '+ jG" , onde G' o
mdulo elstico, e G" o mdulo de perda. O mdulo de perda est relacionado com a viscosidade
dinmica 2 pela seguinte equao:
2 =

G"
,

(4.28)

onde a freqncia angular. A impedncia acstica caracterstica complexa Z 2* de uma onda

de cisalhamento no meio 2 dada por:

Z 2* = G2* 2 .

(4.29)

Considerando a mesma onda de cisalhamento inicialmente propagando-se do meio 1 (linha de

retardo de medio) para o meio 2 (amostra), Figura 4.29, o coeficiente de reflexo complexo na
interface dado por:

Z 2* Z 1
R = *
,
Z 2 + Z1
*
12

39

(4.30)

onde Z 1 = 1 c1 a impedncia acstica caracterstica do meio 1, um material slido com densidade

1 conhecida e velocidade de propagao c1 a ser determinada. Em geral, o slido introduz uma

atenuao muito pequena, logo sua impedncia pode ser considerada real. O meio 2 o lquido cuja
viscosidade se quer medir e que apresenta uma impedncia complexa. Assim, o coeficiente de
reflexo complexo pode ser representado numa forma exponencial R12* = R12 e j ( + ) = R12 e j ,
onde R12 a magnitude e ( + ) a fase. Sabe-se que a onda de cisalhamento refletida na interface
quando o meio 2 o ar (referncia), apresenta R12 = 1 e = 0 . Conseqentemente, na interface a
tenso de cisalhamento refletida est 180o fora de fase da tenso incidente. Agora, ao se colocar o
lquido no meio 2, resultar um decrscimo na fase (quantidade negativa) e R12 ser reduzido em
relao referncia. Assim, ser visto mais adiante que as quantidades mensurveis, da magnitude
R12 e da variao de fase , sero determinadas a partir de uma referncia, que a onda de
cisalhamento refletida na interface quando o meio 2 o ar.
Finalmente, o valor da viscosidade dinmica, utilizando os conceitos vistos acima, obtido pela
seguinte expresso:

4( 1 R122 )R12 sen ( 1c1 ) 2

2 =
.
( 1 + R122 + 2 R12 cos ) 2 2

(4.31)

Essa expresso mostra que s possvel medir a viscosidade do lquido (meio 2) conhecendo a
priori a sua densidade e a densidade do slido (meio 1).

4.5.2. Mtodo de Mltiplas Reflexes

O mtodo de mltiplas reflexes usado para aumentar a sensibilidade das quantidades
medidas experimentalmente [51]. Este mtodo aplicado clula CMR (clula com mltiplas
reflexes) usando converso de modo e incidncia normal. A CMR para n reflexes apresentada
na Figura 4.29 e consiste de um emissor de cermica piezoeltrica, um receptor de membrana de
PVDF, uma linha de retardo de acrlico, uma linha de retardo de gua, um prisma de alumnio e
uma linha de retardo de medio de acrlico. A diferena na montagem desta clula em relao
CRR, proposta por Buiochi et al. [45], a presena da linha de retardo de medio fixa no prisma,
possibilitando mltiplas reflexes no interior desta linha de retardo. A amostra lquida colocada
sobre a linha de retardo de medio. O emissor gera uma onda longitudinal pulsada no acrlico que
atravessa a membrana de PVDF e gera o sinal aT. A onda longitudinal alcana a face oblqua do
prisma onde convertida numa onda de cisalhamento. Essa onda propaga-se no prisma at alcanar
40

a interface definida pela linha de retardo de medio, onde o sinal parcialmente transmitido e
refletido. A parte refletida retorna para o receptor como a0. A parte transmitida propaga-se no
interior dessa linha de retardo, refletindo-se n vezes na interface definida pela amostra. Ento
surgem n ecos refletidos na interface com a amostra que retornam para o receptor de membrana,
representados pelos sinais a1, a2, a3 an.
Linha de retardo de
medio (acrlico)

amostra

z1
Prisma (alumnio)

ondas longitudinais

membrana de
PVDF
(receptor)

ondas de
cisalhamento

a3

a2

a1

a0

Linha de retardo II
(gua)

aT
transdutor piezoeltrico
(emissor)

Linha de retardo I
(acrlico)

Figura 4.29. Desenho esquemtico da CMR.

No mtodo de mltiplas reflexes relativas tambm se faz um conjunto de duas medies

mesma temperatura, uma para a amostra de ar e a outra para a amostra lquida. Usando ambos os nsimos ecos das respectivas medies, an(ar) (quando a amostra ar) e an(liq) (quando a amostra
lquido), tomam-se suas transformadas de Fourier, selecionando os respectivos valores complexos
An ( ar ) e An (liq ) para uma dada freqncia no espectro de cada sinal. Assim, a relao entre esses
valores fornece a expresso do coeficiente de reflexo complexo:
1

An ( liq ) n
*
.
=
R12
A

n ( ar )

(4.32)

Pode-se utilizar uma normalizao com relao s transformadas de Fourier dos sinais aT(ar) e
aT(liq) para eliminar o problema da instabilidade da eletrnica e do transdutor emissor entre as duas
medies. Nota-se que no h a necessidade de utilizar a normalizao quando as duas medies
so feitas uma aps a outra.
Assim, a magnitude R12 e a variao de fase do coeficiente de reflexo complexo so
calculadas por:
41

*
R12 = R12

= arctg

*
Im( R12
)
.
*
Re( R12 )

(4.33)

Antes de substituir essas quantidades mensurveis na Eq. 4.31, para obter a viscosidade
dinmica do lquido, deve-se calcular a velocidade de propagao da onda de cisalhamento no meio
1. Esse clculo baseado na medio da diferena de tempo t entre dois ecos consecutivos
refletidos nas interfaces da linha de retardo de medio (meio 1), utilizando-se a tcnica de
correlao cruzada, melhorada com a utilizao da transformada de Hilbert [24]. Assim,
conhecendo a priori o comprimento da linha de retardo de medio l1 , calcula-se a velocidade de
propagao c1 dada por:
c1 =

2l1
.
t

(4.34)

4.5.3. Clula de Medio

A clula CMR projetada para garantir o ajuste do ngulo de incidncia da onda longitudinal
sobre a face oblqua do prisma, a fim de se ter uma incidncia normal da onda de cisalhamento na
interface de medio. O melhor ajuste obtido quando as amplitudes dos sinais recebidos so
maximizadas. O ngulo de incidncia da onda longitudinal na face oblqua (90 ) graus e o
ngulo de refrao da onda de cisalhamento na face oblqua (90 ) graus, conforme pode ser visto
na Figura 4.29.
A Figura 4.30 mostra a foto da clula utilizada para operar temperatura de 20oC com um
ngulo de incidncia de aproximadamente 19o e um ngulo de refrao de 43o. O efeito no ngulo
de refrao devido variao de temperatura de aproximadamente 0,6o para uma variao de

5oC. Como o efeito no ngulo de refrao muito pequeno, o ngulo de incidncia da onda
longitudinal pode ser ajustado uma nica vez para uma faixa de temperatura adequada.

42

translao

rotao I

emisor
receptor

rotao II
Linha de retardo de
medio

Figura 4.30. Clula de medio CMR.

O ajuste do posicionamento do conjunto emissor-receptor em relao ao prisma feito por

meio de dois movimentos de rotao e um de translao, como mostrado na Figura 4.30. O
movimento de translao importante na verificao da superposio de ecos esprios com os ecos
de interesse, afastando e aproximando o conjunto emissor-receptor da face oblqua do prisma. Sabese que a variao das amplitudes dos sinais mais sensvel ao ajuste da rotao II do que ao da
rotao I, pois a rotao II que garante a converso de modo. A linha de retardo de medio
mostrada nesta figura tem comprimento l1 = 4,07mm e dimetro 70mm.
Os emissores usados nos experimentos so transdutores piezoeltricos comerciais de banda
larga com freqncias centrais entre 1 e 5MHz. O receptor uma membrana piezoeltrica de PVDF
de 28m de espessura com ambas as faces metalizadas com ouro, formando os seus eletrodos. Essa
membrana apresenta um dimetro de 55mm (dimetro ativo do receptor) capaz de interceptar todo o
campo acstico, a fim de eliminar o efeito da difrao acstica. Um lado da membrana colado
linha de retardo I com uma fina camada de adesivo do tipo epxi, e o outro lado est em contato
direto com a gua. O controle de temperatura na clula de medio realizado com um banho
termosttico contendo gua.

4.5.4. Modelo de Maxwell

Sabe-se que o modelo simples de Maxwell, para um nico tempo de relaxao, no explica
quantitativamente os resultados da viscosidade obtidos experimentalmente, mas explica-os
qualitativamente. Porm, para faixas estreitas de freqncias, podem-se utilizar alguns elementos de
Maxwell conectados em paralelo, por exemplo, dois ou trs elementos. Para faixas largas de

43

freqncias, que abrangem vrias dcadas, deve-se utilizar um nmero infinito de elementos de
Maxwell ou uma distribuio contnua de tempos de relaxao [59]. Neste trabalho utilizado o
modelo de Maxwell com dois elementos em paralelo, como ilustrado na Figura 4.31, na
aproximao das curvas tericas com os dados experimentais. Cada elemento de Maxwell
constitudo de uma mola que representa o mdulo elstico instantneo de cisalhamento, G,a e G,b,
e de um amortecedor que representa a viscosidade dinmica, a e b.

Txz

G,a

G,b

Figura 4.31. Modelo de Maxwell com dois tempos de relaxao.

Assumindo que a tenso de cisalhamento Txz varia harmonicamente, a viscosidade do meio 2

(Figura 4.29) escrita da seguinte forma:

2 =

a
b
+
2 2
1 + m,a 1 + 2 m2 ,b

(4.35)

onde m ,a = a / G ,a e m ,b = b / G ,b so os tempos de relaxao de Maxwell em cada elemento

de Maxwell. Assim, para baixas freqncias ( 0 ) a Eq. 4.35 resulta em 2 a + b .

4.6.

EXEMPLOS DE APLICAO - VISCOSIDADE

Os resultados experimentais obtidos no trabalho de Buiochi et al. [48] com a CMR

temperatura de 20,00,5C para a viscosidade dinmica em funo da freqncia so mostrados na
Figura 4.32. Neste trabalho, em cada montagem dos transdutores de freqncia central 1,0, 1,6MHz,
3,5MHz e 5MHz foram realizadas medies com os lquidos SAE90, SAE140 e Karo (glucose de
milho). Em cada medida obtida so adquiridos dez vezes os ecos a1( ar ) refletidos na interface
acrlico-ar e mais dez vezes os ecos a1( liq ) na interface acrlico-lquido. A partir desses ecos,
estimam-se a mdia e o desvio padro da viscosidade na particular freqncia de mxima energia da
44

FFT. Os transdutores foram excitados com trens de senide, contendo um ciclo na freqncia de
1,6MHz e trs ciclos nas freqncias de 3,5 e 5MHz. Mediu-se a viscosidade, tomando-se a
magnitude e fase da transformada de Fourier dos sinais nas respectivas freqncias de 1,4MHz,
3,4MHz e 4,5MHz, como mostrado nos grficos seguintes.
As viscosidades medidas do SAE 90, SAE 140 e Karo com o viscosmetro rotacional (baixa
freqncia) temperatura de 20,00,5C foram, respectivamente, de 0,58Pa.s, 1,31Pa.s e 10,07Pa.s.
A densidade da linha de retardo de acrlico 1180 kg/m3 e as densidades medidas com um
picnmetro para o SAE 90, SAE 140 e Karo so, respectivamente, de 891kg/m3, 899kg/m3 e
1411kg/m3.
Nessas mesmas figuras so apresentadas as curvas tericas (linhas cheias) obtidas pelo modelo
de Maxwell com dois tempos de relaxao. A Tabela 4.2 mostra os parmetros que fornecem a
melhor aproximao das curvas tericas com os resultados experimentais da viscosidade, segundo o
mtodo dos mnimos quadrados. Os valores da viscosidade do SAE 90, SAE 140 e Karo estimados
a baixa freqncia ( a + b ) foram 0,67, 1,20 e 10,35 Pa.s, respectivamente. O mdulo elstico G,b
foi assumido constante por apresentar uma menor influncia no modelo, visto que o parmetro
que ressalta o efeito elstico em freqncias muito altas (ordem de 100MHz).
Tabela 2: Parmetros do modelo de Maxwell:
Lquido

G,a (Pa)

G,b (Pa)

SAE 90
SAE 140
Karo.

(Pa.s)
0.21
0.60
4.85

(Pa.s)
0.46
0.60
5.50

1.6 106
8.6 106
2.7 107

1 109
1 109
1 109

Para a velocidade de propagao na linha de retardo de medio foram utilizados os valores

medidos de 1364, 1369, 1375 e 1377m/s, respectivamente nas freqncias de 0,9, 1,5, 3,3 e
4,4MHz.

45

0.7

2 (Pa.s)
1.3
SAE 90

2 (Pa.s)
SAE 140

1.2
1.1

0.6

1.0
0.9
0.5
0.8
0.7
0.4

2
3
freqncia (MHz)
11

0.6

2
3
freqncia (MHz)

2 (Pa.s)
Karo

2
3
freqncia (MHz)

Figura 4.32. Viscosidade dinmica 2 versus frqncia para o SAE90, SAE140 e Karo.

Os resultados para a viscosidade obtidos em alta freqncia (MHz) so menores que os obtidos
com os viscosmetros usuais, que funcionam em baixa freqncia. Foi escolhido um modelo
baseado em dois tempos de relaxao (Modelo de Maxwell) e foram determinados os parmetros
que ajustam as curvas tericas aos resultados experimentais para cada lquido estudado. Com esse
modelo foi possvel estimar os valores da viscosidade a baixa freqncia que resultaram em desvios
de 15% (SAE 90), -8% (SAE 140) e 3% (Karo), comparados com os valores obtidos com o
viscosmetro rotacional. Alm disso, verifica-se o comportamento viscoelstico dos lquidos, cuja
viscosidade dinmica diminui com o aumento da freqncia, fornecendo uma interpretao
satisfatria para a faixa de freqncias empregada neste trabalho.

46

4.7.

REFERNCIAS

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49

46. F. Buiochi, J. C. Adamowski, C. M. Furukawa and R. T. Higuti, Medio da viscosidade de

lquidos usando converso de modo de ondas acsticas, Anais do Congresso Brasileiro de
Engenharia Mecnica COBEM99, em CD-ROM, guas de Lindia, So Paulo, 1999.
47. F. Buiochi, Medio de Viscosidade de Lquidos por Ultra-som, So Paulo, tese de doutorado,
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2, part B, ed. W. P. Mason, Academic Press, New York, p. 1-90, 1965.

50

Captulo 5

Sensores a Ondas Acusticas

de Superfcie
Edval J. P. Santos, Ph.D.
Laboratorio de Dispositivos e Nanoestruturas
Departamento de Eletronica e Sistemas - UFPE
Caixa Postal 7800, 50670-000 Recife - PE
e-mail: edval@ee.ufpe.br, Fone: (81)3271-8214, Fax: (81)3271-8215


Conteudo
Introduca o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5.1.1

Sensor OAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5.1.2

Fabricaca o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Ondas acusticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11

5.2.1

Teoria da elasticidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

14

5.2.2

Equaca o da onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

16

5.2.3

Soluca o de ondas planas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

17

5.2.4

Soluca o de Rayleigh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

18

5.2.5

Ondas de Lamb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

20

5.2.6

Ondas de Love . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

23

Piezoeletricidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

24

5.3.1

Acoplamento eletro-acustico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

25

5.3.2

Equaco es generalizadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

28

5.3.3

Materiais piezoeletricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

29

Propagaca o do sinal eletroacustico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

30

5.4.1

Propagaca o de ondas na superfcie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

36

5.4.2

Excitaca o de ondas de Rayleigh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

42

Modelo eletrico do dispositivo OAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

45

5.5.1

Resposta em freque ncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

45

5.5.2

Funca o de transferencia - parametros Z . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

49

5.5.3

Funca o de transferencia - parametros S . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

51

5.5.4

Modelo SPICE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

55

Projeto do oscilador OAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

63

5.6.1

Condica o de oscilaca o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

64

5.6.2

Circuito eletrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

65

Projeto de sensores OAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

68

5.7.1

Sensibilidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

71

5.8

Caracterizaca o de sensores eletroacusticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

74

5.9

Consideraco es finais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

77

5.1

5.2

5.3

5.4

5.5

5.6

5.7

Lista de smbolos:
A: a rea
CT R (T CD): coeficiente de temperatura do retardo
Cijkl : tensor de acoplamento eletroacustico
D: campo eletrico
E: energia total
F: energia livre de Helmholtz
f : freque ncia
h: espessura da camada
IL: perda de inserca o
K: numero de onda
K: modulo de compressao hidrostatica
k 2 : coeficiente de acoplamento efetivo
2 : coeficiente de acoplamento piezoeletrico
: comprimento de onda
m: massa
: freque ncia angular
Q: fator de qualidade
RL: perda de retorno
~r: vetor posica o
0 : massa por unidade de a rea
e : carga por unidade de volume
m : massa por unidade de volume
S: entropia
Sij : parametro de espalhamento
ij : tensor de pressao, stress
T : temperatura
uik : tensor de deformaca o, strain
~u: vetor deslocamento
V : potencial eletrico
vRayleigh : velocidade da onda acustica na superfcie


5.1. INTRODUC
AO
A tecnologia de ultra-som tem diversas aplicaco es industriais. Em particular, os dispositivos a ondas
acusticas de superfcie, OAS (em ingles, SAW= surface acoustic wave), tem sido utilizados como:
linhas de retardo, filtros, convolutores, identificaca o de assinantes em tecnologia celular, moldagem
de pulsos em tecnologia de radar, processamento de sinais, sensores qumicos, etc. Essas aplicaco es
sao oriundas do fato dessas ondas se propagarem com velocidades muito menores que a velocidade da
luz e os dispositivos podem ser construdos com caractersticas bastante estaveis. As ondas acusticas
se propagam em meios solidos com velocidades da ordem de 3000 m/s , uma velocidade cerca de
cem mil vezes menor que a velocidade da luz. Isso faz com que certos tipos de dispositivos sejam
muito menores quando implementados utilizando a tecnica de ondas acusticas. Devido a isso, desde
a decada de 40, tem havido interesse crescente na utilizaca o de ondas acusticas no desenvolvimento
de filtros e linhas de retardo. Com base nesses dispositivos, foram desenvolvidos os sensores a ondas
acusticas de superfcie. Esses sensores tem uma larga faixa de aplicaca o na medica o de grandezas
fsicas, tais como: temperatura, pressao, deslocamento, aceleraca o, fluxo, viscosidade, concentraca o
ionica e campo eletrico.
Foi a partir da decada de 60 que se deu incio ao desenvolvimento de dispositivos OAS com
estrutura interdigitada fabricados utilizando a tecnologia planar da microeletronica. Na decada de
70, eram os dispositivos a ondas acusticas de superfcie que pressionavam o avanco da fotolitografia
como tecnica de microfabricaca o. Enquanto a dimensao crtica da microeletronica estava em torno de
10m, os dispositivos OAS precisavam ser fabricados com dimensoes menores que 2m para operar
em freque ncias acima de 500M Hz (veja adiante na Tabela 5.1).
Na decada de 80, surge o interesse nesse tipo de dispositivo para aplicaca o na telefonia celular e
em sensores, alem de radar, sistemas de comunicaca o e espionagem, especialmente quando combinado com o ptica. Esse interesse aumenta ainda mais a partir da decada de 90 devido a sua potencial
utilizaca o em sensores inteligentes (smart sensors), com especial e nfase em sensores inteligentes
integrados.
O dispositivo a ondas acusticas de superfcie moderno e semelhante ao proposto por White e
Voltmer em 1965 [1], consistindo de duas estruturas interdigitadas sobre um substrato piezoeletrico,
veja Figura 5.1.
As

ondas longitudinais em solidos se propagam com pelo menos o dobro dessa velocidade.

Figura 5.1. Dois conjuntos de estruturas interdigitadas com dois pentes intercalados de cada lado,
formando um dispositivo OAS. A regiao entre as duas estruturas interdigitadas pode ser utilizada para
detecca o.
As estruturas interdigitadas sao utilizadas como transdutores de entrada e de sada. Cada estrutura
interdigitada consiste de dois pentes, com os dentes intercalados. O sinal eletrico aplicado no transdutor de entrada e convertido em um sinal mecanico atraves do efeito piezoeletrico, tambem denominado de acoplamento eletroacustico. No transdutor de sada acontece o efeito oposto. Tipicamente
os dispositivos OAS, operam na faixa de RF (VHF= Very High Frequency: 30-300 M Hz; UHF=
Ultrahigh Frequency: 300-3000 M Hz). A freque ncia de operaca o e determinada pelo afastamento
entre os dentes, pois este afastamento determina o comprimento de onda, Equaca o 5.1. Para uma
estrutura interdigitada cuja largura do dente e igual ao espacamento, pode-se calcular o afastamento
entre os dentes como sendo /4.

f0 =

vRayleigh

(5.1)

onde, vRayleigh e a velocidade da onda acustica de superfcie, tambem denominada de velocidade de

Rayleigh e e o comprimento de onda.
A resposta em freque ncia do dispositivos OAS e semelhante a um filtro passa-banda ou passafaixa. A Equaca o 5.1 fornece a freque ncia central. A banda passante pode ser estimada utilizando a
Equaca o 5.2.

f =

2f0
N

(5.2)

onde N e o numero de pares de dentes. Por exemplo, para um substrato de quartzo no corte ST,
a velocidade de Rayleigh e 3158 m/s. Considerando o quartzo como substrato e assumindo que o
espacamento entre dentes e igual a` largura dos mesmos, pode-se construir uma tabela com valores
para .
5

Figura 5.2. Ressonador comercial fabricado pela SAWTEK para operar a 250M Hz.
Tabela 5.1: Dimensoes tpicas.

Largura do dente

Freque ncia

100 m

25 m

31, 58 M Hz

10 m

2, 5 m

315, 8 M Hz

5 m

1, 25 m

631, 6 M Hz

2 m

0, 5 m

1, 579 GHz

1 m

0, 25 m

3, 158 GHz

Considerando o estado da arte da microeletronica pode-se construir dispositivos que operam ate
3GHz. Embora que para aplicaca o como sensores, tipicamente opera-se com freque ncias abaixo de
500M Hz. Nessa faixa de freque ncias nao e necessario utilizar tecnicas sofisticadas para a fabricaca o
do dispositivo.
Caractersticas do dispositivo OAS:
Transico es abruptas;
Bandas bem definidas em freque ncia;
Pequena dimensao;
Pequeno peso;
Nao precisa de ajuste em campo;
Baixo custo - usa tecnicas de microeletronica;

 Alta perda de inserca o (15 a 30 dB).

Diversos fabricantes de dispositivos OAS podem ser encontrados pela internet:
Thomson-Microsonics (www.microsonics.thomson-csf.com)
SAWTEK (www.sawtek.com)
Vanlong (www.vanlong.com/products/saw filter.htm)
Microsensor Systems Inc. (www.microsensorsystems.com)
Jiaxing Acoustic-Electric Ind. Co. (www.sawseek.com)
Shoulder Electronics Ltd. (www.china-shoulder.com)
SPK Electronics Co. Ltd. (www.spkecl.com/htdoc/saw.htm)
Synergy Microwave Corp. (www.snergymwave.com)
Sumitomo Electric, Inc. (www.sawdevice.com)
Sawcom Tech Inc. (www.sawcomtech.com)
Com Dev. (www.saw-device.com)
Esses dispositivos recebiam inicialmente o encapsulamento DIL, atualmente e utilizado o encapsulamento surface mount. No caso de sensores, tem-se utilizado o encapsulamento TO-8.

5.1.1. Sensor OAS

Na industria, a palavra sensor tem diversos significados, nesse trabalho define-se sensor como sendo
o transdutor de entrada. Atraves do sensor, a energia e transformada de uma forma para outra, tipicamente para eletrica, uma vez que os sistemas de processamento sao eletronicos. Por exemplo,
no sensor de temperatura a energia e transformada de termica para eletrica, no sensor de pressao,
a energia e transformada de mecanica para eletrica e assim por diante. Para ser u til, o sensor deve
apresentar as seguintes caractersticas
A

perda de inserca o e definida como sendo a atenuaca o do sinal de sada quando se compara a intensidade

do mesmo antes e depois da inserca o do dipositivo.

 Manufaturabilidade;
Reproducibilidade (precisao);
Exatidao;
Reversibilidade;
Longa duraca o.
Outras caractersticas de interesse sao: larga faixa dinamica, autocalibraca o, ausencia de histerese,
rapidez, confiabilidade, seletividade, baixo consumo de potencia, robusto, portatil e baixo custo.
Em particular, o sensor OAS e um dispositivo que pode ser utilizado para medir grandezas fsicas,
tais como: temperatura, pressao, deslocamento, etc. Nesse sensor, a freque ncia e a grandeza medida,
como a medida da freque ncia pode ser feita com grande precisao, isso faz com que esses dispositivos tenham grande sensibilidade. Em um dispositivo OAS, a variaca o da freque ncia em termos das
grandezas mecanicas e dada pela Equaca o 5.3.

f = 1, 26 107 f02 h0

(5.3)

onde, h e a espessura da camada e 0 e a densidade. O produto da espessura h e a densidade 0 e a

massa por unidade de a rea (m/A) (Equaca o 5.4).

f = 1, 26 107 f02

m
A

(5.4)

Como comparaca o, considere a microbalanca de quartzo. Esse dispositivo consiste de um capacitor onde o dieletrico e um cristal de quartzo. O capacitor e utilizado como parte de um circuito oscilador e a variaca o da freque ncia em funca o da massa e dada pela equaca o de Sauerbrey, Equaca o 5.5.

f = 2, 3 107 f02

m
A

(5.5)

Comparando-se as Equaco es 5.3 e 5.4, a primeira vista tem-se a impressao que a microbalanca e
mais sensvel. No entanto, deve-se lembrar que os sensores tipo microbalanca operam tipicamente ate
10M Hz, enquanto que os sensores OAS podem trabalhar em freque ncias cinquenta vezes maiores,
fazendo com que eles sejam muito mais sensveis. Para que essa sensibilidade seja realizada na pratica
8

o oscilador deve ser estavel e de baixo rudo. Na Tabela 5.2 sao apresentados valores tpicos para a
sensibilidade a diversos tipos de grandezas fsicas.
Tabela 5.2: Sensibilidade do sensor OAS.
Grandeza

Sensibilidade do sensor OAS

32ppm/o C

Temperatura

0, 1ppm/atm

Pressao

18Hz/g

Aceleraca o
Campo eletrico

15 43ppm/kV /mm

Deslocamento

300Hz/m

Fluxo

11Hz/sccm

O sensor a ondas acusticas de superfcie tambem pode ser utilizado para se fabricar sensores
qumicos. Algumas das aplicaco es desses sensores sao: limpeza e monitoramento ambientais, monitoramento de emissoes automobilsticas, monitoramento de emissoes industriais, sistemas aeronauticos
e espaciais, nao proliferaca o de armas, saude, seguranca do trabalhador, exploraca o planetaria, monitoramento de lubrificantes automotivos. Na construca o de sensores qumicos e acrescentado uma
camada extra para que o sensor tenha seletividade.

5.1.2. Fabricaca o
Como as ondas sao de superfcie, tanto o transdutor de entrada como o de sada podem ficar localizados na mesma face do cristal. Isso faz com que esse tipo de dispositivo possa ser fabricado com as
mesmas tecnicas de fabricaca o da microeletronica, conhecida como tecnologia planar. Os sensores
OAS sao projetados para operar na faixa de 100 M Hz a 500 M Hz. Nessa faixa a tecnologia de
microeletronica a ser utilizada nao precisa ser muito sofisticada, uma vez que a dimensao crtica e
maior que 1m.
A seque ncia de etapas para fabricaca o comeca com a limpeza do substrato. Considerando dispositivos com dentes da ordem de 10 m em substrato piezoeletrico, pode-se seguir a seguinte seque ncia:
1. Limpeza do substrato;
2. Evapora-se uma camada fina de metal, e.g., alumnio;
3. Etapa de fotolitografia para definir as estruturas intedigitadas;
9





















































































































































































































































































































































































































































































UV


















































































































































































































































































Figura 5.3. Exemplo simplificado das etapas de fabricaca o: 1- limpeza do substrato piezoeletrico;
2- Metalizaca o, aplicaca o da fotoresina e etapa de fotolitografia; 3- Apos o revelador; 4- Corrosao da
camada metalica e remoca o da fotoresina.

Figura 5.4. Exemplo de estrutura OAS consistindo de duas linhas de atraso, sendo uma delas blindada, com o objetivo de se construir um sensor. O sinal de entrada e aplicado no contato central; a
onda acustica se propaga para a direita e para a esquerda. Esse dispositivo e fabricado na sala limpa
do Laboratorio de Dispositivos e Nanoestruturas da UFPE.
4. Apos a revelaca o, corroe-se o metal, (para dimensoes menores, a corrosao e realizada com
tecnicas de plasma);
5. Remove-se o resto da fotoresina com acetona e o dispositivo esta pronto.
Em certos tipos de sensores, ha ainda uma etapa adicional para aplicaca o de camada polimerica.
Em freque ncias mais altas, pode-se inserir a estrutura metalica no cristal, usando corrosao a
plasma. Outra tecnica que pode ser utilizada para definir os pentes e o lift-off. Para maiores detalhes
sobre essa tecnologia, pode-se consultar um livro de tecnicas de manufatura em microeletronica.

10

Figura 5.5. Detalhe da estrutura interdigitada do dispositivo da Figura 5.4.

5.2. ONDAS ACUSTICAS

As ondas mecanicas podem ser de volume ou de superfcie. As ondas de volume sao ondas cuja
propagaca o ocorre no volume do corpo solido, enquanto a onda de superfcie se propaga na superfcie,
ou em uma interface. De acordo com D. Penunuri, K. H. Yen e R. B. Stokes [3], as ondas acusticas
de superfcie podem ser propagar de diversas maneiras:
Ondas de Rayleigh - O potencial associado a` s ondas de Rayleigh se estendem no espaco acima
do substrato ate uma distancia de um comprimento de onda. A velocidade de propagaca o e
menor do que uma onda de volume.
Ondas de Bleustein-Gulyaev - essa e uma onda de superfcie onde o campo eletrico esta no
plano sagital .
Pseudo-SAW - esse modo aparece nos materiais anisotropicos. Ele se caracteriza por apresentar
perda de energia, ocorrendo atenuaca o a` medida em que ele se propaga.
Ondas de volume inclinadas - aparece em certos planos cristalinos, como o silcio (111).
Ondas rasas de volume (SBAW, SSBW - Surface Skimming Bulk Waves) - Este modo e uma
onda de volume transversal horizontal que tambem satisfaz a` s condico es de contorno com uma
superfcie livre. Esse modo pode ser emitido e detectado por uma estrutura interdigitada.
Plano

sagital - plano que contem a normal a superfcie e a direca o de propagaca o.

11

 Ondas de Love - onda horizontal transversal em um meio isotropico em camadas, onde a camada tem uma velocidade para a onda transversal cujo valor de volume e menor que a velocidade da mesma onda no substrato.
Ondas de Rayleigh modificadas - Essa e um tipo de onda de Rayleigh em um meio elastico
multicamada.
Ondas de Sezawa - Para uma estrutura onde a camada superior pode ter ondas mais rapidas que
na camada inferior, existem alguns modos especiais de propagaca o.
Ondas de Stoneley - sao ondas que se propagam na interface entre dois meios semi-infinitos,
decaindo exponencialmente na direca o perpendicular a` interface.
Modos de placa - o fato do substrato em geral nao ser muito espesso, faz com que o mesmo se
comporte como uma cavidade acustica. Em substratos isotropicos esses modos podem ser denominados de ondas de Lamb (formado por ondas transversais verticais e ondas longitudinais,
FPW - Flexural Plate Waves) e ondas HS (formado por ondas transversais horizontais).
Na Figura 5.6 pode-se ver as condico es de contorno para alguns tipos de onda. As ondas elasticas
na superfcie de um solido semi-infinito foram analisadas matematicamente por Lord Rayleigh em
1885[4]. Devido a isso, essas ondas sao denominadas de ondas de Rayleigh. Ja as ondas que se
propagam em uma placa livre sao conhecidas como ondas de Lamb; as ondas que se propagam em
uma camada sobre um meio elastico sao denominadas de ondas de Love e as ondas na interface entre
dois meios elasticos em contato sao denominadas de ondas de Stoneley. O criterio de infinito e o
comprimento de onda, i. e., uma camada cuja espessura e quatro vezes maior que o comprimento de
onda de interesse pode ser considerada efetivamente uma camada semi-infinita.
Alem disso a deformaca o mecanica pode ocorrer em tres direco es, uma longitudinal e duas transversais. Veja a Tabela 5.3.
Tabela 5.3: Nomenclatura.
Longitudinal

Ondas P= compressional

Transversal

Ondas SH= shear waves

Transversal

Ondas SV= vertically polarized shear waves

12

(a)
Meio elastico semiinfinito

(b)
camada elastica

camada elastica
(c)
Meio elastico semiinfinito

Meio elastico semiinfinito

(d)
Meio elastico semiinfinito

Figura 5.6. (a) Ondas que se propagam na superfcie de um meio semi-infinito sao denominadas
de ondas de Rayleigh; (b) Ondas em uma camada elastica sao conhecidas como ondas de Lamb;
(c) Ondas em uma camada elastica sobre um meio elastico semi-infinito sao denominadas de ondas
de Love. (d) Ondas na interface de dois meios elasticos em contato sao denominadas de ondas de
Stoneley.

13

5.2.1. Teoria da elasticidade

Para descrever o comportamento mecanico de um solido submetido a forcas diversas faz-se uso da
teoria da elasticidade[5,6], o primeiro passo e estabelecer um sistema de coordenadas. O corpo solido
e entao definido como sendo o conjunto de vetores posica o, {~r}, que vai da origem do sistema de
coordenadas escolhido, ao ponto a ele pertencente. Uma mudanca de posica o e descrita pelo vetor
deslocamento ~u.

~u = r~0 ~r

(5.6)

onde, r~0 e a nova posica o.

A equaca o do movimento pode ser obtida minimizando a energia livre de Helmholtz, que e a mais
apropriada em um sistema a temperatura constante.

F = E TS

(5.7)

onde E e a energia total, T e a temperatura e S e a entropia.

Para se obter uma expressao para a energia, e necessario definir o tensor de deformaca o e o tensor
de pressao.
Tensor de deformaca o, strain:

uik =

1 ui
uk X ul ul
+
+
2 xk
xi
xi xk
l

Tensor de pressao, stress

ik
Considerando um meio elastico submetido a uma pressao hidrostatica p, o trabalho realizado para
P
P
se ter uma deformaca o, duii , e dado por p i duii = ik ik duik . Como dE = T dS dT ,
obtem-se,

dF = SdT +

X
ik

14

ik duik

(5.8)

Para resolver o problema para um caso especfico, e necessario conhecer a energia livre. Uma
primeira aproximaca o e expandir a energia livre em termos de potencia de uik .
Solido isotropico
Um caso particular de interesse e o corpo solido isotropico. Nesse caso, a energia livre de
Helmholtz e escrita na aproximaca o de Lame, como indicado na Equaca o 5.9.

F = F0 +

X1
i

Cu2ii +

u2ik

(5.9)

ik

onde C - a rigidez elastica e - o modulo de rigidez, sao os coeficientes de Lame.

O modulo de Young, Y , e a razao entre a forca por unidade de a rea, p, aplicada na direca o z, e a
deformaca o sofrida, uzz , nessa mesma direca o.

Y =

p
9K
=
uzz
+ 3K

(5.10)

onde K - modulo de compressao hidrostatica e dado por K = C + 23 .

A razao de Poisson e a razao entre a compressao transversa e a compressao longitudinal.

uxx
1 3K 2
=
uzz
2 3K +

(5.11)

Lei de Hooke microscopica

A lei de Hooke local ou microscopica pode ser escrita na forma:

ij =

Cijkl ukl

(5.12)

kl

O tensor de quarto rank Cijkl tem um numero maximo de componentes independentes igual a 81,
uma vez que cada um dos ndices pode variar de 1 ate 3. Na pratica, as simetrias diminuem esse
numero.

15

Propriedades elasticas dos cristais

Cristais e um exemplo de solido com simetrias. Se esse tensor satisfizer as condico es de simetria
abaixo, o numero de componentes independentes cai de 81 para 36.

Cijkl = Cijlk = Cjilk

Se for especificado adicionalmente a condica o Cijkl = Cklij , o numero de componentes independentes cai para 21. No caso de um solido de simetria cubica, Cijkl e nulo se um numero mpar de
ndices tiver o mesmo valor, e.g., C1222 = 0.

5.2.2. Equaca o da onda

Para se obter a equaca o de movimento, faz-se uso da lei de Newton em sua forma microscopica, como
mostrado na Equaca o 5.13.
X
2 ui
ik 2 = 0
xk
t
k

(5.13)

Considerando a lei de Hooke, a equaca o da onda em um material anisotropico pode ser escrita
como mostrado na Equaca o 5.14.
X

Cijkl

jkl

2 ui
ul 2 = 0
xj xk
t

(5.14)

A equaca o da onda de um corpo isotropico pode ser escrita como segue:

q
onde vt =

Y
2(1+)

q
e vl =

2u
= vt2 2 u + (vl2 vt2 )(.u)
t2

(5.15)

Y (1)
.
(1+)(12)

A Equaca o 5.15 pode ser desacoplada, para isso escreve-se o vetor deslocamento u em termos de
duas compomentes, uma longitudinal ul ( ul = 0) e outra transversal ut (.ut = 0), obtendo-se
as Equaco es 5.16 e 5.17.

2 ul
= vl2 2 ul
2
t
2 ut
= vt2 2 ut
t2
16

(5.16)
(5.17)

Como ul = 0 e ut = 0, pode-se definir os potenciais e , de maneira que ul = e

ut = .
Em termos dos potenciais, pode-se reescrever as Equaco es 5.16 e 5.17, como indicado a seguir:

2
= vl2 2
t2
2
= vt2 2
t2

(5.18)
(5.19)

Usando a definica o dos potenciais e , obtem-se:

z y
+

x
y
z
x z
=
+

y
z
x
y z
=
+

z
x
y

ux =

(5.20)

uy

(5.21)

uz

(5.22)

Considerando ondas planas que nao dependem de y, apenas a componente y e nao-nula. Nesse
caso, as componentes do tensor de pressao xx , xz de um corpo isotropico sao dadas por:

2 2
2 2 y
+
)
+
2(
+
)
x2
z 2
z 2 xz
2
2 y 2 y
= (2
+

)
xz
x2
z 2

zz = C(

(5.23)

xz

(5.24)

O formalismo apresentado sera aplicado para se obter a soluca o da equaca o da onda para diversas
condico es de contorno. Serao examinados quatro casos: ondas planas, ondas de Rayleigh, ondas de
Lamb e ondas de Love.

5.2.3. Soluca o de ondas planas

Considerando um meio elastico homogeneamente infinito, as soluco es possveis dependerao da geometria. Considerando a geometria cubica pode-se dividir a soluca o na componente longitudinal e
na componente transversal e examinar a soluca o tipo ondas planas. Nesse caso a soluca o e a funca o
exponencial.
17

vacuo
y

meio elastico
isotropico
z

Figura 5.7. Interface entre um meio elastico isotropico e o vacuo. Nessa interface progagam-se as
ondas de Rayleigh.

ul = Ul ej(Kx .x+Ky .y+Kz .zt)

(5.25)

ut = Ut ej(Kx .x+Ky .y+Kz .zt)

(5.26)

Substituindo na Equaca o 5.14, obtem-se:

X

Cijkl Kj Kk ul + 2 ui = 0

(5.27)

jkl

No caso unidimensional, a expressao acima reduz-se a` relaca o de dispersao conhecida.

s
CK 2 + 2 = 0 = = K

(5.28)

5.2.4. Soluca o de Rayleigh

Considerando um meio elastico semi-infinito como indicado na Figura 5.7, o objetivo e examinar a
possibilidade de existencia de soluco es para a equaca o da onda que estejam confinadas a` superfcie.
Assumindo por simplicidade que a soluca o nao depende de y (u = (ux , 0, uz )), apenas a componente
y do potencial vetor e nao nula. As Equaco es 5.20, 5.21 e 5.22 podem ser escritas como segue:

x
z
y
+
=
z
x

ux =

(5.29)

uz

(5.30)

Usando a condica o que em z = 0, zz = xz = 0. A soluca o pode ser obtida pela tecnica de

separaca o de variaveis.
18

 = Aei(Kxt)qz

(5.31)

y = Bei(Kxt)sz

(5.32)

Substituindo nas Equaco es 5.27 e 5.28 e em seguida na equaca o da onda, obtem-se a equaca o
caracterstica:

4K 2 qs (K 2 + s2 )2 = 0

(5.33)

Definindo = Kt /K e = Kl /Kt = vt /vl . Apos algumas etapas, obtem-se a equaca o de

Rayleigh.

6 8 4 + 8(3 2 2 ) 2 16(1 2 ) = 0

(5.34)

Como se trata de um polinomio do sexto grau, tem seis razes. A onda de Rayleigh esta associada
a` raiz que esta localizada entre 0 e 1. Uma expressao aproximada para essa raiz e dada por:

R =

0, 87 + 1, 12
1+

(5.35)

onde varia de 0 a 0, 5. R nao depende da freque ncia, portanto nao ha dispersao de fase.
A onda de Rayleigh tem duas componentes, uma longitudinal e uma transversa. Substituindo 5.31
e 5.32 em 5.29 e 5.30, pode-se calcular as amplitudes dessas componentes.
Ondas de Rayleigh na interface com lquido
Se a superfcie do corpo elastico estiver em contato com um lquido ao inves do vacuo, a equaca o
caracterstica e modificada, como mostrado na Equaca o 5.36.

4K 2 qs (K 2 + s2 )2 = i

L
qKt4
p
KL2 K 2

(5.36)

onde L e a densidade do lquido, KL e o numero de onda no lquido e Kt e o numero de onda

associado a` onda transversal.
Como existem componentes da onda se propagando no lquido, havera atenuaca o da onda que se
propaga na interface, pois ha perda de energia.
19

d
x
d

Figura 5.8. Placa elastica isotropica com vacuo em ambas as faces. As vibraco es da placa sao
denominadas de ondas de Lamb, em homenagem a H. Lamb.
(a)

(b)

Figura 5.9. A vibraca o da placa pode ser descrita como a superposica o de duas vibraco es elementares: (a) Simetrica. (b) Anti-simetrica.

5.2.5. Ondas de Lamb

O procedimento inicial e semelhante ao que foi feito anteriormente. No entanto, agora as condico es
de contorno sao diferentes, como mostrado na Figura 5.8. Para calcular as soluco es de Lamb, pode-se
partir dos seguintes potenciais:

= As ei(Kxt) cosh(qz) + Ba ei(Kxt) senh(qz)

(5.37)

= Ds ei(Kxt) senh(sz) + Ca ei(Kxt) cosh(sz)

(5.38)

onde o ndice s indica a soluca o simetrica e o ndice a indica a soluca o antisimetrica (veja a Figura 5.9).
Substituindo as soluco es propostas na equaca o diferencial dos potenciais, obtem-se as seguintes
equaco es caractersticas:

K 2 + q 2 + Kl2 = 0

(5.39)

K 2 + s2 + Kt2 = 0

(5.40)

20

onde:

C + 2
r

Kt =

Kl =

Aplicando agora as condico es de contorno: xz (d) = 0 e zz (d) = 0.

zz = c(K 2 + q 2 ) + 2(K 2 + (iKsDs cosh sz + iKsCa senhsz)ei(Kxt) )

(5.41)

Substituindo em z = d e z = d, tem-se:

zz (z = d) =
c
c
( (K 2 + q 2 ) 2K 2 )As cosh qd + ( (K 2 + q 2 ) 2K 2 )Ba senhqd

+2iKsCa senhsd + 2ksDs cosh sd = 0

(5.42)
zz (z = d) =
c
c
( (K 2 + q 2 ) 2K 2 )As cosh qd ( (K 2 + q 2 ) 2K 2 )Ba senhqd

2iKsCa senhsd + 2KsDs cosh sd = 0

(5.43)

xz = (2As qiKei(Kxt) senhqz + Ba iKqei(Kxt) cosh qz) (K 2 + s2 )

Fazendo o mesmo para xz (z = d) e xz (z = d) e usando que

(K 2 + s2 ) cosh(qd)

(K 2 + s2 )senh(qd)

Kt2
Kl2

2, obtem-se:

2iKssenh(sd)

2iKs cosh(sd)

(K 2 + s2 ) cosh(qd) (K 2 + s2 )senh(qd)
2iKssenh(sd)
2iKs cosh(sd)

2iKqsenh(qd)
2iKq cosh(qd)
(K 2 + s2 ) cosh(sd) (K 2 + s2 )senh(sd)

2iKqsenh(qd)
2iKq cosh(qd)
(K 2 + s2 ) cosh(sd) (K 2 + s2 )senh(sd)

Fazendo somas e subtraco es apropriadas, e possvel separar o sistema em dois, um referente a`

parte simetrica e outro referente a` parte anti-simetrica.
Simetrica:
21

0
Ba
=

0
Ca

0
Ds
As

(K + s ) cosh(qd)
2iKqsenh(qd)

2iKs cosh(sd)
2

(K + s )senh(sd)

As
Ds

(5.44)

Anti-simetrica:

(K + s )senh(qd)
2iKq cosh(qd)

2iKssenh(sd)
2

(K + s ) cosh(sd)

Ba
Ca

(5.45)

Deve-se salientar que para que haja soluca o nao trivial, o determinante tem que ser nao nulo. O
calculo do determinante fornece a equaca o caracterstica.
Os potenciais podem ser reescritos em termos de apenas dois coeficientes, As e Ba .

= As ei(Ks xt) cosh(qs z) + Ba ei(Ka xt) senh(qa z)

(5.46)
2iKs qs senh(qs d)
2iKa qa cosh(qa d)
y =
As ei(Ks xt) senh(ss z) +
Ba ei(Ka xt) cosh(s
(5.47)
a z)
2
2
(Ks + ss )senh(ss d)
(Ka2 + s2a ) cosh(sa d)
Pode-se agora calcular as expressoes para ux e uz , lembrando que ux = ux,a + ux,s e uz =
uz,a + uz,s .

cosh(q z)
2qs ss cosh(ss z) i(Ks xt/2)
s
2
e
senh(qs d) ks + s2s senh(ss d)
senh(q z)
2qa sa senh(sa z) i(Ka xt)
a
= BKa
2
e
cosh(qa d) Ka + s2a cosh(sa d)

ux,s = AKs

(5.48)

uz,s

(5.49)

Um numero finito de ondas de Lamb se propagam na placa. Se a espessura da placa e 2d, os

comprimentos de ondas dos modos simetricos sao:

2d =

l 3l 5l
,
,
, ...
2 2 2

ou

t , 2t , 3t , ...

(5.50)

t 3t 5t
,
,
, ...
2 2
2

(5.51)

e dos modos anti-simetricos:

2d = l , 2l , 3l , ...

ou

22

z
d
2d
d

camada elastica

Meio elastico semi-infinito

Figura 5.10. A vibraca o de uma camada elastica sobre um meio elastico semi-infinito sao conhecidas
como ondas de Love.
Ondas de Lamb na interface com lquido
Considerando agora uma membrana imersa completamente em um lquido. E necessario incluir o
potencial L para descrever a onda no lquido. Como a membrana esta totalmente imersa, havera
duas ondas se propagando no lquido, uma para z > d e a outra para z < d. Seguindo o roteiro
apresentado, obtem-se as seguintes equaco es caractersticas.
Para ondas simetricas:
(Ks2

s2s )2

coth qs d

4Ks2 qs ss

L
qs Kt4
p
coth ss d = i
KL2 Ks2

(5.52)

q K4
L
p a t
KL2 Ka2

(5.53)

Para ondas anti-simetricas:

(Ka2 + s2a )2 tanh qa d 4Ka2 qa sa tanh sa d = i

5.2.6. Ondas de Love

Ondas de Love sao soluco es da equaca o da onda em uma camada elastica sobre um meio elastico
semi-infinito. Se for assumido que a outra interface da camada elastica esta no vacuo, tem-se agora
que considerar os potenciais em dois meios diferentes. Considerando o sistema indicado na Figura 5.10, onda a camada tem espessura 2d, as condico es de contorno sao:

xz (z = d)camada = zz (z = d)camada = 0

(5.54)

xz (z = d)camada = xz (z = d)substrato

(5.55)

zz (z = d)camada = zz (z = d)substrato

(5.56)

23

Deve-se tambem acrescentar que a deformaca o deve ser contnua na interface entre a placa e o
meio semi-infinito. Nos passos seguintes sera usado o ndice c para indicar camada e o ndice s para
indicar substrato.
Na camada:
= Ac ei(Kc xt)qc z + Bc ei(Kc xt)+qc z

(5.57)

y = Cc ei(Kc xt)sc z + Dc ei(Kc xt)+sc z

(5.58)

= As ei(Ks xt)qs z

(5.59)

y = Bs ei(Ks xt)ss z

(5.60)

No substrato:

Aplicando as condico es de contorno, obtem-se as equaco es caractersticas. Certamente, agora a

manipulaca o matematica e mais complexa, pois ha seis parametros: Ac , Bc , Cc , Dc , As , Bs .
Calculando xz (z = d) e zz (z = d), obtem-se:

(2qc iKc eqc d )Ac + (2qc iKc Bc eqc d )Bc +

((s2c Kc2 )esc d )Cc + ((s2c Kc2 )esc d )Dc = 0

(5.61)

((C(qc2 Kc2 ) + 2qc2 )eqc d )Ac + ((C(qc2 Kc2 ) + 2qc2 )eqc d )Bc
(2sc iKc esc d )Cc (2sc iKc esc d )Dc = 0

(5.62)

Aplicando a condica o de continuidade na interface em z = d, obtem-se mais quatro equaco es.

5.3. PIEZOELETRICIDADE
A piezoeletricidade foi descoberta por Curie e Curie[7]. Esse fenomeno consiste na transformaca o
de energia eletrica em energia mecanica e vice-versa. Em outras palavras, a aplicaca o de um campo
eletrico causa uma deformaca o e reciprocamente, uma deformaca o causa o aparecimento de campo
eletrico no cristal. Os irmaos Curie mediram a carga superficial de certos cristais submetidos a tensao
mecanica, demonstrando uma conexao entre o efeito e a estrutura cristalina. No entanto, os irmaos

24

Curie nao verificaram que o reverso tambem e verdadeiro, i.e., a aplicaca o de um campo eletrico
causa deformaca o mecanica nesses cristais .
Da descoberta do efeito ate a decada de 40 do seculo XX, a pesquisa e as aplicaco es faziam uso
de cristais naturais. A primeira aplicaca o do efeito foi em 1917, durante a Primeira Guerra Mundial
em um sistema para detecca o de submarinos. A partir da decada de 40, comeca o desenvolvimento
de dispositivos em substratos artificiais, tais como as ceramicas piezoeletricas.

5.3.1. Acoplamento eletro-acustico

Como foi visto na Secca o 5.2.1 sobre a teoria da elasticidade, a lei de Hooke microscopica relaciona
a tensao (stress) e a deformaca o (strain) no cristal. Em um sistema unidimensional essa relaca o
pode ser simplificada como apresentado na Equaca o 5.63.

=C

u
x

(5.63)

onde C e a rigidez elastica.

Por outro lado, a relaca o entre o campo e o potencial eletrico e dada pela expressao:

D =

V
x

(5.64)

onde e a permissividade eletrica.

Em um sistema onde existe piezoeletricidade, a deformaca o gera campo eletrico e reversamente, o
campo eletrico gera deformaca o. Para incorporar esse efeito e necessario modificar essas equaco es. A
maneira mais simples de fazer isso e introduzindo a constante de acoplamento eletroacustico. Obtemse assim o modelo escalar da piezoeletricidade, como apresentado nas Equaco es 5.65 e 5.66.

u
V
+ ep
x
x
u
V
D = ep

x
x
= C

(5.65)
(5.66)

Para entender melhor esse acoplamento, inicialmente considere-se o caso de ondas volumetricas,
isto e , dois eletrodos planares paralelos, separados por uma distancia d, e totalmente imersos em um
Veja

http://www.piezo.com/history.html .

25

Dieletrico,

Figura 5.11. Placas condutoras paralelas totalmente imersas em um meio de constante dieletrica, .
meio de constante dieletrica , como mostrado na Figura 5.11. Derivando a Equaca o 5.65 com relaca o
a x e substituindo a equaca o de movimento (lei de Newton),

= m t2u .

2u
2u
2V
=
C
+
e
p
t2
x2
x2

Derivando a Equaca o 5.66 com relaca o a x e usando a equaca o de Poisson,

e = ep

2u
2V

x2
x2

(5.67)
D
x

= e .

(5.68)

Considerando a soluca o na forma de ondas planas, ej(tKx) , para a deformaca o, u, e para o

potencial eletrico, V , propagando ao longo do eixo x.

2
m 2 u = Cu + ep V
K
e = K 2 ep u + K 2 V

(5.69)
(5.70)

Escrevendo V em termos de u na Equaca o 5.69 e substituindo na Equaca o 5.70, obtem-se a

Equaca o 5.71.

e = K 2 V
onde K0 = /v0 =

K 2 (1 + e2p /C) K02

K 2 K02

m /C.

26

(5.71)

Curva ideal

Curva real

BF

Figura 5.12. Grafico da constante dieletrica de um material piezoeletrico em termos da velocidade

de propagaca o da onda.
2
Definindo K
=

K02
1+e2p /C

e 0 = (1 +

e2p
).
C

O termo e2p /C e o coeficiente de acoplamento

eletromecanico ou piezoeletrico, 2 .

e = K 2 V 0

2
K 2 K
= K 2 V p
2
2
K K0

(5.72)

Para modos acusticos, a relaca o de dispersao pode ser aproximada por K = /v. Definindo
v = /K , obtem-se a Equaca o 5.73.

2
v

v02 (1

0
e2p
2
+
) = vo
C

(5.73)

Pode-se agora reescrever a Equaca o 5.71 em termos das velocidades, obtem-se uma expressao
para a constante dieletrica de um material com piezoeletricidade, como mostrado na Equaca o 5.74.
2
1
v 2 v
1
]
= [1 o2
p

v v 2

(5.74)

E interessante observar a constante dieletrica de um material piezoeletrico tem dependencia em

K, uma vez que K esta relacionado com v. O grafico da constante dieletrica, p , para um material
com apenas um modo de vibraca o e apresentado na Figura 5.12. Invertendo a Equaca o 5.74 e usando
a definica o do coeficiente de acoplamento efetivo, k 2 =

2 v 2
v
0
,
2
v

obtem-se uma expressao para a

permissividade eletrica do material piezoeletrico. Observe que 0 k 2 < 1. Para k 2 pequeno,

k 2 2 v
.
v

27

p =

2
2
1v 2 /v

(5.75)

A relaca o entre o coeficiente de acoplamento piezoeletrico, k 2 e o coeficiente de acoplamento

efetivo, 2 e dado pela Equaca o 5.76.

k2 =

2
1 + 2

(5.76)

A Equaca o 5.75 pode ser generalizada para tres dimensoes. Em 3D, tem-se dois modos de
vibraca o transversais e um longitudinal.

p =

P3

i=1

ki2
2
2
1v /v,i

(5.77)

5.3.2. Equaco es generalizadas

Para um material qualquer, as equaco es precisam levar em conta o fato de que pode haver anisotropias.
Nesse caso, os coeficientes dos termos das equaco es acopladas, deixam de ser escalares e passam a
ser tensores. As Equaco es 5.67 e 5.68 sao reescritas como apresentado abaixo, onde e utilizada a
notaca o de Einstein.

m t t uk = Cjklm j l um + (ep )ljk j l V

e = (ep )jlm j l um jl j l V
Esse tensores apresentam simetrias, como indicado na Tabela 5.4.
Tabela 5.4: Tensores.
Nome
Rigidez elastica

Simetria
Cjklm = Clmjk = Ckjlm
ij = ji

Permissividade eletrica

eijk = eikj

Piezoeletricidade

28

(5.78)
(5.79)

Similarmente ao que foi feito na seca o 5.3.1, considera-se a soluca o tipo ondas planas, ej(tK1 x1 K2 x2 K3 x3 ) .
Nesse caso, as Equaco es 5.78 e 5.79, podem ser reescritas como indicado a seguir.

m 2 uk = Cjklm Kj Kl um + (ep )ljk Kj Kl V

(5.80)

e = (ep )jlm Kj Kl um jl Kj Kl V

(5.81)

Pode-se escrever Kj = nj K, onde K =

p
K12 + K22 + K32 e o numero de onda e nj e um vetor

unitario.
Definindo:

nj nl
m
nj nj
k = (ep )ljk
m
= lm nl nm

km = Cjklm

(5.82)
(5.83)
(5.84)

Obtem-se a Equaca o 5.85, para ondas de volume.

1
(km + k m )um = v 2 uk

(5.85)

onde foi assumido que e 0.

Para ondas de superfcie, tem-se a condica o jK3 = 3 .

5.3.3. Materiais piezoeletricos

Os materiais utilizados na construca o de dispositivos eletro-acusticos sao materiais piezoeletricos. A
piezoeletricidade e uma propriedade do material pela qual uma deformaca o causa o aparecimento de
um campo eletrico ou a aplicaca o de um campo eletrico causa o aparecimento de uma deformaca o.
Quando se trata de comparar materiais piezoeletricos, alguns parametros importantes sao:
Corte do cristal
Coeficiente de temperatura do retardo, CT R(T CD) =
Coeficiente de acoplamento eletromecanico, k 2
29

1 d
dT

1 dL
L dT

1 dv
,
v dT

onde = Lv .

 Velocidade de propagaca o da onda, v ou vR

do fluxo de potencia, P F A
Angulo
Atenuaca o,
Tabela 5.5: Caractersticas de alguns materiais piezoeletricos.

Nome (formula)

Orientaca o

CTR

Permissividade

Acoplamento

Velocidade

(ppm/o C)

relativa (r )

k 2 (%)

m/s

ST,X

4,5

0,16

3158

Y,X

0,23

3159

c-

15 - 25

0,6 - 1,9

2600

(1120)-

40 - 43

4,5 - 6,0

5500

Tantalato de ltio (LiT aO3 )

X-112o Y

18 - 20

47

0,7

3230

Niobato de ltio (LiN bO3 )

128o ,X

72 - 80

46

5,4

3990

41, 5o ,X

50 - 75

5,5

4000

Y,Z

70

4,5

3488

Z [110]

110

40

1,5

1681

6,1

0,56

2736

1,96

2360

0,09

2863

Quartzo (SiO2 )

Oxido
de Zinco (ZnO)
Filme fino (ZnO)

Oxido
de bismuto e germanio (Bi12 GeO20 )
Berlinita (AlP O4 )

ST

Titanato de chumbo zirconado (P ZT )

Z-X

Arseneto de Galio (GaAs)

< 100 >

40
11

Obs: Corte ST do quartzo = 90o , = 47, 25o , = 0o .

Na Figura 5.13 sao apresentados os a ngulos (coordenadas esfericas), em relaca o aos eixos cristalinos (coordenadas cartesianas). A normal ao plano do corte e definida pelos a ngulos e ,
X = cos sen, Y = sensen, Z = cos . A direca o de propagaca o ou
~ no plano e obtida pela
intersecca o deste plano com o plano xy.

DO SINAL ELETROACUSTICO

5.4. PROPAGAC
AO
Considerando ainda a geometria mostrada na Figura 5.11, o objetivo e obter o comportamento do
potencial eletrico em funca o do tempo. Na secca o 5.3.1 e demonstrado que a existencia da piezoeletricidade faz com que a constante dieletrica tenha uma dependencia em K. Assim sendo a equaca o
de Poisson e modificada como segue:
30

z
(001)

y
(100)

x
(100)

(110)
(111)

Figura 5.13. Sistemas de coordenadas esfericas utilizado para descrecer a direca o de propagaca o em
um material piezoeletrico.

31

V K2 =

e
e
k2
= (1
)
2
p

1 v 2 /v

(5.86)

K2
e
(1 k 2 2
)
2

K K

(5.87)

V K2 =

Para facilitar a obtenca o da soluca o, e considerada a seguinte funca o (j, K)[8], apresentada na
Equaca o 5.88.

(j, K) = (1 k 2

K2
)0 (j, K)
2
K 2 K

(5.88)

Escrevendo em termos do parametro de Laplace, s, e observando que 0 (s, K) e um degrau

unitario no domnio do tempo, 0 (s, K) = 0 (K)/s (u(t) 1/s).
1
K2
(s, K) = (1 k 2 2
)0 (K)
2
s
K + s2 /v

(5.89)

Calculando a transformada de Laplace inversa (trazendo para o domnio do tempo),

cos Kv t

s
2
s2 +K 2 v

s
K2
2 K 2 +s2 /v 2
K 2 v

senKv t

Kv
2
s2 +K 2 v

1
K2
2
Kv K 2 +s2 /v

e aplicando o teorema da convoluca o,

Rt
0

f1 (t )f2 ( )d F1 (s)F2 (s).

Z

(t, K) = [u(t) k

Kv sen(Kv t)dt]0 (K)

(5.90)

(t, K) = (1 k 2 (1 cos Kv t))0 (K)

(5.91)

Calculando agora a transformada inversa de Fourier (trazendo para o domnio do espaco).

1
(t, x) =
2

Z
(t, K)ejKx dx

e considerando a transformada de Fourier do delta de Dirac, (x x0 ) =

32

(5.92)
1
2

ejK(xx0 ) dK.

cosKv t 12 [(x v t) + (x + v t)]

senKv t [(x + v t) (x + v t)]

Aplicando outra vez o teorema da convoluca o, obtem-se.

(t, x) = (1 k 2 )0 (x) +

k2
[(x v t) + (x + v t)] 0 (x)
2

(5.93)

Integrando a Equaca o 5.93, obtem-se a expressao em termos do potencial eletrico.

V (t, x) = (1 k 2 )V0 (x) +

k2
[V (x v t) + V (x + v t)]
2

(5.94)

Derivando a Equaca o 5.94, obtem-se o campo eletrico.

E(t, x) = (1 k 2 )E0 (x) +

k2
[E(x v t) + E(x + v t)]
2

(5.95)

A existencia de piezoeletricidade e indicada na equaca o por uma constante de acoplamento, k 2 ,

nao nula. Se k 2 for nulo, o campo eletrico sera sempre igual ao campo eletrico no instante inicial,
i.e., E(x, t) = E0 (x). O efeito piezoeletrico faz com que dois sinais se propagem, um para a direita e
outro para a esquerda, como mostrado na Figura 5.14.
A diferenca de potencial no instante inicial e dada por Qo /C. Com a propagaca o da onda acustica,
a diferenca de potencial ira diminuir linearmente, uma vez que a onda se propaga com velocidade
constante. Esse comportamento e mostrado na Figura 5.15.

V (t) = (

Qo
Qo t
Qo t
Qo
k2
)u(t) + (k 2
k 2 )u(t 2 )
C
C 2
C 2
C

(5.96)

onde = d/(2v )
A impedancia pode ser obtida dividindo a transformada de Laplace da resposta ao impulso, por
Qo , i.e., Z(s) =

V (s)
.
Qo

33

E(t=0)
E0

x
-d/2

d/2

E(t=t1)

E 0 (1-k 2)
E 0 k2 /2

E(t=t2)

Figura 5.14. Campo eletrico na presenca de piezoeletricidade. Uma componente se progaga para a
esquerda e a outra para a direita.

34

V(t)

0 2
k (d-v t)
2

Q0
C
2

(1-k )

Q0
C

t
8

d/v

Figura 5.15. Evoluca o temporal da diferenca de potencial entre os eletrodos. A onda acustica surge
entre os eletrodos e se propaga afastando-se deles. Enquanto a onda tem energia entre os eletrodos,
a diferenca de potencial e constante, quando ela ultrapassa e esta toda contida no meio externo a` s
placas, a diferenca de potencial passa a ser constante.

V (s) =

Qo
Qo
Qo 1
2
Qo
+ k2 2
+ (k 2
( 2 ) k 2 )e2s
sC
2s C
2C s
s
sC

(5.97)

Passando do domnio de Laplace para o domnio de Fourier (s j), obtem-se.

1
k2
[1
(1 e2j )]
j
2j

(5.98)

Z() =

1
k2
k2
[1
+
(cos 2 jsen2 )]
j
2j
2j

(5.99)

Z() =

1
k2
sen2
[1 cos 2 ] +
[1 k 2
]
2
2
2 C
jC
2

(5.100)

Z() =

Lembrando que cos 2 = cos2 sen2 , obtem-se a impedancia de duas placas paralelas,
imersas em um material piezoeletrico.

Z() =

k 2 sen2
1
2 sen2
+
[1

k
]
C 2 2
jC
2

(5.101)

Como se pode observar, a existencia de piezoeletricidade faz com que a impedancia tenha uma
componente resistiva e uma componente reativa. Fazendo k 2 igual a zero, a estrutura volta a ser uma
35

simples capacitancia. E importante ressaltar que essa soluca o foi obtida considerando apenas um par
de placas.

5.4.1. Propagaca o de ondas na superfcie

Considerando agora a configuraca o em que o meio elastico ocupa apenas um semi-espaco e que a
onda elastica se propaga na interface entre o meio elastico e o vacuo, como mostrado na Figura 5.6a.
Note que o material piezoeletrico preenche a regiao para z > 0. O objetivo e obter uma expressao
que relacione o potencial eletrico com a distribuica o de carga na superfcie do material piezoeletrico.
No interior do meio elastico, a soluca o procurada e uma onda plana que se propaga na interface,
mas que decai na direca o perpendicular a superfcie, V eKz z+jKx x . Por definica o, o campo eletrico
e dado pela expressao mostrada na Equaca o 5.102.

~ = sup V
~
D

(5.102)

onde sup e a constante dieletrica da superfcie do material.

Substitutindo V na equaca o acima, obtem-se:

V
= sup jKx Vo
x
V
=
= sup Kz Vo
z

Dx =

(5.103)

Dz

(5.104)

~ V
~ = 0).
Assumindo que nao ha cargas livres no interior do material e usando a lei de Gauss, (.
Conclui-se:

Kz =

p
Kx2 = |Kx |

(5.105)

Se a parte real de Kz for positiva, a soluca o sera exponencialmente decrescente para z > 0.
Dz (Kx )
= Kz = sup |Kx |,
Vo (Kx )

z>0

(5.106)

O meio externo, de constante dieletrica ext , esta localizado em z < 0. A soluca o procurada
tambem e do tipo onda plana (eKz z+jKx x ). Aplicando a lei de Gauss, obtem-se:
36

Kz =

|Kx2 | = |Kx |

(5.107)

Usando a definica o do campo eletrico em termos do potencial eletrico.

Dz,ext (K)
= ext Kz = ext |Kx |,
Vo,ext (Kx )

z<0

(5.108)

Agora e necessario aplicar as condico es de contorno para obter a equaca o procurada. A superfcie
se encontra em z = 0. No que segue, nao mais sera escrito o ndice x. As condico es de contorno sao
a continuidade do potencial e a lei de Gauss aplicada a componente normal do campo eletrico.

Vo,ext (K) = Vo (K)

(5.109)

Dz (K) Dz,ext (K) = o (K)

(5.110)

Combinando com as Equaco es 5.106 e 5.108.

sup |K|Vo (K) + ext |K|Vo,ext (K) = o (K)

(5.111)

1
1
Vo (K)
=
o (K)
sup + ext |K|

(5.112)

Supondo que o meio elastico seja piezoeletrico, sup sup,p .

V (K)
1
1
1
1 1
=
=
=
(K)
|K|p
|K| sup,p + ext
|K| p

(5.113)

Na secca o 5.3.1, foi obtido que:

1
sup,p

1
sup

(1

Definindo:

37

k2
)
2
1 v 2 /v

(5.114)

 = sup + ext
v2
2
v
k2

ext
ext + sup
sup
= k2
sup + ext (1 k 2 )

= 1 k2

(5.115)
(5.116)
(5.117)

Obtem-se, apos algumas contas:

1
1
k2
= (1
)
p

1 v 2 /v2

(5.118)

Substituindo a equaca o acima na Equaca o 5.113 e usando a Equaca o 5.112, obtem-se que o potencial pode ser escrito como mostrado na Equaca o 5.119.

V = Vo

k2
Vo
1 v 2 /v2

(5.119)

O primeiro termo e o potencial aplicado nos eletrodos. Ja o segundo termo esta relacionado com
as ondas que se propagam para a direita e para a esquerda. Substituindo a Equaca o 5.112 no segundo
termo da Equaca o 5.119, obtem-se a Equaca o 5.120.

Vprop (K) =

1
k2
o (K)
|K| 1 v 2 /v2

(5.120)

Reescrevendo em termos do numero de onda, K.

Vprop (K) =

k2
K2
(s, K)
|K| K 2 2 /v2

(5.121)

Passando do domnio de Fourier para o domnio de Laplace, j s ou 2 s2 .

k2
K2
k2
|K|
Vprop (s, K) =
(s, K) = 2
(s, K)

2
2
2
|K| K + s /v
K + s2 /v2

(5.122)

Aplicando o teorema da convoluca o.

k2 v s| vx |
e (x)
(5.123)
2s
onde (K) = |K|(s, K). Fazendo a transformada inversa obtem-se que j(x) = d(x)/dx para
Vprop (s, x) =

K > 0. Lembrando que

38

x12

/4

x12 /4

/4

x12 + /4

Figura 5.16. Estrutura simplificada de dispositivo OAS, com apenas um par de dentes na entrada e
outro par na sada.

v s| vx
e |
2s

1
2
K 2 +s2 /v

Em termos da freque ncia (s j).

k2 v j v |x| 1 d(x)
Vprop (, x) =
e
2j
j dx

(5.124)

Integrando por partes, obtem-se a Equaca o 5.125.

Vprop (, x) =
Substituindo (K ) =

k2
(K )ejK |x|
2

(x)ejK x dx e definindo (K ) =

Vprop (, x) =

(5.125)
W
(K ),
2jQo

obtem-se a Equaca o 5.126.

k 2 (K )
I()ejK |x|
j W

(5.126)

Lembrando que no domnio da freque ncia, Q() = I()/(j) = Q0 /(j), pois a carga Q0 e
colocada em t = 0 e portanto Q() e a resposta ao degrau.
Supondo que essa onda propagante e detectada por um segundo par de eletrodos na outra extremidade do dispositivo, como mostrado na Figura 5.16, pode-se definir a transimpedancia.

V2 = Z21 Iprop,1

(5.127)

Usando que V2 = 2 (K )(Vprop (x12 /4)Vprop (x12 +/4)), a transimpedancia do dispositivo

OAS com um par de eletrodos na entrada e outro na sada e :
Z21 =

2k 2 1 (K )2 (K ) j|x12 |/v
e
W

onde x12 e a distancia entre os dois capacitores.

39

(5.128)

Impedancia da estrutura interdigitada com N eletrodos

O objetivo agora e obter uma expressao para a impedancia quando se tem N pares de eletrodos em
cada um dos transdutores. Como foi visto na secca o anterior, a impedancia e composta de dois
termos: um termo capacitivo e um termo de transimpedancia. Este u ltimo esta associado a` s ondas
que se propagam para a direita e para a esquerda. No regime de acoplamento fraco (k 2 1), a matriz
impedancia do dispositivo de ondas acusticas de superfcie pode ser aproximada por:

[Z] =

1
1
[I] + Ro [M ] =
([I] + jRo C[M ])
jC
jC

(5.129)

onde Mij = r|ij| = ej(o ) |ij| .

Para montar o dispositivo com N eletrodos, pode-se associar os pares de eletrodos em paralelo.
Nesse caso, o potencial sera o mesmo para todos os eletrodos e a corrente sera a soma.

Vl = V =
I =

X
li

Ii =

Zli Ii
X

(5.130)

Yil V

(5.131)

il

Assim sendo, a impedancia da estrutura completa e dada por:

[Z] =

1 X
([I] + jRo C[M ])il
jC il

(5.132)

Exemplo: Considerando dois pares de eletrodos (N = 2).

M =

[Z] =

1 r

r 1

1 r
1 1 0

+ Ro
jC
r 1
0 1

De acordo com a Equaca o 5.131, e necessario calcular os termos Yij , soma-los e calcular o
inverso para obter Z().

Z() =

1 (1 + jRo C)2 (jRo C)2 r2

2jC (1 + jRo C) (jRo C)r
40

NC

Ra = Ro

sen (N( - 0)d/2v)

N( - 0) d/2v

sen (N( - 0)d/2v) - N( - 0)d/2v

j2Ro
2
(N( - 0)d/2v)

Figura 5.17. Modelo de circuito para um transdutor OAS. A capacitancia N C e a capacitancia da

estrutura se o substrato nao fosse piezoeletrico.
Simplificando:

Z() =

1
(1 + r)
+ Ro
2jC
2

Para N qualquer a expressao da impedancia e como segue:

Z() =

1
+ Ro f (r)
N jC

(5.133)

onde

f (r) =

1
(N 1)r N r2 + rN +1
[N
+
2
]
N2
(1 r)2

Portanto a impedancia total e composta de uma componente capacitiva e uma segunda componente complexa. Para obter uma melhor ideia dessa segunda componente, e interessante avaliar como
ela se comporta proximo da ressonancia, i.e., o 0. Nesse caso:

r = ej(o ) = ej2x/N 1 j

f (r)

2x
N

(5.134)

) + cos 2x jsen2x
N 1 N (1 j 2x
1
1 + j2x + cos 2x jsen2x
N
[N

]
2
2
x
N
2x2
2 N2
(5.135)

Substituindo a Equaca o 5.135 na Equaca o 5.133, obtem-se a expressao para a impedancia proximo
a` freque ncia central.

41

j t
e

0 /8

0 /8

Figura 5.18. Para excitar a onda acustica, aplica-se um sinal harmonico no eletrodo.

Z() =

1
sen(N ( o )/2) 2
sen(N ( o )) N ( o )
+ Ro [(
) + 2j
]
jN C
N ( o )/2
(N ( o ))2

(5.136)

onde = L/v . Note que o terceiro term e nulo na freque ncia de ressonancia.
Portanto, o transdutor pode ser representado como sendo uma capacitancia de valor N C em serie
com uma impedancia cuja parte real proximo da freque ncia central tem um comportamento do tipo
(senx)/x e mais uma componente reativa. Esses termos estao representados na Figura 5.17. Quando
se considera a parte real, ve-se que a resposta em freque ncia da estrutura interdigitada e a de um filtro
passa-banda centrado em 0 .

5.4.2. Excitaca o de ondas de Rayleigh

Ha varias tecnicas para excitaca o de ondas de Rayleigh. Uma delas e usando o efeito piezoeletrico,
atraves da aplicaca o de um sinal harmonico no eletrodo. Para incorporar o efeito do eletrodo, escolhese condico es de contorno apropriadas.

xz

zz
onde, D =

Pn
i=0

z=0

z=0

= 0, x

0
x 6 D
=
eit x D

(5.137)
(5.138)

di e di = ((4i1)0 /8, (4i+1)0 /8) e o dente do eletrodo da estrutura interdigitada.

Note que o numero total de dentes e 2n + 1.

Considerando as Equaco es 5.18 e 5.19 para os potenciais, e , propoe-se soluco es harmonicas
e aplica-se as condico es de contorno acima. Como se trata de soluco es de Rayleigh, apenas a componente y do vetor potencial e nao nula, = (0, y , 0).
42

(x, z, t) =
Z

y (x, z, t) =

2 2
(k)ej(kx+ kl k zt) dk

(5.139)

2 2
y (k)ej(kx+ kt k zt) dk

(5.140)

Aplicando a condica o de contorno sobre xz (Equaca o 5.137). Obtem-se:

q
2k

kl2 k 2 (k) = [2k 2 kt2 ]y (k)

(5.141)

Aplicando agora a condica o sobre zz (Equaca o 5.138).

zz (x, z = 0, t) =

[(Ckl2 2kl2 + 2k 2 )(k) 2k

kt2 k 2 y (k)]ej(kxt) dk

(5.142)

Substituindo a Equaca o 5.141 na Equaca o 5.142.

zz (x, 0, t) =

p
(Ckl2 2kl2 + 2k 2 )(2k 2 kt2 )
p

2k
kt2 k 2 ]y (k)ej(kxt) dk (5.143)
2k kl2 k 2

Considerando que as ondas de Rayleigh estao sendo excitadas por uma estrutura que aplica uma
tensao constante (zz |z=0 = 1 ejt para x D) e usando que
Z

kt2
kl2

2.

F (k)
p
]y (k)ej(kxt) dk
2
2
kl k
2k
p
p
onde F (k) = (2k 2 2kt2 )2 + 4k 2 kt2 k 2 kl2 k 2 .
zz (x, 0, t) =

(5.144)

Calculando a transformada de zz (x, 0, t).

X 1 Z (4i+1)0 /8
1 X j4ki0 /8 senk0 /8
ejkx dx =
e
2

k
(4i1)
/8
0
i
i

(5.145)

Substituindo na Equaca o 5.144, obtem-se entao uma expressao para y (k). Usando a Equaca o 5.141,
obtem-se a expressao para (k).

43

90 /8 70 /8 50 /8 30 /8 0/8

d 2

0 /8

d 1

30 /8

50 /8

d1

70 /8

90 /8

d2

Figura 5.19. Corte lateral da estrutura interdigitada apresentando a regiao dos eletrodos. Nesse
exemplo, a estrutura e formada por tres dentes de um eletrodo e dois do outro.

p
1 2k kl2 k 2 X jk4i0 /8 sen(k0 /8)
e
y (k) =

F (k)
k
i
1 [2k 2 kt2 ] X jk4i0 /8 sen(k0 /8)
(k) =
e
F (k)
k
i

(5.146)
(5.147)

Para calcular uz , utiliza-se a Equaca o 5.20.

Z

uz (x, z, t) =

q
2 2
2 2
[(k)j kl2 k 2 ej kl k z + y (k)jkej kt k z ]ej(kxt) dk

(5.148)

Em z = 0
Z

uz (x, 0, t) =

[(k)j

[j

uz (x, 0, t) =

jkt2
uz (x, 0, t) =

kl2 k 2 + y (k)jk]ej(kxt) dk

(2k 2 kt2 )
+ jk]y (k)ej(kxt) dk
2k

p
kl2 k 2 X j4ki0 /8
e
sen(k0 /8)ej(kxt) dk
kF (k)
i

(5.149)

(5.150)

(5.151)

Similarmente, usando a Equaca o 5.21.

j
ux (x, 0, t) =

(2k 2 kt2 ) + 2

kt2 k 2
F (k)

kl2 k 2 X jk4i0 /8
e
sen(k0 /8)ej(kxt) dk
]
i

(5.152)
Para realizar a excitaca o das ondas de Rayleigh, pode-se utilizar entao o efeito piezoeletrico para
aplicar pressao mecanica na regiao dos dentes.
44

-3dB

-3dB

Transdutor

Figura 5.20. A perda de energia em um dispositivo OAS e no mnimo de 3dB, pois metade do sinal
se propaga no sentido oposto ao transdutor de recepca o.
O sinal eletrico e transformado no transdutor de entrada em pressao mecanica, gerando duas
frentes de onda mecanica que se propagam na superfcie (veja Figura 5.20). Uma dessas frentes
alcanca o transdutor de sada e e entao transformada de volta em sinal eletrico.

5.5. MODELO ELETRICO

DO DISPOSITIVO OAS
Construir um modelo e representar a informaca o relevante e abstrair os detalhes menos relevantes. Na
pratica existe um compromisso entre o nvel de detalhamento e velocidade computacional. Modelos
mais detalhados sao mais exatos, mas sao mais lentos. No entanto, e imprescindvel incorporar um
mnimo de detalhes essenciais sobre o dispositivo sendo modelado para nao perder aspectos importantes de seu comportamento. Do ponto de vista eletrico, e necessario avaliar o fluxo de energia do
gerador para a carga atraves do dispositivo OAS, de maneira a construir um modelo em termos de
elementos de circuitos eletricos.
Em termos de circuitos eletricos, existem diversos tipos de modelos, entre elas pode-se citar:
parametros Z, parametros S e outras combinaco es de elementos de circuitos.

encia
5.5.1. Resposta em frequ
Inicialmente, sera obtido o comportamento do sinal na sada do dispositivo OAS em funca o da
freque ncia, i.e., sera obtida a resposta em freque ncia do transdutor. Da teoria de circuitos eletricos
lineares, sabe-se que a resposta em freque ncia e a transformada de Fourier da resposta ao impulso.
No caso particular de dispositivos OAS, a resposta ao impulso e a mesma coisa que a distribuica o de
carga ao longo do comprimento. Portanto, a amplitude do sinal, A(x), e propordade de carga em x0 ,
ponderada pelocional a` densi deslocamento de fase. Assume-se que A(x) varia linearmente com a
amplitude da velocidade da partcula.

45

L/4

+L/4

L
L1

( ,x)dx

A(x)
x

dx
x

Figura 5.21. Estrtutura interdigitada para calculo da resposta em freque ncia utilizando o modelo
delta.

dA(x, x0 , ) = (, x0 )ejk(xx ) dx0

(5.153)

onde e o fator de acoplamento entre a carga e a deformaca o acustica.

A carga por unidade de comprimento na direca o de propagaca o e (x0 ), Q e a carga total em um
dente. Se a distribuica o de carga for uniforme, entao = Q/L1 para cada dente do transdutor, onde
L1 e a largura de um dente.
Z

(, x0 )ejk(xx ) dx0

(5.154)

Q L/4+L1 /2 jk(xx0 ) 0

A(x) =
e
dx
L1 L/4L1 /2
1

(5.155)

A(x, ) =

Considerando apenas um dente,

Fazendo uma mudanca de variavel, u x0 L/4.

A(x)

A(x)

L1 /2

Q jk(xL/4) ejkL1 /2 ejkL1 /2

e
du =
e
L1
jk
L1 /2
sen(kL1 /2)
= Qejk(xL/4)
kL1 /2
Q
=
L1

jk(xuL/4)

(5.156)
(5.157)

O dente do eletrodo considerado ate agora, tem carga Q, portanto seu vizinho tem carga Q.
Assim sendo, para um par de dentes:

46


sen(kL1 /2)
sen(kL1 /2)

= 2jQejkx sen(kL/4)
A(x) = Qejkx (ejkL/4 ejkL/4 )
kL1 /2
kL1 /2
2

(5.158)

Considerando um dispositivo com N pares, centrados em x0 = nL

N
1
X

A(x) =

n=0
N
1
X

A(x) =

2jQejkx sen(kL/4)

sen(kL1 /2) jknL

e
kL1 /2

Qejk(xnL) (ejkL/4 ejkL/4 )

n=0

PN 1
n=0

(ejkL )n =

(5.160)

N 1
sen(L1 /) X jknL
e
L1 / n=0

(5.161)

sen(L1 /) 1 ejkLN
L1 /
1 ejkL

(5.162)

sen(L1 /) senkLN/2 jkL(N 1)/2

e
L1 /
senkL/2

(5.163)

A(x) = 2jQejkx sen(kL/4)

Usando a identidade,

sen(kL1 /2)
kL1 /2

(5.159)

1ejkLN
.
1ejkL

A(x) = 2jQejkx sen(kL/4)

A(x) = 2jQejkx sen(kL/4)

Observando ainda que sen(2) = 2sen() cos().

A(x) = jQejkx

sen(kN L/2) sen(L1 /) jkL(N 1)/2

e
cos(kL/4)
L1 /

(5.164)

Calculando o modulo de A(x).

sen(kN L/2) sen(L /)

1
|A(x)| = Q

cos(kL/4)
L1 /

(5.165)

Fazendo A(x) = 0, observa-se que os dois primeiros zeros proximos ao maximo, ocorrem em
kL = 2(1

1
),
N

1 N
) ) = 0
N 2
1 N
sen(2(1 ) ) = 0
N 2
sen(2(1 +

47

(5.166)
(5.167)

Com isso pode-se estimar a banda passante. Certamente o valor sendo estimado e maior que a
banda passante a 3dB.

= vR k = vR k0

2
2
= 0
N
N

f
2

=
=
0
f0
N

(5.168)

(5.169)

Portanto, a banda passante do dispositivo OAS e inversamente proporcional ao numero de pares

de dentes da estrutura interdigitada, enquanto a resposta em freque ncia apresenta o comportamento
apresentado na Equaca o 5.165.
sen(kN L/2)

|A(x)| = Q

cos(kL/4)

(5.170)

1 /)
onde, = sen(L
const, pois esse termo varia muito pouco sobre a largura de banda do
L1 /

transdutor, que e determinada pelo primeiro termo. E assumido que o dispositivo tem um grande
numero de pares de dentes (N grande). Definindo, a:
k k0
0
a
=
=
k0
0
N

(5.171)

Para N grande:

a
NL
+ k0 )
) = sen(a + N ) = (1)N sen(a)
N
2
a
L
a

a
cos((
+ k0 ) ) = cos(
+ )
N
4
2N
2
2N

sen((

(5.172)
(5.173)

Finalmente, obtem-se a resposta em freque ncia simplificada do ressonador a ondas acusticas de

superfcie.
sen(N 0 )

0
|A(x)| = 2QN

0
N
0

48

(5.174)

Z11

Z22

Z21 I1

Z12 I2

Figura 5.22. Parametros Z. Z11 e a impedancia de entrada, Z12 e a transcondutancia de entrada, Z22
e a impedancia de sada, Z21 e a transcondutancia de sada.

5.5.2. Funca o de transferencia - parametros Z

De acordo com o que foi obtido na Secca o 5.4.1, a estrutura do dispositivo OAS pode ser representada
por um capacitor, alguma resistencia que representa o consumo de potencia e o acoplamento entre
o transdutor de entrada e o transdutor de sada. Com base nessas observaco es pode-se modelar o
comportamento eletrico do dispositivo por uma matriz Z.

V1 = Z11 I1 + Z12 I2

(5.175)

V2 = Z21 I1 + Z22 I2

(5.176)

Os parametros Z representam impedancias e fontes de tensao controlada, conforme indicado na

Figura 5.22. Z11 e a impedancia de entrada, Z12 e a transcondutancia de entrada, Z22 e a impedancia
de sada, Z21 e a transcondutancia de sada.
Para a estrutura planar, com o material piezoeletrico ocupando um semi-espaco e considerando
apenas um par de eletrodos na entrada e outro na sada, conforme indicado na Figura 5.16.

Zii Rci +

1
jCi

(5.177)

onde i = 1, 2, Rci e a impedancia caracterstica e Ci e a capacitancia da estrutura interdigitada.

Rci =

1, 4k 2
2k 2
i2 (K )
(1 + )0 Wi
(1 + )0 W

onde BF (1 k 2 ) + ext e W e o comprimento do dente.

49

1
Ci = (1 + )0 Wi
2

As transcondutancias Z12 e Z21 representam o acoplamento entre entrada e sada. Devido a` simetria, o acoplamento direto e igual ao acoplamento reverso (Z12 = Z21 ). Para ondas de Rayleigh
(Secca o 5.4.1):

Z21 =

2k 2 1 (K )2 (K ) j|x12 |/v
e
W

(5.178)

onde x12 = v 12 e a distancia entre os dois capacitores e = sup + ext

Se os transdutores nao estiverem alinhados ou mesmo nao tenham a mesma dimensao, entao:

Z21 =

2k 2 1 2 W12 j12
e
(1 + )0 W1 W2

(5.179)

Considerando um dispositivo com N + 1 dentes, portanto N capacitores planares. A impedancia

de um dos transdutores (Equaca o 5.136) pode ser reescrita como:

Z() =

1
+ Ra + jXa
jN C

(5.180)

)2T
onde Ra = R0 ( senT(T ) )2 , Xa = R0 sen(2T
, = L/v e T = .
2T 2

Essa configuraca o esta mostrada na Figura 5.23.

Parametros Y
Os parametros Y sao preferidos em situaco es em que e mais facil curto-circuitar (fazer vv = 0) na
entrada e na sada do que abrir (fazer ii = 0).

I1 = Y11 V1 + Y12 V2

(5.181)

I2 = Y21 V1 + Y22 V2

(5.182)

A expressao da impedancia do transdutor pode ser reescrita em termos de admitancia. Esse modelo e o circuito equivalente paralelo, que tambem esta representado na Figura 5.23.

50

NC

Ga

Ra

Xa

NC

Xa

Equivalente serie

Equivalente paralelo

Figura 5.23. O circuito equivalente pode ter duas representaco es: serie e paralelo.

5.5.3. Funca o de transferencia - parametros S

Para freque ncias na faixa de RF e microondas fica difcil obter um bom curto ou um circuito-aberto
e ate mesmo uma boa medica o da d.d.p e da corrente. Assim sendo a caracterizaca o utilizando
parametros Z ou Y nao sao praticas. Nessa faixa de freque ncia pode-se utilizar os parametros S, os
quais representam a passagem de ondas viajantes, isto e a1 e a2 representam ondas incidentes nas
portas 1 e 2 respectivamente, enquanto que b1 e b2 representam ondas emergentes nas portas 1 e 2
respectivamente.

V (x) = V + ex + V ex

(5.183)

onde o primeiro termo se propaga para a direita e o segundo se propaga para a esquerda.
Escrevendo em forma matricial.

b1 = S11 a1 + S12 a2

(5.184)

b2 = S21 a1 + S22 a2

(5.185)

onde a1,2 = V1,2

/ Z0 e b1,2 = V1,2
/ Z0 .
S11 = 11 representa o coeficiente de reflexao, com a porta 2 casada.
S22 = 22 representa o coeficiente de reflexao, com a porta 1 casada.
S12 = T12 representa o coeficiente de transmissao direto.
S21 = T21 representa o coeficiente de transmissao reverso.
Propriedades da matriz [S]:
51

a1

S21
1

S11

b2

S22

S12
a2

b1

Figura 5.24. Rede de dois acessos com parametros S. Os parametros S formam a matriz conhecida
como matriz de espalhamento.
Simetria, S = S t
Unitariedade,
Zero,

Sij Sij = 1

Sik Sij = 0, para k 6= j.

Deslocamento de fase.
Os parametros S sao medidos pelo Analisador de Rede. Esse equipamento pode ser escalar ou
vetorial, unidirecional ou bidirecional. O modelo escalar mede apenas o modulo dos parametros de
espalhamento, enquanto o modelo vetorial mede o modulo e a fase. Ja o modelo unidirecional mede
apenas dois parametros de cada vez, enquanto o modelo bidirecional mede os quatro parametros.
A medica o do parametro S21 em dB pode ser usado para obter a perda de inserca o (IL - Insertion
loss). Medindo-se a potencia transmitida antes e depois da inserca o do dispositivo. Se a medida for
corretamente calibrada, a perda de inserca o, e o valor logaritmco da razao entre a potencia entregue
a carga e a potencia fornecida pela fonte, portanto quanto mais perto de zero melhor.

IL = 10 log

Pcarga
= 20 log S21
Pen

(5.186)

Dispositivos OAS tem alta perda de inserca o, entre 15dB e 30dB . Para reduzi-la pode-se adicionar refletores acusticos entre os dentes do transdutor. Uma maneira de reduzir a perda de inserca o
e utilizar a estrutura SPUDT, isto e acrescenta-se um refletor acustico entre os dentes do transdutor,
veja a Figura 5.25.
Metade

da energia convertida em sinal acustico e sempre perdida, uma vez que estara se propagando no

sentido oposto ao transdutor de recepca o, o que representa uma perda de inserca o de 3dB.

52

Figura 5.25. A estrutura mostrada e utilizada para diminuir a perda de inserca o. Essa estrutura e
denominada de SPUDT - Single Phase UniDirectional Transducer.
Outro parametro de interesse e a perda de retorno (Return Loss). Ela e a razao entre a potencia
refletida e a potencia de entrada em decibel.

RL = 10 log

Pref letida
Pen

(5.187)

A constante de atenuaca o, e a razao entre a potencia perdida media por unidade de comprimento,
Pperdida , e a potencia transmitida, Ptrans .

Pperdida
2Ptrans

(5.188)

O retardo de grupo e uma medida de quanto tempo o sinal leva para atravessar o dispositivo. Para
defini-lo e necessario definir antes a fase de transmissao.

T = arg(IL)

(5.189)

Calculando a derivada da fase em relaca o a freque ncia, obtem-se o atraso de grupo.

1 dT
2 df

(5.190)

Earmazenada
Pdissipada

(5.191)

G =
Fator de qualidade:

Q=

53

O dispositivo OAS pode ter reflexoes nas bordas, esse sinal refletido pode ser capturado pelo
transdutor de sada, fazendo surgir um eco. Esse sinal e denominado de eco da terceira passagem
(Triple transit echo), causando uma modulaca o de S21 .
|S21 |max
|S21 |min

(5.192)

Ha duas tecnicas utilizadas para reduzir o eco:

Aplicaca o de um absorvedor acustico nas bordas;
Posicionamento da estrutura interdigitada levemente inclinada em relaca o a` borda do cristal.
Os parametros S estao relacionados com os parametros Z. Pode-se mostra que:

[S] = ([Z] [Z0 ])([Z] + [Z0 ])1

(5.193)

Para um dispositivo com duas portas (dois acessos):

Z Z0 =

Z11 Z0

Z12

Z21

Z22 Z0

(Z + Z0 )1 =

(5.194)

1
(Z11 + Z0 )(Z22 + Z0 ) Z12 Z21

(5.195)

Z22 + Z0

Z12

Z21

Z11 + Z0

O parametro, S21 , referente a` transmissao de potencia pode ser facilmente calculado em termos
das impedancias.

S21 =

2Z0 Z21
(Z11 + Z0 )(Z22 + Z0 ) Z12 Z21

54

(5.196)

Carga

Fonte

Figura 5.26. Dispositivo OAS completo com dois transdutores interdigitados, interligado com a fonte
e a carga.

5.5.4. Modelo SPICE

No dispositivo OAS, a energia eletromagnetica fornecida pelo gerador flui atraves da linha de transmissao entre o gerador e o dispositivo e e parcialmente refletida ao chegar ao transdutor de entrada no
dipositivo. A quantidade de energia refletida depende do casamento entre a impedancia do gerador
vista a partir do transdutor de entrada e a impedancia do transdutor de entrada. A potencia transmitida e convertida em potencia acustica, parte dessa potencia e transmitida para o segundo transdutor
e a outra metade e transmitida no sentido oposto, como e mostrado na Figura 5.26. A potencia entregue ao segundo transdutor e convertida de volta em potencia eletromagnetica e assumindo que a
impedancia do transdutor de sada esteja casada com a impedancia da carga, a potencia e finalmente
toda entregue a` carga.
Um modelo eletrico para um dos transdutores do dispositivo OAS pode ser construdo a partir
da teoria dos modos acoplados[9,10,11,12], quando se considera amplitudes da onda que se propaga
para direita e para esquerda e a corrente no transdutor. Para um transdutor sem perdas, a teoria dos
modos acoplados leva ao sistema de equaco es apresentado nas Equaco es 5.197, 5.198 e 5.199.

dA1 (x)
= jk11 A1 (x) jk12 ej2x A2 (x) + ejx V
dx
dA2 (x)
j2x
= jk12
e
A1 (x) + jk11 A2 (x) ejx V
dx
dI(x)
= 2 ejx A1 (x) + 2ejx A2 (x) + jCV
dx

(5.197)
(5.198)
(5.199)

A velocidade para a direita v + (x) e para a esquerda v (x) pode ser escrita em termos da amplitude.
55

V
CT

j2 Zo
-j2 Zo

Figura 5.27. Circuito equivalente para um transdutor interdigitado para excitaca o de ondas acusticas
de superfcie.

A1 (x) jkx
p 0 e
Z0
A2 (x)
v (x) = p 0 ejkx
Z0
v + (x) =

(5.200)
(5.201)

onde Z00 e a impedancia acustica caracterstica e k = /vsaw .

Substituindo as Equaco es 5.200 e 5.201 nas Equaco es 5.197, 5.198 e 5.199, obtem-se apos alguma
manipulaca o, o sistema de equaco es mostrado em forma matricial na Equaca o 5.202.

jCT +

2
j2Z0

Z0
2
j2 ZC
Z0
j2
Z2

Z0
2
j2 ZC

Z0
j2
Z2

Z0
1
2 jtan2
ZC

Z0
Z12 jsen2
C

Z12

Z0
jsen2

Z0
1
2 jtan2
ZC

=
F1
v1

F2
v2

(5.202)

Os elementos da matriz (Equaca o 5.202) podem ser interpretados como combinaca o de componentes de circuito eletrico, como mostrado na Figura 5.27. A impedancia j2Z0 pode ser representada
por um circuito LC serie.

j2Z0 = j
onde s1 = 0 (1

k11
k0

N
( s1 )
f0

(5.203)

k12
)
k0

A impedancia de um circuito LC serie pode ser escrita como mostrado na Equaca o 5.204.
56

Iz

Iz

Figura 5.28. Circuito equivalente para trocar o sinal de uma impedancia.

1 ( + LC )
Z() = jL(
)

LC

(5.204)

Proximo da freque ncia de ressonancia:

Z() j2L(
Comparando com j2Z0 , obtem-se L =

N
2f0

eC =

1
)
LC

(5.205)

1
2 ,
Ls1

O outro componente e uma impedancia negativa, j2Z0 . Para implementar essa impedancia
pode-se utilizar uma fonte de corrente controlada. Considerando o circuito mostrado na Figura 5.28,
observa-se que foi colocado uma fonte de corrente controlada em paralelo com a impedancia que se
quer trocar o sinal (veja a Figura 5.28). A corrente nos terminais do circuito e dado pela Equaca o 5.206.

I = Iz Iz

(5.206)

Calculando a impedancia.

Zneg =

1
Vz
=
Z
Iz
1

(5.207)

Fazendo = 2, obtem-se Zneg = Z.

Alem desses, tem-se o transformador que representa o acoplamento piezoeletrico, o capacitor da
estrutura interdigitada e as linhas de transmissao. O modelo final e apresentado na Figura 5.29.
O modelo obtido representa apenas um dos transdutores. Para construir uma linha de retardo e
necessario combinar duas estruturas interdigitadas. Portanto, sera necessario combinar dois circuitos

57

V
CT

:1

Electrical
port

L/2

L/2

2C

Acoustical
port 1

2C

2i

Acoustical
port 2

Figura 5.29. Modelo SPICE para um transdutor. Um dispositivo OAS requer a utilizaca o de dois
transdutores.
como o da Figura 5.29 e entre eles colocar uma linha de transmissao para representar o atraso que a
onda mecanica sofre ao se propagar do transdutor de entrada para o transdutor de sada.
Linha de retardo
Para demonstrar o uso do modelo, considera-se uma linha de retardo com freque ncia central,
f0 = 50M Hz. Os outros parametros sao N = 20, W = 6mm, d = 100 = 3, 16mm, k 2 = 0, 0016,
vsaw = 3160m/s, = 4, 50 (Quartzo). Para especificar a linha de transmissao sem perda e necessario
estabelecer dois parametros: o retardo e a impedancia caracterstica. O resultado da simulaca o SPICE
da linha de retardo e apresentado na Figura 5.30, onde se ve a resposta em freque ncia obtida com a
simulaca o. Como esperado, a linha de retardo se comporta como um filtro passa-banda.
Ressonador
Um ressonador pode ser simulado, curto-circuitando as portas acusticas no modelo SPICE. A admitancia nesse caso e dada por:

Y = jCT +
58

2
j2Z0

(5.208)

Tabela 5.6.Parametros do modelo.

Equac

ao
f0 = 50M Hz
CT

N (1 + )0 W/2

2, 92pF

N
2f0

200nH

1
2
Ls1

50pF

2.268N 2 0 Cs k 2

66, 62

IDT

N/f0

0.4s

d/2vsaw

0.5s

Z0
Z00

1
Normalizado

A simulaca o da resposta em freque ncia de um ressonador OAS no simulador SPICE apresenta a

ressonancia em 50M Hz, como projetado.

Exemplo de listagem SPICE

Todos os parametros do modelo podem ser rapidamente calculados para uma dada estrutura interdigitada e substrato piezoeletrico. Uma listagem SPICE e apresentada a seguir.

* Modelo SPICE do dispositivo OAS

* (c) 2000 Edval J. P. Santos

.SUBCKT oas 1 2 3 4 5 6
*

| | | | | |____ porta acustica 2-

| | | | |______ porta acustica 2+

| | | |________ porta acustica 1-

| | |__________ porta acustica 1+

| |____________ porta eletrica -

|______________ porta eletrica +

*
* capacitancia do IDT
* N*Cs

59

Figura 5.30. Simulaca o da resposta em freque ncia de uma linha de retardo OAS com vinte pares de
dentes, N = 20, projetado para operar em 50MHz.
CT 1 2 2.92P
***************************************************
* Modelo do transformador
Rpri

1 11 0.1

Lpri 11

2 1

Rsec 21 22 0.1
* Valor de Lsec= phi2
Lsec 22 24 66.62U
Ktrans Lpri Lsec 1
***************************************************
C1 21 31 104P
L1 31 26 100N
R1 21 26 100MEG

60

Figura 5.31. Simulaca o da resposta em freque ncia de um ressonador OAS com vinte pares de dentes,
N = 20, projetado para operar em 50MHz.
C2 24 32 104P
L2 32 25 100N
R2 24 25 100MEG

* Impedancia negativa
C3 25 33 52P
L3 33 34 200N
R3 25 34 100MEG
V3 34 26 0
Fneg 26 25 V3 2
*
R4 27 0 1
R5 28 0 1
***************************************************

61

* Retardos lateriais e rede-pi

Tdentes 25 27 26 28 Z0=1 TD=0.4U
Tlateral1 25 27 3 4 Z0=1 TD=0.5U
Tlateral2 26 28 5 6 Z0=1 TD=0.5U

R8 4 0 100MEG
R9 6 0 100MEG
.ENDS

62

B( )

A( )

Figura 5.32. O oscilador OAS consiste de um amplificador com uma linha de retardo OAS na malha
de realimentaca o.

5.6. PROJETO DO OSCILADOR OAS

Tipicamente o sensor OAS e realizado na forma de um oscilador. De maneira que variaco es de
freque ncia possam ser relacionadas com variaco es da grandeza de interesse. O dispositivo OAS pode
ser utilizado como ressonador ou como linha de retardo. Como ressonador ele substitui o circuito
tanque LC, como linha de retardo, ele e colocado na malha de realimentaca o de um amplificador
de RF. Um exemplo de oscilador utilizando o dispositivo OAS como linha de atraso e mostrado na
Figura 5.32.
De qualquer forma ha dois componentes chaves: amplificador de RF e dispositivo OAS. Para se
desenvolver o projeto do dispositivo OAS, e necessario considerar os seguintes aspectos:
Definica o da freque ncia central;
Escolha do material para o substrato (velocidade de propagaca o e estabilidade de temperatura);
Especificaca o da pureza harmonica (largura de banda), seletividade espectral;
Dimensionamento do retardo;
Especificaca o, calculo das admitancias de entrada e sada (dimensoes);
Casamento das impedancias;
Simulaca o e avaliaca o dos efeitos de segunda ordem.

63

Figura 5.33. Amplificador de RF sintonizado a 250M Hz, projetado no LDN.

No caso do amplificador, tipicamente ele deve ter ganho acima de 30dB, na freque ncia de interesse, ser estavel e de baixo rudo, especialmente baixo rudo de fase. Na Figura 5.33 e apresentado
um amplificador de RF projetado por V. M. da Silva, no LDN, e fabricado pela Austria MikroSysteme via o programa Europractice. Esse amplificador esta projetado para ter ganho acima de 20dB a
250M Hz.

5.6.1. Condica o de oscilaca o

Como foi dito acima, uma linha de retardo OAS pode ser utilizada para a construca o do oscilador. De
acordo com o criterio de Nyquist, o sistema oscila se o ganho de malha for unitario e a fase for um
multiplo de 2, na freque ncia de oscilaca o.

|A()||B()| = 1
malha = 2m

(5.209)
(5.210)

onde m = 1, 2, 3, ....
A freque ncia de oscilaca o e determinada pelo retardo total. Em um sistema onde a malha de
realimentaca o consiste de uma linha de retardo OAS, a maior contribuica o para o retardo e dada pelo
trecho acustico. Alias, essa e a grande vantagem da linha de retardo acustica.
64

malha = 2f0 (Amp + IDT 1 + D + IDT 2 )

(5.211)

onde Amp e o retardo do amplificador, IDT 1 e IDT 2 sao os retardos na regiao do transdutor e D e o
retardo na regiao de entre os transdutores.

malha D =

x12

(5.212)

onde x12 e a separaca o entre os transdutores. A condica o de coerencia determina que malha = 2m.
Assim sendo a freque ncia de oscilaca o e dada por:

f m

v
x12

(5.213)

Exemplo: Considere um dispositivo OAS fabricado sobre um material piezoeletrico cuja veloci
dade de propagaca o da onda acustica seja v
= 3000m/s, com separaca o, x12 , entre os transdu-

tores de 0, 5cm e que a regiao interdigitada foi projetada para excitar ondas com freque ncia central
f = 300M Hz. Qual o valor de m?
Resposta: m = 500
A rigor o espacamento a ser considerado no calculo do retardo e do centro de um transdutor para o
centro do outro. E importante salientar que o espacamento entre os dentes deve ser igual a` metade do

comprimento de onda da oscilaca o na freque ncia central, 0 /2 = v

/(2f0 ), e o espacamento entre as

estruturas interdigitadas (transdutores) deve ser um multiplo desse comprimento de onda, L = m0 .

5.6.2. Circuito eletrico

Para completar o projeto do oscilador e necessario considerar o dispositivo OAS como parte do circuito eletrico. Como a conexao da malha de realimentaca o e do no de sada para o no de entrada,
e mais pratico analisar o circuito utilizando parametros Y . Na Figura 5.33 e mostrado o dispositivo
OAS representado por parametros Y , conectado a` fonte de sinal e a` carga. Os parametros do modelo
sao apresentados a seguir.

65

Yfonte

u1
Y11

u2

Y12V2

Y21V1

ufonte

Y22
Ycarga

Figura 5.33. Modelo do dispositivo a ondas acusticas de superfcie usando parametros Y , incluindo
a admitancia da fonte e da carga.

Yf onte = Gf onte

(5.214)

Y11 = Gidt1 + sCidt1

(5.215)

Y22 = Gidt2 + sCidt2

(5.216)

Ycarga = Gcarga + sCcarga

(5.217)

Calculando a razao u2 /uf onte , obtem-se a funca o de transferencia de tensao.

u2
uf onte

Yf onte Y21
Y12 Y21 (Yf onte + Y11 )(Ycarga + Y22 )

(5.218)

Para avaliar Y21 do dispositivo OAS, deve-se levar em consideraca o as particularidades de seu
funcionamento. Considerando o fluxo de potencia a partir da fonte, tem-se que a potencia enviada
pelo primeiro transdutor, P21 , e a amplitude da tensao em seus terminais ao quadrado dividida pela
resistencia de radiaca o.
2
u 2
1
(Y22 + Ycarga )Yf onte uf onte
1
Gidt1
P21 =
Gidt1 =
2 Y21 Y12 (Y22 + Ycarga )(Yf onte + Y11 )
2

(5.219)

Calculando a potencia entregue a` carga, obtem-se a Equaca o 5.220.

Pcarga

i2carga
1
Y21 u1 Ycarga 2
=
=
(
)
2Gcarga
2Gcarga Y22 + Ycarga

(5.220)

Apenas metade da potencia se propaga para o segundo transdutor (Secca o 5.4). Portanto, se nao
houver perdas durante a propagaca o, P2 = P21 /2, i.e., a potencia recebida pelo segundo transdutor

66

e igual a` metade da potencia enviada pelo primeiro transdutork . A potencia recebida pelo segundo
transdutor e dada pela Equaca o 5.221.

P2 =

1
Y21 u1 Y22 2
(
)
2Gidt2 Y22 + Ycarga

(5.221)

A tensao na carga (ucarga = u2 ) e o produto do negativo da corrente da fonte controlada, Y21 u1 ,

pela impedancia total de sada, (Y22 + Ycarga )1 .

ucarga = (Y21 u1 )

1
Y22 + Ycarga

(5.222)

ou

(Y21 u1 ) = (Y22 + Ycarga )ucarga

(5.223)

Elevando ao quadrado e usando a Equaca o 5.221.

(Y21 u1 )2 = (Y22 + Ycarga )2 u2carga = 2Gidt2 P2 (

(Y22 +

Ycarga )2 u2carga

Y22 + Ycarga 2
)
Y22

(5.224)

2
Y22 + Ycarga 2 1
(Y22 + Ycarga )Yf onte uf onte
= 2Gidt2 (
Gidt1
)
Y22
4 Y21 Y12 (Y22 + Ycarga )(Yf onte + Y11 )
(5.225)

Portanto,

2
u2carga
Y22 + Ycarga 2 1
(Y22 + Ycarga )Yf onte
1
)
=(
Gidt1 Gidt2
2
uf onte
Y22
2 Y21 Y12 (Y22 + Ycarga )(Yf onte + Y11 )
(Y22 + Ycarga )2
(5.226)
Desprezando o retorno de sinal, i.e., fazendo Y12 = 0.
u2carga
1 Yf onte 2 Gidt1 Gidt2
=
u2f onte
2 Yf onte + Y11
Y222
k Em

um dispositivo real sempre ha perdas na propagaca o do sinal entre os transdutores.

67

(5.227)

Em freque ncias altas, e necessario utilizar um amplificador de potencia e as impedancias devem

ser casadas para que a potencia transmitida seja maxima, i.e., Yf onte = Y11 e Ycarga = Y22 . O casamento da impedancia pode ser conseguido usando um indutor de maneira a cancelar a capacitancia,
e.g., Ycarga = Y22 = Gidt2 jCidt2 .
u2carga
1 Yf onte 2 Gidt2
=
u2f onte
2 Y22
Gidt1

(5.228)

Em dispositivos reais, as perdas podem ser maiores que 15dB e nao apenas os 3dB assumidos
aqui. Fazendo com que a potencia entregue a` carga seja menor que o estimado com a Equaca o 5.228.
Se o circuito for de baixa freque ncia, entao e desejavel fazer Yf onte Y11 e Ycarga Y22 .
ucarga
1
=
uf onte
2

Gidt1 Gidt2
Y22

(5.229)

5.7. PROJETO DE SENSORES OAS

Para projetar o sensor, e necessario dimensionar a a rea de detecca o, pois esta ira definir algumas das
dimensoes do dispositivo OAS. As equaco es basicas do projeto do dispositivo OAS estao apresentadas
na Tabela 5.7.
Tabela 5.7: Equaco es do projeto.

68

Grandeza

Equaca o

Detalhes

Freque ncia central

f0 = v/L

v e a velocidade da propagaca o da onda acustica

e L e o perodo da estrutura interdigitada.

f = (2f0 )/N

Banda passante
Capacitancia do transdutor

N e o numero de dentes.

CT = N (1 + )0 W/2 e a permissividade eletrica do substrato e W e

abertura do IDT.
Ga 8k 2 N f0 CT

Admitancia de acoplamento

admitancia paralela a CT . Essa admitancia deve

ser ajustada para casar com a fonte e carga.
Tipicamente, Ga 1/50 = 0, 02.

Impedancia de acoplamento

Ra = Ga /(2f0 CT )2

para obter Ra nao basta inverter Ga . E necessario

inverter a admitancia, Ya = Ga + jCT .

L = 1/(4 2 f02 CT )

Indutancia de casamento

O valor da indutancia e escolhido de maneira a

neutralizar a capacitancia da estrutura interdigitada na freque ncia de ressonancia.

(x12 + N L)/v

Retardo

x12 e o afastamento de uma borda a outra.

Note-se que a expressao da impdancia de acoplamento e a expressao apresentada na Equaca o 5.177,

reescrita em termo de CT e Ga .
4k 2
Ga
Ra = 2
=
f0 (1 + )0 W
(2f0 CT )2

(5.230)

Exemplo: Projete um dispositivo OAS com as seguintes caractersticas: W = 10mm, x12 =

10mm, N = 15, f0 = 250M Hz sobre quartzo.
Resposta:
Espacamento entre dentes=

vR
4f0

3160
=
250106

3, 160 106 m.

Banda passante 33M Hz

Capacitancia do transdutor= CT = 3, 65 1012 F
Ga = 0, 0175S
Ra = 533
69

 L = 0, 11 106 H
Retardo= 3, 16 106 s
Se necessario, um circuito de casamento de impedancia em L ou em T , pode transformar a impedancia do sensor em 50. O retardo deve ser tal que na freque ncia central, a fase seja um multiplo
de 2.
O projeto de um sensor utilizando linhas de retardo com base em OAS implica nos seguintes
aspectos:
Dimensionamento da a rea de detecca o;
Estimativa das impedancias, banda passante, retardo e atenuaca o para o projeto do amplificador.
Outros aspectos a serem considerados:
Sensibilidade desejada (aumenta com o quadrado da freque ncia);
Rudo (aumenta linearmente com a freque ncia). O rudo impoe um limite de detecca o;
Limite de detecca o de massa;
Tempo de resposta.
O dispositivo OAS, como foi visto, na Secca o 5.1.1, apresenta alta sensibilidade a diversas grandezas fsicas, tais como: temperatura, pressao, aceleraca o, campo eletrico, deslocamento e fluxo. Ele
tambem pode ser utilizado para se realizar sensores qumicos. Nesse tipo de aplicaca o e necessario
depositar uma camada adicional de material (veja a Tabela 5.8) para obter seletividade qumica. Existem varias tecnicas que podem ser utilizadas para aumentar a seletividade desses sensores, dentre elas
pode-se citar:
Preparaca o de uma interface quimicamente seletiva
Uso de um metodo cromatografico para separar as substancias a serem medidas
Preparaca o de uma matriz de microsensores cada um com uma camada quimicamente distinta
e usar tecnicas de reconhecimento de padrao
70

 Utilizaca o de uma membrana semipermeavel

Tabela 5.8: Materiais utilizados para dar seletividade qumica ao sensor OAS.
Camada

Gas

Difenilbenzidina

NO2

2,4, Dinitrofenilthydrazina

NO2

o - toluidina

NO2

Trietilenodiamina (TEDA)

SO2

Na(HgCl2 ) (hidratado)

SO2

Pb(C2 H3 O2 )2-5H2 )

H2 S

CuSO4 .5H2 O

H2 S

K[Ag(CN)2 ]

H2 S

Ninhidrina

NH3

CoCl2 .6H2 O

NH3

Polivinilpiridina (PVP)

HCl

5.7.1. Sensibilidade
A sensibilidade do sensor a uma propriedade, Xprop , e definida como sendo a derivada da freque ncia
em funca o da propriedade de interesse.

Sprop =

f
Xprop

(5.231)

No caso de um sensor OAS, a equaca o aproximada que descreve a variaca o de freque ncia e dada
pela Equaca o 5.232.

f = 1, 26 107 f02

m
A

(5.232)

Considerando a variaca o de massa na superfcie do sensor, a sensibilidade pode ser facilmente

calculada.

Sm =

f2
f
= 1, 26 107 0
m
A

71

(5.233)

A variaca o de massa mnima detectavel dependera da qualidade do amplificador em termos de

estabilidade e de rudo.

mmin =

1
fmin
Sm

(5.234)

Tabela 5.9. Estimativa de desempenho .

Freque ncia
Variaca o mnima detectavel
Area
30M Hz

1cm2

300 1012 g

300M Hz

0, 01cm2

0, 03 1012 g

No caso de sensor de gases utilizando ondas de Rayleigh a variaca o da freque ncia em funca o da
massa absorvida e dada por:

fgas = fcamada Cgas

(5.235)

onde fgas e o desvio de freque ncia devido a presenca do gas, fcamada e o desvio de freque ncia
devido a prsenca da camada seletiva, K e o coeficiente de partica o, i.e., e a razao entre a concentraca o
do gas na camada absorvente ou sensvel e a concentraca o do gas na fase gasosa (K = Cs /Cgas ),
Cgas e a concentraca o de gas na fase gasosa e e a densidade da camada sensvel.

Sm =

f
K
= fcamada
Cgas

(5.236)

Se o sensor for do tipo placa, utilizando ondas de Lamb, a freque ncia de vibraca o da placa varia
com a massa adsorvida de um meio gasoso de acordo com a expressao abaixo:
k2
f=
2

D
m

(5.237)

onde D e a rigidez da placa e m e a massa da placa.

Calculando a derivada, de acordo com a Equaca o 5.231, pode-se obter uma expressao para a
sensibilidade relativa a absorca o de massa.
A

a rea e estimada para uma impedancia de 50 e separaca o entre IDTs igual a 300. Assume-se que o

oscilador e estavel em 1ppm.

72

Figura 5.34. Simulaca o de sensor OAS utilizando o modelo apresentado na secca o 5.5.6. Os resultados sao comparados com resultados experimentais obtidos por H. Wohltjen (Sensors and Actuators,
5, 307 (1984)).

k2 D 1
Sm =
4 m3/2

(5.238)

Observa-se na Equaca o 5.238, que a sensibilidade e inversamente proporcional a` massa da placa.

Portanto, quanto mais fina a placa (menor m) maior a sensibilidade.
Para o caso de adsorca o de massa a partir de um lquido. A expressao para a variaca o da freque ncia
e modificada como apresentado na Equaca o 5.239.
v
k2 u
D
u
q
f=
t
2 m + + f
f f
2

(5.239)

onde f e sao parametros do lquido. Assume-se que o termo f /(2) e constante.

Calculando a derivada, de acordo com a Equaca o 5.231, obtem-se a sensbilidade do sensor imerso
em um lquido.

k2 D
1
q
Sm =
4 (m + + f )3/2
f f
2

(5.240)

Na Figura 5.34, sao apresentados resultados experimentais obtidos por Wohltjen e resultados de
simulaca o obtidos por Barbosa. Pode-se observar o comportamento linear da variaca o da freque ncia

73

com a variaca o da masssa. A expressao completa para a variaca o da freque ncia em termos da presenca
de uma camada e dada por:
h
40 0 + 0 i
hf02
f = (k1 + k2 ) k2 2
vR 0 + 20

(5.241)

onde k1 e k2 sao constantes do material piezoeletrico, f0 e a freque ncia do oscilador no estado nao
perturbado, h e a espessura do revestimento, e a densidade do revestimento, 0 e o modulo de
cisalhamento, 0 e a constante de Lame do revestimento e vR e a velocidade de Rayleigh. Para
revestimentos organicos, o segundo termo e desprezado. Considerando quartzo, k1 = 9, 33
108 m2 s/kg, k2 = 4.16 108 m2 s/kg, obtem-se a expressao da Equaca o 5.232, onde h = m/A.
No caso de lquidos, a pressao hidrostatica e a viscosidade sao problemas a serem enfrentados na
pesquisa de sensores OAS. Nem sempre e possvel combinar seletividade com reversibilidade.

DE SENSORES ELETROACUSTICOS

5.8. CARACTERIZAC
AO
Uma vez fabricados, os sensores precisam ser encapsulados, para que seja feita a conexao com o
circuito eletronico. Exemplos de encapsulamento para sensores isolados e o TO-8. No caso de sensor
combinado com a eletronica pode ser utilizado um encapsulamento do tipo PGA (Pin Grid Array).
Sensores de grandezas fsicas podem ser testados expostos ao ar. No caso de sensores qumicos pode
ser necessario colocar o sensor dentro de uma caixa para que sejam realizados os testes de desempenho
(veja Figura 5.35). Uma vez encapsulados, pode-se fazer a caracterizaca o dos mesmos.
Tipicamente, os dispositivos OAS utilizados para a construca o de sensores, sao projetados para
operar na faixa de 100M Hz a 500M Hz. Enquanto que OAS para comunicaoes e outras aplicaco es
especiais sao projetados para operar em freque ncias ate 5GHz. Para caracterizar dispositivos nessa
faixa de freque ncia, tem-se o analisador de rede vetorial. Esse equipamento e utilizado para medir os
parametros S (Secca o 5.5.3). O equipamento precisa ser calibrado antes de sua utilizaca o. Isso e feito
fazendo medidas de curto-circuito, circuito aberto, carga nominal e conexao direta. O objetivo dessas
medidas e compensar o comprimento do cabo. Cada interrupca o na linha de transmissao representa
uma descontinuidade. Uma descontinuidade causa reflexoes no sinal que propaga. Para analisar os
efeitos das descontinuidades sobre o sinal medido pode-se construir um grafico de fluxo e aplicar as
regras de Mason para obter os valores corrigidos dos parametros de espalhamento. Esse processo e
denominado de explicitar ou de-embedding a medida.

74

Entrada

Saida

Contato eletrico

Figura 5.35. Encapsulamento para sensor de ondas acusticas de superfcie, mostrando a tubulaca o
para a entrada e sada de gases ou lquidos.

a1

S21
1

S11

b2

S22

S12
b1

Figura 5.36. Analisador de rede.

75

a2

Figura 5.37. Medida de transmissao, S12 de um ressonador comercial fabricado pela SAWTEK.

Figura 5.38. Medida de reflexao, S11 de um ressonador comercial fabricado pela SAWTEK.
O processo de medica o consiste em aplicar um sinal de amplitude constante (ajustavel), cuja
` medida em que a freque ncia e variada, mede-se a
freque ncia e variada na faixa de interesse. A
potencia do sinal transmitido e a potencia do sinal refletido. Com os valores medidos e possel fazer
o grafico de S11 , S21 , S12 e S22 em termos da freque ncia, tanto o modulo como a fase. Exemplos de
medida de S21 e S11 sao mostrados nas Figuras 5.37 e 5.38.
Uma vez caracterizado o dispositivo com o analisador de rede, pode-se agora acopla-lo a um
amplificador para que oscile. A freque ncia da oscilaca o e entao medida com um frequencmetro,
como mostrado na Figura 5.39.

76

Amplificador

Acoplador

Frequencimetro

Figura 5.39. Circuito oscilador e frequencmetro.

freq.

Conc. 1
Conc. 2
Conc. 3
Conc. 4

Tempo

Figura 5.40. Grafico tpico da variaca o da freque ncia em termos da concentraca o.

O sensor e submetido a` presenca do material a ser detectado, causando uma variaca o da freque ncia
medida pelo frequencmetro (veja Figura 5.40).

5.9. CONSIDERAC
OES
FINAIS
Nesse captulo foram abordados os aspectos mecanicos e eletricos dos dispositivos e sensores OAS,
assim como seu projeto, modelagem, fabricaca o e caracterizaca o.

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Acoustic Wave Devices, Proceedings of the International Conference on Solid-State Sensors
and Actuators - Transducers 1985, pp.66-70
41. Wohltjen, H.; Mechanism of Operation and Design Considerations for Surface Acoustic Wave
Device Vapour Sensors, Sensors and Actuators, Vol. 5, pp. 307-325
42. Wohltjen, H.; Calabrese, G.; Roy, M.; Surface Acoustic Wave Devices as Chemical Sensors in
Liquids. Evidence Disputing the Importance of Raleigh Wave Propagation, Analytical Chemistry, Vol. 59, Num. 6, pp. 833-837
43. Vetelino, K.; Story, P.; Galipeau, D.; Stroschine, J.; Snow, K.; Hines, K.; A Study of Condensation and Dew Point Using a SAW Sensor, Sensors and Actuators, Vol. B 24-25 (1995), pp.
696-700
44. Vetelino, K.; Story, P.; Galipeau, D.; DeClercq, B.; A Novel Microsensor Technique for Electronic Material Surface Characterization and Studying the Effects of Plasma Treatments, International Journal of Microcircuits and Electronics Packaging, Vol. 19, pp. 212-218
45. Vetelino, K.; Story, P.; Mileham, R.; Feger, C.; Galipeau, D.; A Novel Microsensor Technique for Polymer Surface Characterization, Polymer Surfaces and Interfaces: Characterization,
Modification and Application, pp. 1-8
46. Vetelino, K.; Story, P.; Mileham, R.; Galipeau, D.; Improved Dew Point Measurements Based
on a SAW Sensor, Sensors and Actuators, Vol. B 35-36 (1996), pp. 91-98
47. Vetelino, K.; Story, P.; Mileham, R.; Galipeau, D.; Surface Acoustic Wave Microsensors and
Applications, Smart Materials and Structures, Vol. 6 (1997), pp. 658-667
80

48. Wohltjen, H.; Calabrese, G.; Manas, R.; A Study of SAW Delay Line Behavior in Liquids,
Proceedings from the Ultrasonics Symposium 1986, pp. 607-610
49. Wohltjen, H.; Chemical Microsensors and Microinstrumentation, Analytical Chemistry, pp.
87A-103A (1984).
50. Shmizu, Y., Current Status of Piezoelectric Substrate and Propagation Characteristics for SAW
Devices, Jpn. J. Appl. Phys., 32, pp. 2183 - 2187, (1993).

81

Captulo 6

Sensores de Gs
Francisco Javier Ramirez-Fernandez
Henrique Estanislau Maldonado Peres
Grupo de Sensores Integrveis e Microssistemas SIM
Laboratrio de Microeletrnica
Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrnicos
Escola Politcnica da USP
Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3, n. 158, 05508-900, So Paulo, Brasil
jramirez@lme.usp.br
http://sim.lme.usp.br

Contedo
6.1.

INTRODUO............................................................................................ 3

6.2.

DISPOSITIVOS ISFET (ION SENSITIVE FET) ......................................... 6

6.3.

DISPOSITIVOS PD-MOS ........................................................................... 7

6.4.

SENSORES DE GS BASE DE SnO2 ............................................... 9

6.4.1.

Principio de transduo ...................................................................... 10

6.4.2.

Mecanismo de deteco de gs........................................................... 13

6.4.3.

Temperatura de operao do sensor ................................................... 14

6.4.4.

Sensibilidade....................................................................................... 17

6.4.5.

Polarizao dos sensores .................................................................... 19

6.5.

MICRO BALANA DE QUARTZO ........................................................ 21

6.5.1.

Efeito Piezoeltrico ............................................................................ 23

6.5.2.

Ressonador Piezoeltrico.................................................................... 24

6.5.3.

Orientao Cristalogrfica.................................................................. 26

6.5.4.

Modos de Vibrao............................................................................. 28

6.5.5.

Controle da Freqncia com Cristais de Quartzo............................... 31

6.5.6.

Circuito Equivalente........................................................................... 31

6.5.7.

Dependncia da Freqncia com a Temperatura................................ 33

6.5.8.

Princpio de Transduo ..................................................................... 34

6.5.9.

Equao para Pequenas Massas Carregadas....................................... 35

6.5.10.

Medio de Massa .............................................................................. 38

6.5.11.

Projeto de uma Micro-balana............................................................ 39

6.6.

6.5.11.1.

Eletrnica associada ...................................................................... 40

6.5.11.2.

Osciladores Controlados por Cristal de Quartzo ........................... 41

6.5.11.3.

Algumas Consideraes do Circuito Eletrnico............................ 42

6.5.11.4.

Circuito Oscilador ......................................................................... 43

REFERNCIAS ......................................................................................... 44

6.1.

INTRODUO

A crescente importncia que hoje assume a anlise da composio de gases

justificada pela preocupao cada vez maior em relao economia de energia, de
matrias primas, controle de qualidade, otimizao de processos industriais, proteo do
ambiente e otimizao de tcnicas de diagnstico biomdico, entre outras. [1-5]
Para atender esse mercado, as solues tecnolgicas que a indstria adotou, at a
dcada de 70, caracterizam-se por uma opo ntida de desenvolvimento da
instrumentao com nfase em analisadores de maior seletividade, onde o sensor o
elemento da nucleao dos avanos tecnolgicos. Esta linha de ao foi transformando
os analisadores de gases em sistemas de grande porte pela complexidade associada ao
sensor. Os sistemas representativos dessa estratgia so os espectrmetros de massa e os
cromatgrafos de gases, limitados nas aplicaes de campo pela falta de mobilidade e
pelas restries de utilizao in situ.
Experincias pioneiras para reduzir o tamanho dos instrumentos sem prejudicar o
desempenho foram realizadas pelos pesquisadores J.B. Angell e S. C. Terry no
Laboratrio de Circuitos Integrados da Universidade de Stanford, que em 1975
conseguiram construir um cromatgrafo de gases totalmente integrado em uma lmina
de silcio. Este sistema, descrito esquematicamente na Figura 6.1, fabricado at hoje
em escala comercial pela empresa Microsensor Technology, Inc. [4]
Com esses resultados, sendo provada a viabilidade de construir analisadores de
gases com uma tecnologia comercialmente consolidada assim novos horizontes surgem
no cenrio industrial para a instrumentao analtica em geral. O problema delineado,
nessa emergente realidade industrial, a escolha do paradigma mais adequado: Investir
tecnologicamente no sensor ou no sistema associado a ele.

Figura 6.1: Sistema integrado para cromatografia em fase gasosa [4]

Graas aos avanos tecnolgicos tanto na rea de materiais como nos elevados
ndices de integrao de circuitos que permitem dispor hoje em dia de complexas
funes e algoritmos de clculo, o progresso da instrumentao analtica tem ocorrido
pela evoluo dos sensores e da eletrnica ligada a eles.
mostrada esquematicamente na Figura 6.2 a relao entre sensibilidade e
seletividade para vrios tipos de sensores qumicos.

Figura 6.2: Relao de sensibilidade e seletividade de vrios sensores qumicos

Os instrumentos de pequeno porte e transportveis tm incentivado a pesquisa de

novos materiais que sejam estveis e cujos princpios ativos sejam correlativos com as
substncias que devem ser monitoradas. Destaque especial tem assumido, na atualidade,
os sensores fabricados com cermicas condutoras, particularmente as semicondutoras
como o SnO2 e as que apresentam condutividade inica como ZrO2.
Estes dois materiais tm dado margem a um largo espectro de solues para
detectar diferentes espcies de gases. O maior atrativo proporcionado pela total
compatibilidade dos processos convencionais disponveis em microeletrnica para
fabricar sensores com estes materiais.
Em relao s aplicaes prticas o mais importante o sensor Tagushi fabricado
com xido de estanho. O princpio de funcionamento deste sensor est baseado nas
mudanas da condutncia superficial para detectar a reduo de compostos gasosos no
ar para temperaturas em torno de 350 OC. Desde sua introduo comercial em 1968,
esses dispositivos continuam sendo otimizados para responder a diferentes espcies
qumicas [5-11].
Essa

tecnologia

assume

um

papel

importante

no

desenvolvimento

da

instrumentao e dos prprios elementos sensveis. Por um lado oferece uma

diminuio de custos e aumento notvel na capacidade de processamento da
informao, com a padronizao de circuitos integrados cada vez mais complexos. Por
outro, participa diretamente da fenomenologia utilizada na transduo e comea a

oferecer, a partir dos anos 90, sensores integrveis totalmente compatveis com
tecnologias de VLSI [12-19].
A partir dessa nova realidade, no fim da dcada de 90 comeam a surgir as
primeiras iniciativas orientadas monitorao de composies qumicas que podem ser
qualificadas como um odor ou aroma, atravs daquilo que se tem convencionado
denominar comercialmente como nariz eletrnico [14-24].
Essas novas opes tecnolgicas so baseadas em um conjunto de sensores que
cobrem a identificao das espcies caractersticas em um gs e tcnicas de anlise dos
sinais eltricos gerados pelo conjunto de sensores. Uma outra alternativa tem obedecido
ao desenvolvimento de materiais especficos que adsorvem compostos moleculares
estratgicos de um determinado odor, preferencialmente base de poliamidas ou
polmeros convenientemente funcionalizados.
Entre as tcnicas de processamento dos sinais produzidos pelos sensores a
utilizao de redes neurais a que apresenta os maiores recursos para o processamento
em tempo real, por essa razo, esta tcnica tem sido incorporada em instrumentos de
anlise.

6.2.

DISPOSITIVOS ISFET (ION SENSITIVE FET)

A primeira verso de um sensor qumico utilizando a tecnologia de dispositivos

semicondutores foi o desenvolvimento, em 1970, de um dispositivo a efeito de campo
sensvel a ons. A estrutura do sensor corresponde a um dispositivo MOSFET no qual o
metal da regio de porta substitudo por um eletrodo de referncia e uma soluo
(eletrlito) com um determinado pH, conforme a descrio na Figura 6.3.
As variaes preferidas dessa estrutura consideram a substituio do SiO2 por
materiais tais como Si3N4, Al2O3, Ta2O5, entre outros, para constituir a porta do
transistor. Essas mudanas promovem um aumento da sensibilidade desde (20
40 mV/pH) para o SiO2 at valores de (45 - 50 mV/pH) no caso de Si3N4. Os outros
materiais apresentam valores em uma faixa superior correspondendo a (53 - 57 mV/pH)
no caso de Al2O3 e valores de ( 55 - 59 mV/pH) se o material de porta for o Ta2O5.
Para modificar a seletividade desse tipo de sensor do hidrognio para outros ons,
vrias modificaes no material de porta tm sido propostas. As alternativas
referenciadas na literatura se concentram na implantao de altas doses de dopantes no
SiO2, tais como: B, Al, Ga e In, entre outros.
6

Resultados mais auspiciosos tm sido obtidos com a incluso de membranas

sensveis a determinados ons (arranjo chave fechadura), que a tendncia mais
comum na atualidade, pois permitem monitorar uma gama abrangente de espcies,
desde elementos simples at compostos qumicos, enzimas e macromolculas biolgicas
[25-26].

a) dispositivo ISFET

b) arranjo Chave-fechadura

Figura 6.3: Dispositivo ISFET e membrana para a seletividade.

6.3.

DISPOSITIVOS PD-MOS

Os dispositivos MOSFET nos quais a porta um metal cataltico apresentam um

comportamento eltrico influenciado pela mudana da funo trabalho do metal
provocada pela absoro de tomos de determinado gs; em particular quando o metal
de porta paldio ( Pd ) o dispositivo se transforma em um sensor de hidrognio devido
dissociao e absoro das molculas de H2 na superfcie externa do Pd de acordo
com o esquema apresentado na Figura 6.4. Alguns tomos de H2 difundem-se pelo
corpo do Pd at a interface Pd-SiO2 onde tm condies de alterar a tenso de banda
plana do dispositivo, em equivalncia a uma fonte de tenso externa extra - V fb que
acrescentada em srie com a polarizao normal da porta do dispositivo. Para o

dispositivo voltar condio de banda plana, deve-se acrescentar uma tenso V fb

tenso externa.
Resultados experimentais obtidos em um ambiente de gs inerte com pequena taxa
de reao com hidrognio mostram que a resposta do transistor Pd-MOS do tipo
isoterma de Langmuir, conforme a seguinte expresso:

Vth = VthO +

k ' P( H2 )
1 + k ' P( H2 )

(6.1)

Quando o ambiente contm oxignio o transistor apresenta um comportamento do

tipo isoterma de Tenkim conforme a seguinte expresso:

Vth = Vmax

RT
ln[ AO P( H2 )]
a Hado

(6.2)

Trabalhos especficos para determinar quantitativamente a sensibilidade diferencial

deste sensor ao hidrognio no apresentam resultados conclusivos. Em experincias
realizadas em ambientes de ultra alto vcuo com presses parciais de hidrognio da
ordem de 10-10 Torr - equivalentes a 10-7 ppm, ainda possvel observar uma resposta
que pode ser alterada introduzindo oxignio na cmara.

a) Interao das molculas do gs com a estrutura

b) Sensor de hidrognio

Figura 6.4: Estrutura do sensor Pd-MOS [27].

A utilizao do transistor Pd-MOS como sensor de hidrognio e eventualmente a

outros gases, condicionada a uma operao em temperaturas acima de 100 oC para
permitir a dessoro dos gases incorporados ao corpo do Pd e reduzir o tempo de
resposta do sensor. Esta condio de operao proporciona um amplo grau de liberdade
para controlar vrios sensores em um mesmo chip, a diferentes temperaturas de modo a

controlar a sensibilidade e seletividade em compostos hidrogenados especficos,

proporcionando condies de efetuar uma anlise qumica no seu mais amplo sentido
[28-30].

6.4.

SENSORES DE GS BASE DE SNO2

Sensores de gs semicondutores so amplamente usados em sistemas para deteco

ou monitorao de gases inflamveis ou no. O mecanismo sensvel do sensor consiste
na mudana de condutividade, a qual resulta da interao qumica ou fsica entre os
gases e a superfcie do sensor [31]. Esses tipos de sensores so candidatos promissores
para muitas aplicaes devido a vantagens tais como tamanho e peso reduzidos, alta
sensibilidade, longa durao, etc. No entanto, a seletividade dos sensores de gs um
problema ainda no resolvido apesar de numerosos estudos nesse sentido [32,33].
Sensores de gs de estado slido baseados em xido de estanho so hoje os
dispositivos mais utilizados em alarmes de deteco de gases em ambientes domsticos,
comerciais e industrias [34]. As aplicaes difundidas de sensores de gs do xido de
estanho esto relacionadas com a faixa de mudana de condutncia e com o fato de que
estes respondem a gases redutores e oxidantes [35,36].
Seguindo a descoberta de Bardeen [37] no comeo da dcada de cinqenta, que a
condutncia de alguns semicondutores de xido de metal modificada por gases
comuns, o fenmeno tem sido aplicado com sucesso para a deteco de uma faixa
ampla de gases. Desde ento muito esforo vem sendo dedicado ao estudo de filmes de
xido de metal (SnO2, ZnO, Fe2O3) para determinar os princpios bsicos de deteco
de gs.
As principais caractersticas dos sensores, as quais devem ser otimizadas, so:
Tempo de resposta, sensibilidade, estabilidade em longo prazo e seletividade. Referente
a sensores de gs de filme espesso e xido de estanho sintetizado, a sensibilidade e
estabilidade em longo prazo no dependem unicamente das propriedades catalticas,
mas tambm das propriedades bsicas do material como microestrutura e concentrao
de eltrons no corpo. Simultaneamente, estas propriedades influem na razo da
dimenso do cristal e a camada de depleo de eltrons dentro dos cristais individuais,
razo pela qual o sensor essencialmente sensvel. No entanto, problemas de
estabilidade e longo prazo so causados por mudanas na resistncia eltrica e no
tamanho do cristal. Por outra parte, uma seletividade especifica para determinado gs

parece resultar das propriedades qumicas da superfcie incluindo fatores catalticos

[38,39].
Uma grande variedade de sensores de SnO2 base de cermica, filme espesso e
filme fino foram desenvolvidos nos ltimos anos, principalmente otimizando seu
desempenho de um modo emprico [40-43]. Apesar das aplicaes difundidas e ao
sucesso alcanado na sua utilizao comercial, os fenmenos que esto associados aos
efeitos de transduo desse tipo de material ainda requerem um estudo mais
aprofundado. Esse tipo de conhecimento de extrema importncia para que se possa
otimizar a resposta de dispositivos baseados nesse fenmeno de transduo eltrica [44].

6.4.1. Principio de transduo

O dixido de estanho, material policristalino, um dos materiais mais utilizados
para sensores de gs. A mudana das propriedades eltricas resulta da adsoro de gases
sobre a superfcie do material.
A condutncia eltrica de tal material depende de diferentes fenmenos que ocorrem
na superfcie, efeito cataltico na fronteira de gros, na superfcie de gros e na interface
material/eletrodo [45]. As propriedades morfolgicas do SnO2 e a natureza dos
eletrodos tambm afetam este fenmeno. A condutncia eltrica tambm depende do
comportamento intrnseco do material e pode ser aproximado estudando os defeitos
qumicos no SnO2 [46].
As amostras policristalinas de dixido de estanho so preparadas com p de SnO2
puro (99,99 %) prensado. As amostras prensadas so sinterizadas em 600 C por 7
horas. Alguns desses processos de sinterizao alcanam temperaturas de at 1200 C.
Um dos principais resultados que o tamanho dos gros incrementado de 400 C a
1200 C continuamente, enquanto est sendo feito o processo de sinterizao.
O processo de sinterizao no s afeta o tamanho do gro, mas tambm a
condutividade eltrica. Quando as amostras so sinterizadas em temperaturas
superiores, na faixa de 600 a 1100 C, a condutividade eltrica sob a influncia de ar
sinttico aumenta de 10-4 at 10-3 -1. Quando a amostra sinterizada acima de 1100
C, a condutividade eltrica diminui, Figura 6.5 [47].

10

Figura 6.5: Condutncia eltrica da amostra SnO2 em funo da temperatura de sinterizao

Os sensores de SnO2 so geralmente sinterizados a partir do p, formando assim um

material amorfo. Dependendo da maneira pela qual o material sinterizado, so
formados aglomerados com dimenses que acabam por caracterizar as propriedades
funcionais do sensor. Na maioria dos casos esses sensores so projetados para atuar
essencialmente como condutores. Essa caracterstica operacional obtida pela
contribuio de nanocristais, com raio menor que o comprimento de Debye Ld, na
composio do material, Figura 6.6. Compostos com granulao maior acabam
apresentando caractersticas mais resistivas. Tais caractersticas podem ser muito teis
principalmente no desenvolvimento de sensores integrados onde um importante aspecto
o consumo de potncia. O controle do tamanho dos nanocristais formados durante a
deposio de SnO2 na forma de filme motivo de pesquisa e um dos pontos chaves
para a utilizao desse material como elemento sensvel a gases [31,48].

Figura 6.6: Influncia do tamanho das partculas na condutividade

11

A principal razo do interesse nesse material sua capacidade de estabelecer, em

altas temperaturas, reaes reversveis de oxidao com molculas em suspenso gasosa
diretamente ou por meio de agentes catalticos. Essas reaes sempre envolvem a
adsoro de ons negativos, na forma molecular ou atmica, do oxignio e/ou de
compostos hidrxidos.
Os ons negativos de oxignio se aderem superfcie do SnO2, retendo os eltrons
da banda de conduo e assim criando uma regio de depleo prxima da superfcie
desses gros. Essa zona de depleo aumenta a barreira de potencial j existente devido
granulao do composto, aumentando desse modo a resistividade do material de uma
maneira global. Em presena de um gs capaz de promover reaes de oxidao, o
sensor perde seus ons adsorvidos, ocasionando a liberao de eltrons na banda de
conduo, fato que diminui a resistividade do material.
As propriedades eltricas dos sensores baseados em SnO2 podem ser descritas por
um circuito eltrico equivalente simples, ilustrado na Figura 6.7, desde que o
comportamento corrente - tenso (I-V) sob condies de corrente direta (d.c.) ou
corrente alternada (a.c.) seja controlado com amplitudes pequenas de tenso. Quando o
sensor exposto a um gs ocorrem mudanas da caracterstica corrente - tenso (I-V), o
qual pode ser atribudo a mudanas nos parmetros dos componentes do circuito
equivalente.
Um possvel primeiro passo para uma descrio quantitativa do comportamento do
sensor modelado pela introduo de um circuito eltrico equivalente o qual descreve
formalmente a impedncia destes sensores controlados com baixos nveis de tenso,
diferentes freqncias, presso parcial e temperatura com uma estrutura especfica do
sensor [44,49].
Conforme a ilustrao na Figura 6.3, as mudanas na condutncia eltrica Gi = Ri-1
que ocorrem na superfcie, no corpo, nos contatos ou nas fronteiras dos gros podem ser
formalmente descrita por variaes de corrente alternada, dependentes da freqncia,
controlados com baixas tenses. Isto pode ser descrito por variaes da impedncia
complexa Z.

12

Figura 6.7: Representao esquemtica da deteco de molculas de gs

6.4.2. Mecanismo de deteco de gs

O comportamento de uma camada semicondutora porosa de xido de estanho ou
outro xido de metal pode ser interpretado em termos da adsoro de gs o qual
difunde-se livremente, mas tambm reage quimicamente [50]. Sob condies
ambientais, a camada de xido adsorve quimicamente oxignio removendo assim
eltrons da banda de conduo e capturando-os em reas porosas intergranulares nas
camadas sinterizadas.
O2(g) + 2e- 2O- (s)

(6.3)

A introduo de uma substncia gasosa R no caso agentes redutores inicia difuso

dentro do semicondutor seguido de uma reao com oxignio da superfcie O(s) o qual
libera os eltrons capturados.
2R(g) + 2O- (s) 2RO +2e-

(6.4)

Os eltrons liberados entram na banda de conduo do semicondutor modificando a

condutividade eltrica. Isto , quando o sensor aquecido a altas temperaturas, em torno
de 400C, sem a presena de oxignio, eltrons livres fluem facilmente atravs das
fronteiras de gros do dixido de estanho (SnO2). Em ar limpo, o oxignio, o qual
captura eltrons livres por eletro-afinidade, adsorvido sobre a superfcie do SnO2

13

formando uma barreira de potencial nas fronteiras dos gros. Esta barreira de potencial
restringe o fluxo de eltrons causando o aumento da resistncia eltrica (Figura 6.8a).
Quando o sensor exposto a uma atmosfera contendo gases redutores (gases
combustveis, CO, etc.), a superfcie de dixido de estanho adsorve estas molculas de
gases causando oxidao (Figura 6.8b). Isto diminui a barreira de potencial permitindo o
fluxo de eltrons mais facilmente, diminuindo de esse modo a resistncia eltrica do
sensor (Figura 6.8c).

Figura 6.8: Esquema da reao entre CO e oxignio absorvido na superfcie de SnO2

6.4.3. Temperatura de operao do sensor

A seletividade um dos objetivos mais importantes no projeto de sensores
comerciais. Dopando com metais refratrios ou metal-xido, tal como paldio, platina,
prata, ou igualmente alumina ou silica pode-se otimizar a resposta dos sensores a
alguns gases redutores [51,52]. Consideraes geomtricas podem tambm ser
importantes, por exemplo, em sensores base de p de SnO2 sinterizado onde o gs
pode reagir primeiramente e ser consumido sobre a superfcie externa do sensor antes
que em todas as partes do corpo do material poroso [47,53]. O funcionamento do sensor
de gs de SnO2 com controle de sua temperatura de operao por ciclos trmicos, tem
sido examinado como um possvel mtodo de otimizar a seletividade do sensor [54].

A aplicao de ciclos trmicos obtm vantagem do fato que diferentes classes de

gases redutores apresentam diferentes razes de reao. Por exemplo, monxido de
carbono e compostos tais como os sulfetos oxidam rapidamente em baixa temperatura e
portanto numa anlise trmica cuidadosa apresentam picos (pontos mximos) de

14

condutncia que aumentam com a temperatura. lcool e acetona respondem em

temperaturas ligeiramente altas e gases como propano e metano em temperaturas muito
altas [52,55,56]. Isto quer dizer que no unicamente os sensores podem operar em
diferentes temperaturas mostrando um grau de seletividade entre estes gases, mas
tambm ciclos contnuos entre baixa e alta temperatura podem mostrar uma assinatura
de condutncia indicativa do gs em anlise.
A assinatura do gs testado (forma da curva de condutncia em funo da
temperatura) originada por trs fontes. Para o primeiro, tem-se uma estrutura em
equilbrio de temperatura para resposta do sensor de gs, isto o pico espontneo numa
temperatura intermdia depende do gs e do material do sensor. Catalisadores tais
como bismuto, molibdnio e bismuto-ferro-molibdnio no apresentam picos de
sensibilidade porque eles agem por mecanismos de condutividade de corpo. Isto
significa que qualquer consumo sobre o material sensor causar um aumento na
condutncia. A assinatura trmica de picos , por isso, mais promissrios para p de
xido de estanho sinterizado (como pastilhas ou filme espesso) devido a existncia de
uma separao entre a parte interna (ou parte posterior do filme) onde a condutncia
medida e a parte externa (em alta temperatura e para gases que oxidam facilmente) onde
pode ocorrer consumo de gs.
Um segundo efeito se refere ao fato que em baixa temperatura o gs adsorvido
sobre a superfcie, e como a superfcie submetida a ciclos trmicos de alta
temperatura, consumir rapidamente este gs e produzir um pico na condutncia. Um
terceiro efeito relacionado s condies trmicas do corpo do elemento sensvel. Se a
superfcie do sensor rapidamente esfriada a concentrao de O-, obtida em alta
temperatura, congelada e como O- mais reativo que O2-, a condutncia ser
otimizada quando a superfcie seja reaquecida.

Estes trs efeitos variaro em

importncia dependendo da forma como o dispositivo submetido a ciclos trmicos de

alta e baixa temperatura, produzindo sinais complexos [57,58]. A Figura 6.9 ilustra
esquematicamente algumas etapas elementares de reconhecimento molecular com
sensores condutivos, tipicamente dependentes da temperatura, os quais devem ser
otimizados para a deteco especfica de uma determinada molcula [44].
Estas etapas envolvem primeiramente reaes de superfcie em baixa temperatura.
Exemplos so adsoro e reaes catalticas em reas ativas (este ltimo envolve pontos
de defeito intrnseco, tal como vacncia de oxignio; e/ou pontos de defeito extrnseco,
tal como tomos de metais segregados) e reaes similares ocorrem nas fronteiras dos
15

gros ou nas fronteiras de trs fases (contatos metlicos ou agrupamento metlico da

superfcie). Todas estas reaes envolvem adsoro de cargas negativas de espcies
oxigenadas, molecular (O2-) ou atmica (O-), assim como de grupos hidrxidos (OH)
em diferentes reas da superfcie. As etapas secundrias envolvem reaes de corpo em
alta temperatura entre os defeitos pontuais do cristal de SnO2 e o oxignio (O2) na fase
de gs.

Figura 6.9: Padres de resposta de sensores de xido de estanho alterando a temperatura de operao
[62].

O princpio para a operao controlada de sensores de SnO2 o ajuste cuidadoso da

temperatura de operao. Quando o sensor exposto a diferentes substncias gasosas
usualmente apresenta mxima diferena de mudana de condutividade como funo da
temperatura.

A reversibilidade necessria da resposta do sensor sob condies de

estado estacionrio ou fluxo constante requer que todas as reaes envolvidas sejam
controladas termodinamicamente ou cinematicamente [59-61].

Para uma operao do sensor em baixa temperatura se requer que a concentrao na

superfcie de adsoro ou as reaes complexas sejam inequivocamente controladas
pela temperatura e presso parcial na fase de gs. Para operao em alta temperatura
requer-se que processos de sinterizao sejam evitados e que o equilbrio de defeito do
corpo seja ajustado. Isto concerne em particular ao equilbrio de concentrao de

16

vacncia de oxignio de dupla carga (Vo++) na sub-rede cristalina do SnO2 e equilbrio

na distribuio de dopantes segregados na superfcie e na interface.

6.4.4. Sensibilidade
Entre 1968 e 1990 mais de 50 milhes de sensores de gs de SnO2 foram usados em
alarmes de gs domstico em Japo. Durante esse perodo o campo de aplicao deste
tipo de sensor tem se expandido desde aplicaes em sistemas de segurana at
aplicaes no campo da sade, sistemas de controle e instrumentao.
Os sensores base de xido de estanho possuem um elemento aquecedor que
assegura o controle da temperatura de operao do substrato sobre o qual depositado o
material semicondutor com os eletrodos de ouro segundo a descrio da Figura 6.10. A
temperatura de operao requerida por esses sensores em torno 400 C.

(a)

(b)

(c)

Figura 6.10: Sensor de gs Tagushi, serie-8: (a) elemento sensor e estrutura; (b) eletrodos
interdigitados; (c) modelo simplificado da estrutura

Para garantir um desempenho timo de medidas com sensores de gs, a tarefa de um

sistema de medida ajustar todas as condies que so essenciais para o funcionamento
dos sensores. Deste modo possvel conseguir informao sobre as propriedades e

17

funcionamento do sensor sob a influncia de gases, o qual necessrio para o

entendimento, desenvolvimento e otimizao do sensor.

Na identificao de

substncias gasosas e otimizao da seletividade dos sensores de gs, pode-se utilizar

uma matriz de sensores de gs de xido de estanho, filme espesso, comercialmente
disponvel, como por exemplo os sensores descritos nas Tabelas 6.1 e 6.2.

Sensor
TGS813

TGS822

TGS824
TGS832
TGS881

Tabela 6.1 - Caractersticas de sensibilidade de sensores comerciais.

Caracterstica de sensibilidade
Deteco de vrios gases combustveis.
Monxido de carbono, metano, etano, propano, isobutano, hidrognio.
500 a 10 000 ppm.
Alta sensibilidade a vapores de solventes orgnicos assim como a vapores volteis,
tambm sensvel a uma variedade de gases combustveis.
Metano, monxido de carbono, isobutano, n-hexano, benzeno, etanol, acetona. 50 a 5
000 ppm.
Alta sensibilidade amnia.
30 a 300 ppm.
Alta sensibilidade para deteco de cloro-fluor-carbono (CFC)
R-12, R134a, etanol, R22. 10 a 3000 ppm.
Sensibilidade para detectar vapores de alimentos (gs, umidade, fumaa, e odores).

Tabela 6.2 - Caractersticas eltricas.

TGS813
TGS822
TGS824
Resistncia do sensor (Rs). 5 ~ 15 K em 1 ~ 10 K em 5 ~ 20 K em
1000 ppm de 300 ppm de 50 ppm de gs
gs
metano gs etanol em amnia em ar.
em ar.
ar.
Resistncia do filamento 30 3,0 em 38 3,0 em 59 4,0 em
aquecedor (Ra).
temperatura temperatura temperatura
ambiente.
ambiente.
ambiente.

TGS832
4 ~ 40 K em
100 ppm de
gs R-134 em
ar.
30 3,0 em
temperatura
ambiente.

TGS881
20 ~ 70 K
no ar.
30 3,0 em
temperatura
ambiente.

Dentro da cmara de ensaio colocada uma placa que contm a matriz de sensores
de gs, o sensor de umidade e o sensor de temperatura. Os sinais da resposta dos
sensores so controlados por uma placa de aquisio de dados instalada num
computador pessoal. A polarizao dos sensores e a monitorao do sistema de
aquisio de dados dos sensores normalmente so controladas por um sistema de
instrumentao virtual em um aparato experimental conforme a descrio da Figura
6.11.

18

Figura 6.11: Aparato experimental para realizar ensaios

6.4.5. Polarizao dos sensores

A polarizao bsica do sensor de gs feita por meio de um divisor de tenso,
representado na Figura 6.12.

Sinal

Figura 6.12: Polarizao bsica do sensor.

Parmetros de operao do sensor:

Tenso de polarizao do sensor (Vs): 24 V mx. AC ou DC
Tenso de aquecimento do sensor (Va): 5,0 0,2 V AC ou DC
Resistncia de carga (RL)

: varivel

A variao da resistncia do sensor (RS) medida indiretamente pela mudana de

tenso (VRL) sobre a resistncia de carga (RL). Em ar limpo a corrente que flui atravs
do sensor e da resistncia de carga baixa, mas quando a superfcie do sensor entra em
contato com um gs, sua resistncia eltrica diminui de acordo com a concentrao do
gs, aumentando a corrente que circula pelo circuito.
A relao entre RS e VRL representada pelas Eq. (6.5 e 6.6):

19

VRL
RL
=
VS
RS + R L

(6.5)

Onde:
VRL: Tenso de sada medida na resistncia de carga
VS: Tenso de polarizao do sensor
RL: Resistncia de carga
RS: Resistncia do sensor
VS

RS =
1 * R L
V RL

(6.6)

Um problema srio relacionado a medidas eltricas de tenso sobre dispositivos

semicondutores a presena de resistncias de contato. Usando dois pares de contatos
independentes, um para aplicar a corrente de polarizao e outro para medir a tenso,
possvel tornar desprezvel a influncia das resistncias de contato nas medidas [4]. Os
sensores de gs utilizados possuem quatro terminais, ligados em paralelo dois a dois.

Figura 6.13: Polarizao tipo quatro contatos para minimizar a influncia das resistncias de
contato.

Essa configurao permite que a polarizao eltrica seja feita por meio de dois
terminais e a monitorao da medida por meio dos outros dois terminais, de acordo com
a Figura 6.13.
A tenso no sensor pode ser representada pela Eq. (6.7).
RS
Vsen =
RS + R L

20

* VS

(6.7)

Onde:
Vsen: Tenso de sada medida no sensor
Da equao (6.6) se obtm:
Vsen
RS =
VS Vsen

* R L

(6.8)

Para compor uma matriz de sensores de modo a realizar uma anlise de gases pode
ser adotado o esquema descrito na Figura 6.14 onde so mostradas as conexes eltricas
de cinco sensores com uma polarizao comum.

Figura 6.14: Conexes eltricas da matriz de sensores.

6.5.

MICRO BALANA DE QUARTZO

Cristais osciladores de quartzo so encontrados em transmissores e receptores de

telecomunicaes, equipamentos de telefonia, computadores e seus perifricos, relgios,
aparelhos de medio e em inmeras aplicaes. Sua principal funo controlar a
freqncia dos osciladores que geram os sinais eletrnicos de referncia ou sincronismo
mantendo-as estveis em condies ambientais adversas.
A utilizao de cristais osciladores de quartzo como sensores aplica o modelamento
feito por Sauerbrey [63], que estabelece uma relao entre a deposio de massa sobre a
superfcie de um cristal de quartzo e o deslocamento resultante da freqncia de
ressonncia do cristal (denominado "princpio de microbalana"). Este princpio tem
sido usado para diversas classes de aplicaes, como por exemplo em sistemas de vcuo

21

para a medida de espessuras de filmes finos e, nas ultimas dcadas, para aplicaes
como sensor de substncias qumicas [64].
O uso da ressonncia mecnica para a deteco de propriedades mecnicas tem uma
longa tradio. Uma aplicao usual monitorar a espessura de camadas de metal
evaporado em uma superfcie, por uma aplicao simultnea dessas camadas sobre o
alvo a ser coberto e sobre a superfcie de um cristal de quartzo, e medir sua
correspondente mudana na freqncia de ressonncia [65-66].
As primeiras aplicaes do quartzo como sensor de gs, usando uma lmina fina de
quartzo, foram realizados por King [67]. Aplicaes atuais tm utilizado recobrimentos
de substncias quimicamente sensveis, tais como mono ou multicamadas de molculas
seletivas e bioorgnicas [68].
Uma microbalana de quartzo (MBQ) um dispositivo relativamente simples,
baseado nas caractersticas piezoeltricas de um disco fino de quartzo com eletrodos
metlicos (prata, ouro, outro metal ou liga).

A aplicao de um campo eltrico

oscilatrio no dispositivo induz uma onda acstica, que se propaga atravs do cristal,
encontrando uma mnima impedncia quando a espessura do dispositivo um mltiplo
da metade do comprimento de onda () da onda acstica.
A utilizao de microbalanas de quartzo como sensor de substncias qumicas
gasosas tem aplicaes industriais, como o controle de qualidade de substncias tais
como alimentos, bebidas, cosmticos, etc. Tradicionalmente esse tipo de teste feito
por degustadores. O resultado desses testes, com freqncia, depende do estado de
sade ou do estado psicolgico do inspetor.

Assim um mtodo objetivo para a

avaliao do aroma ou odor desejvel nesses campos de controle de qualidade [69-77].

Com o avano de tcnicas de reconhecimento de padres e com a evoluo de
sistemas inteligentes, os sensores esto tomando parte na implementao de sistemas
inteligentes que emulam funes biolgicas. assim que, do ponto de vista biolgico,
se tem um grande interesse para imitar o sistema olfativo dos mamferos,
particularmente o sistema olfativo humano, pelas deficincias que ele apresenta. No
caso do sistema olfativo humano, um odor identificado por um padro de sada dos
muitos receptores sensitivos, com caractersticas ligeiramente diferentes. Sistemas de
sensores que utilizam essas caractersticas tm sido desenvolvidos nos ltimos anos com
aplicaes no mbito dos sensores de gs piezoeltricos [75].

22

6.5.1. Efeito Piezoeltrico

O efeito piezoeltrico foi descoberto em 1883 por Pierre Curie observando que
uma presso exercida numa pequena pea de quartzo produz uma diferena de potencial
eltrico entre as superfcies deformadas [78].
A palavra piezoeletricidade literalmente significa "eletricidade por presso". O
prefixo piezo, derivado da palavra grega piezein, significa 'que pressiona'. A palavra foi
definida precisamente por Cady [79] da seguinte forma: Piezoeletricidade a
polarizao eltrica produzida por uma deformao mecnica nos cristais que pertencem
a determinadas classes, sendo a polarizao proporcional deformao e mudando de
sinal com ela. A gerao de uma polarizao eltrica produzida por uma deformao
mecnica aplicada no cristal chamada de efeito piezoeltrico direto.

O efeito

inverso, por meio do qual uma deformao mecnica gerada pela aplicao de um
campo eltrico polarizado, tambm existe.
A propriedade piezoeltrica possvel apenas para slidos inicos cristalinos que se
cristalizam em estruturas carentes de centro de inverso [80]. Isto pode ser ilustrado por
meio de uma molcula planar de um on slido hipottico que apresenta trs dipolos
eltricos de igual magnitude a intervalos de 120, quando est em equilbrio, como
mostrado na Figura 6.15. Por simetria, o momento resultante do dipolo da molcula
nulo. No entanto, um momento resultante no nulo surge se a molcula esticada ou
comprimida ao longo da direo paralela ou perpendicular a um dos trs vrtices.
Similarmente, um campo eltrico aplicado paralelo a um dos trs vrtices produzir uma
distoro de cada molcula. Isso produz uma contrao ou elongao do cristal paralela
direo do campo, acompanhada por uma mudana de comprimento na direo
transversal.

Figura 6.15: Ilustrao do efeito piezoeltrico: a) material carente de centro de inverso; b) dipolos
que mostram polarizao quando aplicada uma tenso mecnica (polarizao paralela); c) polarizao
perpendicular tenso.

23

Para que o efeito piezoeltrico ocorra, a ausncia de simetria necessria. Os

materiais cristalinos so convencionalmente divididos em 32 classes de cristais, 21 das
quais so carentes de centro de simetria, sendo uma delas altamente simtrica, o que
significa que a piezoeletricidade est excluda, ficando 20 possveis classes
piezoeltricas [80].
O efeito piezoeltrico inverso s vezes confundido com o efeito electrorestritivo,
que ocorre em todos os materiais isolantes. Os dois efeitos diferem em importantes
aspectos: a deformao piezoeltrica , em geral, varias ordens de grandeza maior do
que a deformao electrorestritiva.

Alm disso, a deformao piezoeltrica

proporcional intensidade do campo eltrico e s mudanas de sinal, enquanto a

deformao electrorestritiva proporcional ao quadrado da intensidade do campo e
independente da direo. O efeito electrorestritivo ocorre simultaneamente com o efeito
piezoeltrico, mas pode ser ignorado para propsitos prticos [79].
Em alguns cristais a polarizao eltrica produzida pela compresso do cristal ao
longo de um determinado eixo. Outros tipos de deformao (abaulamento,
cisalhamento, toro) produzem polarizao eltrica em determinados tipos de cristais.
Em alguns casos, vrios efeitos acontecem simultaneamente. A aplicao de campos
eltricos pode produzir no cristal deformaes cortantes, longitudinais e, em condies
especificas, produzir abaulamento, toro e flexo, como conseqncia do efeito
piezoeltrico inverso [79].
Materiais piezoeltricos so utilizados extensivamente como transdutores
eletromecnicos e como osciladores altamente estveis para controle de freqncia. Em
aplicaes no passado, elevados coeficientes piezoeltricos eram requeridos e materiais
como o sal de Rochelle eram utilizados. Posteriormente, as estabilidades mecnica e
trmica tornaram-se mais importantes e materiais como o quartzo alfa assumiram
grande valor. Embora o quartzo tenha coeficientes menores, o material ainda pode ser
utilizado em circuitos osciladores, assegurando sensibilidades na deteco de massa da
ordem de pg/cm2[80].

6.5.2. Ressonador Piezoeltrico

Os primeiros ressonadores de quartzo foram simples lminas de cristal de quartzo,
cortadas de maneira que o eixo normal a elas sempre esteja paralelo ao eixo X do
cristal. Esses dispositivos denominados lminas de corte X tm um coeficiente de
24

temperatura de -20 ppm/C. Isto , as freqncias de ressonncia desses dispositivos

decrescem aproximadamente 20 Hz por MHz quando a temperatura incrementada em
1C [79].
A lmina de corte Y foi introduzida por E. D. Tillyer [79] em 1920, tendo vantagens
sobre o corte X. Com o corte Y foi possvel fazer unidades de alta freqncia, fceis de
fabricar. Alm disso, so de fcil excitao e podem, portanto, oscilar rapidamente.
Uma vantagem adicional que podem ser grampeados para sua sustentao. No entanto
apresentam duas srias desvantagens: elevado coeficiente de temperatura (+100ppm/C)
e em determinadas temperaturas se recusa a operar.
Em 1929 foram identificadas solues para o corte Y e de fato atingiu-se o
coeficiente de temperatura zero em uma faixa de temperaturas, simplesmente girando o
plano de corte Y em torno do eixo X. Os cortes resultantes so conhecidos como AT e
BT. O corte BT amplamente utilizado durante a Segunda Guerra Mundial ficou obsoleto
porque os novos requerimentos de freqncia ficaram perto de seus limites de tolerncia
e pelas amplas faixas de temperatura requeridas pelos modernos sistemas de
comunicao [79].
Na atualidade quase a totalidade das unidades a cristal projetadas para trabalhar em
freqncias acima de 1 MHz so de corte AT. A Figura 6.16 mostra os tipos de corte e
as faixas de freqncia em que so utilizadas.
Originalmente as lminas de cristal foram cortadas por serras rsticas, as quais eram
simples discos metlicos girando numa mistura de material abrasivo e leo ou gua. A
orientao das lminas era determinada tomando como referncia as faces naturais do
cristal.

A orientao era, portanto, imprecisa e raramente eram identificadas duas

unidades terminadas com o mesmo desempenho. Durante os anos 50 e 60 as tcnicas de

fabricao foram otimizadas, incluindo serras de diamante capazes de cortar finas
lminas de quartzo com extraordinria preciso a altas velocidades e a utilizao da
difrao de raios X para determinar precisamente as orientaes cristalogrficas das
lminas.

25

Figura 6.16: Tipos de cortes de cristais de quartzo e faixas de freqncia em que so utilizados.

6.5.3. Orientao Cristalogrfica

O modo de vibrao no qual mais sensvel um oscilador de quartzo, pela adio ou
remoo de massa, o modo de cisalhamento de espessura [66].

A vibrao de

cisalhamento de espessura no modo fundamental ilustrada na Figura 6.17, onde

evidente que as duas maiores superfcies do ressonador so sempre antinodais.
Atualmente possvel fabricar um ressonador com todos o modos no desejados
suprimidos e separados do modo principal.

Figura 6.17: Modo fundamental de vibrao de cisalhamento de espessura.

A anlise de um ressonador no modo fundamental de cisalhamento de espessura

mais simples porque os movimentos da lmina so essencialmente unidimensionais
[80].
Para que uma lmina de cristal de quartzo oscile no modo de cisalhamento de
espessura, deveria ser cortada em orientaes especficas em relao aos eixos do

26

cristal. Esses cortes pertencem famlia dos cortes Y-rodados e aos cortes AT e BT
descritos na Figura 6.18. A notao que descreve a rotao do plano Y para o corte Y
tipicamente descrita por (yxl). A primeira e a segunda letra descrevem as direes das
duas mais importantes dimenses da lmina com referncia aos eixos capitais antes da
rotao, j que a espessura a mais importante dimenso para altas freqncias de
ressonncia, ento ela est em primeiro lugar. A segunda notao define a dimenso do
comprimento. A terceira notao (com l, w ou t denotando comprimento, largura, ou
espessura, respectivamente) especifica a direo da rotao com referncia s
dimenses da lmina. O ngulo de rotao positivo no sentido anti-horrio. Assim,
a orientao (yxl)3515, utilizada para o corte padro AT, descreve a lmina
comeando com a espessura na direo y e o comprimento na direo x. A lmina est
rotada 3515 no sentido anti-horrio em torno direo do eixo X. Para lminas de
cristal de quartzo com formas quadrada ou redonda a diferena entre o comprimento e a
largura torna-se imperceptvel. Portanto, a orientao de uma lmina de cristal de
quartzo de corte AT pode tambm ser especificada por (yzw)3515. Aqui a direo do
comprimento antes da rotao o eixo z e o eixo x torna-se a direo da largura, porm
permanece como o eixo de rotao [80].

(a) Corte AT

(b) Corte BT

Figura 6.18: Cortes AT e BT de lminas de cristal de quartzo.

Cristais de quartzo com corte Y apresentam freqncias de ressonncia menos

sensveis a choques trmicos e estresse mecnico. Esta propriedade altamente
desejvel em aplicaes de controle de tempo e freqncia. A notao para a orientao
desse tipo de ressonador estendida pela adio de quatro letras (l, w, ou t) dentro do

27

parntesis para especificar a direo da segunda rotao em outro ngulo de rotao. A

Figura 6.19 mostra um cristal de quartzo duplamente rodado descrito por (yxwl),.

Figura 6.19: Corte Y de dupla rotao de uma lmina de cristal de quartzo.

6.5.4. Modos de Vibrao

Um ressonador piezoeltrico de quartzo uma lmina cortada com preciso de um
cristal de quartzo natural ou sinttico. A Figura 6.20 ilustra a forma do cristal de
quartzo em seu estado natural. A aplicao de um potencial eltrico externo a um
material piezoeltrico produz uma deformao mecnica interna. Assim, quando os
eletrodos so fixados nas faces de uma lmina de cristal de quartzo e conectados a uma
fonte de voltagem peridica a unidade de cristal de quartzo pode vibrar na freqncia da
voltagem de excitao.

Se essa freqncia fica prxima de uma das freqncias

ressonncias mecnicas da unidade de quartzo, a amplitude de vibrao mecnica

crescer ao mximo. Outra maneira para que o ressonador de cristal de quartzo possa
oscilar em uma de suas freqncias de ressonncia colocando-o em uma rede
realimentada de um amplificador.

28

Figura 6.20: Cristal de quartzo em estado natural.

Este chamado de oscilador a cristal de quartzo e tem sido utilizado

extensamente para aplicaes de controle de tempo e freqncia.

Como todas as

estruturas mecnicas, um ressonador de cristal de quartzo pode ter muitos modos de

ressonncia, ou padres de ondas nas freqncias de ressonncia. Uma barra slida
retangular, por exemplo pode exibir trs diferentes tipos de vibraes; longitudinal,
transversal (cisalhamento), e rotacional (twist) em cada um dos trs eixos. Em adio
ao modo fundamental, o sistema tambm pode vibrar nos sobretons (ou harmnicas) de
cada modo fundamental. A Figura 6.21 ilustra os alguns dos modos de vibrao,
ressaltando o modo de oscilao de cisalhamento de espessura, do qual o corte AT
utilizado para propsitos de microbalana.

29

Figura 6.21: Alguns modos de oscilao de uma lmina de cristal de quartzo. a) Modo de oscilao
de cisalhamento de espessura utilizado em QCM. b) Modo Flexural Plate Wave (FPW). c) Oscilao num
dispositivo de ondas acsticas superficiais (SAW).

Vrios modos tambm podem ser acoplados para formar modos complexos de
ressonncia. Em geral, desejvel que a lmina de cristal de quartzo somente oscile no
modo fundamental de oscilao. A seleo de um modo particular e a supresso de
todos os modos indesejveis requer que a lmina de cristal de quartzo seja cortada numa
orientao cristalogrfica especfica e ter uma forma apropriada. A configurao dos
eletrodos sobre o ressonador de cristal de quartzo, a estrutura de suporte, e o circuito
oscilador tambm podem alterar significativamente o modo de ressonncia [81].
Para uma lmina de quartzo onde uma das dimenses muito pequena, pode-se
considerar a geometria do ressonador prxima a uma descrio unidimensional, como
no caso dos osciladores de cisalhamento de espessura. O espectro de freqncias que
exibem os dispositivos com essas caractersticas dado por:

fn =

n
v
2t

onde:

v=

Onde:
n : Nmero de harmnico.

t : Espessura da lmina.
c : Constante efetiva de rigidez elstica.

: Densidade do cristal.
v : Velocidade de propagao de uma onda acstica no corpo (do quartzo).

30

(6.9)

Esta equao fundamental mostra que a freqncia de ressonncia depende da

rigidez elstica, espessura e da densidade do cristal.

6.5.5. Controle da Freqncia com Cristais de Quartzo

O efeito da adio de massa sobre o cristal para mudana na freqncia de
ressonncia de um oscilador de quartzo tem sido utilizado desde o surgimento do rdio,
quando o ajuste da freqncia era realizado por uma marca de lpis sobre os eletrodos
do cristal. O corte segundo a orientao da lmina de cristal com relao aos eixos
cristalogrficos tem um efeito importante na freqncia de ressonncia.

Estudos

detalhados das propriedades dos ressonadores de quartzo incluram os efeitos de

deslocaes, relaxaes e propriedades inelsticas do quartzo em frices internas; a
mudana de freqncia com o envelhecimento do cristal de quartzo; o projeto e
fabricao de unidades de cristal de quartzo ultra preciso para controle de freqncia; e
velocidades de onda no quartzo [18].
Mason [20] foi um dos pioneiros no trabalho com o cristal de quartzo para
aplicaes com ultra-som.

Em seus estudos sobre a elasticidade de corte (shear

elasticity) e a viscosidade dos lquidos foram medidos em freqncias ultra-snicas.

6.5.6. Circuito Equivalente

Se todos os modos indesejveis de vibrao perto da ressonncia principal podem
ser suprimidos ento, na vizinhana prxima dessa ressonncia, o ressonador
piezoeltrico de cristal de quartzo pode ser representado por um simples circuito
equivalente mostrado na Figura 6.22.

Figura 6.22: Circuito equivalente de um ressonador de cristal de quartzo.

31

A capacitncia dinmica C representa a elasticidade mecnica do corpo vibrante

(foras de restaurao do cristal); a indutncia dinmica L uma medida da massa
vibrando; e a resistncia equivalente R corresponde s perdas totais da energia mecnica
devido a frices internas e energia dissipada no meio circundante e nas estruturas de
suporte. A capacitncia de derivao (shunt) Co a capacitncia devida aos eletrodos
(capacitncia entre os eletrodos com o quartzo como dieltrico) e a capacitncia
acoplada pelas estruturas de suporte [84].
Segundo o modelo equivalente, para que a ressonncia acontea a freqncia deve
ser tal que a impedncia complexa do ressonador seja exclusivamente resistiva. H
duas freqncias nas quais a impedncia resistiva [85]:

1 1 2
fs =

2 LC

(6.10)
1

1
fp =
2

1
R2 2
1

+
+

2
LC LCo L

(6.11)

As duas freqncias de ressonncia, fs e fp, so denominadas srie e paralela,

respectivamente. Para ressonadores tpicos de cristal de quartzo 1/LCo >> (R/L)2 e
C/Co << 1, com estas consideraes a Eq. (6.11) geralmente expressada na forma:
C

f p = f s 1 +

2Co

(6.12)

A sensibilidade massa do ressonador de cristal de quartzo pode ser considerada

como a perturbao da indutncia dinmica L. Um incremento ou decremento de massa
do ressonador corresponde a uma mudana no valor de L. Assim a freqncia de
ressonncia diminuir ou aumentar com a massa adicionada ou removida
respectivamente.
Essa interpretao prov um modelo fenomenolgico da operao do ressonador de
quartzo como microbalana. Infelizmente esse modelo no til para uma avaliao
analtica quantitativa. Isto , os valores exatos de L e C do circuito equivalente no
podem ser derivados facilmente das propriedades fsicas do ressonador, embora eles
possam ser medidos precisamente por um nmero de mtodos padres.

32

6.5.7. Dependncia da Freqncia com a Temperatura

Uma pequena variao na orientao de um cristal de quartzo em relao aos eixos
cristalogrficos no altera os modos de ressonncia.

Entretanto variaes de

temperatura e estresse provocam considerveis variaes nas freqncias de vibrao,

dependendo da orientao cristalogrfica [85]. Na Figura 6.23 mostra-se a famlia de
curvas de freqncia em funo da temperatura para um ressonador de quartzo com
corte Y rodado com ngulo em torno ao ngulo nominal do corte AT (3515).

Figura 6.23: Dependncia com ngulo de corte das curvas de freqncia-temperatura de

ressonadores de quartzo com corte AT.

Historicamente, diferentes tipos de corte foram desenvolvidos visando-se, entre

outros fatores, a otimizao da estabilidade trmica das lminas. Na Figura 6.24 so
apresentadas as curvas tpicas de estabilidade trmica de alguns tipos de corte de
cristais.

Com exceo do corte AT, todos os outros cortes possuem curvas de

estabilidade trmica semelhantes a parbolas [85].

Figura 6.24: Caractersticas de temperatura de alguns tipos de corte de lminas de cristal de quartzo.

33

Para ressonadores de cristal de quartzo com corte AT, a freqncia de ressonncia

obviamente menos sensvel variao da temperatura em torno da regio de
temperatura ambiente.

Isto uma caracterstica altamente desejvel para algumas

aplicaes que requerem que o ressonador opere em torno da temperatura ambiente.

Para outras aplicaes, pode ser necessrio ter o mnimo de sensibilidade com a
temperatura em uma regio distante da temperatura ambiente, onde a temperatura varie
em uma determinada faixa de valores. Isto pode ser obtido cortando uma lmina de
cristal de quartzo com um ngulo de rotao diferente do padro AT. Por exemplo, a
rotao do corte Y com um ngulo de 4110 produz um adequado comportamento na
faixa de temperatura de 4,2 14,5 K .

6.5.8. Princpio de Transduo

Preciso necessariamente uma importante especificao de um dispositivo sensor
de massa. Para microbalanas piezoeltricas de cristal de quartzo MBQ, a mudana de
massa inferida das mudanas na freqncia de ressonncia. Assim, sua preciso na
determinao da quantidade de massa afetada por trs fatores: erros introduzidos pelas
tcnicas empregadas na medio de freqncia ou tempo; erros devido a variaes de
freqncia de ressonncia causados por outros fatores no relacionados massa tais
como temperatura e estresse e a faixa de validade da expresso que relaciona a
freqncia de ressonncia com a massa.

Quando a freqncia do sinal estvel o erro ou incerteza introduzida pelas tcnicas

padronizadas na medida de freqncia se reduzem a quantidades insignificantes, se so
permitidos tempos de medio suficientemente longos. Portanto, durante a adio de
massa sobre a MBQ, a freqncia de ressonncia muda continuamente com o tempo.
Em muitas situaes dinmicas de medio de massa, a taxa de variao de massa
tambm de interesse. Nesse sentido, cada medio de freqncia deveria ser feita
dentro de um curto perodo de tempo. Isso geralmente limita a resoluo da medida da
freqncia e, conseqentemente, a sensibilidade na medio da taxa de variao de
massa. A escolha de um mtodo particular para a determinao da freqncia de
ressonncia depende principalmente da sensibilidade e velocidade necessria para a
aplicao especfica. Os erros introduzidos pelas tcnicas escolhidas de medio da
freqncia podem geralmente ser preditos [80].
34

Mudanas na freqncia devido a perturbaes estranhas podem ser minimizadas

por um apropriado desenho de suas estruturas de suporte, porm no podem ser
totalmente eliminadas. Assim, determinar quo seriamente afetada a preciso na
determinao de massa depende de quo bem elas so controladas durante o perodo de
medio. H tcnicas usando mltiplos ressonadores para separar as variaes de
freqncia por diferentes efeitos.

6.5.9. Equao para Pequenas Massas Carregadas

Desde que o incio do uso de ressonadores de cristal de quartzo para aplicaes de
controle de freqncia em equipamentos de comunicao de RF, o efeito de massa
adicionada na freqncia de ressonncia j era conhecido. Operadores de rdio sabiam
que a freqncia de um oscilador de cristal de quartzo pode ser sutilmente ajustada
aplicando-se um marcador de tinta sobre a superfcie do ressonador ou friccionando-se
parte do material do eletrodo. Os fabricantes de ressonadores de quartzo preparavam as
lminas de cristal de quartzo com suas freqncias de ressonncia mais altas do que o
valor desejado e ento reduziam a freqncia at o valor final controlando a quantidade
de material depositado nos eletrodos. Portanto, o entendimento do efeito da massa
adicionada na freqncia era limitado a uma natureza qualitativa e o fenmeno no foi
cuidadosamente estudado at os anos 1950s.

A viabilidade para usar ressonadores piezoeltricos de quartzo como dispositivos

medidores de massa foi primeiramente explorado por Sauerbrey. O princpio de
operao de uma MBQ, como foi postulado por Sauerbrey, pode ser descrito pela
idealizao de um modelo fsico como se mostra na Figura 6.25.

35

Figura 6.25: Modelo simplificado para uma microbalana de quartzo.

Para que uma lmina de cristal de quartzo oscile no modo fundamental de

cisalhamento de espessura a seguinte igualdade deve ser satisfeita:
tq =

(6.13)

Onde tq a espessura da lmina e q o comprimento de onda da onda elstica (no

modo de cisalhamento) na direo da espessura (transversal s faces). Os efeitos dos
eletrodos em ambas faces so ignorados nesse modelo.
Em termos da freqncia de ressonncia fq e a velocidade da onda vq, a Eq. (6.13)
pode ser escrita como:
f qtq =

vq

(6.14)

J que:

q f q = v q

(6.15)

Da Eq. (6.14), sabendo que v q constante, o deslocamento de freqncia dfq

produto da mudana infinitesimal na espessura do cristal dtq resulta:
df q
fq

dt q
tq

(6.16)

O sinal negativo indica que um incremento na espessura da lmina de cristal de

quartzo causa um decremento na freqncia de ressonncia. A Eq. (6.16) pode ser
expressada em termos de massa do cristal Mq e da variao de massa dMq. Assim:

36

df q

fq

dM q
Mq

(6.17)

Admitindo-se que para pequenas variaes de massas a adio de uma massa

exterior pode ser tratada como variaes de massa equivalente do mesmo cristal de
quartzo, a Eq. (6.17) se transforma em:
df q

fq

dM

(6.18)

Mq

Onde dM a quantidade de massa infinitesimal de massa exterior uniformemente

distribuda sobre a superfcie do cristal. Se a validade dessa suposio estendida a uma
pequena massa arbitraria adicionada, tal como a massa de um filme fino Mf, a eq (6.18)
pode ser escrita aproximadamente por:
fc fq
fq

Mf
Mq

(6.19)

Onde f c a freqncia de ressonncia do cristal com o material depositado.

Se definimos as densidades por rea: m f e m q como a massa por unidade de rea
para o filme depositado e para o cristal de quartzo, respectivamente, para o modelo
unidimensional do ressonador da Figura 6.25, a Eq. (6.19) resulta em:
fc fq
fq

mf
mq

(6.20)

Para materiais com a densidade uniformemente distribuda, a densidade por rea

tambm equivalente ao produto da espessura pela densidade.

mf = tf f

(6.21)

mq = t q q

(6.22)

Onde f e q so as densidades do filme e do quartzo respectivamente.

Assim, mf pode ser dada por:
mf =

( f c f q ) q vq
2 f q2

(6.23)

A utilizao da densidade por rea no lugar da massa mais conveniente porque a

rea vibrante num cristal de quartzo real no a superfcie toda e a rea exata difcil
de se definir. A Eq. (6.23) pode ser utilizada para determinar a densidade por rea do
filme depositado enquanto a rea ativa do cristal de quartzo est complemente coberta

37

pelo filme. Isso significativo para materiais depositados que no apresentam boa
definio da densidade, como filmes muito finos ou filmes descontnuos.
Se a densidade do filme conhecida, a Eq. (6.23) fica:

ftf =

( f c f q ) q vq
2 f q2

(6.24)

Esta equao pode ser utilizada para determinar a espessura do filme. A Eq. (6.23)
normalmente expressada simplesmente por:

f = C f m f
Cf =

2 f q2

q vq

(6.24)
(6.25)

Onde f = f c f q o deslocamento de freqncia e C f definido como a

sensibilidade de massa do MBQ ou a constante de calibrao.
Para um cristal de quartzo de corte AT, onde q = 2650 kg/m3 e vq = 3340 m/s, a
sensibilidade para um ressonador de 5 MHz obtida da Eq. (6.24) 5,65 MHzm2/kg. Isto
significa que a adio de massa com uma densidade por rea de 17,7 ng/cm2 sobre a
superfcie do ressonador produz um deslocamento na freqncia de 1 Hz. J que h
tcnicas de medio de freqncia que podem apresentar uma resoluo melhor que
1Hz em 5 MHz, o limite de deteco pode ainda ser menor considerando todos os outros
fatores que podem afetar a freqncia de ressonncia.

6.5.10.

Medio de Massa

Os fundamentos tericos para a utilizao dos cristais de quartzo como

microbalana associado ao Lord Rayleigh [86], quem mostrou que uma pequena
mudana na inrcia de um sistema mecanicamente vibrando perturba a freqncia de
ressonncia. Sauerbrey props utilizar um oscilador de cristal de quartzo como um
dispositivo sensvel para a medio de espessuras de filmes finos.

Utilizando

simultaneamente uma microbalana de feixe rotacional e uma lmina de quartzo,

mostrou que o deslocamento da freqncia de ressonncia proporcional massa
depositada dentro de 2% de erro.
Trabalhos pioneiros experimentais foram direcionados inicialmente para prover o
suporte de informao para predies tericas. O rpido sucesso no desenvolvimento
das MBQ resultado da preciso com que foram medidas as variaes de freqncia
38

como de 1 parte em 1010. Estabilidades de freqncia melhores que 1 ppb puderam ser
obtidas. Warner e Stockbridge enfocaram o desenvolvimento experimental sobre os
mesmos parmetros que so importantes at hoje [18]. Eles identificaram a
potencialidade do cristal de quartzo de corte AT vibrando no modo de cisalhamento de
espessura, e a importncia do controle de temperatura, amplitude de vibrao, frico
interna, modos de operao em sobretons, e as limitaes relacionadas ao circuito
eletrnico associado.

Eles determinaram que para uma preciso na medida de

0,3 ng/cm2, o qual pode ser feito prximo aos 7 MHz, tudo o que se requer uma
preciso na medio da freqncia de 1 parte em 108. Isso pode ser feito com um
contador eletrnico calculando a mdia a cada 10 s, isto , contando diretamente os
ciclos durante 10 s. Para comparao, precises nas medidas (sensibilidade) de 10100 ng/cm2 so as melhores que podem ser alcanadas por microbalanas de feixe de
luz.
Na atualidade h uma variedade de aplicaes de MBQ na cincia e tecnologia de
filmes finos, como por exemplo monitores de espessura na deposio de filmes finos de
slidos [87]. Outra pesquisa inicial dirigida para esse tipo de aplicao incluiu o
desenvolvimento de: mtodos de calibrao diretos, mtodos que incluam a verificao
da calibrao e para a medio das espessuras de deposies de filmes a altas
temperaturas.
King [67] cobriu um ressonador com um substrato lquido viscoso para numerosas
aplicaes de deteco de gases. Outras aplicaes incluram a MBQ para estudos de
interferometria, medio de umidade, ponto de orvalho, manmetros, estudos de
adsorso qumica, estudos de corroso de filmes metlicos, polimerizao e medio de
contaminante em sistemas de vcuo.

6.5.11.

Projeto de uma Micro-balana

O modelo ideal de um ressonador de quartzo unidimensional consiste de uma lmina

com duas superfcies paralelas. Um cristal de quartzo utilizado para propsitos de
microbalana real difere em dois aspectos do modelo ideal: o tamanho finito e as duas
superfcies no so perfeitamente paralelas. O paralelismo necessrio por vrias
razes, j que necessrio confinar as vibraes a uma determinada regio e criar
regies ausentes de vibrao para colocar estruturas de suporte que no ocasionem
oscilaes prejudiciais. Para uma lmina circular de quartzo considera-se que o melhor
39

lugar para o suporte localizado na borda da circunferncia e que as vibraes precisem

estar localizadas no centro da lmina [88]. Isto tipicamente realizado pela combinao
dos seguintes mtodos: fazendo com que o perfil de uma ou as duas superfcies tenha
uma geometria convexa; elaborando um chanfro nas bordas; ou limitando o tamanho
dos eletrodos. A apropriada aplicao desses tratamentos pode suprimir os modos
indesejveis de vibrao.

A supresso dos modos indesejveis particularmente

importante para as MBQ que operaram em condies dinmicas com grandes massas
carregadas.
Para que um cristal de quartzo tenha elevado fator Q (fator de qualidade)
necessrio que tenha reduzido tamanho. Para um cristal de quartzo de 5 MHz de corte
AT, o mximo Q possvel est por volta de 3 10 6 . Isto requer cristais com um
dimetro de 1,5 cm e com superfcies apropriadamente conformadas. Cristais de quartzo
de dimetros maiores no apresentam vantagem adicional. O tamanho timo para uma
lmina de cristal de quartzo duplica-se cada vez que a freqncia diminuda sua
metade.

Para evitar a utilizao de grandes lminas, so utilizados geralmente

ressonadores de cristal de quartzo com freqncias de ressonncia fundamentais

maiores que 4 MHz para aplicaes de microbalana. Cristais de quartzo com
freqncias de ressonncia maiores que 15 MHz so raramente utilizados para
propsitos de microbalana devido dificuldade em sua manipulao [91-92]. Por
exemplo, para um cristal de quartzo de 15 MHz a espessura da lmina pouco maior
que 100 m.
Uma lmina de cristal de quartzo no apresenta uma sensibilidade uniforme massa
depositada sobre toda sua superfcie. Em lminas de cristais de quartzo com eletrodos
circulares a sensibilidade maior est na parte central da lmina.
J que as vibraes no alcanam a borda da lmina circular, a lmina de quartzo
pode se manter rgida por suportes mecnicos perto da borda. Para isso, existem
invlucros padro que suportam os ressonadores de quartzo. Alm disso, os eletrodos
devem ser suficientemente espessos e feitos de um material com alta condutividade
trmica, como o alumnio, para assegurar uma baixa resistncia trmica.

6.5.11.1. Eletrnica associada

Embora a freqncia de ressonncia de um cristal possa ser determinada por
tcnicas de medio passiva, o cristal de quartzo na maioria de vezes parte integrante
40

de um circuito oscilador e a sada do oscilador acoplada a um circuito para medida de

freqncia.
O circuito eletrnico para uma MBQ pode consistir de um circuito medidor de
freqncia, que alm disso possa executar algumas operaes matemticas. Com um
cristal s, a instrumentao no pode distinguir entre o deslocamento da freqncia
devido massa depositada e o deslocamento devido a outros fatores como: distrbios de
temperatura ou estresse. Por essa razo, normalmente so utilizados outros cristais em
conjunto para compensar esse efeito.

6.5.11.2. Osciladores Controlados por Cristal de Quartzo

Um oscilador eletrnico simplesmente um amplificador em que parte do sinal de
sada aplicado entrada de modo a produzir um efeito de realimentao.
Nos osciladores eletrnicos com cristais, o cristal de quartzo influi na velocidade
com que a realimentao ocorre, determinando assim a sua freqncia de operao,
conforme indicado na Figura 6.26.

Figura 6.26: Modos de realimentao controlados pelo cristal.

Em princpio os osciladores com cristal possuem uma nica freqncia de operao,

que depende justamente das caractersticas desse elemento e que no podem ser
alteradas. No entanto, como o acoplamento do cristal ao circuito capacitivo, uma
capacitncia externa pode alterar levemente a freqncia natural de suas oscilaes e
isso pode ser aproveitado em algumas configuraes.
Assim, existem circuitos cuja freqncia determinada pelo cristal, mas que pode
ser levemente alterada por meio de um trimmer ligado em srie com este elemento.
Por outro lado, a potncia que se pode obter de um oscilador a cristal limitada pela
energia de RF que aplicada ao cristal para a manuteno das oscilaes.

41

Uma

potncia elevada causa seu aquecimento e se ele superar um certo valor, pode ocorrer a
perda das suas caractersticas piezoeltricas resultando na incapacidade de oscilar.
Os osciladores com cristal podem ter diversas modalidades de operao conforme a
freqncia de oscilao.

Temos ento osciladores que operam na freqncia

fundamental do cristal e os que operam em harmnicas mpares da freqncia

fundamental do cristal e que so conhecidos como os modos sobretons ou simplesmente
sobretons.
Diversos so os motivos pelos quais um oscilador pode no funcionar. Um deles a
realimentao insuficiente de sinal. Um segundo motivo, igualmente importante, a
carga excessiva do circuito de sada, quer seja por problemas de casamentos de
impedncia, quer seja por exigncia das etapas seguintes de oscilao.

6.5.11.3. Algumas Consideraes do Circuito Eletrnico

A utilizao do sensor piezoeltrico dentro de um circuito oscilador realimentado
aquele elemento que determina a freqncia. Esta forma de conexo determina uma
medida ativa, j que o ressonador est ativamente controlando a freqncia.
A demanda de osciladores eletrnicos para aplicaes em sensores como
ressonadores piezoeltricos difere das aplicaes de freqncia/tempo com relao s
seguintes propriedades:
A freqncia de ressonncia utilizada muda com a variao da quantidade medida.
Em lugar de uma freqncia fixa, uma faixa de freqncia tem que ser permitida pelo
oscilador.
O valor Q desses ressonadores varia significativamente com a medida.

Como

conseqncia o ganho tem de variar sobre uma ampla faixa de valores, mantendo o
ganho de realimentao igual unidade para manter a oscilao harmnica.
Na aplicao de sensores, normalmente desejvel um distanciamento entre o
ressonador sensvel e o circuito eletrnico, como o caso dos sensores de temperatura
onde o sensor est localizado remotamente para evitar o calor dissipado pelo circuito.
Para isso, alguns osciladores so bastante utilizados como: Pierce, Driscoll e
osciladores de ponte. Nestes, os capacitores que servem para ajustar a sintonia do
oscilador so omitidos, j que o interesse no obter um valor de freqncia estvel,
mas variaes de freqncia.

42

6.5.11.4. Circuito Oscilador

No sistema de medio precisa-se de um circuito oscilador que possa converter a
varivel medida (massa depositada no cristal) para um sinal que possa ser tratado
eletricamente. Um oscilador baseado em um cristal de quartzo utilizado aplicando a
relao encontrada por Sauerbrey. O circuito eletrnico deve ser capaz de relacionar a
diminuio da freqncia com as variaes de massa. Na literatura tcnica encontra-se
uma ampla gama de circuitos osciladores a cristal para distintas aplicaes (RF, relgios
de preciso, ultra-som, e outros transdutores).
conveniente destacar alguns requerimentos para esses osciladores:
O circuito deve ser capaz de excitar o sensor de cristal (cristal provido de
membrana). J que nesta condio o cristal apresenta altas perdas que so representadas
com um alto valor de resistncia (resistncia do quartzo, resistncia da membrana,
resistncia de carga) acima de 100 vezes o valor padro.
A potncia dissipada no cristal no deve exceder os 20 W para obter uma alta
estabilidade em um longo tempo. Dissipaes de potncia maiores que 20 mW (para o
corte AT) podem destruir o sensor. O rudo gerado pelo circuito eletrnico deve ser
pequeno para evitar limitar demais o limite de deteco do sensor e sua resoluo.
Com a finalidade de reduzir a influncia das variaes de temperatura, utilizado
um segundo cristal como referncia. Este cristal mantido em seu encapsulamento
original, sem o recobrimento sensvel, de modo que medida a diferena de freqncias
de ressonncia. Esse arranjo proporciona considervel melhoria no sistema de medio.

43

6.6.

REFERNCIAS

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measurement, v.39, p.264-8, 1990.

49

CAPTULO 7

Sensores pticos Integrados

e em Fibra
Ben-Hur V. Borges
Murilo A. Romero
Amilcar C. Csar
Departamento de Engenharia Eltrica
Escola de Engenharia de So Carlos EESC/USP
Av. Trabalhador Socarlense 400, Centro, So Carlos-SP, 13566-590.
benhur@sel.eesc.usp.br; muriloa@sel.eesc.usp.br; amilcar@sel.eesc.usp.br
Fone: (16) 273-9344

Contedo
7.1.

INTRODUO.................................................................................................... 5

7.2.

TEORIA ELETROMAGNTICA ....................................................................... 8

7.2.1.
7.2.1.1.

Modos TE ........................................................................................... 16

7.2.1.2.

Modos TM: ......................................................................................... 28

7.2.2.
7.3.

Guias de Ondas Retangulares..................................................................... 15

Guias de Ondas Cilndricos ........................................................................ 37

PTICA INTEGRADA ..................................................................................... 45

7.3.1.

Interfermetro Mach-Zehnder .................................................................... 46

7.4.

FIBRA PTICA ................................................................................................. 50

7.5.

COMPONENTES EMPREGADOS EM SISTEMAS DE SENSORIAMENTO ..

............................................................................................................................ 55

7.5.1.

Acopladores................................................................................................ 55

7.5.2.

Filtros.......................................................................................................... 58

7.5.3.

Polarizadores .............................................................................................. 59

7.5.4.

Amplificadores ........................................................................................... 60

7.5.5.

Moduladores ............................................................................................... 61

7.5.5.1.

Tcnicas de modulao analgica: ..................................................... 61

7.5.5.2.

Tcnicas de modulao digital: .......................................................... 63

7.5.6.

Fontes pticas ............................................................................................. 64

7.5.7.

Detetores..................................................................................................... 69

7.6.

INTERFACE COM O MENSURANDO ........................................................... 72

7.7.

ENLACE PTICO ............................................................................................. 73

7.8.

PROCESSAMENTO DE SINAL....................................................................... 74

7.9.

TIPOS DE SENSORES...................................................................................... 75

7.9.1.

Sensores Intrnsecos ................................................................................... 76

7.9.2.

Sensores Extrnsecos .................................................................................. 77

2

7.9.3.
7.10.

Sensores Interferomtricos ......................................................................... 79

APLICAES DE SENSORES EM FIBRA ................................................ 81

7.10.1.

Sensores de corrente ................................................................................... 82

7.10.2.

Sensores de tenso ...................................................................................... 85

7.10.3.

Sensor de Nvel de Lquido ........................................................................ 87

7.11.

REFERNCIAS ............................................................................................. 88

Lista de smbolos
Smbolo

Significado

n
c
c0

0
0
NA

ndice de refrao
Velocidade da luz no material (m/s)
Velocidade da luz no vcuo (m/s)
Comprimento de onda (m)
Freqncia (Hz)
Freqncia (radiano/s)
Permeabilidade magntica (H/m)
Permissividade eltrica (F/m)
Permeabilidade magntica do vcuo(H/m)
Permissividade eltrica do vcuo(F/m)
Abertura numrica
Vetor intensidade de campo eltrico (V/m)
Vetor intensidade de campo magntico (A/m)
Vetor densidade de fluxo magntico (Webers/m2)
Vetor deslocamento eltrico (Coulombs/m2)
Constante de propagao longitudinal (1/m)
Constante de propagao de espao livre (1/m)
Constante de propagao transversal (1/m)
Constante de propagao transversal no ncleo da fibra (1/m)
Constante de propagao transversal na casca da fibra (1/m)
Modo eltrico transversal (componentes: Ey, Hx e Hz)
Modo magntico transversal (componentes: Hy, Ex e Ez)
Modo eltrico transversal em uma fibra ptica
Modo magntico transversal em uma fibra ptica
Modo hbrido em uma fibra ptica
Modo hbrido em uma fibra ptica
Responsividade (A/W)
Potncia ptica total (W)
Fotocorrente (A)
Ganho de avalanche
Constante de Verdet (radiano/m)
ngulo de rotao de Faraday (radiano)

E
H
B
D

k0
k
u
w
TE
TM
TEom
TMom
HEm
EHm

P
I
M
V

7.1.

INTRODUO

O advento das fibras pticas tornou possvel um avano sem precedentes nos sistemas
de telecomunicaes como um todo. Esse avano pode ser facilmente observado pelo
leque de opes oferecido pelas operadoras de sistemas de telecomunicaes, com
destaque para a internet e os servios multimdia de banda larga. Este avano permitiu
um gigantesco ganho de escala na produo e comercializao de produtos voltados
para o mercado de comunicaes pticas, permitindo uma reduo nos custos de
produo tanto de fibras pticas quanto na tecnologia de microfabricao de circuitos
integrados pticos. No demorou muito para que estes novos meios de transporte e
processamento de informaes, neste caso a fibra e os circuitos integrados
optoeletrnicos, encontrassem outras formas de aplicaes, ou seja, como sensores.
Sensores so definidos como dispositivos capazes de converter quantidades fsicas ou
qumicas em sinais eltricos que podem ser processados, interpretados, armazenados, ou
mesmo transmitidos com grande confiabilidade.
O sucesso de um dispositivo sensor depender, basicamente, do seu custo de produo e
de sua confiabilidade. Em ambos os casos, os sensores pticos so vistos como
candidatos ideais. Sensores pticos em geral apresentam como principais caractersticas
o fato de serem passivos (no utilizarem fonte de tenso ou corrente que podem vir a
gerar fascas, por exemplo), de serem imunes a interferncias eletromagnticas (EMI) e
a pulsos eletromagnticos (EMP), por apresentarem baixo peso, tamanho reduzido, alta
sensitividade (capazes de perceber pequenas variaes na grandeza a ser medida) etc.
No entanto, existem algumas diferenas bsicas entre sensores baseados em fibra e
sensores baseados em ptica integrada. So elas [1]-[7]:

a) Sensores baseados em fibra:

apresentam custo de fabricao mais baixo;

5

existe uma grande variedade de fibras ticas j disponveis no mercado;

no permitem integrao (com o fotodetector, por exemplo);

podem ser utilizados na interligao de uma rede de sensores.

b) Sensores baseados em ptica integrada:

apresentam custo de fabricao mais elevado devido ao custo dos

equipamentos envolvidos em sua fabricao;

permitem integrao com fotodetector, o que torna seu tamanho muito

menor em comparao com sensores a fibra;

so mais otimizados para a aplicao a que se destina em virtude do maior

controle da interao da luz com a grandeza que se deseja medir.

Quando colocamos as caractersticas de ambos em uma balana, observamos que os

sensores baseados em ptica integrada (O.I.) apresentam algumas vantagens sobre seus
concorrentes baseados em fibra, ou seja: produo em massa, baixo custo e tamanho
reduzido, como mostra a Figura 7.1. Estas duas caractersticas devem ser levadas em
conta durante a escolha do tipo de sensor que se deseja fabricar.

Sensitividade

Dispositivos
passivos
Materiais
Sensitividade
abundantes
Imunidade
E.M

Produo em
massa

Sem riscos
de exploses

Fexibilidade de
geometria e
material

Tamanho
reduzido

Sensores em fibra

Imunidade
E.M

Integrao
Sem riscos
de exploses

Sensores em O.I.

Figura 7.1. Comparao entre sensores baseados em fibra e ptica integrada

(O.I.). Vantagens tais como produo em massa, baixo custo e tamanho reduzido
ainda tornam os sensores baseados em ptica integrada mais atraentes.

O fato de serem dispositivos dieltricos, habilita os sensores pticos a serem utilizados

em ambientes onde haja o risco de exploses, como por exemplo em poos de petrleo,
gases inflamveis etc. Mas o leque de aplicaes no se limita apenas a estes casos. De
modo geral, os dispositivos sensores podem ser divididos em seis classes distintas [1]:

Trmicos: os tipos mais comuns so temperatura, calor, e fluxo de calor;

Mecnicos: onde as grandezas mais comuns so fora, presso, velocidade, acelerao e
posio;
Qumicos: estes sensores so normalmente aplicados na medio da concentrao de
certas substncias, composio, etc;
Magnticos: utilizados na medio da intensidade de campos magnticos, densidade de
fluxo e magnetizao;
Radiantes: medem intensidade de ondas eletromagnticas, comprimento de onda,
polarizao e fase;
Eltricos: os tipos mais comuns so utilizados para a medio de tenso, corrente e
carga.

Em se tratando do projeto de sensores, de fundamental importncia entender como

ser a interao deste dispositivo com a grandeza que dever ser medida. Por este
motivo, torna-se necessria uma discusso dos principais parmetros que descrevem o
desempenho do sensor. Os parmetros mais significativos so resumidos a seguir [1]:

Sensitividade absoluta: indica o quanto o sinal de sada do sensor se altera em funo

da mudana do contedo a ser medido (seja esta mudana fsica ou qumica);
Sensitividade relativa: o mesmo que o anterior, mas neste caso as mudanas so
normalizadas em relao ao sinal de sada quando o contedo a ser medido zero (ou
no sofre nenhum tipo de influncia);
Sensitividade cruzada: a mudana no sinal de sada devido presena de mais de um
contedo a ser medido;
Resoluo: a capacidade de deteco da menor variao possvel no contedo a ser
medido;
Preciso: o mximo erro percentual observado na sada do sinal em relao escala
total do sensor;
Desvio (ou offset): o sinal observado na sada quando o contedo a ser medido zero
(ou no sofre nenhum tipo de influncia);
Faixa dinmica: a diferena entre dois valores mximos que podem ocorrer no
contedo a ser medido;
Faixa de temperatura de operao: a faixa de temperatura na qual a sada do sensor
permanece dentro do erro especificado.

7.1.

TEORIA ELETROMAGNTICA

Nesta seo sero revistas algumas das definies bsicas e leis da ptica que so de
extrema importncia no projeto e anlise de guias de ondas pticos integrados e em
8

fibra. Um dos parmetros pticos fundamentais de um material o ndice de refrao.

Este parmetro definido como sendo a razo entre a velocidade da luz no vcuo
(c0=3x108 m/s) e a velocidade da luz no material (c), ou seja:

n=

c0
c

(7.1)

A Tabela 7.1 mostra os valores tpicos de ndice de refrao para alguns materiais
comumente encontrados. Outro parmetro importante em ptica o comprimento de
onda da luz, normalmente chamado de . O comprimento de onda est relacionado
velocidade da luz no meio, c, e freqncia, , da seguinte forma:

Em se tratando de ptica guiada, ou seja, na habilidade de confinar a energia em uma

regio limitada do espao, de extrema importncia compreender os conceitos de
reflexo e transmisso que ocorrem na interface entre dois meios dieltricos. Portanto,
considere dois meios dieltricos como ilustrado na Figura 7.2, onde um raio de luz
proveniente do meio 1 incide obliquamente na interface com o meio 2 (supondo
n1a>an2). Quando um fenmeno como este ocorre, parte da luz refletida de volta para
o meio 1 e parte transmitida para o meio 2. A mudana de direo do raio de luz,
tambm conhecida como refrao, ocorre em virtude da diferena de velocidade da
mesma nos dois materiais. Como os ndices de refrao dos materiais e o ngulo de
incidncia so sempre conhecidos, possvel obter o ngulo de transmisso para o meio
2 por intermdio da seguinte equao:

n1 sen(1 ) = n2 sen( 2 )

(7.2)

Esta equao conhecida como Lei de Snell, e ela relaciona o ngulo de incidncia com
o ngulo de transmisso em uma interface dieltrica.
9

Tabela 7.1. ndices de refrao de alguns materiais comumente encontrados.

Material
ar
gua
slica fundida
vidro
polistireno
germnio
silcio
safira
arseneto de glio
cloreto de sdio
calcita

ndice de refrao
1,0
1,33
1,46
~ 1,5
1,59
4,0
3,5
1,8
3,35
1,54
1,6

Infelizmente, com apenas dois meios dieltricos no possvel obter o guiamento da

luz. Suponha neste momento que o meio 2 tenha espessura infinita a partir da interface
com o meio 1. Se pudermos impedir que o raio incidente no seja transmitido para o
meio 2 teremos o primeiro passo para confinarmos a luz em uma regio. Pela Eq. (7.2)
possvel verificar que existe um ngulo no qual o raio transmitido permanece paralelo
interface entre os dois meios. Este ngulo de incidncia conhecido como ngulo
crtico, ou seja, qualquer ngulo maior que este ir provocar a transmisso da luz para o
meio 2, e uma vez que o meio 2 infinito ele no permite que a luz seja guiada. No
entanto, se o ngulo de incidncia for maior que o ngulo crtico, toda luz incidente
refletida de volta para o meio 1. Estas situaes so ilustradas na Figura 7.3(a) e 7.3(b),
respectivamente. J sabemos como impedir que a luz seja transmitida para o meio 2,
mas o meio 1 ainda um meio infinito e como tal no permite o confinamento da luz. O
prximo passo ento consiste em limitar a espessura do meio 1 e adicionar um segundo
meio logo abaixo, como mostra a Figura 7.4. A espessura do meio 1, onde a luz ser
guiada, deve ser comparvel ao comprimento de onda da luz que se pretende guiar. O
segundo meio pode ou no ser idntico ao meio 2 (aqui ele idntico). Observe agora
que o raio de luz permanece confinado no meio 1, ou seja, no meio com maior ndice de
refrao. Portanto, para que haja guiamento de luz, esta deve ser confinada em um
sanduche de camadas, onde a camada guia de onda, muitas vezes referenciada na
literatura como filme (por ser uma fina pelcula de material dieltrico, da o nome

10

filme), deve apresentar o maior ndice de refrao entre todas. Esta caracterstica poder
ser melhor entendida mais frente.

y
n2
2
1 1

n1
Figura 7.2. Incidncia oblqua de luz em uma interface dieltrica onde n1>n2. O
ngulo de transmisso 2 obtido por intermdio da Lei de Snell.

n2

n2

n1

n1
(a) 1 = C

(b) 1 > C

Figura 7.3. Incidncia oblqua em uma interface dieltrica. (a) ngulo de

incidncia igual ao ngulo crtico, e (b) ngulo de incidncia maior que o ngulo
crtico.

11

n2

n1
n2
Figura 7.4. Guia de onda ptico. Para que a luz seja guiada, a camada n1 deve
apresentar uma espessura finita (comparvel ao comprimento de onda da luz que
se pretende guiar) e ainda apresentar um ndice de refrao superior queles das
camadas adjacentes.

Todo o processo de confinamento da luz foi elaborado aqui em termos da Lei de Snell.
Podemos dar um passo adiante com esta Lei e definir as condies de excitao
necessrias para o guia de onda de modo a garantir que a maior parte da luz acoplada
em sua entrada permanea confinada na camada n1. Isto pode ser feito novamente por
meio da Lei de Snell que, aps uma lgebra bem simples, produz a seguinte relao:

NA = n12 n22

(7.3)

Esta equao conhecida como abertura numrica, e o ngulo mximo de aceitao de

luz pelo guia de onda, ou seja, o ngulo que define o cone de aceitao de luz, dado
1
por 0 = sen ( NA ) , como mostra a Figura 7.5.

12

n2 < n1
n1

n2
Cone de
aceitao

Abertura Numrica:
NA = (n12-n22)1/2

Figura 7.5. Cone de aceitao de luz de um guia de onda ptico. Todo raio de luz
cujo ngulo de incidncia for menor ou igual ao ngulo 0 permanecer
confinado na regio n1.

Quando um guia de onda ptico excitado por uma frente de onda plana, como ilustra a
Figura 7.6, ocorre um encurvamento da mesma em funo do perfil de ndice de
refrao da estrutura. Isto se deve ao fato de que a velocidade da luz em um meio dada
pela razo entre a velocidade da luz no vcuo e o ndice de refrao deste meio, ou seja:
c = c0 n

. No exemplo em questo, a luz ir se propagar mais lentamente no interior da

regio guia de onda (filme, n=1,5), um pouco mais rpida no substrato (n=1,4), e mais
rapidamente no ar (n=1,0). Este efeito, conhecido como efeito lente faz a luz se
concentrar na regio de maior ndice de refrao, neste caso, no filme.

Ar, n=1.0
Filme, n=1.5
Substrato, n=1.4

Figura 7.6. Efeito lente em guias de ondas pticos. A velocidade da frente de

onda diferente em cada uma das camadas, isto produz uma focalizao da luz
na regio onde o ndice de refrao maior.

Os aspectos de guiamento da luz em um guia de onda ptico foram definidos at este

ponto em termos da ptica geomtrica, ou seja, da teoria de raios. No entanto, para que
um estudo mais criterioso seja feito, uma anlise em termos da soluo das equaes de
13

Maxwell torna-se necessria. Sendo assim, considere um meio dieltrico linear (no
apresenta variaes do ndice de refrao em funo da potncia ptica da onda
eletromagntica que se propaga) e isotrpico (apresenta as mesmas caractersticas em
todas as direes). Considere ainda que no existam correntes nem cargas neste meio.
Assim, as equaes de Maxwell podem ser escritas da seguinte forma:

E =

H =

B
t

(7.4)

D
t

(7.5)

D = 0

(7.6)

B = 0

(7.7)

B = H

(7.8)

D = E

(7.9)

onde a permissividade dieltrica e a permeabilidade magntica do meio. A

anlise de guias de ondas pticos por meio das equaes de Maxwell deve levar em
considerao a geometria da estrutura que se pretende resolver. Assim, se queremos
analisar guias de ondas em ptica integrada, que normalmente apresentam geometria
retangular, devemos considerar as Eqs. (7.4)-(7.9) em coordenadas retangulares. No
caso de fibras pticas, com geometria cilndrica, devemos resolver estas mesmas
equaes em coordenadas cilndricas. Sendo assim, dividiremos esta anlise em duas
partes, sendo a primeira dedicada a estruturas retangulares e a segunda dedicada a
estruturas cilndricas (as fibras pticas).
14

7.1.0. Guias de Ondas Retangulares

Os guias de onda retangulares so dispositivos que encontram uma vasta rea de
aplicaes em ptica integrada. Alguns dos mais importantes exemplos de aplicaes
so os lasers, os acopladores direcionais, as chaves pticas, os sensores pticos etc.
Estes dispositivos podem apresentar vrias configuraes possveis em termos de
geometria, porm a mais bsica o guia de onda ptico planar de trs camadas
mostrado na Figura 7.7. A seguir sero dadas as bases para a anlise deste dispositivo
que podem ser facilmente estendidas para geometrias mais complexas.
Estes guias de ondas suportam a propagao de modos com duas polarizaes distintas,
ou seja, modos TE, ou eltrico transversal (apenas uma componente de campo eltrico
na direo transversal) e modos TM, ou magntico transversal (apenas uma componente
de campo magntico na direo transversal). Modo um padro de energia luminosa
que deve satisfaz as equaes de Maxwell e suas condies de contorno, como veremos
a seguir. Os modos TE so caracterizados por 3 componentes de campo
eletromagntico, isto , Ey, Hx e Hz (Ey a componente principal). Os modos TM, por
sua vez, tambm apresentam 3 componentes de campo sendo elas Hy, Ex e Ez (Hy a
componente principal). Qualquer um destes modos podem ser excitados na entrada do
guia de onda e sua escolha depender da aplicao qual o guia de onda se destina. A
soluo das equaes de Maxwell para ambas as polarizaes ser apresentada a seguir.

n1
d

n2

y
z

n3

Figura 7.7. Guia de onda ptico planar de trs camadas.

15

7.1.0.0. Modos TE
Uma vez que a geometria da estrutura retangular, o problema deve ser formulado em
termos de coordenadas retangulares. As componentes de campo para modos TE so Ey,
Hx, Hz e a dependncia no tempo e na direo longitudinal de cada uma destas
componentes dada por

e j ( t z )

Esta dependncia ser omitida nas prximas equaes para simplificar a notao.
Substituindo (7.8) e (7.9) nas Eqs. (7.4) e (7.5) e levando em considerao a
dependncia no tempo e na direo longitudinal acima, temos

E = j H

(7.10)

H = j E

(7.11)

O objetivo aqui encontrar uma equao envolvendo apenas a componente de campo

principal dos modos TE, ou seja, a componente Ey. Sendo assim, expandindo a Eq.
(7.10) com as trs componentes de campo eletromagntico dadas

x
0

y
Ey

= j [H x x + H z z ]
z
0

Assim,

16

 E y
E y

0 = j [H x x + H z z ]
x 0
y (0 0) + z
z
x

Agrupando os termos de mesma direo, temos:

x
Na direo :

E y
z

= j H x

Hx =

E y

z
e j z

Uma vez que a dependncia ao longo do eixo z dada por

Hx =

Ey

, resulta que

(7.12)

Na direo

E y
x

= j H z

Hz =

E y

Expandindo a Eq. (7.11) para as mesmas 3 componentes, temos

17

(7.13)

x
Hx

y
0

= j E y y
z
Hz

Ou seja,

H x
H x
H

H
+ z 0
= j E y y
x z 0 y z

z
y
x

Agrupando os termos de mesma direo:

x
Na direo :

H z
=0
y

(7.14)

y
Na direo :

H z H x
+
= j E y
x
z

e j z

Sabendo que a dependncia em relao a z dada por

, temos

H z
j H x = j E y
x

Na direo :
18

(7.15)

H x
=0
y

(7.16)

Substituindo (7.12) e (7.13) em (7.15), resulta em

2
1 Ey
2
+
j
E y = j E y
x 2

2
2 2
j
e sabendo que = k 0 n , resulta:
Multiplicando ambos os lados por

2Ey
x 2

+ k 02 n 2 2 E y = 0

(7.17)

Esta equao conhecida como a equao de onda de Helmholtz para modos TE e,

como se pode ver, est em funo apenas da componente de campo eltrico principal.
Tudo que precisamos agora resolver esta equao diferencial de segunda ordem como
segue.
Da Eq. (7.17) podemos definir

, = k 02 n 2 2

, assim, a soluo geral da Eq. de

Helmholtz torna-se:

E y ( x ) = Ae j x + Be j x
,

(7.18)

Antes de proceder com a soluo da equao de Helmholtz, precisamos definir o que

chamamos de condio de radiao para o guia de onda da Figura 7.7. Para isso
precisamos interpretar fisicamente o que seria uma soluo que represente corretamente
um modo guiado dentro desta estrutura. A condio para que um modo guiado exista
em um guia de ondas que a Eq. (7.18) apresente uma soluo oscilatria na camada

19

guia de onda, ou seja, na camada n2. Nas camadas adjacentes (camadas n1 e n3) o que se
espera que a amplitude do campo decaia exponencialmente medida que em que este
se afasta do ncleo do guia, tendendo a zero quando o eixo x tender a . Assim, temos
que

,
= puramente real na camada 2

,
= puramente imaginrio nas camadas 1 e 3.

Em um guia de ondas ptico, sabemos que a seguinte relao entre os ndices de

refrao deve ser satisfeita: n2 > (n1, n3). O ndice n1 no necessariamente precisa ser
igual ao ndice n3, mas quando este for o caso temos o que se chama de guia de onda
simtrico. Quando n1 diferente de n3 temos um guia assimtrico. Assim, as constantes
de propagao longitudinais, , que devero ser encontradas via soluo da equao de
Helmholtz, estaro sempre dentro de uma faixa especfica de variao que depender do
tipo do guia de onda (se simtrico ou assimtrico). No caso de um guia simtrico, temos

k0

n1 <

< k 0 n2

(n1 = n3)

E no caso de um guia assimtrico

k0

n3 <

< k 0 n2

(n1 < n3, por exemplo)

Como tem que ser puramente imaginrio nas camadas n1 e n3, podemos escrev-lo
como sendo:

20

 1, =

( 1) ( k 02 n12 + 2 )

, ou

1, = j 2 k 02 n12 = jk1

para a camada n1, e

3, = j 2 k 02 n32 = jk 3

2
2
2
2
2
2
2
2
para a camada n3, onde k 1 = k 0 n1 e k 3 = k 0 n 3 .

Na camada n2, tem que ser puramente real para permitir oscilao, assim

2' = k 02 n22 2 = k 2

Agora que j definimos as constantes de propagao em cada camada, o prximo passo

escrever (7.18) em uma forma mais conveniente. Na camada n1, temos que

E y(1) ( x ) = A1e k1x + B1e k1x

Como o campo nesta regio tem que tender a zero quando x tende a infinito, ento a
constante de integrao A1 = 0, assim o campo torna-se

E y(1) (x ) = B1e k1x

, ou em uma forma mais conveniente

E y(1) ( x ) = B1e k1 ( x d )

vlido para d x +

Na camada n2, temos

21

E y(2 ) ( x ) = A2 e jk 2 x + B2 e jk 2 x

E y(2 ) ( x ) = A2 [cos(k 2 x ) jsen(k 2 x )] + B2 [cos(k 2 x ) + jsen(k 2 x )]

E y(2 ) ( x ) = [A2 + B2 ] cos(k 2 x ) + j (B2 A2 )sen(k 2 x )

Fazendo

C = [ A2 + B2 ]

D = j (B 2 A2 )

E y(2 ) ( x ) = C cos(k 2 x ) + Dsen(k 2 x )

, resulta

vlido para 0 x d

Finalmente, na camada n3

E y(3) ( x ) = A3 e k3 x + B3 e k3 x

Como para x tendendo a menos infinito o campo nesta regio tem que tender a zero,
temos que B3=0, assim

E y(3) ( x ) = A3 e k3 x

vlido para

x 0.

Reescrevendo os campos, temos

E y(1) ( x ) = Ae k1 ( x d )

E y(2 ) ( x ) = B cos(k 2 x ) + Csen(k 2 x )

+
d x

(7.19)

0 x d

(7.20)

22

E y(3) (x ) = De k3 x

x 0

(7.21)

Agora devemos aplicar as condies de contorno em cada interface para se determinar

as constantes A e D. As condies de contorno implicam na continuidade das
componentes tangenciais s interfaces, o que no caso de modos TE so: Ey e Hz

a) impondo continuidade de Ey:

Em x = d:

E y(1) (d ) = E y(2 ) (d )

Ae k1 (d d ) = B cos(k 2 d ) + Csen(k 2 d )

A = B cos(k 2 d ) + Csen(k 2 d )

(7.22)

Substituindo (7.22) em (7.19), temos

E y(1) ( x ) = [B cos(k 2 d ) + Csen(k 2 d )]e k1 ( x d )

Em x = 0:

E y(2 ) (0) = E y(3) (0)

B cos(0 ) + C sen(0 ) = De k3 0

, de onde resulta que

23

(7.23)

D=B

(7.24)

Substituindo (7.24) em (7.21), resulta

E y(3) ( x ) = Be k3 x

(7.25)

Assim, com a primeira condio de contorno j aplicada, os campos podem ser

reescritos como:

E y(1) ( x ) = [B cos(k 2 d ) + Csen(k 2 d )]e k1 ( x d )

(7.26)

E y(2 ) ( x ) = B cos(k 2 x ) + Csen(k 2 x )

(7.27)

E y(3) ( x ) = Be k3 x

(7.28)

b) impondo continuidade de Hz:

Observe que os campos em cada camada foram escritos em funo da componente

principal, Ey. Como estamos interessados em aplicar a continuidade de Hz nas
interfaces, precisamos encontrar uma relao entre essas duas componentes de campo.
Na verdade isso j foi feito durante a derivao da equao de onda de Helmholtz, como
pode ser visto na Eq. (7.13), ou seja

Hz =

j E y
x , assim podemos aplicar esta equao nas interfaces diretamente.

Em x = d:

24

E y

(1)

=
x=d

E y

(2 )

x=d

O termo 0 o mesmo em ambos os lados da interface e pode, portanto, ser

simplificado. Assim temos:
k1 [B cos(k 2 d ) + Csen(k 2 d )] e k1 (d d ) = k 2 Bsen(k 2 d ) + k 2 C cos(k 2 d )

B [ k1 cos(k 2 d ) + k 2 sen(k 2 d )] = C [k1 sen(k 2 d ) + k 2 cos(k 2 d )]

Colocando

cos(k 2 d )

em evidncia:

B cos(k 2 d ) [ k1 + k 2 tan(k 2 d )] = C cos(k 2 d ) [k1 tan(k 2 d ) + k 2 ]

Aps simplificao, temos:

B=C

k1 tan (k 2 d ) + k 2
k 2 tan (k 2 d ) k1

Em x = 0:

E y(2 )

0 x

=
x =0

E y(3 )

0 x

x =0

Simplificando, temos:

25

(7.29)

 k 2 Bsen (k 2 0 ) + k 2 C cos(k 2 0 ) = k 3 Be k3 0

k 2 C = k 3 B , de onde temos que

B=

k2
C
k3

(7.30)

As Eqs. (7.29) e (7.30) podem ser escritas na forma de matriz da seguinte maneira:

1
1

k1 tan (k 2 d ) + k 2 B 0
k 2 tan (k 2 d ) k1
=
k2

k3
C 0

A condio para soluo no trivial requer que o determinante da matriz de coeficientes

seja igual a 0 (zero), ento:

k 2 k1 tan (k 2 d ) + k 2
+
=0
k 3 k 2 tan (k 2 d ) k1

Rearranjando, obtemos

tan (k 2 d ) =

k 2 [k1 + k 3 ]
k1 k 3 k 22

ou

tan (k 2 d ) = k 2

[k1 + k 3 ]
k 22 k1 k 3

26

(7.31)

A equao acima conhecida como equao transcendental para modos TE. Vale a
pena salientar que a nica varivel desconhecida nesta equao a constante de

propagao longitudinal, , que pode ser facilmente obtida com qualquer rotina para
obteno de razes. Uma boa sugesto o mtodo da procura em conjunto com o
mtodo da bisseco. As equaes de campo podem ser escritas em funo de uma
nica constante de integrao (B ou C, ver equaes de (7.27) a (7.28) e (7.30)).
Assim, escrevendo em funo de B, temos

k
E y(1) ( x ) = B cos(k 2 d ) + 3 sen(k 2 d ) e k1 ( x d d x
k2

k
E y(2 ) ( x ) = B cos(k 2 x ) + 3 sen(k 2 x )
k2

0xd

E y(3) ( x ) = Be k3 x

x0

(7.32)

(7.33)

(7.34)

A nica constante que precisa ser calculada agora B. Esta constante pode ser obtida
via normalizao do campo por intermdio da seguinte equao

1
E y (x ) H x ( x)dx = 1 (W / m)
2

Esta equao nos diz que a densidade de potncia ptica transportada pelo modo de
1aW/m. Sabendo que:

27

H x ( x) =

E y (x )

, temos

E (x )
y

dx = 1

No caso do guia de onda da Figura 7.7, a Eq.

W
m

(7.35)

(7.35) ficar dividida em trs

contribuies distintas, sendo elas:

+
dx

, onde dever ser utilizada a Eq. (7.32)

0 x d, onde dever ser utilizada a Eq. (7.33)

x 0 , onde dever ser utilizada a Eq. (7.34)

Em todos os casos, a integral resultante apresenta resultado analtico e exato, e

deixada aqui como exerccio para o leitor.

7.2.1.2. Modos TM:

A derivao da equao de Helmholtz para modos TM segue o mesmo raciocnio
anterior e ser, portanto, resumida nesta seo. As componentes de campo neste caso
so: Hy, Ex, Ez. A dependncia em relao ao tempo e coordenada espacial z so da
e j ( t z )

mesma forma

, e ser omitida nas prximas equaes.

Da Eq. (7.10) temos que

E
E

E
E
x z 0 y z x + z 0 x = j H y y
z
y
x
y

28

Agrupando os termos de mesma direo:

Direo :

E z
=0
y

Direo

E x
=0
y

Direo

E z
j E x = j H y
x

(7.36)

Expandindo (7.11), temos

H y
H y

0 = j [E x x + E z z ]
x 0
y [0 0] + z
z

x
Direo :

Ex =

Hy

(7.37)

29

Direo :

Ez = j

1 H y
x

(7.38)

Substituindo (7.37) e (7.38) em (7.36), resulta

2
1 Hy
2
j

j
H y = j H y
x 2

2
2 2
j
, e sabendo que = k 0 n , tem-se
Multiplicando ambos os lados por

2H y
x

+ k 02 n 2 2 H y = 0

(7.39)

Esta equao conhecida como a equao de onda de Helmholtz para modo TM. Sua
soluo segue os mesmos padres daquela para modos TE, ou seja:

H y ( x ) = Ae j x + Be j x
,

As condies de radiao exigem que a constante de propagao em cada camada

seja dada por

1, = j 2 k 02 n12 = jk1

(puramente imaginrio)

30

 2, = k 02 n 22 2 = k 2

3, = j 2 k 02 n32 = jk 3

(puramente real)

(puramente imaginrio)

Na camada n1, temos que

H y(1) ( x ) = A1e k1x + B1e k1x

Este campo deve tender a zero quando x tender a +, implicando em A1 = 0. Portanto,

H y(1) ( x ) = B1e k1x

ou ainda,

H y(1) ( x ) = B1e k1 ( x d )

vlida de d x +

Na camada n2 o campo deve apresentar oscilao, assim

H y(2 ) ( x ) = A2 e jk 2 x + B2 e jk2 x

H y(2 ) ( x ) = C cos (k 2 x ) + Dsen (k 2 x )

vlida de 0 x d

Na camada n3, o campo deve decair exponencialmente, ou seja

H y(3) ( x ) = A3 e k3 x + B3 e k3 x
31

Como o campo deve tender a zero quando x tender a -, temos que B3=0, assim

H y(3) (x ) = A3 e k3 x

x0

Reescrevendo os campos, temos

H y(1) ( x ) = Ae k1 ( x d )

dx

(7.40)

H y(2 ) ( x ) = B cos (k 2 x ) + Csen (k 2 x )

0xd

(7.41)

H y(3) (x ) = De k3 x

x0

(7.42)

O prximo passo consiste em aplicar as condies de contorno em cada uma das

interfaces, para isso devemos conhecer as componentes de campo tangenciais a estas
interfaces. No caso de modos TM, essas componentes so Hy e Ez.

a) impondo a continuidade de Hy:

Em x = d:

H y(1) (d ) = H y(2 ) (d )

A = B cos(k 2 d ) + Csen(k 2 d )

Substituindo (7.43) em (7.40), temos

32

(7.43)

H y(1) ( x ) = [B cos (k 2 d ) + Csen (k 2 d )]e k1 ( x d )

(7.44)

D=B

(7.45)

Em x = 0:

H y(2 ) (0) = H y(3) (0)

Substituindo (7.45) em (7.42), temos

H y(3) (x ) = Be k3 x

(7.46)

As Eqs. (7.41), (7.44) e (7.46) so as novas expresses para a componente de campo

magntico Hy aps a aplicao da primeira condio de contorno. Observe que apenas
duas constantes de integrao esto presentes nesta etapa (B e C).

b) impondo continuidade de Ez:

Os campos em cada camada foram escritos em funo da componente principal, Hy.

Agora estamos interessados em aplicar a continuidade de Ez nas interfaces, e para isso
precisamos encontrar uma relao entre essas duas componentes de campo. Como no
caso anterior, isso j foi feito durante a derivao da equao de onda de Helmholtz,
como pode ser visto na Eq. (7.38), ou seja

Ez = j

1 H y
x

33

Em x = d:

H y(1)

0 n12 x

= j
x=d

H y(2 )

0 n 22

x=d

onde foi utilizado o fato de que: = 0 n , assim 1 = n e 2 = 0 n . O termo 0

2

2
0 1

2
2

o mesmo em ambos os lados da interface e pode, portanto, ser simplificado. Logo

temos:

1
[ k1 {B cos (k 2 d ) + Csen (k 2 d )}] = 12 [ k 2 Bsen (k 2 d ) + k 2 C cos (k 2 d )]
2
n1
n2

cos (k 2d )

Rearranjando, colocando

em evidncia, e simplificando, resulta em

B=C

n
k1 2
n1

tan (k 2 d ) + k 2

n
k 2 tan (k 2 d ) k1 2
n1

Em x = 0:

H y(2 )

0 n 22

= j
x =0

H y(3 )

0 n32

x =0

Simplificando o termo 0 e rearranjando, temos:

34

(7.47)

n
B = C 3
n2

k2

k3

(7.48)

As Eqs. (7.47) e (7.48) podem ser escritas na forma matricial da seguinte maneira:

n
k1 2
n1

2
B

tan (k 2 d ) + k 2

n
k 2 tan (k 2 d ) k1 2
n1
2
n k
3 2
n2 k 3

A condio para soluo no trivial requer que o determinante da matriz de coeficientes

seja igual a 0 (zero), ento:

tan (k 2 d ) + k 2
2
n3 k 2

=
2
n2 k 3
n
k 2 tan (k 2 d ) k1 2
n1

n
k1 2
n1

Rearranjando, temos

n 2 n 2
k 2 k1 2 + 2 k 3
n1 n3
tan (k 2 d ) =
2
2
n2 n2
2
k 2 k1 k 3
n3 n1

(7.49)

A Eq. (7.49) conhecida como a equao transcendental para modos TM. Mais uma
vez, a nica varivel desconhecida nesta equao a constante de propagao

35

longitudinal, , que pode ser facilmente obtida com qualquer rotina para obteno de
razes.
As equaes de campo podem ser escritas em funo de uma nica constante de
integrao (B ou C, ver equaes de (7.41) a (7.44) e (7.46) ), com o auxlio de (7.48).
Assim, escrevendo em funo de B, temos

n
H y ( x ) = B cos(k 2 d ) + 2

n3
(1)

(2 )

Hy

n
(x ) = B cos (k 2 x ) + 2

n3

k3

sen(k 2 d ) e k
+
d x
k2

k3

sen (k 2 x )
0 x d
k2

(7.50)

(7.51)

H y(3) (x ) = Be k3 x

x0

(7.52)

A nica constante que precisa ser calculada agora B. Esta constante pode ser obtida
via normalizao do campo para modos TM por intermdio da seguinte equao

1
E x ( x ) H y ( x)dx = 1 (W / m)

Esta equao nos diz que a densidade de potncia ptica transportada pelo modo de
1aW/m. Sabendo que:

E x (x ) =

H y (x )

, temos

36

H (x )

dx = 1

No caso do guia de onda da Figura 7.7, a Eq.

W
m

(7.53)

(7.53) ficar dividida em trs

contribuies distintas, sendo elas

+

dx

, onde dever ser utilizada a Eq. (7.50)

0 x d, onde dever ser utilizada a Eq. (7.51)

x 0 , onde dever ser utilizada a Eq. (7.52)

Em todos os casos, a integral resultante apresenta resultado analtico e exato, e

deixada aqui como exerccio para o leitor.

7.1.1. Guias de Ondas Cilndricos

A fibra ptica um guia de onda cilndrico formado, tipicamente, por um ncleo com
dimetros variando entre 10 e 50 m, e uma casca com dimetro variando entre 125 e
400 m. Para que esta estrutura suporte a propagao de luz em seu ncleo, o ndice de
refrao deste meio deve ser ligeiramente superior ao ndice de refrao da casca. O
procedimento de anlise de uma fibra ptica similar ao de guias de ondas retangulares,
com a diferena de que as coordenadas agora so cilndricas. Para a fibra mostrada na
Figura 7.8, o sistema de coordenadas definido com o eixo z situado ao longo do eixo
da fibra. Sendo assim, para uma onda eletromagntica se propagando na direo z,
temos [7]:

E = E 0 (r , )e j (t z )

H = H 0 (r , )e j (t z )
37

(7.54)

(7.55)

Nas equaes acima o parmetro que mais nos interessa a constante de propagao
longitudinal . Esta constante de propagao ser determinada nos mesmos moldes
daquelas dos guias retangulares, o que requer o casamento das componentes tangenciais
de campos eltrico e magntico na interface entre o ncleo e a casca da fibra.

z
x

ncleo

casca

Figura 7.8. Fibra ptica e sistema de coordenadas cilndricas.

Substituindo as Eqs. (7.54) e (7.55) nas equaes de Maxwell (7.4) e (7.5) resulta

1 E z

+ jr E = jH r
r

(7.56)

E z
= jH
r

(7.57)

jE r +

1
(rE ) E r

r r

= jH z

1 H z

+ jr H = jE r
r

38

(7.58)

(7.59)

j H r +

H z
= jE
r

1
(rH ) H r

r r

= jE z

(7.60)

(7.61)

Estas equaes podem ser trabalhadas de forma que todas as componentes de campo
podem ser escritas em termos de Ez e Hz apenas, ou seja

q2 = k 2 2
onde

Er =

j
q2

E z H z
r + r

(7.62)

E =

H z
j E z

2
r
q r

(7.63)

Hr =

j
q2

H z E z
r r

(7.64)

H =

E z
j H z
+
2
r
q r

(7.65)

k 2 = 2
e

. Substituindo (7.64) e (7.65) na Eq. (7.61) resulta na

seguinte equao de onda em coordenadas cilndricas para campo eltrico

2 E z 1 E z 1 2 E z
+
+ 2
+ q 2 Ez = 0
2
2
r r
r
r

(7.66)

Substituindo (7.62) e (7.63) na Eq. (7.58) resulta na seguinte equao para campo
magntico
39

 2 H z 1 H z 1 2 H z
+
+ 2
+ q2H z = 0
2
2
r
r

r
r

(7.67)

As solues de (7.66) e (7.67) podem ser classificadas de acordo com o nmero de

componentes de campo longitudinais presentes da seguinte forma: 1) se Ez=0 os modos
assim obtidos so denominados modos eltricos transversais, ou modos TE; 2) Se Hz=0
os modos so denominados modos magnticos transversais, ou modos TM; e,
finalmente, se Ez e Hz so ambos diferentes de zero, os modos so denominados modos
hbridos, podendo ser separados em modos EH (se Ez a componente mais
significativa) e modos HE (se Hz a componente mais significativa).
A expanso a seguir refere-se apenas soluo da Eq. (7.66), uma vez que (7.67)
pode ser resolvida de forma anloga. Para fibras com perfil de ndice gradual, o leitor
referido ao timo livro de Gerd Keiser intitulado Optical Fiber Communications [7].
A soluo de (7.66) obtida mais facilmente se utilizarmos o conceito de separao de
variveis. Como pode ser observado na Eq. (7.54), a componente Ez uma funo de
r,, z e t. Ao utilizarmos separao de variveis estamos supondo que as variaes ao
longo de r,, z e t no apresentam nenhuma dependncia entre si. Sendo assim,
podemos escrever uma soluo para a componente Ez como sendo
E z = E 0 R (r )F ( )e j (t z )

(7.68)

Vale lembrar que a dependncia em relao ao tempo e a z j foram definidas em (7.54)

e (7.55). Em virtude da geometria circular da fibra, sabemos que cada componente de
campo eltrico e magntico no pode apresentar variao se a coordenada apresentar
uma rotao de 2. Portanto, podemos supor que a funo F() apresenta uma variao
peridica da forma

40

F ( ) = e j

(7.69)

onde um nmero inteiro positivo ou negativo. Substituindo (7.69) em (7.68) e a

expresso resultante em (7.66), temos

2 R 1 R 2 2
+
+ q 2 R = 0
r
r 2 r r

(7.70)

O leitor mais atento ir observar que esta a equao diferencial para as funes de
Bessel. Isto simplifica razoavelmente nosso trabalho uma vez que suas solues so
funes j tabeladas que podem ser encontradas em vrios livros de tabelas
matemticas. A soluo de (7.70) deve ser obtida tanto dentro quanto fora do ncleo da
fibra, e para cada regio uma funo de Bessel especfica deve ser utilizada. Como
sabemos, na regio do ncleo da fibra os campos devem apresentar oscilao enquanto
que na casca devem apresentar decaimento exponencial. No primeiro caso, oscilao, a
funo de Bessel a ser utilizada a Jn(z) e no segundo, decaimento, a funo a Kn(z).
Assim, para uma fibra cujo raio do ncleo a, a soluo para r < a (dentro do ncleo)
para campo eltrico e magntico pode ser escrita como

E z (r ) = AJ (ur )e j e j (t z )

(7.71)

H z (r ) = BJ (ur )e j e j (t z )

(7.72)

2
2
onde A e B so constantes arbitrrias, u = k1 , k1 = k 0 n1 , n1 o ndice de refrao

do ncleo, k 0 = 2 , e o comprimento de onda da luz no vcuo. Na regio da

casca (r > a), temos

41

E z (r ) = CK (wr )e j e j (t z )

(7.73)

H z (r ) = DK (wr )e j e j (t z )

(7.74)

2
2
onde C e D so constantes arbitrrias, w = k 2 , k 2 = k 0 n2 , e n2 o ndice de

refrao da casca. Para que as funes de Bessel J e K descrevam o comportamento do

campo corretamente, ou seja, oscilao no ncleo e decaimento exponencial na casca da
fibra, as constantes de propagao w e u devem ambas ser puramente reais. Isto impe
uma restrio na faixa de variao possvel para a constante de propagao da
seguinte forma

k 0 n 2 k 0 n1 .

Qualquer valor fora desta faixa ir produzir valores puramente imaginrios para w e/ou
u. O prximo passo consiste em promover o casamento das condies de contorno das
componentes tangenciais interface ncleo-casca. Isto nos permitir obter uma equao
transcendental onde a nica varivel a ser determinada a constante de propagao
longitudinal . As componentes tangenciais em um guia de onda cilndrico como a fibra
so: E e Ez para as componentes de campo eltrico, e H e Hz para as componentes de
campo magntico. As Eqs. (7.71)-(7.74) j representam as componentes tangenciais na
direo z e podem ser utilizadas diretamente. J as componentes tangenciais em
devem ser obtidas a partir das Eqs. (7.63) para campo eltrico, e (7.65) para o campo
magntico. Assim, o casamento das componentes tangenciais deve se proceder em r =
a, uma vez que esta a nica interface um uma fibra ptica. Assim, a expanso deve ser

feita seguindo a seguinte receita:

1)

E zncleo (r = a ) = E zcasca (r = a )

42

2)

3)

4)

Encleo (r = a ) = Ecasca (r = a )

H zncleo (r = a ) = H zcasca (r = a )

H ncleo (r = a ) = H casca (r = a )

O casamento das condies de contorno trivial e segue o mesmo processo que foi
detalhado para guias de ondas retangulares e ser, portanto, omitido aqui. O leitor
interessado em acompanhar todos os passos da expanso deve se referir ao Captulo 2
do livro do Keiser [7]. Uma vez concludo o casamento das componentes tangenciais, as
equaes resultantes tambm podero ser escritas em forma matricial. Fazendo o
determinante da matriz dos coeficientes igual a zero resulta na seguinte equao
transcendental para a constante de propagao

2
2

J (ua )
K (wa ) 2 J (ua )
1
1

2 K (wa )

uJ (ua ) + wK (wa ) k1 uJ (ua ) + k 2 wK (wa ) = a u 2 + w 2 (7.75)

Apesar de sua aparncia complicada, a nica varivel desconhecida nesta equao ,

que por sua vez pode ser facilmente obtida com qualquer rotina para se encontrar razes
de funes. A funo de Bessel J apresenta um comportamento oscilatrio, como j foi
mencionado anteriormente. Isto ir fazer com que, para um determinado valor de ,
existam m razes possveis para esta equao. Por esta razo, as constantes de
propagao longitudinal so melhor definidas em termos destes dois sub-ndices, ou
seja, m . Portanto, os modos propagantes correspondendo a cada uma destas constantes
de propagao so assim denominados: TEm., TMm, HEm e EHm . Em uma fibra

43

ptica todos os modos so hbridos (Ez 0 e Hz 0), exceto aqueles nos quais = 0.
Quando = 0, a Eq. (7.75) reduz-se seguinte forma:

J 1 (ua )
K (wa )
+ 1
=0
uJ 0 (ua ) wK 0 (wa )

a qual representa a equao transcendental para modos TE0m (Ez = 0), e

k12

J 1 (ua )
K 1 (wa )
+ k 22
=0
uJ 0 (ua )
wK 0 (wa )

a qual representa a equao transcendental para modos TM0m (Hz = 0).

Com isso o leitor tem as ferramentas bsicas necessrias para o projeto de

sensores pticos baseados em fibra. Vale a pena lembrar que em termos de sensores
pticos o que se deseja que a luz seja influenciada o mximo possvel pelo material a
que se deseja sensoriar. Por exemplo, ao substituirmos a casca da fibra por um lquido
cujo ndice de refrao mais elevado, o campo ptico nesta regio ir penetrar mais
acentuadamente dentro do lquido, reduzindo a potncia ptica no ncleo. Esta variao
de potncia ptica no ncleo pode ser percebida por um fotodetetor colocado na sada
da fibra, e o sinal eltrico assim obtido pode ento ser tratado e associado a algum
parmetro de interesse do material sendo medido.
Como se pode ver, impossvel se fazer um projeto criterioso de sensores
pticos, sejam eles integrados ou em fibra, sem o profundo conhecimento de como a luz
ir interagir com o mensurando. O projeto de sensores pticos passa, necessariamente,
por uma boa anlise eletromagntica do problema, pois esta nos permite antecipar o
comportamento da luz dentro do sensor para qualquer situao.

44

7.3.

PTICA INTEGRADA

Na dcada de 60 foram lanadas as bases para o que hoje conhecemos como

ptica integrada [8]-[10]. ptica integrada refere-se aplicao de filmes finos e
tecnologia de microfabricao para definio e desenvolvimento de sistemas pticos em
miniatura [11]. No incio, as pesquisas em ptica integrada estavam voltadas para a rea
de comunicaes [12]. No entanto, com o aprimoramento das tcnicas de
microfabricao e pesquisa em novos materiais, o espectro de influncia da
optoeletrnica tem se estendido por vrias reas. Dentre elas incluem-se: guiamento da
luz, modulao, filtragem, interferometria, processamento de sinais, acoplamento de
sinais, gerao, deteco, sensoriamento etc.
Notadamente, um dos campos que mais tem se beneficiado desse fenmeno o de
sensores. A utilizao de sensores pticos integrados oferece muitas vantagens sobre os
sensores convencionais, tais como: larga faixa de temperatura de operao; imunidade
eletromagntica devido altssima freqncia da luz; tomadas de medidas sem contato
fsico, o que possibilita sua utilizao em ambientes hostis; tamanho e peso reduzidos;
utilizao de tecnologia da indstria microeletrnica; reprodutibilidade e baixo custo em
funo do potencial de produo em larga escala; e possibilidade de integrao de
dispositivos pticos e eletrnicos num mesmo substrato [13]. Alm disso, as tcnicas de
deteco de variaes no campo ptico esto bastante amadurecidas o que proporciona
alta sensitividade aos sensores pticos. Isso tem permitido um vasto espectro de
aplicaes podendo ser citadas refratmetros [14]-[21], sensores de gs [22], sensores
de presso [23]-[24], biosensores [25]-[26] etc. Em sua grande maioria, estas estruturas
utilizam a configurao tipo Mach-Zehnder, a qual descrita em mais detalhes a seguir.
A Figura 7.9 ilustra algumas das configuraes mais comumente encontradas em
dispositivos pticos integrados. Observe que nos exemplos ilustrados nesta figura as
estruturas foram consideradas apresentando eletrodos em sua parte superior. Neste caso,
as variaes de intensidade luminosa na sada dos mesmos ocorre em funo da
variao da tenso aplicada, permitindo que estas estruturas sejam utilizadas como
45

moduladores pticos. No caso de sensores pticos os eletrodos so substitudos pelo

material que se deseja sensoriar.

+
Interfermetro Mach-Zehnder

Acoplador Direcional

(a)

(b)

+
Acoplador
Direcional
Alimentao em Y

com

Juno Y

(d)

(c)

Figura 7.9. Geometrias comumente encontradas para guias de ondas pticos

integrados. Nos casos (a)-(c), a variao da intensidade luminosa na sada dos
dispositivos obtida via aplicao de uma tenso de polarizao. A estrutura (d)
pode ser utilizada como um divisor de potncia ptica. No caso de sensores, os
eletrodos so substitudos pelo material que se deseja sensoriar.

7.1.1. Interfermetro Mach-Zehnder

O interfermetro de Mach-Zehnder um dispositivo que foi inventado h mais de
cem anos, mas continua sendo utilizado extensivamente tanto pela indstria de sensores
quanto a de telecomunicaes. Neste tipo de dispositivo, a luz dividida igualmente
entre dois braos (uma juno Y), sendo que um deles tomado como o brao de
referncia e o outro, no caso de sensores, como o brao sensor. No primeiro, a luz passa
sem sofrer perturbaes, enquanto que no outro (o brao sensor), a luz influenciada
por alguma grandeza externa. O prximo passo consiste em recombinar a luz
proveniente destes dois braos de modo a permitir que haja uma interferncia entre
ambas, e isto feito utilizando uma segunda juno Y. A perturbao produzida no
46

brao sensor produz uma variao na fase da luz que, quando recombinada com a luz
proveniente do brao de referncia, resulta em uma variao proporcional de
intensidade na sada do dispositivo. A Figura 7.10 ilustra uma configurao tpica de um
interfermetro Mach-Zehnder utilizado em ptica integrada [16], [20]-[21], [25]-[28].
Vale lembrar que este mesmo tipo de dispositivo pode ser tambm construdo
inteiramente em fibra [29]-[30].

Sada
de Luz

Brao de
Referncia

Brao Sensor
Entrada
de Luz

Figura 7.10. Vista tridimensional de uma estrutura Mach-Zehnder tipo costela.

Em guias de ondas convencionais o ngulo de abertura, , comumente utilizado
de 1/100 rd.

A potncia ptica na sada de um Mach-Zehnder pode ser facilmente descrita atravs da

seguinte equao

I=

1
(1 + cos( ))
2

(7.76)

onde a defasagem entre os dois braos do dispositivo provocada, por exemplo, por
uma tenso aplicada ou pela atuao de alguma grandeza no brao sensor (tal como
presso). Quando a defasagem entre o brao de referncia e o brao sensor for =0,
a sada apresentar nvel de potncia ptica mxima (o que entrou transmitido para a
47

sada). Por outro lado, quando = 180, a sada apresentar nvel zero de potncia
ptica.
O comportamento da luz guiada por esta estrutura fortemente influenciado pelo ngulo
de abertura das duas junes Y. Este efeito pode ser facilmente visualizado pela
simulao da propagao de campo ptico na juno Y de entrada para um ngulo de
abertura de apenas 0,1 radiano, como mostra a Figura 7.11. Observe que h uma grande
perda de potncia ptica por radiao nesta estrutura, ou seja, grande parte da luz deixa
de ser confinada na regio do ncleo e se espalha pela estrutura, inviabilizando sua
utilizao. Diminuindo este ngulo de abertura para apenas 0,01 radiano, a transio
passa a ser mais suave e a luz pode se propagar sem perda de potncia ptica, como
mostra a Figura 7.12. Neste exemplo a potncia ptica de entrada foi dividida
igualmente (diviso de 3 dB) entre os dois braos. Na prtica, o ngulo de abertura de
uma estrutura Mach-Zehnder (ou de uma juno Y) est mesmo em torno de 0,01
radiano exatamente para evitar esses problemas.

Figura 7.11: Juno Y exibindo um ngulo de abertura de 0,1 radiano. Parte da

luz guiada perdida por radiao.

48

Figura 7.12. Juno Y exibindo um ngulo de abertura de 0,01 radiano. A luz

confinada perfeitamente dentro do guia de onda e dividida 50% em cada brao
(divisor 3dB).

Levando em conta o ngulo de abertura da juno Y discutido acima, considere, agora,

uma estrutura Mach-Zehnder sem perdas onde nenhuma perturbao aplicada no
brao sensor. Neste caso, a luz que entra no dispositivo primeiramente dividida
igualmente entre os dois braos (3 dB), passa pelos guias de ondas paralelos, e depois
novamente recombinada por intermdio da segunda juno Y. Como no houve nenhum
tipo de perturbao no brao sensor, a luz deve ser transmitida para a sada sem
atenuao, como mostra a Figura 7.13. Se o brao sensor, por sua vez, vier a sofrer
algum tipo de perturbao, haver uma variao no ndice de refrao do material e,
conseqentemente, uma defasagem entre os modos que se propagam nos dois braos. Se
a defasagem entre ambos os modos for de 180o, quando estes se recombinarem na
segunda juno Y, no haver nenhuma luz emergindo na sada do dispositivo. A Figura
7.14 ilustra um caso onde uma pequena defasagem foi criada no brao sensor de modo
que apenas parte da luz emerge na sada do dispositivo. Este efeito de modulao da luz
pode ser utilizado em aplicaes tanto na indstria de sensores pticos quanto na de
telecomunicaes.

49

Figura 7.13. Propagao de luz em uma estrutura Mach-Zehnder sem

perturbao. Toda luz acoplada na entrada ser transmitida para a sada sem
atenuao.

Figura 7.14. Propagao de luz em uma estrutura Mach-Zehnder com uma

pequena perturbao no brao sensor. Apenas uma parte da luz acoplada na
entrada ser transmitida para a sada.

7.1.

FIBRA PTICA

A fibra ptica, como definida na seo 7.1.2, uma guia de onda em formato cilndrico
onde o ncleo do guia de onda (entre 10 e 50 m) apresenta um ndice de refrao
50

ligeiramente superior em relao casca. Os materiais que compem a fibra devem

satisfazer os seguintes requisitos:

permitir a fabricao de fibras de comprimento longo, finas e flexveis;

devem ser transparentes em um determinado comprimento de onda para permitir

guiamento eficiente de luz;

disponibilidade de materiais fisicamente compatveis com ndices de refrao

ligeiramente diferentes.

Dois tipos de materiais que satisfazem plenamente estes requisitos so o quartzo e os

plsticos. Sendo assim, possvel encontrar fibras apresentando diversas combinaes
de materiais, tais como ncleo e casca de polmero, inteiramente baseadas em slica
(estas utilizadas principalmente em comunicaes, onde a variao dos ndices de
refrao entre casca e ncleo so conseguidas pela dopagem com germnio, pentxido
de fsforo ou xido de boro), e tambm com o ncleo de slica e casca de plstico. Os
tipos mais comuns de fibras so ilustrados na Figura 7.15. Elas so divididas em dois
grupos em funo do nmero de modos que se propagam em seu ncleo. Assim temos
as fibras monomodo, quando apenas um modo se propaga (este modo conhecido como
o modo HE11), e fibras multimodo, quando vrios modos so suportados pela fibra. As
fibras monomodo apresentam um dimetro do ncleo geralmente em torno de 8 a 12m,
e o ncleo sempre formado por um material cujo ndice de refrao (ligeiramente
maior que o da casca) no constante. Isso faz com que exista um degrau de ndices na
interface entre ncleo e casca. Por este motivo, este tipo de fibra conhecido como fibra
monomodo de ndice degrau. As fibras multimodo, por sua vez, podem apresentar
dimetros acima de 50 m com um perfil de ndice de refrao que tanto pode ser do
tipo degrau (como no caso das fibras monomodo), quanto gradual. Neste ltimo caso, o

51

ndice de refrao mximo no centro do ncleo da fibra e vai diminuindo

gradualmente medida em que se afasta do centro [7].

n2

n1
8-12m

Monomodo
ndice Degrau

> 50 m

Multimodo
ndice Degrau

> 50m

Multimodo
ndice Gradual

Figura 7.15. Tipos mais comuns de fibras pticas.

As fibras, embora sejam um excelente meio de transmisso de informaes em

forma de luz, apresentam perdas de propagao que causam atenuao do sinal que
chega ao fotodetetor. Estas perdas variam em funo do comprimento de onda da luz
como mostra a Figura 7.16. Nesta figura tambm so indicadas as trs janelas principais
para utilizao da fibra em comunicaes pticas. Estas janelas so na verdade
regies de baixas perdas de propagao. Estas perdas so provenientes de vrios
mecanismos diferentes, tais como:

Absoro
Podem ser divididas em trs componentes distintas:
a) devido presena de defeitos na estrutura atmica do material;
b) devido presena de impurezas adicionadas involuntariamente durante a
fabricao do material;
52

a) devido aos prprios tomos que constituem o material.

Os picos de absoro que so vistos na curva da Figura 7.16 so devidos presena do

on OH- que ocorrem durante o processo de fabricao da preforma (basto de cerca de
1m de comprimento e 1cm de dimetro que ir se transformar na fibra ptica). Para se
ter uma idia da atenuao produzida por este on, basta dizer que apenas umas poucas
partes por bilho podem provocar perdas da ordem de 20 dB/km.

Espalhamento Rayleigh
Resulta das variaes microscpicas na densidade do material. Estas perdas so
proporcionais a 1/4, ou seja, so maiores para comprimentos de onda menores. Este
tipo de perda no pode ser eliminado.

Perdas em microcurvaturas
Ocorre devido a variaes de velocidade no processo de puxamento da fibra.

1a janela

perda, dB/km

pico de
absoro
OH-

~ 2,5 dB/km; 0,85 m

2a janela

3a janela

~ 0,5 dB/km; 1,3 m

~ 0,25 dB/km
1,55 m

2
1
0
0,7 0,8 0,9
UV

1,0 1,1 1,2

1,3

comprimento de onda, m

53

1,4

1,5
IV

1,6

Figura 7.16. Curva de perdas em funo do comprimento de onda da luz para

uma fibra ptica convencional. UV=ultra-violeta, IV=infra-vermelho.

Como definido anteriormente, as fibras so classificadas quanto ao nmero de modos

que se propagam em seu ncleo como sendo monomodo ou multimodo. No caso das
fibras monomodo, o dimetro do ncleo (da ordem de 10m) impe uma restrio
significativa quanto ao tipo de fonte ptica que se pode utilizar em sua excitao e,
principalmente, quanto ao tipo de aplicao a que ela se destina. Sendo assim, as fibras
monomodo so utilizadas nas seguintes aplicaes:
Enlaces de curta e longa distncias;
Entroncamentos urbano, interurbano e submarino;
Transmisso de telefonia bsica, dados, CATV.

Em todos os casos, a fonte ptica a ser utilizada deve ser, necessariamente, o laser. Isto
se deve ao fato de que o dimetro do feixe do laser compatvel com o dimetro do
ncleo da fibra, permitindo assim um melhor acoplamento de luz. O LED, por
apresentar um dimetro de feixe muito mais largo, alm de uma potncia ptica
consideravelmente inferior do laser, proporciona um baixssimo acoplamento de luz
em fibras monomodo. Ambas as fontes sero tratadas em mais detalhes neste captulo.
As fibras multimodo, por sua vez, apresentam dimetros de ncleo superiores a
50m, o que torna muito mais fcil o processo de acoplamento de luz em seu ncleo.
Assim, tanto o laser quanto o LED podem ser utilizados para a sua excitao.
Adicionalmente, o grande dimetro do ncleo nestas fibras facilita consideravelmente o
processo de alinhamento entre a fonte ptica e a fibra. Estas fibras so normalmente
utilizadas nas seguintes aplicaes:

Enlaces de curta distncia;

Redes de computadores (Local Area Network-LAN);
54

Transmisso de dados, voz, vdeo.

Os itens discutidos acima so ilustrados na Figura 7.17.

Fontes
LED

LASER

Fibra
monomodo
ndice degrau

Fibra
Multimodo
ndice gradual
Fibras
Fibra
Multimodo
ndice degrau

Figura 7.17. Tipos de fibras e as respectivas fontes pticas utilizadas na sua

excitao.

7.1.

COMPONENTES EMPREGADOS EM SISTEMAS DE

SENSORIAMENTO

O desenvolvimento de componentes para fibra ptica tem sido motivado no somente

pelas necessidades dos sistemas de telecomunicao mas tambm pelos avanos
apresentados pela tecnologia de sensores fibra. Vrias funes tm sido
extensivamente investigadas de modo a encontrar solues para estas necessidades,
incluindo acopladores direcionais, polarizadores e moduladores que so peas-chave no
estudo de sensores. A seguir ser apresentado um breve resumo do princpio de
funcionamento dos principais componentes.

7.1.1. Acopladores

55

Acopladores pticos so dispositivos que permitem que a luz seja transferida de um

guia de onda para outro, periodicamente. Para isso, dois ou mais guias de ondas devem
estar suficientemente prximos de forma a permitir que o campo evanescente do modo
em um dos guias enxergue o ncleo do(s) guia(s) de onda adjacente(s). Quando os
modos dos guias acoplados exibem a mesma velocidade de fase, a interao ressonante
acontece e a transferncia total de energia ocorre. Esta habilidade de transferir a
potncia ptica entre guias de ondas para modelar as funes dos tradicionais divisores
de feixe foi reconhecida em um primeiro estgio como uma das principais necessidades
para o desenvolvimento de sensores interferomtricos totalmente fibra.
Em ptica integrada, a fabricao de acopladores pticos se d por meio do
crescimento, ou deposio, de materiais com ndices de refrao diferentes de forma a
construir uma estrutura multicamadas. Um exemplo tpico de acoplador ptico
integrado pode ser visto na Figura 7.17. No caso de acopladores baseados em fibra,
necessria uma modificao fsica na estrutura de acoplamento de maneira a aproximar
os ncleos das fibras. Para este fim, trs mtodos bsicos tm sido desenvolvidos na
literatura: 1) retirada da maioria da camada de casca por meio de corroso qumica; 2)
remoo parcial da camada de casca em ambas as fibras por meio de um polimento
mecnico controlado; e 3) fuso de duas fibras aps um leve entrelaamento entre elas e
posterior aquecimento.
Seja qual for o tipo de acoplador escolhido, fibra ou ptica integrada, possvel
produzir diferentes taxas de acoplamento pela simples variao das condies de
propagao em cada um dos guias. Assim, se o que se deseja um acoplador 3 dB (que
divide a potncia meio a meio entre os dois guias), ento ambos os guias devero
apresentar a mesma constante de propagao e, por conseguinte, velocidade de fase.
Qualquer perturbao na constante de propagao de um dos guias de onda ir causar
uma variao correspondente na velocidade de fase e, conseqentemente, ir reduzir a
transferncia de potncia ptica entre ambos.

56

Devido sua natureza peridica, a luz poder ser totalmente transferida de um guia para
outro aps uma distncia L, e voltar para o guia de onda inicial aps percorrer
novamente esta mesma distncia. Este comportamento ilustrado na Figura 7.19 que foi
obtida pela simulao do acoplador mostrado na Figura 7.17. Com base nesta
simulao, observe que caso o comprimento total do dispositivo terminasse no ponto
(a), toda energia lanada na porta 2 seria acoplada na porta 3. Terminando no ponto (b),
a luz seria acoplada uma vez no guia superior, voltaria novamente para o guia inferior e
sairia via porta 4. Nos pontos (c) e (d) o raciocnio similar. Este tipo de
comportamento possibilita tambm a utilizao deste dispositivo como uma chave
ptica. Para que esta estrutura seja transformada em um sensor, basta que uma
perturbao seja colocada em um dos braos como mostra a Figura 7.17. A intensidade
de luz na sada ir variar em funo da grandeza sendo medida.

Porta 3

Porta 1

ou
Sada

Perturbao

ou
Entrada
de Luz

Porta 2

Porta 4

Sada

Figura 7.17. Acoplador direcional. Supondo que a luz seja lanada na porta 2, a
sada poder ser tanto na porta 3 quanto na porta 4, tudo depender do projeto do
acoplador.

57

Figura 7.19. Simulao da propagao de luz em um acoplador direcional. Se o

comprimento do dispositivo terminasse no ponto (a), toda energia lanada na
porta 2 seria acoplada na porta 3. Terminando no ponto (b), a luz seria acoplada
uma vez para o guia superior, voltaria novamente para o guia inferior e sairia via
porta 4. Nos pontos (c) e (d) o raciocnio similar.

7.1.1. Filtros
Os filtros pticos so componentes extremamente necessrios pois permitem selecionar
um sinal especfico (ou seja, um comprimento de onda) em meio a vrios disponveis
em um mesmo sistema ptico. Filtros do tipo Fabry-Perot baseados em fibras so
comercialmente disponveis. Estes filtros so constitudos por uma cavidade ressonante
em cujas faces de entrada e sada apresentam espelhos com alta refletividade. Este
dispositivo sintoniza o comprimento de onda desejado por meio da alterao do espao
de separao entre os espelhos. A separao tem seu tamanho alterado por meio de
materiais piezo-eltricos ou por meio da temperatura. Uma outra alternativa para se
obter um filtro Fabry-Perot sintonizvel o preenchimento da cavidade com cristal
lquido ferro-eltrico [29]. O ndice de refrao da cavidade, e por conseqncia o
comprimento ptico, varia por meio da aplicao de uma tenso eltrica. A aplicao de
tenso eltrica altera o alinhamento molecular dos cristais e por sua vez provoca a
alterao do ndice de refrao da cavidade.

58

Filtros baseados em fibras pticas possuem a vantagem de serem facilmente integrados

ao enlace ptico. Este efeito diminui consideravelmente as perdas por insero.
Diversos filtros baseados em fibras vem sendo propostos e implementados utilizando a
configurao de acoplador direcional [30]. Entre os filtros baseados em acopladores
direcionais podemos citar os acopladores em transio fundidos e os acopladores em
fibra com ncleos assimtricos. O filtro acoplador em transio fundido possui grande
largura de banda e pode ser utilizado somente na seleo de canais bem espaados. Por
outro lado, o filtro acoplador em fibra com ncleos assimtricos fornece largura de
banda estreita com o mximo de transmisso ocorrendo para o comprimento de onda
para o qual ocorre o casamento de fase entre as duas fibras. A principal caracterstica
deste filtro a insensibilidade polarizao [31].

7.1.1. Polarizadores
Polarizadores so dispositivos capazes de impedir a passagem de luz quando esta
apresentar um estado de polarizao ortogonal ao deste dispositivo. Se a luz incidente
apresentar a mesma orientao do polarizador, ela no sofrer nenhum tipo de
atenuao ao passar pelo mesmo. Sensores interferomtricos baseados em fibras
monomodo tradicionais so fortemente afetados pela presena dos dois modos
degenerados da fibra. Estes modos so ortogonais um ao outro, o que nos permite
selecionar qualquer um deles pelo simples ajuste da direo do polarizador do modo
que se deseja na sada. Em aplicaes tais como o giroscpio baseado em fibra, a razo
de extino de um polarizador (o quanto uma polarizao atenuada em relao que
permitida passar) precisa ser maior que 100 dB [2]. Na tentativa de atender tais
objetivos, vrias abordagens tm sido investigadas na literatura, incluindo o
desenvolvimento de fibras com polarizao mantida e com polarizao nica, assim
como polarizadores baseados em fibra do tipo invasivo (quando o campo evanescente

59

do modo guiado acessado de forma a produzir uma atenuao no mesmo) e noinvasivo (quando o acesso ao campo evanescente no requerido).

7.4.0. Amplificadores
Os amplificadores pticos so dispositivos capazes de amplificar a luz incidente por
meio de emisso estimulada, que o mesmo mecanismo utilizado em lasers. De fato,
um amplificador ptico nada mais do que um laser desprovido de um mecanismo de
realimentao, ou seja, dos espelhos refletores nas faces de entrada e sada. Seu
componente principal o ganho ptico produzido quando o amplificador bombeado
(opticamente ou eletricamente) para alcanar a inverso de populao. O ganho ptico
em geral depende no somente da freqncia (ou comprimento de onda) do sinal
incidente, mas tambm da intensidade do feixe de bombeio em qualquer ponto do
amplificador. Os detalhes da resposta em freqncia e da dependncia da intensidade do
ganho ptico dependem do meio de amplificao. Os amplificadores pticos podem ser
baseados tanto em semicondutores quanto em fibra. No ltimo caso temos os
amplificadores fibra dopados com rbio. Estes dispositivos apresentam o grande
atrativo de que vrios comprimentos de onda podem ser amplificados ao mesmo tempo
e em uma nica passagem.
Os amplificadores fibra tm sido investigados para aplicaes em sistemas de
comunicao de faixa larga e tambm para aplicaes em sensores. Eles so desejveis
pois produzem melhoria no nvel do sinal em giroscpios fibra e podem ser
conectados permanentemente ao sistema, visto que oferecem timo desempenho. Alm
disso, um amplificador fibra pode ser bombeado opticamente de uma localizao
remota por meio da extremidade do circuito da fibra sem envolver conexes eltricas
adicionais.

60

7.5.0. Moduladores
Moduladores pticos so dispositivos que tm por finalidade impor uma informao na
portadora ptica que se deseja transmitir. Este dispositivo largamente utilizado tanto
em sistemas de telecomunicaes quanto em aplicaes de sensoriamento. Existem
vrias maneiras de se modular uma portadora ptica, e para cada uma destas maneiras
existe um tipo de modulador especfico, como veremos a seguir.

As tcnicas de

modulao podem ser divididas em dois grupos: analgicas e digitais [1], [6], [32][33]. O leitor interessado em mais detalhes sobre cada um dos tipos de modulao
abordados aqui pode encontr-los em [2].

7.1.1.1. Tcnicas de modulao analgica:

a) Intensidade:

A modulao de intensidade pode ser descrita como a capacidade de se alterar a

intensidade de uma fonte ptica devido ao efeito fsico do mensurado. Entretanto, este
tipo de modulao ainda no apresenta uma resposta linear em uma ampla faixa de
atuao. Assim, para se obter uma maior linearidade, vrios artifcios so utilizados,
como por exemplo a utilizao da tenso de polarizao composta pela superposio de
duas ondas senoidais.

b) Fase:

Existem numerosas aplicaes para moduladores de fase em fibra ptica nas reas de
comunicao e sensoriamento. Por exemplo, em sensores interferomtricos, que sofrem
atenuao no sinal, necessrio um mecanismo de realimentao para controlar a fase
61

do sinal incidente ou para efetivamente modular a fase. A tcnica mais popular para a
produo de moduladores de fase utiliza uma trao produzida pelo efeito piezoeltrico
em materiais tais como o titanato zirconato de chumbo (PZT), usualmente na forma de
um cilindro. Grandes mudanas de fase podem ser obtidas quando vrias voltas da fibra,
que so fixadas ao cilindro por meio de resina epxi, sofrem trao provocada pela
expanso do cilindro quando se aplica uma tenso.
Outra tcnica utilizada a mudana de fase por meio do efeito termo-ptico. Nesta
tcnica uma camada de tinta resistiva aplicada sobre um certo comprimento da fibra.
Eletrodos so conectados de modo a produzir uma corrente eltrica passando pelo
material resistivo, causando dissipao de calor. A mudana de fase ocorre em funo
da temperatura e do comprimento de exposio da fibra ao material resistivo. A
modulao de fase detectada de forma interferomtrica e consiste de um dos meios
mais sensveis de se medir alteraes fsicas. O tipo mais simples de modulador de fase
consiste de um guia de onda monomodo posicionado entre dois eletrodos. O campo
proveniente dos dois eletrodos sobrepe-se ao campo ptico induzindo uma variao no
ndice efetivo. Esta variao resulta na modulao de fase proporcional tenso
aplicada nos eletrodos.

c) Polarizao:

Neste tipo de modulao, a luz lanada ao longo dos dois eixos principais da fibra ou
do cristal e, dependendo do efeito fsico a ser medido, haver atraso ou avano de fase
de uma destas polarizaes. Este tipo de sensor pode ser baseado no efeito Pockel ou no
efeito Kerr. No efeito Pockel, a polarizao varia linearmente com o campo eltrico,
enquanto que no efeito Kerr a polarizao varia com o quadrado do campo eltrico.

d) Comprimento de onda:

62

Existem muitos fenmenos pticos que so sensveis ao comprimento de onda. Dentre

estes fenmenos esto includos a absoro/transmisso de luz, emisso de corpo negro
e indicadores qumicos. Sensores baseados nestes efeitos podem variar em
complexidade desde um espectrmetro at fibras cobertas com materiais especiais para
interao com componentes qumicos.

7.1.1.1. Tcnicas de modulao digital:

a) Freqncia:

Em geral, mudanas de freqncia so requeridas em vrias aplicaes, incluindo

comunicaes em fibra ptica e sensores; exemplos deste ltimo so os interfermetros
heterdinos e o giroscpio em fibra ptica. Uma das mais interessantes tcnicas de
mudana de freqncia em fibra ptica usa uma onda acstica para acoplar luz entre
dois modos de polarizao de uma fibra de alta birrefringncia, onde, juntamente com o
acoplamento, ocorre uma mudana na freqncia ptica [34].
Na modulao em freqncia, o sinal ptico que ser detectado pode ser modulado por
meio de osciladores mecnicos que interagem com a luz. Estes osciladores apresentam a
variao de freqncia proporcional ao parmetro fsico que esta sendo medido. Uma
freqncia utilizada como parmetro para o bit zero e outra freqncia utilizada
como parmetro para o bit um.

b) Intensidade (Liga-desliga, ou On-Off):

A modulao de intensidade, On-Off, emprega o mesmo princpio dos chaveadores

pticos. Onde o sinal comutado entre dois nveis de potncia, o menor nvel representa
o bit zero enquanto o maior nvel representa o bit um.
63

c) Hbridos:

Neste tipo de sistemas os transdutores convencionais possuem interface com

dispositivos eletrnicos utilizando pequenos enlaces pticos de baixo consumo de
energia e a resposta de sada destes transdutores modulada digitalmente (Intensidade
On-Off) empregando um LED.

7.1.1. Fontes pticas

Sensores pticos so baseados em uma extrema variedade de princpios de operao.
Como conseqncia, as possveis fontes pticas para tais sensores so tambm
extremamente variadas, desde lmpadas de filamento incandescentes at fontes pticas
semicondutoras: os diodos emissores de luz (Light-Emitting Diodes, LEDs) e os diodos
lasers. Suas principais vantagens incluem: adequados comprimento de onda de emisso
(0.8 - 1.55 m) e potncia de sada (na faixa de miliwatts); possibilidade de modulao
da potncia ptica de sada atravs da variao da corrente eltrica de entrada bem como
alta eficincia e dimenses compatveis com a fibra ptica, possibilitando bom
acoplamento ptico.
A palavra laser um acrnimo derivado de Light Amplification by Stimulated Emission
of Radiation (Amplificao de Luz por Emisso Estimulada de Radiao). A diferena
bsica entre esses dois tipos de fotoemissores est no fato de que no LED predomina o
mecanismo de emisso espontnea enquanto que no diodo laser dominante a emisso
estimulada de ftons. Dessa distino bsica decorrem as diferenas estruturais e
funcionais entre os dois dispositivos, que do ao laser um desempenho superior ao custo
de uma operao geralmente mais onerosa e complicada. A Figura 7.20 ilustra os
processos de emisso espontnea e emisso estimulada em semicondutores. Se a energia
h do fton incidente maior que a diferena Eg = E2 - E1, este fton absorvido pelo
64

tomo, o qual transferido para o estado excitado, Figura 7.20(a). Sob condies
normais o processo de absoro sempre dominante. Note que h a constante de
Planck e a freqncia da onda eletromagntica representada pelo fton incidente. Os
tomos excitados eventualmente decaem de volta para o estado fundamental, emitindo
ftons, Figura 7.20(b). No caso de emisso espontnea, estes ftons so emitidos em
direes aleatrias, sem relao de fase (coerncia) entre eles. Este processo tpico de
LEDs. O processo de emisso estimulada iniciado por um fton j existente, Figura
7.20(c). O fton emitido idntico ao original no apenas em energia (isto , em
freqncia) mas tambm em direo de propagao. A luz emitida dita coerente e
tpica de lasers. Vrios ttulos esto disponveis na literatura para um maior
aprofundamento nestes tpicos, alm do escopo deste tutorial [7], [35]-[36].

(a)

(b)

(c)

Figura 7.20. Processos de emisso espontnea e emisso estimulada em

semicondutores. (a) absoro, (b) emisso espontnea, e (c) emisso estimulada.

a) Diodo Emissor de Luz (LED)

Diodos emissores de luz so considerados como sendo um dos dispositivo mais simples,
baratos, e mais confiveis entre todas as fontes pticas disponveis. Suas principais
desvantagens em relao aos diodos lasers residem na maior largura espectral
(tipicamente em torno de 40 a 80nm), na menor eficincia de acoplamento de luz na
fibra ptica, e nas limitaes mais acentuadas na velocidade de modulao. De fato,
pela sua baixa capacidade em acoplar luz em uma fibra, os LEDs so sempre associados

65

a fibras multimodo em virtude desta apresentar um dimetro de ncleo

significativamente maior que o das fibras monomodo.
A faixa de comprimentos de onda de emisso caracterstica de um LED ir depender do
material utilizado na sua regio ativa, por exemplo [2]:

Comprimento de Onda (nm)

Material

700

GaP

650 a 850

AlGaAs

900

GaAs

1200 a 1700

InGaAs

Diodos emissores de luz modernos de alta qualidade podem apresentar um tempo de

vida til na faixa de 106 a 107 horas, em temperatura ambiente. Todavia, importante
salientar que tanto a potncia de sada quanto o comprimento de onda de um LED
podem ser razoavelmente afetados pela temperatura. Por exemplo, um LED operando
na faixa de 850nm pode apresentar variao de potncia ptica de 0,5% por grau
centgrado, e variao de comprimento de onda de 0,3nm por grau centgrado.
Quanto s configuraes do dispositivo, h duas geometrias bsicas em uso comercial:
LEDs de emisso por superfcie (surface-emitting LEDs ou SLEDs), e a dos LEDs de
emisso lateral (edge-emitting LEDs, ou ELEDs). A Figura 7.21 mostra o diagrama de
um LED de emisso por superfcie.

66

fibra
metalizao

epoxi

n-GaAs , substrato
n-AlGaAs , janela

50 m

p-AlGaAs , regio ativa

p-AlGaAs , confinamento
p-AlGaAs , contato
SiO 2 , isolao
metalizao

Figura 7.21. LED de emisso por superfcie.

b) Diodo Laser (DL)

A estrutura de um diodo laser semicondutor bastante semelhante dos LEDs. No

entanto, o primeiro dimensionado de forma a favorecer com que os campos pticos
guiados entrem em oscilao, gerando uma potncia ptica muito maior por unidade de
corrente injetada. Alm disso, o mecanismo da oscilao gera uma radiao mais
coerente, com espectro mais estreito e feixe mais diretivo. Para que a oscilao dos
campos seja desencadeada num certo comprimento de onda, duas condies so
necessrias:

deve haver um caminho de realimentao positiva da luz;

neste caminho de realimentao positiva, o ganho ptico deve ao menos

igualar as perdas pticas, provocando uma condio conhecida como
transparncia.

A configurao mais simples de um diodo laser a bem conhecida cavidade FabryPerot, a qual apresenta espelhos em cada um de seus extremos para fornecer uma forte
realimentao ptica na direo longitudinal. Esta cavidade, por sua vez, pode
apresentar um grande nmero de freqncias ressonantes, e ir oscilar nas freqncias
67

para as quais o ganho for superior s perdas. As dimenses tpicas de uma cavidade
Fabry-Perot esto em torno de 250 a 500m de comprimento, 5 a 15m de largura, e
0,1 a 0,2m de espessura.
Nos lasers utilizados em comunicaes pticas a regio ativa est geralmente situada no
meio de uma dupla heterojuno, o que permite que a luz seja melhor confinada nesta
camada resultando em uma maior eficincia quntica. Heterojuno o nome dado
uma juno de materiais com caractersticas fsicas distintas, como por exemplo: GaAs
e GaAlAs, conforme mostra a Figura 7.22. Quando esta juno formada pelo mesmo
tipo de material, com dopagens distintas, tipos p e n, temos o que se chama de
homojuno.

Regio ativa

Substrato

Heterojuno
P-N

Figura 7.22. Estrutura Bsica de um laser de dupla heterojuno

As fontes de luz semicondutoras mais utilizadas em sensoriamento ptico so aquelas

baseadas em GaAlAs/GaAs que operam entre 700 e 900 nm, desenvolvidas inicialmente
para a indstria de telecomunicaes. Estes diodos foram as primeiras fontes de luz
semicondutoras a serem produzidas em escala comercial, sendo utilizados
extensivamente em aparelhos de CDs e impressoras lasers com custo de produo
extremamente baixo, da ordem de US$ 10,00 a unidade [6]. A Tabela 7.2 faz uma
comparao das caractersticas mais relevantes do laser e do LED quanto aos objetivos
da aplicao [37].

68

Tabela 7.2. Caractersticas operacionais mais relevantes do laser e do LED

Propriedade

LED

Diodo laser

Largura espectral (nm)

Tempo de subida (ns)
Largura de faixa de modulao
(MHz)
Eficincia de acoplamento (1)
Compatibilidade com fibra

200 100
2 250
< 300

15
0,1 1
2000

Muito pequeno
Multimodo SI (2)
Multimodo GRIN (3)

Moderada
Multimodo GRIN
monomodo

Alta
Monomodo

Baixa
Simples
105
Baixos
Curta distncia
Taxa de dados baixa

Alta
Complexo
104 - 10 5
Altos
Longa distncia
Taxa de dados alta

Alta
Complexa
104 - 105
Os mais altos
Distncias muito longas
Taxa de dados muito alta

Sensibilidade temperatura
Complexidade do circuito
Tempo de vida (horas)
Custos
Uso primordial

Diodo laser
monomodo
< 0,2
0,05 1
6000

(1)

pode ser melhorado com lentes

primeira janela
(3) segunda janela
(2)

7.1.1. Detetores
O componente final de um enlace de transmisso ptica deve ser um receptor que
demodula as informaes contidas no sinal ptico. Este papel desempenhado por um
fotodetector, dispositivo que converte o sinal ptico em sinal eltrico a ser processado.
Todos os fotodetetores podem ser caracterizados pelas figuras de mrito da eficincia
quntica, responsividade e sensitividade.
A eficincia quntica () determina quo eficientemente o dispositivo converte ftons
em eltrons de conduo banda de conduo. Para um dispositivo ideal, sem ganho
ptico, a eficincia quntica se aproxima do valor unitrio. Por outro lado, do ponto de
vista experimental o parmetro mais importante a responsividade (), que representa
o quanto de fotocorrente (I) gerada pela potncia ptica total (P) que incide na rea de
deteco.

I
P

[A/W]

69

Por outro lado, a sensitividade do fotodetetor descrita em termos da mnima potncia

incidente necessria para que acontea uma relao sinal rudo aceitvel. Isto , a partir
de um determinado valor de potncia ptica, pode-se distinguir adequadamente o sinal
detetado do rudo do detetor. Vale mencionar que este rudo essencialmente chamado
corrente de escuro, isto , a corrente que atravessa o fotodetector mesmo na ausncia
de iluminao.

a) Fotodetetor PIN

O fotodiodo PIN um dos fotodetores mais comuns, sua principal caracterstica a

presena de uma camada intrnseca central inserida numa juno PN entre dois contatos
hmicos. O uso de material intrnseco garante o alargamento da regio de alto campo
eltrico, a chamada regio de depleo por boa parte de sua extenso, mesmo com
tenses de polarizao reversa modestas, assegurando assim a absoro total, ou quase
total, da luz na regio de depleo, conforme mostra esquematicamente a Figura 7.23.
Vo

Regio Intrnseca

Regio

Tipo
N I

Resistncia
de carga

Campo Eltrico

Regio

Par eltron-lacuna

Sada
Iph

Tipo
P
Fton incidente

Regio de Depleo

Figura 7.23. Representao de um fotodiodo PIN polarizado reversamente.

b) Fotodetetor APD

70

Um fotodetetor avalanche essencialmente um fotodiodo PIN no qual a tenso reversa

aplicada to alta que o dispositivo opera no limiar de ruptura. Eltrons e lacunas
podem adquirir energia suficiente do campo eltrico externo aplicado, sendo capazes de
ionizar por impacto tomos do semicondutor e criar pares eltron-lacunas adicionais.
Este processo introduz ganho interno e a fotocorrente se torna:

I = MP

O ganho avalanche M um valor mdio. O dispositivo intrinsecamente ruidoso devido

natureza estatstica do processo de gerao de portadores. Devido natureza aleatria
dos processos de fotogerao e multiplicao avalanche, o valor de corrente total
fluindo no circuito externo sofre flutuaes (rudo) em torno do valor mdio. O valor
mdio quadrtico destas flutuaes (rudo de disparo shot noise), para um medidor
de largura de banda B, proporcional ao valor mdio da corrente total. No fotodetetor
APD, enquanto a potncia do sinal multiplicada pelo fator M2, a potncia do rudo
multiplicada por M2x > M2 [7]. Em outras palavras, o rudo cresce mais que o sinal por
um fator x, chamado fator de excesso de rudo.

c) Fotodetetor MSM

O MSM (Metal-Semicondutor-Metal) um dispositivo planar que consiste basicamente

de dois contatos metlicos do tipo Schottky dispostos sobre o material semicondutor na
forma de dedos interdigitais dispostos alternadamente como mostra a Figura 7.24.

71

metal
rea efetiva
de
iluminao

semicondutor

Regio de absoro
GaAs

Figura 7.24. Estrutura simplificada e foto do fotodetetor MSM fabricado sobre

substrato de GaAs. A largura de dedos e o espaamento so de 4m.

Este arranjo permite o aumento da rea efetiva de absoro sem que haja considervel
aumento da capacitncia intrnseca e da distncia a ser percorrida pelos portadores
gerados, possibilitando o aumento na velocidade de resposta do dispositivo. As maiores
vantagens do MSM em relao aos outros fotodetetores so: simplicidade de fabricao,
baixo rudo, baixa capacitncia e compatibilidade com circuitos integrados.

7.1.

INTERFACE COM O MENSURANDO

Existem vrias maneiras de se proporcionar interao da luz com o mensurando em um

guia de onda ptico integrado ou em fibra. Como se sabe, presso, fluxo, campo
eltrico, campo magntico, temperatura, variaes na composio qumica etc., podem
ocasionar variaes no ndice de refrao de um determinado material. Esta variao no
ndice de refrao pode ser convenientemente utilizada de forma a modular a luz
confinada no guia de ondas. Esta luz modulada pode ento ser processada e sua variao
associada a algum parmetro de interesse do mensurando. Portanto, o projeto de um
sensor ptico passa, necessariamente, pela escolha de materiais que permitam uma
modulao adequada da luz dentro do guia de ondas.
No caso de um sensor de presso, por exemplo, devemos escolher para a camada de
casca (por exemplo) um material que apresente um alto coeficiente elastoptico. Este

72

coeficiente permite relacionar a variao de ndice de refrao com a presso aplicada,

resultando em variao de intensidade de luz na sada do sensor.
Um sensor qumico pode ser feito permitindo que o ncleo do guia de ondas seja
exposto ao mensurando, formando assim um sensor intrnseco. O sensor neste caso pode
ser calibrado para uma determinada densidade deste material (o que produz um ndice
de refrao especfico). Variaes para mais ou para menos desta densidade podem
acarretar em flutuaes no ndice de refrao da mesma maneira. Se a variao do
ndice for positiva (para mais), o ndice se aproxima mais do ndice do ncleo do guia
de onda resultando em uma diminuio do confinamento ptico. Isso acarreta uma
diminuio da intensidade de campo detectada no fotodetetor. O oposto ocorre quando a
variao do ndice negativa (para menos), j que neste caso o confinamento modal
aumenta.
Em resumo, procure sempre escolher um material que apresente a propriedade ptica
adequada para o tipo de sensor que se deseja projetar. De preferncia, utilize apenas
uma camada do sensor com este material (mais camadas podem dificultar a
interpretao da resposta do sensor).

7.1.

ENLACE PTICO

As fibras pticas tm desempenhado um papel extremamente importante em sistemas

pticos de sensoriamento remoto. Isto decorre tanto da variedade de fibras disponveis
quanto da disponibilidade de fontes pticas e fotodetores de custo accessvel. O trio
laser-fibra-fotodetetor primordial no desempenho de um enlace ptico, seja ele para
comunicaes ou sensores. A influncia de variveis externas (principalmente a
temperatura) em cada um destes componentes, alm de bem conhecida, crucial para o
bom projeto do sistema. Sendo assim, alguns cuidados devem ser tomados quanto
escolha do tipo de fibra a que o sensor se destina. Por exemplo, para sensores cuja
operao esteja situada na faixa de 100o C, as fibras convencionais podem ser utilizadas

73

normalmente. Para temperaturas mais altas, coberturas especiais baseadas em metais

tais como ouro, ou alumnio, devem ser adicionadas fibra.
Em se tratando das fontes pticas, aquelas que operam na regio do espectro visvel (tal
como o laser de HeNe cujo comprimento de onda 0,6328m) so preferveis para
aplicaes em sensores, pois permitem o alinhamento do sistema sem a utilizao de
equipamentos de viso especial (comprimentos de onda na regio do infravermelho so
invisveis aos nossos olhos e requerem a utilizao de equipamentos de visualizao
especiais). Adicionalmente, as fontes na faixa visvel do espectro so consideravelmente
mais baratas do que as fontes que operam na regio do infravermelho. Fotodetetores
para a faixa visvel do espectro so tambm mais facilmente encontrados [2]. Sero
ainda abordados neste captulo as duas principais fontes pticas para aplicaes em
sensores (Laser e LED), bem como os trs principais tipos de fotodetetores (PIN, APD e
MSM).
Uma vez que o sinal tenha sido adquirido pelos sensores, ele pode ento ser enviado
pelo enlace at um fotodetetor para ento ser processado e convertido em informao
til. Esta etapa do sistema descrita mais detalhadamente na prxima seo.

7.1.

PROCESSAMENTO DE SINAL

Uma vez que o sinal tenha sido adquirido pelo sensor, ele deve ser enviado atravs da
fibra at o fotodetetor para ser processado. Uma vez detectado (convertido de ptico
para eltrico), entra em cena a etapa de correo de possveis elementos esprios que
por ventura venham a prejudicar a interpretao do sinal recebido. A etapa de
processamento de sinal pode ainda ser utilizada de modo a melhorar tanto a
sensitividade quanto a seletividade do sensor [2]. Adicionalmente, a integridade do
sistema como um todo deve ser monitorada constantemente para evitar que influncias
externas interfiram, ou at mesmo impossibilitem, a interpretao dos resultados.
74

Quando se projeta um sensor ptico, o que se deseja fundamentalmente receber uma

resposta linear em sua sada em funo da variao da grandeza a ser medida. Esta
variao linear pode ser dada, por exemplo, em termos da variao da intensidade ptica
detectada na sada do sensor. Um bom exemplo o sensor baseado na estrutura MachZehnder, onde pequenas variaes nas condies de guiamento no brao sensor causam
uma diferena de fase em relao ao brao de referncia, resultando em uma diminuio
na intensidade da luz na sada. Pode ser observado pela Eq. (7.76) que a sada do MachZehnder apresenta um comportamento cossenoidal como mostra a Figura 7.25. Para que
a resposta do sensor seja a mais previsvel possvel, sua faixa dinmica de operao
deve estar situada dentro da faixa de defasagem correspondente regio linear desta
curva.

Regio linear

Figura 7.25. Resposta de um Mach-Zehnder tpico em funo da variao da

defasagem entre o brao sensor e o brao de referncia. Deve-se limitar a faixa
dinmica do sensor em torno da regio linear para tornar as medidas mais
previsveis.

7.1.

TIPOS DE SENSORES
75

Esta seo aborda alguns dos vrios tipos de sensores disponveis na literatura. Os
sensores so normalmente classificados em termos de como o a quantidade a ser medida
atua no dispositivo. Com base neste tipo de atuao, os sensores podem ser classificados
como: intrnseco, extrnsecos, e interferomtricos. A seguir cada um destes tipos de
sensores sero abordados em mais detalhes.

7.1.1. Sensores Intrnsecos

Um sensor classificado como intrnseco quando a luz modulada em resposta

atuao do contedo a ser medido sem contudo deixar o guia de onda. A Figura 7.26
ilustra uma configurao clssica para sensor intrnseco baseado em fibra. Observe que
neste tipo de sensor a casca da fibra removida em um determinado comprimento da
fibra sendo ento substituda pela amostra a ser monitorada. Variaes de ndice de
refrao na amostra provenientes de alteraes na densidade do material podem causar
perda de confinamento modal (ou aumento, caso o ndice do material diminua),
resultando em uma diminuio (ou aumento) da intensidade de campo detectada no
fotodetetor. Essas variaes de intensidade so ento relacionadas grandeza a ser
medida. A Tabela 7.3 ilustra as configuraes mais comumente encontradas para estes
sensores bem como as grandezas passveis de serem detectadas pelos mesmos [6].

76

o
ra tor
Pa dete
o
fo t

Amostra

Figura 7.26. Exemplo clssico de um sensor intrnseco baseado em fibra. A casca

da fibra removida e substituda pelo material a ser monitorado.

Tabela 7.3. Tipos mais importantes de sensores pticos intrnsecos e grandezas

Vibrao

Temperatura

Rotao

Presso

Esforo

ndice de Refrao

Corrente

Campo Magntico

Campo Eltrico

Tipo

Acstico

Grandeza

Acelerao

passveis de serem medidas.

Acoplamento Modal
Corpo Negro
Interferomtrico
Microcurvatura
Raman
Rayleigh

7.1.1. Sensores Extrnsecos

Um sensor classificado como extrnseco quando a luz deixa o guia de onda para ento
ser modulada pelo contedo a ser medido. Uma vez sofrida a influncia da amostra
77

(mensurando), ela ento acoplada novamente na seo seguinte de guia de onda. Um

exemplo tpico deste tipo de sensor ilustrado na Figura 7.27. Uma fibra de entrada
utilizada para iluminar a regio que compreende o mensurando. Variaes na
composio do material produziro variaes correspondentes em seu ndice de
refrao. Como se sabe, a diferena de ndices de refrao entre a amostra (mensurando)
e a fibra produz um espelho na interface entre ambos. A refletividade deste espelho ir
aumentar com o aumento da diferena de ndices de refrao entre ambos. Se a
refletividade aumenta, a quantidade de luz transmitida para a fibra de sada diminui, se a
refletividade diminui, a intensidade aumenta. A Tabela 7.4 ilustra as configuraes mais
comumente encontradas para estes sensores bem como as grandezas passveis de serem
detectadas pelos mesmos [6].

o
ra etor
a
P det
o
fot

Amostra

Figura 7.27. Exemplo clssico de um sensor extrnseco baseado em fibra. A fibra

dividida em duas sees separadas, e a regio entre elas preenchida pelo
material a ser monitorado.

78

Tabela 7.4. Tipos mais importantes de sensores pticos extrnsecos e grandezas

Viscosidade

Vibrao

Temperatura

Posio

Presso

Nvel de lquido

Fluxo

Esforo

Acstico

Tipo

Anlise qumica

Grandeza

Acelerao

passveis de serem medidas.

Reflexo e Transmisso
Reflexo Interna Total
Redes de Bragg
Fluorescncia
Evanescente
Fotoelstico
Pirometrico

7.1.1. Sensores Interferomtricos

Sensores interferomtricos so, essencialmente, sensores do tipo intrnseco. Eles esto
entre os que apresentam o melhor desempenho entre todos os tipos de sensores pticos
mencionados. Um exemplo clssico deste tipo de dispositivo o sensor tipo MachZehnder mostrado na Figura 7.10, o qual baseado em ptica integrada. Estes sensores
podem ser tambm fabricados inteiramente em fibra, como mostra a Figura 7.27. O
princpio de operao em ambos os casos estritamente o mesmo, ou seja, a luz lanada
na porta 1 dividida igualmente (3dB) entre os dois braos do Mach-Zehnder. Em um
dos braos o feixe ir se propagar sem perturbao e, portanto, chamado de brao de
referncia. O brao restante utilizado como brao sensor, e a grandeza a qual
queremos medir ser aplicada neste brao. A perturbao produzida neste brao produz
uma variao na fase da luz que, quando recombinada com a luz proveniente do brao
de referncia no segundo acoplador 3dB, resulta em uma variao proporcional de
intensidade na sada do dispositivo. Se a variao de fase entre os dois braos for igual a
180o, ento a sada do sensor (porta 2 ou 4) apresentar nvel de potncia ptica igual a
zero.
79

Brao sensor
2

3dB

3dB

3
Brao de referncia

Figura 7.27. Esquema de um sensor em fibra utilizando a configurao MachZehnder. A entrada de sinal neste exemplo acontece na porta 1, e a sada pelas
portas 2 e 4. Qualquer uma das portas de sada ir apresentar o mesmo resultado
uma vez que o acoplamento entre elas de 3dB (50%).

Um outro tipo bem conhecido de sensor interferomtrico aquele baseado em uma

cavidade ressonante do tipo Fabry-Perot. Uma aplicao tpica deste tipo de estrutura
como sensor de temperatura [38]. A Figura 7.29(a) mostra um exemplo clssico de
cavidade Fabry-Perot iluminada por uma fibra ptica, e a Figura 7.29(b) mostra a
variao da intensidade da luz na sada deste dispositivo em funo da temperatura. A
Tabela 7.5 ilustra as configuraes mais comumente encontradas para estes sensores
bem como as grandezas passveis de serem detectadas pelos mesmos [25].

80

Fibra
Intensidade

Cavidade
Fabry-Perot

1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0

Variao da Temperatura

Si

(a)

(b)

Figura 7.29. Sensor de temperatura baseado em uma cavidade ressonante FabryPerot. (a) configurao tpica, e (b) variao da intensidade da luz na sada em
funo da temperatura.

Tabela 7.5. Tipos mais importantes de sensores pticos interferomtricos e

Vibrao

Temperatura

Rotao

Presso

Esforo

ndice de Refrao

Corrente

Campo Magntico

Campo Eltrico

Tipo

Acstico

Grandeza

Acelerao

grandezas passveis de serem medidas.

Mach-Zehnder
Michelson
Acoplamento Modal
Fabry-Perot Monomodo
Fabry-Perot Multimodo
Ressoador em Anel
Polarizao
Sagnac

7.1.

APLICAES DE SENSORES EM FIBRA

Fibras pticas so fabricadas com material dieltrico, ou seja, no so capazes de

conduzir corrente eltrica. Esta caracterstica proporciona aos dispositivos sensores
baseados em fibra completa imunidade a interferncias eletromagnticas (EMI) bem

81

como a pulsos eletromagnticos (EMP). As indstrias de energia eltrica so

consumidores assduos de sensores para monitorao da integridade de seus sistemas de
transmisso e distribuio de energia. Muitas vezes, a coleta de dados sobre o sistema se
baseia em dispositivos eltricos, tais como transformadores de corrente, que podem
ocasionar acidentes aos operadores durante seu manuseio/operao. Sensores eltricos
so normalmente caros e volumosos em virtude da isolao requerida para este tipo de
aplicao. A utilizao de sensores baseados em fibra, por sua vez, no apresenta esse
inconveniente por se tratar de um material no condutor de eletricidade, de tamanho
reduzido, leve, e de baixo custo.
Por se tratar de um ambiente hostil ao trabalho humano, os sensores empregados na
indstria de energia eltrica devem requerer o mnimo possvel de manuteno, uma vez
que sua localizao pode no ser de fcil acesso, como por exemplo em tanques
contendo leo, gs, ou vcuo; nos enrolamentos de transformadores, e at mesmo em
estaes remotas [3]. Os principais tipos de sensores que so utilizados em indstrias de
energia eltrica so:

Sensores de corrente;
Sensores de tenso;
Sensores de campo eltrico;
Sensores de campo magntico;
Sensores de temperatura.

A seguir ser dada uma breve descrio do princpio de funcionamento de sensores

para monitoramento de corrente e tenso, e tambm de uma configurao bem simples
para ser utilizada no monitoramento de nvel de lquidos.

7.1.1. Sensores de corrente

82

A princpio, a idia de se medir corrente com uma fibra ptica (um dieltrico) pode
parecer um tanto equivocada, afinal a corrente eltrica no ir circular pela fibra. No
entanto, a medida de corrente utilizando uma fibra ptica feita por intermdio de um
efeito denominado rotao de Faraday (ou efeito Faraday). Uma das propriedades da luz
quando esta se propaga em um meio qualquer chamada de polarizao. Os tipos de
polarizao que a luz pode apresentar so: linear, circular e elptica (o mais geral). O
estado de polarizao da luz (comumente referido na literatura como SOP, ou state of
polarization), se refere ao comportamento do vetor campo eltrico em funo do tempo
numa determinada posio no espao. Os trs tipos de polarizao da luz podem ser
descritos matematicamente atravs da seguinte equao [2]:

2
Ex Ey
E x2 E y
+
+2
cos( ) = sen 2 ( )
Ax
Ay
Ax A y

onde Ex e Ax so a componente de campo eltrico na direo x e sua amplitude, Ey e

Ay so a componente de campo eltrico na direo y e sua amplitude, e a diferena
de fase entre estas duas componentes. Observe que a equao acima a equao de uma
elipse, ou seja, a forma geral de expressar o estado de polarizao da luz. No entanto,
esta equao ir se reduzir equao de uma linha reta se:

Ex 0

Ey = 0

ou ainda se:

Ex = 0

Ey 0

= m

83

onde m um nmero inteiro positivo ou negativo. Se este o caso, teremos a

condio de polarizao linear. A equao acima pode tambm se reduzir a um crculo,
bastando para isso que:

Ax = Ay

(amplitudes iguais)

= (2m+1)/2

Se o SOP da luz muda medida que ela se propaga em um meio, ento este meio
dito ser birrefringente. Birrefringncia a caracterstica que um determinado meio
apresenta de possuir dois ndices de refrao diferentes. Como se sabe, a velocidade da
luz em um meio qualquer dada pela razo entre a velocidade da luz no vcuo e o
ndice de refrao do meio. Assim, para uma mesma distncia de propagao, haver
uma diferena de fase entre as duas componentes que se propagam neste meio. O
resultado que um determinado estado de polarizao de entrada pode ser alterado aps
a luz se propagar em um meio birrefringente. O SOP de uma luz polarizada
circularmente permanece inalterado se ela se propagar em um meio que possua
birrefringncia circular. No entanto, se a luz polarizada linearmente for lanada em um
meio circularmente polarizado, este meio ir rotacionar o plano de polarizao de
entrada de um ngulo como mostra a Figura 7.30 [6].
exatamente este efeito de rotao do plano de polarizao que utilizado para se
medir corrente utilizando fibra ptica. Quando a fibra mergulhada em um campo
magntico, a birrefringncia circular induzida na fibra faz com que o plano de
polarizao da luz linearmente polarizada lanada na entrada da mesma seja rotacionado
de um ngulo que dado por:

= V H dl

84

onde V a constante de Verdet, que a medida da intensidade do efeito Faraday na

fibra. A integral calculada no comprimento da fibra exposto ao campo magntico.
Utilizando a Lei de Ampre, a integral de linha se reduz a

= VNi

onde N o nmero de voltas dadas com a fibra em torno do condutor, V a

constante de Verdet (radiano/m), e i a corrente (Ampres) que circula no condutor.
Uma configurao tpica de sensor de corrente mostrada na Figura 7.30.

Sensor
Sensor intrnsico
intrnsico
de
de corrente
corrente

H = I / 2 r [ A/m ]
I

Efeito Faraday

Fibra monomodo
Condutor
de corrente

O campo eltrico de luz

linearmente polarizada sofre
efeito de rotao na presena
de campo magntico
longitudinal.

Luz linearmente
polarizada
Analisador
polarizao

Fonte Laser

= V H .dl
= V. I. N

H = campo magntico
l = caminho de integrao
V = constante de Verdet

I = corrente
N = nmero de espiras

Figura 7.30. Sensor de corrente baseado no efeito de rotao Faraday.

7.1.1. Sensores de tenso

Sensores de tenso utilizando fibra tem seu princpio de funcionamento baseado no
efeito eletroptico, ou seja, na mudana da birrefringncia linear devido ao de um
campo eltrico aplicado. Este efeito gera um deslocamento de fase (atraso) entre as
componentes do campo eltrico da luz incidente. Quando o atraso de fase proporcional
ao campo eltrico aplicado ele recebe o nome de efeito Pockel, e quando proporcional
ao quadrado do campo eltrico aplicado, efeito Kerr. O efeito eletroptico na fibra no
85

apresenta magnitude adequada para utilizao como sensores de tenso. Sendo assim,
um cristal eletroptico deve ser utilizado para este fim. Como se pode ver, sensores de
tenso intrnsecos baseados inteiramente em fibra no so factveis (pelo menos por
enquanto). A Figura 7.31 apresenta uma configurao bsica de sensor de tenso
extrnseco baseado no efeito Pockel [3]. Neste exemplo, a luz (em amarelo) proveniente
da fibra de entrada passa por uma lente e em seguida por um polarizador o qual produz
uma polarizao linear de 45 graus em relao ao campo eltrico aplicado (o campo que
atua no cristal eletroptico). A birrefringncia induzida por este campo aplicado causa
um deslocamento de fase entre as componentes de campo da luz incidente fazendo com
que esta passe a apresentar uma polarizao elptica ao deixar o cristal. Tanto o
polarizador de entrada quanto o de sada possuem a mesma direo de polarizao, ou
seja, na ausncia de um campo aplicado toda a luz transmitida para o fotodetetor via
fibra de sada. Quando h um campo aplicado, a quantidade de potncia ptica detetada
pelo fotodetetor ir depender do grau de defasagem entre as componentes de campo da
luz incidente. Quanto maior esta defasagem, mais inclinada se torna a elipse e menor
ser a quantidade de luz incidente no fotodetetor. Vale lembrar que para que a luz passe
totalmente por dois polarizadores, tanto a luz quanto os polarizadores devem apresentar
a mesma direo de polarizao. Polarizaes cruzadas, ou seja, um a 0o de inclinao e
outro a 90o de inclinao, implicam em sada da luz igual a zero.

Lente

Lente

Eaplicado
45o

Cristal Eletroptico
Fibra de
entrada

Fibra de
Sada
Polarizador

Eletrodo

Polarizador

Figura 7.31. Sensor de tenso baseado no efeito Pockel.

86

7.3.0. Sensor de Nvel de Lquido

Este tipo de sensor bem ilustrativo de como mudanas de ndice de refrao em uma
interface dieltrica podem causar variaes facilmente mensurveis na potncia ptica
transmitida (ou refletida) por esta interface. O princpio de funcionamento deste tipo de
sensor extremamente simples, e pode ser explicado pela mudana de refletividade que
ocorre nas faces do prisma quando o este imerso em um lquido qualquer. A Figura
7.32 ilustra um tipo bem comum de sensor para medio do nvel de lquidos [39].
Neste caso, duas fibras em paralelo tm sua extremidade colocada em contato com um
prisma. A luz proveniente de uma das fibras transmitida diretamente para o prisma
situado abaixo, sendo ento refletida pelas duas faces inclinadas (normalmente a 45o) e
retornando em seguida para a fibra de sada. Como se sabe, o ar tem ndice de refrao
n=1, e o prisma pode apresentar ndice n=1,5 (valores mais altos so tambm possveis).
Neste processo, se o prisma no est em contato com o lquido, a refletividade de suas
faces bem elevada, e a fibra de sada ir receber um alto nvel de potncia ptica. Por
outro lado, se o prisma for mergulhado no lquido (gua por exemplo possui n=1,33), a
refletividade das faces ir diminuir fazendo com que parte da luz seja transmitida para o
lquido. Isso acarreta uma imediata reduo da intensidade luminosa detectada
indicando que o nvel do lquido foi elevado.

Fibras

Prisma

Lquido

Figura 7.32. Sensor de nvel de lquidos utilizando duas fibras e um prisma.

87

7.11. REFERNCIAS
1. Ljubisa Ristic, Sensor technology and devices, Artech House, Boston, 1994.
2. J. Dakin and B. Culshaw, Optical Fiber Sensors: Principles and Components, vol. I,
Artech House, Boston, 1987.
3. B. Culshaw and J. Dakin, Optical Fiber Sensors: Systems and Applications, vol. II,
Artech House, Boston, 1989.
4. J. Dakin and B. Culshaw, Optical Fiber Sensors: Components and Subsystems, vol.
III, Artech House, Boston, 1996.
5. J. Dakin and B. Culshaw, Optical Fiber Sensors: Applications, Analysis and Future
Trends, vol. IV, Artech House, Boston, 1997.
6. E. Udd, Fiber Optic Sensors An Introduction for Engineers and Scientists, John
Wiley, New York, 1991.
7. G. Keiser, Optical Fiber Communications, Second Edition, McGraw-Hill, New York,
1991.
8. H. Osterberg, L.W. Smith, Transmission of optical energy along surfaces: Parts I
and II, J. Opt. Soc. Amer., vol. 54, no. 9, pp. 1073-1084, 1964.
9. R. Shubert, J.H. Harris, Optical surface waves on thin films and their applications to
integrated data processors, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. MTT-16, no.
12. pp. 1048-1054, 1967.
10. S. Miller, Integrated optics: an introduction, Bell Syst. Tech. J., vo. 48, no. 7, pp.
2059-2069, 1969.
11. D.G. Hall, Survey of silicon-based integrated optics, Computer, pp. 25-32,
Dezembro 1987.
12. M. Tabib-Azar, G. Beheim, Modern Trends in Microstructures and Integrated
Optics for Communication, Sensing, and Actuation, Opt. Eng., vol. 36, no. 5, pp.
1307-1318, Maio 1997.
13. M.T. Gale, R.E. Kunz, e H.P. Zappe, Polymer and III-V Transducer Platforms for
Integrated Optical Sensors, Optical Engineering, vol. 34, no. 8, pp. 2396-2406,
Agosto 1995.
14. D. Clerc e W. Lukosz, Integrated Optical Output Grating Coupler as Refractometer
and (Bio-) Chemical Sensor, Sensors and Actuators B, vol. 11, pp. 461-465, 1993.
15. P.V. Lambeck, Integrated Opto-Chemical Sensors, Sensors and Actuators B, vol.
8, pp. 103-116, 1992.
88

16. C. R. Pollock, Fundamentals of Optoelectronics, (R. D. Irwin, Inc.,1995).

17. E. Fokitis et al., The Fabry-Perot Interferometer for the DELPHI Ring Imaging
Cherenkov Detector, Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), vol. 44, pp. 246-251, 1995.
18. Brandenburg, Differential refractometry by an integrated-optical Young
interferometer, Sensors and Actuators B, vol. 38-39, pp. 266-271, 1997.
19. Klotz, A. Brecht, e G. Gauglitz, Channel waveguide mode beat interferometer,
Sensors and Actuators B, vol. 38-39, pp. 310-315, 1997.
20. Th. Schubert et al., Refractive-index measurements using an integrated MachZehnder interferometer, Sensors and Actuators A, vol. 60, pp. 108-112, 1997.
21. Maisenhlder et al., A GaAs/AlGaAs-based refractometer platform for integrated
optical sensing applications, Sensors and Actuators B, vol. 38-39, pp. 324-329,
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22. F.A. Muhammad, G. Stewart, e W. Jin, Sensitivity enhancement of D-Fibre
Methane Gas Sensor Using High-Index Overlay, IEE Proc.-J, vol. 140, no. 2, pp.
115-118, Abril 1993.
23. K. Fischer, J. Muller, R. Hoffmann, F. Wasse and D. Salle, Elastooptical Properties
of SiON Layers in an Integrated Optical Inteferometer Used as a Pressure Sensor,
J. Lightwave Technol., vol. 12, no. 1, pp. 163-169, Janeiro 1994.
24. Wagner, J. Frankenberger, e P.P. Deimel, Optical Pressure Sensor Based on a
Mach-Zehnder Interferometer Integrated with a Lateral a-Si:H p-i-n Photodiode,
IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 5, no. 10, pp. 1257-1259, Outubro 1993.
25. B.J. Luff, J.S. Wilkinson, J. Piehler, U. Hollenbach, J. Ingenhoff, e N. Fabricius,
Integrated Optical Mach-Zehnder Biosensor, J. Lightwave Technol., vol. 16, no. 4,
pp. 583-592, Abril 1997.
26. G. Gauglitz, A. Brecht, G. Kraus, e W. Nahm, Chemical and Biochemical Sensors
Based on Interferometry at Thin (Multi-) Layers, Sensors and Actuators B, vol. 11,
pp. 21-27, 1993.
27. Y. Liu, P. Hering, e M.O. Scully, An Integrated Optical Sensor for Measuring
Glucose Concentration, Appl. Phys. B, vol. 54, pp. 18-23, 1992.
28. E.F. Schipper et al., The realization of an integrated Mach-Zehnder waveguide
immunosensor in silicon technology, Sensors and Actuators B, vol. 10, pp. 147-153,
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29. K. Hirabayashi, H. Tsuda and K. Kurokanha, Tunable liquid-crystal Fabry-Perot
interferometer filter for WDM communications systems, J. Ligthwave Technology,
vol. 11, n. 12, pp. 2033 2043, dezembro de 1993.
89

30. Sadot and B. Efrain, Tunable optical filters for dense WDM networks, IEEE
Communications Magazine, pp. 50 55, dezembro de 1997.
31. M. McLandrich, R. Orazi and H. Marlin, Polarization independent narrow channel
wavelength division multiplexing fiber couplers for 1,55 m, J. Lightwave Technol.,
vol. 9, n. 4, pp. 442 447, abril de 1991.
32. M. Borella, J. Jue, D. Banerjee, B. Ramamurthy and B. Mukherjee, Optical
components for WDM lightwave networks, Proceedings of the IEEE, vol. 85, n.
158, pp. 1274 1304, agosto de 1997.
33. R. Pollock, Fundamentals of Optoelectronics, Chicago, IRWIN, 1995.
34. I. Andonovic and D Uttamchandani, Principles of Modern Optical Systems, Artech
House, 1989.
35. H. Kressel and J.K. Buttler, Semiconductor Lasers and Heterojunction LEDs,
Academic, New York, 1977.
36. G.H.B. Thompson, Physics of Semiconductor Laser Devices, Wiley, New York,
1980.
37. J.C. Palais, Fiber Optic Communications, 2a. Ed., Prentice Hall, 1987.
38. G. Cocorullo, F.G. DellaCorte, M. Iodice, I. Rendina, and P.M. Sarro, An
integrated silicon interferometric temperature sensor, Sens. and Act. A, vol.61: (13), pp. 267-272, Junho 1997.
39. J.W. Snow, A fibre Optic Fluid Level Sensor: Practical Considerations, in
Proceedings of the SPIE, 954, pag. 88, 1983.

90

Captulo 8

Holografia: Princpio e Aplicaes

Gilder Nader a
Luis Roberto Batistab
Mikiya Muramatsub
a

Laboratrio de Sensores e Atuadores

Escola Politcnica da USP
Departamento de Engenharia Mecatrnica e de Sistemas Mecnicos.
Rua Prof. Mello Moraes, 2231, Cidade Universitria SP
e-mail: gnader@usp.br

Laboratrio de ptica
Instituto de Fsica da USP
Departamento de Fsica Geral e Experimental
Rua do Mato, 151, Cidade Universitria SP
e-mail: mmuramat@fge.usp.br

Contedo
8.1.

INTRODUO HISTRICA ....................................................................... 4

8.2.

COERNCIA DOS LASERS E INTERFERNCIA..................................... 6

8.2.1.

Coerncia Temporal ............................................................................... 6

8.2.2.

Coerncia Espacial ................................................................................. 8

8.2.3.

Interferncia............................................................................................ 9

8.3.

HOLOGRAFIA ............................................................................................ 11

8.3.1.

Processo Hologrfico............................................................................ 12

8.3.2.

Formao da Rede Hologrfica ............................................................ 13

8.3.3.

Materiais para Gravao Hologrfica................................................... 16

8.4.

8.3.3.1.

Materiais Sal de Prata ....................................................................... 17

8.3.3.2.

Materiais Termoplsticos ................................................................. 19

8.3.3.3.

Cristais Foto-refrativos..................................................................... 20

APLICAES HOLOGRFICAS NA INDSTRIA E EM PESQUISA.. 23

8.4.1.

Holografia Interferomtrica.................................................................. 23

8.4.2.

Holografia de Dupla Exposio............................................................ 25

8.4.2.1.

Medio de Tenso Mecnica .......................................................... 27

8.4.2.2.

Holografia em Tempo Real e em Mdia Temporal.......................... 30

8.4.2.3.

Deteco de Ondas de Superfcie ..................................................... 32

8.4.2.4.

Holograma de Transformada de Fourier .......................................... 33

8.4.2.5.

Conjugador de Fase .......................................................................... 36

8.4.2.6.

Interfermetros Foto-refrativos ........................................................ 38

8.4.2.7.

Medio de Deslocamento Angular ................................................. 41

8.5.

HOLOGRAFIA ELETRNICA E HOLOGRAFIA DIGITAL .................. 42

8.6.

HOLOGRAMA GERADO POR COMPUTADOR (HGC)......................... 44

8.6.1.

Detour-phase Holograms...................................................................... 45

8.6.2.

Kinoform .............................................................................................. 46

8.6.2.1.
8.7.

Aplicao.......................................................................................... 47

REFERNCIAS ........................................................................................... 48
2

Lista de Smbolos:
A

rea iluminada do holograma;

espaamento da rede hologrfica;

componente do campo eltrico;

campo eltrico de cargas espaciais;

i
SC

componente da intensidade da luz;

funo de Bessel de ordem-zero;

vetor da rede hologrfica;

vetor de onda.

ndice de refrao isotrpico do cristal foto-refrativo;

potncia da luz;

deslocamento das ondas eletromagnticas;

coeficiente eletro-ptico;

diferena de fase;

eficincia de difrao;

comprimento de onda do laser;

ngulo de incidncia dos feixes de interferncia;

(x)

densidade de cargas;

tempo de exposio do holograma;

freqncia angular.

J
k

0
g

i
ij

8.1.

INTRODUO HISTRICA

A holografia foi desenvolvida como uma ferramenta para microscopia eletrnica de

modo a permitir a formao de imagens de objetos com dimenses atmicas. O poder de
resoluo de uma objetiva de microscpio eletrnico, em 1947, era da ordem de 1 nm, o
que produzia uma aberrao esfrica de 0,5 nm. No entanto, Gabor [1,2] percebeu que a
imagem, com aberrao esfrica, produzida pela lente, ainda preservava todas as
informaes do objeto analisado, embora em uma forma codificada. Para realizar a
decodificao, Gabor [2,3] registrou uma fotografia de uma onda eletromagntica difratada
na superfcie de um objeto. A onda eletromagntica gravada (ou holograma, do grego
holos: completo), decodificada ao ser iluminada com luz coerente visvel. Naquele
perodo Gabor utilizou como fonte de luz uma lmpada de mercrio filtrada espacialmente,
tal que a luz ao atravessar novamente o registro fotogrfico sofria nova difrao,
produzindo uma imagem magnificada do objeto original. No final da dcada de 40 no
existiam filmes fotogrficos capazes de registrar imagens com alta resoluo, mesmo
assim, Gabor conseguiu fazer alguns hologramas. As imagens tinham pouca paralaxe, mas
mostravam que na prtica a sua teoria funcionava. A holografia deu um grande salto
somente aps os lasers tornarem-se viveis, e em 1971 Gabor recebeu o prmio Nobel pela
inveno da holografia.
As primeiras holografias, utilizando o laser como fonte de luz, foram produzidas por
Leith e Upatnieks [4,5,6], na Universidade de Michigan, em 1962. Desde ento, a
holografia obteve um grande progresso. No final da dcada de 60, inmeros trabalhos na
rea de ptica estavam relacionados holografia, que tambm comeou a ser utilizada
como arte. Na dcada de 60 foi fundada por Lloyd Cross a Escola de Holografia, em So
Francisco Califrnia EUA, e milhares de pessoas aprenderam como fazer holografia
com equipamento ptico barato e de sucata. Com o surgimento dos artistas hologrficos
essa nova forma de arte comeou a ser divulgada e cada artista desenvolveu o prprio estilo
e tcnica, devido versatilidade do processo hologrfico. Cross inventou a holografia
multiplexada [7], e sua obra mais conhecida, O Beijo, considerada a Monalisa da
holografia. Outro tipo de holografia, chamada holografia espectral foi criada por Bentom,
da Polaroid, e o holograma de 360o que permite a gravao completa de um objeto sobre
um eixo foi realizada por Jeong, da Lake Forest College.
4

No final da dcada de 60, foi descoberto que a focalizao de feixes laser intensos
nos cristais ferreltricos LiNbO3 ou LiTaO3 produzia um suposto "dano ptico" [8], que na
verdade era uma modulao do ndice de refrao dos cristais, proporcional intensidade
da luz incidente. Por isso, este efeito ficou conhecido "foto-refrativo". O primeiro a propor
o uso dos cristais foto-refrativos como um sistema armazenador de informao
hologrfica foi Chen [9], em 1968, pois os materiais foto-refrativos permitem a escrita e a
leitura dos hologramas armazenados em tempo real, dispensando a etapa qumica,
necessria para a revelao de um filme hologrfico convencional. Isto possvel porque a
informao armazenada pode ser opticamente apagada, e o material pode ser utilizado em
ciclos de leitura e escrita sem a necessidade de reposicionar a amostra no sistema ptico.
Estes materiais tambm podem ser utilizados apenas para escrita hologrfica, pois a
informao pode ser fixada, tornando-os muito versteis como meio de armazenamento
[10].
Com os avanos da informtica e da tecnologia, a holografia passou a ser utilizada
em processamentos digitais. Esta tcnica combina laser, cmera CCD e processamento
digital de imagens para gerar hologramas. Vrios nomes so dados a essa tcnica, tais como
"electronic speckle pattern interferometry", "holografia eletrnica", "TV holography" etc.
Neste livro ser chamada de "holografia eletrnica". H tambm um outro tipo de
holografia que utiliza os mesmos componentes eletrnicos. Mas, por trabalhar com
processamento matemtico distinto, recebe o nome de holografia digital, a qual teve incio
h poucos anos.
A qualidade e realismo das imagens tridimensionais obtidas por holografia so
responsveis pela popularizao e desenvolvimento dessa tcnica. Apesar de haver muitos
museus ou galerias especializadas em holografia espalhadas pelo mundo, as propriedades
hologrficas mais utilizadas no esto relacionadas com a capacidade de armazenar e exibir
imagens tridimensionais, muitas aplicaes cientficas utilizam as propriedades
hologrficas, nas prximas sees sero apresentados o princpio da holografia e algumas
aplicaes.

8.2.

COERNCIA DOS LASERS E INTERFERNCIA

A holografia um meio de registro ptico que permite a gravao da amplitude do

sinal e da fase. A amplitude est relacionada com a intensidade da luz e, sendo a luz uma
onda eletromagntica, a fase contm informaes sobre a relao entre duas ou mais ondas.
A Figura 8.1 mostra duas ondas eletromagnticas defasadas de . Nesta figura, IR
representa a intensidade da onda eletromagntica de referncia e IS a intensidade da onda
eletromagntica sinal, definidas adiante.
No registro hologrfico, duas ondas eletromagnticas se interferem sobre o material
hologrfico. Para que haja a interferncia, a fonte luminosa deve ser perfeitamente
coerente. H dois tipos de coerncia, a espacial e a temporal, ambas explicadas
sucintamente a seguir. A fonte de luz mais coerente o laser, por isso, a mais utilizada em
interferometria e holografia.

Figura 8.1 - Fase entre duas ondas eletromagnticas.

8.2.1. Coerncia Temporal

A coerncia temporal, tambm conhecida como comprimento de coerncia de uma
fonte de luz, est relacionada com a durao do tempo para o qual a fonte de luz mantm a
fase entre dois feixes luminosos. Estes dois feixes luminosos, para se interferirem,
necessitam ter origem na mesma fonte de luz. A explicao da coerncia temporal ser
realizada utilizando um interfermetro de Michelson (Figura 8.2) como exemplo.

Inicialmente o feixe laser divido em dois pelo divisor de feixes BS. Aps
divididos, um dos feixes passa a ser chamado feixe de referncia e incide no espelho R, o
outro feixe, passa a ser chamado feixe sinal e incide no espelho S. Aps a reflexo nestes
espelhos, os feixes encontram-se entre BS e o fotodetector D, como mostra a Figura 8.2,
havendo interferncia se a diferena de fase entre eles est dentro do limite de tempo
tolervel. No entanto, se o espelho S deslocado de um comprimento para o qual a fase
entre os dois feixes esteja acima do limite de tempo da coerncia temporal, eles no iro
interferir. Na Figura 8.2 tambm esto ilustradas as distncias LR e LS, chamadas de
caminho ptico referncia e sinal, respectivamente.
Uma fonte de luz branca possui um comprimento de coerncia muito pequeno, a
diferena de caminho ptico mxima entre os feixes sinal e referncia para que haja
interferncia de luz branca aproximadamente 1 m. Uma fonte de sdio possui o
comprimento de coerncia da ordem de 1 mm. O laser de argnio possuiu um comprimento
de coerncia de aproximadamente 0,20 m. Enquanto que um laser totalmente monomodo e
monocromtico pode ter um comprimento de coerncia de at 6 km.
A coerncia temporal est relacionada, principalmente, com a monocromaticidade
de uma fonte de luz. Por isso, algumas fontes laser He-Ne multimodo e que no so
totalmente monocromticas, possuem um comprimento de coerncia de aproximadamente
0,20 m, enquanto que fontes laser He-Ne monocromticas podem chegar a um
comprimento de coerncia de 100 m. Por isso, para garantir uma boa interferncia,
independente da fonte laser utilizada, deve-se sempre trabalhar com os caminhos pticos
dos feixes referncia e sinal praticamente iguais.

Figura 8.2 - Interfermetro de Michelson. BS: divisor de feixes; R: espelho de referncia; S: espelho
sinal; : deslocamento do espelho S; LR: comprimento do brao de referncia; LS: comprimento do brao
sinal.

8.2.2. Coerncia Espacial

A coerncia temporal associada como uma propriedade da onda na direo da
propagao. O outro tipo de coerncia a espacial, que associada como uma propriedade
da onda na direo transversal propagao. Se a onda perfeitamente plana, ento h uma
fase uniforme no plano perpendicular propagao da onda, como mostra a Figura 8.3. A
fase de uma onda plana pode exibir flutuaes, no entanto, todos os pontos da onda plana
tero flutuaes idnticas. Uma onda plana tida como espacialmente coerente.
As fontes laser possuem grande coerncia espacial. Mesmo que a onda do feixe
sinal no seja plana, ela ir interferir com onda do feixe de referncia, caso essa seja plana
ou esfrica.

Figura 8.3 - Onda harmnica plana. A fase constante ao longo da direo transversal da onda [14].

8.2.3. Interferncia
A luz uma onda eletromagntica. Atravs da superposio de feixes de luz obtmse bandas claras e escuras, chamadas franjas de interferncia. O tratamento matemtico da
interferncia obtido atravs do princpio de superposio de ondas. Apesar da luz ser uma
onda eletromagntica, comum realizar o tratamento matemtico apenas considerando o
campo eltrico E [11,12,13]. A grandeza mensurvel a intensidade, que proporcional ao
mdulo do quadrado do campo eltrico (I=|E2|). A interferncia construtiva obtida quando
as ondas eletromagnticas se somam, produzindo uma regio brilhante de mxima
intensidade. A interferncia destrutiva obtida quando as ondas se somam e produzida
uma regio escura, com a intensidade mnima. A distribuio de franjas claras e escuras ao
longo do espao chamada de padro de interferncia.
O tratamento matemtico da interferncia entre as fontes de luz, discutido nessa
seo, ser de ondas com a mesma freqncia ptica, ou seja, um sistema homdino.
Tambm sero consideradas amplitudes distintas, e devido condio de apenas ondas
eletromagnticas com a polarizao na mesma direo poderem se interferir, esta seo far
o desenvolvimento terico para ondas eletromagnticas monocromticas polarizadas
verticalmente, tal que, as ondas eletromagnticas que se somam podem ser escritas na
notao complexa como:
ER = a exp[i ( t k rR )] = A exp(i t )
ES = b exp[i ( t k rS )] = B exp(i t )

(8.1)

com
A = a exp[i (k rR )]
B = b exp[i (k rS )]

(8.2)

Nestas equaes a freqncia das ondas eletromagnticas que se propagam num

tempo t e o vetor de onda |k|=2/, onde o comprimento de onda do laser. Os vetores
rR e rS representam o deslocamento das ondas, tal que a diferena entre esses termos dar a
diferena de caminho ptico r, e consequentemente a diferena de fase entre as ondas.
A resultante da soma das ondas eletromagnticas

E = E R + ES .

(8.3)

No entanto a grandeza mensurvel a intensidade I, dessa forma, escrevendo a

Eq.(8.3) em funo da intensidade, obtm-se:

I = E2
= E R + E S E R + ES

(8.4)

= E + E + 2 E R ES
2
R

2
S

A intensidade resultante ser

I = I R + I S + 2 E R ES ,

(8.5)

Nessa equao, IR e IS so as intensidades do feixe referncia e sinal,

respectivamente, e I a intensidade resultante. Toda a informao sobre a interferncia est
contida no terceiro termo desta equao. Ele carrega informao da fase da onda ou se h
coerncia entre elas. Resolvendo o terceiro termo da Eq.(8.5)

2 ER ES = Re { ER ES }
= Re {ab exp[ i (krR t ) + i (krS t )]}

(8.6)

O smbolo significa complexo conjugado. A parte real da Eq.(8.6)

Re { ER ES } =ab cos(krR krS ) .

(8.7)

De acordo com as Eq.(8.5) e (8.6) as intensidades IR e IS so da forma

1
a2
Re { ER ER } =
2
2
2 ,
b
1
I S = ES2 = Re { ES ES } =
2
2

(8.8)

2 ER ES = 2 I R I S cos( ) .

(8.9)

I R = E2R =

o que leva a

A intensidade mensurvel ento

10

I = I R + I S + 2 I R I S cos( ) .

(8.10)

As fases correspondentes aos pontos de intensidade mxima IMAX e de intensidade

mnima IMIN so obtidas da Eq.(8.10). Esses pontos equivalem s seguintes fases

I MAX = I R + I S + 2 I R I S

para = 0, 2 ,...2n

I MIN = I R + I S 2 I R I S

para = ,3 ,...(2n 1)

(8.11)

para n inteiro.
A Figura 8.4 mostra trs condies de interferncia. Na Figura 8.4a ilustrado o
caso em que o feixe referncia e sinal esto em fase. Obtendo-se assim uma interferncia
construtiva, para a qual a amplitude I a mxima. Na ilustrado um ponto intermedirio,
para o qual a diferena de fase entre o feixe referncia e sinal /4. E finalmente, na Figura
8.4c mostrado o caso em que o feixe referncia est defasado de do feixe sinal,
produzindo assim uma interferncia destrutiva, tal que I possui uma amplitude nula.
Estes foram os conceitos interferomtricos bsicos, introdutrios para a
compreenso da holografia, a qual est descrita a partir da prxima seo.

(a)
(b)
(c)
Figura 8.4 - Interferncia entre duas ondas. (a) Interferncia construtiva, fase entre as ondas =0; (b)
fase entre as ondas =/4, intensidade resultante intermediria; (c) interferncia destrutiva, fase entre as ondas
=.

8.3.

HOLOGRAFIA

A luz uma onda eletromagntica e possui informaes de amplitude e fase.

Processos de armazenamento de informao ptica de objetos com superfcie difusa, tais
como, fotografias, permitem determinar apenas a distribuio de intensidade da luz
11

(amplitude), no permitindo a determinao da fase. No entanto, a holografia um mtodo

de registro ptico da interferncia entre as ondas luminosas que se difratam e se dispersam
num objeto (luz do objeto) com uma luz de referncia. Essa fonte luminosa deve ser
coerente. A holografia permite gravar e reproduzir com preciso as informaes de
amplitude e fase do objeto. Dessa forma, pode-se determinar a forma ou a deformao de
uma superfcie spera.

8.3.1. Processo Hologrfico

A obteno da imagem tridimensional (3D) de um objeto, utilizando a holografia
compreende as etapas de registro e reconstruo da informao armazenada.
O registro realizado iluminando o meio hologrfico, por exemplo um filme com
resoluo acima de 2000 linhas/mm, com um feixe objeto O e um feixe referncia R. A
Figura 8.5a ilustra o processo de gravao de um holograma de transmisso [14], que
obtido dividindo o feixe laser com um divisor de feixes (beamsplitter). O feixe referncia
incide em um espelho plano e o feixe objeto no objeto em anlise. Ambos feixes so
expandidos e devem percorrer o mesmo caminho ptico, por causa da coerncia temporal
do laser. A relao entre as intensidades objeto e referncia [15] que incidem no filme
hologrfico fornecida pelo fabricante.
A reconstruo do holograma de transmisso realizada aps a revelao qumica
do filme hologrfico. Este iluminado apenas pelo feixe referncia (R), como ilustra a
Figura 8.5b. O padro microscpico de pontos claros e escuros (Figura 8.6a), gerados pela
interferncia dos feixes R e O, ir difratar a luz na direo do feixe objeto original, como
mostra a Figura 8.5b, reconstruindo uma imagem virtual na posio original do objeto. A
Figura 8.6b e a Figura 8.6c mostram diferentes visualizaes de um mesmo holograma.

12

(a)

(b)
Figura 8.5 - (a) Montagem experimental para a gravao de holograma de transmisso e (b) para
reconstruo de hologramas de transmisso.

(a)

(b)

(c)

Figura 8.6 - (a) Padro de interferncia gerado em uma placa hologrfica; (b) e (c) duas visualizaes
distintas do mesmo holograma [14].

8.3.2. Formao da Rede Hologrfica

O holograma formado da interferncia dos feixes laser de referncia (R) e objeto
(O). Sendo a luz uma onda eletromagntica, a intensidade desses feixes pode ser
representada por:
2

R(r ) = E R (r, t) = ER exp[ i ( t k r )]

O(r ) = EO (r, t) = EO exp[ i ( t k r )]
13

(8.12)

onde r o vetor posio.

A interferncia desses feixes produz uma variao de intensidade dependente da
diferena de fase entre o feixe R e O expressa por:
I = R + O + 2 RO cos( ) ,

(8.13)

onde a diferena de fase est relacionada com a variao da distncia (r) entre
os feixes R e O que tambm relaciona-se com o ngulo entre esses feixes. Considerando
uma rede hologrfica senoidal, formada por ondas planas [15], o perodo, ilustrado na
Figura 8.7, dado por:

2d sen = .

(8.14)

Nessa equao, o ngulo de incidncia de R e O na placa hologrfica e d o

espaamento da rede hologrfica, como ilustra a Figura 8.7. Pela Eq.(8.14) nota-se que,
para ngulos de incidncia pequenos, h um grande espaamento no padro de
interferncia. Para se obter holograma com boa qualidade, deve-se utilizar um filme
hologrfico com alta resoluo, acima de 2000 linhas/mm, no entanto, tambm necessrio
escrever o holograma incidindo os feixes R e O num ngulo que produza a quantidade de
linhas de interferncia por milmetro desejada.
Esse processo gera o holograma de transmisso. A amplitude de transmisso desse
holograma pode ser superficial, se o material pouco espesso, ou em volume se o material
espesso. Essa amplitude obtida das relaes de intensidade entre os feixes objeto O e de
referncia R:

T (x, y) = K[O(x, y)O * (x, y) + R(x, y)R * (x, y) + O * (x, y)R(x, y) + O(x, y)R * (x, y)] ,
(8.15)
o smbolo significa complexo conjugado e K uma constante de proporcionalidade
que depende da natureza do material. Uma vez gerada a amplitude de transmisso, o
holograma est confeccionado, e para se visualizar a imagem tridimensional, necessrio
voltar a iluminar o holograma pelo feixe referncia, tal que:

14

R( x, y )T ( x, y ) = R( x, y )[O( x, y )O *( x, y ) + R( x, y ) R *( x, y )] +
R( x, y )O *( x, y ) R( x, y ) + O( x, y ) R( x, y ) R *( x, y ).

(8.16)

(a)
(b)
Figura 8.7- (a) Interferncia de duas ondas senoidais planas em um meio hologrfico e (b) padro de
interferncia gerado.

Na Eq.(8.16), o termo O(x,y)R(x,y)R*(x,y) fornece a imagem virtual do objeto,

reconstrudo atravs do espalhamento de luz difratada pelo holograma, a partir do feixe de
referncia, conforme est ilustrado na Figura 8.5b. Esse termo representa a reconstruo da
imagem. A intensidade do feixe de referncia, dada por R(x,y)R*(x,y), modulada pela
amplitude original do feixe objeto O(x,y), espalha a luz do feixe referncia por difrao,
como se a energia luminosa estivesse vindo diretamente do objeto. Portanto, um observador
posicionado em frente ao holograma tem a sensao visual, tanto em intensidade quanto em
profundidade, de estar diante do prprio objeto.
No caso dos hologramas de reflexo em volume, o objeto posicionado por trs da
placa hologrfica, como mostra a Figura 8.8. O feixe laser expandido por um conjunto de
lentes e filtro espacial, iluminando a placa hologrfica pela frente. Parte da luz que
atravessa a placa reflete na superfcie do objeto retornando placa e interferindo com a
frente de onda incidente nesta. Na Figura 8.9a mostrado um exemplo considerando os
feixes referncia e objeto com frentes de onda plana, por simplificao.

15

Figura 8.8 - Processo de gravao de holograma de reflexo. O objeto posicionado atrs do filme
hologrfico.

A reconstruo do holograma de reflexo realizada iluminando-o na direo

original de incidncia do feixe de referncia, como mostra a Figura 8.9b. A rede
hologrfica em volume, formada na placa hologrfica, difrata a luz na direo do feixe
objeto original, reconstruindo assim, a imagem do objeto.

(a)
(b)
Figura 8.9 - (a) Padro de interferncia de duas frentes de onda plana interferindo por lados opostos,
gerando um holograma de reflexo. (b) Leitura do holograma de reflexo [15].

8.3.3. Materiais para Gravao Hologrfica

Vrios materiais com alta resoluo espacial so utilizados como meios
hologrficos. A Tabela 8.1 lista os materiais mais utilizados e suas caractersticas.
Tabela 8.1 - Materiais usados para gravar hologramas.
Material
Sal de prata
Termoplstico
Fotopolmero
Foto-resiste
Foto-refrativo

Resoluo (linhas/mm)
acima de 2000
de 300 a 1000
acima de 2000
acima de 4000
limitado pela rede cristalina

Exposio
1-30 J/cm2
0,5 - 100 J/cm2
> 1 mJ/cm2
> 10 mJ/cm2
0,100 at 100 W/cm2

Revelao
qumica
aquecimento
qumica
qumica
Em tempo real

Os meios hologrficos de sal de prata e os termoplsticos so os mais utilizados em

aplicaes prticas em engenharia, no entanto, os materiais foto-refrativos apresentam a

16

propriedade de autodifrao anisotrpica [16] e no necessitam de revelao qumica do

holograma, que pode ser reconstrudo (lido) em tempo real. O que permite o uso dos
materiais foto-refrativos em novas aplicaes. Nesta seo sero descritas algumas
caractersticas dos materiais hologrficos de sal de prata e termoplstico, e os princpios da
formao da rede hologrfica em cristais foto-refrativos e algumas aplicaes recentes.

8.3.3.1. Materiais Sal de Prata

As emulses de sal de prata so depositadas nas superfcies de placas de vidro ou
ento em filmes de polmeros. Esses meios hologrficos possuem gros de sal de prata
muito finos e podem ser fabricados com grandes dimenses. Alm disso, podem ser
sensibilizados por vrios comprimentos de onda do laser (ver Tabela 8.2). Por terem alta
resoluo espacial (acima de 2000 linhas/mm) so muito lentos para o registro hologrfico,
o tempo de exposio pode chegar a 60 s, dependendo da intensidade da luz incidente. A
Tabela 8.2 lista as caractersticas dos filmes e placas hologrficos de trs fabricantes.
A eficincia de difrao mxima que se pode obter com um holograma utilizando
esses materiais 6%. A eficincia de difrao definida como a porcentagem de luz
usada para reconstruir o holograma que emerge na direo do feixe imagem. A exposio
Ex obtida em funo da eficincia de transferncia de energia da rede hologrfica t, do
tempo de exposio , da potncia P do laser e da rea iluminada A.

Ex =

t P
A

(8.17)

A relao da eficincia de difrao pela exposio de um filme/placa hologrfico

varia de acordo com o grfico da Figura 8.10. Essa relao d a visibilidade das franjas de
interferncia.
Os materiais hologrficos de sal de prata necessitam de revelao qumica, por isso,
precisam ser retirados do local onde foi gerado o holograma, e aps a revelao, precisam
ser repostos na mesma posio.

17

Tabela 8.2 - Propriedades de materiais hologrficos de sal de prata.

Material

Cdigo

Tipo

Kodak

649F

AGFA
Gevaert

Ilford

placa

Sensibilidade Resoluo
Espessura
(linhas/mm) (m)
(J/cm2)
80
>2000
17

Fonte laser para

gravar
He-Ne, Ar, rubi

649F

filme

80

>2000

He-Ne, Ar, rubi

120-02

placa

40

>2000

He-Ne, rubi

SO-173

filme

40

>2500

He-Ne, rubi

130-02

placa

>1250

He-Ne, Ar

SO-253

filme

>1250

He-Ne, Ar

8E75HD placa/
filme
8E56HD placa/
filme
10E75
placa/
filme
FT340T placa

10

<5000

7(15)

He-Ne, rubi

25

<5000

7(15)

Ar

<2800

He-Ne, rubi

200

<7000

He-Ne, rubi

Hotec R

filme

20

<7000

He-Ne, rubi

SP695T

placa

100

<5000

Ar

SP672

filme

100

<7000

Ar

Figura 8.10 - Curvas caractersticas da eficincia de difrao pela exposio E0

relacionados com a visibilidade das franjas V.

18

8.3.3.2. Materiais Termoplsticos

Hologramas podem ser gravados em filmes termoplsticos produzindo uma
deformao em relevo em sua superfcie, de acordo com a variao da intensidade da luz do
padro de interferncia hologrfico. Os termoplsticos normalmente no so foto-sensveis,
por isso devem estar combinados com um fotocondutor em um filme (Figura 8.11a), o qual
pode apresentar uma resposta luz.
A seqncia completa do ciclo para gravar e apagar um holograma est ilustrado na
Figura 8.11b. O primeiro passo carregar eletricamente com um potencial eletrosttico
uniforme, aplicado superfcie do termoplstico. O segundo passo a exposio ao padro
de interferncia hologrfico. Isso modula a distribuio de cargas na superfcie pela ao da
camada fotocondutora. A recarga realizada para aumentar a variao de cargas. O sistema
aquecido, entre 60oC e 100oC, e a camada plstica derrete deformando-se de acordo com
a distribuio do padro de cargas eltricas. Atravs do resfriamento o padro
armazenado em relevo, de forma semipermanente, sendo apagado apenas quando a
estrutura do termoplstico aquecida a uma temperatura superior a de armazenamento da
informao hologrfica. A esta temperatura, h uma diminuio das tenses internas
causando um relaxamento do termoplstico, dessa forma, desaparece a variao de
espessura e apaga-se o holograma. Em alguns sistemas a etapa da recarga no necessria.
O ciclo completo de gravao pode levar 10 s. A eficincia de difrao de um termoplstico
pode ser superior a 30%.

(a)
(b)
Figura 8.11 - (a) Estrutura de um filme com camada termoplstica-fotocondutora. (b) ciclo gravarapagar de um holograma termoplstico.

19

8.3.3.3. Cristais Foto-refrativos

Um grande nmero de cristais, tais como o niobato de ltio (LiNbO3), titanato de
brio (BaTiO3), os da famlia dos selenetos: xido de silcio e bismuto (Bi12SiO20); xido
de germnio e bismuto (Bi12GeO20) e o xido de titnio e bismuto (Bi12TiO20), assim como
o tantalato de potssio (KTN), o nitrato de brio e estrncio (SBN), o fosfeto de ndio (InP)
so foto-refrativos, pois combinam sensibilidade luz e efeito eletro-ptico linear.
O processo mais simples de armazenamento ptico em cristais foto-refrativos (PRC)
o de mistura de duas ondas, tais como os registros de hologramas em filmes ou placas
hologrficas. No processo de formao do holograma de onda plana, faz-se a interferncia
dos feixes laser sinal S e referncia R, no centro de um PRC. Neste caso haver um padro
de interferncia intercalando franjas claras e escuras igualmente espaadas (ver Figura 8.7),
seguindo uma modulao senoidal.
Esses cristais so chamados "foto-refrativos", pois o ndice de refrao n varia com
a intensidade I da luz. Por isso, se o padro de interferncia modulado senoidalmente, o
ndice de refrao segue a mesma forma, formando um gradiente de ndice de refrao no
interior do PRC, como ilustrado na Figura 8.12. Os cristais foto-refrativos mais utilizados
so os da famlia dos selenetos BSO, BGO e BTO. A modulao do ndice de refrao
desses cristais [16,17], que pertencem ao grupo de simetria 23, segue a distribuio do
campo eltrico E gerado pelo movimento dos portadores de carga (eltrons e lacunas).
Quando esto apenas em regime de difuso (sem campo eltrico externo aplicado) E est
deslocado de I em /2.
Devido s propriedades anisotrpicas dos PRCs, possvel separar os feixes
transmitido e difratado com o uso de um polarizador. Dessa forma, enquanto o holograma
escrito, tambm pode ser reconstrudo (lido), ou seja, a leitura do holograma em tempo
real. Para que a leitura da rede hologrfica possa ser realizada em tempo real necessrio
que o vetor da rede kg seja perpendicular direo <001>, para isso a face de incidncia
dos feixes laser deve ser a (110), como mostra a Figura 8.13. Quando as polarizaes dos
feixes de referncia R e sinal S (ver Figura 8.14) so paralelas direo <001> do PRC, o
feixe sinal transmitido S e o referncia difratado R possuiro polarizaes ortogonais,
como ilustrado na Figura 8.15a. Dessa forma, podero ser facilmente separados por um

20

polarizador, tal que apenas o feixe difratado possa ser detectado, pois este quem leva a
informao do holograma.

Figura 8.12 Modulao do ndice de refrao e do campo eltrico de cargas espaciais. I(x):
intensidade do padro de interferncia; m: taxa de modulao; kg: vetor da rede hologrfica; (x): densidade
de cargas; ESC: campo eltrico de cargas espaciais; n0: ndice de refrao isotrpico do cristal; r41=r52=r63:
coeficiente eletro-ptico.

Figura 8.13 - Eixos cristalogrficos do PRC.

Os cristais da famlia dos selenetos (BSO, BGO e BTO) apresentam atividade

ptica natural e birrefringncia linear induzida. Para obter a polarizao dos feixes R e S
paralelas direo <001> no centro do cristal, necessrio compensar a polarizao na
entrada do cristal, como mostrado na Figura 8.15b. A birrefringncia linear induzida no
pode ser evitada, assim, os feixes que incidem linearmente polarizados na face (110) do
cristal sairo com polarizao elptica, tal que no ser possvel separar totalmente os feixes
S e R.

21

Figura 8.14 - Formao da rede hologrfica no centro do PRC.

O BSO apresenta maior eficincia de difrao para o comprimento de onda = 514

nm (verde), enquanto que o BTO possui tambm uma boa eficincia de difrao no
comprimento de onda = 633 nm (vermelho), podendo ser utilizado com o laser de He-Ne.
As dimenses desses cristais, em mdia, no ultrapassam 10 mm x 10 mm x 8 mm.

(a)
(b)
Figura 8.15 - (a) Polarizaes dos feixes laser incidente, transmitido e difratado.(b) Compensao da
polarizao do feixe de entrada com um ngulo , tal que a polarizao seja no centro do cristal foto-refrativo.

22

A eficincia de difrao dos cristais foto-refrativos em regime de difuso (sem

campo eltrico externo aplicado) baixa, aproximadamente 1%. Para melhorar essa
eficincia de difrao, aplicado um campo eltrico externo na direo ortogonal ao plano
da rede hologrfica. Dessa forma induzido um arrastamento (drift) de portadores de carga,
melhorando a eficincia de difrao dos cristais foto-refrativos.
Os cristais foto-refrativos tm sido empregados em inmeras aplicaes em
interferometria, ptica adaptativa, memrias hologrficas; processamento ptico de sinais e
de imagens. Eles so a base para alguns tipos de moduladores espaciais de luz. A
possibilidade de reconstruo do holograma em tempo real pode ser utilizada, por exemplo,
para estudo de modos de vibrao em transdutores [18,19], para obteno de resposta de
transdutores piezoeltricos de superfcie difusa a pulsos ultra-snicos [20,21,22] etc.
Os PRCs tm um grande potencial em muitas aplicaes em sistemas pticos
coerentes. Na prxima seo so apresentadas algumas das aplicaes atuais dos PRCs
ligadas metrologia ptica e processamento de imagens e sinais pticos em tempo real.

8.4.

APLICAES HOLOGRFICAS NA INDSTRIA E EM

PESQUISA

A holografia aplicada em diversos ramos da metrologia ptica e processamento

ptico de imagens e sinais. Para a medio de deformao, deslocamento ou vibrao
mecnica, utilizada a holografia interferomtrica. As tcnicas utilizadas para essas
medies so a de dupla exposio ou em mdia temporal. O holograma de transformada
de Fourier utilizado para magnificao de imagens ou processamento ptico de sinais ou
imagens, e a conjugao de fase reconstitui uma imagem ou frente de onda deformada.

8.4.1. Holografia Interferomtrica

A holografia interferomtrica uma tcnica de grande interesse da metrologia,
sendo aplicada quando os objetos em anlise sofrem pequenas deformaes. Dentre as
aplicaes, destacam-se:

23

- Medio de micro-deslocamentos;
- Medio de deformaes mecnicas;
- Anlise experimental de tenses mecnicas;
- Determinao do fator de intensificao de tenses;
- Determinao de propriedades dos materiais;
- Mecnica da fratura;
- Determinao de modos e amplitudes de vibrao;
- Controle de qualidade.
A anlise de um problema por meio da holografia interferomtrica consiste na
interpretao do mapa de franjas resultante entre duas frentes de onda particulares. Ambas
as frentes de onda tm origem em um mesmo corpo, porm, a cada uma corresponde um
estado de deformao e/ou posicionamento geomtrico distinto. Como resultado da
holografia interferomtrica, pode-se determinar o campo de deslocamentos sofrido pelo
corpo.
Qualitativamente a interpretao do mapa de franjas relativamente simples e
direta. Por ser uma tcnica de campo completo, ela muito utilizada e difundida. O termo
campo completo caracteriza-se por reunir informaes sobre o comportamento de todos os
pontos contidos dentro do campo visual.
A anlise quantitativa no to direta. Em geral, envolve o levantamento de um
grande volume de dados experimentais e exige processamento por sofisticadas rotinas de
clculo.
A complexidade dos mtodos de quantificao pela holografia interferomtrica
varia com a natureza do problema enfrentado. Quando a direo do deslocamento
conhecida em todo o campo visual, o tratamento matemtico dos dados experimentais
relativamente simples. A complexidade aumenta consideravelmente quando se trata de
determinar a natureza tridimensional do campo de deslocamentos, bem como aumentar o
volume de dados experimentais. Alguns mtodos especficos foram formulados e tm sido
usados. A forma clssica de abordar um problema genrico por meio da holografia
interferomtrica consiste em discretizar a regio estudada com auxlio de uma malha
desenhada no local. Dessa forma, uma fotografia obtida da imagem reconstruda pela

24

holografia, na qual aparecem s franjas de interferncia, como mostra a Figura 8.16. A

ordem de franja absoluta para cada ponto da malha determinada. Este processo repetido
para mais dois ngulos de observao distintos. Com base ainda em parmetros ligados
disposio geomtrica dos componentes pticos, as trs componentes do deslocamento so
calculadas. Os resultados esto sujeitos a erros oriundos principalmente da imprecisa
atribuio visual da ordem de franja.
As tcnicas de holografia interferomtricas so duas, a de dupla exposio e a em
mdia temporal, que esto descritas nas prximas subsees.

(a)
(b)
Figura 8.16 - Hologramas interferomtricos. (a) holograma de dupla exposio de um projtil em
movimento (R.F. Wuerker, TRW, Inc) e (b) franjas interferomtricas em tempo real de um metal sob tenso
mecnica [15].

8.4.2. Holografia de Dupla Exposio

A holografia de dupla exposio utilizada em estudo de deslocamento ou
deformao do objeto. Essa tcnica hologrfica consiste em obter dois hologramas no
mesmo filme hologrfico [23,24]. Inicialmente gravado um holograma do objeto
analisado antes de sofrer a deformao. Em seguida produzida a deformao no objeto em
anlise, como, por exemplo, submetendo-o a uma tenso mecnica. Essa nova condio
gravada na segunda exposio. A deformao sofrida pelo objeto produz pequenas
alteraes na superfcie ou volume do objeto, dessa forma altera o caminho percorrido pela
25

luz do objeto at o filme (ver Figura 8.17), como conseqncia, surgem franjas de
interferncia na imagem reconstruda, como ilustra a Figura 8.16a.
A anlise e interpretao da formao das franjas de interferncia baseiam-se no
princpio de que qualquer ponto do holograma contm informaes sobre cada ponto
visvel do corpo, em todos os estados comparados interferometricamente. A Figura 8.17
mostra esquematicamente a disposio das componentes usadas na holografia
interferomtrica. A fonte de luz coerente (S) ilumina o objeto em duas posies distintas,
registrando dessa forma, no holograma (H) duas frentes de onda originrias do objeto ( e
').
A deformao sofrida pelo ponto O do objeto, ao ser observada no ponto P (ver
Figura 8.17), mostra franjas de interferncia devido variao de fase () ocorrida pela
variao da distncia (d) entre os pontos O e O' (ver Figura 8.17). A deformao sofrida
pelo objeto obtida em funo dos deslocamento de fase da interferncia ptica [26]. Essa
relao dependente do comprimento de onda do laser (). A relao entre e d pode
ser obtida considerando ns e np os vetores unitrios da direo de iluminao, tal que:

Figura 8.17 - Interferncia hologrfica [26].

= '

____

____

____

____

[( SO SO ') + (OP O ' P)]

2
=
(n n ) d.
p s

26

(8.18)

A posio inicial, gravada no holograma, relativa ao caminho percorrido pela luz

SOP e a posio final ao caminho SO'P. Quando as duas frentes de onda, correspondentes
aos estados inicial e final, so reconstrudas simultaneamente, a intensidade luminosa do
ponto O poder ser mxima quando ambas frentes de onda chegam com a mesma fase, ou
variar at um mnimo quando estiverem com fases opostas (=).
Essa anlise corresponde intensidade resultante do ponto O, entretanto, este efeito
simultneo para todos os pontos do corpo. O efeito resultante o surgimento de franjas de
interferncia. Todos os pontos sobre a mesma franja de interferncia esto com a mesma
fase. Entretanto, a diferena de fase no pode ser determinada diretamente. Dessa forma,
deve-se usar outro recurso que permita a partir um referencial, atribuir ao ponto O um
parmetro denominado "ordem de franja" (OF). Uma vez conhecida a OF de um ponto de
interesse, pode-se associar este diferena de fase, diferena de caminho ptico, e ao
vetor deslocamento. A diferena de fase dada por = 2 OF .

8.4.2.1. Medio de Tenso Mecnica

Uma montagem experimental para obter hologramas interferomtricos de dupla
exposio, em duas placas hologrficas, mostrada na Figura 8.18. Essa montagem tem
como finalidade analisar o efeito da tenso mecnica na mastigao (ver Figura 8.19), por
isso so obtidos hologramas interferomtricos simultneos das partes frontal e lateral de um
crnio humano, mostrados na Figura 8.19. A interpretao do padro de franjas [25]
descreve opticamente o deslocamento ocorrido na superfcie do objeto. Pode-se mostrar que
quanto maior a densidade de franjas, maior foi o deslocamento da superfcie [23,26]. Uma
intensidade I sobre um ponto do objeto em anlise no campo de viso :

I = 2 | A |2 [1 + cos( )] ,

(8.19)

onde 2|A|2 representa a intensidade do ponto devido s imagens individuais do

objeto e est modulada pelas franjas senoidalmente.
O mtodo da dupla exposio para anlise de tenses mecnicas tambm realizado
em cristais foto-refrativos. No entanto, devido s pequenas dimenses dos cristais foto27

refrativos, uma imagem do objeto formada no interior do PRC, a qual interfere com o
feixe de referncia, como ilustrado na Figura 8.20. Nessa figura, um divisor de feixes (BS)
separa o feixe laser em um feixe objeto, que incide no espelho E1, sendo expandido em
seguida, ao passar por uma objetiva de microscpio (10x). Esse feixe expandido ilumina
toda a superfcie do objeto em anlise e uma outra lente coleta a luz refletida pelo objeto,
formando uma imagem deste no interior do cristal foto-refrativo. O feixe referncia incide
no espelho E2 sem ser expandido, e interfere com a imagem do objeto no interior do cristal
foto-refrativo. Os caminhos pticos referncia e objeto so iguais. O polarizador P1
alinhado, compensando a atividade ptica natural do BSO, de forma que o plano de
polarizao da luz incidente no centro do cristal seja vertical, pois nesse caso as
polarizaes dos feixes transmitido e difratado, na sada do cristal, sero ortogonais e
podero ser separados pelo polarizador P2. As imagens so adquiridas por uma cmera
CCD ou uma cmera fotogrfica.

Figura 8.18 - Montagem experimental para obteno de holograma de dupla exposio em duas
placas hologrficas.

28

Figura 8.19 - Holograma de dupla exposio de um crnio humano, usado no estudo de tenses
mecnicas nos dentes.

Figura 8.20 - Montagem experimental para gravar um holograma objeto em um cristal foto-refrativo
[29].

Inicialmente gravado o holograma do objeto livre de tenses mecnicas. Os feixes

sinal e referncia so obstrudos e produz-se uma tenso mecnica na amostra analisada.
Um novo holograma gravado na nova condio da amostra, sem precisar retirar o PRC da
posio original. Nesse processo so geradas franjas de interferncia. A Figura 8.21 mostra
hologramas interferomtricos, em tempo real, de um metal e dentes submetidos a tenso
mecnica [27]. Todo o processo leva no mximo 1 min.

29

(a)

(b)
(c)
(d)
Figura 8.21 - Anlise de tenso mecnica por holografia de dupla exposio em tempo real
utilizando um BSO. (a) e (c) no submetidos tenso mecnica; (b) e (d) submetidos tenso mecnica.

8.4.2.2. Holografia em Tempo Real e em Mdia Temporal

No mtodo de holografia em mdia temporal, primeiro registra-se um holograma do
objeto esttico. No caso da utilizao de um filme de sal de prata, este deve ser revelado,
fixado etc. Em seguida deve ser reposicionado exatamente na montagem hologrfica
original. Dessa forma, possvel observar a interferncia da frente de onda do prprio
objeto com a reconstruo do holograma previamente registrado. Nessa condio,
quaisquer modificaes ou deformaes no objeto do origem s franjas de interferncia
em tempo real. A interferometria em tempo real muito utilizada em determinao de
amplitude de vibrao e de tenso mecnica ou presso sobre uma superfcie.
A Figura 8.22 mostra hologramas em mdia temporal dos dois primeiros modos de
vibrao de um violo, nas freqncias 185 Hz e 285 Hz. Neste caso, como h uma
vibrao, as franjas claras correspondem ao modo estacionrio da vibrao (nodos) e as
franjas escuras aos pontos vibrantes da membrana (ventres). As franjas de interferncia
possuem um padro descrito pela funo de Bessel de ordem-zero (J0) [15,28], como
mostra a Figura 8.23. O deslocamento da membrana vibrando obtido tornando nula a
funo de Bessel de ordem-zero, que dada por:

nd
I = A2 J 02
=0,

(8.20)

nessa equao, d a diferena de caminho ptico que corresponde a duas vezes

componente pico-a-pico da amplitude de vibrao.
A holografia em tempo-real realizada da mesma forma que a em mdia temporal.
A Figura 8.24 ilustra o estudo da variao de presso sobre um diafragma de metal fino. No

30

entanto, holografias em tempo-real e/ou mdia temporal so de difcil realizao com

filmes/placas de sal de prata, devido necessidade de reposicionamento do filme, na
posio original exata. Os meios hologrficos ideais para essa anlise so os termoplsticos
e os cristais foto-refrativos por no necessitarem de revelao qumica, dessa forma, no
precisam ser retirados da posio original para o estudo em tempo real das deformaes.

Figura 8.22 - Fotografias das imagens de um violo vibrando. Hologramas registrados em "mdia
temporal" nas freqncias: (a) 185 Hz e (b) 285 Hz. Essas so franjas caractersticas dos dois primeiros
modos de vibrao do violo [15].

Figura 8.23 - Padro de interferncia das franjas governado pelo J0 da funo de Bessel de primeira ordem
[33].

31

Para maiores detalhes sobre holografia interferomtrica recomenda-se [23] e para

suas aplicaes na indstria recomenda-se o Captulo 7 de [28].

Figura 8.24 - Diafragma de metal fino sujeito a um acrscimo de presso.A deformao observada
em tempo real por holografia interferomtrica [28].

8.4.2.3. Deteco de Ondas de Superfcie

A holografia em mdia temporal bastante utilizada em cristais foto-refrativos para
determinar os modos de vibrao de um transdutor [18,19,29]. O trabalho apresentado aqui
[22], envolve o estudo de ondas de Lamb (ondas superficiais). O cristal utilizado um
BSO.
No centro do PRC ocorre a interferncia entre o feixe referncia e o feixe sinal que
traz informaes da superfcie vibrando (ver Figura 8.25). O objeto em anlise uma folha
de nquel e o transdutor piezoeltrico excitado com um sinal senoidal contnuo. A Figura
8.26 mostra a propagao da onda na folha de nquel para trs diferentes freqncias de
excitao, 8 kHz, 15 kHz e 30 kHz.

32

Figura 8.25 - Montagem experimental para deteco ptica de ondas de Lamb em um PRC [22].

(a)

(b)

(c)

(d)
(e)
(f)
Figura 8.26 - Fotografia das ondas de Lamb viajando na superfcie da folha de nquel: (a) 8 kHz, (b)
15 kHz, (c) 30 kHz. Modos de flexo das ondas superficiais: (d) 8 kHz, (e) 15 kHz, (f) 30 kHz [22].

8.4.2.4. Holograma de Transformada de Fourier

Um objeto transparente iluminado e posicionado no plano P1 (ver Figura 8.27a), que
o plano focal de uma lente convergente L1, forma uma imagem no plano P2, que o plano
focal do outro lado dessa lente. A relao entre os dois planos ser o de uma transformada
de Fourier, como ilustra a Figura 8.27b, que mostra uma lente convergente realizando uma
transformada de Fourier de uma abertura quadrada. A transformada inversa de Fourier
33

obtida ao posicionar uma segunda lente L2, com seu plano focal no plano P2 (ver Figura
8.27a). Do outro lado da lente, no outro plano focal P3, obtida a transforma inversa de
Fourier [30,31]. Essa propriedade ptica das lentes usada para formar hologramas de
Fourier.
Entre as aplicaes dos hologramas de Fourier, destacam-se a magnificao de
imagens, determinaes de tamanho de partculas [32] e a aplicao descrita nessa seo,
que o processamento ptico de sinais.
Hologramas de Fourier so realizados posicionando o meio hologrfico H (ver
Figura 8.28a) no plano focal de uma lente convergente L1, e no plano focal, do outro lado
da lente, deve estar o objeto transparente iluminado, como ilustra a Figura 8.28a. A
interferncia do feixe objeto u1 (transformada de Fourier) com o feixe referncia u2
gravado no holograma.

(a)

(b)

Figura 8.27 - (a) Lentes realizando uma transformada de Fourier e uma transformada inversa de
Fourier. (b) Uma lente convergente transforma uma onda plana em onda esfrica. No plano imagem se obtm
a transformada de Fourier de uma abertura quadrada.

O mtodo de Vanderlugt de confeco de filtros casados [30, 33] utilizado, por

exemplo, para determinar se h um caractere ou forma presente no holograma de Fourier.
Nesse caso, posiciona-se no plano focal da lente L1 o caractere que deseja-se reconhecer
(ver Figura 8.28b). Esse ser o feixe de leitura u4, o qual faz a autocorrelao com o
holograma de Fourier previamente gravado. Se o caractere desejado encontrado no
holograma de Fourier, no plano focal da segunda lente L2 aparecem funes deltas
34

mostrando as posies em que o caractere foi encontrado, como mostra a Figura 8.29. A
autocorrelao [34] entre os sinais dada por:
u3 = u4 u1 ,

(8.21)

onde o smbolo significa correlao, o smbolo * indica complexo conjugado e a

funo delta.

(a)
(b)
Figura 8.28 - (a) Processo de gravao de um holograma de Fourier, u1 o feixe objeto, u2 o feixe de
referncia e H o meio hologrfico. (b) Processo de leitura de um holograma de Fourier (filtro casado de
Vanderlugt), u4 o caractere a ser reconhecido ou funo impulso e u3 o plano da autocorrelao.

35

Figura 8.29 - Identificao da letra e com o filtro de Vanderlugt de reconhecimento de caracteres. No

topo o sinal de entrada, no centro a autocorrelao observada. Embaixo as deltas obtidas em um fotodetector
array [15].

8.4.2.5. Conjugador de Fase

Conjugadores de fase so dispositivos pticos que produzem uma rplica, reversa
no tempo, de uma onda eletromagntica incidente no meio hologrfico. Estes dispositivos
pticos apresentam um papel importante em sistemas pticos que espalham a onda
eletromagntica incidente, como ser visto mais adiante nas aplicaes de cristais fotorefrativos. Nesta seo ser apresentada a conjugao de fase em filmes hologrficos, para
reconstruo de imagens.
O campo eltrico de uma onda eletromagntica viajando na direo z pode ser
escrito como:

E = E0 exp[i ( t kz )]
E = E1 exp[i( t kz )]

E1 =E0 exp( i ),

(8.22)

onde E0 a amplitude da onda e a fase, ambas so funes reais da posio (x,y,z). O par
conjugado da onda eletromagntica da Eq.(8.22) :
Ec = E1 exp[i ( t + kz )] .

36

(8.23)

a Eq.(8.23) mostra a componente E*1 que o complexo conjugado de E1, logo, o termo
que apresenta a fase conjugada. Nota-se tambm, comparando as Eq. (8.22) e (8.23), que a
primeira representa uma onda eletromagntica que viaja na direo z positiva e a segunda
na direo z negativa. A conjugao da fase faz com que a onda que viaja na direo z
negativa tenha exatamente a mesma forma e fase da onda eletromagntica que viaja na
direo z positiva, como mostra a Figura 8.30.
A gravao de um holograma de um objeto com fase distorcida est ilustrado na
Figura 8.30a. Nessa figura, entre o objeto e o holograma h um meio de distoro de fase
(um pedao de vidro). O feixe de referncia interfere com essa frente de onda distorcida do
objeto no holograma. Quando o holograma iluminado como na Figura 8.30b, com o
conjugado do feixe de referncia, o conjugado da frente de onda do objeto reconstrudo.

Figura 8.30 - (a) Gravao de um holograma com uma frente de onda distorcida. (b) Reconstruo
do holograma, eliminando a distoro na frente de onda, ao passar novamente pelo meio de distoro [15].

Um resultado dessa tcnica, em formao de imagens, mostrado na Fig. 8.31. A

Fig. 8.31a mostra o objeto que gerou o holograma. A Fig. 8.31b mostra a imagem
observada quando o mtodo corretamente empregado e a Fig. 8.31c mostra a reconstruo
do holograma com o meio de distoro removido.

37

Figura 8.31 - (a) Objeto; (b) Imagem formada pelo arranjo da Figura 8.30b; (c) imagem obtida
quando o meio de distoro retirado [15].

8.4.2.6. Interfermetros Foto-refrativos

Uma das grandes dificuldades na medio de amplitudes de vibrao de
transdutores piezoeltricos na faixa de freqncia de alguns MHz est relacionada com a
superfcie difusa dos transdutores. Ing e Monchalin [35] mostraram, em 1991, um sistema
de mistura de duas ondas em foto-refrativos, capaz de realizar as deteces de ultra-som em
superfcies difusas. Outros sistemas utilizando o mtodo de conjugao de fase em fotorefrativos tambm so propostos como forma de deteco de ultra-som de superfcies
difusas [21,36].

8.4.2.6.1. Deteco de Ultra-som em Superfcies Difusas

Hologramas permitem o registro de informaes originrias de objetos ou
superfcies difusas. A difrao anisotrpica dos cristais foto-refrativos, a qual permite a
escrita e leitura da informao armazenada em tempo real, possibilita a leitura do sinal
ultra-snico de superfcies difusas [20]. Nessa subseo ser descrito o sistema de Pouet et
al. [20], que utiliza a holografia em cristais foto-refrativos como uma boa soluo para
realizar essas medies em sistemas interferomtricos.
A Figura 8.32 ilustra a montagem experimental bsica (fora de escala) do processo
de gravao e leitura do sinal ultra-snico em cristais foto-refrativos BSO e BGO,
utilizando demodulao heterdina* para evitar rudo ambiente na resposta [37]. Na Figura

sistema interferomtrico heterdino: interferncia entre feixes laser com duas freqncias pticas.

Como conseqncia h uma modulao em freqncia no sinal de resposta.

38

8.32 o feixe sinal espalhado pela superfcie difusa e o sinal de referncia interferem no
interior do PRC. A escrita da rede hologrfica realizada com os feixes sinal e referncia
de mesma freqncia ptica (homdinos). Esta estacionria espacialmente. A leitura do
holograma realizada com o feixe de referncia com a freqncia ptica modificada. Um
polarizador posicionado na sada do PRC deixa passar apenas o feixe referncia difratado
na rede hologrfica. O resultado obtido ilustrado na Figura 8.33, a qual mostra uma
comparao entre uma mdia de 64 aquisies e o sinal instantneo, os quais mantm a
mesma forma e deslocamento pico-a-pico do transdutor piezoeltrico, que
aproximadamente 5,3 nm.

Figura 8.32 - Montagem experimental para demodulao heterdina do estudo de respostas a pulsos
ultra-snicos de uma superfcie rugosa [20].

Figura 8.33 - Sinal ultra-snico detectado de uma placa de com superfcie rugosa. (A) mdia de 64
amostras do sinal; (B) sinal instantneo[20].

39

Uma outra montagem utilizada na deteco de ultra-som a de conjugao de fase e

mistura de duas ondas. A montagem experimental ilustrada na Figura 8.34 mostra um
interfermetro heterdino combinado a um espelho conjugador de fase. Dando nfase
apenas conjugao de fase, na Figura 8.34 est destaca a parte em que ocorre a
conjugao de fase (DPCM). Este destaque ilustrado na Figura 8.35, na qual o feixe
objeto S1 interfere com o feixe referncia P1, gerando uma rede hologrfica no cristal fotorefrativo BaTiO3. Devido propriedade de autodifrao desses materiais, o feixe objeto
difratado na rede hologrfica, gerando o feixe P2, que o conjugado da onda plana P1. Este
feixe difratado e limpo (P2) interfere no interfermetro heterdino, e atravs de uma
demodulao em freqncias obtm-se a resposta do deslocamento da superfcie analisada
[21].

Figura 8.34 - Deteco de ultra-som por um sistema interferomtrico de DPCM combinado com um
interfermetro heterdino [21].

Figura 8.35 - Conjugao de fase em mistura de duas ondas [21].

40

8.4.2.7. Medio de Deslocamento Angular

Recentemente foi mostrado um procedimento para obter padres tipo-moir em
redes hologrficas em tempo real nos cristais foto-refrativos [38]. Nesse trabalho foi
utilizado um BTO. Essa tcnica pode ser utilizada para determinao de pequenas variaes
angulares e micro-deslocamentos. Para isso, registra-se o holograma do objeto em repouso.
Um segundo holograma escrito aps introduzir uma pequena inclinao no PRC. Esse
procedimento produz franjas tipo-moir, como mostra a Figura 8.36. Atravs da medio
do espaamento das franjas, possvel determinar a variao angular que do PRC. Quanto
maior for a inclinao do PRC em relao posio original, maior ser o nmero de
franjas, como indica a Figura 8.37a, que a curva de calibrao do espaamento da rede
moir em funo da rotao, em radianos, sofrida pelo BTO. A Figura 8.37b mostra o
esquema montado para calibrar um parafuso.

Figura 8.36 - Padro de interferncia produzido pelo moir dinmico. As grades ficam mais estreitas
medida que o cristal BTO gira de pequenos ngulos [38].

(a)
(b)
Figura 8.37 - (a) Curva experimental da dependncia do espaamento das franjas de moir com a
rotao do BTO em um ngulo ; (b) Esquema do sistema de teste [38].

41

8.5.

HOLOGRAFIA ELETRNICA E HOLOGRAFIA DIGITAL

Na holografia eletrnica (HE), tambm conhecida com o Electronic Speckle Pattern

Interferometry (ESPI), o contorno do objeto projetado na cmera CCD e apenas as
intensidades so reconstrudas pelo processo de correlao. Esse sistema hologrfico
similar holografia convencional em filmes. No entanto, em vez de usar o filme
hologrfico, o meio no qual a informao ptica registrada o sensor CCD de uma
cmera de TV. A Figura 8.38 mostra um esquema bsico de gravao de HE. O feixe de
referncia normalmente tem 5% da intensidade do feixe objeto. A resoluo dos HE no
to alta quanto a dos filmes hologrfico que podem atingir at 7000 linhas/mm (ver Tabela
8.2). A resoluo espacial dos HE est limitada pela cmera CCD, que tipicamente opera
em 1024 x 1024 pixels. As aplicaes da HE tambm so relacionadas a hologramas em
tempo real e em mdia temporal.

Figura 8.38 - Geometria tpica para gavao de hologramas eletrnicos [28].

A Figura 8.39 mostra uma aplicao de holografia eletrnica para medio de

contornos, atravs da gerao de franjas de interferncia pela alterao do ngulo de
iluminao. Esta figura mostra uma garrafa de vidro pressurizada, com o mapa campodeformao corrigido para a forma.

42

Figura 8.39 - Combinao de contorno e medio no plano para produzir o mapa de deformaes
correto. O objeto uma garrafa de vidro pressurizada [28].

A holografia digital (HD) completamente diferente da HE, apesar de tambm

utilizar cmeras CCD. Na HD os hologramas de Fresnel (ou Fraunhofer) opticamente
gerados so gravados por uma cmera CCD e armazenados em um computador. A
reconstruo da imagem real ou virtual no realizada opticamente, atravs da iluminao
do holograma com o feixe de referncia, mas numericamente pela multiplicao dos
hologramas armazenados com um modelo numrico da onda de referncia.
A holografia digital oferece uma grande variedade de aplicaes, como por
exemplo, a holografia interferomtrica para deformaes ou medio de contornos ou
holografia de anlise de partculas. A subtrao da distribuio de fase reconstruda sem o
campo da onda para dois estados carregados do objeto na distribuio de fase sem o sinal
de ambigidade e sem a necessidade de uma avaliao do holograma, mas com um
resultado e repetibilidade comparveis aos mtodos de deslocamento de fase.
A holografia digital pode ser aplicada medio de deslocamentos no plano ou fora
do plano. A Figura 8.40 mostra uma montagem experimental [39] utilizada para realizar
essas medies. Inicialmente so obtidos os mapas de fase (ver Figura 8.41). A subtrao
desses mapas de fase, de forma conveniente, origina os padres de interferncia mostrados
na Figura 8.42, atravs dos quais pode-se determinar os deslocamentos fora do plano
(normal) e no plano (tangente).

43

Figura 8.40 - Montagem experimental para medio de deslocamento no plano e fora do plano [39].

Figura 8.41 - Fase dos hologramas [39].

(a)
(b)
Figura 8.42 - Interferncia de fase correspondentes aos deslocamentos (a) fora do plano e (b) no
plano [39].

8.6.

HOLOGRAMA GERADO POR COMPUTADOR (HGC)

A grande maioria dos hologramas feita usando interferncia de luz coerente, como
descrito nas sees anteriores. Entretanto, uma significante parcela de estudo realizada
com mtodos de criar hologramas atravs de clculos computacionais, os quais so
transferidos para uma transparncia aps ser impresso em uma "plotter" de alta resoluo.
44

Nesse processo, pode-se criar imagens de objetos que nunca existiram no mundo real. A
limitao da criao de imagens bidimensionais ou tridimensionais est na habilidade de
criar imagens atravs de clculos matemticos, ou de processar a imagem em um
computador, sem que haja muito consumo de tempo.
O processo de criao de hologramas gerados por computador (HGC) pode ser
dividido em trs partes. A primeira a parte computacional, a qual envolve clculos para
que os campos do objeto produzam hologramas planos, se ele existir. A segunda parte do
processo a escolha de uma representao dos campos complexos no holograma plano. A
terceira parte do problema a transferncia da representao codificada do campo para a
transparncia.
Neste texto sero descritos brevemente os dois mais antigos e tradicionais de para
criar um HGC, que so o "detour-phase holograms" e o "kinoform" [33].

8.6.1. Detour-phase Holograms

O mais antigo e talvez o melhor mtodo para criar hologramas por campos
complexos computacionais chamado de mtodo "detour-phase". Este mtodo aceita as
restries impostas pela maioria das impressoras, pois os padres impressos so binrios e
convenientemente feitos por blocos ou retngulos negros com tamanho e incremento
controlados.
A Figura 8.43a mostra um HGC, uma transformada de Fourier binria, e Figura
8.43b mostra a fotografia da imagem produzida por esse holograma, quando iluminado por
uma fonte de luz coerente. Nesse caso, o processamento numrico computacional foi
planejado para que o objeto fosse iluminado atravs de uma tela difusa, por isso a aparncia
granular da imagem.

45

(a)
(b)
Figura 8.43 - (a) Holograma gerado por computador de uma transformada de Fourier binria e (b) a
imagem produzida por este HGC [15].

8.6.2. Kinoform
Um holograma kinoform similar a uma lente de Fresnel [11]. Como em um
holograma de transmisso em filmes, o holograma kinoform pode mostrar uma imagem
tridimensional. A diferena deste para o holograma convencional que ele pode difratar
toda a iluminao recebida em uma ordem de difrao nica. O conceito bsico, que o
objeto tem uma amplitude complexa A(x,y) e pode ser satisfatoriamente gravada
considerando a onda com uma amplitude constante. Sua amplitude complexa :

A( x, y ) = C exp[i ( x, y )] .

(8.24)

No caso do kinoform, assume-se que as fases dos coeficientes de Fourier carregam a

maioria das informaes sobre um objeto e a informao da amplitude pode ser
desconsiderada [40] A codificao realizada mapeando linearmente o intervalo de fase (0,
2) em um nvel contnuo de cinza. O resultado impresso em uma impressora de alta
resoluo e transposto reduzido para uma transparncia.
A Figura 8.44a mostra o resultado do processamento numrico computacional
impresso e feito a chapa. Aps a iluminao deste, obtm-se a imagem da Figura 8.44b.

46

(a)
(b)
Figura 8.44 - (a) Nveis de cinza que formam a chapa hologrfica de kinoform e (b) imagem
produzida pelo kinoform [15].

8.6.2.1. Aplicao
O HGC pode ser usado como um sensor ptico na inspeo de rugosidade de uma
pea. Esse sensor o elemento responsvel pela difrao da luz que distorcida pelas
irregularidades de uma superfcie rugosa e plana. O padro gravado com uma cmera
CCD, e esta informao pode ser analisada pela transformada de Fourier.
O holograma utilizado e a montagem ptica para a anlise de rugosidade esto
ilustrados na Figura 8.45 [41]. Este um holograma idntico ao que seria obtido pelo uso
da tcnica fotoqumica, com um objeto real. No sistema interferomtrico o feixe do laser de
He-Ne expandido e colimado por um sistema de lentes e incide no holograma. Uma
cmera CCD captura a imagem obtida (Figura 8.45) e um computador acoplado a essa
cmera faz o processamento da imagem. Uma forma de estimar a rugosidade atravs do
clculo do contraste (modulao da energia) e, desta forma, evitada a dependncia na
refletncia.

47

Figura 8.45 - Montagem experimental para anlise de rugosidade em uma superfcie.

8.7.

REFERNCIAS

1. D. Gabor, "A new microscope principle", Nature, 161, p. 777, 1948.

2. D. Gabor, "Microscopy by reconstructed wavefronts", Proc. Roy. Soc., A197, p.454,
1949.
3. D. Gabor, "Microscopy by reconstructed wavefronts: II", Proc. Phys. Soc., B64, p.449,
1951.
4. E.N. Leith e J. Upatnieks, "Reconstructed wavefronts and communication theory", J.
Opt. Soc. Amer., 52, p.1123, 1962.
5. E.N. Leith e J. Upatnieks, "Wavefronts reconstructed with continuous-tony objects", J.
Opt. Soc. Amer., 53, p.1377, 1963.
6. E.N. Leith e J. Upatnieks, "Wavefronts reconstructed with diffused illumination and
three-dimensional objects ", J. Opt. Soc. Amer., 54, p.1295, 1964.
7. L. Cross, "Multiplex holography", apresentado no SPIE Seminar on Three Dimensional
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