RESUMEN DEL CAP 7

MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES

1. INTRODUCCION
En este apartado se examinara la respuesta de ac en pequea seal
del amplificador a BJT mediante la revisin de los modelos que se
usan con frecuencia para representar al transistor en el dominio
senoidal en ac.
Existen dos modelos que se utilizan con frecuencia en el anlisis en
ac de pequea seal de redes de transistores: el modelo Re, y el
equivalente hibrido. En este captulo se define el papel de cada uno y
la relacin que hay entre ambos.

2. AMPLIFICACION EN EL DOMINIO DE AC
La seal senoidal de salida es mayor que la de entrada, o, dicho de
otra manera, la potencia de ca de salida puede ser mayor que la
potencia de ca de entrada. Surge entonces la pregunta sobre cmo es
que la potencia de salida de ca pueda ser mayor que la potencia de
ca de entrada. La conservacin de la energa dicta que con el tiempo
la salida de potencia total, Po, de un sistema no puede ser mayor que
su potencia de entrada, Pi y que la eficiencia definida por h Po>Pi no
puede ser mayor que 1. El factor que falta en el planteamiento
anterior que permite que una potencia de salida de ca sea mayor que
la potencia de ca de entrada es la potencia de cd aplicada. Es un
contribuyente a la potencia de salida total aun cuando una parte de
ella se disipe por el dispositivo y los elementos resistivos. En otras
palabras, existe un intercambio de potencia de cd con el dominio
de ca que permite establecer una potencia de ca de salida ms alta.
Sin embargo, es extremadamente til tener en cuenta que:
El teorema de superposicin es aplicable al anlisis y diseo de los
componentes de cd y ca de una red de BJT, lo que permite separar el
anlisis de las respuestas de cd y ca del sistema.
En otras palabras, podemos efectuar un anlisis de cd completo de
un sistema antes de considerar la respuesta de ca. Una vez hecho el
anlisis de cd, la respuesta de ca se determina mediante un anlisis
completo de ca. Sucede, sin embargo, que las condiciones de cd

determinarn a uno de los componentes que aparece en el anlisis de

ca de redes de BJT, as que sigue habiendo un vnculo importante
entre los dos tipos de anlisis.

3. MODELAJE DE TRANSISTORES BJT

La clave para el anlisis de seal pequea de un transistor es el uso de
circuitos equivalentes (modelos)
Un modelo es una combinacin de elementos de un circuito,
apropiadamente seleccionados, que simula de forma aproximada el
comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones
especficas de operacin.
Una vez que se determina el circuito equivalente de ca, el smbolo
esquemtico del dispositivo puede ser reemplazado por este circuito
equivalente y los mtodos bsicos de anlisis de circuitos aplicados para
determinar las cantidades deseadas de la red.
En los aos formativos del anlisis de redes de transistores se empleaba
con frecuencia la red equivalente hbrida. Las hojas de especificaciones
incluan los parmetros en sus listas y el anlisis simplemente se reduca
a insertar el circuito equivalente con los valores listados. Sin embargo, la
desventaja de utilizar este circuito equivalente es que se defina para un
conjunto de condiciones de operacin que podran no coincidir con las
condiciones de operacin reales. En la mayora de los casos no es una
desventaja grave porque las condiciones de operaciones reales son
relativamente parecidas a las condiciones de operacin seleccionadas en
las hojas de datos.
En realidad, el modelo re es una versin reducida del modelo p hbrido
utilizado casi exclusivamente para anlisis de alta frecuencia. Este
modelo tambin incluye una conexin entre la salida y la entrada para
incluir el efecto de realimentacin del voltaje de salida y las cantidades
de entrada.
El equivalente de ca de una red se obtiene como sigue:
1. Poniendo en cero todas las fuentes de cd y reemplazndolas por un
equivalente de cortocircuito.
2. Reemplazando todos los capacitores por un equivalente de
cortocircuito.
3. Quitando todos los elementos evitados por los equivalentes de
cortocircuito introducidos por los pasos 1 y 2.
4. Volviendo a dibujar la red en una forma ms conveniente y lgica.

4. LOS PARAMETROS IMPORTANTES Zi, Zo, AV, Ai.

Impedancia de entrada Zi
Para el lado de la entrada, la impedancia de entrada Zi esta definida por
Vi
Zi=
la ley de ohm de la siguiente forma:
Ii
Para el anlisis en pequea seal, una vez determinada la impedancia
de entrada, se puede emplear el mismo valor numrico para los niveles
cambiantes de la seal aplicada.
No se puede emplear un hmetro para medir impedancia de entrada en
pequea seal debido a que este opera en el modo de dc.
Impedancia de salida Zo
Se define en el conjunto de terminales de salida, pero esta definicin es
un poco diferente cuando se trata de la impedancia de entrada
La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo
hacia atrs el sistema con la seal aplicada igual a cero.
Para determinar Zo, se aplica una seal, Vs, a las terminales de salida, y
el nivel de Vo se mide con un osciloscopio o DMM sensible. Luego se
calcula la impedancia de salida de la siguiente manera:
Io=

V VO
R( sensor)

Vo
Z0 = Io

En particular, para las frecuencias de rango bajo y medio (normalmente

100kHz): La impedancia de salida de un amplificador de transistor BJT
es resistiva por naturaleza y depende de la configuracin y de la
colocacin de los elementos resistivos, Z0 puede variar entre unos
cuantos ohms y un nivel que puede exceder los 2M. Adems no se
puede usar un hmetro para medir la impedancia de salida en pequea
seal debido a que el hmetro trabaja en modo dc.
Ganancia de voltaje, Av
Una de las caractersticas ms importantes de un amplificador es la
ganancia en voltaje en pequea seal, como se determina mediante.
Av =

V0
Vi

Para amplificadores de transistor, la ganancia de voltaje sin carga es

mayor que la ganancia de voltaje con carga.
Dependiendo de la configuracin, de la magnitud de la ganancia en
voltaje para un amplificador a transistor de una etapa normalmente esta
en rango de menos 1 a unos cuantos cientos. Sin embargo un sistema
multietapas puede tener una ganancia en voltaje de varios miles
Ganancia en corriente, Ai
La ltima caracterstica numrica que ser tratada es la ganancia de
Io
Ai=
corriente definida por:
Ii
Aunque por lo general esta recibe menor atencin que la ganancia de
voltaje es, sin embargo, una cantidad importante que puede tener un
impacto significativo en la eficiencia global de un diseo. En general:
Para los amplificadores a BJT, la ganancia de corriente varia desde un
valor apenas inferior que 1 hasta un nivel que puede exceder los 100.
La ecuacin

Ai= Av

Zi
Ii

; permite determinar la ganancia de corriente

a partir de la ganancia de voltaje y los niveles de impedancia.

Relacin de fase
La relacin de fase entre las seales senoidales de entrada y salida es
importante por una variedad de razones prcticas.
Para el amplificador de transistor tpico, a frecuencias que permiten
ignorar el efecto de elementos reactivos, las seales de entrada y salida
estn o bien 180 fuera de fase.
Resumen
Hasta aqu se trato los parmetros de principal importancia para un
amplificador ya se han presentado: la impedancia de entrada Z, la
impedancia de salida Z0, la ganancia de voltaje Av, la ganancia de
corriente A y las relaciones de fase resultantes. Otros factores, tales
como la frecuencia aplicada para los lmites inferior y superior del
espectro de frecuencias, afectarn algunos de estos parmetros.

5. EL MODELO DE TRANSISTOR re

El modelo re requiere un diodo y una fuente de corriente contralada para

duplicar el comportamiento de un transistor e la regin de inters.
Recuerde que una fuente controlada de corriente es aquella donde los
parmetros de la fuente de corriente estn controlados por medio de
una corriente situada en cualquier otro lugar de la red de hecho los
amplificadores a transistor BJT son conocidos como dispositivos de
corriente controlada.
Configuracin en base comn
El circuito equivalente de base comn se desarrollar casi del mismo
modo en que se aplic a la configuracin en emisor comn. Las
caractersticas generales del circuito de entrada y salida generarn un
circuito equivalente que simular de forma aproximada el
comportamiento real del dispositivo. Recuerde que en la configuracin
en emisor comn se utiliz un diodo para representar la conexin de la
base al emisor.
La resistencia de ca de un diodo puede determinarse mediante la
ecuacin rca = 26 mV/lD, donde ID es la corriente de cd a travs del
diodo en el punto Q (esttico). Esta misma ecuacin puede utilizarse
para encontrar la resistencia de ca del diodo, si sustituimos simplemente
26 mV
e=
la corriente de emisor, como se muestra a continuacin
r
IE
El subndice e de re se selecciono para enfatizar que es el nivel cd de la
corriente de emisor que determina el nivel ca de la resistencia del diodo.
la impedancia de entrada Z para la configuracin de base comn de un
transistor fuera simplemente re. Es decir,
Zi = re
Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Z varan
entre unos cuantos ohms y un valor hasta de alrededor de 50 .
Para la impedancia de salida, si establecemos la seal a cero, entonces le
= O A e le= le = (O A) = O A, resultando en un equivalente de circuito
abierto en las terminales de salida.

Z0

Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Z se hallan

en el orden de los megaohms. La resistencia de salida de la
configuracin de base comn se determina por medio de la pendiente
de las lneas caractersticas de las caractersticas de salida, Suponiendo
que las lneas sean perfectamente horizontales (una excelente
aproximacin) resultara la conclusin. Si se tuviera el cuidado de medir

Z0 grfica o experimentalmente, se obtendran los niveles tpicos en el

intervalo de 1 a 2 M.
En general, para la configuracin de base comn, la impedancia de
entrada es relativamente pequea mientras que la impedancia de salida
es bastante alta.
Configuracin de emisor comn
Las terminales de entrada son las terminales de base y emisor, pero el
conjunto de salida lo componen ahora las terminales de colector y
emisor. Adems, la terminal de emisor es ahora comn entre los puertos
de entrada y salida del amplificador.
En esta configuracin, la corriente de base es la corriente de entrada,
mientras que la corriente de salida an es le.
La impedancia de entrada se determina por el siguiente cociente: Zi =
Vi
Vbe
Ii =
Ib
Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de Zi que se
definen mediante re oscilan desde unos cuantos cientos de ohms
hasta el orden los kilohms, con valores mximos de entre 6 y 7 kilohms.
Obsrvese que la pendiente de las curvas se incrementa con el aumento
en la corriente de colector. Cuanto ms elevada sea la pendiente, menor
ser el nivel de la impedancia de salida (Zo).
Para la configuracin de emisor comn, valores tpicos de Z 0 se
encuentran en el intervalo que va de los 40 a los 50 k.
Configuracin de colector comn
Para la configuracin de colector comn normalmente se aplica el
modelo definido para la configuracin de emisor comn, en vez de
definir un modelo propio para la configuracin de colector comn. En
captulos subsiguientes se estudiaran mas a fondo este tema

6. EL MODELO HIBRIDO EQUIVALENTE

En las primeras secciones de este captulo comentamos que el modelo
equivalente hbrido se utiliz en los primeros aos, antes de que cobrara
popularidad el modelo re. En la actualidad existe una mezcla de usos
segn el nivel y direccin de la investigacin. El modelo re ofrece la
ventaja de que las condiciones reales de operacin definen los

parmetros, en tanto que los de circuito equivalente hbrido se definen

en trminos generales para cualquier condicin de operacin. Dicho de
otro modo, los parmetros hbridos no reflejan las condiciones reales de
operacin, sino que slo indican el nivel esperado de cada parmetro sin
importar las condiciones que en realidad existan. El modelo re adolece
de que parmetros como la impedancia de salida y los elementos de
realimentacin no estn disponibles, en tanto que los parmetros
hbridos proporcionan todo el conjunto en las hojas de especificaciones.
En la mayora de los casos, si se emplea el modelo re, el investigador
simplemente examinar la hoja de especificaciones para tener alguna
idea de cules podran ser los elementos adicionales. Esta seccin
mostrar que se puede ir de un modelo a otro y cmo estn
relacionados los parmetros. Como todas las hojas de especificaciones
proporcionan los parmetros hbridos y el modelo se sigue utilizando
extensamente, es importante tener en cuenta ambos modelos.
Los parmetros que relacionan las cuatro variables se llaman
parmetros h, de la palabra hbrido.
Se escogi el trmino hbrido porque la mezcla de variables (V e I) en
cada ecuacin produce un conjunto hbrido de unidades de medicin
para los parmetros h. Podemos tener una clara idea de lo que los
diversos parmetros representan y de cmo se puede determinar su
magnitud, aislando cada uno de ellos y examinando la relacin
resultante.

7. DETERMINACION GRAFICA DE LOS PARAMETROS h

Empleando derivadas parciales (clculo), podemos demostrar que la
magnitud de los parmetros h en el circuito equivalente de transistor de
seal pequea en la regin de operacin para la configuracin de emisor
comn puede encontrarse empleando 4 ecuaciones.
En una de las 4 ecuaciones ya mencionadas el smbolo

se refiere a

un pequeo cambio en esa cantidad alrededor del punto de operacin.

En otras palabras, los parmetros h se determinan en la regin de
operacin para la seal aplicada, de manera que el circuito equivalente
ser el ms preciso de los disponibles.
Los Parmetros hbridos para las configuraciones de base comn y de
colector comn pueden encontrarse empleando las mismas ecuaciones
bsicas con las variables y caractersticas apropiadas.

La resistencia de entrada en la configuracin de base comn es baja, en

tanto que la resistencia de salida es alta. Tambin, considrese que la
ganancia de corriente en corto circuito es muy cercana a 1. En las
configuraciones de emisor comn y de colector comn obsrvese que la
resistencia de entrada es mucho ms alta que la de la configuracin de
base comn y que la relacin entre la resistencia de salida y la de
entrada es aproximadamente de 40: l. Adems, considrese en las
configuraciones de emisor comn y de base comn que hr tiene una
magnitud muy pequea. En la actualidad se dispone de transistores con
valores de hfe que varan de 20 a 600.

8. VARIACIONES DE LOS PARAMETROS DE

TRANSISTORES
Se pueden trazar varias curvas para mostrar las variaciones de los
parmetros del transistor con la temperatura, la frecuencia, el voltaje y
la corriente. Lo ms interesante y til en esta etapa del desarrollo
incluye las variaciones con la temperatura de unin y el voltaje y la
corriente del colector.
El resultado es que la magnitud de cada parmetro se compara con los
valores definidos en el punto de operacin definido. Como los
fabricantes en general utilizan los parmetros hbridos para grficas de
este tipo. Sin embargo, para ampliar el uso de las curvas tambin se
agregaron los parmetros equivalentes re y pi hbrido.
El parmetro hfe (B)es el que vara menos de todos los parmetros de
un circuito equivalente del transistor cuando se traza contra las
variaciones en la corriente del colector
Todos los parmetros de un circuito hbrido equivalente del transistor se
incrementan con la temperatura.
Sin embargo, de nuevo tenga en cuenta que la resistencia de salida real
ro est inversamente relacionada con hoe, de modo que su valor se
reduce con un incremento de hoe. El cambio ms grande ocurre en hie,
aunque observe que el intervalo de la escala vertical es
considerablemente menor que el de las otras grficas. A una
temperatura de 200C el valor de hie es casi tres veces su valor del
punto Q, los parmetros se incrementan a casi 40 veces el valor del
punto Q.
De los tres parmetros, por consiguiente, la variacin de la corriente del
colector es la que ms afecta los parmetros de un circuito equivalente

de transistor. La temperatura siempre es un factor, aunque el efecto de

la corriente del colector puede ser significativo.