UNIVERSIDAD NACIONAL DE PIURA

FACULTAD DE INGENIERA INDUSTRIAL

DPTO. ACAD. INGENIERA MECATRNICA

SLABO: CIRCUITOS ELECTRNICOS II

I. INFORMACIN GENERAL
Nombre de la Asignatura
Cdigo
Facultad
Escuela Profesional
Nivel de Estudio
Condicin
Requisito
Nmero de crditos
Horas de clases semanales
Semestre Acadmico
Profesor Responsable
Correo Electrnico

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Circuitos Electrnicos II
II3420
Ingeniera Industrial
Ingeniera Mecatrnica
VI Ciclo
Obligatorio
Circuitos Electrnicos I
04
Total (5) Teora(3) Prctica(2)
2014-I
Msc. Shlomi Nereida Caldern Valdez
sncv25@gmail.com

II. RASGO DEL PERFIL DEL EGRESADO

Este curso contribuye con el perfil profesional del futuro ingeniero mecatrnico al desarrollo de
sus habilidades de anlisis y diseo de circuitos electrnicos utilizando transistores de efecto
de campo.

III. SUMILLA
El curso es de naturaleza terica-prctica y proporciona los principios de operacin de los
transistores FET capacitando al alumno al anlisis, diseo, simulacin y prueba de circuitos
bsicos.

IV. OBJETIVOS GENERALES

Dar conocimiento terico-prctico de los tipos de transistores FET para disear circuitos de
control electrnico de sistemas y procesos industriales.

OBJETIVOS ESPECFICOS
- Analiza, disea, especfica, simula y prueba circuitos analgicos bsicos, en forma
rigurosa, creativa y cuidadosa.
- Maneja las herramientas de anlisis y diseo de circuitos analgicos bsicos con cuidado
y rigurosidad.
- Mide las especificaciones de los circuitos analgicos bsicos con cuidado y demuestra
preocupacin por usar las tcnicas de medicin adecuadas.
- Interpreta correctamente las caractersticas tcnicas de los circuitos analgicos bsicos.

V. CONTENIDO DE UNIDADES DE APRENDIZAJE

N
Actividades
Semana
UNIDAD DE APRENDIZAJE I : TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Objetivos especficos:
- Familiarizarse con la construccin y caractersticas de operacin del transistor de efecto
de campo de unin (JFET) y del transistor FET.
- Ser capaz de bosquejar las caractersticas de transferencia, a partir de las caractersticas
de drenaje de transistores JFET, MOSFET.
1.1.1 Introduccin
1.1.2 Construccin y caractersticas de los JFET
1-2
1.1.3 Caractersticas de transferencia
1.1.4 Hojas de especificaciones (JFET)
1.1.5 Relaciones importantes
1.2.1 MOSFET tipo empobrecimiento
3-4
1.2.2 MOSFET tipo enriquecimiento
1.2.3 Manejo del MOSFET
1.2.4 VMOS
1.2.5 CMOS
1.2.6 MESFET
N
Actividades
Semana
UNIDAD DE APRENDIZAJE II : POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO
Objetivos especficos:
- Ser capaz de realizar un anlisis de cd de redes con JFET y MOSFET.
- Hacer uso de anlisis de lnea de carga para examinar redes con FET.
- Desarrollar confianza en el anlisis de cd de redes tanto de los FET.
- Entender cmo utilizar la curva universal de polarizacin del JFET para analizar las
diversas configuraciones del FET.
2.1.1. Configuracin de polarizacin fija
2.1.2. Configuracin de autopolarizacin
5-6
2.1.3. Polarizacin por medio del divisor de voltaje
2.1.4. Configuracin en compuerta comn
2.1.5. Caso especial:
=0
Prctica Calificada N 01
2.2.1. MOSFET tipo empobrecimiento
2.2.2. MOSFET tipo enriquecimiento
2.2.3. Redes combinadas
7-8
2.2.4. Diseo
2.2.5. Solucin de fallas
2.2.6. Los FET de canal p
2.2.7. Curva de polarizacin universal del JFET
2.2.8. Aplicaciones prcticas
Prctica Calificada N 02
N
Actividades
Semana
UNIDAD DE APRENDIZAJE III : AMPLIFICADORES FET
Objetivos especficos:
- Familiarizarse con el modelo de ac de seal pequea para un JFET y un MOSFET.
- Ser capaz de realizar un anlisis de seal pequea de ac de varias configuraciones de
JFET y MOSFET.

Entender los efectos de los resistores de la fuente y de carga en las impedancias de

entrada, de salida y la ganancia total.
- Ser capaz de analizar configuraciones de amplificadores con FET y/o BJT.
3.1.1. Modelo del JFET de seal pequea
3.1.2. Configuracin de polarizacin fija
3.1.3. Configuracin de autopolarizacin
9-10
3.1.4. Configuracin del divisor de voltaje
3.1.5. Configuracin del JFET en compuerta comn
3.1.6. Configuracin del JFET en fuente-seguidor (drenaje comn)
Prctica Calificada N 03
3.2.1. MOSFET tipo empobrecimiento
3.2.2. MOSFET tipo enriquecimiento
3.2.3. Configuracin por realimentacin de drenaje del E-MOSFET
3.2.4. Configuracin del divisor de voltaje del E-MOSFET
3.2.5. Diseo de redes de amplificacin con FET
3.2.6. Efecto de RL y Rsig
11-12
3.2.7. Configuracin en cascada
3.2.8. Circuito CMOS
3.2.9. Circuito de Fuente de Corriente
3.2.10. Circuitos Amplificadores Diferenciales BIFET, BIMOS, CMOS
3.2.11. Solucin de fallas
3.2.12. Aplicaciones prcticas
Prctica Calificada N 04
13
Examen Final
14
Examen Sustitiutorio

VI. ESTRATEGIAS METODOLGICAS

Mtodos
Tcnicas
Materiales didcticos

:
:
:

Inductivo Deductivo
Clases magistrales
Plumn, mota, pizarra, can multimedia, computadoras

VII. EVALUACIN
Prcticas Calificadas (PC)
Promedio Prcticas de Laboratorio (PLAB)
Trabajo Encargado (TE)
Examen Final (EF)

: 40%
: 10%
: 15%
: 35%

NP = 0.4*PC + 0.10*PLAB + 0.15*TE+ 0.3*EF

Adems se considerar que la asistencia a clases, evaluaciones extemporneas y dems
aspectos evaluativos se sujetarn a lo estipulado en el Reglamento Acadmico de la UNP y
normas relaciones al respecto.

VIII. BIBLIOGRAFA
1. Boylestad R. & Nashelsky L. Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
10ma edicin Prentice Hall (2008).

2.
3.
4.
5.

Darold W. Circuits Design for Electronic Instrumentation

Floyd T. Dispositivos electrnicos. 8va edicin Pearson Educacin, Mxico (2008)
Malik N. Circuitos Electrnicos, anlisis, simulacin y diseo. Prentice Hall, UK (1996)
Malvino A. Principios de Electrnica, 6ta edicin Mc Graw Hill (2000)