Diseo de Amplificador CS con Carga Activa

Luis Manuel Peate Tobar

PT05008
Marvin Alexander Ceren Montes
CM03041
Catedrtico: Ing. Roberto Ramos
Instructor: Br. Olano Centeno

Abstract
En este laboratorio se busca comprobar los conceptos aprendidos en clase, para ello,
primeramente se construye un espejo de corriente con dos transistores PMOS, integrados en
el CD4007, luego se coloca como carga activa a un amplificador CS. Se realizaran las
mediciones respectivas para encontrar las curvas caractersticas del NMOS y luego con la
curva de carga se busca el punto de operacin.

Lista de materiales:
1 Protoboard
1 Generador de seales
1 Osciloscopio
1 Fuente de Voltaje
1 CD4007UBE
3 Voltmetro
1 R=80k

Introduccin.
En este reporte de laboratorio, la intensin es poner en prctica el diseo de un amplificador
CS con carga activa, para ello se dise una fuente de corriente basada en un espejo de
corriente para polarizar el circuito un amplificador de CS y analizar el comportamiento de
este, construido con MOSFETS de enriquecimiento como lo es el CI 4007 UBE que est al
alcance de cualquier persona gracias a su bajo costo.
El procedimiento que se llev acabo fue el diseo de una fuente de corriente de 100 A y
realizando el anlisis del circuito amplificador de forma terica, simulada y prctica para
cada uno de los casos se analiz la regin donde el circuito trabaja como amplificador esta
regin es conocida como regin III en la curva caracterstica de transferencia.
La intencin de mantener todos los MOSFET en esa regin es para tener un funcionamiento
como amplificador en el caso del NMOS que funciona como amplificador CS y los dos
PMOS que trabajan como la fuente de corriente.

Ciudad Universitaria, 23 de abril de 2013

Amplificador CS Cargado Activamente

ANALISIS TEORICO
Tomando una corriente de

I D =100uA

, se comienza el proceso de clculo de valores,

tomando como parmetros los dados en el laboratorio 2 de electrnica 1.

Fig. 1 Circuito a implementar y parmetros para anlisis terico

TRANSISTOR M1:
I REF=

VD
R

V SG =10 vV D
1
W
V |V top|
I D 1= K p (
2
L )( SG
1
A
480
100 = (6 2 )
V |1.4| 2
(
2
5 )( SG
V
Tomamos como M1 al transistor de la izquierda, este ser el que distribuya la corriente para
el espejo, es decir este ser el encargado de reflejar la corriente al segundo transistor M2.
Recuerde que de la figura se observa que los transistores son PMOS, entonces se usaran
valores antes mencionados para estos transistores.
1 W
I D = kp ( V ov )2
2
L

Instrumentacin Electrnica

Pgina 1

Amplificador CS Cargado Activamente

V OV =

V OV =

ID
1 W
kp
2
L
100uA
1
480
6
2
5

V OV =0.589255V
V SG 1=1.98 V
V D =10 V 1.98 V =8.02V
Por tanto:
R=

V D 8.02V
=
=80.2 K
I REF 100

TRANSISTOR M2:
Para que el transistor permanezca en la regin de saturacin,

Con

V D 2 100.58 9.42 V

V SG 2=V SG 1=1.98 V

1
A
480
I D 2= (6 2 )
1.98 V |1.4 V | 2
(
2
5 )(
V
I D 2 100 A

PARA LA ETAPA DEL AMPLIFICADOR FUENTE COMUN.

Instrumentacin Electrnica

Pgina 2

Amplificador CS Cargado Activamente

Sabiendo que:

Fig. 2 Circuito de la etapa de fuente comun

I D =100uA

Y estamos trabajando con un NMOS entonces.

Entonces.
1 W
I D = kp ( V ov )2
2
L
V OV =

V OV =

ID
1 W
kp
2
L

100 uA
1
124
20
2
5

V OV =0.635000
Tambin sabemos que para los NMOS:
V OV =V GSV t
Sabiendo que

V S =0

(3)
V

V GS=V G V S

, por esta conectado a tierra, entonces:

V OV =V GV SV t
V G=V OV +V t
V G=0.635000+1.4
V G=2.03500

V = VBIAS

Este voltaje VG es el que ser aplicado como una fuente de voltaje antes de la fuente de
seal, siguiendo los modelos del anlisis incremental, mas no se llegara a esta forma, solo
lo usaremos de esta forma porque es muy ilustrativo saber que cada una de las fuentes
desaparece cuando se realiza cada anlisis, uno para DC y el otro para AC.
CALCULO DE LA GANANCIA DEL CIRCUITO
Para poder calcular los parmetros a pequea seal y para calcular ro, necesitaremos el
voltaje early, este se calcula como sigue:
Instrumentacin Electrnica

Pgina 3

Amplificador CS Cargado Activamente

V A=
V ANMOS=

1
ID
1

=100

=50

V APMOS =

Sea entonces ro2 la resistencia vista por el transistor M2 y ro3 la resistencia vista por el
transistor M3, entonces tenemos:
V
r o 2= APMOS
ID
r o 2=0.50 M
r o 3=

V ANMOS
ID

r o 3=1 M
Siguiendo con el clculo de la ganancia solo resta calcular la transconductancia del
transistor M3, pues es el que se encargara de la amplificacin, lo haremos como se sigue:
2I
gm= D
V OV
gm=

2100uA
0.635000

gm=0.31496 mA / V
Ahora la ganancia se calcula con la formula de ganancia de un amplificador de fuente
comn, puesto que no existe una red de polarizacin en la entrada del voltaje que llega a la
compuerta del transistor es el voltaje de la fuente de seal, ahora teniendo esto en cuenta, la
ganancia se calcula de la siguiente forma:
GV = A V =gm(r o 2 r o 3 R L )
r o 2 r o3 |R L ) =1 M 0.5 M 10 k

r o 2 r o3 |R L ) =
9.708773k

A V =0.31496 mA /V9708.7378
A V =3.0578

V
V

Instrumentacin Electrnica

Pgina 4

Amplificador CS Cargado Activamente

RESULTADOS DE LA MEDICIN PARA

LAS CURVAS CARACTERSTICAS DEL
NMOS
A continuacin se muestran la tabla de los clculos de las curvas caractersticas del NMOS.
Vgs =1.6 Vgs= 1.75
Vgs = 1.9 Vgs=
Vgs= 2.2
2.05
VDS IDS VDS2
IDS2[u VDS IDS VDS IDS VDS IDS
1
1
[v]
A]
3
3
4
4
5
5
0.056
11.7
0.04 16. 0.05 22.
0.04 25.2
6
3
5
8
1 0.1
4.7 0.106
18
0.10 34. 0.1
43.
0.1
52.8
7
9
3
2 0.2
5
0.206
21.4
0.20 52. 0.2
79.
0.2
103.
5
2
3
3
3 0.3
5.1 0.306
21.7
0.30 57. 0.3
104 0.3
140.
4
5
.2
9
4 0.4
5.1 0.4
21.8
0.40 58. 0.4
112 0.4
172.
4
4
.4
9
5 0.50 5.1 0.5
21.9
0.51 58. 0.50 114 0.5
192.
5
2
8
1
.8
6
6 0.60 5.1 0.606
22
0.60 58. 0.6
115 0.6
205
3
7
9
.6
7 0.70 5.1 0.703
22
0.70 58. 0.70 116 0.7
206
2
3
8
5
.2
8 0.80 5.1 0.801
22.1
0.80 59
0.80 116 0.8
207
1
7
7
.6
9 0.9
5.2 0.903
22.1
0.90 59. 0.90 117 0.9
207
9
1
8
1 1.01 5.2 1.002
22.2
1.01 59. 1.00 117 1.00 208
0 2
7
3
6
.2
6
1 1.09 5.2 1.104
22.2
1.10 59. 1.10 117 1.1
208
1 4
3
3
3
.5
1 1.20 5.2 1.208
22.2
1.20 59. 1.2
117 1.2
208
2 4
5
4
.8
1 1.30 5.2 1.307
22.3
1.30 59. 1.3
118 1.3
208
3 4
2
5
1 1.40 5.2 1.4
22.3
1.4
59. 1.4
118 1.4
208
4 8
6
.2
1 1.5
5.2 1.504
22.3
1.5
59. 1.50 118 1.5
208
5
7
4
.4
Instrumentacin Electrnica

Pgina 5

Amplificador CS Cargado Activamente

1
6
1
7
1
8
1
9
2
0
2
1
2
2
2
3
2
4
2
5
2
6
2
7
2
8
2
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3
0
3
1
3
2
3
3
3
4
3
5
3
6
3
7
3
8

1.61

5.2

1.605

22.4

22.4

1.60
1
1.70
7
1.8

59.
8
59.
9
60

1.60
6
1.70
8
1.8

1.71

5.3

1.707

22.4

1.8

5.3

1.817

1.90
5
2.00
7
2.2

5.3

1.911

22.5

1.9

5.3

2.01

22.5

2.01

5.3

2.2

22.6

1.90
3
2.01
8
2.2

2.40
5
2.60
4
2.80
6
3

5.3

2.4

22.7

5.3

2.6

22.7

5.3

2.8

22.7

5.4

3.01

22.8

2.21
2
2.40
5
2.60
3
2.80
4
3.02

3.2

5.4

3.2

22.8

3.2

3.4

5.4

3.4

22.9

3.4

3.6

5.4

3.6

22.9

3.6

60.
1
60.
1
60.
3
60.
4
60.
5
60.
7
60.
8
60.
8
60.
8
61

3.8

5.4

3.8

23

3.8

3.8

5.4

4.01

23

4.2

5.4

4.2

23

4.2

4.4

5.4

4.4

23.1

4.4

4.6

5.5

4.6

23.1

4.6

4.8

5.5

4.8

23.2

4.8

5.01

5.5

23.2

5.2

5.5

5.2

23.2

5.2

5.4

5.5

5.4

23.3

5.4

5.6

5.5

5.6

23.3

5.6

61.
1
61.
2
61.
3
61.
4
61.
5
61.
6
61.
7
61.
8
61.
9
62

Instrumentacin Electrnica

Pgina 6

2.4
2.6
2.8
3
3.2
3.4
3.6

4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
5.2
5.4
5.6

118
.6
118
.9
119
.1
119
.2
119
.5
119
.7
120
.1
120
.3
120
.6
120
.9
121
.1
121
.4
121
.6
121
.8
122
.1
122
.4
122
.6
122
.8
123
.1
123
.3
123
.5
123
.6
123
.8

1.6

209

1.7

209

1.8

209

1.9

209

210

2.2

210

2.4

210

2.6

211

2.8

212

212

3.2

212

3.4

212

3.6

213

3.8

213

214

4.2

214

4.4

214

4.6

215

4.8

215

5.01

215

5.2

215

5.4

216

5.6

216

Amplificador CS Cargado Activamente

3
9
4
0
4
1
4
2
4
3
4
4
4
5
4
6
4
7
4
8
4
9
5
0
5
1
5
2
5
3
5
4
5
5
5
6
5
7
5
8
5
9
6
0

5.8

5.5

5.8

23.3

5.8

6.02

5.5

6.01

23.4

6.2

5.5

6.2

23.4

6.2

6.4

5.5

6.4

23.5

6.4

6.6

5.5

6.6

23.5

6.6

6.8

5.5

6.8

23.6

6.8

7.02

5.5

7.01

23.6

7.2

5.6

7.2

23.6

7.2

7.4

5.6

7.4

23.7

7.4

7.6

5.6

7.6

23.8

7.6

7.8

5.6

7.8

23.9

7.8

8.01

5.6

23.9

8.2

5.6

8.2

23.9

8.2

8.4

5.6

8.4

24

8.4

8.6

5.6

8.6

24.1

8.6

8.8

5.7

8.8

24.1

8.8

5.7

24.2

9.2

5.7

9.2

24.3

9.2

9.4

5.7

9.4

24.4

9.4

9.6

5.8

9.6

24.5

9.6

9.8

5.8

9.8

24.6

9.8

10

5.8

10

24.7

10

Instrumentacin Electrnica

Pgina 7

62.
2
62.
2
62.
2
62.
4
62.
4
62.
5
62.
6
62.
7
62.
7
62.
9
63

5.8

63.
1
63.
3
63.
4
63.
5
63.
7
63.
8
64

64.
2
64.
5
64.
7
64.
9

9.4

6
6.2
6.4
6.6
6.8
7
7.2
7.4
7.6
7.8

8.2
8.4
8.6
8.8
9
9.2

9.6
9.8
10

124
.1
124
.4
124
.6
124
.7
125

5.8

216

6.02

216

6.2

216

6.4

217

6.6

218

125
.2
125
.4
125
.7
125
.9
126
.1
126
.4
126
.7
127

6.8

218

7.02

218

7.2

218

7.4

218

7.6

219

7.8

219

8.01

220

8.2

220

127
.4
127
.9
128
.2
128
.7
129
.2
129
.6
130
.1
130
.8
132
.1

8.4

220

8.6

221

8.8

221

222

9.2

223

9.4

223

9.6

224

9.8

225

10

225

Amplificador CS Cargado Activamente

VGS=Vt

VGS=Vt+0.25

VGS=Vt+0.75

VGS=Vt+1.0

VGS=Vt+0.50

Grafica 1: esta es simplemente la curva caracterstica id vsd del transistor de canal p, M2,
para un voltaje constante de fuente a compuerta Vsg
V
0.2
0.3
0.4
0.5

ID
1.07E+
02
1.06E+
02
1.06E+
02
1.06E+
02

V
0.6
0.7
0.8
0.9

ID
1.06E+
02
1.06E+
02
1.05E+
02
1.05E+
02

V
1
1.5
2
2.5

ID
1.05E+
02
1.05E+
02
1.03E+
02
1.02E+
02

Tabla de valores medidos para la recta de carga.

Instrumentacin Electrnica

Pgina 8

V
3
3.5
4
4.5

ID
1.01E+
02
9.98E+
01
9.98E+
01
9.96E+
01

Amplificador CS Cargado Activamente

VGS=Vt

VGS=Vt+0.25

VGS=Vt+0.50

VGS=Vt+0.75

VGS=Vt+1.0

Recta de carga

Grafica 2: se han graficado las caractersticas id vds del transistor de amplificacin M1 y

se ha superpuesto la curva de carga. Esta es simplemente la curva i v de la grafica 1
invertida y desplazada Vdd volts a lo largo del eje horizontal
vi
vo
0
5
0.
5
2
0.
5
4
0.
5
6
0.
5
8
1
5
2
4.54
3
0.139
4
0.0838
5
0.0601
Tabla de valores de entrada y salida para graficar la funcin de transferencia.

Instrumentacin Electrnica

Pgina 9

Amplificador CS Cargado Activamente

Funcion de Trasnferencia

Grafica 3: se puede observar los nodos de operacin de M1 y M2 como se puede observar

una ganancia de voltaje grande el M1 y M2 operan en saturacin

Instrumentacin Electrnica

Pgina 10

Amplificador CS Cargado Activamente

SIMULACION
Ahora bien teniendo en cuenta los resultados medidos en el laboratorio podemos simular el
circuito y observar los modos de operacin y comprobar si nuestras mediciones estn
correctas

Fig. 3 Corrientes alrededor del circuito

Fig. 4 Respuesta del amplificador CS

Fig. 5 Respuesta del amplificador CS ampleada para observar los puntos de interes
Podemos decir lo siguiente tomando en cuenta los datos obtenidos en el laboratorio y
comprobandolos con nuestra simulacion y es que el circuito no se ve afectado por el efecto
del cuerpo porque las terminales de la fuente de M1 y M2 estan a tierra de senal. Tambien
el amplificador CMOS se puede disenar para proporcionar ganancias de voltaje de 15 a 100
Instrumentacin Electrnica

Pgina 11

Amplificador CS Cargado Activamente

IMPLEMENTACION EN EL LABORATORIO
ENCONTRANDO LA GANACIA TOTAL DEL
CIRCUITO

Fig. 6 Circuito en el laboratorio

Podemos observar que las longitudes de canal del transistor MOSFET que conforma la
fuente de corriente no son iguales es decir varan un poco debido a que en el proceso de
fabricacin no quedan exactamente iguales eso hace que varen un poco las corrientes
debido a esa diferencia aunque los transistores estn en un solo integrado no son
exactamente iguales. Ahora el siguiente paso a seguir es colocar en serie un voltaje ac
junto con el dc de entrada obervado en la figura anterior anterio y obervar si nuestro
circuito amplifica la seal introducida y comprobar nuestra ganancia del circuito en total.

Instrumentacin Electrnica

Pgina 12

Amplificador CS Cargado Activamente

Fig. 7 Imagen obtenida del osciloscopio.

Podemos obervar con claridad que nuestro circuito trabaja en buenas condiciones y
obervamos que a mas de 10v de salida nuestro circuito comienza a saturarse esto quiere
decir que el voltaje de entrada max ac en este circuito es de 70mv y una salida de 1.14v esto
quiere decir que la ganacian total del circuito disenado es de:
Gv= 1.14/0.70 = 1.62 aproximadamente una ganacia de circuito de 2

Instrumentacin Electrnica

Pgina 13

Amplificador CS Cargado Activamente

CONCLUSIONES.

El espejo de corriente con mosfet en el mismo IC es de gran ventaja, ya que es mas

estable debido a la contruccion sobre una sola placa de ambos mosfets, mientras que
los que son elementos distintos, aunque sean el mismo modelo, no se sabe a ciencia
cierta si tienen los mismos parametros o no.

El amplificador CS es uno de los mas sencillos de analizar, sin embargo, es de gran

importancia, ya que en el caso de amplificar seales muy pequeas se puede instalar
uno de estosm sin necesidad de elementos externos, proporcionandonos una buena
relacion de ganancia y asi poder leer mejor los datos.

En esta practica se tiene que tener un gran cuidado con la conexin de los pines del
IC ya que un pequeo error en la conexin puede llevar, a que desde que no
funcione el amplificador, hasta incluso daar irreparablemente el integrado e
inclusive los equipos de prueba.

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REFERENCIAS

[1]. Sedra y Smith. Circuitos Microelectrnicos, Cuarta Edicin. McGraw-Hill.

[2]. Sedra y Smith. Circuitos Microelectrnicos, Quinta Edicin. McGraw-Hill,

2006.
[3]. Hambley.Electrnica, 2 edicin. Prentice Hall, 2001.

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ANEXOS

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