Propiedades

p
elctricas

Introduccin a la
Ciencia de Materiales

Conduccin Elctrica
Ley de Ohm:

V= IR

i
i (Oh
(Ohms))
resistencia
Cada de potencial (volts = J/C)
corriente (Ampere = C/s)
C = Coulomb
A
(rea
secc.
transversal)

e-

I
V
L

La resistencia (R) depende de la geometra de la muestra. Es ms til tener un valor

representativo del material: la resistividad.
Di idi d lla lley d
t L a ambos
b llados:
d
Dividiendo
de Oh
Ohm entre
Multiplicando y dividiendo por la seccin transversal A:
E= campo elctrico [Volt/m]
= resistividad [Ohm-m]
J = densidad de corriente [A/m2]

E= J

Propiedades
p
elctricas
Cul conduce mayor
y electricidad?
D

2D

RA

VA

Anlogo al flujo de agua en un tubo

La resistencia depende de la geometra de
la muestra.

Otras definiciones
E=J

J = (1/ ) E

conductividad

J = E <= otra manera de enunciar la Ley de Ohm

J densidad de corriente =

Corriente
rea

I
A

E campo elctrico = V/ or (V/ )

J = (V/ )
Flujo de electrones

conductividad

gradiente de voltaje

Portadores de carga
electrones en la mayora de los slidos
iones pueden conducir (en particular en soluciones lquidas)

Conductividad: Comparacin
Valores a T ambiente (Ohm-m)-1 = ( - m)-1
METALES
conductores CERAMICOS
-10
Plata
6.8 x 10 7
Vidrio Soda-lime 10 -10-11
Cobre
6 0 x 10 7
6.0
Concreto
10 -9
Hierro
1.0 x 10 7
xido de aluminio <10-13

SEMICONDUCTORES
POLMEROS
Poliestireno
Silicio
4 x 10 -4
Polietileno
Germanio
2 x 10 0
GaAs
10 -6
semiconductores

<10 -14
10 -15-10
10-17
aislantes

Ejemplo: problema de conductividad

Cul es el dimetro mnimo (D) del alambre para que V < 1.5 V,
si la conductividad del cobre es de 6.07x107 (-m)-1?
e-

Alambre de Cu -

100m
I = 2.5A

100m

D 2
4

L
V
R

A
I

Resolviendo se obtiene

< 1.5V
2.5A

6.07 x 107 (Ohm-m)-1

D > 1.87 mm

Formacin de bandas
N tomos slido

Para cada tomo existen niveles

de energa discretos
Los electrones se acomodan en
niveles ((1, 2, 3,)) y subniveles
(s, p, d y f)
Los electrones llenan los estados
de menor energa
2 electrones por estado
estado, de
acuerdo con el principio de
exclusin de Pauli.

2p
2s

Si los N tomos se aproximan

entre s, los electrones son
perturbados por tomos
adyacentes
Cada nivel de energa se
desdobla en una serie de estados
electrnicos
Forman una banda de energa
El desdoblamiento depende de la
separacin interatmica

Energa
a

1 tomo

1s
Separacin interatmica

Estructura de bandas electrnicas

Estructura de bandas

Banda de valencia llena niveles energticos ms altos

ocupados
B d d
Banda
de conduccin
d
i vaca
niveles
i l de
d energa
ms
bajos
b j
desocupados

Conduction
band
valence band

Diagrama de bandas para diferentes

tipos de materiales
Metales

Metales con
traslape

Aislantes

Semiconductores

Conduccin y transporte de electrones

Metales (Conductores):
-- La energa trmica pone a
muchos electrones en un
nivel de energa ms alto.

Energa

Energa

banda
vaca

banda
vaca

GAP
Banda de
valencia
parcialmente
llena

banda
llena

Esstados llenoss

-- en los metales los

siguientes estados de
energa son accesibles
mediante fluctuaciones
trmicas.

Esttados llen
nos

Estados de energa:

Banda de
valencia
llena
banda
llena

Estados de energa: aislantes y

semiconductores
Aislantes:
-- Los niveles ms altos de energa
no son accessibles debido al gap
(> 2 eV).

Semiconductores:
-- Los niveles de energa ms altos estn
separados por una brecha pequea
(< 2 eV).

Energa

E
Energa

banda
vaca

GAP
ffilled sttates

Gap = brecha
prohibida

banda
de valencia
llena
banda
ll
llena

banda
vaca

GAP
filled sstates

banda
de valencia
llena
banda
llena

Portadores de carga
g
Dos mecanismos de
conduccin
Electrn carga negativa
Hueco carga positiva
(igual y opuesta)
Se mueven con velocidades
diferentes velocidad de deriva
Temperaturas
p
altas p
promueve ms electrones hacia la banda de
conduccin

as T

Los electrones son dispersados por impurezas, fronteras de grano, etc.

Metales: Resistividad vs T, Impurezas

Las imperfecciones aumentan la resistividad
Dispersan a los
electrones por lo que stos
toman un camino menos directo.

6
m)
(10 -8 Ohm-m

Resis
stividad,

-- fronteras de grano
-- dislocaciones
-- impurezas
-- vacancias

Resistividad

5
4

aumenta con:
-- temperatura
-- wt% impurezas
-- %CW

3
2
1
0

-200

-100

T (C)

= trmica
+ impurezas
+ deformacin

Estimacin de la Conductividad
Ejercicio:
Ej i i

180
160
140
125
120
100
21 wt%Ni
80
60
0 10 20 30 40 50

Res
sistivdad
d,
m-m)
(10
0 -8 Ohm

Yie
eld stren
ngth (MP
Pa)

Si se cuenta con grficas del comportamiento

mecnico y elctrico como funcin de la concentracin de un material,
estimar la conductividad elctrica de una aleacin Cu-Ni q
que tiene
una resistencia de 125 MPa.

wt. %Ni, (Concentracin C)

Paso 1:
CNi = 21 wt%Ni
t%Ni

50
40
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50

wt. %Ni, (Concentracin C)

30 x10 8 Ohm m
1
3.3 x10 6 (Ohm m)1

Semiconductores puros:
Conductividad vs T
Datos para Silicio puro:
-- aumenta con T
-- opuesto a los metales
conductividad elctrica,
1
(Ohm-m) -1

10
10
10
10
10
10

3
2
1
0
-1

puro
(no dopado)

-2

50 100

Energa
banda
vaca

?
Esstados lle
enos

10

no dopado
e
p

1000
T(K)

E gap / kT

GAP

Los electrones
banda de p
pueden cruzar
valencia el gap a ms
llena
altas T
banda
b
d
llena

material
Si
Ge
GaP
CdS

Brecha prohibida (eV)

1.11
0.67
2 25
2.25
2.40

Conduccin en trminos de la migracin de

electrones y huecos
Concepto de electrones y huecos:
electrn
l t
de valencia

tomo
de Si

electrn

hueco

Sin campo
elctrico

electrn

hueco

migracin del par

creacin del par

+
Campo elctrico
aplicado
p

+
Campo elctrico
aplicado

Conductividad elctrica dada por:

# huecos/m3

n e e p e h
# electrones/m3

movilidad del
hueco
Movilidad del electrn

e>h

Conductividad intrnseca y extrnseca

Intrnseca: los electrones y los huecos se crean nicamente por
excitacin trmica.
# electrones = # huecos ((n = p)
--caso del Si puro
Extrnseca:
--n
np
--ocurre cuando se agregan impurezas con diferente nmero
de electrones de valencia que la matriz (ej. tomos P o B en matriz de Si)
tipo-n Extrnseca: (n >> p)

tipo-p Extrnseca: (p >> n)

tomo de fsforo

tomo de boro
hueco

n e e

4+

4+

4+

4+

4+

5+

4+

4+

electrn de
conduccin

4+

4+

4+

4+

4+

3+

4+

4+

4+

4+

4+

4+

electrn
4+

4+

4+

Sin cmapo
elctrico

4+

de valencia
tomo de Si

Sin campo
elctrico

p e h

Semiconductores tipo n
n>>p

n e e

Semiconductores tipo p
p>>n

p e h

Ejemplos de semiconductores Intrnsecos

Semiconductores puros : ej. silicio y germanio
Materiales del grupo IV A
Compuestos semiconductores
compuestos III-V
Ej: GaAs e InSb

compuestos II-VI
Ej: CdS y ZnTe

Mientras mayor
y sea la diferencia de electronegatividades
g
entre los elementos, ms grande ser el ancho de la brecha
de energa prohibida.

Semiconductores impurificados
Silicio dopado

10
10
10
10

3
2
1
0
-1
1

doped
0.0013at%B
0
00 3at%

pure
((undoped)
p )

-2

50 100

1000
T(K)

doped
undoped

3
2
1

nsic
intrin

10

0 0052at%B
0.0052at%B

extrinsic

10

1021/m3 de una impureza donadora

tipo-n (como P).
-- a T < 100 K: congelamiento,
la energa trmica no es suficiente
para excitar
it electrones.
l t
-- a 150 K < T < 450 K: "extrnseco"
-- for T >> 450 K: "intrnseco"
freezze-out

10

-- nivel de dopantes:

con
ncentration
n (1021/m3)

electrrical condu
uctivity,
(Ohm-m
m) -1

imperfecciones bajan la energa de

activacin para producir electrones
mviles.

con
nduction e
electron

-- aumenta con el dopaje

j
-- motivo: los sitios de

Conduccin
intrnseca vs extrnseca

0
0

200 400 600 T(K)

Nmero de portadores de carga

Conductividad = n|e|e + p|e|e
Para un semiconductor intrnseco n = p

= n|e|(e + n)
Ejemplo: Calcular el nmero de portadores del GaAs.

Las movilidades son: e=0.85 y h =0.45 m2/Vs.

106 ( m)1
n

e e n
(1.6x1019 C)(0.85 0.45 m2 /V s)

Para GaAs
P
Para
Si

n = 4.8 x 1024 m-3

n = 1.3
1 3 x 1016 m-33

Ejercicio

Para ell silicio

P
ili i iintrnseco,

lla conductividad
d i id d elctrica
l i a temperatura
ambiente es 4x10-4 (-m)-1; las movilidades de los electrones y los
huecos son, respectivamente, 0.14 y 0.048 m2/Vs. Calcule las
concentraciones de electrones y huecos a temperatura ambiente.

4 10 4 ( m) 1

n p
e e n (1.6 10 19 C)(0.14 0.048 m 2 /V s)
n = p = 1.33x1016 m-3.

Ejercicio
j
2

Se aade
S
d f
fsforo
f
a silicio
ili i d
de alta
lt pureza para producir
d i una
concentracin de portadores de carga de 1023 m-3 a temperatura
ambiente.
De
D qu
ti
tipo es este
t material,
t i l n o p?
?
Calcule la conductividad de este material a temperatura
ambiente, suponiendo que las movilidades de los electrones y
de los huecos son las mismas que para el material intrnseco
e=0.14 y h=0.048 m2/Vs.

= 2240 (-m)-1

Unin rectificadora p-n

Permite el flujo de electrones slo en una direccin (til para
convertir corriente alterna en corriente directa).

+ p-type
+ +
+ +

--sin voltaje aplicado:

no fluye
fl
corriente.
i t
--con voltaje: los portadores
fluyen a travs de las regiones
tipo-p y tipo-n; huecos y
electrones se recombinan en la
unin
nin p
p-n;
n fl
fluye
e corriente
corriente.
--con voltaje inverso: los
portadores se apartan de la
unin p-n; disminuye la
concentracin de portadores;
fluye corriente pequea
pequea.

n-type

p-type
p
yp

yp
+ - n-type
+
++- - + -

+ p-type
+ +
+ +

n-type

Propiedades de la unin rectificadora

Transistor MOSFET
MOSFET (transistor de efecto de campo
metal xido semiconductor)

Circuitos integrados
g

Fig. 18.26, Callister 6e.

Circuitos integrados: estado del arte ~ 50

nm de espesor
1 Mbyte cache
> 100,000,000 componentes en un chip
chip
p formado capa
p por
p capa
p

Vista de un circuito integrado

g
Imgenes de SEM de un CI:
Al
Si
((doped)
p )

(d)

(d)

(a)

45 m

0.5 mm

Mapa de puntos que muestra la localizacion del Si

-- El silicio son las partes claras.

(b)

Mapa de puntos que muestra la localizacin del Al

-- El aluminio son las partes claras.

( )
(c)

Desarrollo de los CI
La industria microelectrnica se ha basado en el SiO2 por
sus propiedades dielctricas, estructurales, qumicas, etc.
El desarrollo de los circuitos integrados ha seguido la Ley
de Moore, que predice que el nmero de transistores por
circuito integrado se duplica cada 18 meses.

Lmite en el escalamiento
Metal

0 kA
t

xido (SiO2)
Semiconductor

El escalamiento
l i t d
de di
dispositivos
iti
b
basados
d en
xido de silicio est llegando a su lmite con un
espesor del SiO2 de 0
0.7
7 nm
nm.

La alternativa
Encontrar un material que sustituya al SiO2.

Constante dielctrica alta (k >kSiO = 3.9)

Estabilidad en contacto con el silicio
Brecha de energa prohibida grande
Buena interfaz con el silicio
Estabilidad fisicoqumica y estructural
Compatible con procesos de procesamiento
2

Dielctricos
Material aislante de la electricidad
Tiene estructura de dipolo elctrico: un extremo
positivo
iti y otro
t negativo
ti
Se utilizan en capacitores

Vector de
polarizacin

Capacitancia
La capacitancia es la cantidad de carga almacenada
entre
t dos
d placas
l
cuando
d se aplica
li una dif
diferencia
i d
de
potencial.
A
Q C capacitancia [Farads]
C 0
Q carga [Coulombs]
C
l

V voltaje aplicado [Volts]

Permitividad elctirca del vaco 0=8.85x10-12 F/m

Permitividad relativa o
constante dielctrica:

r
0

Densidad de carga superficial D0 0 E

Desplazamiento dielctrico

D E

A
C
l

Materiales Ferroelctricos
Ferroelctricos: es un grupo de materiales dielctricos que exhiben polarizacin
espontnea (en ausencia de campo elctrico).
Tienen dipolos elctricos permanentes
permanentes, ejemplo: BaTiO3
Se debe al desplazamiento relativo de los iones de sus posiciones simtricas.
Cuando se calienta por arriba de su temperatura crtica de Curie Tc=120C
Tc 120 C para
el BaTiO3, los iones toman sus posiciones simtricas en la celda cbica,
adapatando una estructura cristalina de perovskita, y cesa el comportamiento
ferroelctrico.

M t i l Pi
Materiales
Piezoelctricos
l t i
Piezoelectricidad
e oe ec c dad La
a ap
aplicacin
cac de fuerza
ue a o p
presin
es p
produce
oduce
corriente elctrica.

En
reposo

Compresin
i d
induce
voltaje
l j

Voltaje aplicado
i d
induce
expansin

Aplicaciones
Los materiales
L
i l piezoelctricos
i
l i
se utilizan
ili
en:
Transductores
Micrfonos
Bocinas
Alarmas audibles
Imgenes ultrasnicas
Al
Algunos
materiales
t i l piezoelctricos:
i
l t i

Zirconato de plomo PbZrO3

Titanato de bario plomo
PZT plomo-zirconio-titanio

Distribucin de Fermi-Dirac
Principio de exclusin de Pauli: Dos fermiones no pueden tener el mismo conjunto
de nmeros cunticos.
Por lo tanto, slo dos electrones pueden tener la misma energa
(uno con espn +1/2 y otro con espn -1/2).
Estas restricciones en un sistema de muchos fermiones pueden tratarse
Estadsticamente. Los electrones se distribuyen
y en niveles de energa
g de acuerdo con
La siguiente distribucin:
E energa
potencial qumico
kB constante de Boltzmann
T temperatura
fD es la probabilidad de que un
estado con energa E est
ocupado por un electrn..
A T= 0 K
fD(E)=
EF

0
1

para E>EF
para E< EF
p

Energa de Fermi
La energa Fermi es la mxima energa ocupada por un electrn a 0K. Por el
principio de exclusin de Pauli, se sabe que los electrones llenarn todos los
niveles de energas disponibles, y el tope de ese mar de electrones se llama
energa Fermi o nivel de Fermi.
La p
poblacin de electrones de conduccin de un metal,, se calcula multiplicando
p
la densidad de estados de electrones de conduccin (E) por la funcin de
Fermi f(E). El nmero de electrones de conduccin por unidad de volumen, por
unidad de energa, es

Integrando:

A 0K

O bien

n es la poblacin de
electrones por unidad
de volumen