DOMANDE ELETTRONICA

WARNING
ESERCIZIO D-1 a. Si spieghi la differenza tra un materiale conduttore, semiconduttore
e isolante. b. Si spieghi cosa si intende per semiconduttore intrinseco e
semiconduttore drogato. c. Si illustri sinteticamente come avviene la conduzione di
corrente in un semiconduttore, scrivendo le equazioni che la descrivono.

Un materiale scarsamente conduttore dellelettricit viene detto isolante, un

eccellente conduttore un metallo, una sostanza la cui conduttivit presenta valori
intermedi tra questi due estremi un semiconduttore. Ogni materiale pu essere
classificato in una di queste categorie a seconda della sua distribuzione delle bande
denergia.
Negli isolanti la banda proibita che separa la banda di conduzione da quella di valenza
molto ampia, ci vuol dire che gli elettroni non possono passare dalla banda di
valenza a quella di conduzione poich lenergia che pu essere fornita a un elettrone o
per opera di un campo applicato o dallesterno non sufficiente.
Nel semiconduttore lampiezza della regione proibita relativamente piccola (Eg =
1eV), Questi materiali a bassa temperatura sono isolanti, poich gli elettroni non
hanno abbastanza energia per passare in banda di conduzione. Aumentando la
temperatura invece, possibile aumentare la conduttivit. Questi semiconduttori
sono detti intrinseci. Esistono poi i semiconduttori estrinseci Dove la conduttivit
aumenta inserendo atomi di impurit dall'esterno. Metallo un solido che presenta
una struttura con un'unica banda occupata. Sotto l'influenza di un campo elettrico gli
elettroni possono acquisire ulteriore energia e spostarsi verso livelli pi elevati. Poich
questi elettroni mobili costituiscono una corrente, il materiale un conduttore.
B.
La differenza principale tra un semiconduttore puro e uno drogato che nel
semiconduttore puro la conduttivit aumenta con la temperatura, mentre definiamo
estrinseco un semiconduttore in cui necessario inserire atomi di maturit affinch
diventi conduttivo.
C.
La corrente in un semiconduttore deriva dal movimento sia di elettroni che di lacune.
possibile drogare un semiconduttore con atomi di impurit in modo che la corrente sia
dovuta principalmente a un solo tipo di portatore: o agli elettroni o alle lacune.

Definiamo corrente di deriva il fenomeno di trasporto delle cariche in un cristallo sotto

l'influenza di un campo elettrico. Mentre definiamo corrente di diffusione il fenomeno
di trasporto delle cariche provocato dal gradiente di una concentrazione non uniforme.

Si consideri un materiale semiconduttore

a. Si spieghi in cosa differisce da un materiale conduttore e da un materiale isolante.
b. Si spieghino i seguenti termini:
i. portatori maggioritari e minoritari;
ii. mobilit;
iii. conducibilit.
A.

Un semiconduttore intrinseco a bassa temperature si comporta come un isolante.

Aumentando la temperatura andiamo a rompere i legami covalenti si crea una copia
elettrone lacuna. In un semiconduttore estrinseco invece vengono introdotti degli
atomi Donori o accettori. Introducendo degli atomi donori si verranno a creare degli
elettroni liberi di muoversi all'interno del cristallo. La concentrazione intrinseca di
elettroni dipende dal materiale stesso e dalla temperatura. Quando droghiamo un
semiconduttore, il prodotto elettroni lacune deve essere uguale al numero di elettroni
intrinseco al quadrato. Ci vuol dire che possiamo scegliere come portatore di carica
maggioritario gli elettroni o le lacune, l'importante che venga rispettata la relazione.

1.2
B1
in un semiconduttore drogato I portatori maggioritari sono gli elettroni. In un
semiconduttore drogato p, I portatori maggioritari sono le lacune. La mobilit la
facilit con cui l'elettrone o la lacuna si muove al'interno del cristallo. La conduttivit
l'espressione quantitativa dell'attitudine di un conduttore ad essere percorso da
corrente elettrica.

Commento: WARNING
Abbiamo una corrente di saturazione negativa dovuta al movimento delle cariche
minoritarie.
Applicando un forte campo elettrico le cariche minoritarie acquistano unelevata
energia cinetica; urtando gli atomi in banda di valenza si vengono a creare nuove
coppie elettrone lacuna. Gli elettroni salteranno poi in banda di conduzione creando
una corrente inversa di intensit notevole.
Per quanto riguarda la polarizzazione diretta della giunzione possiamo notare come la
corrente segue un andamento esponenziale, in particolare possiamo definire una
valore di tensione di soglia (0.7V) oltre al quale il guadagno maggiore di e.

Le giunzioni p-n sono utilizzate per la realizzazione di dispositivi quali diodi e mosfet.
Questi dispositivi sono a loro volta utilizzati per la realizzazioni di circuirti raddrizzatori,
porte logiche e memorie.
Analizziamo il funzionamento di un circuito raddrizzatore a semionda creato
utilizzando una giunzione p-n.

Il diodo segue il grafico tensione/corrente illustrato sopra. Possiamo quindi dire che il
diodo si comportera come un circuito aperto quando la tensione Vs assume valori
minori di Vt, mentre quando Vs supera la tensione di soglia Vt allora permette il

passaggio di corrente, generando una caduta di tensione sulla resistenza. La tensione

Va quindi 0 quando Vs < Vt, mentre Vs-Vt quando Vs > Vt.

Possiamo modificare il circuito inserendo un condensatore in parallelo alla resistenza in

modo da stabilizzare la tensione di uscita a un valore stabile.

Scegliendo i valori di resistenza e capacit in modo da ottenere un Tau maggiore del

periodo della sinusoide il condensatore non riuscir a scaricarsi poich sar
nuovamente sottoposto a una tensione positiva. Otterremo cosi un valore di tensione
di uscita stabile.

PS: friggi ha detto di fare tutto bene col ponte di graetz. Diodi LED.

MOSFET a

Applichiamo tutte le tensioni nulle.

Se applichiamo i potenziali VG 0 V e VD 0 V, la giunzione PN tra gate e drain
inversamente polarizzata (la tensione ai suoi capi inferiore a 0,7 V), perci la
corrente ID indicata in figura pari alla debolissima corrente di polarizzazione inversa
(che pu essere considerata nulla).
Aumentiamo il potenziale di gate.
Supponiamo ora di aumentare il potenziale del gate. In questo modo creiamo un
campo elettrico verticale tra gate e substrato. Tale campo elettrico fa s che le lacune
si spostino verso il substrato, mentre gli elettroni minoritari andranno verso il gate. A
seguito di tale spostamento di carica si creer, appena al di sotto dellossido, una zona
allinterno della quale diminuisce la concentrazione di lacune ed aumenta di quella di
elettroni: se il potenziale del gate sufficientemente elevato, si creer cos un canale
conduttivo costituito da elettroni e quindi il drain ed il source non sono pi
elettricamente isolati. - A questo punto, se applichiamo anche un potenziale positivo
VD al drain, otterremo una corrente ID non pi nulla tra il drain ed il source.
Osserviamo inoltre che, allaumentare del potenziale di gate, aumenter la
concentrazione di elettroni tra il drain ed il source, e quindi facile intuire che tale
potenziale pu essere usato come variabile di controllo della corrente ID. - La stessa
cosa accadrebbe applicando un potenziale positivo al source e collegando a massa il
drain (ma in tal caso la corrente avrebbe verso opposto): osserviamo infatti che, dal
punto di vista costruttivo, tali terminali sono indistinguibili. Tuttavia essi vengono
indicati con nomi diversi, perch si preferisce chiamare drain il terminale che
assume il potenziale pi elevato. Affinch il canale conduttivo si formi effettivamente
allinterno dellnMOS non per sufficiente che si applichi una tensione positiva al
gate, ma necessario che il valore di VG superi la tensione del source di un valore
noto, che dipende anche dal singolo Mosfet, il quale viene indicato con VT (tensione di
soglia
Valori tipici della tensione di soglia si aggirano tra 0,5 V e 1,5 V. Si noti che tra il canale
conduttivo di elettroni accumulati in superficie ed il substrato neutro si ha una zona
svuotata. Quindi c completo isolamento elettrico tra i portatori mobili in superficie e
quelli maggioritari (lacune) del substrato.

MOSFET b

Come possiamo osservare il mosfet lavora in zona ohmica finche Vds minore di VgsVt; ci vuol dire che il mosfet si comporta come se fosse una resistenza. Quando Vds
supera Vgs-Vt allora il mosfet entra in zona di saturazione. In questo stato la corrente
Is che scorre nel mosfet stazionaria e cresce molto lentamente.
La curva tratteggiata rappresenta il grafico Id/Vgs, che intersecando il grafico Id/Vds
individua i punti di soglia tra regione ohmica e saturazione.

MOSFET c
Transconduttanza
Il Mosfet viene fatto funzionare in zona di saturazione, esso si comporta come un
generatore di corrente comandato in tensione, perch in grado di controllare la
corrente ID in funzione di VGS secondo la relazione nota:

Si introduce allora un fattore di qualit del dispositivo, che rappresenta la derivata di

ID rispetto a VGS:

La transconduttanza quindi indica di quanto varia ID quando si ha una variazione

infinitesima di VGS. Lunit di misura della transconduttanza il Siemens [S].
Resistenza drain-source
Quando la tensione supera anche la tensione Vds + Vth il canale raggiunge il drain:
essendo possibile la conduzione il canale si comporta come una resistenza nel senso
che il potenziale diventa variabile lungo la sua lunghezza L ma non nella larghezza W
che aumenta solo al crescere della tensione applicata al gate, misurate
rispettivamente lungo la direzione parallela e perpendicolare rispetto a quella della
corrente che percorre il canale

Si consideri Decoder
a. Si spieghi sinteticamente la funzione svolta
b. Si disegni il circuito e si spieghi il principio di funzionamento
c. Si mostri come il decoder utilizzato allinterno dellarchitettura di una RAM
statica
a.
Un decoder un dispositivo elettronico che permette di selezionare una tra 2^n uscite
a fronte di un entrata a n bit. Questo processo molto vantaggioso perch permette di
ridurre i pin dingresso da n a log2n.

Grazie ai mosfet a svuotamento ML (questi mosfet conducono anche con gate e source
cortocircuitati), il canale che collega Va a Wo sempre presente, dunque luscita Wo
sar attiva solo ed esclusivamente quando i mosfet M1 e M2 sono interdetti, quindi
quando A1 e A0 sono entrambe a 0.

ESERCIZIO D.3
a. Si spieghi cosa si intende per consumo di potenza statico di un circuito digitale.
b. Si spieghi cosa si intende per consumo di potenza dinamico di un circuito digitale.
c. Si ricavi e si confronti il consumo di potenza dinamico di una porta CMOS NAND con quello di una
NOR, entrambe a due ingressi, realizzate con gli stessi MOSFETs e soggette agli stessi segnali di
ingresso.
d. Si discuta il risultato ottenuto nel punto precedente.
Si parla di condizione statica quando per un certo tempo delta t la tensione di ingresso
e di uscita non variano. In generale la corrente diversa a seconda che luscita sia allo
stato basso o alto.

Dalla legge di Ohm si ha che la potenza assorbita uguale al prodotto tra tensione e
corrente, a seconda che si sia nello stato alto o nello stato basso le potenze rispettive
sono:
Ph=Va*Ih e Pl=Va*Il e in generale Ph diversa da Pl.
Al fine di calcolare la potenza statica media consumata necessario conoscere delta
Th e delta Tl.

Da qui ne esce
Una semplificazione si ha quando Th=Tl

In condizioni statiche il consumo di potenza statico nellinvertitore nullo, in quanto

questo circuito non assorbe corrente.
Consumo di potenza dinamico
Il consumo di potenza si verifica durante le commutazioni di stato e prende il nome di
consumo di potenza dinamico.
Nei circuiti digitali modellizziamo il carico come una capacit poich per cambiare il
potenziale di un nodo del circuito necessario aggiungere o togliere una certa
quantit di carica elettrica; questa capacit viene inserita tra il nodo in questione e
massa. Per analizzare nel dettaglio la potenza dinamica e le sue propriet, occorre
descrivere un ciclo completo di carica-scarica del condensatore all interno del circuito
ivertitore.
Al tempo t1 l interruttore s2 si chiude e la tensione di uscita sale a Vh: la tensione al
condensatore cambiata da Vl a Vh, esso ha ricevuto una quantit di carica positiva
pari a Q= Cl(Vh-Vl).
Al tempo t2, s2 si apre e la quantit di carica Q lascia le armature del condensatore
attraverso la corrente che fluisce verso massa.
Possiamo quindi affermare che lalimentatore ha compiuto un lavoro pari a L=QVa
Detta quindi f la frequenza media su cui opera la porta, possiamo indicare come
potenza dinamica dellinvertitore (lavoro nellunit di tempo)
Cl(Vh-Vl)Va f
Se Vh=Va e Vl=0: P=ClVa^2 f
Il consumo di potenza dinamico in una porta nor risulta esser uguale a quello di una
porta nand poiche il ciclo di carica scarica delle due porte il medesimo.
Esercizio 1.2
Si consideri una generica porta CMOS:
a. Si definisca il tempo di propagazione della porta nellipotesi che gli ingressi siano comandati da porte analoghe.
b. Partendo dal tempo di propagazione si deduca il massimo bit rate a cui pu operare la porta, giustificando i passaggi.
c. Si spieghi cosa si intende per consumo di potenza statico.
d. Si spieghi lorigine del consumo di potenza dinamico ricavandone lequazione e giustificando dettagliatamente i
passaggi.

Si definisce tempo di propagazione dellinvertitore la media aritmetica dei tempi di

propagazione relativi alle due transizioni. Essi si misurano considerando il 50% della
dinamica logica ossia quando le tensioni in ingresso e in uscita valgono (VH-VL)/2.
Il tempo di propagazione di n porte dato da n*tp (di una porta).
Conoscendo il tempo di propagazione possiamo determinare la massima frequenza a
cui la porta lavora e il suo bit rate. La massima frequenza data dal minimo valore
possibile del periodo T.
Sapendo che il tempo di transizione pari a 2volte il tempo di propagazione allora il
periodo minimo uguale a 8volte il tempo di propagazione, la sua frequenza massima
sar pari a 1/8tp.
Es: considerando che nel periodo T vengano elaborati 2bit, il suo bit rate sar 1/4tp
con tp=40ps.
il massimo bit rate sar pari a 6Ghz.

Si consideri una memoria Flash

a. Si disegni larchitettura della memoria
b. Si disegni il circuito della cella di memoria spiegandone in principio di
funzionamento

a.

Le memorie Flash sono memorie non volatili, che si differenziano dalle ROM perch
sono riscrivibili.
Linformazione viene immagazzinata modificando la tensione di soglia dei Mosfet.
Perch ci sia possibile, naturalmente, necessario utilizzare dei particolari Mosfet,

che possiedono il cosiddetto floating gate. Il floating gate un elettrodo aggiuntivo

che viene inserito nellossido del gate e che non accessibile esternamente. Si tratta
perci in sostanza di un metallo inserito allinterno dellossido.

b.

La necessit di avere una memoria che sia programmabile, cancellabile elettricamente

e che abbia un solo transistor, ha portato alla realizzazione di un nuovo tipo di
memoria chiamato memoria Flash, che quindi possiede un solo transistor come la
EPROM ed programmabile e cancellabile elettricamente come la E^2PROM.
La cella della flash costituita quindi da un solo transistor ed impiega lo stesso
metodo di programmazione della EPROM ovvero liniezione di elettroni dalla regione di
drain e permette la cancellazione delleffetto tunnel che avviene verso il source. Per
questo nello schema della cella il source non collegato a massa ma ad un potenziale
Vs che pu essere cambiato.

Si consideri un Flip-Flop CMOS di tipo S-R.

a. Si disegni il circuito.
b. Si spieghi la funzione svolta ed il principio di funzionamento del circuito.
c. Si mostri il comportamento del circuito al comando S=R=1 e si spieghi
sinteticamente la soluzione al problema.

a.

b.
Il circuito sopra riportato pu essere adottato per realizzare un dispositivo che rimanga
in stato di memoria per opportuni intervalli di tempo e che sia in grado di modificare le
proprie uscite acquisendo dati solamente nei restanti istanti, sulla base di un segnale
di ingresso detto Clock. Tuttavia il numero di Mosfet che tale circuito richiede molto
elevato: per realizzare ogni porta NOR abbiamo bisogno di 4 transistor e per realizzare
ogni singola porta AND dobbiamo in sostanza utilizzare una NAND con in serie una
NOT, per un totale di 6 Mosfet per ogni AND. Di conseguenza, avremo bisogno di 20
transistor per ogni flip-flop Set-Reset.
Uno schema che possibile utilizzare per realizzare un flip-flop Set-Reset il
seguente:
-Se CK = 0 possiamo sostituire un circuito aperto a ciascuno dei due nMOS che hanno
come ingresso il
Clock, perch saranno certamente spenti. Di conseguenza, le uscite non sono
forzate ad alcun valore e il flip-flop rimane in memoria.
-Se CK = 1 abbiamo diversi sottocasi:
-Se R = S = 0 allora i due Mosfet aventi come ingresso S ed R sono spenti e
possiamo sostituire ad
essi un c.a., perci anche in questo caso il circuito in stato di memoria.
-Se R = 0 e S = 1 allora i Mosfet certamente accesi sono quelli aventi come
ingressi S e CK e perci
possiamo sostituire ad essi dei c.c. Osserviamo quindi con facilit che abbiamo !
Q=0.
Siccome lingresso dellinverter a sinistra !Q=0, luscita di tale inverter, che
coincide con Q, assumer il valore Q=1.
-Se S = 0 e R = 1 abbiamo una situazione del tutto simmetrica alla precedente.
-Se S = R = 1 siamo nello stato di indeterminazione.
In sintesi il clock alto abilita la scrittura mentre il clock basso comporta la tenuta del
bit.
c.
Quando S=R=1, le uscite Q e !Q risultano essere uguali e ci a livello logico, errato.
Vediamo come risolvere questa problematica:
sufficiente prelevare le uscite !Q e Q e riportarle ad un ingresso aggiuntivo delle
porte NAND con una piccola modifica circuitale. In questo modo non pi possibile
che abbiano lo stesso valore logico.

Si considerino le memorie a semiconduttore:

a. si illustri una possibile classificazione;
b. si disegni e si spieghi larchitettura di una RAM statica;
c. si disegni lo schema di una cella di RAM statica, spiegando sinteticamente come
avviene loperazione di scrittura;
a.

A questo punto possiamo dare la seguente descrizione delle categorie introdotte:

Memorie ROM
Le memorie ROM (Read Only Memory) sono memorie non volatili e di sola lettura (cio
nelle quali la
scrittura avviene una sola volta, tipicamente in fase di fabbricazione).
Memorie Flash
Le memorie Flash sono memorie non volatili, che si differenziano dalle ROM perch
sono riscrivibili.
Memorie RAM
Le memorie RAM (Random Access Memory) sono delle memorie riscrivibili, molto
veloci e per questo
vengono molto spesso utilizzate come memoria centrale di un calcolatore. Nello
schema sono stati
indicati due diversi tipi di memorie RAM:
Memorie SRAM (Static Random Access Memory).
Memorie DRAM (Dynamic Random Access Memory).
Osserviamo che tutte le memorie fino ad ora citate sono memorie ad accesso casuale,
nelle quali quindi il
tempo di accesso uguale per tutti i bit. Un tipico esempio di memoria che non ad
accesso casuale
lhard disk (cos come tutte le altre memorie sequenziali).

b.

La SRAM, acronimo di Static Random Access Memory, un tipo di RAM volatile che non
necessita di refresh. I banchi di memorie SRAM consentono di mantenere le
informazioni per un tempo teoricamente infinito, hanno bassi tempi di lettura e bassi
consumi, specialmente in condizioni statiche. La necessit di usare molti componenti
per cella le rende per pi costose delle DRAM.
Per scrivere o leggere una cella necessario selezionarla attraverso la
combinazione di una RIGA e una COLONNA.
Per selezionare la riga si impiega un decodificatore detto appunto DECODER DI RIGA
che riceve
in ingresso la parola a N bit in grado di identificare una delle 2N WORD LINES possibili.
Per selezionare la colonna si impiega un decodificatore di colonna anchesso con
parola di ingresso
ad N bit, supponendo la matrice di memoria quadrata. Il numero totale di celle
quindi 2N 2N.

c.
Le celle di una SRAM sono costituite da un circuito retroazionato formato da due
invertitori logici le cui uscite sono collegate alle due estremit alle linee dei dati
tramite due transistor detti porte di trasmissione. Le singole coppie di porte di
trasmissione vengono abilitate a seconda della cella su cui deve essere effettuata la
lettura o scrittura.

La fase di scrittura viene abilitata attraverso un segnale basso allingresso WRITE che
abilita i

buffer tri-state permettendo al dato presente su DATA IN di raggiungere le line Q e Q e

quindi le
bit lines della colonna selezionata.
Il dato in ingresso raggiunger solo la cella identificata dalla coppia di indirizzi di riga e
colonna.
Ad esempio, se vogliamo scrivere il bit 1 nella cella Ji, ovvero RIGA J COLONNA i,
presentiamo il bit 1 allingresso DATA IN, portiamo bassoWRITE, quindi selezioniamo la
riga J e
la colonna i attraverso i corrispondenti indirizzi di riga e colonna. I relativi MOSFET di
selezione
della cella e di selezione della colonna vengono accesi e il dato verr quindi diretto
verso il latch
della cella J i.

a. Descrivi le caratteristiche di un invertitore reale e in cosa differisce da un invertitore

ideale
b. Analizza la caratteristica ingresso-uscita di un invertitore reale
a.

b.

Guardando la caratteristica ingresso uscita di un invertitore reale, possiamo

identificare tre regioni
in cui suddividerla in base alla pendenza.
Le due regioni a bassa pendenza in prossimit dei livelli logici basso ed alto e la
regione di
transizione tra i due livelli, caratterizzata da una elevata pendenza.
La derivata della caratteristica viene anche chiamata guadagno ingresso uscita del
circuito su piccoli segnali. Infatti se consideriamo il circuito operante in un preciso
punto della
caratteristica, la derivata in quel punto ci d informazioni su quanto una piccola
variazione dVIN
della tensioni dingresso, variazione che chiameremo per ora segnale, si ripercuote
come variazione
dVOUT in uscita.
Se la derivata , in modulo, maggiore di 1, la variazione della tensione duscita
risulter maggiore
rispetto a quella in ingresso e parleremo di guadagno effettivo, cio in modulo > 1, sul
segnale.
Se viceversa la derivata , in modulo, < 1 si verificher una attenuazione del segnale
passando
dallingresso alluscita del circuito.
Risulta quindi immediato suddividere la caratteristica ingresso uscita prendendo
come punti di
suddivisioni quelli in cui il guadagno vale 1, ovvero quei due punti in cui la retta
tangente alla
curva parallela alla bisettrice del 2 e 4 quadrante.
Ora, affinch non si verifichi una amplificazione dei disturbi eventualmente presenti
allingresso
dellinvertitore, necessario che la porta operi sempre con VIN interno alle due regioni
con modulo

del guadagno minore di 1.

La regione di transizione in cui il modulo del guadagno >1 viene proibita in quanto
operare
allinterno di questa regione potrebbe portare ad errori nellelaborazione dei bit, a
causa
dellamplificazione di eventuali disturbi.

a.Descrivere larchitettura e lo schema logico della memoria ROM

b.Disegnare il circuito della memoria ROM e parlarne sinteticamente dicendo cose a
caso abbastanza sensate.
c.A cosa servono i rom? Dammi un motivo per cui dovrebbero risiedere in italia?

a.

Le memorie ROM si chiamano cos perch i bit in esse contenuti sono inseriti in fase di
fabbricazione
della memoria stessa e non possono pi essere cancellati o essere riscritti nuovi dati,
ma possono
essere solamente letti.
Memorie di questo tipo svolgono quindi la funzione di rendere disponibili informazioni
destinate a
rimanere immutate nel tempo.
Quante parole di M bit pu contenere la memoria?
Al massimo, pu contenere un numero di parole pari al numero di indirizzi
possibili che 2N. Il numero complessivo di bit contenuti nella memoria quindi 2N
M.
La ROM costituita semplicemente da due circuiti: un decoder e un encoder.

In sostanza le memorie ROM sono dei dispositivi che, ricevuta una parola in ingresso
(che rappresenta
lindirizzo della locazione da leggere) restituiscono in uscita una parola (di lunghezza
diversa, in genere)
che rappresenta il contenuto di quella locazione:

Per ottenere questa realizzazione abbiamo utilizzato un pMOS in cima ad ogni colonna;
tale pMOS ha il
gate collegato a massa. Inseriamo poi un nMOS ogni volta che vogliamo ottenere un
bit a 0,, e invece non
utilizziamo alcun Mosfet se vogliamo che il bit corrispondente rimanga ad 1,,.
Il pMOS posto su ogni BL meno conduttivo degli nMOS utilizzati per definire i bit
memorizzati.
Il Demultiplexer

Il demultiplexer un circuito che, ricevendo al suo ingresso i dati del sistema, li

indirizza su una e una sola delle sue 2N uscite connesse ai sistemi riceventi. Esso pu
essere rappresentato schematicamente
come un interruttore con un numero di posizioni pari al numero delle sue linee
duscita. La
selezione della particolare uscita viene effettuata attraverso la decodifica della parola
di selezione a
N bit, A0, A1, A2 AN 1 che identifica una tra le 2N linee.
Circuito Corrispondente

Per ciascuna parola A0 A1 il decoder tiene a livello logico alto solo la linea selezionata
mentre tutte
le altre sono tenute a livello basso.
Aggiungendo un altro ingresso a tale porta NOR possibile trasmettere il relativo bit
notando che una NOR
con un ingresso basso si comporta come un invertitore rispetto allaltro ingresso.
Quindi affinch il
dato dingresso X appaia in uscita occorre aggiungere un invertitore sulla linea
dingresso.
Analogamente possiamo aggiungere un ingresso a tutte le porte NOR ed applicare X
contemporaneamente a tutte le NOR. Solamente luscita selezionata per trasmetter
la variabile X perch tutte le altre linee rimangono vincolate a livello 0
indipendentemente da X.

Multiplexer

Il MULTIPLEXER svolge la funzione di collegare uno ed uno solo degli ingressi X

alluscita Y. La

selezione
del
particolare ingresso
viene
effettuata
attraverso
la
decodifica
della
parola di selezione
a
N bit, che identifica
quindi uno tra i 2N
ingressi.

Come in precedenza visto la linea selezionata del decoder pu trasmettere il bit

inserito in un
ingresso aggiuntivo della NOR.
Quindi possiamo introdurre un ingresso per ogni NOR.
A questo punto dato che il MULTIPLEXER deve avere ununica uscita possiamo
collegare tutte le
uscite del decodificatore ad ununica porta NOR a 4 ingressi. semplice verificare che
lingresso
trasmesso in uscita sar solo quello corrispondente alla linea selezionata. Infatti tutte
le altre linee
rimarranno fisse a livello 0.

TRI-STATE

In alcuni casi pu capitare che pi porte logiche siano connesse in modo da creare
conflitti. Pensiamo ad
esempio a quanto accade se pi porte logiche sono collegate ad un bus (linea dati) e
in uno stesso istante
cercano di forzare a valori diversi la tensione del bus. In questo caso si possono
avere fondamentalmente tre diverse situazioni:
a) Una delle due porte si danneggia irreparabilmente;
b) La tensione della porta assume un valore intermedio casuale;
c) Si realizza un collegamento a massa che genera una corrente molto elevata e di
conseguenza una grande dissipazione di energia.
Per evitare questo tipo di inconvenienti si utilizza linverter tri-state, il quale pu
avere, oltre allo stato logico alto e basso, uno stato logico ad alta impedenza: ci
significa che la porta si comporta come un c.a. e quindi non forza n a 0,, e n a 1,,
lo stato logico della
linea dati.
Lo schema elettrico dellinverter tri-state il seguente:

Dove E lingresso di enable (attivazione): se esso vale 1,, la porta nello stato
ad alta impedenza,
altrimenti non lo .
Se abbiamo E = 0,, linverter nMOS pi in basso certamente spento e,
analogamente, il pMOS pi in alto

 spento. Di conseguenza possiamo sostituire ad essi dei c.a. e osserviamo facilmente

che siamo nello stato
ad alta impedenza. Se invece E = 1,, entrambi i transistor sopra citati sono accesi e
possiamo sostituire
ad essi dei c.c., ottenendo come circuito equivalente un normale inverter.