Universidade Federal do Maranho UFMA

Centro de Cincias Exatas e Tecnologia CCET

Departamento de Engenharia de Eletricidade
Prof: Vilemar Gomes

Eletrnica II

PROJETO DE UM REGULADOR DE TENSO SRIE COM DOIS

TRANSISTORES

Daniel Mota Andrade e Silva 2008026025

Ricardo Vinicios Fonseca 2010025114
Elias Barbosa Arouche 2011011409

So Lus- MA
2014

Eletrnica II

PROJETO DE UM REGULADOR DE TENSO SRIE COM DOIS

TRANSISTORES
Relatrio
apresentado ao Prof. Vilemar Gomes da disciplina de
Eletrnica II como obteno de nota parcial.

So Lus- MA
2014

1. Introduo
Uma fonte de alimentao um circuito responsvel por gerar uma tenso
constante para um circuito eletrnico que pode ser um radinho at uma nave
espacial .Uma boa fonte de alimentao deve gerar uma tenso contnua na sada e
estabilizada, isto significa que mesmo que a tenso de entrada varie a tenso na sada
dever se manter constante, ou ainda, mesmo que a carga varie aumentando a
corrente do circuito, a tenso na sada dever se manter constante. Na realidade estas
variaes devero ficar dentro de limites prticos.
Uma fonte estabilizada composta de um circuito retificador convencional que
pode ser de meia-onda, ou onda completa mais um circuito eletrnico responsvel por
estabilizar a tenso de sada. O circuito eletrnico poder se discreto; composto por
resistores e transistores montado por voc mesmo, ou ainda por um circuito integrado
construdo especialmente para a esta funo. O circuito integrado uma opo mais
moderna e simples de voc construir uma fonte estabilizada!

2. REGULADOR SRIE

O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais sofisticada

em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o
transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em
srie com a carga, da o nome regulador srie.

FUNCIONAMENTO:
A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE
Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ
Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:
VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ
VCE = VCB + VBE

Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar

provocando um aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo VL
constante.

VL = VIN - VCE
Ento: se VIN aumenta VCE aumenta VL no se altera
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.
Com a diminuio de VIN VCE diminui VL no se altera
4

LIMITAES:
Valores mnimos e mximos de VIN
Como VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB
ento:
VIN = R(IZ + IB) + VZ
Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(IZ(MIN) + IB(MAX))
Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas
caractersticas de estabilizao.
Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(IZ(MAX) + IB(MIN))
Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas
caractersticas de estabilizao e ser danificado.
CONDIES PARA UM PROJETO:
Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em
condies normais sem danificar seus componentes.
Tenso de entrada mxima:
VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I )
Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0

VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX)
VZ

onde: IZ(MAX) =
Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )

De ( I ) tiramos: IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VZ
R

De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) =

( III)

VIN(MIN) - VZ
R

( IV )

Dividindo ( III ) e ( IV ) temos:

IZ(MAX)
VIN(MAX) - VZ

IZ(MIN) IB(MAX) VIN(MIN) - VZ

Exemplo 1:
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor
com as seguintes caractersticas:
5

Tenso de sada (VL): 6V

Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%

Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obdecer as seguintes caractersticas:
VCBO > VIN(MAX) no caso 13,2V
IC(MAX) 1> IL(MAX) no caso 1,5A
PC(MAX) 2> (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o
manual do fabricante tem as especificaes:
VCBO(MAX) = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
> 40 < 250
Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor.
O transistor escolhido atende as exigncias quanto a VCBO(MAX) e IC(MAX). No
entanto preciso verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente
para este projeto.
Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor:
PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX)
IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX)
IC(MAX)
( MIN)
IB(MAX) =

IC(MAX)
( MIN)
logo:

IL(MAX)
1 1
( MIN)
IC(MAX) =

IC(MAX) = IL(MAX) -

1,5
1,5
1,5

1,46A
1 1 0,025 1,025
1
40

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,46A = 10,5W

O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a
1 IC(MAX) a mxima corrente que o coletor pode suportar
2 PC(MAX) a mxima potncia de dissipao do coletor
6

dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo

fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para
evitar sobreaquecimento do transistor.

Escolha do diodo zener:

Levando-se em conta que VL = VZ - VBE e que VBE 0,7V, se adotarmos um
diodo zener com tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento
adotar um diodo zener com 6,7V, porm este valor no comercial. O valor comercial
mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem uma tenso nominal de 6,8V e
PZ(MAX) igual a 500mW com IZ(MIN) = 8mA.
0,5W
73,53mA
6,8V
PZ(MAX) =
Teremos ento na carga 6,1V valor este, perfeitamente aceitvel.
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:

IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VZ

. IZ(MIN) IB(MAX)
VIN(MIN) - VZ
IC(MAX) 1,46A

36,5mA
( MIN)
40

IB(MAX) =

IZ(MAX) =

IZ(MAX) =

13,2V - 6,8V

. 8mA 36,5mA
10,8V - 6,8V
6,4V
. 44,5mA 71,2mA
4V

Como PZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido

pode ser utilizado.

Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
7

VIN(MAX) - VZ 13,2V - 6,8V

6,4V

87,04
IZ( MAX)
73,53mA
73,53mA
R=
Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V
VIN(MIN) - VZ
10,8V - 6V
4V

89,89
IB(MAX) IZ(MIN) 36,5mA 8mA 44,5mA
R=
Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o
valor comercial mais prximo: 91
Potncia dissipada pelo resistor:
E2
(VIN(MAX) - VZ) 2
(13,2V - 6V) 2 (6,8V) 2

0,508W
R
R
91
91
P=
P=
=
Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W
3.PROJETO DO REGULADOR SRIE DE DOIS TRANSISTORES
Script MATLAB
%
%
%
%
%
%
%

UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHO

PROF:VILEMAR
ELETRONICA II
PROJETO DE UM REGULADOR DE TENSO SRIE COM DOIS TRANSISTORES

clear all;
clc;
% Especificaes do regulador de tenso srie com dois
transistores
Vl=10;
Vref=5.1;
Il_max=1;
Vs_max=(20+(0.1*20));
Vs_min=(20-(0.1*20));
Vbe1_min=0.6;
Vbe1_max=0.7;
Vbe2_min=Vbe1_min;
Vbe2_max=Vbe1_max;
%chamada da funo teste_transistor1
[Vceo1,Ic_max1,B1_min,Pc_max1]=teste_T1(Vs_max, Vl, Il_max);
8

%
de T1
%

Lao para verificar se a corrente maxima que passa pelo diodo

menor que a corrente maxima do transistor

%Escolhendo o diodo zener

a=0;
while (a==0)
%Escolhendo o diodo zener
fprintf('Entre com as especificaes do diodo\n\n');
Iz_min=input('A corrente mnima que passa pelo diodo Zener = ');
Pz_max=input('A potncia mxima dissipada pelo diodo Zener= ');
Vz=input('A tenso no diodo zener= ');
Iz_max=input('A corrente mxima que passa pelo diodo Zener = ');
if(maxZ_stream
(Vs_max,Vl,Vbe1_min,Vs_min,Vbe1_max,Iz_min,Il_max,B1_min) > Iz_max)
fprintf ('\n\n ERROR! corrente mxima do transistor maior que
que a corrente suportada pelo diodo!\n\n')
pause(3)
clc;
else
a=1;
fprintf ('\n\nOK! corrente mxima do transistor menor que a
corrente suportada pelo diodo!\n\n')
pause(2)
end
end
fprintf('O diodo est apto a ser usado na implementao do
projeto!');
disp('clique em qualquer tecla para continuar...');
disp(' ');
%chamada da funo teste_transistor2
[Vceo2,Ic_max2,B2_min2,Pc_max2]=teste_T2(Vs_max, Vl, Iz_max,
Vbe1_min );
% calculo de R1
disp( 'Escolha do Resistor R1')
[intervalo1,intervalo2]=intervalos(Vs_max, Vl,Vbe1_min, Iz_max,
Vs_min, Vbe1_max,Iz_min, Il_max,B1_min);
c=0;
while c==0
fprintf ('Escolha um valor para R1 dentro do seguinte
intervalo: %d Ohms e %d Ohms \n', intervalo1, intervalo2);
R1=input('R1 = ');
if (R1>intervalo2 || R1<intervalo1)
fprintf('\n\nERROR! VALOR DE R1 FORA DO INTERVALO!\n')
else
c=1;
end
end

%Encontrando a potencia mxima dissipada

[PotS_max]=Potencia_max(Vs_max,Vl,Vbe1_min, R1);
fprintf(' A potencia dissipada no resistor R1 de %d W
\n',PotS_max);
% calculo de R2
%lembrando que a corrente R2 deve ser dez por cento da corrente
de coletor
%de T2
disp( 'Escolha do Resistor R2 ')
[Iz_maxT,
Iz_minT]=stream_maxZener(Vs_max,Vs_min,Vl,Vbe2_min,Vbe2_max,R1,Ic_max
2,B1_min);
[intervalo1_R2, intervalo2_R2]=intervalos_2(Vl,Vz,Vbe2_min,
Iz_maxT,Vbe2_max,Iz_minT);
c=0;
while c==0
fprintf ('\nEscolha um valor para R2 dentro do seguinte
intervalo: %0.4f Ohms e %0.4f Ohms \n', intervalo1_R2,
intervalo2_R2);
R2=input('R2 = ');
if (R2>intervalo2_R2 || R2<intervalo1_R2)
fprintf('\n\nERROR! VALOR DE R2 FORA DO INTERVALO!\n')
else
c=1;
end
end
%Encontrando a potencia mxima dissipada em R2
[PotS_R2]=Potencia_max2(Vl,Vz, Vbe2_min,R2);
fprintf('\n A potencia dissipada no resistor R2 de %d W\n\n
',PotS_R2);
% calculo de R3
%lembrando que a corrente R2 deve ser dez por cento da corrente
de coletor
%de T2
disp( 'Escolha do Resistor R3')
R3=((Vz+Vbe2_min)/(Vl-Vz-Vbe2_min))*R2;
fprintf('\n O valor de R3 %4d Ohms \n',R3);
%Encontrando a potencia mxima dissipada
[PotS_R3]=Potencia_max3(Vz, Vbe2_max,R3);
fprintf('\n A potencia dissipada no resistor R3 de %u W\n
',PotS_R3);

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Funes:
~Testar Transistor 1 (T1)~
function [Vceo1,Ic_max1,B1_min,Pc_max1]=teste_T1(Vs_max, Vl, Il_max)
% Condies iniciais do transistor T1b
Vceo1=45;
Ic_max1=2;
B1_min=20;
Pc_max1=25;
%verificando se o transistor T1 satisfaz as condies
if(Vceo1>(Vs_max-Vl) && Ic_max1>Il_max && Pc_max1>((Vs_maxVl)*Il_max))
fprintf('O transistor T1 escolhido satisfaz as exigncias iniciais!')
end
end

~Testar Transistor 2 (T2)~

% Condies iniciais do transistor T2
function [Vceo2,Ic_max2,B2_min2,Pc_max2]=teste_T2(Vs_max, Vl, Iz_max,
Vbe1_min)
Vceo2=45;
Ic_max2=1;
B2_min2=20;
Pc_max2=8;
%verificando se o transistor T1 satisfaz as condies
if(Vceo2>(Vbe1_min+Vl)- Vz) && Ic_max2>Iz_max &&
Pc_max2>( Vbe1_min+Vl)- Vz)*Iz_max)
disp('O transistor T2 escolhido satisfaz as exigncias iniciais!')
end

~Verificao da corrente mxima suportada pelo diodo zener~

%cluclo da corrente mxima que passa pelo diodo zener
function [Iz_maxT] = maxZ_stream
(Vs_max,Vl,Vbe1_min,Vs_min,Vbe1_max,Iz_min,Il_max,B1_min)
Iz_maxT=(((Vs_max-Vl-Vbe1_min)/(Vs_min -Vl-Vbe1_max))*(Iz_min+
(Il_max/B1_min)));
end

~ Clculo de R1 e seus intervalos ~

%intervalo de escolha do resistor R1
function [intervalo1, intervalo2]=intervalos(Vs_max, Vl,Vbe1_min,
Iz_max, Vs_min, Vbe1_max,Iz_min, Il_max,B1_min)
intervalo1=((Vs_max-Vl-Vbe1_min)/(Iz_max));
intervalo2=((Vs_min-Vl-Vbe1_max)/(Iz_min+(Il_max/B1_min)));
11

end

~Potncia mxima dissipada em R1 ~

%funo para encotrar a potencia maxima dissipada no resistor 1
function [PotS_max]=Potencia_max(Vs_max,Vl,Vbe1_min, R1)
PotS_max=(((Vs_max-(Vl+Vbe1_min))^2)/(R1));
end

~Clculo da corrente Iz_mxima do diodo~

%correntes mxima do diodo para um R1 escolhido
function [Iz_maxT,
Iz_minT]=stream_maxZener(Vs_max,Vs_min,Vl,Vbe2_min,Vbe2_max,R1,Ic_max
2,B1_min)
Iz_maxT=((Vs_max-Vl-Vbe2_min)/(R1));
Iz_minT=((Vs_min-Vl-Vbe2_max)/(R1))-(Ic_max2/B1_min);
end

~ Clculo de R2 e seus intervalos ~

% funo para encontrar os intervalos do valor de R2
function [intervalo1_R2, intervalo2_R2]=intervalos_2(Vl,Vz,Vbe2_min,
Iz_maxT,Vbe2_max,Iz_minT)
intervalo1_R2=((Vl-Vz-Vbe2_min)/(0.1*Iz_maxT));
intervalo2_R2=((Vl-Vz-Vbe2_max)/(0.1*Iz_minT));
end

~ Potncia mxima dissipada em R2 ~

%funo para encontrar a potencia maxima dissipada no resistor 2
function [PotS_R2]=Potencia_max2(Vl,Vz, Vbe2_min,R2)
PotS_R2=((Vl-Vz-Vbe2_min)^2/R2);
end

~ Potncia mxima dissipada em R3 ~

%funo para encotrar a potencia maxima dissipada no resistor 3
function [PotS_R3]=Potencia_max3(Vz, Vbe2_max,R3)
PotS_R3=(Vz+Vbe2_max)^2/R3;
end

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3. Referncias Bibliogrficas
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA
DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
International Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
Prentice/Hall - RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990

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