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ESCOLA POLITCNICA
Departamento de Engenharia Eltrica
INTRODUO
No final de 1947, uma das
maiores invenes j realizadas
pelo homem, revolucionaria
completamente a eletrnica; o
transistor bipolar de juno.
Seus inventores, Dr. John
Bardeen, Dr. William Schocley
e Dr. Walter H. Brattain
ganharam por esse trabalho, o
prmio Nobel em 1956.
ESTRUTURA E SIMBOLOGIA
O transistor bipolar de juno um dispositivo
de trs terminais ligados a uma regio interna
formada por um cristal de material
semicondutor extrnseco, dividido em trs
partes, com caractersticas construtivas e
eltricas distintas, sendo duas de mesma
polaridade P ou N e a outra de polaridade
contrria, isto , o transistor bipolar pode ser
do tipo PNP ou NPN.
TBJ
TBJ
Os trs terminais de um transistor bipolar recebem o nome de emissor, base e coletor.
A figura a seguir mostra a estrutura do transistor bipolar e seus smbolos.
Terminais (EBC)
Emissor - regio maior nvel de dopagem do transistor. do
emissor de onde partem os portadores de carga, em outras
palavras, o emissor quem define o sentido da corrente, por
isto ele possui uma flecha no seu terminal no smbolo do
transistor.
Base - regio mais estreita e com nvel mdio de dopagem.
Comparada as outras regies, a base se parece como uma
pelcula muito fina. Serve para fazer com que o transistor
comece a funcionar.
Coletor - regio de maior rea e menos dopada do transistor.
O coletor tem a maior rea, pois nessa regio onde h maior
dissipao de energia por efeito Joule. Para transistores de
maior potncia a regio de coletor est ligada a cpsula d
transistor.
TESTE DO TRANSISTOR
Fazendo-se uma analogia com diodos,
podemos testar um transistor bipolar e
identificar seus terminais. Primeiramente
identificamos a polaridade do transistor e o
terminal de base e depois os terminais de
coletor e emissor. A regio de emissor do
transistor mais dopada do que a regio
de coletor. Essa caracterstica utilizada
para a identificao do emissor e do coletor,
pois a tenso de conduo do emissor
levemente superior a tenso de conduo
do coletor. No exemplo a seguir o transistor
BD135 testado com um multmetro digital
TESTE DO TRANSISTOR
CURVA CARACTERSTICA
Equaes
Define-se:
IC
IE
NotaoIE=2mA
de Tenso
e Corrente
Por exemplo:
e IC=1,98mA
1, 98 mA
contnuas
0 , 99
Grandezas
(correntes
e tenses) sero representadas por letras
2 mA
maisculas e ndices
maisculos, por exemplo, correntes de coletor (IC),
emissor (IE) e de base (IB). Tenso entre dois pontos representada por
ndice com duas letras, a primeira o ponto de maior potencial e a segundo
o ponto de menor potencial, por exemplo, a tenso base emissor (VBE),
a tenso coletor-emissor (VCE) e coletor-base (VCB). Se a tenso for
entre terminal e terra (GND), usa-se somente a letra relativa ao terminal,
VB, tenso da base ao terra.
IB= IE IC=2mA 1,98mA=0,02mA=20uA
Considerando o smbolo
VCB
VCE
VBE
O Ganho de Corrente
Para a montagem emissor comum define-se o ganho:
IC
IB
2 mA
20 A
2
0 , 02
100
BC548
BD 140
2N3055
IB
VBB V BE
RBB
VCE(V) 0,1
0,2 0,5
IC(mA)
Com esses dados levantado o grfico
2 mA
2A
100
I C .I B
Regio de Saturao
As duas junes esto polarizadas diretamente. Nessa regio o transistor
usado como chave fechada.
I C .I B
Regio de Corte
As duas junes esto polarizadas reversamente. Nessa regio o transistor
usado como chave aberta.
IC IB 0
Referencias Bibliogrficas
Na preparao deste material didtico foram utilizadas
diversas fontes, entre as quais destacam-se:
[1] O material de aulas do Prof. Ademrio Carvalho UFBA;
[2] BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L.; Dispositivos Eletrnicos e
Teoria de Circuitos. 8.Ed. So Paulo: Prentice-Hall, 2007.
[3] MALVINO, A. P.; Eletrnica. 4.ed. So Paulo: Makron Books,
2009. V.1