Diseo de un amplificador de pequea seal con transistor BJT.

Por: Danny Ochoa Correa.

Introduccin:
Para realizar un correcto diseo, se requieren de varias iteraciones y paciencia.
1) Informacin disponible
El transistor BJT 2N3904 (NPN) se encuentra disponible en el mercado local, por
tanto, ser utilizado para este estudio.
Los datos proporcionados por el fabricante suelen ser de gran utilidad, pues
permite disponer de informacin de primera mano para la fase de diseo. Sin
embargo, es sabido que los parmetros indicados en aquel documento fueron
obtenidos experimentalmente en condiciones particulares.
Siempre es recomendable determinar estos parmetros in-situ, pues fenmenos
trmicos, informacin de diferentes fabricantes, pueden distar de su
funcionamiento real.

Tabla 1. Datos del transistor 2N3904.

A continuacin, se corroborar experimentalmente estos parmetros y se obtendr
la curva de caractersticas.

Danny Ochoa Correa, MSc.

De acuerdo con la informacin proporcionada por FAIRCHILD-Semiconductor:

Usando la herramienta DC-Sweep de NI-Multisim, se proceder a graficar las

caractersticas V-I del transistor, para valores de I B comprendidos entre 0-100uA y
VCE desde 0 hasta 10V. Ntese que estos rangos se encuentran muy alejados de los
lmites mximos de funcionamiento, lo cual es deseable, a fin de salvaguardar la
integridad del dispositivo.

IB

Q1
VCE
1V

1uA

2N3904

Figura 2. Esquema de prueba implementado en NI-Multisim.

IB=100A
IB=80A
Punto Q

IB=60A

IB=40A
IB=20A

Figura 3. Caractersticas VI del transistor 2N3904.

2) Establecer el punto de operacin en CC (Q)

En primera instancia, se debe establecer un adecuado punto de funcionamiento.
Como se haba estudiado en clases, para aplicaciones de amplificacin, este punto
debe garantizar una amplificacin libre de distorsin, es decir, que en su
funcionamiento en CA el punto no entre ni en corte ni en saturacin.
En la figura 3, se ha remarcado un punto en donde, para una I B=60uA y un VCE=4V se
tiene una IC=10mA. Estos parmetros definirn el punto Q de este diseo. Es

Danny Ochoa Correa, MSc.

IB=0A

importante aclarar que, en realidad, se puede tomar cualquier punto de las

caractersticas y que ste es un ejemplo en particular.
Por fines de verificacin, se somete al transistor a estas condiciones de operacin y
se miden sus principales variables (figura 4).

9.972m

U2

U1
+

0.060m

VCE
4V

Q1
A

4.000
-

U4

2N3904
IB
60uA

0.728
-

U3

Figura 4. Medicin de los parmetros que definen el punto Q.

Parmetro
Medidor
Valor
IC
U2
9.972mA
IB
U1
60uA
VBE
U3
0.728V
VCE
U4
4V
Tabla 1. Parmetros que definen el punto Q.

Danny Ochoa Correa, MSc.

Ampliando la visualizacin de la figura 3, se determina el factor de amplificacin de

corriente, , y la resistencia de salida del transistor, ro (Ver figura 5).

IC=10mA
VCE=4V
Punto Q

IC=10.08mA
VCE=4.6V

IB=60A

Figura 5. Determinacin de y ro.

I CQ
I BQ

10mA
166.6
60 A
167

IC 10.08mA 10mA

VCE
4.6V 4V
I C
1
m
133 S
VCE
r0
r0 7.5k

Las reflexiones que se pueden hacer hasta este instante son: que beta se encuentra
dentro del rango que garantiza el fabricante, y que para este punto de operacin, el
valor de conductancia de salida del transistor se encuentra muy por encima del
especificado hoe=40uS.
3) Seleccin del circuito de polarizacin y anlisis en CC.
Dado que, beta es un parmetro muy importante y sensible del transistor BJT, se
usar el circuito de polarizacin por divisor de tensin (Figura 6), dada sus
excelentes prestaciones al garantizar un punto de operacin estable ante cambios
de beta debido a los cambios de temperatura.

Danny Ochoa Correa, MSc.

VCC

RC
C2

R1
Q2

C1

2N3904
R2
RE

C3

Figura 6. Circuito de polarizacin por divisor de tensin.

Se asume un valor de 24V para el diseo de la fuente de CC. Una vez ms se hace
nfasis en que se podra utilizar cualquier otro valor comercialmente disponible.
A continuacin, se determinarn sus parmetros. Las deducciones de las ecuaciones
correspondientes se dedujeron en clases.
Datos de diseo:
VCC=24V
ICQ=10mA
VCEQ=4V
IBQ=60uA
VBEQ=0.7V

VCE VCC IC RC RE
4V 24V 10mA RC RE

RC RE 2k
Ahora, se distribuye este valor a las resistencias teniendo en cuenta que la ganancia
de tensin en CA, AV, es directamente proporcional a la resistencia RC. Si se desea
obtener un alto valor de AV, se asignar mayor resistencia a RC que a RE.
Asumiendo RC 1.8k , la resistencia de emisor ser: RE 200 .

Danny Ochoa Correa, MSc.

De la malla colector-emisor se tiene que:

De la malla base-emisor se tiene que:

IB
Donde:

Eth

Eth VBE
Rth RE 1

R2
VCC
R1 R2

Rth

R1 R2
R1 R2

Realizando un manejo adecuado de las ecuaciones anteriores se obtiene:

R2
VCC VBE
R1 R2
IB
R1 R2
RE 1
R1 R2
R2
24V 0.7V
R1 R2
60 A
R1 R2
200 167 1
R1 R2

Asumiendo R1 10k , y despejando R2:

R2 1.32k
Encontrados estos datos, se determina Eth:

Eth

1.32k
24V 2.78V
10k 1.32k

Danny Ochoa Correa, MSc.

Ya con el diseo del circuito de polarizacin en CC listo, se procede a simularlo para

verificar el valor de las variables de inters.

VCC
24V

9.947m

U1

RC
1.8k

R1
10k
U3
+

0.060m

Q2
A

4.095

U2

2N3904
R2
1.32k

2.729
-

U7

RE
200

Figura 7. Circuito de polarizacin CC por divisor de tensin simulado en NI-Multisim.

Parmetro
IC (mA)
IB (uA)
VCE (V)
Eth (V)

Diseo
10
60
4
2,78

Medido
9,948
60
4,094
2,729

Error
relativo
0,52%
0,00%
2,35%
1,83%

Tabla 2. Comparacin entre parmetros esperados y medidos.

4) Anlisis de pequea seal en CA (Sin carga).

Se procede a determinar la ganancia de tensin, A V, que tendra el circuito en
estudio. Para ello, primero se determina la resistencia de emisor, del modelo re. La
deduccin de las ecuaciones se realiz en clases.

re

26mV
26mV
26mV

IE
1 I B 167 1 60 A
re 2.6

Av

RC / / ro 1.8k / /7.5k
2.6

re

Av 558

Danny Ochoa Correa, MSc.

La tabla 2 muestra que el diseo es correcto, y se puede continuar con el anlisis de

pequea seal.

Ai

ro R1 / / R2

RC ro R1 / / R2 re
Ai 98.14

Para el correcto acondicionamiento de las seales de entrada y salida, se disean los

condensadores de acoplamiento y desacoplamiento para garantizar un punto Q
estable en el emisor. Se considerar que la seal a amplificar, es una seal de audio
(sinusoidal) de amplitud 1mV y con frecuencia 10kHz.
Zi R1 / / R2 / / re 10k / /1.32k / / 167 2.6
Zi 10k / /1.32k / / 167 2.6
Zi 316.4

Condensador de acoplamiento, C1 (de acuerdo a la recomendacin de P. Malvino):

X C1 0.1Zi
C1

10
10

2 fZi 2 10kHz 316.4

C1 0.5 F

Por tanto, para la implementacin se tomar un C1=10uF. Debido a que no se

dispone de resistencia de carga, el valor tomado para C1 sera ms que suficiente
para acoplar la seal amplificada en la salida C2=C1=10uF.
Condensador de desacoplamiento, CE (recomendacin de P. Malvino):

X CE 0.1RthE

ro / re
1
1
1

RthE RE ro RC re / / RE re
RthE 3.2

CE

10
2 10kHz 3.2
CE 50 F

Por tanto, para la implementacin se tomar un CE=50uF para garantizar un

adecuado desacoplamiento de la seal de CA del emisor.

Danny Ochoa Correa, MSc.

Por tanto, previamente se debe determinar la resistencia de Thvenin vista desde

los terminales de la resistencia de emisor:

Ahora bien, se aplica una seal senoidal de 10kHz de amplitud 1mVpp en la entrada
de la configuracin para validar el diseo realizado.
VCC
24V
+

Ext T rig
+

A
_

U4
+

2.010u

V1

0.707m

U5

U8

9.947m

U1

RC
1.8k

C2
U9

C1

1.416u

U3
A

0.060m

10uF
+

4.094

10uF

1mVpk
10kHz
0

Q2
A

U2
+

2N3904

2.729
-

U7

0.345
-

R2
1.32k

RE
200

U6

C3
50uF

Figura 8. Preampificador de audio simulado en NI-Multisim.

Figura 9. Seales a la entrada (color naranja) y a la salida (color verde) del

preamplificador.

Parmetro
AV
Ai
Zi ()

Diseo
-558
98.14
316

Medido
-483
95
351

Error
relativo
12.7%
3.2%
11%

Tabla 3. Comparacin entre parmetros esperados y medidos.

Danny Ochoa Correa, MSc.

R1
10k

0.191m
-

XSC1

5) Anlisis de pequea seal en CA (Con carga).

TAREA: Realizar el mismo anlisis (puntos 1-4) conectando una carga de 330 a la
salida del preamplificador.

VCC
24V
+

U4
2.008u

V1
+

0.707m
-

U5

1mVpk
10kHz
0

U8

9.947m

U1

RC
1.8k

R1
10k

C2
U9

C1

1.410u

0.059m

Q2
A

10uF
+

4.094

10uF

2.729

U7

R2
1.32k

U2
+

2N3904

+
-

U3
A

0.063
-

RE
200

U6

RL
330

C3
50uF

Danny Ochoa Correa, MSc.

Ext T rig
+
B

0.036m
-

XSC1