ESCOLA POLITCNICA DA UNIVERSIDADE DE SO PAULO

Departamento de Engenharia Metalrgica e de Materiais

PROPRIEDADES ELTRICAS DOS MATERIAIS

PMT 2100 - Introduo Cincia dos Materiais para Engenharia

2 semestre de 2008 (Verso 2007)

ROTEIRO DA AULA

Resistncia eltrica e a lei de Ohm

Resistividade e condutividade eltrica
Lei de Ohm
Condutividade eltrica
Bandas de energia nos slidos
Condutividade eltrica dos metais
Condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos
Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo n
Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo p

PMT 2100 Introduo Cincia dos Materiais para Engenharia EPUSP - 2008 (verso 2007)

RESISTNCIA ELTRICA

O comportamento dos materiais, em resposta aplicao de um CAMPO

ELTRICO externo, define as PROPRIEDADES ELTRICAS dos materiais.
As propriedades eltricas dependem de diversas caractersticas dos
materiais, dentre as quais mencionamos a configurao eletrnica, o tipo
de ligao qumica e os tipos de estrutura e microestrutura.
A CORRENTE ELTRICA o movimento de portadores de carga que ocorre
dentro dos materiais, em resposta ao de um campo eltrico externo.
So portadores de carga: eltrons, buracos eletrnicos, ctions e nions.

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RESISTNCIA ELTRICA
Em 1827 Georg Simon Ohm, baseado em
evidncias experimentais e utilizando o
conceito RESISTNCIA ELTRICA (R) de um
corpo, formulou uma lei que relaciona a
VOLTAGEM (U) aplicada sobre o corpo com a
CORRENTE ELTRICA (I) que o atravessa.
Resistor Varivel

Ampermetro
Bateria

U=RI

LEI DE OHM

Unidades SI: U Volts (V) = J / C

I Ampres (A) = C / s
R Ohms () = V / A

rea da seo
Transversal, A

Amostra
Voltmetro

Representao esquemtica de um arranjo experimental

que permite medir a resistncia eltrica de um corpo.

9 No applet http://www.mste.uiuc.edu/users/Murphy/Resistance/default.html h uma animao em que voc pode variar a

resistncia de um resistor e a voltagem sobre ele aplicada enquanto observa a corrente que flui pelo resistor.
Introduo Cincia dos Materiais para Engenharia
- 2008 (verso
2007)
9 PMT
Em 2100
http://www.cvs1.uklinux.net/calculators/
vocEPUSP
encontrar
uma calculadora
da lei de Ohm.

RESISTIVIDADE E CONDUTIVIDADE ELTRICA

Para um corpo cilndrico de comprimento L e seo transversal de rea A (veja a
figura da transparncia n 4), define-se a RESISTIVIDADE ELTRICA () do material
do qual o corpo constitudo por

= R (A / L)
Unidade SI: Ohms-metro ( .m) = V.m / A

9Note que a resistncia uma PROPRIEDADE DO CORPO enquanto a resisitividade

uma PROPRIEDADE DO MATERIAL do qual o corpo constitudo.
A CONDUTIVIDADE ELTRICA () de um material uma medida da facilidade com
que ele capaz de conduzir uma corrente eltrica. Define-se a condutividade
eltrica como sendo o inverso da resistividade,

=1/
Unidade SI: (Ohms-metro)-1 ( .m) -1 = A / V.m
9 Cuidado com a notao! Observe que, de acordo com a notao do livro texto, estamos utilizando
a letra A para denotar tanto a rea da seo transversal do corpo cilndrico como a unidade de
corrente o mpere.
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LEI DE OHM
Utilizando o conceito de CONDUTIVIDADE (), a LEI DE OHM
determina que a DENSIDADE DE CORRENTE (J) num dado
material diretamente proporcional ao CAMPO ELTRICO
(E) aplicado sobre o mesmo.
J=E
Unidades SI: E = U/ L Volts-metros-1 (V/m) = J / m.C
J = I/A Ampres -metros-2 (A/m 2) = C / m 2.s
9Observao: O carter vetorial das diversas grandezas aqui consideradas ser
omitido em nosso tratamento matemtico, ou seja, trataremos apenas de casos de
materiais isotrpicos sujeitos a campos eltricos constantes.
9Como exerccio para casa, mostre que as equaes U = R I (veja o slide n 4) e
J = E so equivalentes.

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CONDUTIVIDADE ELTRICA
Os materiais slidos podem ser classificados, de acordo com a magnitude
de sua condutividade eltrica, em trs grupos principais: CONDUTORES,
SEMICONDUTORES e ISOLANTES.
Condutividade em (.m)-1 de uma variedade de materiais temperatura ambiente.
poliestireno
polietileno
NaCl
madeira
seca
quartzo

SiO2
porcelana

borracha

concreto
(seco)

grafite

mica

Mn
Si dopado

vidro
GaAs

ISOLANTES

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Ag

Ge

Cu

Si

10-18 10-16 10-14 10-12 10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 100 102
SEMICONDUTORES

Fe

104

106 108

CONDUTORES

CONDUTIVIDADE ELTRICA
O MODELO DOS ELTRONS LIVRES dos metais supe que o material
composto por um gs de eltrons que se movem num retculo cristalino
formado por ons pesados. Esse modelo prev corretamente a forma
funcional da lei de Ohm. No entanto, ele prev incorretamente os valores
observados experimentalmente para a condutividade eltrica.
Por exemplo, para o cobre temos:
calculado = 5,3 x 106 (.m)-1 e experimental = 59 x 106 (.m)-1.
Para uma compreenso aprofundada das propriedades eltricas dos
materiais necessitamos considerar o carter ondulatrio dos eltrons e
fazer uso de conceitos da mecnica quntica, mas isto est alm do
escopo desta disciplina.
Na aula de hoje, explicaremos a condutividade eltrica dos materiais
utilizando, de forma simplificada, alguns conceitos provindos da mecnica
quntica. Em particular, consideraremos o MODELO DE BANDAS DE
ENERGIA ELETRNICA NOS SLIDOS.
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BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Considere um conjunto de N tomos. A distncias de separao
relativamente grandes, cada tomo independente de todos os demais, e
tem os nveis de energia atmica e a configurao eletrnica que teria se
estivesse isolado. Contudo, medida que esses tomos se aproximam
uns dos outros, os eltrons sentem a ao dos eltrons e ncleos dos
tomos adjacentes ou so perturbados por eles. Essa influncia tal que
cada estado atmico distinto pode se dividir em uma srie de estados
eletrnicos proximamente espaados no slido, para formar o que
conhecido por BANDA DE ENERGIA ELETRNICA.
A extenso da diviso depende da separao interatmica e comea com
as camadas eletrnicas mais externas, uma vez que elas so as primeiras
a serem perturbadas quando os tomos coalescem.
Dentro de cada banda, os estados de energia so discretos, embora a
diferena de energia entre os estados adjacentes seja excessivamente
pequena.
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BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Grfico esquemtico da energia eletrnica em funo da separao interatmica
para um agregado de 12 tomos (N = 12). Com a aproximao cada um dos
estados atmicos 1s e 2s se divide para formar uma banda de energia eletrnica
que consiste em 12 estados. Cada estado de energia capaz de acomodar dois
eltrons que devem possuir spins com sentidos opostos.

Energia

Banda de energia
eletrnica 2s
(12 estados)

Estado eletrnico 2s

Estados energticos individuais permitidos

Estado eletrnico 1s

Banda de energia
eletrnica 1s
(12 estados)

Separao interatmica
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BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Bandas de energia eletrnica para um material slido formado por N tomos.
9 Representao convencional
da estrutura da banda de
energia eletrnica para um
material slido na separao
interatmica de equilbrio.

9 Energia eletrnica em funo da separao interatmica para um agregado de N tomos, ilustrando como a
estrutura da banda de energia na
separao interatmica de equilbrio
gerada.

9 Representao convencional
da estrutura da banda de
Banda de energia
energia eletrnica para um
Gap de energia
material slido
na separao
Banda de energia
interatmica
de equilbrio.
2s (N estados)

1s (N estados)

Separao
Interatmica
de equilbrio

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Separao
interatmica

Energia

Energia

2p (3N estados)

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ESTRUTURAS DE BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Estruturas de bandas de energia possveis para slidos a 0 K.
(a)

(b)
Banda
vazia

Banda de
conduo
vazia

Banda
vazia

Gap de energia

Ef

Gap de energia
Estados vazios
Estados
preenchidos

(c)

Ef

Banda
preenchida

Banda de
valncia
preenchida

(d)
Banda de
conduo
vazia
Gap de energia

Banda de
valncia
preenchida

(a) Bandas de energia de METAIS tais como o cobre (Z = 29, 3d10 4s1) nos quais se
encontram disponveis, na mesma banda de energia, estados eletrnicos no
preenchidos acima e adjacentes a estados eletrnicos preenchidos.
(b) Bandas de energia de METAIS tais como o magnsio (Z = 12, 1s2 2s2 2p6 3s2) nos quais
ocorre a superposio das bandas de energia mais externas, a preenchida e a nopreenchida.
(c) Bandas de energia tpicas de ISOLANTES: a BANDA DE VALNCIA (banda de energia
preenchida) separada da BANDA DE CONDUO ( banda de energia no-preenchida)
por um GAP DE ENERGIA (banda de energia proibida, ou seja, barreira de energia) de
largura relativamente grande (>2 eV).
(d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia
semelhante dos isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
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CONDUTIVIDADE ELTRICA
A ENERGIA DE FERMI, Ef, uma conseqncia do carter estatstico do
comportamento dos eltrons e do Princpio de Excluso de Pauli. Para
metais a T = 0 K, Ef definida como a energia mxima dos estados
eletrnicos ocupados. Para semicondutores e isolantes Ef tem um valor
situado na faixa de energias do poo de potencial.
Nos metais, somente eltrons com energia maior que Ef podem ser
acelerados na presena de um campo eltrico. Esses eltrons so os que
participam do processo de conduo e so chamados de ELTRONS
LIVRES.
Em semicondutores e isolantes, os BURACOS ELETRNICOS tm energia
menor que Ef e tambm participam do processo de conduo.
O processo de conduo se origina na mobilidade dos PORTADORES DE
CARGA.

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CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS

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Em metais, um eltron torna-se livre quando passa para um estado de energia disponvel e
no preenchido acima de Ef; pequena a energia necessria para tal mudana.
A condutividade eltrica dos metais pode ser representada pela equao
OCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS

Antes da
excitao eletrnica

Aps a
excitao eletrnica

Ef
Estados
preenchidos

Energia

Estados
vazios

Ef

Excitao
do eltron

= n |e| e
n = nmero de portadores de carga (eltrons)
por unidade de volume
|e| = magnitude da carga
dos
portadores
-19
(1,602x10 C)
e = mobilidade dos
portadores de carga
A condutividade eltrica
dos metais condutores
diminui medida que a
sua temperatura
aumenta.

9 No link http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/elmat_en/kap_2/backbone/r2.html (do site da Technische Fakultt der ChristianAlbrechts-Universitt zu Kiel) h diversos tpicos sobre condutores. Veja em particular o item 2.1.1 que explica o conceito de
condutividade eltrica.
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CONDUTIVIDADE ELTRICA - SEMICONDUTORES E ISOLANTES

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Gap de
energia

EG

Banda de
valncia

Quando o eltron salta da banda de valncia para a banda de

conduo so gerados tanto um eltron
livre quanto um buraco eletrnico.

Energia

Banda de
conduo

No caso de isolantes e semicondutores, um eltron torna-se livre quando salta da

banda de valncia para a banda de conduo, atravessando o gap de energia. A
energia de excitao necessria para tal mudana aproximadamente igual
largura da barreira.
A diferena entre
OCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS
semicondutores e isoAntes da
Aps a
lantes est na largura
excitao eletrnica
excitao eletrnica
do gap de energia.
Comparada com a
Eltron
livre
largura do gap de
energia dos isolantes,
a dos semicondutores
bastante pequena.
Excitao
do eltron

Buraco na
banda de
valncia

15

MATERIAIS SEMICONDUTORES
so aqueles cujo comportamento eltrico
depende basicamente da estrutura eletrnica do material puro. Sua condutividade
eltrica geralmente pequena e varia muito com a temperatura.

SEMICONDUTORES INTRNSECOS

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS so aqueles cujo comportamento eltrico

depende fortemente do tipo e da concentrao dos tomos de impurezas. A

adio de impurezas para a moldagem do comportamento eltrico dos semicondutores chamada de DOPAGEM.
A maioria dos semicondutores comerciais elementais so extrnsecos; o mais
importante exemplo o Si, mas tambm esto nesta categoria o Ge e o Sn. a
possibilidade de adicionar impurezas diversas ao material puro que permite a
fabricao de uma variedade de dispositivos eletrnicos a partir do mesmo material
semicondutor.
Os semicondutores extrnsecos tm condutividade que varia pouco com a
temperatura e cujo valor controlado pela concentrao de impurezas. As
concentraes utilizadas variam de 1014 cm-3 (1 parte em 108, considerando 1022
tomos por cm3) a 1020 cm-3 (1 parte em 102, que muito alta).
Semicondutores intrnsecos de compostos dos grupos III-V e II-VI vm adquirindo
crescente importncia para a indstria eletrnica nos ltimos anos.
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16

17

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Modelo de ligao eletrnica para a conduo eltrica no Silcio intrnseco
Campo E

(b)

(a)
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

eltron de valncia
eltron livre
buraco

Campo E

(c)
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

(a) Antes da excitao eletrnica.

(b) e (c) Aps a excitao eletrnica
(os movimentos subseqentes do
eltron livre e do buraco em resposta
a um campo eltrico externo).
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SEMICONDUTORES INTRNSECOS
A condutividade eltrica dos materiais semicondutores pode ser representada pela
equao

= n |e| e + p |e| b ,
onde: n = nmero de eltrons livres por unidade de volume;
p = nmero de buracos eletrnicos por unidade de volume;
|e| = magnitude da carga dos portadores (1,6x10-19 C);

e = mobilidade dos eltrons livres;

b = mobilidade dos buracos eletrnicos.
Note que e > b.

A condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos aumenta medida que a

temperatura aumenta.
Para semicondutores intrnsecos, n = p. Portanto,

= n |e| (e + b)
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19

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n

Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo n.
Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com P (valncia 5) gera eltrons
livres; uma impureza desse tipo chamada de doadora.
Campo E

Campo E

(c)

(b)

(a)
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

(a) O tomo de impureza (P) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando em um eltron extra
ligado ao tomo de impureza.
(b) Excitao do eltron extra como conseqncia da aplicao de um campo eltrico externo,
formando-se um eltron livre.
(c) Movimento do eltron livre em resposta ao campo eltrico externo.

Para semicondutores do tipo n, os eltrons livres so os principais portadores de

corrente, isto , n >> p. Portanto,

n |e| e .

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SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n

Excitao de um estado doador
em que um eltron livre gerado
na banda de conduo.

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Gap de
energia
Banda de
valncia

Energia

Gap de
energia

Estado
doador

Banda de
valncia

Energia

Banda de
conduo

Banda de
conduo

Esquema da banda de energia

eletrnica para um nvel de impureza doadora localizado dentro do
gap de energia, imediatamente
abaixo da parte inferior da banda
de conduo.

Eltron livre
na banda de
conduo

20

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p

21

Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo p.

Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com B (valncia 3) gera buracos
eletrnicos; uma impureza desse tipo chamada de receptora.
Campo E

(b)

(a)
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

(a) O tomo de impureza (B) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando na deficincia de um
eltron de valncia ou, de forma equivalente, num buraco eletrnico associado ao tomo de
impureza.
(b) Movimento do buraco eletrnico em resposta a um campo eltrico externo.

Para semicondutores tipo p, os buracos eletrnicos so os principais portadores de

corrente, isto , p >> n. Portanto,

p |e| b .
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SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p

Excitao de um eltron para o
nvel receptor, deixando para trs
um buraco na banda de valncia.

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Gap de
energia
Banda de
valncia

Energia

Gap de
energia

Estado
receptor
Banda de
valncia

Energia

Banda de
conduo

Banda de
conduo

Esquema da banda de energia

para um nvel de impureza
receptora localizado dentro do
gap de energia, imediatamente
acima da parte superior da banda
de valncia.

Buraco na
banda de
valncia

22

23

PROPRIEDADES ELTRICAS DOS MATERIAIS

REFERNCIAS
Callister - Captulo 19: Sees 1 a 7, 9, 10 e 11.
Leitura Adicional
9 J. F. Shackelford em Introduction to Materials Science for Engineers, 4 edio,
Prentice-Hall Inc.,1996 - Captulo 11

Dicas na rede
9No applet em http://lectureonline.cl.msu.edu/~mmp/kap18/RR447app.htm voc pode
deslocar no espao duas cargas eltricas, mudar a magnitude (intensidade e sinal) dessas
cargas e observar o efeito que essas alteraes causam nas linhas do campo eltrico por
elas produzido.
9 Em http://jas.eng.buffalo.edu (The Semiconductor Applet Service) voc encontrar
diversas simulaes do comportamento de materiais semicondutores.
9 No site http://britneyspears.ac/lasers.htm (Britney Spears guide to Semiconductor
Physics) alm de dar boas risadas, voc poder aprender muito sobre semicondutores.
Leia em particular o item: The basics of semiconductors.
9O site http://www.educypedia.be/index.htm contm dezenas de animaes sobre os
mais variados tpicos cientficos (inclusive sobre as propriedades eltricas dos materiais).

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