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TEORIA DOS SEMICONDUTORES

Dos materiais utilizados no campo da eletrnica, temos:


CONDUTOR - Material que mantm um fluxo de carga quando uma tenso, de amplitude
limitada, aplicada em seus terminais.
ISOLANTE - Material que oferece um nvel muito baixo de condutividade quando se
aplica uma fonte de tenso.
SEMICONDUTOR - Material que mantm um nvel de condutividade entre os extremos
de um isolante e um condutor.
BONS CONDUTORES - Cobre um bom condutor 29 prtons e vinte nove eltrons,
bem como ouro e prata.
Somente um eltron na ltima camada fora menor para anular a atrao do ncleo.
Bandas de Energia
Um tomo formado por eltrons que giram ao redor de um ncleo composto por prtons
e nutrons.
Os eltrons giram em rbitas ou nveis bem definidas conhecidas como K,L,M,N,O,P E Q.
Eltrons de maior energia esto situados nas rbitas mais externas.
Cada rbita possui um nmero mximo de eltrons.
Ne = 2n2
K = (n=1) = 2
L = (n=2) = 8
M = (n=3) = 18
N = (n=4) = 32

Ge
2
8
18
4
32

Modelo atmico de Bohr


rbita externa = rbita de valncia ou Banda de Valncia controla as propriedades
eltricas do tomo. Eltrons nesta banda pode se libertar ou se ligar a outro tomo atravs
de ligaes covalentes. A quantidade de eltrons nesta camada tem influencia significativa
nas caractersticas eltricas do elemento.
Eltrons livres rbita mais externa ou Banda de Conduo, qualquer tenso faz com
um eltron livre circule de um tomo para o outro.
Banda proibida regio entre uma rbita e outra onde no possvel existir eltrons. A
largura dessa banda, define o comportamento eltrico do material.

Si
2
8
4
0
14

FATORES QUE
MATERIAIS:

INFLUENCIAM

NA

DIFERENA

ENTRE

DIVERSOS

Composio qumica cobre, carbono, silcio, etc.


Ligao covalente, inica ou metlica
Forma de organizao Estrutura amorfa quando esto desorganizados
Estrutura cristalina quando esto organizados
ION POSITIVO Quando um tomo neutro perde um ou mais eltrons.
ION NEGATIVO Quando um tomo ganha eltrons ele fica negativamente carregado.
MATERIAIS SEMICONDUTORES
Os semicondutores possuem 4 eltrons na camada de valncia e precisam de mais 4 para se
tornaram estveis, e o fazem com a participao dos tomos vizinhos => todos entre si =>
formando uma ligao firme e estvel chamada de cristal.
LIGAO COVALENTE Cada tomo compartilha um par de eltrons com os vizinhos.

Obs.: Existem tambm materiais conhecidos como semicondutores III-V que so formados
a partir da ligao entre um elemento trivalente e um pentavalente. Os mais comuns so o
arseneto de glio (GaAs) e o fosfeto de ndio (InP).
O Silcio (Si) por ser o mais abundante na natureza o material mais utilizado (pode ser
obtido a partir de quartzo que encontrado na areia da praia e na terra) e portanto, mais
barato.
ESTRUTURA ATMICA DO TOMO DE SILCIO

Quando tomos de silcio se combinam para formar um slido, cada tomo cede dois
eltrons para o seu vizinho (ligao covalente), de tal forma que cada um fica com oito
eltrons na ultima camada, tonando-se, portanto estvel, segundo um padro ordenado
chamado de Cristal.
CORRENTE NOS SEMICONDUTORES
Dois tipos de fluxo de corrente quando h ruptura de uma ligao covalente em um
semicondutor, ser deixada uma lacuna na estrutura do cristal em virtude da perda de um
eltron. Como as lacunas so preenchidas por eltrons prximos, deixando em seu lugar
uma outra lacuna, o efeito total de uma unidade de carga positiva deslocando-se do
primeiro para o segundo tomo, corrente de lacunas e em sentido oposto corrente de
eltrons.
Obs.: A Energia trmica pode causar uma Corrente no cristal pela agitao dos eltrons,
quanto maior a temperatura, maior ser as vibraes mecnicas.
Corrente de deriva quando se aplica uma diferena de potencial em um semicondutor, o
campo eltrico estabelecido no material faz com que os eltrons livres desloquem-se numa
direo e as lacunas em outra oposta, essas duas componentes somam-se em vez de
cancelarem-se. Os eltrons livres e as lacunas so muitas vezes chamados de portadores.
SEMICONDUTOR INTRNSECO um semicondutor puro, ou seja, todos os tomos
do cristal so de silcio (Si), ou germnio (Ge) ou arseneto de glio (GaAs) ou fosfeto de
ndio .
Obs.: A 273oC o semicondutor intrnseco se comporta como um isolante perfeito.
SEMICONDUTOR EXTRNSICO

Forma de se aumentar a condutibilidade de um semicondutor, isso significa adicionar


impurezas aos tomos. Um condutor dopado chamado de semicondutor extrnseco.
Para aumentar o nmero de eltrons livres, adiciona-se tomos pentavalentes ao silcio em
fuso, ex.: arsnio (As), antimnio(Sb) e fsforo (P) este processo chamado de dopagem.
Por possurem eltrons livres em excesso so chamados de material tipo N.
Num material tipo N os eltrons livres so chamados de portadores majoritrios e as
lacunas de portadores minoritrios.

Tipo N

Tipo P

Para aumentarmos o nmero de lacunas, utilizamos impurezas trivalentes, cujos tomos


possuem apenas trs eltrons de valncia, ex.: alumnio (Al), boro (Bo) e glio (Ga).
Por possurem lacunas em excesso so chamados de material tipo P.
Num material tipo P as lacunas so os portadores majoritrios e os eltrons os portadores
minoritrios.
O DIODO SEMICONDUTOR JUNO PN
O diodo semicondutor formado juntando-se um bloco de material tipo P com um bloco de
material tipo N Juno PN
Diodo no polarizado No momento da juno haver uma corrente de difuso, criando
uma regio de ons negativos e positivos no combinados chamado de Regio de Depleo
e a distribuio da carga nessa rea chamado de Carga Espacial.
A largura da regio de depleo dependente dos nveis de dopagem dos materiais P e N.
O Campo eltrico que aparece na regio de depleo devido aos ons positivos e negativos
chamada de Barreira de potencial.
temperatura de 25o C, a barreira de potencial aproximadamente 0,3 V para o Ge e 0,7 V
para o Si.

Formao da Juno PN A= tomos aceitadores; h = lacunas associadas; D = tomos


doadores; e = eltrons associados; + = ons positivos e - = ons negativos.
SIMBOLOGIA
O lado P da juno PN conhecido como anodo (A) do diodo e o lado N como catodo (K).

POLARIZAO DIRETA E REVERSA DAS JUNES

Uma juno PN polarizada diretamente, os eltrons livres do lado N so atrados pelo


plo positivo da fonte externa e as lacunas so foradas a entrar na regio P. Eltrons
difundem-se pela regio de depleo e recombinam-se com as lacunas do material P. A
regio de depleo estreita-se com a polarizao direta. A tenso direta aplicada tem que ser
maior do que a diferena de potencial que aparece na juno, que para o semicondutor de
silcio, est compreendida ente 0,5 e 0,8 V (valor normalmente utilizado 0,7 V)

Uma juno PN polarizada reversamente a fonte de tenso est invertida aumentando a


barreira de potencial na juno.

Nesse tipo de polarizao, o plo positivo atrair os eltrons e o plo negativo as lacunas,
aumentando assim a barreira de potencial, no havendo, portanto conduo de corrente
eltrica devido aos portadores majoritrios, existindo apenas uma corrente devido aos
portadores minoritrios corrente de Saturao (Is), que para o Silcio da ordem de
nanoamperes (nA), tornando-se desprezvel e muito menor que a do Germnio, da o silcio
ser muito mais utilizado.
Corrente de Fuga da superfcie corrente que circula na superfcie do cristal devido as
ligaes covalente quebradas.

RUPTURA
Valor de tenso reversa que um diodo pode suportar. Ao se aumentar a tenso reversa os
portadores minoritrios so acelerados e colidem com os tomos do cristal liberando
eltrons de valencia, ou seja, produzem eltrons livres, que por sua vez colidem com outros
tomos liberando mais eltrons livres, que vo se somando aos j existentes at que a
corrente se torne muito alta e o diodo conduz intensamente. A tenso de ruptura depende do
nvel de dopagem. Diodos retificadores possuem tenso de ruptura geralmente maior que
50V.

O EFEITO ZENEER
Diodos fortemente dopados a camada de depleo muito estreita fazendo com que a
tenso de ruptura ocorra para valores de tenso mais baixos, significa dizer que a tenso
permanece constante independente da corrente (reversa) que circule por ele. Diodos que
utilizam esta propriedade so chamados de diodo Zener, muito utilizados como referencia
de tenso.
Resistor de limitao de corrente e Reta de carga

A corrente no diodo ser:


I

Vs Vd
R

R chamado de resistor de limitao de corrente, pois a corrente que circula nele a


mesma que circula no diodo.
Dissipao mxima de potncia
O produto da corrente pela tenso direta determinar a potncia mxima, no entanto, uma
vez respeitada a corrente nominal mxima o diodo no queimar.
O DIODO IDEAL
O diodo ideal funciona como uma chave.
Considerando que o diodo s conduz aps ter vencido a barreira de potencial de 0,7V.
Considerando a resistncia de corpo rB do diodo