EL TIRISTOR O SCR

El tiristor es un semiconductor slido de silicio formado por cuatro capas P y N

alternativamente, dispuesto como se ve en la figura N 24
FIGURA N 24

Los dos terminales principales son el nodo, ctodo y la circulacin de corriente directa
entre ellos esta controlado inicialmente por un electrodo de mando llamado puerta.
El SCR es un elemento unidireccional, una vez aplicada la seal de mando a la puerta el
dispositivo deja pasar una corriente que solo puede tener un nico sentido. SILICON
CONTROLLED RECTIFIER (SCR).
El dispositivo cumple varias funciones que podemos clasificar:
1.-Rectificacin.- Realiza la funcin de un diodo
2..-Interrupcin de corriente.- Usado como interruptor, el tiristor puede reemplazar a los
contactores electromecnicos.
3..-Regulacin.- La posibilidad de ajustar el momento preciso de cebado permite emplear el
SCR para gobernar la potencia o la corriente media de salida
4..-Amplificacin.- Debido a que la corriente de mando puede ser muy dbil en comparacin
con la corriente principal se produce un fenmeno de amplificacin en corriente o en
potencia.En ciertas aplicaciones esta ganancia puede ser de utilidad.

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EL TIRISTOR BAJO TENSION (EN ESTADO DE BLOQUEO)

FIGURA N 25

Si el nodo es positivo, el elemento esta polarizado directamente pero el diodo P1N2 bloquea
la tensin directa aplicada.
Si por el contrario el nodo es negativo, los diodos P2 N2 y P1 N1 tienen polarizacin
inversa .Por ser dbil la tensin inversa de P1 N1 su papel es despreciable y es P2 N2 el que
ha de limitar la corriente inversa de fuga
El tiristor es equivalente a una combinacin de dos transistores un PNP y otro NPN como se
Puede apreciar en la figura N 24
EL TIRISTOR BAJO TENSION DIRECTA
FIGURA N 26

I A I C1 I C 2 I FU
I C 1 1 I A
IC2 2 I A
I A 1 I A 2 I A I FU

IA

I FU
1 ( 1 2 )

Donde I FU es la corriente de fuga en el estado de

bloqueo directo.
Si I FU es una corriente pequea, esto implica que es mucho menor a la unidad I A I FU
Si IFU aumenta aumenta, 1 +2 (tiende a uno) y I A aumenta considerablemente y el SCR
pasa del estado de bloqueo al de conduccin. Este tipo de cebado aumentando el voltaje
aplicado entre nodo y ctodo del elemento no es aconsejable en la mayora de los casos.
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PRINCIPIO DE CEBADO POR PUERTA

El cebado por puerta es el mtodo mas usual de disparo de SCR, el razonamiento es el
siguiente:
Una vez polarizado directamente el SCR, se inyecta un impulso de corriente positivo a la
puerta del SCR. Entonces se tiene los valores:
I C 2 2 I G I B1

I C1 1 2 I G 1 I B1

Se considera dos casos:

1..-Si 1 2 es menos que uno en cuyo caso el SCR no es encendido, no se ceba
2..-Si 1 2 es mayor que uno, se inicia el proceso de amplificacin y el elemento bascula al
estado de conduccin
En cuanto es producido el cebado, la realimentacin hace que los dos transistores conducen
al estado de saturacin.
COMO PUEDE CEBARSE UN TIRISTOR
El SCR puede adoptar dos estados:
a) De bloqueo cuando esta polarizado en sentido inverso
b) De bloqueo de conduccin cuando la polarizacion es directa segn que este cebado o no.
Este ultimo caso se usa la propiedad de de los transistores de silicio que la corriente Ie al
crecer la ganancia crece o aumenta.
Entonces el concepto es usar cualquier medio eficaz de producir este aumento (Ie) de la
corriente. Los mtodos mas importantes son :
El Voltaje
Al aumentar la tensin directa entre nodo y ctodo del SCR, la corriente de fuga aumenta
de tal manera que puede producir un brusco aumento de Ie y de esa manera cebar al SCR
La derivada del Voltaje
La unin PN presenta una cierta capacidad por lo tanto si se hace crecer bruscamente la
tensin nodo ctodo del SCR, la capacidad del SCR se carga con una corriente igual a
i = c dv y si esta corriente es lo suficiente grande el SCR se cebar
dt
La temperatura
La corriente de fuga de un transistor de silicio aumenta al doble, aproximadamente cada 14 C
(al aumentar la temperatura) cuando esta corriente alcanza un valor lo suficiente grande, el
SCR es cebado
El efecto Transistor.
Esta es la forma clsica de controlar al SCR. En la puerta del SCR se inyecta la corriente
suficiente para provocar el cebado del semiconductor. Explicado en la figura N 26.
El efecto Fotoelctrico
La energa usada es luz, esta energa crea pares de electrones-huecos.En este caso se emplea
un fototiristor, que es un SCR con una ventana (lente transparente) que deja pasar la luz en la
regin de puerta

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CURVA CARACTERISTICA DEL SCR

FIGURA N 27

DEFINICION DE LOS PARAMETROS DEL SCR

1. CORRIENTE DIRECTA MEDIA IFVA
Es la mxima corriente de conduccin promedio que el dispositivo puede conducir.En otras
palabras es el valor promedio de los valores instantneos de corriente directa nodo ctodo
que puede conducir el tiristor en un intervalo de tiempo T.
2. CORRIENTE MAXIMA NO REPETITIVA IFSM
Es el valor pico de corriente que se alcanza en forma transitoria y no de modo peridica
3.CORRIENTE MAXIMA DE PUERTA (GATE) IGFS
Es el valor mximo instantneo de corriente que se aplica a la puerta
4. TENSION DIRECTA DE DISPARO VD
Es la tensin directa aplicada entre puerta y ctodo por encima de la cual se ceba el S.C.R.
5. TENSION INVERSA DE RUPTURA VRR
Es el valor de voltaje cuya magnitud daa al semiconductor
6. TENSION PERIODICA INVERSA DE BLOQUEO VRRM
El mximo voltaje inverso repetitivo que es permitido ser aplicado entre los terminales
nodo y ctodo del SCR sin causar falla al semiconductor.
7. TENSION INVERSA TRANSISTORIA VRSM
Este valor limita la tensin inversa ctodo nodo a la que puede someterse el SCR, durante
un intervalo de tiempo

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8. TENSION DIRECTA DE PICO EN BLOQUEO VFDM

Es la mxima tensin directa aplicada entre nodo y ctodo con el gate en flotacin sin que
el SCR sea activado.
9. POTENCIA TOTAL DISIPADA PTOT
Se considera todas las corrientes directas, inversa, media (IFVA, IRR) de fuga, de mando IG.
Su valor sirve para calcular el disipador de calor necesario en el montaje del semiconductor
10. POTENCIA DE PICO DE PUERTA PGFS
Corresponde al valor mximo de potencia disipada en la unin puerta ctodo, en el caso
de aplicarse una seal de disparo no continua.
11. CORRIENTE DE ENGANCHE IL
Es la corriente IA mnima que hace bascular el SCR del estado de bloqueo al estado de
conduccin .Su valor es por lo general de 2 a 3 veces la corriente de mantenimiento.
12. CORRIENTE DE MANTENIMIENTO IH
Para conservar su estado de conduccin, por el SCR debe circular una corriente de nodo
IA mnima que recibe el nombre de corriente de mantenimiento.
PROBLEMAS
1. Que condicin causara la corriente carga mayor en la figura N 28; un ngulo de retardo
de disparo de 30 o un ngulo conduccin de 60
FIGURA N 28

2. Si el ngulo de conduccin de un SCR es de 90; se desea duplicar la corriente de carga

promedio Que ngulo de conduccin nuevo ser necesario? (la fuente de voltaje es una
onda senoidal.
3.- Para la Figura N 29 se desea que el retardo del desfasaje sea de 90 A que valor debe
ajustarse R2 ?
FIGURA N 29

4. Si RL = 40 ohmios Cunto energa promedio es consumida en el SCR para el caso del

problema 3. La cada de tensin directa entre A y K en conduccin es 1.5V constante,
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considerar que la corriente de fuga es despreciable (la corriente de fuga en la mayora de los
SCR de potencia es menor a 1 mA)
5. Para el circuito de la figura N 30, en el circuito de disparo se cumple:
a) Enva un pulso de encendido a la puerta del S.C.R
b) Seis (6) milisegundos despus enva un pulso a la base del transistor
c) Se repite este ciclo a una frecuencia de 125 Hz. Se puede
1) Dibujar la forma de onda en la carga, donde: VAK=0,7V; Vsat de Q1 = 0.1V
2) Si RL = 12 Ohmios Cunta potencia promedio es entregada a la carga
FIGURA N 30

6. Analizar los siguientes circuitos de control usando SCR. Dibujar la forma de onda en RL
para cada circuito en el caso que el ngulo de conduccin sea de 135.

TIRISTOR 2N692
1)

CARACTERISTICAS TECNICAS

Voltaje pico repetitivo en el estado

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de bloque directo
Estado de bloqueo inverso
Voltaje pico no repetitivo inverso
Corriente eficaz en conduccin
(Todo el ngulo de conduccin)
Corriente promedio en conduccin
(TC = 65 C
Corriente pico no repetitivo
(Un ciclo 60 Hz)

VDRM
VRRM
VRSM
IT(RMS)

ITSM

150 AMPS

6)
7)
8)
9)

Potencia pico de puerta

Potencia promedio de puerta
Corriente pico directa de puerta
Voltaje pico de puerta directa
Inverso

PGM
PG(AV)
IGM
VFGM
VRGM

5 Watts
0.5 Watts
1.2 AMP
10 Voltios
5 Voltios

10)

Rango de operacin de la temperatura

de la unin

TG

- 65 a + 125 C

11)

Rango de Temperatura de
almacenamiento

Tstg

- 65 + 150 C

12)

Resistencia trmica de
Unin carcasa

Rojc

2 c/w

Corriente promedio del bloque

directo o inverso

ID (AV), IR(AV)

2 mA

IDRM, IRRM

10A (Tj = 25 C)
20 mA (Tj = 125C)
2 Votios

2)
3)
4)
5)

13)

IT(AV)

14)

Corriente pico de bloque

directo o inverso

15)

Voltaje pico en conduccin

ITM = 50.3 A, nodo de pulso 1msg
Ciclo til 2% (Duty cicle)

VTM

16)

Corriente continua de puerta

VAK = 12V , RL = 50 , TC = 25 C
VAK = 12V , RL = 50 , TC = 65 C

IGT
40 mA
80 mA

17)

Voltaje de puerta continuo

VAK = 12V RL = 50 , Tj = - 25 C
VAK = 12V RL = 50 , Tj = - 65 C

VGR
2V
3V

18)

Corriente de mantenimiento
VAK = 12V , puerta abierta

IH
7.3, 50 mA

800V
800V
960V
25 AMP
16 AMPS

19)

Critica velocidad de subida del

dv/dt
voltaje para el estado off
30 v/useg
1.-El Triac:
El triac es un semiconductor que tiene tres electrodos y trabaja como un interruptor
electrnico, el cual es gobernado por la corriente que le llega al electrodo puerta
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(gate).Este semiconductor se usa generalmente con voltaje alterno para controlar el

valor del voltaje eficaz que se desea que llegue a la carga elctrica. Es decir se usa para el
control de la energa elctrica en corriente alterna.
Un TRIAC puede ser considerado como dos SCR en paralelos orientados en direcciones
opuestas e integrados dentro de un chip semiconductor para proporcionar caractersticas
bidireccionales simtricas, como se muestra en la Fig. 1.
Los TRIAC tiene dos terminales principales: MT1 y MT2 y un Terminal de compuerta G.
El comportamiento conmutativo es el mismo que el de dos SCR espalda a espalda y debido a su
compleja estructura un TRIAC puede ser disparado por una seal de compuerta positiva o por
una negativa, sin importar la polaridad de voltaje a travs d e los terminales principales.
Los modos de disparo de la compuerta para el TRIAC estn descritos en la siguiente tabla. Las
polaridades estn referidas a las del Terminal MT1.
Cuadrante
QI
QII
QIII

Modo
I+
IIII+
III-

MT2
+
+
-

G
+
+
-

FIGURA N 1

Ya que la direccin de la corriente principal influye en la corriente de disparo, la sensibilidad

del disparo, es mayor en los modos de disparo I+ e III-.
2.-Control De Fase:
El control del triac se efecta en esta oportunidad usando un diac que es un dispositivo
bidireccional de dos electrodos. Este dispositivo conduce cuando se supera el voltaje de
umbral entre los electrodos.

CEBADO DEL TRIAC

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1)

EN EL PRIMER CUADRANTE ( I )
Disparo por corriente de puerta positiva VG >0 ; V2 > 0. Aqu la corriente de puerta
para el encendido es dbil, asimismo la corriente de enganche (IL) necesaria es dbil
Ejemplo (Ig = 5 mA ; IL = 20 mA)

2)

EL SEGUNDO CUADRANTE (II)

Disparo por corriente de puerta negativa ( VG < 0 y V2> 0 ) La corriente de puerta es
medianamente de valor importante. Asimismo la corriente de enganche es grande .
Ejemplo (Ig = 10 mA ; IL = 40 mA )
3)

EL TERCER CUADRANTE ( III)

Disparo por corriente de puerta negativo ( Vg< 0 , V2 < 0 ) La corriente de puerta es
medianamente grande y la corriente de enganche es dbil (Ejemplo Ig = 10 mA ; IL = 20
mA)

4)

EL CUARTO CUADRANTE ( IV )
Disparo por corriente de puerta positivo (Vg>; V2 <0. La corriente de puerta es grande y
la corriente de enganche es medianamente grande Ejemplo Ig = 15 mA , IL = 30 mA

DISPARO POR TRENES DE ONDA

Es el funcionamiento en corriente alterna para tiristores y triacs con cargas inductivos la corriente
en el elemento inductivo se desfase con el voltaje (cos de la carga aproximadamente). Puede ser
que la corriente no se anule cuando el voltaje pasa por cero y por lo tanto el impulso de disparo
que aparece en el siguiente semi ciclo encuentra el triac todava encendido.
Esto se consigue :
a) Ampliando la duracin de cada impulso
b) Enviar trenes impulsos repetitivos hasta el termino de cada semionda
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIACS
Los gobiernos o controles de tiristores y triac se puede clasificar en los siguientes modos :
1)
Circuito de mando por todo o nada (ON / OFF)
2)
Variadores de potencia por supresin de semiperiodos o de periodos enteros
3)
Variadores de potencia por actuacin sobre el ngulo de conduccin
INTERRUPTORES ALEATORIOS
Son circuitos que permiten trabajar SCR o triac como interruptores. Es decir
- Permanecen cerrados en tanto este presente una onda de cierre aplicado a la puerta del
semiconductor
- Se abre al desaparecer dicha orden.
Esta funcin es igual a la de un rele electromecnico, de ah el nombre de rele
Esttico
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
Es un transistor de efecto campo cuyo semiconductor lleva encima del oxido aislante una capa de
metal conductor
La ventaja de los mosfet de potencia se pueden enumerar :
1.

Impedancia de entrada esttica muy alta (10 Ohmios)

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2.
3.
4.
5.

a) Excitacin por voltaje de entrada

b) Potencia de entrada baja
Alta velocidad de conmutacin
a) Mnimo tiempo de apagado
Coeficiente de temperatura positiva de la resistencia en conduccin
a) Fcil para la puesta en paralelo
Alta inmunidad dv/dc
Bajo costo

CARACTERISTICAS DE LOS PARAMETROS DE LOS MOSFET

VELOCIDAD
La alta velocidad de conmutacin permite ser eficiente en conmutaciones de frecuencias muy
altas con reduccin en costos por peso y tamao de componentes reactivos.
La velocidad de conmutacin es esencialmente independiente de la temperatura de operacin
CARACTERISTICAS DE ENTRADA
La puerta de un power mosfet es elctricamente aislado de la fuente y representa una impedancia
DC mayor 40 megohmios.
Los dispositivos son completamente polarizados al estado de conduccin con un voltaje de puerta
de 10 voltios
VOLTAJE ON
El mnimo voltaje de conduccin (ON) de un mosfet de potencia es determinado por la resistencia
de conduccin DS (ON) del dispositivo.
Para dispositivo de bajo voltaje el valor rDS (ON) es bastante pequeo, pero para dispositivos de
alto voltaje el valor DS (ON) es incrementado.
El rDS (ON) tiene un coeficiente positivo con la temperatura.
EJEMPLO DE VENTAJAS DE LOS MOSFETS
CONVERTIDOR DE ALTO VOLTAJE (FLYBACK)
La resistencia en conduccin rDS (ON) es mayor que la resistencia del transistor bipolar en
conduccin.
En la regin activa la pendiente de la curva del bipolar es mas parada que la pendiente del mosfet.
Haciendo que el mosfet sea una mayor fuente de corriente
RESISTENCIA ON (rDS (ON)
Nos determina la cantidad de corriente (ID) que el dispositivo puede manejar sin exceder la
potencia de disipacin.
Cuando conmuta el mosfet de OFF a ON, la resistencia dreandor fuente cae a un valor muy alto a
uno muy bajo (rDS (ON).
Al aumentar la temperatura y al aumentar la corriente ID, la resistencia rDS (ON) aumenta
TRANSCONDUCTANCIA Gfs
Es un parmetro importante cuando el dispositivo trabaja en la zona activa o regin de corriente
constante definido
VOLTAJE DE UMBRAL VGS (th)
Es el voltaje de puerta mas bajo en el cual una cantidad pequea de corriente de drenador
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Empieza a fluir (ID = 1 mA)

CARACTERISTICAS DE PARAMETROS EN LA TEMPERATURA
1.

rDS (ON) varia linealmente con la temperatura

2.

rDS (ON) es mayor para dispositivos de alto voltaje que para los de bajo voltaje

3.

Las velocidades de conmutaciones son constantes con la variaciones de la temperatura

4.

Los transistores mosfet al incrementar la temperatura las perdidas dinmicas son bajas y
permanecen constante, en cambio en los bipolares las perdidas por conmutacin son
superiores y aumentan con el incremento de la temperatura de la unin

TRANSISTOR :

IRF 350

MOSFET

CANAL N

Voltaje de drenador a fuente

:VDSS

400V

Voltaje drenador puerta

VDGR

400 V

Voltaje puerta fuente

VGS

20 V

Corriente drenador continua

ID

15 A

Corriente drenador pulso

IDM
Total de Potencia disipada
PD
TC = 25 C
Voltaje de ruptura drenador fuente VBR DSS
VGS = 0 , ID = 0.25 mA
Corriente drenador con voltaje
De puerta cero
IDSS
Corriente directa de fuga
VGSF = 20 VDC, VDS = 0
Corriente inversa de fuga
VGSR = 20 V VDS = 0
Voltaje de umbral de puerta
VDS = VGS , ID = 0,25 mA
Resistencia esttica drenador
VGS = 10 V ID = 8 A
Corriente en el drenador en el
( VGS = 10 V); VDS 4.5 VDC
Tiempo de atraso en el encendido
VDD = 25V , ID = 8 APK, Rg = 4.7
Tiempo de atraso del apagado
Tiempo de subida
Tiempo de cada
Ancho de pulso t 300 usg
Duty cycle 2 %
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60 A
150 W
400 VAC
0.25 mA

IGSSF

100 nA

IGSSR

100 nA

VGS (th)

24V

rDS (ON)

0.3 Ohmios

ID
td (on)
td (off)
tr
tf

15 AMP
35 nsg
150 nsg
65 nsg
75 nsg

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IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Es un transistor bipolar de puerta aislada
En el mundo de los conmutadores de potencia constantemente se esta buscando un conmutador
ideal. Un conmutador total debe tener las siguientes caractersticas :
a) Resistencia infinita en el estado de apagado (OFF)
b) Resistencia cero en el estado de conduccin (ON)
c) Tiempo de conmutacin instantneos
d) Potencia de entrada cero para operar
En aplicaciones de conmutaciones real uno debe buscar el dispositivo que nos aproxime al
conmutador ideal para esa aplicacin particular.
El elegir involucra consideraciones tales como voltaje, corriente y frecuencia de conmutacin,
circuito de disparo, cargas inductivas, efectos de la temperatura, etc.
Cada dispositivo de conmutacin tiene sus ventajas y desventajas.
El diseo justamente consiste en buscar un dispositivo de conmutacin para una aplicacin
Para los conmutadores de estado solid, las tres caractersticas que son mas deseables son :
a) Una mayor velocidad de conmutacin
b) Circuito simple para el disparo del semiconductor (encendido)
c) Bajas perdidas en conduccin (ON)
En bajo voltaje, los transistores Mosfet tiene baja resistencia de conduccin (ON) y se acerca al
conmutador ideal pero en alto voltaje estos dispositivos presenta lata resistencia al encendido con
respecto a dispositivos de bajo voltaje. Esto limita la eficiencia de los mosfet.
CARACTERISTICA IMPORTANTES DEL IGBT
1.
2.
3.

Semiconductor de potencia de alto voltaje

Cada de tensin directa similar a los transistores bipolares
Mantiene la alta impedancia de entrada y rpido encendido (turn-on) asociado con la
puerta aislada de los mosfet
4.
A pesar que la velocidad de encendido (turn-on) es bastante rpido, no as es el tiempo
de apagado (la corriente disminuye en un tiempo aproximado de 4 sg. Es decir que
el tiempo de bajada es muy lento. Esto origina que solo se use para aplicaciones de
baja frecuencia. Suele ser menor a 10 KHZ
Comparando el IGBT con el tiristor, el IGBT es mas rpido y tiene alta impedancia de entrada,
mejor inmunidad al dv /dt y sobre todo capacidad de apagado (turn- off) por la puesta del
semiconductor. Contrariamente los SCR tienen una cada directa ligeramente menor que los IGBT
tambin la corriente accidental mxima, es decir la corriente aleatoria no repetitiva es mayor en los
SCR que los IGBT
Los transistores bipolares para manejar una corriente en el colector de 10 Amperios, requieren una
corriente en la base por ejemplo de 2 Amperios mientras que los IGBT requiere una corriente de
nano amperios en la puesta para mantener en conduccin al dispositivo.
En conclusin los IGBT se usan para aplicaciones de alto voltaje, alta corriente y baja frecuencia
IGBT SEMIKRON: SKM 25GAL 100D
1.

VCES

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1000V
Pgina 12

2.
3.
4.
5.
6.
7.
8
9.
10.

VCGR RGE = 20 K
IC Tcase 70 C
ICM Tcase 70 C
VGES
Ptot Tcase 25 C
IF Diodo Inverso Tcase 70 C
IFM Tcase 70 C

1000V
25 AMP
50 AMP
20V
225 W
25 AMP
50 AMP

ICES VGE = 0V T = 25 C
0.75 Ma
VCE = 1000v
IGES VGE = 20V, VCE = 0V
100 Na
VCE Sat VGE = 15V, IC = 15A
3.5V
Cies VGE = 0, VCE = 25V
8 PF
F = 1 Mhz
Td (on) VCC = 600v
60 ng
IC = 25 A
Tiempo de retardo Rgon = Rgoff = 3.3
Al cierre
TJ = 125 C
Tr
Tiempo de subida
250 ng
Tf
Tiempo de bajada
300 ng
Diodo Inverso
UEC
IF = 50 A
1,7V
VGE = 0 (I = 125 C)
RECTIFICADORES SEMIKRON DIODO SKN60F , SKR60F
Tension Inversa de Pico
VRRM Repetitiva
Corriente Directa RMS
IFRMS
IFVA
Trr
Corriente Directa Promedio
IFVA
IFSM Corriente Directa
Transistoria
IR
VF
Rthjc
Rthca

1200V
1200V
75 AMP (Tc = 85
750 nsg Tiempo de recuperacin inversa
60 AMP (Tc = 100 1 , f = 1000 Hz
1400 AM (Tc = 25 C

0.4 mA
(T = 25 C) VR = VRRM
69 mA
(T = 150C) VR = VRRM
Tension Directa
1.75V
(T = 25 C) IF = 150 A
0.5 C /W Resistencia trmica unin - encapsulado
0.25 C/W Resistencia Trmica ambiente encapsulado radiador

DIODO EN EL ESTADO DE BLOQUEO

TENSION INVERSA DE TRABAJO :
Puede ser separada por el diodo de forma continua sin peligro de calentamiento por avalancha
TENSION INVERSA DE PICO REPETITIVO :
Puede ser soportado en picos de 1 msg repetidos cada 10 mg por tiempo indefinido
TENSION INVERSA DE PICO UNICO :
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Puede ser soportada por una sola vez cada 10 minutos o mas, con duracin de pico de 10 msg
TENSION DE RUPTURA
Si es alcanzada, aunque sea por una sola vez y con duracin de 10 mg o menos el diodo puede
detenerse o al menos degradar sus caractersticas elctricas

DIODOS EN EL ESTADO DE CONDUCCION

INTENSIDAD MEDIA NOMINAL :
Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que el diodo pueda
soportar con la capsula mantenida a determinada temperatura (110 C normalmente)
INTENSIDAD DE PICO REPETITIVO. Puede ser soportada cada 20 mg por tiempo
indefinido, con duracin de pico de 1 mg a determinada temperatura de la capsula
INTENSIDAD DE PICO UNICO
Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o mas con duracin
del pico de 10 msg
ASOCIACION DE SEMICONDUCTORES
Cuando las exigencias de tensin de un circuito de electrnica de potencia exceden las
posibilidades de los semiconductores comercialmente disponibles, es necesario recurrir a la
conexin serie de los componentes. Si exceden las posibilidades de intensidad, hay que
recurrir a la conexin en paralelo
CONEXIN SERIE
En la conexin serie el diodo de menor intensidad de fuga tiende a soportar la mayor tensin
inversa y viceversa con peligro de que en algn diodo se sobrepase la tensin inversa
permitida.
Una solucin sencilla consiste en conectar en paralelo con cada diodo una resistencia elevada
R que tiende a igualar la resistencia equivalente del conjunto diodo-resistencia para ecualizar
las tensiones soportadas.

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