Historia de la informtica

ENIAC ('ini.k o ni.k), un acrnimo

de Electronic Numerical IntegratorAnd Computer (Computador e Integrador Numrico
Electrnico),1 2 3 fue la primera computadora de propsitos generales. Era Turingcompleta,digital, y susceptible de ser reprogramada para resolver una extensa clase de
problemas numricos.4 5 Fue inicialmente diseada para calcular tablas de
tiro de artillera para el Laboratorio de Investigacin Balstica del Ejrcito de los Estados
Unidos.6 7
ndice
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1 Modalidad

2 Fiabilidad

3 Prestaciones

4 Las programadoras de ENIAC

5 Vase tambin

6 Referencias

7 Bibliografa

8 Enlaces externos

Modalidad[editar]
Se ha considerado a menudo la primera computadora de propsito general, aunque este
ttulo pertenece en realidad a la computadora alemana Z1. Adems est relacionada con
el Colossus, que se us para descifrar cdigo alemn durante la Segunda Guerra
Mundial y destruido tras su uso para evitar dejar pruebas, siendo recientemente restaurada
para un museo britnico. Era totalmente digital, es decir, que ejecutaba sus procesos y
operaciones mediante instrucciones en lenguaje mquina, a diferencia de otras mquinas
computadoras contemporneas de procesos analgicos. Presentada en pblico el 15 de
febrero de 1946.
La ENIAC fue construida en la Universidad de Pensilvania por John Presper Eckert y John
William Mauchly, ocupaba una superficie de 167 m y operaba con un total de 17 468
vlvulas electrnicas o tubos de vaco que a su vez permitan realizar cerca de 5000
sumas y 300 multiplicaciones por segundo. Fsicamente, la ENIAC tena 17 468 tubos de
vaco, 7200 diodos de cristal, 1500 rels, 70 000 resistencias, 10 000 condensadores y
cinco millones de soldaduras. Pesaba 27 Toneladas, meda 2,4 m x 0,9 m x 30 m; utilizaba
1500 conmutadores electromagnticos y rels; requera la operacin manual de unos 6000
interruptores, y su programa o software, cuando requera modificaciones, demoraba
semanas de instalacin manual.8
La ENIAC elevaba la temperatura del local a 50 C. Para efectuar las diferentes
operaciones era preciso cambiar, conectar y reconectar los cables como se haca, en esa
poca, en las centrales telefnicas, de all el concepto. Este trabajo poda demorar varios
das dependiendo del clculo a realizar.
Uno de los mitos que rodea a este aparato es que la ciudad de Filadelfia, donde se
encontraba instalada, sufra de apagones cuando la ENIAC entraba en funcionamiento,
pues su consumo era de 160 kW.
A las 23:45 del 2 de octubre de 1955, la ENIAC fue desactivada para siempre.

Fiabilidad[editar]
ENIAC utilizaba vlvulas termoinicas de base octal, comunes en su poca; los
acumuladores decimales se hacan con vlvulas 6SN7, mientras que las
vlvulas 6L7, 6SJ7, 6SA7 y 6AC7 se usaban para funciones lgicas. Numerosas
vlvulas6L6 y 6V6 se usaron como guiadoras de impulsos entre los cables que conectaban
cada rack del ENIAC.
Algunos expertos electrnicos predijeron que las vlvulas se estropearan con tanta
frecuencia que la mquina nunca llegara a ser til. Esta prediccin lleg a ser
parcialmente correcta: varias vlvulas se fundan casi todos los das, dejando ENIAC no
operativa sobre media hora. Las vlvulas de fabricacin especial para durar largas
temporadas sin deteriorarse no estuvieron disponibles hasta 1948. La mayora de estos

fallos ocurran siempre durante los periodos de encendidos o apagados de ENIAC, cuando
los filamentos de las vlvulas y sus ctodos estaban bajo estrs trmico. Con la simple
pero costosa accin de nunca apagar ENIAC, los ingenieros redujeron los fallos de
vlvulas del ENIAC a la ms que aceptable cifra de una vlvula cada dos das. De acuerdo
con una entrevista en 1989 a Eckert, el fallo continuo de las vlvulas es un mito: "Nos
fallaba una vlvula aproximadamente cada dos das y conseguamos averiguar el
problema en menos de 15 minutos".9 En 1954, el periodo ms largo de operacin de
ENIAC sin un fallo fue de 116 horas (cerca de cinco das).

Prestaciones[editar]
La computadora poda calcular trayectorias de proyectiles, lo cual fue el objetivo primario al
construirla. En 1,5 segundos era posible calcular la potencia 5000 de un nmero de hasta
5 cifras.
La ENIAC poda resolver 5000 sumas y 300 multiplicaciones en 1 segundo.

Las programadoras de ENIAC[editar]

Las programadoras Jean Jennings Bartik (izquierda) yFrances Bilas Spence (derecha) operando el
panel de control principal de la ENIAC en el Moore School of Electrical Engineering.

Si bien fueron los ingenieros de ENIAC, Mauchly y Eckert, los que pasaron a la historia,
hubo seis mujeres que se ocuparon de programar la ENIAC, cuya historia ha sido
silenciada a lo largo de los aos y recuperada en las ltimas dcadas. Clasificadas
entonces como "subprofesionales", posiblemente por una cuestin de gnero o para
reducir los costos laborales, este equipo de programadoras destacaba por sus habilidades
matemticas y lgicas y trabajaron inventando la programacin a medida que la
realizaban. Betty Snyder Holberton, Jean Jennings Bartik, Kathleen McNulty Mauchly
Antonelli, Marlyn Wescoff Meltzer, Ruth Lichterman Teitelbaum yFrances Bilas
Spence prcticamente no aparecen en los libros de historia de la computacin, mas
dedicaron largas jornadas a trabajar con la mquina, utilizada principalmente para clculos
de trayectoria balstica y ecuaciones diferenciales, contribuyendo al desarrollo de la
programacin de computadoras. Cuando la ENIAC se convirti luego en una mquina
legendaria, sus ingenieros se hicieron famosos, mientras que nunca se le otorg crdito
alguno a estas seis mujeres que se ocuparon de la programacin.
Muchos registros de fotos de la poca muestran la ENIAC con mujeres de pie frente a ella.
Hasta la dcada del 80, se dijo incluso que ellas eran slo modelos que posaban junto a la

mquina ("Refrigerator ladies"). Sin embargo, estas mujeres sentaron las bases para que
la programacin fuera sencilla y accesible para todos, crearon el primer set de rutinas, las
primeras aplicaciones de software y las primeras clases en programacin. Su trabajo
modific drsticamente la evolucin de la programacin entre las dcadas del 40 y el 50.

Transistor
Transistor

El tamao de un transistor guarda relacin con la potencia que es

capaz de manejar.

Tipo

Semiconductor

Smbolo electrnico

Configuracin

Emisor, base y colector

[editar datos en Wikidata]

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal

de salida en respuesta a una seal de entrada.1Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor(resistor de transferencia). Actualmente se
encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso
diario: radios, televisores,reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, entre
otros.
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1 Historia

2 Tipos de transistor
o

2.1 Transistor de contacto puntual

2.2 Transistor de unin bipolar

2.3 Transistor de efecto de campo

2.4 Fototransistor

3 Transistores y electrnica de potencia

4 El transistor bipolar como amplificador

o

4.1 Emisor comn

4.2 Base comn

4.3 Colector comn

5 El transistor bipolar frente a la vlvula termoinica

6 Vase tambin

7 Referencias

8 Enlaces externos

Historia[editar]
Artculo principal: Historia del transistor

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre
de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain yWilliam Bradford Shockley, quienes
fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de lavlvula
termoinica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto campo fue patentado antes que el transistor BJT (en 1930), pero no
se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados
transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente
(source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo elctrico establecido en el
canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xidoSemiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto,
necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS
(Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET
(MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca
corriente en un funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente
(contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos
uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado
por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los
transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de
los resistores,condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento
slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs
de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que
circule la carga por el colector, segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de

amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se

denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares
de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor,
de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias
tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin
Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son
emisor comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal
de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el
terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada la conductancia del canal entre
los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta y Fuente, es el
campo elctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la
fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje
(D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente
(Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los
equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a gran escala
disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tipos de transistor[editar]

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual[editar]

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se
basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas
se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda.
En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar[editar]

Artculo principal: Transistor de unin bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction transistor) se
fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio oArseniuro de galio, que
tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como
los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan
en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N alArsnico (As)
o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado
que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin
(difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Transistor de efecto de campo[editar]

El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o
P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor
de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno
de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva
entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente
en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la

compuerta se asla del canal mediante undielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor[editar]
Artculo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas

a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la
luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Transistores y electrnica de potencia[editar]

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha
permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores
son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de
alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la
amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

Circuito integrado

Circuitos integrados de memoria con una ventana de cristal de cuarzo que posibilita su borrado
mediante radiacin ultravioleta.

Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip omicrochip, es una estructura
de pequeas dimensiones de materialsemiconductor, de algunos milmetros cuadrados
de rea, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos generalmente
mediante fotolitografay que est protegida dentro de un encapsulado de plstico
o cermica. El encapsulado posee conductores metlicos apropiados para hacer conexin
entre el CI y un circuito impreso.
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1 Historia

2 Popularidad

3 Tipos

4 Clasificacin

5 Limitaciones de los circuitos integrados

o

5.1 Disipacin de potencia

5.2 Capacidades y autoinducciones parsitas

5.3 Lmites en los componentes

5.4 Densidad de integracin

6 Vase tambin

7 Referencias

8 Enlaces externos

Historia[editar]

Geoffrey Dummer en los aos 1950.

En abril de 1949, el ingeniero alemn Werner Jacobi1 (Siemens AG) completa la primera
solicitud de patente para circuitos integrados con dispositivos amplificadores
de semiconductores. Jacobi realiz una tpica aplicacin industrial para su patente, la cual
no fue registrada.
Ms tarde, la integracin de circuitos fue conceptualizada por el cientfico de
radares Geoffrey Dummer (1909-2002), que estaba trabajando para la Royal Radar
Establishment del Ministerio de Defensa Britnico, a finales de la dcada de 1940 y
principios de la dcada de 1950.
El primer circuito integrado fue desarrollado en 1959 por el ingeniero Jack S. Kilby1(19232005) pocos meses despus de haber sido contratado por la firma Texas Instruments. Se
trataba de un dispositivo de germanio que integraba seistransistores en una misma base
semiconductora para formar un oscilador de rotacin de fase.
En el ao 1990 Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica por la enorme
contribucin de su invento al desarrollo de la tecnologa.2

Robert Noyce desarroll su propio circuito integrado, que patent unos seis meses
despus. Adems resolvi algunos problemas prcticos que posea el circuito de Kilby,
como el de la interconexin de todos los componentes; al simplificar la estructura del chip
mediante la adicin demetal en una capa final y la eliminacin de algunas de las
conexiones, el circuito integrado se hizo ms adecuado para su produccin en masa.
Adems de ser uno de los pioneros del circuito integrado, Robert Noyce tambin fue uno
de los co-fundadores de Intel Corporation, uno de los mayores fabricantes de circuitos
integrados del mundo.3
Los circuitos integrados se encuentran en todos los aparatos electrnicos modernos, tales
como relojes, automviles, televisores, reproductores MP3, telfonos mviles,
computadoras, equipos mdicos, etc.
El desarrollo de los circuitos integrados fue posible gracias a descubrimientos
experimentales que demostraron que lossemiconductor, particularmente los transistores,
pueden realizar algunas de las funciones de las vlvulas de vaco.
La integracin de grandes cantidades de diminutos transistores en pequeos chips fue un
enorme avance sobre el ensamblaje manual de los tubos de vaco (vlvulas) y en la
fabricacin de circuitos electrnicos utilizando componentes discretos.
La capacidad de produccin masiva de circuitos integrados, su confiabilidad y la facilidad
de agregarles complejidad, llev a su estandarizacin, reemplazando circuitos completos
con diseos que utilizaban transistores discretos, y adems, llevando rpidamente a la
obsolescencia a las vlvulas o tubos de vaco.
Son tres las ventajas ms importantes que tienen los circuitos integrados sobre los
circuitos electrnicos construidos con componentes discretos: su menor costo; su
mayor eficiencia energtica y su reducido tamao. El bajo costo es debido a que los CI son
fabricados siendo impresos como una sola pieza por fotolitografa a partir de una oblea,
generalmente desilicio, permitiendo la produccin en cadena de grandes cantidades, con
una muy baja tasa de defectos. La elevada eficiencia se debe a que, dada la
miniaturizacin de todos sus componentes, el consumo de energa es considerablemente
menor, a iguales condiciones de funcionamiento que un circuito electrnico homlogo
fabricado con componentes discretos. Finalmente, el ms notable atributo, es su reducido
tamao en relacin a los circuitos discretos; para ilustrar esto: un circuito integrado puede
contener desde miles hasta varios millones de transistores en unos pocos milmetros
cuadrados4 .
Los avances que hicieron posible el circuito integrado han sido, fundamentalmente, los
desarrollos en la fabricacin de dispositivos semiconductores a mediados del siglo XX y los
descubrimientos experimentales que mostraron que estos dispositivos podan reemplazar
las funciones de las vlvulas o tubos de vaco, que se volvieron rpidamente obsoletos al
no poder competir con el pequeo tamao, el consumo de energa moderado, los tiempos
de conmutacin mnimos, la confiabilidad, la capacidad de produccin en masa y la
versatilidad de los CI.5
Entre los circuitos integrados ms complejos y avanzados se encuentran
los microprocesadores, que controlan numerosos aparatos, desde telfonos
mviles y hornos a microondas hasta computadoras. Los chips de memorias digitales son
otra familia de circuitos integrados, de importancia crucial para la moderna sociedad de la
informacin. Mientras que el costo de disear y desarrollar un circuito integrado complejo
es bastante alto, cuando se reparte entre millones de unidades de produccin, el costo

individual de los CIs por lo general se reduce al mnimo. La eficiencia de los CI es alta
debido a que el pequeo tamao de los chips permite cortas conexiones que posibilitan la
utilizacin de lgica de bajo consumo (como es el caso de CMOS), y con altas velocidades
de conmutacin.
A medida que transcurren los aos, los circuitos integrados van evolucionando: se fabrican
en tamaos cada vez ms pequeos, con mejores caractersticas y prestaciones, mejoran
su eficiencia y su eficacia, y se permite as que mayor cantidad de elementos sean
empaquetados (integrados) en un mismo chip (vase la ley de Moore). Al tiempo que el
tamao se reduce, otras cualidades tambin mejoran (el costo y el consumo de energa
disminuyen, y a la vez aumenta el rendimiento). Aunque estas ganancias son
aparentemente para el usuario final, existe una feroz competencia entre los fabricantes
para utilizar geometras cada vez ms delgadas. Este proceso, y lo esperado para los
prximos aos, est muy bien descrito por la International Technology Roadmap for
Semiconductors. 6

Popularidad[editar]
Slo ha trascurrido medio siglo desde que se inici su desarrollo y los circuitos integrados
se han vuelto casi omnipresentes. Computadoras, telfonos mviles y otras aplicaciones
digitales son ahora partes de las sociedades modernas. La informtica,
las comunicaciones, la manufactura y los sistemas de transporte, incluyendo Internet,
todos dependen de la existencia de los circuitos integrados. De hecho, muchos estudiosos
piensan que la revolucin digital causada por los circuitos integrados es uno de los
sucesos ms significativos de la historia de la humanidad.7

Tipos[editar]
Existen al menos tres tipos de circuitos integrados:

Circuitos monolticos: Estn fabricados en un solo monocristal, habitualmente

de silicio, pero tambin existen engermanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc.

Circuitos hbridos de capa fina: Son muy similares a los circuitos monolticos,
pero, adems, contienen componentes difciles de fabricar con tecnologa monoltica.
Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en tecnologa hbrida hasta
que los progresos en la tecnologa permitieron fabricar resistencias precisas.

Circuitos hbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos

monolticos. De hecho suelen contener circuitos monolticos sin
cpsula, transistores, diodos, etc, sobre un sustrato dielctrico, interconectados con
pistas conductoras. Las resistencias se depositan por serigrafa y se ajustan
hacindoles cortes con lser. Todo ello se encapsula, en cpsulas plsticas o
metlicas, dependiendo de la disipacin de energa calrica requerida. En muchos
casos, la cpsula no est "moldeada", sino que simplemente se cubre el circuito con
una resina epoxi para protegerlo. En el mercado se encuentran circuitos hbridos para

aplicaciones en mdulos de radio frecuencia (RF), fuentes de alimentacin, circuitos

de encendido para automvil, etc.

Clasificacin[editar]
Atendiendo al nivel de integracin -nmero de componentes- los circuitos integrados se
pueden clasificar en:

SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel: de 10 a 100 transistores

MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a 1.000 transistores

LSI (Large Scale Integration) grande: 1.001 a 10.000 transistores

VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10.001 a 100.000 transistores

ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: 100.001 a 1.000.000 transistores

GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande: ms de un milln de transistores

En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en dos grandes grupos:
Circuitos integrados analgicos.
Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unin entre
ellos, hasta circuitos completos y funcionales, como amplificadores, osciladores o
incluso receptores de radio completos.
Circuitos integrados digitales.
Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (AND, OR, NOT) hasta los ms
complicados microprocesadores omicrocontroladores.
Algunos son diseados y fabricados para cumplir una funcin especfica dentro de
un sistema mayor y ms complejo.
En general, la fabricacin de los CI es compleja ya que tienen una alta integracin
de componentes en un espacio muy reducido, de forma que llegan a ser
microscpicos. Sin embargo, permiten grandes simplificaciones con respecto a los
antiguos circuitos, adems de un montaje ms eficaz y rpido.

Limitaciones de los circuitos integrados[editar]

Existen ciertos lmites fsicos y econmicos al desarrollo de los circuitos
integrados. Bsicamente, son barreras que se van alejando al mejorar
la tecnologa, pero no desaparecen. Las principales son:

Disipacin de potencia[editar]
Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el nmero de componentes
integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipacin de
esta potencia, tambin crecen, calentando el sustrato y degradando el
comportamiento del dispositivo. Adems, en muchos casos es un sistema
de realimentacin positiva, de modo que cuanto mayor sea la temperatura, ms
corriente conducen, fenmeno que se suele llamar "embalamiento trmico" y,
que si no se evita, llega a destruir el dispositivo. Los amplificadores de audio y los
reguladores de tensin son proclives a este fenmeno, por lo que suelen
incorporar protecciones trmicas.
Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que ms energa deben disipar.
Para ello su cpsula contiene partes metlicas, en contacto con la parte inferior del
chip, que sirven de conducto trmico para transferir el calor del chip al disipador o
al ambiente. La reduccin de resistividad trmica de este conducto, as como de
las nuevas cpsulas de compuestos de silicona, permiten mayores disipaciones
con cpsulas ms pequeas.
Los circuitos digitales resuelven el problema reduciendo la tensin de alimentacin
y utilizando tecnologas de bajo consumo, como CMOS. An as en los circuitos
con ms densidad de integracin y elevadas velocidades, la disipacin es uno de
los mayores problemas, llegndose a utilizar experimentalmente ciertos tipos de
criostatos. Precisamente la alta resistividad trmica del arseniuro de galio es
su taln de Aquiles para realizar circuitos digitales con l.

Capacidades y autoinducciones parsitas[editar]

Este efecto se refiere principalmente a las conexiones elctricas entre el chip, la
cpsula y el circuito donde va montada, limitando su frecuencia de funcionamiento.
Con pastillas ms pequeas se reduce la capacidad y la autoinduccin de ellas.
En los circuitos digitales excitadores de buses, generadores de reloj, etc, es
importante mantener la impedancia de las lneas y, todava ms, en los circuitos
de radio y de microondas.

Lmites en los componentes[editar]

Los componentes disponibles para integrar tienen ciertas limitaciones, que difieren
de sus contrapartidas discretas.

Resistores. Son indeseables por necesitar una gran cantidad de superficie.

Por ello slo se usan valores reducidos y en tecnologas MOS se eliminan casi
totalmente.

Condensadores. Slo son posibles valores muy reducidos y a costa de mucha

superficie. Como ejemplo, en el amplificador operacional A741, el
condensador de estabilizacin viene a ocupar un cuarto del chip.

Inductores. Se usan comnmente en circuitos de radiofrecuencia, siendo

hbridos muchas veces. En general no se integran.

Densidad de integracin[editar]
Durante el proceso de fabricacin de los circuitos integrados se van acumulando
los defectos, de modo que cierto nmero de componentes del circuito final no
funcionan correctamente. Cuando el chip integra un nmero mayor de
componentes, estos componentes defectuosos disminuyen la proporcin de chips
funcionales. Es por ello que en circuitos de memorias, por ejemplo, donde existen
millones de transistores, se fabrican ms de los necesarios, de manera que se
puede variar la interconexin final para obtener la organizacin especificada.