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1. Estrutura do MOSFET
composto de uma placa condutora, um isolante e silcio dopado. Essa
estrutura funciona como um capacitor, ao se aplicar uma ddp, cargas vo se
depositando nas placas de acordo com a equao para o capacitor Q = CV.
Aplicando outra ddp no silcio dopado, onde se alojou cargas, faz com que
essas cargas se movam criando uma corrente eltrica que controlada pela
tenso entre a placa condutora e o silcio dopado.
Smbolo:
3. Estrangulamento do canal
Quando a corrente de dreno alta o bastante para produzir Vg Vd < ou = Vth,
o canal deixa de existir nas proximidades do dreno, provocando uma reduao
na largura do canal, acarretando entao um aumento da resistencia. essa
ocorrencia diz-se que o canal sofreu estrangulamento.
4. Comportamento do CMOS
Grfico Id x Vd
Grafico Id x Vg
5. Corrente de dreno
A corrente de eltrons flui da fonte para o dreno atravs de um canal,
sendo que a espessura deste canal, e consequentemente sua
resistncia, depende da regio de depleo formada entre o gate e a
source. A corrente depende tanto de Vgs quanto de Vds.Essa corrente
chamada de corrente de dreno.
Como podemos ver , os graficos Ic x Vbe para bipolar e Id x Vds para MOSFET
tem uma certa diferena, visto que as concavidades das curvas so diferentes.
Se Vds << 2(Vgs - Vth) o transistor pode ser visto como um resistor controlado
por tensao. Essa regiao chamada de regiao de triodo forte.
8. Transcondutancia MOS
A transcondutancia MOS uma medida da fora do transistor. Quando a
transcondutancia tem um valor maior, gera uma maior alteraao na corrente de
dreno.
Quando Vds < Vgs Vth , o modelo na regiao de triodo mas ainda tem uma
fonte de corrente controlada por tensao.