UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

FACULTAD DE TECNOLOGA
INGENIERIA MECATRNICA
CAMPUS TIQUIPAYA

Evaluacin

ELECTRONICA BASICA II
Informe de Practica de Laboratorio
N 4
RESPUESTA EN BAJA
FRECUENCIA DE
AMPLIFICADORES
Grupo C
Estudiante: Estela Albarracn
Carmona
Docente: Ing. Elas Chavez
Cochabamba 25 de Abril del 2015
Gestin I 2015
RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES

1. OBJETIVO
a) Objetivo general
Disear circuitos amplificadores con transistores para diferentes frecuencias de
corte inferior en la magnitud de ganancia de voltaje en la electrnica bsica.

Interpretar los efectos que causan en el comportamiento del amplificador en

bajas frecuencias los capacitores externos, de paso y de acople. 3

2.- MARCO TERICO

La respuesta en frecuencia en los amplificadores establece el rango en el cual trabajar el
sistema sin distorsionar la seal. Este se conoce como ancho de banda (BW, Band Width) y
determina las frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplificacin. El valor
de este parmetro depende de los dispositivos y de la configuracin amplificadora. En los
siguientes apartados, se describen las zonas de trabajo de un amplificador, se analiza la
respuesta en frecuencia de configuraciones bsicas y se plantea una metodologa que
permite determinar el ancho de banda para un amplificador multietapa.
Respuesta en frecuencia y modelos La respuesta en frecuencia de un amplificador tiene tres
reas: La regin de baja frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasaalto Una
regin independiente de la frecuencia (rea central de la curva) La regin de alta
frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasabajos
La regin de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de corte inferior fL ( L), la
regin de alta frecuencia se describe a travs de la frecuencia de corte superior, fH ( H).
Se define ancho de banda como BW = fH fL
En la prctica, si los circuitos son acoplados directamente, BW = fH. Para determinar la
respuesta en frecuencia de un amplificador monoetapa, se consideran tanto los efectos

producidos por los condesadores de acoplo, como los efectos capacitivos del dispositivo
activo. Para el BJT se debe usar un modelo que describa los efectos de alta frecuencia, ste
se conoce como modelo hbrido . A. Modelo hbrido La red de la Fig. 2, corresponde al
modelo de alta frecuencia del BJT, donde C, es la suma de la capacitancia de difusin en
el emisor y la capacitancia de la unin en el emisor [Savant], debido a que el primero es
mayor se considera casi igual a la capacitancia de difusin. C, es la capacidad de union del
colector, rx ( rb) representa un efecto resistivo parsito de contacto (llamada resistencia de
difusin de la base), r, equivale a la resistencia de la base.
Los parmetros C y C , son llamados Cbe y Cbc respectivamente y en las hojas de
especificacin de transistores aparecen como Cib (capacitancia de entrada en base comun)
y Cob [Horenstein] (Capacitancia de salida en la con- figuracin base comn)
respectivamente. El modelo puede ser completado usando un resistor ro en paralelo con la
fuente de corriente. El parmetro gm, se conoce como transconductancia y se define en
trminos de los parmetros de polarizacin como gm = IC VT y en trminos de hf e se tiene
que gm = hfe r . B. Modelo de alta frecuencia del FET El modelo de alta frecuencia del
FET se indica en la Fig. 3, ste describe tanto el JFET como el MOSFET canal n. Por lo
general, las capacidades indicadas tienen un valor bajo en pF.
Las capacidades Cgs y Cgd, representan las capacidades distribuidas que atraviesan el
xido entre la puerta y el canal [Malik]. En el JFET representan las capacidades de
deplexin. El modelo se mejora agregando un resistor ro en la salida (rds).

3.- MATERIALES Y EQUIPO

1 Generador de seal
1 Fuente de alimentacin
1 Osciloscopio
1 Breadboard

 Resistencias diseo
Condensadores de diseo
Transistores de diseo, PN2222

4.- PROCEDIMIENTO
PARTE 1:
ARME EL CIRCUITO: Medir la corriente y voltaje del punto de operacin y compararlas
con los calculados en forma terica.

Conecte el generador de seales a la entrada del amplificador, a una frecuencia de 10KHz,

mida la ganancia de voltaje del amplificador y compare con los resultados calculados y
simulados

Mida la frecuencia de corte del amplificador

Retire el capacitor CE, conecte el generador de seales a la entrada del amplificador, a una
frecuencia de 10KHz, mida la ganancia de voltaje del amplificador y compare con los
resultados calculados y simulados

Mida la frecuencia de corte del amplificador

5.- DATOS
Con CE

CH1:
V PP =64 mV
V max =32 mV
CH2:
V PP =6.16 V
V max =3.28 V

Sin CE

CH1:
V PP =69.6 mV
V max =34.4 mV
CH2:
V PP =464 mV
V max =236 mV

6.- CLCULOS Y GRFICOS

Con CE

Sin CE

7.-CUESTIONARIO
1.- En el informe dibujar el diagrama de Bode de la respuesta en frecuencia y
ubicar la frecuencia de corte inferior, para ambos casos.
R.- Basandonos en la siguiente tabla de conersiones:

Para Av=-10: fl/f=20 dB

AdB(log10)
25
20
15

AdB(LOG10)

10
5
0
0

100

200

300

400

500

600

700

Calculados:
Fc1= 6Hz
Fc2= 6Hz
Fce= 600 Hz
Fc= 612 Hz
FL=12Hz
Simulado:
FL=9 Hz

2.- En base al diagrama obtenido en funcin de la frecuencia, explicar el

comportamiento del amplificador en las dos regiones mostradas.
R.- Al representar la funcin de transferencia en el diagrama de bode anteriormente,
podemos decir que durante el anlisis en baja frecuencia, sucede que la ganancia va
aumentando logartmicamente debido a la frmula de la funcin, siguiendo el
comportamiento normal de un amplificador, hasta que llega a un punto de estabilidad en
frecuencia media, donde la ganancia se mantiene constante hasta cierto rango, Son los
condensadores extremo de acoplo y desacoplo aquellos que fijan la frecuencia de corte
inferior.

8.- CONCLUSIONES
De acuerdo con las mediciones realizadas en los voltajes y corrientes, podemos observar
que fueron las esperadas, con un rango mnimo de error el cual se encuentra dentro del
rango de las tolerancias. Por lo cual podemos concluir que las conexiones de los circuitos,
las mediciones respectivas y lo clculos fueron correctos. Tambin podemos concluir que
los objetivos propuestos para el laboratorio fueron cumplidos satisfactoriamente, y que se
lograron los propsitos planteados.

9.- RECOMENDACIONES

Se recomienda tener especial cuidado al hacer las conexiones en el circuito, para evitar un
mal uso del material y resultados incorrectos. Tambin leer con atencin el cdigo de
colores en las resistencias, para saber bien con lo que se est trabajando y poder anticipar
los resultados para calcular la exactitud experimental. Se recomienda al momento de
utilizar el multmetro que ste est conectado correctamente y ajustado en una escala
apropiada para la cantidad de corriente que se medir. Adems asegurarse de identificar
correctamente los terminales del transistor y conocer su datasheet para asegurar una
conexin correcta del circuito.

10.- BIBLIOGRAFA
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/ieeerf03.pdf
http://coit.es/foro/pub/ficheros/libros05._el_amplificador_de_baja_frecuencia_b547e8a6.pd
f
http://ocw.uc3m.es/tecnologia-electronica/componentes-y-circuitos-electronicos/materialde-clase-1/tema-iii/OCWCCE_S19_Respuesta_en_frecuencia_de_amplificadores_con_transistores.pdf
http://electronicavm.net/2011/03/10/amplificador-de-baja-frecuencia-completo/