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INTRODUCCIN
U4
Conceptos:
Fig. 2 fototransistor
Fig.3 smbolo fototransistor
Tomado de: http://www.freepik.es/
Vin
V+
OS2
OS1
6 Vout
Ganancia.
V-
OUT
2
LM741
5
VDD
R2
R1
Fig.1 reflexin.
Tomado de: https://sites.google.com
Rayos infrarrojos: onda de radiacin electromagntica con
frecuencia entre 300GHz y 380GHz, fuera del espectro
visible, no logran atravesar objetos slidos, en
comunicaciones son tiles a cortas distancias.
V1
5V
Planteamiento
El proyecto consiste en crear un sistema ordenado de diodos
leds que al pasar un objeto sobre ellos prendan cuando estn a
determinada distancia (Fig 5).
R3
180
InfraRojo
R1
220
PHOTOTRANSISTOR
DESARROLLO
X1
R2
10K
Ecuacin 2
Para la ecuacin 2:
Implementacin:
Para la configuracin del emisor se ha definido una corriente
de trabajo de 14mA con 2.5 V el sistema ser alimentado con
5 v, en cuanto al fototransistor se requiere una alta impedancia
en el emisor mayor a colector, la estructura definida se
presenta en la figura 7:
Resistencia para infrarrojo ( ):
Simulacin
Para la simulacin del esquema propuesto sea sustituido la
respuesta del emisor del foto transistor por una fuente cuya
tencin este por encima y debajo de 20mV.
Para la simulacin se dividido en 3 partes: amplificacin,
comparacin, encendido de diodos.
Amplificacin:
R14
90
R6
4k
V1
5V
R7
1k
XMM1
U1B
LM358AD
4
LED5
LED6
Comparacin:
LED4
R13
90
R12
90
R11
90
LED3
R10
90
LED2
LED1
R9
90
Q2
2N3904
7
Q2
2N3904
Encendido
de diodos:
R4
LM358AD
U1A
R9
90
LED1
LED2
R10
90
R11
90
LED3
LED4
R12
90
LED5
8
2
R5
1k
R1
220
R2
10K
49k
R8
10
U1B
LM358AD
R7
1k
Fig.10 comparador
R6
4k
7
5
X1
Fig.12 diodos
InfraRojo
V1
5V
R3
180
PHOTOTRANSISTOR
R13
90
LED6
R14
90
XMM1