Determinacion de las propiedades opticas de una pelcula

delgada mediante el espectro de transmitancia

Diana Carolina Gonzalez Suspes
Inti Ariel Poveda Nu
nez
Departamento de Fsica - Universidad Nacional de Colombia.
1 de junio de 2015
Resumen
A partir del espectro de transmitancia T () de una pelcula semiconductora delgada depositada sobre
un sustrato de vidrio, se determina por el mtodo de Swanepoel, el ndice de refraccin n(), el grosor de
la pelcula d y el coeficiente de absorcin (). Luego se calcula el Gap de Energa mediante la relacin
de Tauc.

1.

Introducci
on

Las diferentes formas en que los materiales reaccionan a la luz permiten observar cualidades a nivel
macroscopico que son resultado de propiedades fundamentales propias del objeto, por lo que el estudio de
como un material refleja, transmite y absorbe luz permite una buena caracterizacion.
Cuando un haz de luz se propaga a traves del medio pueden ocurrir tres fenomenos conocidos como: refraccion, absorcion y luminiscencia, y dispersion. El primero consiste en la disminucion de la velocidad de
la luz al atravesar el medio, el segundo hace referencia a la emision espontanea de un foton de un atomo
excitado con la luz incidente y el tercero al re-direccionamiento de la luz.
Estos fenomenos descritos pueden ser cuantificados por medio de parametros que determinan las propiedades opticas del medio a nivel macroscopico. Estos parametros son el coeficiente de reflexi
on o
reflectividad (R) y el coeficiente de transmisi
on o transmitividad (T). Si no existe absorsion o
dispersion se tiene que por conservacion de la energa:
R+T =1

(1)

Otro parametro importante es el ndice de refraccion (n), que da cuenta de la transmision del haz de luz
a traves del medio:
v
n=
(2)
c
Siendo v la velocidad de la luz en el medio y c la velocidad de la luz en el vaco. El ndice de refraccion
depende de la longitud de onda del haz incidente.
La absorcion de la luz en un medio optico es cuantificada por su coeficiente de absorci
on () y se
relaciona con la intensidad de la luz propagandose en direccion z, (I(z)), por medio de la ley de Beer:
I(z) = Io ez
1

(3)

Donde Io es la intensidad optica inicial del haz. El coeficiente de absorcion al igual que el ndice de
refraccion depende fuertemente de la frecuencia del haz incidente.
La ecuacion (1) deja de cumplirse cuando el medio es absorbente; en cambio se tiene que la transmitividad
de un medio absorbente de grosor d esta dada por [1]:
T = (1 R)2 ed

(4)

La absorcion y refraccion de un medio pueden ser descritas usando el ndice de refracci

on complejo
(
n) dado por:
n
= n + i.
(5)
Donde n, la parte real, es el ndice de refraccion dado por la ecuacion (2), mientras que la parte imaginaria
es conodida como el coeficiente de extincion y esta relacionado directamente con el coeficiente de absorcion
del medio por la ecuacion[1]:
4
(6)
=

Con la longitud de onda del haz incidente en el espacio libre.

La dependencia de la reflectividad con n y esta dada por la expresion[1]:
(n 1)2 + 2
R=
(n + 1)2 + 2

1.1.

(7)

Espectro de transmitancia para pelculas delgadas

En la figura 1 se puede observar el sistema pelcula delgada - sustrato, done se considera que el grosor
del sustrato es mucho mayor que el grosor d, por lo que se puede considerar infinito. Asumiendo incidencia
normal y tomando en cuenta la interferencia presente debido a las m
ultiples refracciones entre el sustrato
y la pelcula delgada, es posible demostrar (metodo Swanepoel[2]) que:

T =

Ax
B Cx cos + Dx2

(8)

Donde:
= 16ns2


= (n + 1)3 n + s2 )


= 2(n 1)2 n2 s2 )


= (n 1)3 n s2 )
4nd
=

d
x =e

A
B
C
D

(9)
(10)
(11)
(12)
(13)
(14)

Donde n es el ndice de refraccion de la pelcula delgada, s el ndice de refraccion del sustrato, es la

diferencia de fase entre los diferentes haces transmitidos, y x es la absorbancia que se puede reconocer por
la ley de Beer (ecuacion 3) como:

Figura 1: Sistema de una pelcula delgada absorbente de grosor d sobre un sustrato transparente de grosor
infinito

T
= ed
(15)
T0
Ahora, teniendo en cuenta que, para la transmitancia se obtienen valores extremos para = 2m, que
es la misma relacion entre d y para que ocurra interferencia:
x=

2nd = m

(16)

Obtenemos una expresion a partir de 8, para el maximo de transmitancia TM , y para el mnimo Tm :

TM =

Ax
B Cx + Dx2

Ax
B + Cx + Dx2
Si consideramos u
nicamente la region transparente ( = 0 y x = 1) se obtiene que:
Tm =

TM =
Tm =

2s
+1

s2

4n2 s
(n2 + 1)(n2 + s2 )

Luego, es posible obtener el ndice de refraccion del sustrato a partir de 17:

s
1
1
s=
+
1
2
TM
TM
3

(17)
(18)

(19)
(20)

(21)

2.

Espectro de transmitancia para la muestra

La muestra usada fue una pelcula delgada de semiconductor depositada sobre un sustrato de vidrio.
Se midio la transmitancia T para longitudes de onda de 300 a 2500 nm en intervalos de 1 nm. Estas
medidas se tomaron usando el equipo de espectrofotometra Varian Cary 5000 UV - VIS NIR. El espectro
resultante se puede ver en la grafica 2.

Figura 2: Transmitancia del semiconductor T vs. longitud de onda

A partir del espectro de transmitancia se calculan los valores para TM y Tm (Tabla 2).
(nm)
2410
1624
1235
996
840
726
646
583

TM
0,887
0,887
0,865
0,885
0,863
0,871
0,858
0,840

Tm
0,603
0,603
0,602
0,581
0,596
0,587
0,585
0,578

s
1,649
1,649
1,737
1,657
1,742
1,713
1,766
1,838

M
3,606
3,608
3,760
3,833
3,829
3,870
3,980
4,167

n
2,610
2,611
2,664
2,700
2,690
2,709
2,747
2,812

n/ (nm1 )
1,08E-03
1,61E-03
2,16E-03
2,71E-03
3,20E-03
3,73E-03
4,25E-03
4,82E-03

2 (nm2 )
1,72E-07
3,79E-07
6,56E-07
1,01E-06
1,42E-06
1,90E-06
2,40E-06
2,94E-06

m
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0

Cuadro 1: Datos extrados y extrapolados del espectro de transmitancia 2.

De la ecuacion 21 se calculo el ndice de refraccion para el sustrato en la parte de mayor transparencia
de la pelcula (entre 2410nm y 996nm), obteniendo:
s = 1,67 0,05
4

(22)

Es posible obtener el ndice de refraccion n a partir de las relaciones 9 a 14 y 20:

q

n = M + M 2 s2

(23)

Donde:
M=

3.

2s
s2 + 1

Tm
2

(24)

C
alculo del grosor de la pelcula

De la condicion de interferencia 16, se puede encontrar una relacion lineal teorica entre m y n/, donde
la pendiente corresponde al doble del grosor de la pelcula (grafica 3).
m = 2d

(25)

Figura 3: n/ vs. . Relacion lineal mostrada en la ecuacion 16.

Al calcular la pendiente de la grafica 3 y comparar con la ecuacion 25, se encuentra que:
d = (471 2)nm

4.

(26)

C
alculo del ndice de refracci
on

Para calcular el ndice de refraccion, es posible extrapolar los valores para otras longitudes de onda a
las de la tabla 2, mediante la siguiente relacion[3]:
n = a2 + b
5

(27)

En la grafica 4 se puede observar la relacion entre n y 2 .

Figura 4: Aproximacion lineal para el ndice de refraccion n vs 2 .

Al calcular los valores de a y b de la ecuacion 27 se encuentra la siguiente relacion teorica para el ndice
de refraccion:
n() =

65555
+ 2,60
2

Figura 5: Curva simualda para el ndice de refraccion n.

(28)

5.

C
alculo del coeficiente de absorci
on

En la region donde se encuentra una fuerte absorcion, TM y Tm cumplen las ecuaciones 17 y 18. Al
despejar x de estas ecuaciones se encuentra[4]:
p
A A2 4Ti2 BD
x() =
(29)
2Ti D
Donde:
Ti =

2TM Tm
TM + Tm

(30)

El termino Ti se aproxima claramente al valor de T para las regiones de alta absorcion (TM Tm ).
A partir de la ecuacion 14, se puede encontrar ():
ln x()
d
Para simular la curva para (), se usa la curva teorica de n() calculada en la ecuacion 28.
En la grafica 6, se puede ver el resultado encontrado para ().
() =

(31)

Figura 6: Curva simulada para el coeficiente de absorcion .

6.

C
alculo del Gap de energa

Se puede hallar la brecha de energa de un semiconductor observando el coeficiente de absorcion

como una funcion de la energa del foton incidente h = hc/. Para esto usamos la relacion de Tauc[5]:
(h)2 = B (h Eg )
7

(32)

Donde Eg es la brecha de energa y B una constante.

En al grafica 7 se puede observar que la relacion entre (h)2 y la energa del foton h presenta en
cierta region un comportamiento lineal.

Figura 7: Calculo de la brecha de energa a partir de la simulacion del coeficiente de absorcion .

A partir de esto podemos calcular que:

Eg = 2,6eV

7.

(33)

Conclusiones

El calculo del grosor de la pelcula que fue calculado de 471nm, el cual se puede corroborar con el
ajuste lineal hecho en la grafica 3, con un coeficiente R = 0,998, comprobando a la vez la relacion de
interferencia usada.
Se puede observar en el calculo del coeficiente de absorcion que este comienza a crecer rapidamente a
partir de 500nm y aproximadamente en 300nm se encuentra una asntota. Esto mismo se puede encontrar
en el espectro de transmitancia, por lo que podemos asegurar que la curva simulada es una buena aproximacion.
El gap de energa encontrado nos permitira definir por lo menos una familia de compuestos semiconductores para los cuales corresponde esta brecha de 2,6eV , siendo un posible candidato GaAs con un gap
de 2,5eV [6].

Referencias
[1] Fox M.,Optical Properties of Solids. Oxford University Press, 2001
[2] Swanepoel R., Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon, Journal of
Physics E: Scientific Instruments 16 (12), 1983, pp. 1214 - 1222.
[3] Martnez, H., Notas de clase Tecnicas de caracterizacion. Universidad Nacional de Colombia, 2015.
[4] Pimpabute N. et al. Determination of optical constants and thickness of amorphous GaP thin film,
Optica Applicata, Vol 51 - 1, 2011
[5] Yue G.H.,et al., Structure and optical properties SnS thin film prepared by pulse electrodeposition,
Journal of Alloys and Compounds 468, 2009, pp. 254 - 257.
[6] Madelung O. Semiconductors: Data Handbook, Springer Berlin Heidelberg, 2004.