Cu2ZnSnS4 (CZTS) Se depositaron pelculas delgadas sobre sustratos de vidrio

utilizando sucesiva adsorcin capa inica y Reaccin tcnica (SILAR) a la

temperatura ambiente. Los parmetros de deposicin tales como la
concentracin de los precursores y el nmero de ciclos fueron optimizados para
la deposicin de pelculas delgadas uniforme CZTS. Efectos de recocido a
diferentes temperaturas menores de dos ambiente diferente, a saber. azufre y
sulfuro de estao tambin se han investigado. Las propiedades estructurales y
pticas de las pelculas se estudiaron mediante difraccin de rayos X,
microscopa electrnica de barrido, espectroscopia Raman y los espectros UVvisible a la luz con los parmetros de deposicin y condiciones de recocido. Se
observa que una buena pelcula CZTS de calidad se puede conseguir por SILAR
a temperatura ambiente, seguido de recocido a 500? C en presencia de azufre.

Introduccin
Zinc Cobre Estao sulfuro es decir Cu2ZnSnS4 (CZTS) es un semiconductor
compuesto cuaternario de tipo p que tiene alto coeficiente de absorcin del
orden de 104 cm? 1 y una banda prohibida directa de aproximadamente 1,5
eV, que es ptima para una (PV) material fotovoltaico solar . Adems, a
diferencia CuInSe2 (CIS), CuInGa (S, Se) 2 (CIGS) y CdTe, todos los elementos
constitutivos de CZTS son relativamente no txico y abundante en la
naturaleza [1]. Por lo tanto, CZTS ha sido el material de inters para la pelcula
delgada fotovoltaica solar de bajo costo desde que vio la observacin de los
efectos fotovoltaicos en CZTS basa diodo hetero
fue reportado por Ito et al. [2].
Tecnologa fotovoltaica solar econmicamente viable no slo exige materiales
de bajo costo, sino tambin las tcnicas de sntesis de bajo coste. Una variedad
de tcnicas de deposicin se han empleado para la sntesis de CZTS pelculas
delgadas como co-evaporacin [3-6], eBeam evaporacin [7-10], deposicin
por lser pulsado [11,12], pulverizacin catdica [13-15], pirlisis por
pulverizacin [16-19], electrodeposicin [20-22], y sucesivos adsorcin de
iones de capa y Reaccin (SILAR) [23-26]. Hasta la fecha, la mayora de CZTS
deposiciones de pelcula delgada implican tcnicas de alta revestimiento de
vaco y temperaturas de sustrato altos [3-15], que podran ser un obstculo
para una mayor reduccin de costos de la energa solar viable. Por lo tanto, es
importante desarrollar procesos de bajo costo para la deposicin de pelculas
delgadas CZTS. SILAR podra ser una de las tcnicas potencial para crecer
CZTS pelculas delgadas de una manera rentable. Es un mtodo de deposicin
qumica simple que no implica vaco o cualquier otro sistema sofisticado. Es
fcil de aplicar y se puede ampliar convenientemente a la mayor escala para la
produccin de rollo a rollo.
Mecanismo de crecimiento de la pelcula en el mtodo SILAR consta de cuatro
pasos importantes: (i) La adsorcin de catin presente en la solucin catinica
sobre el sustrato y la formacin de Helmholtz elctrico de doble capa. (Ii) El
enjuague de iones dbilmente adsorbidas a partir de la capa de difusin. (Iii) La

reaccin de los aniones de solucin de precursor aninico.

(Iv) Segundo lavado de especies en exceso y sin reaccionar de la capa de
difusin.
Recientemente, Zhenghua Su et al. [23] han informado de la deposicin de
CZTS por SILAR usando dos capas apostada, es decir, de vidrio / ZnS / Cu2SnSx
seguido de recocido post-crecimiento a 500? C durante 30 min. Shinde et al.
[24] inform de habitacin deposicin temperatura de CZTS pelculas delgadas
por el SILAR usando precursores de cloruro. Las pelculas amorfas obtenidas a
temperatura ambiente se sometieron a recocido a 673 K durante 4 h para
obtener pelculas cristalinas. Mali et al. Tambin utiliz SILAR para la deposicin
de pelcula CZTS en dopado con flor xido de estao (FTO) portaobjetos de
vidrio recubierto usando precursores de sulfato [25]. Ms tarde se inform de la
fabricacin de la clula solar con SILAR deposita pelculas delgadas que ofrecen
1,85% de eficiencia [26].
Sin embargo, la eficacia inform hasta ahora usando SILAR es todava muy por
debajo del lmite Schockley-Quessier para una sola celda de unin basado en
CZTS (? 30%) [27]. La pelcula de la eficiencia de clulas solares delgadas est
limitada principalmente por los defectos estructurales y las desviaciones de
composicin. Al ser un compuesto cuaternario, la probabilidad de crecimiento
fases parasitarias secundarias tales como CuS, SnS, y ZnS, durante la
deposicin es muy alta y estas fases binarias y ternarias reducir la eficiencia de
las clulas. Por lo tanto, el reto principal en la construccin de clulas solares
basadas CZTS es desarrollar libre de impurezas, estequiomtrica y la fase de
deposicin controlada de pelculas delgadas. Una adecuada comprensin de las
formaciones de fase en el material y su dependencia de las condiciones de
deposicin es esencial a fin de mejorar su rendimiento fotovoltaico. Aqu, se
presenta la deposicin de CZTS pelcula fina utilizando precursores de sulfato.
La concentracin de los precursores se vara sistemticamente y los efectos de
la concentracin de precursores sobre las propiedades estructurales de CZTS
son investigados. Para entender las fases intermedias que participan en el
proceso de crecimiento, as como la evolucin de la fase final, las pelculas
fueron terminados en diferente nmero de ciclos y se sometieron a las
investigaciones estructurales. Por otra parte, la atmsfera de recocido y la
temperatura de recocido juegan un papel importante en el logro de la fase
CZTS dominantes en las pelculas. Por lo tanto, las pelculas crecidas se
sometieron a dos atmsferas de recocido diferentes. Los efectos de los
parmetros de recocido de crecimiento posterior en las propiedades
estructurales de las pelculas tambin se han estudiado y se inform aqu. En
general, los parmetros de deposicin y condiciones de recocido postdeposicin fueron optimizados para la sntesis de buena calidad CZTS pelculas
delgadas utilizando SILAR.

Experimental
CZTS pelculas delgadas se cultivan por el mtodo SILAR que se basa en
sucesivos de inmersin del sustrato en soluciones precursoras de cationes y
aniones colocados por separado.

Antes de la deposicin de CZTS, portaobjetos de vidrio se inclinaron con

metanol, acetona, tricloroetileno y agua destilada, respectivamente. Cuatro
vasos de precipitados que contienen precursores fueron utilizados para la
deposicin de pelculas delgadas CZTS. El primer vaso contena CuSO4, ZnSO4
y SnSO4 disuelto en agua Millipore que da Cu2 +, Zn2 +, Sn2 + cationes
respectivamente. El tercer vaso contena Na2S disueltos en agua Millipore que
da S2? aniones. El segundo y cuarto vaso contena agua Millipore para eliminar
iones dbilmente adsorbidos de la pelcula y evitar la precipitacin. Todos los
vasos de precipitados se mantuvieron a temperatura ambiente. Las pelculas
delgadas se depositaron en tres conjunto diferente de concentraciones
denotados como M1 (0,01 M CuSO4, 0.005 M ZnSO4, 0,01 M y 0,08 M SnSO4
Na2S), M2 (0,02 M CuSO4, 0,01 M ZnSO4, 0,02 M y 0,16 M SnSO4 Na2S) y M3
(0,04 M CuSO4, 0,02 M ZnSO4, 0,04 M y 0,32 M SnSO4 Na2S). Para cada
concentracin, tres muestras se han preparado mediante la variacin de
nmero de ciclos de inmersin a 50, 75 y 100. La adsorcin y el tiempo de
lavado fue de 10 s para todas estas muestras. Las muestras han sido
identificados por cdigos con cinco caracteres de modo que los dos primeros
caracteres representan la concentracin viz. M1, M2 y M3, y los tres caracteres
restantes representan el nmero de ciclos. Por ejemplo M1075 muestra indica
que la muestra se prepara mediante la concentracin de precursor establecer
M1 y el nmero de ciclos de inmersin son 75 para esa muestra.
Adems, M2100 de la muestra fue recocida bajo dos viz ambiente diferente. (1)
en presencia de azufre elemental y (2) en presencia de sulfuro de estao (SNS)
para
10 min. La temperatura de hibridacin fue elegida para ser 400? C y 500? C en
el caso de ambiente de azufre elemental. En caso de entorno sulfuro de estao,
el recocido se lleva a cabo a 300? C y 400? C temperaturas. Estas muestras
recocidas tienen
ha indicado por los cdigos que comienzan con la letra "A", seguido de tres
dgitos para la temperatura de recocido y una letra que indica el ambiente
templado. Por ejemplo, A400S representa recocido muestra a 400 C en
presencia de azufre. A300T muestra representa la muestra recocida a 300? C
en presencia de sulfuro de estao.

Resultados y discusin
Las propiedades estructurales de los CZTS muestras de pelcula fina se
estudiaron usando difractmetro de rayos X de Bruker (XRD) con radiacin Cu
Ka [k = 1,54056 A]. Los perfiles de XRD de muestras como depositadospreparadas variando la concentracin y el nmero de ciclos son
representado en la Fig. 1. Para todas las muestras con concentraciones M1
(M1050, M1075 y
M1100) y M2 (M2050, M2075 y M2100) depositados a temperatura ambiente,
no se observaron picos de difraccin de rayos X (figura no se muestra aqu),
que revelan que las pelculas crecidas a temperatura ambiente con la
concentracin de precursor M1 y M2 son completamente amorfo en la
naturaleza [28 ]. Incluso para la concentracin de M3, la pelcula depositada

con 50 ciclos (M3050) no muestra ningn pico de difraccin de rayos X como se

muestra en la Fig. 1 (a). Esto demuestra que inicialmente los resultados de
crecimiento en la pelcula amorfa. Sin embargo, para la pelcula crecido hasta
75 ciclos (M3075), un pico comienza a aparecer a aproximadamente 47,3 ?.
Curiosamente, este pico se hace ms clara en la muestra crecido hasta 100
ciclos (M3100). As como el nmero de ciclos aumenta con la concentracin
ms alta de los precursores, el pico a 47,3? evoluciona gradualmente y la
pelcula comienza mostrando el signo de pedidos durante el crecimiento. Sin
embargo, con un pico menor en 47.3? no es posible detectar la fase como
este pico es comn para CZTS, ZnS y CuS. Por lo tanto, las identificaciones de
fase para las pelculas amorfas, as como para las pelculas que muestran un
pico de XRD en 47,3? requiere de nuevas investigaciones utilizando
espectroscopia Raman [29]. Espectroscopa de dispersin Raman se llev a
cabo sobre muestras depositadas variando la concentracin y el nmero de
ciclos por JOBIN YVON HR800 travs de la excitacin de longitud de onda de
514,5 nm. Raman mediciones de dispersin se han realizado en la
configuracin de retrodispersin. Fig. La figura 2 muestra los espectros Raman
de las muestras como depositados-depositadas variando la concentracin y el
nmero de ciclos.
Se observa a partir de los espectros Raman que los picos caractersticos
distintos de CZTS estn presentes en todas las muestras como se ve en la Fig.
2. Para muestras M1050, M2050 y M3050, picos observados en 143 cm? 1, 153
cm? 1 y 161 cm? 1 se puede atribuir a la simetra E de modo ptico transversal
de CZTS [30-31]. Los picos a 258 cm? 1 y 284 cm? 1 corresponden a E simetra
de modo longitudinal y un modo de simetra de CZTS, respectivamente [31].
Las vibraciones de cationes en el plano XY dan lugar a los modos de simetra E
en CZTS pelculas delgadas. La intensidad de estos picos disminuyen a medida
que se incrementa el nmero de ciclos para todas las tres concentraciones.
Adems de todas estas muestras crecidas hasta 50 ciclos, un pico principal
distinta est presente en 324 cm? 1 que se pueden atribuir a la simetra B1 de
CZTS [32]. Los modos B1 de CZTS surgen debido al desplazamiento de la mitad
de los tomos de Cu hacia el eje Z positivo y el resto tomos de Cu medio
hacia el eje Z negativo. Los tomos de Zn y Sn permanecen estacionarios,
donde como los aniones moverse en el plano XY en este caso. El pico
correspondiente a los modos B1 de CZTS es fuerte y persistente, incluso en las
muestras crecidas hasta 75 ciclos. Curiosamente, este pico se desplaza a 332
cm? 1 cuando esta pelcula se cultiva hasta 100 ciclos de concentracin M1
como se desprende de la figura. 2 (c). El pico a 332 cm? 1
corresponde a un modo de simetra de CZTS, que incluye el movimiento de
aniones (azufre) solamente [32]. La simetra E, de modo ptico transversal y un
modo de simetra de CZTS, observada en la muestra M1050 y M1075 tambin
estn presentes en M1100 tal como se detecta en forma de pequeas jorobas
en 153 cm? 1, 265 cm? 1 y 289 cm? 1 [31] . Tambin se observa una tendencia
similar para las pelculas crecidas con la concentracin de M2 y M3. Sin
embargo, el desplazamiento del pico hacia 332 cm? 1 toma ms nmero de
ciclos de medida que aumenta la concentracin de los precursores. Para la

concentracin M2, el pico a 324 cm? 1 cambio a 332 cm? 1 despus de 150
ciclos (grfico no se muestra aqu). Adems, la ausencia de un intenso pico a
352 cm? 1 en todas las pelculas niega la probabilidad de ZnS en pelculas [34].
La presencia de SnS ortogonales y fases SNS2 hexagonales en la pelcula
tambin ha sido rechazada por la ausencia de sus picos caractersticos a 190
cm? 1 y 314 cm? 1, respectivamente [34]. Adems, no hay ningn pico se
observa a 318 cm? 1 en cualquier pelcula, lo que confirma la no existencia de
sulfuro de cobre-estao en las pelculas [34]. Sin embargo, para todas las
muestras depositadas para 50 ciclos y 75 ciclos, un pico se observa en
alrededor de 473 cm? 1, que es el pico caracterstico de la fase CuS en la
pelcula [33]. As, durante la fase inicial de la deposicin, la fase CZTS crece
junto con el crecimiento de la fase CuS en la pelcula. Sin embargo, como el
nmero de ciclos aumenta la intensidad de este pico se reduce en comparacin
con los picos CZTS. Por lo tanto, la fase de CZTS se vuelve dominante en el
costo de la fase CuS como la deposicin contina y el espesor de pelcula
aumenta con el nmero de ciclos de SILAR.
Esta transicin de fase podra explicarse de la siguiente manera. SILAR es un
ion de proceso de deposicin de iones. Cuando sustrato de vidrio se sumerge
en vaso de precipitados de 1, los hidrxidos de cationes hacer una capa
delgada sobre el sustrato por medio de adsorcin fsica. Los iones no acotados
se enjuagan en el vaso 2. El tercer vaso de precipitados contiene en solucin
aninica. Cuando el sustrato se sumerge en el tercer vaso de precipitados, los
hidrxidos catinicos sobre el sustrato reaccionan con los aniones en la
solucin para hacer una pelcula delgada compuesto por la liberacin de la
hidrxido de iones en la solucin. En el cuarto vaso de precipitados, de nuevo
limitadas libremente y los iones no unidos son eliminados del sustrato. Al
repetir estos ciclos de inmersin el crecimiento de la pelcula tiene lugar en el
sustrato.
Ahora para CZTS, vaso de 1 contiene mezcla de sulfato de cobre, sulfato de
zinc y estao soluciones de sulfato. De ah que en el vaso 1, el SO42 ion
comn? suprime el producto de solubilidad de la solucin, mientras que el
producto inica de la solucin aumenta debido al efecto de in comn. En esta
solucin condicin est sobresaturada. Sin embargo, ya que la reactividad
qumica de Zn y Sn es mayor que la de la Cu, ms y ms Cu2 + iones se
liberan en la solucin como resultado de las reacciones de desplazamiento. Por
lo tanto, inicialmente la solucin se enriquece con el Cu2 +. Ahora, cuando el
sustrato se sumerge en esta solucin, la nucleacin se inicia en la superficie
del sustrato y la tasa de nucleacin depende del grado de sobresaturacin en
la solucin de [35]. Por lo tanto, la mayor concentracin de iones Cu2 + en los
resultados de la solucin en la mayor concentracin de Cu-hidrxidos en la
superficie del sustrato en comparacin con el Zn y Sn-hidrxidos. En
consecuencia, cuando este sustrato se sumerge en la solucin aninica, la
mayor concentracin de Cu-hidrxidos desencadena el crecimiento de CuS que
acta como una fase de partida para la formacin de CZTS. Por lo tanto, como
se observa en el anlisis Raman, la fase CuS est presente en todas las
pelculas crecidas hasta 50 ciclos. La co-existencia de CUS y CZTS fases
durante la etapa inicial de crecimiento es anlogo a la formacin de la fase CuS

durante la etapa inicial de la sntesis de CIS [36,37]. Sin embargo, como el

crecimiento progresa, la concentracin relativa de Cu en la solucin de cationes
disminuye en comparacin con el Zn y Sn y por lo tanto la formacin de la fase
CuS es asumida por la formacin de CZTS. As, el CZTS se convierte en la fase
dominante como el nmero de ciclos aumenta. Esto es evidente a partir de la
Fig. 2 (b) y (c). Dado que las pelculas como depositados-muestran la
naturaleza amorfa, las pelculas crecidas hasta 100 ciclos con la concentracin
de precursores M2 se sometieron al recocido posterior a la deposicin bajo dos
diferentes ambientes, a saber. azufre y sulfuro de estao con el fin de
comprender la cristalizacin en las pelculas. Perfiles de XRD de la muestra
A400S, A500S, A300T y A400T se muestran en la Fig. 3 en el rango de 10-60
grados 2h. Como se muestra en la Fig. 3 (a), el perfil de XRD para muestras
A400S muestra picos de difraccin claros correspondientes a (112), (103),
(220) y (312) planos de CZTS. Estos picos indican que la pelcula se vuelve
policristalino debido a recocido a 400? C bajo ambiente de azufre. Por otra
parte, dos picos agudos se observan tambin en valor 2theta 32? y 33 ?, los
cuales son los picos caractersticos para (103) y (006) planos de la fase de CuS,
respectivamente [28]. Por lo tanto, la fase CuS detectado en la pelcula como
depositado tambin sobrevive en la pelcula recocida a 400? C. Sin embargo, la
intensidad de estos picos se encoge para A500S de muestra como se muestra
en la Fig. 3 (b). Por otra parte, los picos correspondientes a la fase de CZTS se
hacen ms fuertes y ms cortante. Estas observaciones indican que el recocido
a 500? C bajo resultados de entorno de azufre en la fase de mejora de CZTS
con granos ms grandes y la fase secundaria CuS se suprime.
Por otro lado, en la pelcula recocida bajo estao-sulfuro de ambiente a 300? C,
no se observa ningn pico agudo como se muestra en la Fig. 3 (c). Un pico
menor est presente en aproximadamente 48 ?, que corresponde a la (220)
plano de CZTS que indican el comienzo de la cristalizacin.
A medida que la temperatura de recocido se eleva a 400? C para la muestra
A400T, los claros picos fuertes y agudos resultante mediante difraccin de
(112), (220) y (312) planos de CZTS aparecer como se muestra en la Fig. 3
(d). Los picos correspondientes a la fase de CuS, muy dbil, sin embargo, estn
presentes en el perfil de XRD de la muestra A400T tambin. Sin embargo,
como se mencion anteriormente, los perfiles de difraccin de rayos X de CZTS
y ZnS son muy idnticos. Por lo tanto, la espectroscopia Raman es esencial
para confirmar la formacin de la fase CZTS en las pelculas.
La espectroscopa Raman en muestras recocidas se realiz utilizando JOBIN
Vyon travs de la excitacin de longitud de onda de 488 nm. Fig. 4 (a) - (d)
muestra los espectros Raman de la muestra A400S, A500S, A300T y A400T
respectivamente.
En el espectros Raman de todas las muestras recocidas, no se observa ningn
pico de la firma para cualquiera de las fases secundarias, excepto el CuS como
se observa en la Fig. 4. Por lo tanto la formacin de ZnS u otras fases
secundarias durante el recocido tambin puede declinarse y puede ser
convenientemente dijo que la fase CZTS sigue siendo la fase dominante
despus del recocido. Un pico significativo en 470 cm? 1 en la Fig. 4 (a) revela
la presencia de la fase CuS en los A400S de muestra. Sin embargo, el pico

disminuye en A500S de muestra. Por lo tanto, el hecho de que la fase de CZTS

se vuelve dominante en el costo de la fase CuS a mayor temperatura de
recocido bajo ambiente de azufre como se indica por los resultados de XRD
tambin har evidente aqu. Por lo tanto, A500S de muestra, es decir, la
pelcula crecido por SILAR hasta 100 ciclos con concentracin M2 y recocida a
500? C durante 10 min bajo ambiente de azufre muestra una buena fase de
CZTS calidad sin presencia sustancial de fases parasitarias secundarias. La
tendencia es similar en las muestras recocidas bajo estao-sulfuro de
ambiente. El pico principal a 332 cm? 1 como se observa en la Fig. 4 (c) se
desplaza hacia el valor ms alto en la Fig. 4 (d). Esto indica la cristalizacin de
la pelcula de recocido a 400? C bajo-sulfuro de estao ambiente que tambin
est de acuerdo con los resultados de DRX.
La morfologa de la superficie de las pelculas fue observada por imgenes
Microscopa Electrnica de Barrido (SEM) utilizando ZEISS hizo Ultra55
microscopio de emisin de campo de la pistola. Fig. 5 (a) muestra la imagen
SEM de la muestra M2100, la pelcula depositada a temperatura ambiente con
la concentracin de M2 para 100 ciclos.

La superficie de la pelcula muestra algunos grupos irregulares sin granos

distintas. Esto es explicable ya que las pelculas como adultos son de
naturaleza amorfa segn lo revelado por DRX. Sin embargo, el recocido en
atmsfera de azufre a 400? C instiga las formaciones como se desprende de la
figura de grano. 5 (b). La pelcula muestra a un puado de grandes grupos en
el fondo de los granos de arroz-como distribuidos uniformemente. Estos granos
crecen an ms a 500? C. La pelcula recocida a 500? C bajo atmsfera de
azufre muestra la naturaleza policristalino que tiene granos dispersos
uniformemente con estrecha distribucin de tamaos y el tamao medio de
aproximadamente medio micrmetro, como se muestra en la Fig. 5 (c). Se
observa una tendencia similar en las muestras recocidas en atmsfera de
sulfuro de estao. Sin embargo, la distribucin del tamao no es uniforme para
la pelcula recocida en presencia de estao atmsfera de sulfuro a 300? C. La
pelcula muestra claramente combinacin de granos grandes de la orden de
par de micrmetros y pequeos granos del orden de unos pocos cientos de
nanmetros, como se muestra en la Fig. 5 (d). Aqu tambin, como la
temperatura de hibridacin aumenta a 400? C en presencia de atmsfera de
sulfuro de estao, el crecimiento de grano se observ con la combinacin de
arroz uniformemente distribuida como granos y pocos grupos grandes como se
muestra en la Fig. 5 (e).

Las propiedades pticas de las pelculas fueron estudiados por mediciones de

transmisin UV-Vis. La pelcula recocida a 500? C bajo ambiente de azufre
muestra el coeficiente de absorcin del orden de 104 cm? 1 en el rango visible.
La banda prohibida de energa se encuentra que es de aproximadamente 1,5
eV, que est en buen acuerdo con los valores reportados [2,7,21].

4. Conclusin
Hemos investigado la deposicin de pelculas delgadas CZTS utilizando el
mtodo SILAR seguido de recocido en presencia de atmsfera de azufre y
sulfuro de estao. Las pelculas se caracterizaron por DRX, espectroscopia
Raman, SEM y los espectros UV-visible. Como pelculas depositadas cultivadas
a temperatura ambiente por SILAR muestran naturaleza amorfa segn lo
revelado por los perfiles de XRD. Para el precursor de anin comn de solucin
catinico, la CUS y formacin de la fase CZTS comienzan simultneamente en
la fase inicial de la reaccin, y como el nmero de ciclos aumenta las CZTS fase
se convierte en dominante que se observa claramente por el espectros Raman
de las pelculas depositadas como . Como las pelculas depositadas se hibridan
en presencia de azufre y la atmsfera sulfuro de estao, se observa el buen
crecimiento de grano. Sin embargo, la distribucin del tamao de grano se
encuentra para ser mejor en la pelcula templada en presencia de azufre a
500? C. El intervalo de banda de esta pelcula es 1,5 eV, que es muy cercano al
valor ptimo de la brecha de banda requerido para el material absorbente en la
celda solar de pelcula delgada.

Agradecimientos
Los autores agradecen al Consorcio UGC-DAE de Investigacin Cientfica, Indore
para el DRX y Raman Caracterizacin de las pelculas y del Instituto Tata de
Investigacin Fundamental, Mumbai para el SEM. VK tambin est agradecido
al Programa de Becas Fulbright y la Fundacin para la Educacin de los Estados
Unidos y la India.