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2014)
Electricidad y Magnetismo
Guillermo Santiago, Liliana Perez y Eduardo Sancho
Introduccin
3.2.
3.3.
14
3.4.
16
3.5.
19
3.6.
Aplicaciones
20
3.6.1.
20
3.6.2.
23
3.6.3.
Apndice
27
Introduccin
Hasta ahora estuvimos viendo cmo influyen los campos elctricos en los materiales que
tienen cargas libres de moverse, es decir, en los conductores. En ellos, las cargas se mueven
de forma tal que responden a los campos elctricos haciendo que sean nulos en su interior en
condiciones electrostticas. Supongamos un
V0
-+
+ +
-+
-+
b
d
Qd
0 A
=
d
(1)
A
d
(2)
Qu ocurre si colocamos un conductor descargado entre las placas del capacitor que haba
sido cargado con carga Q a travs de la batera (habiendo sacado la batera)? Como el campo
elctrico debe ser nulo dentro de los conductores en situacin electrosttica, los electrones
libres del conductor se desplazarn como indica la Figura 1. De esta manera el campo
elctrico tendr un valor
diferencia de potencial entre las placas originales? Cul es la capacidad de este dispositivo?
Como la diferencia de potencial es la circulacin del campo elctrico, resulta
V =
( d b) ,
0
(3)
C=
A 0
A 0
Q
Q
=
=
=
Q
b
( d b)
V
( d b)
d (1 )
A 0
d
(4)
Q
, este resultado mostraba que la
V
A
d
siendo
V =
Q 1 Q
=
C C0
(5)
Al observar la expresin para la capacidad, pareciera que se puede disminuir d todo lo que se
desee pudiendo almacenar toda la carga que se quiera. As, consideremos un capacitor
conectado a una pila V0 y cambiemos la separacin entre las placas como indica la Figura 2.
1
vaco
Como la capacidad vari (por cambiar la distancia entre placas) y la diferencia de potencial no
vri porque siempre estuvo conectado a la pila, tiene que haber variado la carga sobre cada
placa (la suma siempre dar cero porque lo daba antes de cambiar la distancia). Es decir,
V0
A
d1
Q2 > Q1 si d1 > d 2 (6)
A
Q2 = C 2V0 = 0V
d 2
Q1 = C1V0 = 0V
V0
d2
paralela a V0 constante
Emximo (V/m)
3 106
60 106
7 106
16 106
1,00059
2,1
3,2
3,7
Vemos, entonces, que agregar un material dielctrico tiene algunas ventajas (adems de
brindar soporte mecnico): aumenta la capacidad y permite resistir mayores tensiones. Pero,
aumentar la capacidad significa acumular ms
energa?
1 Q2
2 C0
(7)
mientras que cuando todo el espacio entre placas est lleno de dielctrico resulta
U =
1 Q2
2 C
(8)
U0 C
De esta manera =
> 1 . Es decir, la energa que almacena en vaco es mayor que la
U C0
que almacena con un dielctrico Cmo se entiende esto? Si la carga Q se mantuvo constante,
los pasos seguidos fueron:
Fig.4. a)Capacitor a Q constante (cargado a travs de una batera con V0) .b) Se mide la diferencia de
potencial. c)Se va introduciendo un dielctrico y se miden diferencias de potencial (que dependen de
cunto se introdujo el material) d) Capacitor con dielctrico y carga Q cuando el dielctrico ha sido
introducido en su totalidad
(9)
Experimentalmente se encuentra que el dielctrico es atrado, es decir, acta una fuerza sobre
l que lo tira hacia adentro. El anlisis detallado es bastante complicado; las lneas de
campo no son rectas cerca del lmite del dielctrico aunque hayamos considerado al capacitor
como infinito. Justamente la deformacin de las lneas de campo es la que permite describir
cualitativamente la fuerza. Pero para determinar su valor se pueden hacer consideraciones
energticas exclusivamente.
Es de esperar que la energa potencial U vaya disminuyendo a medida que se introduce el
dielctrico, es decir, que dependa de x nicamente. Como U en un capacitor est dado por
1 Q2 1 2
U = U =
= V C
2 C
2
(10)
independientemente de la forma del capacitor, la fuerza sobre el dielctrico estar dada por
U
F = U =
ex
x
(11)
capacidad variable
V=
Q1 ( x) Q2 ( x)
=
C1 ( x) C 2 ( x)
(12)
Si despreciamos los efectos de borde, las placas del capacitor son de rea D x L, y el
dielctrico fue introducido una distancia x, tendremos
C1 = C 0 = 0
Dx
d
C 2 = 0
D( L x)
d
(13)
Este sistema ser equivalente a un capacitor con capacidad C, diferencia de potencial entre
placa V y carga Q = Q1 + Q2 , es decir,
Q = VC = Q1 + Q2 = VC1 + VC 2 = V (C1 + C 2 )
(14)
0D
d
(x + L x)
(15)
Q1 = C1 Q
Q2 = C 2 Q
(16)
se tiene
Q1 = Q
x
x + L x
Q2 = Q
Lx
x + L x
(17)
es decir las densidades superficiales de carga resultan distintas en la zona donde hay o no
hay dielctrico.
1 =
D x + L x
2 =
1
Q
D x + L x
(18)
F=
( 1)e x = V 2 0 ( 1)e x
2
2C d
2
d
(19)
con
dielctrico
(20)
de
permitividad
1
1
U = V 2 0C = V 2 0C0
2
2
(21)
relativa
electrosttica
del
sistema
1 Q'
2
2
Q' C
Q' 1
U
= = 2 C2 = 2 0 = 2
U0
Q C
Q
1Q
2 C0
(22)
(23)
O sea que aument la carga sobre la placa conductora al introducir el dielctrico. Este
resultado ser tambin analizado ms adelante.
3.2
(24)
r1
el campo elctrico tena que haber disminuido aunque la carga sobre las placas no haba
cambiado. Cmo se explica este comportamiento? Sabemos de la Ley de Gauss que el flujo
del campo elctrico est directamente relacionado con la carga encerrada. Como el campo se
reduce, la carga encerrada en el volumen debe ser menor!! La Figura 1 nos da la pista para
hacer un modelo: el campo es menor pero no nulo; la nica posibilidad es que en la superficie
externa al conductor haya cargas de signo
opuesto como se muestra en la Fig.7. es
decir, el fenmeno se puede explicar
considerando que se induce una cierta
cantidad de carga en la superficie
Fig.7. Carga inducida en un dielctrico
Vvacio = Evacio d
(25)
Vdielectrico = E dielectrico d
(26)
E dielectrico =
quivalente L + P
=
0
0
(27)
de lo que se deduce que la densidad superficial de carga de polarizacin est dada por
1
L = P (1 )
(28)
-q
Ex ( x, y,z )
1
1
1
q x
3
3
4 0
x2 + y 2 + z + 2 2 x2 + y 2 + z 2 2
2
2
(29)
E y ( x, y,z )
1
1
1
q y
3
3
4 0
x2 + y 2 + z + 2 2 x2 + y 2 + z 2 2
2
2
(30)
Ez ( x, y,z )
z+
z
1
2
2
q
3
3
2
4 0 2
2 x2 + y 2 + z 2 2
2
x
y
z
+
+
+
2
2
(31)
Como existe simetra de revolucin alrededor del eje z, estudiaremos el campo en el plano yz
es decir, en x = 0 . Resulta, entonces
Ex ( 0 , y,z ) = 0
(32)
E y ( 0 , y,z )
1
1
1
q y
3
3
4 0
y2 + z + 2 2 y2 + z 2 2
2
2
(33)
Ez ( 0 , y,z )
z
z
+
2
2
q
3
3
2
4 0 2
2 y2 + z 2 2
y
z
+
+
2
2
(34)
(
(
)
)
(
(
)
)
y a lo largo del eje y (es decir, en z = 0 ) el campo elctrico solamente tiene componente z ya
que
E x (0, y,0) = 0
(35)
E y (0, y,0) = 0
(36)
Ez ( 0 , y,0 ) =
1
4 0
( )
y2 + 2
(37)
2
De (37) es fcil deducir que para puntos del espacio a lo largo de la mediatriz y alejados del
dipolo ( y >> ) el campo disminuye como 1
y3
resultado corresponde a cualquier punto alejado del dipolo sobre el plano xy. Analicemos
ahora cul es la dependencia del campo con la distancia al dipolo cuando se considera un
punto sobre el eje z (es decir, x=y=0)
10
Ez ( 0 , y,z )
z
z
+
2
2
q
3
3
2
4 0 2
2 y2 + z 2 2
y
z
+
+
2
2
(
(
(
(
)
)
)
)
(38)
(z )
2
z (1
2z
1
(1 )
2
z
z
(39)
1
4 0
q =
1
4 0
(40)
z3
F q
vara como 1
-q
Fq
Eext
r3
=
p q (ex )
(41)
Para qu definimos el momento dipolar? Por ahora y en FII, porque nos simplificar algunos
clculos. Por ejemplo... Qu ocurre cuando un dipolo rgido es puesto bajo la accin de un
campo elctrico uniforme?
Est claro que la fuerza total sobre el dipolo es nula. En consecuencia, el torque
ser
p
= rq Fq = qE ext = p E
p
(42)
De lo cual se deduce que el dipolo tiende a orientarse de forma tal que la direccin y
11
P = Nq
(43)
12
en todos los puntos dentro del dielctrico donde el campo externo sea el mismo. La constante
de proporcionalidad debera depender del material y2
(44)
consecuencia queda una carga efectiva sobre la superficie del dielctrico: densidad
+- +- +-
-+
(45)
-+
-Q
Qp
-+
de la n lo estudiaremos ms adelante).
-+
(45)
-+ -+ -+
Qp
-+
P = Pn
-+
-+ -+ -+
-+
general es
-+
-+
-+
-+
-+
-+ -+ -+
Fig.12.Dipolos
en
Figuramoleculares
12
una geometra esfrica
Habr molculas orientadas en otras direcciones producto, por ejemplo, de la agitacin trmica lo que
da una orientacin al azar con momento dipolar nulo en promedio. Pero en presencia de un campo elctrico
habr una direccin preferencial y una cierta cantidad de molculas por unidad de volumen N que se alinearn
con el campo.
13
conductoras con cargas Q y -Q) con un material dielctrico. El campo generado por Q es
radial, los dipolos se acomodarn en promedio como indica la figura, apareciendo una
densidad superficial de polarizacin en las superficies interior y exterior de la cscara
dielctrica (tener cuidado: las densidades de cargas de polarizacin son distintas en cada
superficie, lo que son iguales son las cantidades de carga positiva y negativa). La densidad de
cargas de polarizacin en el volumen es nula, es decir, si se toma un volumen, la cantidad de
lneas de P que salen de ese volumen ser igual a la cantidad de lneas que entren.
Pero si P no es uniforme, dependiendo de cmo sea el vector polarizacin puede haber zonas
donde haya ms acumulacin de cargas positivas que negativas (o viceversa). En este caso,
como la densidad volumtrica de cargas de polarizacin no es nula, si se toma un volumen, la
cantidad de lneas de P que salen de ese volumen ser distinta a la cantidad de lneas que
entren. Es por eso que se tiene
P = polarizacion
(46)
El signo negativo proviene de la definicin del momento dipolar (su sentido es de a +).
Veremos ms adelante (seccin 3.6) algunos ejemplos donde la densidad volumtrica de
3.3
E =
(47)
De (48)
( E + ) = libre
(49)
14
P
0 E
(E + ) = (E +
) = (1 + ) E = libre
(50)
D = 0E + P
(51)
D = 0 + P = 0 (1 + ) E = 0E = 0 r E
(51)
D = E
(52)
D = libre
(53)
(54)
vol
La otra ley (la de irrotacionalidad del campo elctrico o, dicho de otra forma, que es
conservativo) sigue valiendo en condiciones electrostticas cuando hay materiales, es decir,
en forma diferencial se tiene que
E = 0
(55)
15
E
dl = 0
(56)
(r ' )
1
E (r ) =
dV
3 (r r ' )dV pero ( r ' ) debe ser la densidad de carga TOTAL (libre
4 0 V
r r'
3.4
1
4
r y
libre (r ' )
3 (r r ' ) dV
r r'
tiles solamente para determinar los campos elctricos generados por distribuciones de carga
conocidas, sino que permiten establecer algunas propiedades de los campos a ambos lados de
una interfaz formada por dos medios de propiedades dielctricas conocidas. Supongamos que
tenemos dos medios dielctricos de constantes dielctricas 1 y 2 tal que en la interfaz
(superficie de separacin) hay una densidad de carga libre (superficial) dada por L (Figura
13). Tomemos un cilindro de altura h mucho menor que su radio R, es decir, h 0 ms
rpidamente que su radio. Si aplicamos la Ley de Gauss Generalizada, tomando como
superficie cerrada al cilindro, tendremos
D.dS
=
q
=
D.dS
+
D.dS
+
Libre
encerrada
en
S
A1
A2
D.dS
(57)
Sup
lateral
Si se hace tender a cero la altura h (es decir, tomamos un volumen infinitesimal alrededor
de la interfaz) podremos considerar que el campo sobre la interfaz es uniforme y vale D1 (con
sentido) y en la superficie lateral tendr otro valor Dlat (con cualquier direccin y sentido).
Consecuentemente
D
dS=
S
n
dS
+
D
1
1
1
1 n2 dS2 +
A1
A2
= D1 n1 R 2 + D2 n2 R 2 + D1 er 2 Rh
Dlat er 2 Rdl=
(58)
16
dA1
n1
Medio dielctrico1
dl
dA2
n2
Medio dielctrico 2
Figura
Fig.13. Condiciones de
borde13entre dielctricos
El tercer trmino del tercer miembro tender ms rpidamente a cero que los dos primeros y,
para un cilindro infinitesimal, valdr
2
2
2
D
d
S
=
D
R
+
D
R
=
(
D
n
+
D
1
1
2
2
1
1
2 n 2 )R
(59)
d
S
=
(
D
n
+
D
1
1
2 n 2 )R = 1R
(60)
( D2 D1 ) n = L
(61)
As, si en una superficie de discontinuidad no hay carga LIBRE, la componente normal del
Vector desplazamiento tiene el mismo valor de un lado que del otro. Se dice que se conserva.
Si, en cambio, hay una densidad superficial de carga LIBRE, la situacin ser la de la Figura
14a).
Es decir, nos ser til esta condicin si sabemos que no hay carga LIBRE SUPERFICIAL
porque si sabemos cunto vale el vector desplazamiento a un lado, ya sabremos cunto vale
una componente del otro lado. Y mucho mejor sera si el vector desplazamiento tuviera
solamente una componente normal a la interfaz!!. Bueno, nos ocurrir muchas veces.... Y lo
interesante es que si estamos considerando medios istropos, lineales y homogneos, y el
17
Pero esto no es todo. Ahora veamos si podemos determinar alguna otra propiedad, pero esta
vez de la irrotacionalidad del campo elctrico. Tomemos una curva cerrada como la de la
Figura 13 (donde la altura h tiende a cero ms rpidamente que las longitudes de la curva
paralelas a la interfaz. Calculemos la circulacin del campo elctrico (ver ec.(56))
=
=
E
d
l
0
E
d
l
E
d
l
1
1
2
2 = E1 ) tan g l1t + E 2 ) tan g l 2 ( t )
l1
(62)
l2
(63)
D2 x D1 x = L
E1 x = E2 x
1
D1
D2
E1
E2 x
E2
a)
x
E1 x
1
L
b)
x
Figura
14 b) para E tangencial a la interfaz
Fig.14.a) Condicin para
D normal
18
3.5
Por un lado, tenemos la relacin general entre los vectores desplazamiento elctrico D ,
(64)
D = 0E + P
= Libre + polarizacion
(66)
Ahora hagamos el producto es escalar con la normal a una superficie n (despus discutiremos
qu es esta normal)
D n = 0 E. n + P n
(67)
El primer miembro est relacionado con L , el primer trmino del segundo miembro con la
densidad superficial total de carga y el segundo con p , es decir
Como
T = L + P
(68)
( D2 D1 ) n = L
(69)
Si =
D2 0 E2 + P2 tendremos que
D1 0 E1 + P1 y =
( D2 D1 ) n = 0 ( 2 E1 ) n +(P2 P1 ) n = L = T P
(70)
As el primer trmino del segundo miembro se podr relacionar con la densidad superficial
total de carga y el segundo con la de polarizacin.
( P2 P1 ) n = P
(71)
19
3.6
Aplicaciones
3.6.1 Ejemplo 1
Consideremos que tenemos una distribucin
(de forma
campo
magntico no ser lo mismo una que otra). Como siempre plantearemos el problema viendo si
podemos resolverlo a travs de la Ley de Gauss y no a travs de la Ley de Coulomb
generalizada para medios dielctricos.
Recordemos: debemos encontrar una superficie cerrada donde podamos conocer la direccin
del campo y que es constante sobre ella. De esta manera, si conocemos la carga encerrada,
podremos calcular el campo a travs de la Ley de Gauss. Pero, podemos usar la Ley de
Gauss? O debemos usar la Ley de Gauss generalizada? Si quisiramos usar la Ley de Gauss
(la del campo elctrico) deberamos conocer no solamente las cargas libres (las que estn
puestas) sino tambin las de polarizacin porque la expresin que corresponde es
0 V
(S )
total dV
20
Zona I
D
dS = qlibre enc. por S =
S
libre
dV
V (S )
donde S ser una esfera de radio r concntrica a la distribucin de cargas. La carga libre
encerrada en dicha superficie ser la parte proporcional de carga que corresponda, es decir,
=
q=
Q
3r
encerrada
4
r3
R3
R
4 R 3
Zona II
En este caso para cualquier superficie esfrica con r>R, la carga encerrada ser Q y
D (r ) =
Q 1
4 r 2
21
Qr
e
4 R 3 r
D(r ) =
Q e
4 r 2 r
Qr
e
4 R 3 r
E (r ) =
Q e
4 0 r 2 r
r<R
r>R
-+
+-
n er
-+
Q r 0
1 e r
P(r ) = 4 R 3
0
r<R
r>R
-+
r>R
r<R
correcto porque en r>R hay vaco y, por lo tanto, no hay molculas. Tambin vemos que, la
componente normal del vector desplazamiento se conserva en la interfaz (lo que est bien
porque no hay carga superficial libre en ella). Es decir, de (61) se obtiene
( D2 D1 ) er = L = 0
Cunto vale la densidad superficial de carga de polarizacin? Qu normal tomamos? La
exterior o la interior? La respuesta es la exterior (aunque deberemos tener cuidado si en lugar
de vaco hay otro material) Entonces
p = P e r )r = R =
0
1 > 0
4 R
Q
1 ( r 2 Ar )
A =
r2
r
a partir de la expresin para vector polarizacin, se tiene
22
r
1
P =
r2
Q r 0
1
4 R 3
r
0
1 = polarizacion
4
3
R
3
Q
L =
Q
4R1
).
Conductor
cargado-
dielctrico descargado-vaco
de Electrosttica), se obtiene
Q
D(r ) =
4
Q
r < R1
1
r2
1
r2
R2
er = L 12 er
r
R2
er = L 12 er
r
R2 > r > R1
r > R2
23
0
r < R1
Q 1
R12
1
E (r ) =
e
er R2 > r > R1
=
L
2 r
2
4
r
r
Q 1
R12
1
er
r > R2
e
L
2 r
0
r2
4 0 r
0
Q( 0 ) 1
( 0 ) R12
P(r ) =
e =
L 2 er
2 r
r
4 r
0
r < R1
R2 > r > R1
r > R2
D2 tiene SENTIDO er . Entonces la normal debe tener el sentido de er para que L > 0 (es
r = R1
= P2 n
r = R1
Qu significa que P
= L 1 0 > 0
r = R1
P r =R
= P1 n
r = R2
R12 0
= L 2 1 < 0
R2
24
P = polarizacion
0 R12 2
L 2 r
1 r
=0
= 2
r
r
Conductor
cargado,
descargado-dielctrico
2 .
descargado-vaco
25
Q
4
D(r ) = Q
4
Q
Tendremos
Q
4 1
E (r ) = Q
4
2
4 0
r < R1
1
r2
1
r2
1
r2
er = L
er
r
R2
er = L 12 er
r
R12
er = L 2 er
r
2
1
2
R2 > r > R1
R3 > r > R2
r > R3
r < R1
R
1
1
e = L
er
2 r
1
r
r
R2 > r > R1
R12
1
1
er = L 2 er
2
r2
r
R3 > r > R2
R12
1
1
e
er
=
r
L
0
r2
r2
r > R3
2
1
2
2
Q( 1 0 ) 1 e = ( 1 0 ) R1 e
L
r
4 1 r 2 r
1
r2
P(r ) =
2
Q( 2 0 ) 1 e = ( 2 0 ) R1 e
r
L
r
4 2
2
r2
r2
r < R1
R2 > r > R1
R3 > r > R2
r > R3
(P P ) n =
2
( 2 0 )
2
( 1 0 )
1
L = 0
1
L = 0 ( 2 1 ) L
2
1 2
Si L > 0 y 2 > 1 resulta P < 0 , lo que significa que la densidad superficial neta es
negativa. Esto se entiende de la siguiente manera: si la densidad superficial neta es negativa,
hay ms cargas negativas (del lado del dielctrico 2) que positivas (del lado del dielctrico
1), lo que significa que el dielctrico 2 se pudo polarizar ms (y eso es lo que significa tener
una constante dielctrica mayor). Tarea: considerar los otros casos (respecto al signo de L ) y
distinta relacin de constantes dielctricas.
26
es
ms
geomtrico
y
z-q
r q
-q
x-q
X
y-q
rq
zq
yq
xq
con la letra A. Parece muy sencillo escribir el campo generado por ambas cargas, ya que
sabemos cul es el campo generado en todo el espacio por una carga puntual q1 si la carga
est ubicada en el origen de coordenadas
er
1
1
r
E (r ) =
q1
q1
=
4 0 r 3 4 0 r 2
erq
rq
1
1
1
Eq ( rq ) =
q 3
q 2
E q ( r q ) =
=
( q )
4 0 r
4 0 r
4 0
q
q
y
r q
1
3 =4 ( q )
r q
0
er q
2
r q
respectivamente.
27
erq
er q
1
1
ET (=
A)
q
+
( q ) 2
4 0 r 2 4 0
r q
q
Observen que puse A porque no podra haber puesto ni
rq
ni
r q
porque se miden
A
X
r q
q
rq
-q
z
cilndrica,
elegiremos
el
eje
de
coordenadas z coincidente con el eje de simetra. Si, adems, el origen del sistema de
coordenadas se pone a mitad de distancia de las cargas, la expresin del campo va a resultar
muy simtrica. Pero no es imprescindible.
Escribamos el campo generado por cada carga en cualquier punto del plano yz
(Observar que las dos figuras se pueden relacionar por
r = rq + rq = r q + r q
=
Eq ( 0 , y, z )
( yey + zez ) 2 ez 1 yey + z + 2 ez
r rq
1
1
=
q 3
q
=
q
3
3
2
2
4 0 r rq
4 0
4
y2 + z +
y2 + z + 2 2
0
2
2
yey + z ez
( yey + zez ) + 2 ez
q ) r r q
1
1
(
2
Eq ( 0 , y, z ) =
q
=
q
3
3
3 =
2
2
2
2
4 0 r r q
4 0
4 0 2
y2 + z
y
+
z
2
2
28
E ( 0 , y, z )
yey + z + ez
+
ye
z
e
y
1
2
2 z
q
3
3
2
2
2
2
4 0 2
y
z
y + z + 2
xex + yey + z +
e
xe + yey + z
e
1
2 z x
2 z
=
E ( x, y, z )
q
3
3
2
2
2
2
4 0 2
2
2
2
+
+
x
y
z
x + y + z + 2
Conviene escribir las componentes cartesianas del campo para poder observar mejor la
dependencia con las coordenadas
1
1
1
Ex ( x, y,z )
q x
3
3
4 0
x2 + y 2 + z + 2 2 x2 + y 2 + z 2 2
2
2
1
1
1
E y ( x, y,z )
q y
3
3
4 0
x2 + y 2 + z + 2 2 x2 + y 2 + z 2 2
2
2
z+
z
1
2
2
Ez ( x, y,z )
q
=
3
3
2
4 0 2
2 x2 + y 2 + z 2 2
2
x
y
z
+
+
+
2
2
yey + z +
e
yey + z
e
1
2 z
2 z
=
E ( 0 , y, z )
q
3
3
2
2
2
2
4 0 2
y
z
y + z + 2
29
e + z + 2 e
e + z 2 ez
E (,z)
q
3
3
2
2
2
2
4 0
2
2 + z
+ z + 2
(
(
Ahora vamos a tratar de estudiar el comportamiento del campo elctrico para ver si
podemos hacer un esquema cualitativo de las lneas de campo (Recuerden que el campo
elctrico en un punto del espacio es tangente a la lnea de campo en ese punto). Como existe
simetra de revolucin alrededor del eje z, estudiaremos el campo en el plano yz i.e. en x = 0 .
Resulta, entonces
Ex ( 0 , y,z ) = 0
E y ( 0 , y,z )
1
1
1
q y
3
3
4 0
y2 + z + 2 2 y2 + z 2 2
2
2
Ez ( 0 , y,z )
z
z
+
2
2
q
3
3
2
2
4 0 2
2 y2 + z
2
y
z
+
+
2
2
Eq
(
(
(
(
)
)
)
)
E q
-q
z
30
Es decir, el campo elctrico en un punto del plano solo tiene componentes en el plano
(determinado por las cargas y el punto). Determinar los valores del campo en distintos puntos
es una tarea sencilla. No as dibujar las lneas de campo. Por suerte, hay programas que lo
pueden hacer (algunos solo aproximadamente como el FEMM).
En particular, a lo largo del eje y (i.e. en x= z = 0 ) el campo elctrico solamente tiene
componente z ya que
Ex ( 0 , y, 0 ) = 0
E y ( 0 , y, 0 ) = 0
Ez ( 0 , y,0 ) =
1
4 0
( )
y2 + 2
Sobre el eje z, vale y=0 por lo que el campo tiene solo componente z
z+
z+
z
z
1
1
2
2
2
2
=
E z (=
q
q
0, 0, z )
3
3
3
3
2
2
2
2
4 0
4
z
z
0
2
2
z + 2
z 2
sgn z +
sgn z
2
2
q
=
2
2
4 0 z +
z
2
2
) (
z >
2,
sgn z +
2 y
sgn z
2 son
sgn z +
sgn z
z <
2 y
2 son negativos y Ez < 0
2,
positivos, por lo que Ez < 0 . Si
(probarlo). Si
> z >
3
z=
z= 0,
E
>
0
2, z
2 y
4.
(probarlo). Hint: consideren
31
De estas expresiones es fcil deducir que para puntos del espacio a lo largo de la
1
y 3 . Por la simetra
de revolucin el mismo resultado corresponde a cualquier punto alejado del dipolo sobre el
plano xy. Analicemos ahora cul es la dependencia del campo con la
z
z
+
1
1
2
2
Ez ( 0 ,0 ,z =
q
=
)
3
3
2
4 0
2 z 2 2 4 0
z
+
2
2
q
z+
2
z
2
) (
2
( z 2)
z 1
2
2z
1
z
(1 z )
Ez ( 0 , 0, z ) =
1
4 0
2
z3
Es decir, que alejndonos del dipolo a lo largo de los ejes x, y o z el campo elctrico
tiene una dependencia de la inversa del cubo de la distancia. Por supuesto si nos alejamos ms
(lmite para distancia tendiendo a infinito) el campo tiende a cero (lo que es lgico ya que
desde lejos las dos cargas se ve como una carga nula).
El hacer un clculo ms formal requiere de algunos conocimientos de geometra y
recordar ciertas aproximaciones que usaron en Interferencia (experiencia de Young, la doble
rendija)
32
r1 r2
escribir como
=
V
q 1 1
q r2 r1
q cos
=
4 0 r1 r2 4 0 r1r2
4 0 r 2
Como
q 2 cos sin
V 1 V
E = V =
er
e =
er +
e =
4 0 r 3
r
r3
r
q 1
2 cos er + sin e
=
3
4 0 r
r3
=
p q ( ez )
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