Direccin Universitaria de Educacin a Distancia

EAP INGENIERIA ELECTRNICA Y

TELECOMUNICACIONES
CIRCUITOS ELECTRNICOS I

2015-I

Docente:
Ciclo:

Datos del alumno:

Apellidos y nombres:

DALLORTO GATES, SCAR ALFREDO

VI

Nota:

Mdulo I
FORMA DE PUBLICACIN:

Publicar su archivo(s) en la opcin TRABAJO ACADMICO que figura en

el men contextual de su curso

Cdigo de matrcula:

Panel de control

Uded de matrcula:

Fecha de publicacin en campus

virtual DUED LEARN:

HASTA EL DOM. 17 DE
MAYO 2015
A las 23.59 PM

Recomendaciones:

1. Recuerde verificar la
correcta publicacin
de su Trabajo
Acadmico en el
Campus Virtual antes
de confirmar al
sistema el envo
definitivo al Docente.
Revisar la previsualizacin de
su trabajo para asegurar
archivo correcto.

2.

Las fechas de recepcin de trabajos acadmicos a travs del campus virtual estn definidas en el sistema de
acuerdo al cronograma acadmico 2015-I por lo que no se aceptarn trabajos extemporneos.

3.

Las actividades que se encuentran en los textos que recibe al matricularse, servirn para su autoaprendizaje
mas no para la calificacin, por lo que no debern ser consideradas como trabajos acadmicos obligatorios.

1TA20151DUED

Gua del Trabajo Acadmico:

4.

Recuerde: NO DEBE COPIAR DEL INTERNET, el Internet es nicamente una fuente de consulta. Los
trabajos copias de internet sern verificados con el SISTEMA ANTIPLAGIO UAP y sern calificados
con 00 (cero).

5. Estimado alumno:
El presente trabajo acadmico tiene por finalidad medir los logros alcanzados en el desarrollo del curso.
Para el examen parcial Ud. debe haber logrado desarrollar hasta LA PREGUNTA 5 y para el examen final
debe haber desarrollado el trabajo completo.

Criterios de evaluacin del trabajo acadmico:

Este trabajo acadmico ser calificado considerando criterios de evaluacin segn naturaleza del curso:

Presentacin adecuada del

trabajo

Considera la evaluacin de la redaccin, ortografa, y presentacin del

trabajo en este formato.

Investigacin bibliogrfica:

Considera la consulta de libros virtuales, a travs de la Biblioteca virtual

DUED UAP, entre otras fuentes.

Situacin problemtica o caso

prctico:

Considera el anlisis de casos o

problematizadoras por parte del alumno.

Otros contenidos
considerando aplicacin
prctica, emisin de juicios
valorativos, anlisis, contenido
actitudinal y tico.

la

solucin

de

situaciones

TRABAJO ACADMICO
Estimado(a) alumno(a):
Reciba usted, la ms sincera y cordial bienvenida a la Escuela Acadmico Profesional
de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones de Nuestra Universidad Alas Peruanas
y del docente Mg. Ing. Oscar Dall Orto Gates tutor a cargo del curso.
En el trabajo acadmico deber desarrollar las preguntas propuestas por el tutor, a fin
de lograr un aprendizaje significativo.
Se pide respetar las indicaciones sealadas por el tutor en cada una de las preguntas,
a fin de lograr los objetivos propuestos en la asignatura.

PREGUNTAS:

2TA20151DUED

TRABAJO ACADMICO

1.-

DESCRIBIR LAS CARACTERSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES, SU ESTRUCTURA

CRISTALINA, COMO SE FORMAN LOS MATERIALES TIPO P Y TIPO N.
DIFERENCIA ENTRE SEMICONDUCTOR, AISLANTE, CONDUCTOR.

INVESTIGUE SOBRE EL SMBOLO, ESTRUCTURA INTERNA, CURVAS CARACTERSTICAS Y

APLICACIN DE CADA UNO DE LOS SIGUIENTES TIPOS DE DIODOS:

4.

Diodo LED
diodo schottky
Diodo ZENER
diodo tunel
Diodo varicap
diodo laser
Diodo Gunn
fotodiodo
Diodo Varistor
diodo impatt
Investigar sobre las caractersticas de los diodos 10A03, 10A04, MR500, MRA4007T3G,NTE5826,
NTE586, NTE5899, MUR3040PT
Dibujar el diagrama de bloques de una fuente conmutada, explicando su funcionamiento
Presentar 3 circuitos de fuentes conmutadas.
1.- de un receptor de TV.
2.- De un DVD
3.- De un computador
TEMA: TRANSISTORES BJT:
Busque y luego indique las caractersticas tcnicas de los siguientes transistores (DATASHEET)
A) 2N6284, B) 2N3055 C) 2N4403 D) NTE98 E) BC142 F) NTE912
F) BLA6H0912-500 G) 2N5038 H) 2N5330
Entre las caractersticas que debe buscar son los valores mximos de Vce, Vbe, Ic, hfe,
potencia mxima, frecuencia de trabajo.
Tema: transistores FET Y TRANSISTORES IGBT
1. Realice una clasificacin de los transistores FET, indicando su smbolo de cada uno.
2. Busque las caractersticas tcnicas en DATASHEET de los siguientes transistores
a) NTE346 B) CF739 C) K30A D) K241.
Que significa IGBT, que tipo de transistores son. Cules son sus terminales y su smbolo.
Buscar caractersticas de los siguientes transistores:
E) IRGP4086 F) CT60AM-18F G) G40N60B3
Verificar si el circuito est en zona activa. Si est en zona activa encuentre el punto de operacin. Y
considerar = 100. Si no est en zona activa En qu zona est? Vcesat=0.3 voltios.
V1
10V
+V

R2
100k

Rc
1k

Q1
NPN

R3
20k

R4
0.5k

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Dibuje el modelo equivalente hibrido del transistor.

Explicar cada uno de los parmetros.
a) En emisor comn
b) B) en base comn
c) En colector comn.
Indique las unidades que tiene cada parmetro.

Explique el modelo en pequea seal del JFET.

Explique los parmetros IDSS , VP EN LOS FET.
Realiza una diferencia entre los BJT y los FET.

Analizar la respuesta a altas frecuencias de los transistores BJT.

Que elementos intervienen.
Qu es la capacidad de efecto MIller
Disee la red de polarizacin fija de la figura para tener una ganancia de AC de 12. Es decir,
determine el valor de RD.
DATOS: IDSS = 10 ma Vp = -4V yos = 20 S.

Vdd
30V
RD

10

Vo
C1
Vi 0.1uF
+

RG
10M

ROBERT L. BOYLESTAD, LOUIS NASHELSKY

ELECTRNICA: TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Dcima edicin
Editorial: PEARSON. PRENTICE HALL.
Impreso en Mxico

http://www.alldatasheet.es/view.jsp?Searchword=2n2222
http://www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transistores%20
de%20Efecto%20Campo.pdf
http://www.itescam.edu.mx/principal/sylabus/fpdb/recursos/r39426.PDF

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