UNIVERSIDAD NACIONAL

PEDRO RUIZ GALLO

FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS Y MATEMTICAS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA
ELECTRONICA
LABORATORIO DE INGENIERIA ELECTRONICA

EXPOSICIN: TRANSISTORES
CURSO: CIRCUITOS ELECTRNICOS I

TEMA: TRANSISTORES: CARACTERSTICAS Y CURVAS

INTEGRANTES:
DE LA CRUZ DE LA CRUZ HEBER DEY
GONZALEZ ALTAMIRANO MIGUEL
CHOZO VALDERA YHON
CASTAEDA MENDOZA IVAN
PEREZ MAZABEL CRISTHIAN
DOCENTE: ING.CIP LUIS ENRIQUE MOSTACERO ARRAGUI
CICLO: 2014-E

LAMBAYEQUE, 14 de febrero de 2014

TRANSISTORES
Definicin.
Transistor: Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos.
Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin se
realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los
materiales ms frecuentemente utilizados para elementos semiconductores.
Los transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de los
tubos electrnicos, incluyendo la ampliacin y la rectificacin. A continuacin
vamos a observar algunos tipos de transistores:
Introduccin al BJT y principios de construccin.
Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo
electrnico de inters y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vaco fue
introducido por J. A. Fleming. Poco despus, en 1906, Lee, De Forest agreg
un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vaco, lo que
origin el primer amplificador: el triodo. En los aos siguientes, la radio y la
televisin brindaron un gran impulso a la industria de tubos electrnicos. La
produccin aument de cerca de 1 milln de tubos en 1922 hasta
aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la dcada de los treinta
el ttrodo de cuatro elementos y el pntodo de cinco elementos se distinguieron
en la industria de tubos electrnicos. Durante los aos subsecuentes, la
industria se convirti en una de primera importancia y se lograron avances
rpidos en el diseo, las tcnicas de manufactura, las aplicaciones de alta
potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin.

Figura 3.1 El primer transistor.

CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea
de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y
una de tipo n. El primero se denomina transistor npn, en tanto que el ltimo
recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la
polarizacin de cd adecuada. En el captulo 3 encontraremos que la
polarizacin de cd es necesaria para establecer una regin de operacin
apropiada para la amplificacin de ca. Las capas exteriores del transistor son
materiales semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos
mucho mayores que los correspondientes al material emparedado de tipo p o
n. En los transistores que se muestran en la figura 3.2, la relacin entre el
ancho total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la
capa emparedada es tambin considerablemente menor que el de las capas
exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de dopado
reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el
nmero de portadores "libres".

Figura 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.

OPERACION DEL TRANSISTOR

La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor
pnp de la figura 3.2a. La operacin del transistor npn es exactamente igual si
se intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos. En
la figura 3.3 se ha redibujado el transistor pnp sin la polarizacin base a
colector. Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado
directamente en el captulo 1. El ancho de la regin de agotamiento se ha
reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.

Figura 3.3 Unin polarizada directamente de un transistor pnp.

Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura
3.2a como se indica en la figura 3.4. Recurdese que el flujo de portadores
mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de portadores
minoritarios, como se ilustra en la figura 3.4. En resumen, por tanto:
Una unin p-n de un transistor est polarizada inversamente, en tanto que la
otra presenta polarizacin directa.

Figura 3.4 Unin polarizada inversamente de un transistor pnp.

Figura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor

pnp.

Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si

fuera un solo nodo, obtenemos
IE = IC + IB
y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el
colector y la base, Sin embargo, la corriente en el colector est formada por
dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en
la figura 3.5. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de
fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la terminal del emisor
abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el colector se determina
completamente mediante la ecuacin (3.2).
IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria
En el caso de transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, en
tanto que ICO se mide en microamperes o nanoamperes. ICO como Is para un
diodo polarizado inversamente, es sensible a la temperatura y debe
examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos
amplios de temperatura. Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es
posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas
temperaturas. Las mejoras en las tcnicas de construccin han producido
niveles bastante menores de ICO, al grado de que su efecto puede a menudo
ignorarse.

Configuracin de base comn.

La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor
parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en
la figura 3.6 para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn,
La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base
es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base
es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de
estos apuntes todas las direcciones de corriente se referirn a la convencional
(flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta
eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de
literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace uso
del flujo convencional, de que las flechas en todos los smbolos electrnicos
tienen una direccin definida por esta convencin. Recurdese que la flecha en
el smbolo del diodo define la direccin de conduccin para la corriente
convencional. Para el transistor:
La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo
convencional) a travs del dispositivo.

Figura 3.6 Notacin y smbolos en la configuracin de base comn.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las
direcciones reales, como se definen con base en la eleccin del flujo
convencional. Ntese en cada caso que IE = IC + IB. Tambin advirtase que la
polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la
corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la
direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la direccin
de IC con la polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, tales como los amplificadores de base comn de la figura 3.6, se
requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de
entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de
entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en la figura 3.7,
relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para
varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Figura 3.7 Caractersticas del punto de excitacin para un transistor

amplificador de silicio de base comn.

El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de

salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra
en la figura 3.8. El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres
regiones bsicas de inters, como se indican en la figura 3.8: las regiones
activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la regin empleada
normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la

regin actva la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras

que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.

Figura 3.9 Saturacin de corriente inversa.

En la regin de saturacin las uniones colector-base y base-emisor estn

polarizadas directamente.
Las caractersticas de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos
de voltaje de colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor
aumenta, la corriente de emisor se incrementa de una manera que se asemeja
mucho a las caractersticas del diodo. De hecho, los niveles de aumento de
VCB tienen un efecto tan insignificante sobre las caractersticas que, como una
primera aproximacin, la variacin debida a los cambios en VCB puede
ignorarse y se dibujan las caractersticas como se ilustra en la figura 3.10a. Si
aplicamos entonces el mtodo del modelo de segmentos lineales del diodo
ideal, se obtendrn las caractersticas de la figura 3.10b. Adelantando un paso
ms e ignorando la pendiente de la curva y por tanto la resistencia asociada
con la unin directamente polarizada, se obtendrn las caractersticas de la
figura 3. lOc. Para los siguientes anlisis en estos apuntes, el modelo
equivalente de la figura 3.l0c se emplear para todos los anlisis de cd para
redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor esta en el estado
"encendido" o de conduccin, se supondr que el voltaje de base a emisor ser
el siguiente:
VBE = 0.7 V

Polarizacin
La polarizacin adecuada de la base comn puede determinarse rpidamente
empleando la aproximacin IC IE y suponiendo por el momento que IB 0
uA. El resultado es la configuracin de la figura 3.11 para el transistor pnp. La
flecha del smbolo define la direccin del flujo convencional para IC IE. Las

alimentaciones de cd se insertan entonces con una polaridad que sostendr la

direccin de la comente resultante. En el transistor npn las polaridades estarn
invertidas.

Figura 3.11

A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del smbolo
del dispositivo apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras del tipo de
transistor con las letras apropiadas de las frases "apuntando hacia adentro" o
"apuntando hacia afuera".

ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

Ahora que se ha establecido la relacin entre IC e IE, la accin bsica de
amplificacin del transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando
la red de la figura 3.12. La polarizacin de cd no aparece en la figura puesto
que nuestro inters se limitar a la respuesta de ca. Para la configuracin de
base comn, la resistencia de entrada de ca determinada por las
caractersticas de la figura 3.7 es bastante pequea y vara tpicamente de 10 a
100 ohms. La resistencia de salida determinada por las curvas de la figura 3.8
es bastante alta (cuanto ms horizontal est la curva mayor ser la resistencia)
y vara normalmente de 50 kohms a 1 Mohms, La diferencia en resistencia se
debe a la unin polarizada directamente en la entrada (base a emisor) y la
unin polarizada inversamente en la salida (base a colector). Usando un valor
comn de 20 ohms para la resistencia de entrada, encontramos que

Si suponemos por el momento que ca = 1,

IL = Ii = 10 mA
VL = ILR
= (10 mA)(5 kohms)
= 50 V

Figura 3.12

La amplificacin de voltaje es

Los valores tpicos de amplificacin de voltaje para la configuracin de base

comn varan de 50 a 300. La amplificacin de corriente (IC/IE) siempre es
menor que 1 para la configuracin de base comn. Esta ltima caracterstica
debe ser evidente ya que IC = IE y siempre es menor que 1.
La accin bsica de amplificacin se produjo transfiriendo una corriente I de un
circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinacin de los dos trminos
en cursivas produce el nombre de transistor, es decir,
transferencia + resistor > transistor

Configuracin de emisor comn.

La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se

muestra en la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se denomina

configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las

terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a
las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos
de caractersticas para describir en forma completa el comportamiento de la
configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una
para la salida o circuito del colector. Ambas se muestran en la figura 3.14.

Figura 3.13

Figura 3.14

Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de

comente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha
cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes desarrolladas
antes para la configuracin de base comn.

Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos

un valor tpico de a
tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:

Si icbo fuera de 1 uA, la corriente de colector resultante con IB = 0 A sena 250

(1 pA) = 0.25
mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 3.14.
Configuracin de colector comn.
La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn,
mostrada en la figura 3.20 con las direcciones apropiadas de corriente y la
notacin de voltaje. La configuracin de colector comn se emplea
fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que
tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que
es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor comn.

Figura 3.20 Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn.

La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 3.21 con
la resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est
conectado a tierra aun cuando el transistor est conectado de manera similar a
la configuracin de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es
necesario elegir para un conjunto de caractersticas de colector comn, los
parmetros del circuito de la figura 3.21. Pueden disearse empleando las
caractersticas de emisor comn de la seccin 3.6. Para todos los propsitos

prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de colector comn

son las mismas que las de la configuracin de emisor comn. En la
configuracin de colector comn las caractersticas de salida son una grfica
de IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de
entrada es la misma tanto para las caractersticas de emisor comn como para
las de colector comn. El eje de voltaje para la configuracin de colector comn
se obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a emisor de
las caractersticas de emisor comn. Por ltimo, hay un cambio casi
imperceptible en la escala vertical de IC de las caractersticas de emisor comn
si IC se reemplaza por IE en las caractersticas de colector comn (puesto que
= 1). En el circuito de entrada de la configuracin de colector comn, las
caractersticas de la base de emisor comn son suficientes para obtener la
informacin que se requiera.

Figura 3.21 Configuracin de colector comn empleada para propsitos

de acoplamiento de impedancia

Lmites de operacin del transistor.

Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la
cual asegurara que los valores nominales mximos no sean excedidos y la
seal de salida exhibe una distorsin mnima. Una regin de este tipo, se ha
definido para las caractersticas de transistor de la figura 3.22. Todos los lmites
de operacin se definen sobre una tpica hoja de especificaciones de transistor
descrita en la seccin 2.6.

Figura 3.22

El nivel de VCEsat est regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada

para este transistor. El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente
ecuacin:
PCmx = VCEIC

Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia de colector se

especific como de 300 mW. Surge entonces la cuestin de cmo graficar la
curva de disipacin de potencia de colector especificada por el hecho de que
PCmx = VCEIC = 300 mW

En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser

igual a 300 mW. Si elegimos para IC el valor mximo de 50 mA y lo sustituimos
en la relacin anterior, obtenemos
VCEIC = 300 mW

VCE(50 mA) = 300 mW

VCE = 6 V

Como un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V sobre

la curva de disipacin de potencia, como se indica en la figura 3.22. Si ahora
elegimos para VCE su valor mximo de 20 V, el nivel de IC es el siguiente:
(20 V)IC = 300 mW
IC = 15 mA

definiendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora

escogemos un nivel de IC a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos
para el nivel resultante de VCE obtenemos
VCE(25 mA) = 300 mW
VCE = 12 V

como tambin se indica en la figura 3.22. Una estimacin aproximada de la

curva real puede dibujarse por lo general empleando los tres puntos definidos
con anterioridad. Por supuesto, entre ms puntos tenga, ms precisa ser la
curva, pero una aproximacin es generalmente todo lo que se requiere. La
regin de corte se define como la regin bajo IC = ICEO. Esta regin tiene que
evitarse tambin si la seal de salida debe tener una distorsin mnima. En
algunas hojas de especificaciones se proporciona solamente ICBO. Entonces
uno debe utilizar la ecuacin ICEO = ICBO para establecer alguna idea del
nivel de corte si la curva de caractersticas no est disponible. La operacin en
la regin resultante de la figura 3.22 asegurar una mnima distorsin de la
seal de salida y niveles de voltaje y corriente que no daarn al dispositivo. Si
las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la hoja de
especificaciones (como ocurre con frecuencia), uno simplemente debe estar
seguro que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en
la siguiente ecuacin:
ICEO IC Icmx
VCEsat VCE VCEmx

VCEIC PCmx

Para las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima se define

por el siguiente producto de cantidades de salida;
PCmax = VCBIC
PUNTO DE OPERACIN
El trmino polarizacin que aparece en el titulo de este captulo es un vocablo
que incluye todo lo referente a la aplicacin de voltajes de cd para establecer
un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de transistor, el voltaje y
la comente de cd resultantes establecen un punto de operacin sobre las
caractersticas, el cual define la regin que se emplear para la amplificacin
de la seal aplicada. Ya que el punto de operacin es un punto fijo sobre las
caractersticas, se le conoce tambin como punto quiesciente (abreviado punto
Q). Por definicin, quiesciente significa quieto, inmvil, inactivo. La figura 4.1
muestra una caracterstica general de salida de un dispositivo con cuatro
puntos de operacin indicados. El circuito de polarizacin puede disearse para
establecer la operacin del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros
dentro de la regin activa. Los valores nominales mximos se indican sobre las
caractersticas de la figura 4,1, por una linea horizontal para la corriente de
colector mxima ICmx y por una lnea vertical para el voltaje de colectoremisor mximo VCEmax. La mxima potencia de operacin mxima se define
por la curva Pcmx en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se
localizan la regin de corte, definida por IB 0 uA, y la regin de saturacin,
definida por VCE VCEsat.

Figura 4.1 Diversos puntos de operacin dentro de los lmites de

operacin de un transistor.

El dispositivo BJT podra polarizarse para operar fuera de estos puntos limite
mximos, pero el resultado de tal operacin causara ya sea el acortamiento de
la vida de servicio del dispositivo, o bien su destruccin. Concentrndonos en la
regin activa es posible elegir muchas reas o puntos de operacin diferentes.
El punto Q depende a menudo del uso que se dar al circuito. No obstante, es
posible considerar algunas diferencias entre la operacin en puntos diferentes
de la figura 4.1 para presentar algunas ideas bsicas en tomo al punto de
operacin y, por ello, al circuito de polarizacin.
Para el BJT que se polarizar en su regin de operacin lineal o activa debe
cumplirse:
1. La unin de base a emisor debe estar polarizada directamente
(voltaje de la regin p ms positivo) con un voltaje resultante de
polarizacin directa entre la base y el emisor de
aproximadamente 0.6 a 0.7 V.
2. La unin de base a colector debe estar polarizada
inversamente (regin n ms positiva), estando el voltaje de

polarizacin inversa en cualquier valor dentro de los lmites

mximos del dispositivo.
La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de la
caractersticas del BJT se obtienen de acuerdo con lo siguiente:
1. Operacin en la regin lineal: Unin base-colector con polarizacin
directa, Unin base-colector con polarizacin inversa
2. Operacin en la regin de corte: Unin base-emisor con polarizacin
inversa
3. Operacin en la regin de saturacin: Unin base-emisor con
polarizacin directa, Unin base-colector con polarizacin directa

Saturacin del transistor

El termino saturacin se aplica a cualquier sistema, donde los niveles han
alcanzado sus valores mximos. Una esponja saturada es aquella que no
puede contener una gota ms de liquido. Para un transistor que opera en la
regin de saturacin, la corriente es un valor mximo para el diseo particular.
Modifquese el diseo y el correspondiente nivel de saturacin podr elevarse o
decaer. Por supuesto, el mayor nivel de saturacin se define por la mxima
corriente de colector, tal como se proporciona en la hoja de especificaciones.

Figura 4.8 Regin de saturacin (a) real (b) aproximada

Si juntarnos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura 4.8b,
se llegar a un mtodo rpido y directo para determinar el nivel de
saturacion.Enlafigura4.8b la corriente es relativamente alta y se supone que el
voltaje VCE es de cero voltios. Al aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las
terminales de colector y emisor se puede determinar como sigue:
RCE = VCE / IC = 0 V / ICsat = 0 ohms
Aplicando los resultados al esquema de la red resultara la configuracin de la
figura 4.9.

Figura 4.9 Determinacin de ICsat.

Por consiguiente, en el futuro, si hubiera necesidad inmediata de conocer la

corriente mxima de colector aproximada (nivel de saturacin) para un diseo
en particular, simplemente inserte un corto circuito equivalente entre el colector
y el emisor del transistor y calcule la corriente de colector resultante. En
resumidas cuentas, haga VCE = 0V. Para la configuracin de polarizacin fija
de la figura 4.10, se utiliz el corto circuito, ocasionando que el voltaje a travs
de RC sea el voltaje aplicado VCC. La corriente de saturacin resultante para
la configuracin de polarizacin fija es:
ICsat = VCC / RC

Figura 4.10 Determinacin de ICsat, para la configuracin de polarizacin

fija.
Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la mxima corriente de
colector posible para el diseo elegido y del nivel bajo el cual permanecer si
esperamos una amplificacin lineal.

Anlisis por recta de carga

Hasta aqu, el anlisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de
correspondiente con el punto Q
resultante. Ahora investigaremos cmo los parmetros de la red definen el
posible rango de puntos
Q y cmo se determina el punto Q real. La red de la figura 4.11a establece una
ecuacin. para la
salida que relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:
VCE = VCC - ICRC
Las caractersticas de salida del transistor tambin relacionan las mismas dos
variables IC y VCE,
como se ilustra en la figura 4.11b. Por o tanto, tenemos, en esencia, una
ecuacin de red y un
conjunto de caractersticas que utilizan las mismas variables. La solucin
comn de las dos ocurre
donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen
simultneamente. En otras palabras,

esto es similar a encontrar la solucin de dos ecuaciones simultneas: una

establecida por la
red y otra por las caractersticas del dispositivo.

Figura 4.11 Anlisis de recta de carga (a) la red (b) las caractersticas del
dispositivo.

Las caractersticas del dispositivo de IC contra VCE se proporcionan en la

fgura 4.11b. Ahora
debemos sobreponer la linea recta definida por la ecuacin 4.12 sobre las
caractersticas. El mtodo
ms directo para trazar la ecuacin (4.12) sobre las caractersticas de salida es
empleando el hecho
de que una recta est definida por dos puntos. Si elegimos IC con un valor de 0
mA, estaremos
especificando el eje horizontal como la lnea sobre la cual se localizar un
punto. Al sustituir IC = 0
mA en la ecuacin (4.12), encontraremos que

VCE = VCC para IC = 0 mA

definiendo un punto para la linea recta, como se ilustra en la figura 4.12.

Figura 4.12 Recta de carga de polarizacin fija.

Figura 4.13 Movimiento del punto Q con respecto al incremento en los

niveles de IE

Figura 4.14 Efectos del incremento en los niveles de RC sobre la recta de

carga y el punto Q.

Figura 4.15 Efecto de la disminucin en los valores de VCC sobre la recta

de carga y el punto Q.

Circuito de polarizacin estabilizada de emisor.

La red de polarizacin de cd de la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor

para mejorar el nivel de estabilidad sobre el de la configuracin de polarizacin
fija. La estabilidad mejorada se demostrar ms adelante en esta seccin
mediante un ejemplo numrico. El anlisis se realizar examinando, en primer
lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigar la
malla de colector a emisor.

Figura 4.17 Circuito de polarizacin BJT con resistor de emisor.

Malla de base-emisor
La malla de base a emisor de la red de la figura 4.17 se puede volver a dibujar,
como se ilustra en la figura 4.18. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff
alrededor de la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj,
obtendremos como resultado la siguiente ecuacin:
VCC - IBRB - VBE - IERE = 0
Recordando del capitulo 2 que
IE = ( + 1)IB
Sustituyendo a IE en la ecuacin (4.15) da por resultado
VCC - IBRB - VBE - ( + 1)IBRE = 0
Agrupando trminos, nos da lo siguiente:
-IB(RB + ( + 1)RE) + VCC - VBE = 0

Multiplicando todo por (-1), obtenemos

IB(RB + ( + 1)RE) - VCC + VBE = 0

y resolviendo IB llegamos a
IB = (VCC - VBE)/(RB + (RC+RE))
Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para IB y la obtenida para la
con figuracin de polarizacin fija es el trmino ( + 1) RE. Hay un resultado
interesante que puede derivarse de la ecuacin (4.17) si la ecuacin se utiliza
para trazar una red en serie que resultara en la misma ecuacin. Tal es el caso
para la red de la Figura 4.19. Resolviendo para la corriente IB resultar la
misma ecuacin obtenida anteriormente. Advirtase que al lado del voltaje de
base a emisor VBE el resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de base
por un factor ( + 1). En otras palabras, el resistor de emisor, el cual es parte
de la malla de colector-emisor, "parece como" ( + 1 )RE en la malla de baseemisor. Puesto que es por lo general 50 o ms, el resistor de emisor parece
ser mucho ms grande en el circuito de base; tanto, para la configuracin de la
figura 4.20.

Figura 4.18 Malla de base-emisor

Figura 4.19

Figura 4.20 Nivel de impedancia reflejada de RE

La ecuacin (4.18) probar su utilidad en los anlisis que siguen. De hecho,

proporciona una manera bastante fcil de recordar la ecuacin (4.17).
Empleando la ley de Ohm, sabemos que la corriente a travs de un sistema es
el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. Para el circuito de baseemisor, el voltaje neto es VCC - VBE. Los niveles de resistencia son RB ms
RE reflejado por ( + 1). El resultado es la ecuacin (4.17).

Malla de colector-emisor
La malla de colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21. Aplicando la
ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en direccin de las manecillas
del reloj, resultar que
IERE + VCE +ICRC - VCC = 0
Sustituyendo IE =IC y agrupando trminos, se obtiene

VCE - VCC + IC(RC + RE) = 0

VCE = VCC + IC(RC + RE)
El voltaje con subndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se
determina por
VE = IERE
mientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir de
VCE = VC - VE
VC = VCC - ICRC

E1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de

VB = VCC - IBRB
VB = VBE + VE

Estabilidad de polarizacin mejorada

La adicin de la resistencia de emisor a la polarizacin de cd del BJT
proporciona una mejor estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de
polarizacin de cd se mantienen ms cerca de los puntos donde fueron fijados
por el circuito aun cuando cambien las condiciones externas como el voltaje de
alimentacin, la temperatura e incluso la beta del transistor. Aunque el anlisis
matemtico se brinda en la seccin 4.12, puede obtenerse cierta comparacin
del mejoramiento como lo muestra el siguiente ejemplo.

Nivel de saturacin
El nivel de saturacin del colector o la comente del colector mxima para un
diseo polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque
empleado en la configuracin de polarizacin fija: aplicar un corte circuito entre
las terminales colector-emisor, como se ilustra en la figura 4.23, y calcular la
corriente del colector resultante. Para la figura 4.23:
ICsat = VCC / (RC +RE)

La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del emisor

debajo del nivel que se obtiene con una configuracin de polarizacin fija por
medio del mismo resistor del colector.

Figura 4.23 Determinacin de ICsat para el circuito de polarizacin de

emisor.
Saturacin del transistor
El circuito colector-emisor de salida para la configuracin con divisor de voltaje
tiene el mismo aspecto que el circuito polarizado de emisor analizado en la
seccin 4.4. La ecuacin resultante para la corriente de saturacin (cuando
VCE se establece a cero voltios en el diagrama) es, por tanto, la misma que se
obtiene para la configuracin polarizada de emisor. Es decir,
ICsat = ICmx = VCC / (RC + RE)
Anlisis por recta de carga
Las similitudes con el circuito de salida de la configuracin polarizada de
emisor resultan en las mismas intersecciones para la recta de carga de la
configuracin con divisor de voltaje. La recta de carga tendr por consiguiente
el mismo aspecto que la de la figura 4.24, con

El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuacin distinta para la

polarizacin con divisor de voltaje y las configuraciones polarizadas de emisor.

Ejemplo:
Para la red de la figura 4.39:
a. Determine Icq y vceq.
b. Encuentre VB, VC, VE y VBC.

Figura 4.39 Retroalimentacin en colector con RE = 0ohms.

Solucin
La ausencia de RE reduce la reflexin de los niveles resistivos a simplemente
el nivel de RC, y la ecuacin para IB se reduce a

En el siguiente ejemplo, el voltaje aplicado se conecta a la terminal del emisor,

y RC directamente a tierra. Al principio, la tcnica parece un tanto heterodoxa y
bastante diferente a las empleadas hasta ahora; sin embargo, una aplicacin
de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de base dar por resultado la
corriente de base deseada.

Ejemplo:
Determine VC y VB para la red de la figura 4.40.

Figura 4.40 Ejemplo

Solucin
Al aplicar la ley del voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj
a la malla de base a emisor, el resultado es

El siguiente ejemplo emplea una red conocida como configuracin de emisorseguidor. Cuando la misma red se analiza sobre una base de ca,
encontraremos que las seales de entrada y salida estn en fase (una
siguiendo a la otra) y el voltaje de salida es ligeramente menor que la seal
aplicada. Para el anlisis de cd, el colector se conecta a tierra y el voltaje
aplicado est en la terminal del emisor.

Ejemplo:
Determine VCEQ e IE para la red de la figura 4.41

Solucin
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos

Sustituyendo valores tenemos

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos

Hasta aqu, todos los ejemplos han empleado una configuracin de colector
comn o de emisor comn. En el siguiente ejemplo, investigaremos la
configuracin de base comn. En esta situacin se utilizar el circuito de
entrada para determinar IE ms que IB. La corriente de colector est disponible
entonces para realizar un anlisis del circuito de salida.

Ejemplo
Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuracin de base comn
de la figura 4.42.

Solucin
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos
-VEE + IERE + VBE = 0
IE = (VEE - VBE) / RE
Sustituyendo valores obtenemos

IE = (4 V - 0.7 V) / 12 Kohms = 2.75 mA

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos

-VCE + ICRC - VCC = 0
VCB = VCC - ICRC con IC = IE
= 3.34 V
IB = IC / = 2.75 mA / 60 = 45.8 uA

El ejemplo anterior emplea una fuente de alimentacin doble y requerir la

aplicacin del teorema de Thvenin para determinar las incgnitas deseadas.

Ejemplo:

Determine VC y VB para la red de la figura 4.43

Figura 4.43

Solucin

La resistencia de Thvenin y el voltaje determinan para le red a la izquierda de

la terminal de base, como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45

Figura 4.44

Figura 4.45

La red puede volverse a dibujar, como se ilustra en la figura 4.46 y al aplicarle

la ley de voltaje de Kirchhoff, da por resultado
-ETh - IBRTh - VBE - IERE + VEE = 0

Figura 4.46

Al sustituir IE = ( + 1)IB obtenemos

Conmutacin con transistores.

La aplicacin de los transistores no se limita solamente a la amplificacin de las

seales. Por medio de un diseo adecuado pueden utilizarse como interruptor
para aplicaciones de control y computadoras. La red de la figura 4.52a puede
emplearse como un inversor en circuitos lgicos de computadoras. Ntese que
el voltaje de salida VC es opuesto al que se aplica a la base o terminal de
entrada. Adems, advirtase la ausencia de una fuente de cd conectada al
circuito de base. La nica fuente de cd est conectada al extremo de colector o
salida, y para las aplicaciones de computadoras es tpicamente igual a la
magnitud del flanco de subida de la seal de salida, en este caso. de 5 V.

Figura 5.52 Inversor de transistor

El diseo adecuado para el proceso de inversin requiere que el punto de

operacin cambie desde el estado de corte hasta el de saturacin, a lo largo de
la recta de carga trazada en la figura 4.52b. Para nuestros propsitos
supondremos que IC = ICEq = 0 mA cuando IB = 0 uA (una excelente
aproximacin a la luz de las tcnicas mejoradas de construccin), como se

muestra en la figura 4.52b. Adems, supondremos VCE = vcesat = 0 V en lugar

del nivel tpico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi = 5 V, el transistor estar en estado "encendido" y el diseo debe
asegurar que la red est completamente saturada con un nivel de IB mayor que
el asociado con la curva de IB que aparece cerca del nivel de saturacin. En la
figura 4.52b esto requiere que IB > 50 uA. El nivel de saturacin para la
comente de colector del circuito de la figura 4.52a se define como
ICsat = VCC / RC
El nivel de IB en la regin activa, justo antes de que se presente la saturacin
puede aproximarse mediante la siguiente ecuacin:
IBmx = ICsat / cd
Por tanto, para el nivel de saturacin, debemos asegurar que se satisfaga la
condicin siguiente:
IB > ICsat / cd

Saturacin Suave
BJT saturado ligeramente
RB = (Vi - 0.7V)/IB
IB ICsat / mn
RB = (Vi - 0.7V) mn /ICsat

Saturacin Dura
BJT debe saturarse para cualquier valor de beta.
= 10
RB = (Vi - 0.7V)10 /ICsat

Para ICsat hay que tomar en cuenta la caida de voltaje de la carga

ICsat = (VCC - Vcarga)/RC

El transistor PNP.
Hasta este punto el anlisis se ha limitado exclusivamente a los transistores
npn para asegurar que el anlisis inicial de las configuraciones bsicas fuera lo
ms claro posible y sin complicaciones al intercambiar entre diferentes tipos de
transistores. Afortunadamente, el anlisis de los transistores pnp sigue el
mismo patrn establecido para los transistores npn. El nivel de IB se determina
en primer lugar, seguido por la aplicacin de las relaciones de transistor
apropiadas para determinar la lista, de cantidades desconocidas. De hecho, la
nica diferencia entre las ecuaciones que se obtienen para una red en la que
se ha reemplazado un transistor npn por otro de tipo pnp es el signo asociado a
cantidades particulares.
Como se advierte en la figura 4.63, la notacin de subndice doble contina
como fue definida normalmente. Sin embargo, las direcciones de la corriente se
han invertido para reflejar las direcciones de conduccin reales. Empleando las
polaridades definidas de la figura 4.63, tanto VBE como VCE sern cantidades
negativas.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la malla de base a emisor
obtendremos la siguiente ecuacin para la red de la figura 4.63:
-IERE + VBE -IBRB +VCC = 0
Sustituyendo IE = ( + 1 )IB y resolviendo para IB, llegamos a

La ecuacin resultante es la misma que la ecuacin (4.17), a excepcin del

signo para VBE Sin embargo, en este caso VBE = -0.7 V y la sustitucin de los
valores resultar en el mismo signo para cada trmino de la ecuacin (4.49),
como la ecuacin (4.17). Recurdese que la direccin de IB se define ahora
como opuesta a la de un transistor pnp, como se ilustra en la figura 4.63. Para
VCE, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla de colector a emisor, lo
que da por resultado la siguiente ecuacin:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC, obtenemos

VCE = -VCC + IC(RC +RE)

La ecuacin resultante tiene el mismo formato que la ecuacin (4.19), pero el
signo enfrente de cada trmino a la derecha del signo de igualdad ha
cambiado. Puesto que VCC ser mayor que la magnitud del trmino siguiente,
el voltaje tendr un signo negativo, como se advirti en un prrafo anterior.

Ejemplo:
Determine VCE para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de
la figura 4.6

Figura 4.64 Transistor PNP en una conguracin de polarizacin con

divisor de voltaje.
Solucin
Probando la condicin
RE 10 R2
132 k 100 k (satisfactorio)
Resolviendo para VB, tenemos que

Ntese la similitud en el formato de la ecuacin con el voltaje negativo

resultante para VB.

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a lo largo de la malla de base a emisor,

nos lleva a
VB - VBE -VE = 0
VE = VB - VBE
VE = -3.16 V - (-0.7 V)
= -2.46 V
Advierta que en la ecuacin anterior se emplea la notacin estndar de
subndice sencillo y doble Para un transistor npn la ecuacin VE. = VB - VBE
sera exactamente la misma. La nica diferencia surge cuando se sustituyen
los valores. La corriente
IE = VE / RE = 2.46 V / 1.1 k = 2.24 mA
Para la malla de colector a emisor:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC y agrupando trminos, tenemos que
VCE = -VCC + IC(RC +RE)
Sustituyendo valores, obtenemos
VCE = -18 V + (2.24 mA)(2.4 k + 1.1 k ) = -10.16 V
Modelado del transistor BJT.
La clave del anlisis de pequea seal de transistor es el empleo de los
circuitos equivalentes (modelos) que sern introducidos en este captulo. Un
modelo es la combinacin de elementos de circuito, seleccionados
adecuadamente, que mejor aproximan el comportamiento real de un dispositivo
semiconductor en condiciones especficas de operacin,

Figura 7.3 Circuito de transistor examinado en este anlisis introductorio.

Figura 7.4 Red de la figura 7.3 despus de eliminar la alimentacin de cd.

La conexin comn de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura 7.4

dar como resultado una combinacin en paralelo de los resistores R1, R2, y
RC que aparecer del colector al emisor como se muestra en la figura 7.5.
Como los componentes del circuito equivalente del transistor insertado en la
figura 7.5 son aquellos con los que ya nos hemos familiarizado (resistores,
fuentes controladas, etc.), las tcnicas de anlisis tales como superposicin y el
teorema de Thvenin, entre otras, pueden aplicarse para determinar las
cantidades deseadas.

Figura 7.5 Circuito de la figura redibujado para el anlisis de pequea

seal ca.

Examinaremos an ms la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades

importantes que se determinarn en el sistema. Puesto que sabemos que el
transistor es un dispositivo amplificador, esperaramos alguna indicacin de
cmo se relacionan el voltaje de salida Vo y el de entrada Vi, es decir, la
ganancia en voltaje. Note en la figura 7.5 que para esta configuracin Ii = Ib, e
Io = Ic lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io / Ii. La impedancia de
entrada Zi y la impedancia de salida Zo probarn ser de particular importancia
en el anlisis que se detalla a continuacin. Se proporcionar mucha ms
informacin acerca de estos parmetros en las secciones siguientes. Por tanto,
el equivalente de ca para una red se obtiene por medio de:
1. El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su reemplazo
por un corto circuito equivalente
2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito
equivalente
3. La eliminacin de todos los elementos sustituidos por los corto
circuitos equivalentes introducidos en los pasos 1 y 2
4. El dibujar de nuevo la red en una forma ms lgica y conveniente.
TRANSISTORES DE BARRERA SUPERFICIAL.
-Transistor bidireccional: realiza la funcin de conmutacin en ambos
sentidos del flujo de seales, a travs de un circuito. Ampliamente utilizado en
los circuitos conmutacin telefnica.
-Transistor bipolar: transistor de punta en el que el emisor y el colector son
electrodos de contacto de punta que hacen presin en los centros de las caras
de un disco delgado de material semiconductor que sirve de base.

-Transistor de aleacin-difusin: es el combinado de las tcnicas de aleacin

y difusin de un modo diferente a la de un transistor de difusin-aleacin.
-Transistor de almacenamiento de carga: es el que la unin base-colector se
carga cuando se aplica polarizacin directa estando la base a nivel alto y el
colector a nivel bajo.
-Transistor de barrera de unin: construido por aleacin de la base con el
material terminal de un conductor.
-Transistor de barrera intrnseca: transistor triodo en el que las barreras
superficiales estn constituidas sobre los lados opuestos de una lmina de
germanio tipo n por depresiones grabadas, y ulterior electromoldeo de los
puntos de colector y emisor que funcionan como contactos rectificadores.
TRANSISTORES DE BASE DIFUSA.
-Transistor de base difusa: transistor en el que es obtenida una regin no
uniforma de base por difusin gaseosa. La unin base-colector est tambin
formada por difusin gaseosa, por tanto la unin base-emisor es una unin
convencional de aleacin.
-Transistor de base metlica: consistente en una base constituida por una
pelcula metlica delgada interpuesta entre dos semiconductores tipo n,
estando el semiconductor de emisor ms dopado que la base a fin de
conseguir una mayor relacin entre la corriente de electrones y la corriente de
huecos. La respuesta de frecuencia es mucho ms elevada que la de los
transistores convencionales.
-Transistor de campo: transistor unipolar.
-Transistor de campo interno: tiene dos uniones planas paralelas, con un
apropiado gradiente de resistividad en la regin base entre las uniones para
mejorar las respuestas a elevadas frecuencias.
-Transistor de capa agotada: funciona por el movimiento de los cortadores a
travs de las capas desiertas o capas agotadas tal como un espacistor.
-Transistor de capa de difusin: transistor de unin en las que las uniones
finales estn constituidas por difusin de impurezas cerca de una unin de
crecimiento.

-Transistor de cuatro capas: tiene cuatro regiones conductores pero solo tres
terminales. Un ejemplo de este tipo es el tiristor.
-Transistor de difusin: transistor en el que el flujo de corrientes es resultado
de la difusin de portadores donadores o aceptadores, como en un transistor
de unin.
-Transistor de difusin microaleado: transistor en el que el cuerpo
semiconductor es previamente sometido a difusin gaseosa a fin de producir
una regin de base no uniforme.
-Transistor de doble difusin: est formado de dos uniones en la pastilla de
semiconductor, por difusin gaseosa de ambos de impurezas p y n. Puede
tambin formarse una regin intrnseca.
-Transistor de doble emisor: transistor epitaxial planal pasivado p-n-p de
silicio que tiene dos emisores para su utilizacin en interruptores de bajo nivel.
-Transistor de doble superficie: transistor de puntas en los que buscadores
de emisor y colector estn en contacto con los lados opuestos de la base.
-Transistor de efecto de campo: transistor en el que la resistencia al paso de
la corriente desde el electrodo fuente al electrodo drenador se modula por
aplicacin de un campo elctrico transversal entre los electrodos de graduador
o puerta. El campo elctrico modifica la densidad de la capa empobrecida entre
las puertas, reduciendo por tanto la conductancia.
TRANSISTORES DE MODULACIN DE CONDUCTIVIDAD.
-Transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor: transistor de
efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por
una capa delgada de xido de sicilio. Cuando en el modo de empobrecimiento,
una tensin negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente
presentes en el canal conductor con polarizacin nula de puerta. Cuando
funciona en el sentido de enriquecimiento, la puerta se polariza en sentido
directo para incrementar la carga del canal y aumentar la conductancia de este.
Se pueden obtener ambos tipos de funcionamientos de un sustrato de tipo n o
de tipo p, respectivamente.
-Transistor de efecto de campo multicanal: es en el que se aplica tensiones
adecuadas a la puerta de entrada para controlar el espacio entre los canales de
flujo de corriente. La utilizacin de ms de un canal permite el empleo de
corrientes ms intensas sin reducir la respuesta de frecuencia lo que

normalmente ocurre cuando se aumenta el tamao de un dispositivo de canal

nico para acomodarlo a mayor intensidad.
-Transistor de emisor y conductor difusos: es el que tanto el emisor como el
colector han sido constituidos por difusin.
-Transistor de difusin: transistor de unin, obtenido por enfriamiento brusco
despus de la funcin de una determinada regin.
-Transistor de gancho: tiene cuatro capas alternadas tipo p y n, con una capa
flotante entre la base y el colector. Esta disposicin da lugar a altas ganancias
de la corriente de entrada de emisor.
TRANSISTORES DE MULTIEMISOR.
-Transistor de multiemisor: tiene uno o ms emisores adicionales. Utilizado
principalmente en los circuitos lgicos.

-Transistor de pelcula delgada: transistor de efecto de campo construido

enteramente mediante tcnicas de pelculas delgadas para su utilizacin en
circuitos de esta naturaleza. Un electrodo de puerta, de metal delgado, est
separado por una pelcula delgada semiconductor que por lo general est
constituida por sulfuro de cadmio la corriente circula a lo largo de un canal por
la capa del semiconductor. Entre dos electrodos denominados fuente y
drenador. La intensidad de corriente se consigue mediante la tensin aplicada
a la puerta aislada.
-Transistor de potencia: transistor de unin que puede trabajar con corrientes
y potencias elevadas. Se usa principalmente en circuitos de audio y
conmutacin.
-Transistor de precisin de aleacin de silicio: Es en el cual las tcnicas de
aleacin y grabado se combinan para producir una elevada frecuencia de
respuesta y un estrecho control de los parmetros de transistor, tal como se
requiere para aplicaciones de conmutacin de bajo nivel y elevada resolucin.
-Transistor de puerta de control: Es en el que un electrodo de puerta cubre
las uniones del emisor y el colector, permitiendo la aplicacin de un campo
electrnico a la superficie de la regin de la base.

-Transistor de puntas: tiene un electrodo base y dos o ms puntos de

contacto poco separadas entre si, sobre la superficie del germanio tipo n. La
presin de los contactos crea una pequea zona de material tipo p bajo cada
contacto produciendo las uniones necesarias para un transistor.
-Transistor de punta y de unin: tiene un electrodo base y una punta de
contacto adems de electrodos de unin.
-Transistor de fusin: transistor de unin en que esta se obtiene por fusin de
un semiconductor dopado en forma apropiada, permitiendo su solidificacin
ulterior repetidamente.
-Transistor
de
superficie
pasivada:
transistor
cuya
superficie
semiconductoras han sido protegidas contra el agua, los iones y otras
condiciones ambientales por pasivacin, en la cual un compuesto protector
est qumicamente unido a la superficie del cristal semiconductor.
TRANSISTORES DE UNIN ELECTROQUMICA.
-Transistor de unin: construido de un transistor de unin de aleacin que se
fabrica colocando grnulos de una impureza tipo p, tal como el indio, encima y
debajo de una lmina de germanio tipo n, y luego calentando la lmina hasta
que la impureza se alee con el germanio dando lugar a un transistor de tipo pn-p.
-Transistor de unin difusa: es en el que los electrodos del emisor y del
colector han sido obtenidos por difusin de una impureza metlica en el cuerpo
del semiconductor sin calentamiento.
-Transistor de tres uniones: tiene tres uniones y cuatro regiones de
conductividad alternadas. La conexin del emisor puede tener lugar en la
regin p a la izquierda la conexin de la base en la regin adyacente n.
-Transistor de unin eletroqumica: construido por ataques de las dos caras
opuesto a una placa de germanio tipo n por chorros de una solucin salina tal
como cloruro de indio, la placa , primeramente positiva con respecto a los de
proyeccin, pasa entonces a ser negativa con relacin al deposito de indio
sobre los caracteres formados.

TRANSISTORES DE UNIN GRADUAL.

-Transistor de unin gradual: transistor por crecimiento variable.
-Transistor de unin intrnseca: de cuatro capas una de las cuales est
formada por semiconductores de tipo i y situada entre la base y el colector,
como los transistores
p-n-i-p, n-p-i-n, p-n-i-n y n-p-i-p.
-Transistor de zona desierta: transistor de capa agotada.
-Transistor del tipo de empobrecimiento: transistor metal-xido de efecto de
campo en el que los portadores de carga existentes presentan una polarizacin
de entrada nula, si bien estas cargas son neutralizadas por la aplicacin de una
polaridad inversa.
-Transistor del tipo de enriquecimiento: transistor MOS de efecto de campo
en el que la puerta est polarizada en sentido directo y cubre todo el canal a fin
de enriquecer su carga e incrementa su conductancia.
-Transistor doblemente dopado: transistor de unin por crecimiento, formado
por adicin sucesiva de impurezas tipo p y tipo n o la fusin durante el
crecimiento del cristal.
-Transistor epitaxial de unin difusa: transistor de unin obtenido por
crecimiento por una capa delgada de elevada pureza de un material
semiconductor fuertemente dopada del mismo tipo.
-Transistor epitaxial mesa difuso: en el que la capa epitaxial delgada de
elevada resistividad est depositada sobre el sustrato, sirviendo como colector.
-Transistor filiforme: transistor de modulacin de conductividad cuya longitud
es mucho mayor que sus dimensiones transversales.
-Transistor mesa: obtenido sometiendo una lmina o pastilla de germanio o
sicilio a ataque qumico de modo que las regiones correspondientes a la base y
al emisor aparezcan escalonadamente como mesetas por encima de la regin
de colector.
-Transistor MOS de efecto de campo: Transistor de efecto de campo metalxido-semiconductor.
TRANSISTORES N-P-N.

-Transistor n-p-n: Transistor de unin que tiene una base tipo p entre un
emisor tipo n y un colector tipo n. El emisor debe entonces ser negativo con
respecto a la base , y el colector positivo.
-Transistor n-p-i-n: Transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca
est interpuesta entre la base tipo p y las capas tipo n del colector.
-Transistor n-p-i-p: Transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca
est entre regiones p.
TRANSISTORES N-P-N-P.
-Transistor n-p-n-p: Transistor de unin n-p-n que tiene adems una capa de
transicin o flotante entre los regiones p y n, en la que no se establece
conexin hmica. Denominado tambin transistor p-n-p-n.
-Transistor pasivado: Protegido contra fallos prematuros por pasivacin.
-Transistor pentodo de efecto de campo: tiene cinco terminales que tiene
tres puertas. Puede trabajar como pentodo, si se polarizan independientemente
cada una de las puertas.
-Transistor planar de silicio: Fabricado por la tcnica planar, que implica una
serie de ataques qumicos y difusiones, y que producen un transistor de silicio
con una capa de xido.
-Transistor planar de unin: parecido al de unin difusa, pero en el cual se
consigue una penetracin localizada de las impurezas recubriendo algunas
partes de la superficie del cristal con un compuesto de xido tal como dixido
de silicio. Este proceso se llama pasivacin de superficie.
-Transistor p-n-i-n: transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca
est situada entre regiones n.
-Transistor p-n-i-p: Transistor de unin intrnseca en la cual la regin
intrnseca est entre la base tipo n y el colector tipo p.
-Transistor por crecimiento variable: de unin en la cual las impurezas (tales
el galio y el antimonio) se disuelven a la vez, y la temperatura asciende y
desciende repentinamente para producir capas alternas de tipo p y n. Se llama
tambin transistor de unin gradual.
-Transistor simtrico: de unin en lo que los electrodos emisor y colector son
idnticos y sus terminales intercambiables.

-Transistor tetrodo: transistor de cuatro electrodos, tal como un transistor

tetrodo de puntas o un transistor de unin de doble base.
-Transistor tetrodo de efecto de campo: con cuatro conductores con dos
puertas que permiten el funcionamiento del tetrodo si se utiliza polarizacin
separada para cada puerta.
-Transistor tetrodo de puntas: transistor de puntas con un colector y dos
emisores.
-Transistor tetrodo de unin: transistor de unin de doble base.
-Transistor unipolar: transistor que utiliza portadores de carga de una sola
polaridad, tal como ocurre en un transistor de efecto de campo.
-Transistor uniunin: barra de semiconductor tipo n con una regin de
aleacin tipo p en un lado. Las conexiones se establecen en los contactos de
las bases situados en ambos extremos de la barra y en la regin p. El transistor
tiene una caracterstica anloga a la de un tiratrn entre el terminal de la regin
p y el terminal de la base negativa.
TRANSISTOR COMPLEMENTARIOS.
-Transistor complementario: dos transistores d opuesta conductividad (p-n-p
y n-p-n) incorporados en la misma unidad funcional.
TRANSISTORES EN CASCADA.
-Transistor de cascada: dos transistores montados en una misma cpsula y
conectados en serie.
-Transistor en conexin compuesta: disposicin de dos transistores en la
que la base de uno se conecta al emisor del otro y los dos colectores se
conectan entre s. La combinacin debe ser considerada como un transistor
simple que posee un elevado factor de amplificacin de corriente.

Lincografia:
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://books.google.co.ve/books?
id=UaxhQQfLMY8C&lpg=PA26&dq=LED&hl=es&pg=PP1#v=onepage&q&f=tru
e
https://www.google.com.pe/search?
q=ejercicios+con+transistores+resueltos&source=lnms&sa=X&ei=gX39UqDxDJ
C_kQeE_4HADw&ved=0CAgQ_AUoAA&biw=1360&bih=643&dpr=1
http://www.educa.madrid.org/cms_tools/files/1b6e1d60-1863-4a1f-9092ea87c419df8a/transistores.html
http://www.slideshare.net/Naren05/transistor-y-tipos-de-transistores-13676180
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-declase-1/tema-4.-transistores-de-efecto-campo.pdf