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DIAC
Curva caracterstica
MOSFET de Potncia
Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Curva v x i (ideal)
Curva v x i (real)
D (dreno)
G(gate)
S (source)
Mas, os tempos de
recuperao deste diodo so
normalmente significativos
As elevadas correntes que
fluem durante a recuperao
reversa do diodo podem
causar danos ao
componente
MOSFET de potncia
e body diode
Exemplo:
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Concluses:
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13
IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor
Circuito equivalente
C (coletor)
G (gate)
E (emissor)
UTFPR Campus Curitiba
Prof. Amauri Assef
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Exemplo:
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Concluses:
20