Laboratorio de Electrnica

Facultad de Ingeniera mecnica

Universidad del Atlntico
CURVA CARACTERISTICA DE LOS TRANSISTORES
Ochoa Sebastin1; Sandoval R. Mara1; Silva G. Javier1;
Rodrguez O. Jos1; Galet V. Richard1; lvarez Juan Carlos2
marysandovalrodriguez@hotmail.com
1: Estudiantes de la facultad de Ingenieria Mecanica
2: Profesor de Electrnica
Fecha de entrega: 06/05/15

RESUMEN
Con la realizacin de esta experiencia se busc analizar e identificar el comportamiento del
transistor, representndolo en una serie de curvas por medio de diferentes mediciones de voltaje y
otros parmetros presentes en un circuito que se explicar detalladamente a lo largo del presente
informe.
Palabras claves: Transistores, bipolar, ganancia del transistor, transistor de base positiva..

1. INTRODUCCIN
El transistor est compuesto por tres zonas de
dopado, como se ve en la figura:

mientras que el Colector

impurificacin intermedia.

posee

una

Un transistor es similar a dos diodos, el

transistor tiene dos uniones: una entre el
emisor y la base y la otra entre la base y el
colector. El emisor y la base forman uno de los
diodos, mientras que el colector y la base
forman
el
otro.
Estos
diodos
son
denominados: "Diodo de emisor" (el de la
izquierda en este caso) y "Diodo de colector"
(el de la derecha en este caso).
2. MARCO TEORICO

Figura 1. Partes de un transistor

La zona superior es el "Colector", la zona
central es la "Base" y la zona inferior es el
"Emisor". El Emisor est muy impurificado, la
Base tiene una impurificacin muy baja,

El transistor bipolar es un dispositivo de tres

terminales -emisor, colector y base-, que,
atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos
tipos: NPN y PNP. En la figura 2 se
encuentran los smbolos de circuito y
nomenclatura de sus terminales. La forma de
distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP

es observando la flecha del ter-minal de

emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia
fuera del transistor; en un PNP la flecha
apunta
hacia
dentro.
Adems,
en
funcionamiento normal, dicha flecha indica el
sentido de la corriente que circula por el
emisor del transistor.

elevada, y un diodo en inversa (unin basecolector), por el que, en principio, no debe-ra

circular corriente, pero que acta como una
estructura que recoge gran parte de la
corriente que circula por emisor-base.

El montaje bsico que se realiza para estudiar

el comportamiento de un transistor NPN es el
que se ilustra en la figura 4.

Figura 2. Simbologa y nomenclatura de un

transistor.
Gracias a este dispositivo es posible controlar
una gran potencia a partir de una pequea. En
la figura 3 se puede ver un ejemplo cualitativo
del funcionamiento del mismo. Entre los
terminales de colector (C) y emisor (E) se
aplica la potencia a regular, y en el terminal de
base (B) se aplica la seal de control gracias a
la que controlamos la potencia. Con pequeas
variaciones de corriente a travs del terminal
de base, se consiguen grandes variaciones a
travs de los terminales de colector y emisor.
Si se coloca una resistencia se puede
convertir esta variacin de corriente en
variaciones de tensin segn sea necesario.

Figura 4. Circuito bsico.

Del circuito anterior se pueden obtener las
siguientes ecuaciones, que posteriormente
ayudarn
a
hacer
una
comparacin
significativa con el montaje experimental y los
resultados que este arroje. Asumiendo que el
transistor es un nodo, se aplica la ley de las
corrientes de Kirchhoff LCK, arrojando como
resultado:
=+

(1)

De igual forma, aplicando la ley de las

tensiones de Kirchhoff (LTK) sobre el
transistor, se obtiene:
++=0

Figura 3. Principio de funcionamiento.

En resumidas cuentas, un transistor se puede
considerar como un diodo en directa (unin
emisor-base) por el que circula una corriente

(2)

Ahora, si se estudia la tensin que hay en

cada nodo del transistor (ver figura 4), los
valores de la ecuacin 2 se pueden obtener de
la siguiente manera:

aproximacin es usada con el fin de agilizar

clculos, pero no es recomendable cuando se
tienen fuentes de base muy pequeas; de ah
a que se considere la segunda aproximacin,
la cual recomienda que VBE = 0,7 para
transistores de silicio y VBE = 0,3 para
transistores de germanio.
2.1. Curvas
transistor
Figura 5. Tensiones en el transistor.

Para el montaje de emisor comn (EC) la

tensin VE es cero, por ende, las ecuaciones
quedan reescritas de la siguiente manera:
{=
=
=}

(3)

Cuando se est trabajando bajo la conexin

de emisor comn, se debe introducir un factor
denominado ganancia de corriente de
emisor comn. Este factor es una pro-piedad
de cada transistor y por lo general opta en un
valor en el rango de 50 a 1000.
En base al factor de ganancia de emisor
comn, es posible obtener una ecuacin que
relacione las corrientes que pasan por el
transistor. Esta ecuacin es la que se muestra
a continuacin:

I C = I B

caractersticas

Existen varias curvas caractersticas del

transistor que nos ayudan a graficar sus
parmetros, entre esas curvas tenemos:
2.1.1.

Curva caracterstica VBE-IB

Mediante esta curva podemos determinar los

efectos que producen las variaciones de la
tensin de polarizacin VBE sobre la corriente
de base IB. Estas grficas reciben el nombre
de curvas caractersticas de transferencia. Las
curvas que se obtienen son muy similares a la
de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente
constantes, por lo que sern de gran ayuda
para localizar averas en circuitos con
transistores.
La funcin que liga VBE con IB es la
caracterstica de un diodo, y puede aplicarse
dado que la unin base - emisor, es una pn
normal, igual que la de diodo, y al polarizarla,
seguir el mismo comportamiento que aquel.

(4)

Con base a la ecuacin anterior, es posible

entender por qu con una pequea corriente
de base se produce una corriente mucho
mayor de colector.
Al igual que en el anlisis de diodos, en los
transistores se plantean dos aproximaciones
del potencial emisor-base. La primera
aproximacin considera a un transistor ideal,
por ende dice que la diferencia de potencial de
la base-emisor es cero (VBE = 0). Esta

del

Figura 6. Curva caracterstica VBE-IB

La curva representada en la figura sigue la

expresin:

2.1.2.

Curva caracterstica VCE-IC

Esta curva caracterstica tambin es conocida

como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensin e intensidad del
colector. En la siguiente figura, se muestran
una familia de curvas de colector para
diferentes valores constantes de la corriente
base.

Figura 8. Curva real VCE-IC

En la Regin Activa la corriente del colector no
es totalmente independiente de la tensin
colector-emisor. Para valores altos de la
corriente cobra importancia la resistencia
interna del transistor.
La regin de saturacin no aparece
bruscamente para VCE=0, sino que hay una
transicin gradual. Tpicamente se suele
considerar una tensin de saturacin
comprendida entre 0.1V y 0.3V.

Figura 7. Curva caracterstica VCE-IC

Idealmente, en la Regin Activa, la corriente
de colector depende exclusivamente de la de
base, a travs de la relacin IC=+IB. Por lo
tanto, en el plano VCE-IC la representacin
estar formada por rectas horizontales
(independientes de VCE) para los diversos
valores de IB (en este caso se ha representado
Para IB=0, la corriente de colector tambin
debe ser nula. La regin de corte est
representada por el eje de abscisas. Por
contra, para VCE=0 el transistor entra en
saturacin,
luego
esta
regin
queda
representada por el eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal,
pero como era de esperar, la realidad es un
poco ms compleja, y las curvas quedarn
como representa la siguiente figura:

Estas curvas representan, en cierto modo, la

forma de funcionamiento del transistor. Se
puede comprobar que, para una tensin
constante de colector-emisor, si se producen
pequeas variaciones de la corriente de base
(del orden de A) esto origina unas
variaciones en la corriente de colector mucho
ms elevadas (del orden de mA), de lo cual se
deduce la capacidad del transistor para
amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas,
la tensin VCE afecta muy poco a la corriente
de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado
(por encima de VCEO), la unin del colector
entra en la regin de ruptura y ste puede
llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensin
VCE es muy pequea (por debajo de los 0.7V),
la corriente de colector ser muy dbil,
obtenindose una ganancia de corriente muy
baja. En conclusin, para conseguir que el
transistor trabaje como amplificador de
corriente, la tensin de polarizacin inversa

VCE debe mantenerse por encima de 0.7V y

por debajo de la tensin de ruptura.
2.1.3.

Recta de carga del transistor

Hemos de conocer el comportamiento del

transistor trabajando con una determinada
resistencia de carga y averiguar el punto de
funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos
la recta de carga del transistor en las curvas
de colector para poder determinar los puntos
de funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el
colector (emisor comn), podemos aplicar la
ley de Ohm entre los extremos de la
resistencia de carga RL. La tensin aplicada a
esta resistencia se corresponder con la
tensin total aplicada por la fuente V CC menos
la cada de tensin que se produce entre el
colector y el emisor VCE. De esta forma
obtendremos la siguiente expresin, que se
corresponder con la ecuacin de la recta de
carga:

Para dibujar esta recta sobre la curva

caracterstica, lo primero que hay que hacer
es encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).

Figura 9. Recta de carga de un transistor

El punto de corte es donde la lnea de carga
corta a la curva correspondiente a la corriente
de base igual a cero (IB=0). Dada la escasa
polarizacin directa a que queda sometido el
diodo de emisor-base, la corriente que
aparece por el colector es prcticamente nula
(slo circula una pequesima corriente de
fuga ICEO). Haciendo una aproximacin, se
puede decir, sin equivocarse mucho, que el
punto de corte se da en la interseccin de la
recta de carga con el eje horizontal, es decir
cuando VCecorte=VCC.

Para VCE=0

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva

caracterstica de colector, obtendremos la
recta de carga para una determinada
resistencia de carga RL y una fuente VCC.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir
tres partes fundamentales: puntos de corte,
punto de saturacin, punto de trabajo.

Figura 10. Zona de trabajo de un transistor.

El punto de saturacin aparece donde la
lnea de carga corta a la intensidad de base de
saturacin. En este punto, la corriente de
colector es la mxima que se puede dar para
la operacin de transistor, dentro de los lmites
de la recta de carga. Haciendo una

aproximacin, se puede decir que el punto de

saturacin aparece en la interseccin de la
recta de carga con el eje vertical, es decir,
cuando:

Para corrientes de base superiores a la de

saturacin se produce tambin el efecto de
saturacin en el transistor.
El punto de trabajo es aqul donde el
transistor trabaja de una forma normal y que,
normalmente, se encuentra entre la zona de
corte de saturacin. Para determinar el punto
de trabajo (Q) de transistor para una
determinada corriente de base (IB), se busca el
punto de interseccin de la recta de carga con
la curva correspondiente a dicha corriente de
base.
2.1.4.

Obtencin de la Ganancia a
partir
de
las
curvas
caractersticas

variacin de la corriente del colector y la

variacin de corriente de base. Para
determinar dicha ganancia se puede recurrir a
las caractersticas del colector.
Como ejemplo, supongamos que las curvas
caractersticas del transistor ensayado es la
que se muestra en la figura de la izquierda.
Para un punto de funcionamiento situado en
VCE=20V, la intensidad de colector variar
entre IC=28mA e IC=43mA, mientras que la
intensidad de base lo har entre IB=0.10mA e
IB=0.15mA. La ganancia se calcula as:

Hemos de tener en cuenta que punto de

funcionamiento se encuentra trabajando el
transistor, es decir, la tensin que se le est
aplicando al mismo, y con ello, la ganancia
calculada, ser para esa tensin de trabajo,
siendo para otra, otra ganancia diferente de la
calculada en otro punto.

3. METODOLOGA
Los elementos electrnicos que se usaron en
esta experiencia fueron los siguientes:
-

2 resistencias de 1K.
1 transistor 2N3904.
1 Fuente.
1 Multmetro.

El montaje que se realiz es el que se ilustra a

continuacin:

Figura 11. Ganancia de un transistor

La ganancia en corriente de un transistor se
defina como la relacin que se da entre la

10

0,61
0,62
0,63
0,64
0,65
0,66
0,68
0,7
0,71
0,715
0,73
0,75
0,765
0,5
0,5
0,55
0,6
0,61
0,62
0,63
0,64
0,65

Figura 12. Montaje del circuito usado.

Paso seguido, se ajust la fuente del colector.
Luego, se hizo variar la fuente de base de 0V
hasta 0,9V y se tomaron los voltajes. Lo
anterior se repiti para diferentes voltajes de
fuente de colector, donde tambin se variaron
los rangos de voltaje de la fuente de base. Los
datos obtenidos en las mediciones se
muestran tabulados en la tabla 1.

14,93

0,655
0,67
0,68
0,69
0,7
0,729
0,748
0,757
0,767
0,803

Los valores obtenidos para los valores de

voltaje en cada punto del circuito se presentan
en la tabla a continuacin.

VB
0,5
0,55
0,601
0,61
0,62

0,626
0,63
0,64
0,65
0,66
0,67
0,68
0,69
0,7
0,71
0,72
0,73
0,5
0,55
0,598

V BE V RB
0,5
0,55
0,60
1
0,61
0,62
0,62
6
0,63
0,64
0,65
0,66
0,67
0,68
0,69
0,7
0,71
0,72
0,73
0,5
0,55
0,59
8

V RC

0,0016
0,0024
0,0031
0,0048
0,007
0,0092
0,0148
0,025
0,0382

0,265
0,399
0,562
0,901
1,354
1,881
1,955
4,82
7,36

9,66
9,6
9,43
9,1
8,68
8,12
7,01
5,11
2,7

0,055
1,03

9,59
9,79

0,442
0,052

2,94
5,41
0
0
0
0,0013
0,0015
0,0026
0,0034
0,0052
0,0082

9,86
9,92
0,0045
0,0046
0,028
0,202
0,276
0,399
0,621
0,947
1,625

0,068
0,06
10
14,93
14,91
14,71
14,65
14,59
14,29
13,97
13,27

0,015
0,0235
0,0335
0,0488
0,0625

3,478
4,89
6,83
9,55
11,95

11,4
9,97
8
5,33
2,95

0,1

14,59

0,359

1,26

14,77

0,106

2,633

14,78

0,087

4,7
14,04

14,79
14,79

0,0765
0,066

Tabla 1. Resultados obtenidos de la prctica.

4. RESULTADOS Y ANALISIS

V CC

0,61
0,62
0,63
0,64
0,65
0,66
0,67
0,68
0,69
0,71
5
0,73
0,74
5
0,76
0,5
0,5
0,55
0,6
0,61
0,62
0,63
0,64
0,65
0,65
5
0,67
0,68
0,69
0,7
0,72
5
0,74
5
0,75
5
0,76
5
0,8

V CE

0
0,0003

0,0037
0,022

5
4,99

0,0012
0,0017
0,0023

0,178
0,251
0,365

4,83
4,76
4,65

0,003
0,0032
0,0045
0,0063
0,0093
0,0123
0,0182
0,0252
0,232
0,814
1,659
4,04
0
0
0,0012

0,459
0,535
0,804
1,17
1,753
2,357
3,466
4,65
4,9
4,94
4,95
4,96
0,0045
0,0291
0,196

4,55
4,47
4,21
3,83
3,267
2,668
1,56
0,361
0,104
0,0717
0,0578
0,0465
10
9,98
9,9

Como primer resultado experimental, se

determinar cul es la ganancia promedio de
un transistor, luego este valor ser comparado
con el valor que se midi con ayuda del
multmetro el cual fue

=202 .

Para determinar la ganancia, nos basamos en

la ecuacin 4 mostrada en el marco terico,
primero se calculan las corrientes que circulan
por las resistencias base y colector, luego se
hace la divisin correspondiente y se obtiene
el valor promedio de ganancia.

I C = I B
V =IR , luego

I=

V
R ; Entonces:

IC =

V RC
Rc

I B=

V RB
Rb , finalmente

tenemos

0
0
0
0

IC
I B , donde la ganancia total ser

0
0

ni
i=1

La ganancia
entonces:

V CC V BE
0,6
0,61

promedio

IC

del capacitor

IB

es

0,000399 0,0000026 153,461538

14,93 0,63 0,000621 0,0000034 182,647059
0,64 0,000947 0,0000052 182,115385
0,65 0,001625 0,0000082 198,170732
0,655 0,003478 0,000015
231,866667
0,67 0,00489
0,0000235 208,085106
0,68 0,00683
0,0000335 203,880597
0,69 0,00955
0,0000488 195,696721
0,7
0,01195
0,0000625 191,2
0,725 0,01459
0,0001
145,9
0,62

186,03

Tabla 2. Valor de ganancia experimental del

transistor.

Terico

Experimental

0.55

0.6

0.65

0.7

0.75

Grfica 1. Curva caracterstica experimental

del transistor VBE-IB para 5V.
0.01
0.01
0
0
0

f(x) = 0 exp( 52.1 x )

ni
i=1

0
0.5

0,000202 0,0000013 155,384615

0,000276 0,0000015 184

f(x) = 0 exp( 53.03 x )

de error

202
186,03
7,904
Tabla 3. Comparacin entre los valores de
ganancia tericos y experimentales.
Se puede observar que el valor de la ganancia
obtenido por los datos experimentales nos da
muy cercano al valor de ganancia propio del
transistor, con un valor menor al 8%.
Hallando la curva caracterstica del transistor
VBE-IB, tenemos:

0
0.56

0.61

0.66

0.71

0.76

0.81

Grfica 2. Curva caracterstica experimental

del transistor VBE-IB para 10V.

0.02
0.01
0.01

f(x) = 0 exp( 48.5 x )

0.01
0.01
0.01
0
0
0
0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85
Grfica 3. Curva caracterstica experimental
del transistor VBE-IB para 14,93V.
Mediante esta curva podemos determinar los
efectos que producen las variaciones de la
tensin de polarizacin VBE sobre la corriente
de base IB. Conocidas como curvas
caractersticas de transferencia. Las curvas
que se obtienen son muy similares a la de un
diodo cuando se polariza directamente.
Debido a que el multmetro que se utiliz para
la experiencia estaba bajo de batera, este
tom una referencia diferente, por lo cual los
valores tomados se encontraban desfasados
de los reales, sin embargo al calcular el
desfase probando con otro multimetro, se
modificaron los datos, estos sirven para
ilustrarnos la forma de esta grfica. En las
figuras 1-3 se aprecia el cambio transicional
(casi asinttico) del transistor; en este caso en
valores despus de 0,7V debido a lo que se
mencion anteriormente.
Esta experiencia se simulo para obtener las
curvas caractersticas tericas del transistor,
se simul en el programa Multisim, puesto
que en este se puede variar la ganancia, lo
que nos permite obtener resultados ms
cercanos y exactos al de la experiencia de
laboratorio.
Los resultados obtenidos de la simulacin, se
presentan a continuacin.

Figura 13. Circuito simulado en Multisim para

5V.
0
0
0
0
0

f(x) = 0 exp( 14.95 x )

0
0
0
0
0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Grfica 4. Curva caracterstica terica del

transistor VBE-IB para 5V.

Figura 14. Circuito simulado en Multisim para

10V.
0

0
0
0

f(x) = 0 exp( 21.21 x )

0
0

f(x) = 0 exp( 21.99 x )

0
0

0
0
0

0
0
0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Grfica 5. Curva caracterstica terica del

transistor VBE-IB para 10V.

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Grfica 6. Curva caracterstica terica del

transistor VBE-IB para 14,93V.
En las grficas tericas, obviamente, se
aprecia de una manera ms clara, la forma de
esta curva caracterstica, asinttica al llegar a
0,7V como en una grfica para un diodo.
Comparando
las
grficas
experimentales, obtenemos:

tericas

0
0
0
0
Figura 15. Circuito simulado en Multisim para
14,93V.

0
0
0
0
0
0.5

0.55

0.6

0.65

0.7

0.75

Grfica 7. Curva caracterstica terica del

transistor VBE-IB para 5V. Curva azulExperimental, Curva roja-Terica.

0
Como se puede observar, los valores de la
curva experimental discrepan ligeramente de
la curva terica, lo que nos permite concluir
que la experiencia para la obtencin de la
curva se realiz en buenas condiciones.

0
0
0
0

En esta prctica se pudo determinar otra curva

caracterstica, la cual nos permiti a qu valor
mnimo de IB comenzaba la conduccin en el
transistor.

0
0
0

Ib vs Ic (5V)

0
0
0.560.58 0.6 0.620.640.660.68 0.7 0.720.74
Grfica 8. Curva caracterstica terica del
transistor VBE-IB para 10V. Curva azulExperimental, Curva roja-Terica.

0.01
0.01
0
0
0

0
0

Grfica 10. Curva caracterstica experimental

del transistor IB-IC para 5V.

0
0

Ib vs Ic (10V)

0
0.01

0.01

0
0
0.55

0.01
0.01

0.6

0.65

0.7

0.75

Grfica 9. Curva caracterstica terica del

transistor VBE-IB para 14,93V. Curva azulExperimental, Curva roja-Terica.

0
0
0

Grfica 11. Curva caracterstica experimental

del transistor IB-IC para 10V.

Las curvas IB-IC tericas se muestran a

continuacin.

Ib vs Ic (14,93V)

IB-IC (5V)

0.02

0.01

0.02

0
0

0.01

0
0

0.01
0

0
0

Grfica 12. Curva caracterstica experimental

del transistor IB-IC para 14,93V.
Como se puede apreciar, el transistor no
conduce para cualquier valor de IB, la lnea
que se aprecia relativamente vertical, muestra
la zona de corte del transistor y la curva que
se aprecia horizontal muestra la zona de
conduccin del transistor. Si se hubiese
tomado mayor nmero de datos, se podra
haber conseguido la zona de saturacin para
el transistor, donde el valor de I C no variara
por ms que se aumentase IB, obteniendo as,
otra curva vertical para valores diferentes de I B
y un valor aproximadamente constante para I C.
Las curvas realmente no son verticales,
realmente son una funcin lineal entre I B-IC, al
ser valores muy pequeos los de I C no
apreciamos esta relacin lineal. Si calculamos
los valores de pendiente para la zona de corte
en cada grfico, obtenemos:
Grfico 1
Grfico 2
Grfico 3
Tabla 3. Valores de
grfico.

1773340,27
172503,02
111819,30
pendiente para cada

Notamos que dicha relacin tiende a infinito

(un valor demasiado elevado), lo que explica
el porqu de la verticalidad aparente de
nuestra curva.

Grfica 13. Curva caracterstica terica del

transistor IB-IC para 5V.

IB-IC (10V)
0.01
0.01
0.01
0
0
0

Grfica 14. Curva caracterstica terica del

transistor IB-IC para 10V.

IB-IC (14,93V)
0.02
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0
0
0
0
0

Grfica 15. Curva caracterstica terica del

transistor IB-IC para 14,93V.
En la grfica para IB-IC terica se aprecia de
una manera ms clara lo que se plante
anteriormente, en la zona de corte del
transistor, existe una relacin lineal entre la
corriente de base y la corriente del colector,
que graficado con las dems zonas del
transistor se aprecia como una curva ms
vertical, dado a los valores de corriente de
colector del orden de los micro-amperios. En
las grficas tericas no se ilustra la zona de
conduccin del transistor dado que el
programa en que se simul nuestro circuito,
no arrojaba voltajes mayores a los
presentados, pero nos deja aclarar muchos
puntos explicados.
Si calculamos de igual forma la pendiente para
la zona de corte en cada grfico terico,
obtenemos:
Grfico 1
Grfico 2
Grfico 3
Tabla 3. Valores de
grfico.

5. CONCLUSIONES
Aunque los transistores pueden tener igual
referencias en el mercado, sus propiedades
constructivas acarrean cambios exagerados
en su funcionamiento y en su comportamiento,
por lo que puede decirse, que la curva para
cada transistor es diferente, de igual forma,
pero valores nicos para cada transistor. Se
logr apreciar la estrecha relacin que este
dispositivo guarda con respecto a un montaje
equivalente de diodos y sus semejanzas en el
comportamiento que estos ilustran en sus
curvas caractersticas.
Fue importante durante la experiencia verificar
los terminales del transistor, aunque cada
encapsulado nos dice de qu manera van
organizados los terminales, es importante
verificarlos, esto se hace de una manera muy
sencilla para un BJT NPN:
-

130395,097
112777,715
107250,107
pendiente para cada

Se concluye al igual que las grficas tericas,

que su valor de pendiente tiende a infinito, lo
que explica la verticalidad aparente de
nuestras grficas, en las tericas no se
aprecia dicha verticalidad, puesto que solo se
muestra la zona de corte, y por tal nos
muestra mejor la relacin lineal entre la
corriente de base y la del colector.
En est practica no se pudo calcular la curva
real VCE-IC puesto que para trazarla se haca
necesario el empleo de dos fuentes, en donde
pudiramos variar los valores de VCC
manteniendo una IB constante (VBB constante).
Tericamente se conoce la forma de esta
curva, tal como se muestra en el marco
terico, pero habra sido ms ilustrativo
realizar una comparacin terica-experimental
de esta curva, con fines acadmicos.

Se ubica la punta positiva en el primer

terminal, la negativa se coloca en los
dems puertos, se mira en donde
marca o donde no.
Se coloca el negativo donde marc y
se coloca el positivo en los otros dos
terminales, se mira donde marca, y se
repite el paso 1.
Se verifica que marque en los dos
otros terminales.
Donde marca mayor es el emisor.
Donde marca menor es el colector.
El punto en comn es la base.

De esta manera se evita caer en el error de

confiar en la configuracin de fbrica, ya que
pueden existir transistores defectuosos.

BIBLIOGRAFA
I.

II.

Sedra, A. Smith, K. (2006). Circuitos

micro electrnicos. 5 Ed. Mc Graw Hill.
Mxico.
Malvino Albert, Bates David.
Principios de electrnica, Espaa,

III.

McGraw-Hill/Interamericana de
Espaa, 1999, p. 1099.
Alexander Charles, Sadikus Matthew.
Fundamento de Circuitos Elctricos,

Mxico, McGraw-Hill/Inter-americana
Editores, 2004, p. 1051