Laboratorio #7.

Andrs Felipe Bretn Delgado

Wilson Leonardo Arenales Ojeda
Andrs Felipe Socha Chacn
ResumenSe dise el modelo de un circuito con un
transistor BJT para el cual operara en la regin
activa y trabajara como amplificador de seal a
travs de una entrada de DC y una seal en AC con
el fin de mostrar la respectiva seal de salida con
respecto a la entrada, observado su amplificacin
mediante la simulacin del circuito en el software
TINA.

I.

MARCO TERICO

El transistor de juntura bipolar (BJT):

Caractersticas generales:
El BJT es de naturaleza bipolar, pues la corriente
producida es debido al aporte de los portadores
negativos (electrones) y positivos (huecos).
Consiste en dos junturas p-n y posee tres
terminales, los cuales son llamados Emisor (E),
Base (B) y Colector (C). EL BJT puede ser tipo
npn o pnp, su estructura y smbolo se muestra en
la figura 1, la flecha indica la direccin normal de
la corriente y define la polaridad de la tensin
base-emisor. No es un dispositivo simtrico, pues
intercambiando el emisor por el colector se
obtienen resultados distintos.

Fig. 1. Smbolos del transistor. (a) npn. (b) pnp

Funcionamiento:
Sea el BJT de la figura 1, ste considera una
regin n de volumen intermedio de alto
dopamiento (gran cantidad de electrones), una
regin p muy delgada de pequeo volumen de
bajo dopamiento (poca cantidad de huecos), y una
regin n de gran volumen de dopamiento
intermedio.
Para establecer su funcionamiento primero se
polariza slo la juntura BE, dejando el colector
abierto. La juntura est polarizada directa, luego
se produce un flujo de electrones desde el emisor
a lavase, pero tambin fluirn huecos en menor
cantidad desde la base al emisor, como muestra la
figura 2.

ser InE, pero la corriente en el colector debido a

estos portadores ser InE, donde es un nmero
menor que 1, dado que por parte de los electrones
se recombinan en la base.
As, la corriente del emisor IE, ser funcin de la
corriente
producida
por
los
portadores
mayoritarios electrones y la corriente debida a los
portadores mayoritarios huecos inyectados por la
base.

I E =I pB +I nE

(1).

Fig. 2. (a) Colector abierto. (b) Emisor abierto.

La corriente IE se produce por la suma de los
electrones mayoritarios y huecos mayoritarios
inyectados por el emisor y la base
respectivamente. La corriente entre la base y el
emisor ser IE. Dado que la base es muy delgada,
no soporta grandes corrientes.
Polarizando solamente la juntura CB, dejando el
emisor abierto, la juntura pn est inversa, luego
slo existe movimiento de portadores huecos
minoritarios del colector y los electrones
minoritarios de la base, produciendo una corriente
inversa de saturacin llamada ICBO, entre el
colector y la base.

La corriente que se desva a la base ser (1-) InE=

InR, luego la corriente en la base ser la corriente
de los portadores mayoritarios huecos de la base
ms la corriente InR, menos la corriente ICBO como
se muestra en la figura 3b.

I B=I pB + I nRI CBO

(2).
Finalmente, la corriente por el colector I C ser la
proveniente del emisor ms la corriente de
saturacin inversa ICBO.

I C =I nE + I CBO

(3).
Considerando despreciable el efecto de ICBO, se
tiene:

I B=I pB +(1 )I nE
(4).

I C = I nE
(5).
Luego (1) se reemplaza IpB en (4) obtenindose la
clsica ecuacin:

I B=I E I C

(6).

Fig. 3. (a) Polarizacin completa. (b) Corrientes.

Al polarizar de acuerdo a la figura 3a, los
electrones mayoritarios inyectados por el emisor
atraviesan la base llegando al colector, un pequeo
porcentaje se recombina en la base con los huecos
mayoritarios aportados por sta. As, la corriente
por el emisor debido a los electrones mayoritarios

Modos de trabajo:
Dependiendo de la condicin de polarizacin
(directa o inversa) de cada una de las junturas, se
tienen distintos modos de operacin. En el modo
activo, el BJT opera como amplificador. Los
modos de corte y saturacin permiten usar el
transistor como interruptor
Tabla 1. Zonas de trabajo del BJT.

corriente de emisor comn. De acuerdo a (6), se

tiene:

i E =iC +i b
Para el trabajo en zona activa, la alimentacin
debe ser de acuerdo a la figura 4. La juntura baseemisor debe encontrarse polarizada en sentido
directo; en cambio la juntura base-colector debe
polarizarse en forma inversa. Cuando se cumplen
simultneamente ambas condiciones, el BJT se
encuentra en zona activa. As para un transistor
npn, VBE > 0, luego VEB > 0 para un transistor pnp.

+1
i
C , lo que se puede expresar

Luego

iE =

como

i C =i E . Donde es llamada la

ganancia corriente en base comn y su valor es

muy cercano a 1 (0.99 para =100).

II.

METODOLOGA

Para la realizacin de la prctica, se model un

circuito de emisor comn, con resistencia en el
emisor, el cual se encontrara operando en su
regin activa, como muestra la figura 5; para con
este, obtener la grfica del voltaje de entrada
(VM1) y el voltaje de salida (VM2) y poder
observar la ganancia entre estos. Realizando los
clculos de prueba, se lleg a la conclusin de
que los valores para las resistencias deban ser los
utilizados en el circuito, para los voltajes
utilizados, teniendo como entrada una fuente en
seal con un nivel en DC de 5[V] y 10[mV] en
AC.

Fig. 4. Polarizacin del Transistor. (a) npn. (b)

pnp.
En zona activa, la corriente del colector est dada
por:

i c =I s e

V BE
VT

(7).
Donde IS es la corriente de saturacin inversa.
Luego, la corriente de base se expresa como:

i B=

iC

(8).
Donde es una constante propia del transistor, la
cual vara entre 100 y 200 para algunos casos,
pero puede llegar a valores muy elevados (o bajos
40 y 50), y recibe el nombre de ganancia de

Fig. 5. Circuito Transistor en Modo Activo.

Se realiz la simulacin del circuito, obteniendo
una salida de 30[mV], la figura 6, muestra la

comparacin de las dos grficas, mientras que la

figura 7 muestra el valor aproximado en los picos
de las dos grficas.

activa tiene
caractersticas
elctricas lineales, que son
aprovechadas
para
la
amplificacin (debido a que en
esta regin la distorsin es
mnima), la cual se logra a partir
de fuentes de alimentacin
externas que proporcionan las
corrientes y tensiones en CD
necesarias para que el transistor
opere en dicha regin, as como
suministrarle energa al transistor
en donde parte de ella es
convertida luego en potencia
(amplificacin).

Fig. 6. Comparacin de grficas.

Fig. 7. Valores pico de las ondas.

Podemos obtener la ganancia, dividiendo el
voltaje de salida (30[mV]) entre el voltaje de
entrada (10[mV]), obteniendo as que la ganancia
obtenida es:

A v=

30[mV ]
1 0[mV ]

A v =3

III.

CONCLUSIONES

Cuando un transistor BJT opera en

la regin
lineal
o
regin

Para que un transistor BJT opere

en la regin activa, es necesario
que la unin base-emisor este en
polarizacin directa con un voltaje
entre 0.6 y 0.7 voltios y la unin
base-colector se encuentre en
polarizacin inversa dentro de los
lmites mximos del dispositivo.
La utilizacin de un software
como Tina-TI ayuda a garantizar
el funcionamiento de un BJT en su
regin activa a travs del diseo
respectivo del circuito en donde se
establecen los valores adecuados
para el correcto funcionamiento
del transistor como amplificador
de seal.