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AMBATO
INGENIERA DE MATERIALES II
CAPTULO 1 8
Semestre: Quinto
Paralelo: A
INGENIERA DE MATERIALES
CAPTULO 1: MATERIALES E INGENIERA.
Materiales son sustancias que constituyen cualquier cosa. Los materiales ms comunes son:
madera, hormign, ladrillo, acero, plstico, vidrio, caucho, aluminio, cobre y papel.
Los materiales pueden ser modificados gracias a los Ingenieros que deben conocer su
estructura y propiedades desarrollando mtodos para su proceso.
TIPOS DE MATERIALES.
Est dividido en cinco grupos:
1.
2.
3.
4.
5.
Materiales Metlicos
Polmeros.
Cermicos.
Compuestos.
Electrnicos.
A estos materiales se los puede diferenciar por sus propiedades mecnicas, fsicas y
elctricas.
1. Materiales Metlicos.
Formados fundamentalmente de elementos metlicos siendo buenos conductores
trmicos y elctricos, son dctiles a temperatura ambiente; tambin pueden contener
elementos no metlicos.
Estos metales y aleaciones se dividen en:
1.1. Metales y aleaciones ferrosas: Contienen hierro en su mayor parte como
aceros y hierros fundidos.
1.2.Metales y aleaciones no ferrosas: Contienen hierro en pequeas cantidades
como no las pueden tener.
2. Materiales Polimricos.
Contienen cadenas de molculas orgnicas o redes. Los materiales polimricos son
malos conductores de electricidad.
3. Materiales cermicos.
Materiales inorgnicos formados por una combinacin de elementos metlicos y no
metlicos, tienen fragilidad mecnica.
Los materiales cermicos tienen la ventaja en varias aplicaciones debido a su bajo
peso, alta resistencia y dureza, resistencia al calor y a la humedad,reducida friccin
y propiedades aislantes.
4. Materiales compuestos.
Son la mezcla de dos o ms materiales dndoles caractersticas especficas y
propiedades deseadas.
5. Materiales electrnicos.
Su principal componente es el silicio y son importantes en ingeniera avanzada.
Dentro de estos materiales se encuentran productos como satlites de comunicacin,
relojes digitales y robots de soldadura.
Los planos de empaquetamiento compacto se refieren a los planos donde los tomos estn
empaquetados lo ms junto posible. Las direcciones en que se encuentran en contacto lo
ms posible se llaman direcciones de empaquetamiento compacto.
Para diferenciar estructuras cristalinas en los factores de empaquetamiento atmico se
determinan desde el modelo atmico de esferas rgidas.
Las dislocaciones son defectos de no equilibrio e incrementan la energa interna del metal.
Las imperfecciones en la superficie de metales son los lmites de grano que se crean por
cristales por diferentes orientaciones al juntarse unos con otros durante la solidificacin.
Para un aislante el modelo de bandas consiste en una banda de valencia inferior llena y una
banda de conduccin superior vaca.
Los semiconductores intrnsecos tienen entre las bandas de valencia y de conduccin una
separacin energtica relativamente pequea.
Los semiconductores pueden ser de tipo n(negativos) porque tienen electrones como
portadores mayoritarios; los de tipo p(positivos) por carencia de electrones tienen huecos
como portadores mayoritarios.
Los metales reflejan u absorben fuertemente la radiacin ya que en los metales la banda de
conduccin se superpone a la banda de valencia. La cantidad de energa absorbida por los
metales depende de la estructura electrnica de cada metal.
En una superficie de vidrio la reflexin de luz es muy pequea que depende principalmente
del ndice de refraccin de luz normal.
BIBLIOGRAFA:
SMITH, William F. (1998). FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERA
DE MATERIALES. Pg 1 316. Espaa: McGRAW-HILL.