UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA

ELTRICA

JEAN CARLOS GENTILINI

O COMPORTAMENTO DE DIELTRICOS NA
PRESENA DE CAMPOS ELTRICOS E A SUA
DESCRIO EM TERMOS DA FUNO RESPOSTA
DIELTRICA

DISSERTAO

PATO BRANCO
2012

JEAN CARLOS GENTILINI

O COMPORTAMENTO DE DIELTRICOS NA
PRESENA DE CAMPOS ELTRICOS E A SUA
DESCRIO EM TERMOS DA FUNO RESPOSTA
DIELTRICA

Dissertao apresentada ao Programa de Psgraduao em Engenharia Eltrica da Universidade Tecnolgica Federal do Paran como
requisito parcial para obteno do ttulo de
Mestre em Engenharia Eltrica  rea de
Concentrao:

Sistemas e Processamento de

Energia.
Orientador:

Prof.

Dr.

Gomes

PATO BRANCO
2012

Adriano Do Sotta

G338c

Gentilini, Jean Carlos.

O comportamento de dieltricos na presena de campos eltricos e a
sua descrio em termos da funo resposta dieltrica / Jean Carlos
Gentilini. -- Pato Branco: UTFPR, 2012.
89 f. : il. ; 30 cm
Orientador: Prof. Dr. Adriano Doff Sotta Gomes
Dissertao (Mestrado) - Universidade Tecnolgica Federal do Paran.
Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica. Pato Branco, PR,
2012.
Bibliografia: f. 81-83.
1. Polarizao. 2. Materiais dieltricos. 3. Funo resposta dieltrica. 4.
Modelo de Dissado e Hill. I. Gomes, Adriano Doff Sotta, orient. II.
Universidade Tecnolgica Federal do Paran. Programa de Ps-Graduao
em Engenharia Eltrica. III. Ttulo.
CDD 22. ed. 621.3

Ficha Catalogrfica elaborada por

Sulem Belmudes Cardoso CRB9/1630
Biblioteca da UTFPR Campus Pato Branco

AGRADECIMENTOS

Primeiramente a Deus.
A minha famlia, em especial a minha noiva Dulce, meus pais Jandir e
Terezina e meus irmos Jeana e Alan, pelo apoio, motivao e compreenso.
Ao meu orientador por acreditar que seria possvel chegar at aqui.
A todos os meus colegas e amigos do Mestrado, em especial ao Newton,
Zamadei, Jacson, Carlos, Heberty, Felipe, Alcio e Onerio por muitas vezes compartilharmos as alegrias e superarmos os muitos problemas.
A todos os amigos que de uma forma ou outra me ajudaram nesse perodo.
A todos os professores do programa, em especial aos professores Mrio Lcio da Silva Martins, Jean Carlos Cardozo da Silva e Ivo de Loureno Junior pela
disponibilidade e consideraes.
A CAPES pelo aporte nanceiro.

RESUMO

GENTILINI, Jean Carlos. O COMPORTAMENTO DE DIELTRICOS NA PRESENA DE CAMPOS ELTRICOS E A SUA DESCRIO EM TERMOS DA
FUNO RESPOSTA DIELTRICA. 89 f. Dissertao  Programa de Ps-graduao
em Engenharia Eltrica, Universidade Tecnolgica Federal do Paran. Pato Branco,
2012.
Com o avano da miniaturizao de componentes e dispositivos eletrnicos ocorrida
nos ltimos anos, a utilizao de materiais dieltricos e a necessidade de informaes
precisas sobre o comportamento dieltrico apresentado por estes materiais aumentou
consideravelmente. Neste trabalho apresentado inicialmente as motivaes para o
estudo do comportamento dieltrico e da modelagem da funo resposta dieltrica.
A partir da teoria proposta por Debye e identicando suas peculiaridades, so exploradas algumas extenses deste modelo e analisada a interpretao da funo resposta
proposta por estes. Muitos modelos assumiam a existncia de mltiplas interaes
envolvendo os dipolos com o meio dieltrico, as quais contribuam para a dinmica
do comportamento dieltrico, somente mais tarde que estas mltiplas interaes
ganharam uma conexo entre a resposta dieltrica observada com as propriedades
intrnsecas do material. Por meio do modelo proposto por Dissado e Hill e assumindo
dados experimentais disponveis na literatura para alguns materiais, foi testada a
validade da funo resposta resultante do modelo, na qual vericou-se a capacidade
da mesma em ajustar as curvas para as componentes real e imaginria da permissividade para uma grande variedade de materiais dieltricos. A partir das simulaes
e anlises realizadas, cou evidente a dependncia do comportamento dieltrico com
a temperatura, fato este que dever ser abordado em trabalhos futuros.

Palavras-chave:

Polarizao, Materiais Dieltricos, Funo Resposta Dieltrica,

Modelo de Dissado e Hill.

ABSTRACT

GENTILINI, Jean Carlos.

THE BEHAVIOR OF DIELECTRICS IN THE PRE-

SENCE OF ELECTRIC FIELDS AND YOUR DESCRIPTION IN TERMS OF

DIELECTRIC RESPONSE. 89 f.

Dissertao  Programa de Ps-graduao em

Engenharia Eltrica, Universidade Tecnolgica Federal do Paran.

Pato Branco,

2012.
With the improvement of miniaturization of electronic components and devices occurred in recent years, the use of dielectric materials and the need for accurate
information about the dielectric behavior displayed by these materials has increased
considerably.

In this work is initially presented the motivations for the study of

dielectric behavior and the modeling of the dielectric response function. From the
theory proposed by Debye and identifying its peculiarities, are exploited some extensions of this model and analyzed the interpretation of response function proposed by
these. Many models used to assume the existence of multiple interactions involving
the dipoles with the dielectric medium, which contributed to the dynamics of the dielectric behavior, only later the multiple interactions won a connection between the
dielectric response observed with the intrinsic properties of the materials. Through
the model proposed by Dissado and Hill and assuming experimental data available
in bibliography for some materials, was tested the validity of the response function
resulting from the model, in which was veried the ability of the same to adjust the
curves for the real and imaginary components of permittivity to a wide variety of
dielectric materials. From the simulations and analyzes performed, was evident the
dependence of dielectric behavior with temperature, a fact that should be discussed
in future works.

Keywords:

Polarization, Dielectric Materials, Dielectric Response Function, Dis-

sado and Hill Model.

LISTA DE FIGURAS

FIGURA 2.1

(a) Representao da molcula de gua

H2 O,

molcula polar

(LABFILTER.COM, 2011). (b) Representao da molcula de

Triuoreto de Boro
FIGURA 2.2

BF3 , molcula apolar (COMMONS., 2011).

(REZENDE, 2004).
FIGURA 2.3

19

Grco da variao da polarizao com relao a frequncia

..........................................

21

Grco da componente real e imaginria da permissividade

em funo da frequncia

(BTTECHER; BORDEWIJK,

1987). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

27

FIGURA 2.4

 Grco da polarizao observada ao campo eltrico aplicado.

29

FIGURA 2.5

 Grco de um campo descrito por meio de um pulso de onda

FIGURA 3.1

quadrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
0
00
 Grcos das componentes e para o modelo de Debye em
funo da frequncia do campo aplicado.

FIGURA 3.2

.....................

35

 Comparativo entre os grcos da componente real da permissividade com relao a frequncia para os modelos de Cole-Cole
3
e Cole-Davidson, onde c = 1 10 Hz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

FIGURA 3.3

 Comparativo entre os grcos da dependncia da componente

imaginria da permissividade com relao a frequncia para os
3
modelos de Cole-Cole e Cole-Davidson, onde c = 1 10 Hz. . . 38

FIGURA 3.4

 Grco comparativo da

tan() do Cloreto de Sdio

358, 15K

obtida experimentalmente segundo (HIPPEL, 1954), com as curFIGURA 3.5

vas obtidas por meio dos modelos de Debye e Cole-Cole. . . . . . . 39

0
 Grco da disperso dieltrica () e o espectro de perda
00
() da gua 273, 35K(BUCHNER; STAUBER, 1999). . . . . . 40

FIGURA 3.6

Grco com os valores experimentais para a

tan()

obtidos

tan() por meio da Equao (3.20)

273, 35K(BUCHNER; STAUBER, 1999), ambas em

da Figura 3.5 e a curva da

da gua

funo da frequncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
FIGURA 4.1

Grco da componente real e imaginria de

frequncia da fora harmnica aplicada.

FIGURA 4.2

z0

em funo da

......................

45

Fotograa do dispositivo composto por uma bssola e um

solenoide, utilizado para a aquisio dos dados. . . . . . . . . . . . . . . .

46

FIGURA 4.3

Grco do tempo de relaxao associado a bssola 1.

47

FIGURA 4.4

Grcos dos tempos de relaxao associado ao conjunto de

FIGURA 4.5

quatro bssolas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
00
 Grco do comportamento da componente , descrita na

......

equao (4.18), para o conjunto de dados exibido na Tabela 4.1.

FIGURA 5.1

Disposio dos dipolos na ausncia de um campo aplicado

segundo a teoria de Debye. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

FIGURA 5.2

51

Comportamento dos dipolos frente a aplicao de um campo

56

magntico
FIGURA 5.3 

B(t).

..............................................

Disposio unidimensional dos dipolos na ausncia de um

campo aplicado segundo a teoria de Dissado e Hill. . . . . . . . . . . .

FIGURA 6.1

56
57

Grcos do comportamento da componente real e imagin-

P entaclorotolueno tempera246, 65K e os ajustes proporcionados pela equao (5.11),

c = 3, 2 103 Hz e k = 0, 23. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

ria da permissividade eltrica do

tura de
onde
FIGURA 6.2

65

Grcos do comportamento da componente real e imagin-

ria da permissividade eltrica do

P entaclorotolueno

tempera-

293, 15K e os ajustes proporcionados pela equao (5.11),

c = 1, 2 105 Hz e k = 0, 205. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

tura de
onde
FIGURA 6.3

66

Grcos do comportamento da componente real e imagin-

P entaclorotolueno tempera333, 15K e os ajustes proporcionados pela equao (5.11),

c = 1, 8 106 Hz e k = 0, 18. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

ria da permissividade eltrica do

tura de
onde
FIGURA 6.4

67

 Grco do comportamento da componente real da permissividade eltrica do

P entaclorotolueno

e os ajustes proporcionados

pela equao (5.11) para as temperaturas de

246, 65K, 293, 15K e

333, 15K,

em azul, vermelho e verde, respectivamente. Os dados

5
foram normalizadas em frequncia com c = 1, 2 10 Hz. . . . . . . 67
FIGURA 6.5

 Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica do

P entaclorotolueno

e os ajustes propor-

cionados pela equao (5.11) para as temperaturas de 246, 65K,

293, 15K e 333, 15K, em azul, vermelho e verde, respectivamente.
5
Os dados foram normalizadas com c = 1, 2 10 Hz. . . . . . . . . . .
FIGURA 6.6

68

 Grcos do comportamento da componente real e imaginria

da permissividade eltrica e os ajustes proporcionados pela equa-

Cloroacetato de P olivinila 339, 15K, onde

k = 1, 89. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

o (5.11) para o

c = 350Hz
FIGURA 6.7

69

 Grcos do comportamento da componente real e imaginria

da permissividade eltrica e os ajustes proporcionados pela equa-

Cloroacetato de P olivinila 343, 15K, onde

k = 1, 84. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

o (5.11) para o

c = 865Hz
FIGURA 6.8

69

Grco do comportamento da componente real da permissi-

vidade eltrica do

Cloroacetato de P olivinila

e os ajustes pro-

porcionados pela equao (5.11) para as duas temperaturas, em

vermelho

c = 350Hz.
FIGURA 6.9

339, 15K

e em verde

343, 15K,

normalizadas em

..................................................

70

 Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica do

Cloroacetato de P olivinila

e os ajustes

proporcionados pela equao (5.11) para as duas temperaturas,

em vermelho

c = 350Hz.

339, 15K e em verde 343, 15K, normalizadas em

..................................................

FIGURA 6.10  Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica do

P olipropileno

e o ajuste proporcionado

pela equao (5.11) para a temperatura de

290K,

onde

c =

70

2 103 Hz
FIGURA 6.11 

k = 6, 25.

.........................................

71

Grcos dos comportamentos da componente imaginria da

permissividade eltrica do

P olipropileno

e os ajustes proporcio-

285K e 295K.
Para a temperatura de 285K, c = 400Hz e k = 6, 24. Para a
3
temperatura de 295K, c = 7, 5 10 Hz e k = 6, 20. . . . . . . . . . . .

nados pela equao (5.11) para as temperaturas de

71

FIGURA 6.12  Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica do

P olipropileno

e o ajuste proporcionado

pela equao (5.11) para as temperaturas de

285K, 290K e 295K,

em azul, vermelho e verde, respectivamente. Os dados foram

3
normalizados em frequncia com c = 2 10 Hz. . . . . . . . . . . . . . . 72
FIGURA 6.13  Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica temperatura de 273, 15K do Brometo n
docosil e o ajuste do modelo, para c = 5, 7109 Hz e k = 0, 0032.

73

FIGURA 6.14  Grcos do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica s temperaturas de

o

243, 15K e 293, 15K para

Brometo n docosil

em conjunto com os ajustes do modelo.

9
Para a temperatura de 243, 15K, c = 3, 9 10 Hz e k = 0, 00241.
9
Para a temperatura de 293, 15K, c = 6, 610 Hz e k = 0, 00407. 73

FIGURA 6.15  Grco do comportamento da componente imaginria da per-

Brometo n docosil e os ajustes do mo243, 15K, em vermeverde 293, 15K, normalizadas com c =

missividade eltrica do

delo para as trs temperaturas, em azul

273, 15K e em
5, 7 109 Hz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
lho

74

FIGURA 6.16  Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica para o

BaT i7 M gO16 e a forma prevista pelo

230, 15K, onde c = 7, 5 105 Hz e

modelo para a temperatura de

k = 2, 45.

....................................................

75

FIGURA 6.17  Grcos do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica s temperaturas de

213, 15K e 248, 15K para

o BaT i7 M gO16 e os ajustes do modelo. Para a temperatura de

213, 15K, c = 3, 8 105 Hz e k = 2, 35. Para a temperatura de
248, 15K, c = 1, 45 106 Hz e k = 2, 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

75

FIGURA 6.18  Grco do comportamento da componente imaginria da per-

BaT i7 M gO16 e os ajustes do modelo para

as trs temperaturas, em azul 213, 15K, em vermelho 230, 15K
5
e em verde 248, 15K, normalizadas com c = 7, 5 10 Hz. . . .

missividade eltrica do

76

FIGURA 6.19  Grcos do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica prevista pela equao (5.11) para dois casos

n = 0, 40. Em azul o comportamento previsto para m = 0, 40 e em verde o comportamento previsto para

m = 0, 60. Em ambos o valor assumido por k foi o mesmo. . . .

hipotticos em que

77

LISTA DE TABELAS

TABELA 4.1 

Resultados das medidas para

partir da Figura 4.4.

TABELA 6.1

de cada bssola obtidas a

.........................................

Valores dos parmetros

51

da equao (5.12) para alguns

materiais segundo (HILL, 1981).

TABELA A.1 

Valores para a

frequncia em
TABELA A.2 

tan()

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
4
multiplicados por 10 , em funo da

Hz (HIPPEL,

1954). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

apresenta os valores dos parmetros

da equao (5.12)

para alguns materiais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

TABELA A.3 

87

Tabela descrita por (HILL, 1981) com algumas modicaes,

apresenta os valores dos parmetros

da equao (5.12)

para alguns materiais. (Continuao) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

TABELA A.4 

84

Tabela descrita por (HILL, 1981) com algumas modicaes,

88

Tabela descrita por (HILL, 1981) com algumas modicaes,

apresenta os valores dos parmetros

da equao (5.12)

para alguns materiais. (Continuao) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

89

LISTA DE SIMBOLOS

Q
q
p
q0
d
v
N
n0

0 ()
00 ()

2
0 ()
00 ()
k0

1
2

c
q
l
0

t
D0
D(t)
E0
E(t)
P
P (t)
P (t)

Fator de qualidade.
Vetor de onda.
Vetor momento de dipolo.
Carga positiva do dipolo.
Distancia entre as cargas positiva e negativa do dipolo.
Variacao de volume.
N
umero de dipolos.
N
umero de dipolos por unidade de volume.
Susceptibilidade complexa.
Susceptibilidade eletrica na ausencia de um campo eletrico.
Susceptibilidade eletrica.
Componente real da Susceptibilidade eletrica com relacao a frequencia.
Componente imaginaria da Susceptibilidade eletrica com relacao a
frequencia.
Permissividade eletrica complexa.
Permissividade no equilbrio assintotico.
Permissividade eletrica no vacuo.
Permissividade eletrica.
Permissividade eletrica em frequencias intermediarias.
Componente real da permissividade eletrica com relacao a frequencia.
Componente imaginaria da permissividade eletrica com relacao a
frequencia.
Constante de proporcionalidade entre e 0 .
Tempo de relaxacao dieletrica.
Tempo de relaxacao dieletrica associado ao primeiro pico.
Tempo de relaxacao dieletrica associado ao segundo pico.
Constante de amortecimento ou tempo de relaxacao para um dado oscilador.
Raio de relaxacao constante do dieletrico.
Raio de relaxacao do dieletrico dependente do campo aplicado.
Raio de relaxacao do dieletrico dependente das interacoes com o meio.
Frequencia natural de oscilacao.
Frequencia angular.
Variacao de tempo.
Vetor deslocamento eletrico no vacuo.
Vetor deslocamento eletrico.
Amplitude do campo eletrico aplicado no vacuo.
Campo eletrico dependente do tempo.
Polarizacao Constante.
Polarizacao dependente do tempo.
Potencia media no tempo.

P
Z
Y

()

Polarizacao complexa.
Impedancia.
Admitancia.
Defasagem entre o campo e a resposta do dieletrico.
Atraso da resposta dieletrica da aplicacao do campo dependente da
frequencia.
tan()
Perda dieletrica.
0
S(t t ) Funcao degrau unitario.
fp (tt0 ) Funcao resposta a aplicacao de campo da forma impulso.
r
Funcao resposta dieletrica.
hc (t)i
Valor esperado para a funcao resposta dieletrica.
F (t)
Forca dependente do tempo.
F0
Amplitude da forca aplicada.
A
Amplitude de oscilacao.
0
m
Massa de uma particula acoplada a um oscilador harmonico.
c
Constante elastica de uma mola.
P (t)
Potencia media dissipada.
B0
Campo magnetico da terra.
B(t)
Campo magnetico harmonico dependente do tempo.
Bs
Campo magnetico no interior de um solenoide.

Constante de fase no movimento harmonico.

Posicao angular.
0
Posicao angular de equilbrio.
q (t)
Termo responsavel pelo banho termico na forma classica da equacao de
Dissado-Hill.
l0
Termo responsavel pelo banho termico na equacao quantica de DissadoHill.
Indice de refracao.
nr

Parametro da equacao de Cole-Cole relacionada ao material dieletrico

com valor compreendido entre 0 e 1.

Parametro da equacao de Cole-Davidson relacionada ao material

dieletrico com valor compreendido entre 0 e 1.
aq
Variavel responsavel pela evolucao da resposta dieletrica no modelo de
Dissado-Hill dependente do momento q transferido pelo campo aplicado.
aq (t)
Variavel responsavel pela evolucao dinamica da resposta dieletrica no
modelo de Dissado-Hill dependente do momento q transferido pelo campo
aplicado.
al (t),
Variaveis responsaveis pela resposta dieletrica no modelo de Dissado-Hill
a 0 K
relacionadas a estados intermediarios K e l.
a0 (t)
Variavel responsavel pela evolucao dinamica da resposta dieletrica no
modelo de Dissado-Hill para q = 0.
k
Constante multiplicativa responsavel pela amplitude da resposta
dieletrica no modelo de Dissado e Hill.
T
Temperatura.
m
Parametro associado as interacoes extra-cluster no modelo de DissadoHill.

VKq
al
al
C(t)
F
C
R
X

Parametro associado as interacoes intra-cluster no modelo de DissadoHill.

Infinito.
exponencial.
Comprimento de correlacao.
Frequencia de oscilacao do cluster.
Constante de Planck.
Intensidade de interacao entre os modos da rede.
Operador de aniquilacao.
Operador de criacao.
Funcao de correlacao.
Forca em Newtons, entre duas cargas puntiformes q1 e q2 .
Capacitancia.
Resistencia eletrica.
Reatancia.

SUMRIO

1 INTRODUO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1

OBJETIVOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

16

1.1.1 Objetivo geral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

16

1.1.2 Objetivos Especcos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

17

2 REVISO BIBLIOGRFICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.1

INTRODUO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

18

2.2

A POLARIZAO DOS MATERIAIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

18

2.2.1 Polarizao Orientacional ou Dipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

21

2.3

A POLARIZAO E A SUA DEPENDNCIA COM O CAMPO EL-

2.4

A FUNO RESPOSTA DIELTRICA

TRICO APLICADO

....................................................

22

................................

27

2.4.1 Funes Resposta Dieltricas: Casos Particulares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

28

3.1

INTRODUO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

32

3.2

O MODELO DE DEBYE PARA A POLARIZAO DE MEIOS DIEL-

3 A FUNO RESPOSTA DIELTRICA: O MODELO DE DEBYE

E SUAS EXTENSES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
TRICOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3

32

AS EQUAES DE COLE-COLE E COLE-DAVIDSON PARA A DESCRIO DA RELAXAO DIELTRICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4 DINMICA DE RELAXAO EM MEIOS DIELTRICOS: UMA

APLICAO ENVOLVENDO OSCILADORES HARMNICOS
42

36

4.1

INTRODUO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

42

4.2

O OSCILADOR AMORTECIDO E FORADO REVISITADO . . . . . . . . . .

43

4.3

OSCILAES AMORTECIDAS E FORADAS DA AGULHA DE UMA

BSSOLA

..............................................................

4.4

A INTERPRETAO FSICA DOS PARMETROS DA EQUAO DE

4.5

A DINMICA DE RELAXAO EM MEIOS DIELTRICOS: UM EXEM-

DEBYE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
PLO ENVOLVENDO OSCILADORES HARMNICOS . . . . . . . . . . . . . . . . .

46
48
49

5 O MODELO DE DISSADO E HILL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

5.1

INTRODUO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

54

5.2

OS PRINCIPAIS ASPECTOS DO MODELO DE DISSADO E HILL . . . .

55

5.3

A FUNO RESPOSTA DE DISSADO E HILL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6 ALGUNS RESULTADOS DO MODELO DE DISSADO E HILL

58

63

6.1

INTRODUO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

63

6.2

OS PARMETROS DO MODELO E A DESCRIO DA RESPOSTA

DIELTRICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

63

SUGESTO PARA TRABALHOS FUTUROS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

79

7 CONCLUSES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
7.1

REFERNCIAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
Anexo A -- ANEXOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
A.1 A EQUAO DE COLE-COLE PARA A DESCRIO DA RELAXAO
DIELTRICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

85

A.2 O MODELO DE COLE-DAVIDSON . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

86

14

1 INTRODUO

Dentre os materiais disponveis para fabricao de dispositivos eletrnicos

destacam-se os chamados condutores, supercondutores, semicondutores e isolantes.
Uma distino mais precisa entre estes tipos de materiais segue a partir da anlise
do espectro de bandas de energia associada a tais materiais (REZENDE, 2004).
Materiais isolantes apresentam uma grande importncia para a eletrnica,
pois muitas vezes so utilizados para montar ou isolar eletricamente os e partes
de dispositivos e circuitos. Os materiais mais utilizados nestas aplicaes consistem
de cermicas, resinas e uma grande variedade de polmeros, os quais so materiais
formados por macromolculas compostas por muitas unidades de repetio denominadas meros, ligados por ligaes covalentes (CANEVAROLO, 2002).
Eltrons livres no so os nicos responsveis pela resposta dos materiais
frente a aplicao de um campo eltrico externo, alguns materiais assim como os
materiais isolantes possuem ons ou molculas que sob a ao de um campo eltrico
externo sofrem pequenos deslocamentos ou reorientaes, mesmo sem produzir corrente eltrica estes materiais apresentam uma resposta a ao de um campo eltrico
aplicado, sendo assim classicados como

materiais dieltricos.

Dentre as aplicaes mais tradicionais de materiais dieltricos esto a fabricao dos mais variados tipos de capacitores, dentre eles os capacitores cermicos
multicamadas MLCC e os capacitores MOS, bastante empregados em circuitos integrados. No entanto, dieltricos vm sendo muito utilizados em sistemas de comunicao global e terrestre no desenvolvimento de componentes como ltros e antenas,
por meio da utilizao dos dieltricos ressonantes DRs. Devido s propriedades como
alto fator de qualidade
dade relativa

Q,

diretamente associado a tangente de perda, permissivi-

e frequncia de ressonncia termicamente estvel

apresentadas

por alguns destes dieltricos que os avanos na miniaturizao dos dispositivos

15
eletrnicos pde ocorrer (MAILADIL, 2008). Outras aplicaes consistem na fabricao de dispositivos, dentre estes pode-se destacar aqueles baseados em materiais
piezoeltricos, sendo que a piezoeletricidade uma propriedade que alguns materiais
dieltricos apresentam quando submetidos a uma tenso mecnica ou eltrica (REZENDE, 2004). De forma geral, o potencial que estes materiais proporcionam para
a confeco dos mais variados tipos de sensores e componentes bastante grande.
No tocante das aplicaes, ocorre a necessidade de um conhecimento mais
elaborado do chamado processo de relaxao dieltrica que estes materiais podem
sofrer.

Conforme MAILADIL (2008) e LICARI (2003) apontam, devido a mini-

aturizao de componentes como capacitores cermicos, que so empregados em

dispositivos eletrnicos de alta preciso, desejvel que estes materiais apresentem
uma perda dieltrica baixa. Como no possvel testar experimentalmente todos
os materiais dieltricos disponveis, torna-se interessante pelo menos a uma classe de
substncias polimricas ou cermicas um conhecimento mais detalhado a respeito
da resposta dieltrica frente a aplicao de um campo eltrico.
A determinao da resposta de um material dieltrico em funo do campo
aplicado um problema antigo, ainda em aberto e que tm levado a publicao de
muitos trabalhos cientcos. Inicialmente, DEBYE (1929) props que o movimento
orientacional dos dipolos pertencentes ao dieltrico, da aplicao de um campo eltrico, poderia ser descrito por meio de uma equao diferencial de primeira ordem,
devido a sua suposio de que as interaes entre os dipolos eram desprezveis. Neste
sentido muitos modelos surgiram para descrever comportamentos no descritos pelo
modelo de Debye, em grande maioria estes modelos assumiam a existncia de interaes envolvendo os dipolos. Sem identicar os signicados fsicos destas interaes
e as suas consequncias na resposta observada, os autores buscavam descrever os
comportamentos observados experimentalmente de forma adequada para classes de
materiais, devido a falta de realidade fsica, estes modelos eram considerados modelos empricos.
A proposta deste trabalho apresentar os conceitos e ferramentas necessrias para a anlise do problema descrito e por meio do modelo proposto por Dissado e
Hill descrever de forma adequada o comportamento dieltrico para alguns materiais,
de modo que posteriormente possa ser feira uma anlise detalhada do comportamento dieltrico de materiais de interesse para a Eletrnica.

16
O presente trabalho segue organizado da seguinte forma.

No Captulo 2,

so apresentados alguns conceitos e ferramentas necessrios para a caracterizao

da polarizao de materiais dieltricos e atravs de alguns exemplos introduzida a
noo de resposta dieltrica por meio da funo resposta dieltrica. No Captulo 3
apresentada uma breve reviso da literatura especializada com alguns dos modelos
propostos para a descrio da funo resposta dieltrica, onde so indicadas as principais caractersticas e distines destes modelos. No Captulo 4, so apresentados
alguns resultados, em particular os resultados do trabalho (DOFF et al., 2011), onde
realizada uma discusso geral a respeito dos princpios fsicos envolvidos na elaborao de funes resposta dieltrica e a inuncia de se considerar uma distribuio
de tempos de relaxao para a representao da polarizao e relaxao de um meio
dieltrico. O Captulo 5 destinado a apresentao do modelo de Dissado e Hill,
sendo apresentadas as motivaes para o desenvolvimento do modelo e as principais caractersticas e contribuies para o estudo do comportamento dieltrico dos
materiais. No Captulo 6, por meio de dados experimentais de alguns materiais so
apresentados resultados de simulao, as quais representam os ajustes previstos pelo
modelo de Dissado e Hill para as curvas das componentes real e imaginria da permissividade eltrica destes materiais. No Captulo 7, so apresentadas as concluses
da realizao deste trabalho e as sugestes para a realizao de trabalhos futuros,
as quais giram em torno da inuncia da temperatura na dinmica de relaxao de
materiais dieltricos de interesse para a Engenharia Eltrica e a Eletrnica e da descrio da resposta dieltrica de compostos dopados em relao ao comportamento
de cada composto.

1.1

1.1.1

OBJETIVOS

OBJETIVO GERAL

A proposta inicial deste trabalho apresentar os conceitos e ferramentas

necessrias para a anlise do problema da descrio da resposta dieltrica quando
da aplicao de um campo eltrico externo, visto a grande utilizao destes materiais
na indstria e que cujos comportamentos ainda carecem de estudos.
Num segundo momento o objetivo por meio da funo resposta dieltrica

17
proposta por (DISSADO; HILL, 1984) realizar simulaes de modo a vericar a
adequao da funo com os dados experimentais apresentados por alguns materiais, dentre eles, polmeros e cermica. Percebidos os ajustes proporcionados e as
relaes envolvendo os parmetros desta funo, motivar um estudo elaborado envolvendo materiais empregados atualmente e sua dinmica de comportamento dieltrico
quando da variao da temperatura.
Os resultados deste trabalho visam proporcionar informaes do ponto de
vista acadmico e tecnolgico, visto que a permissividade e a perda dieltrica do material em funo da frequncia em determinadas temperaturas so as caractersticas
principais observadas em um dieltrico para a aplicao dos mesmos na elaborao
de componentes e dispositivos eletrnicos.

1.1.2

OBJETIVOS ESPECFICOS

- Apresentar os conceitos e ferramentas necessrias para iniciar a anlise do

problema.
- Apresentar alguns dos modelos utilizados na literatura para a descrio da
resposta dieltrica, de modo que que claro quais os processos e fenmenos envolvidos
tanto na polarizao quanto na relaxao de um dieltrico e as suas inuncias na
resposta.
- Encontrar materiais dieltricos cujos dados experimentais quanto a resposta dieltrica so disponveis em publicaes, para que sejam feitas as simulaes.
- Por meio do modelo proposto por (DISSADO; HILL, 1984) realizar simulaes de modo a identicar os parmetros para a funo resposta dieltrica que
melhor se adequam aos dados experimentais dos materiais dieltricos encontrados.
- De posse das simulaes e dos parmetros da funo de Dissado e Hill
relacionados, classicar os materiais quanto ao comportamento dieltrico apresentado.

18

2 REVISO BIBLIOGRFICA

2.1

INTRODUO

A mais importante caracterstica dos materiais dieltricos a propriedade de

se polarizarem sob a ao de um campo eltrico. A ideia de polarizao de dieltricos
surgiu pela primeira vez com Michael Faraday em meados de 1830.

O processo

de polarizao de um material dieltrico frente a aplicao de um campo eltrico

externo, corresponde a um processo de interao entre as cargas eltricas presentes
no meio dieltrico e o campo aplicado, de certa forma pode-se resumir a polarizao
como sendo a mudana no arranjo ou posio das partculas eletricamente carregadas
que compem o material dieltrico.
A polarizao e a forma com que materiais dieltricos respondem frente a
aplicao de um campo eltrico, so questes de extrema importncia no estudo
dos materiais e das suas propriedades como componentes aplicados eletrnica e a
indstria em geral. Desta forma, um estudo detalhado da polarizao em dieltricos
e dos efeitos associados fazem-se necessrio.
Neste captulo so apresentados os principais tipos de polarizao, dando
enfoque a polarizao orientacional ou dipolar por ocorrer em frequncias de interesse
para a eletrnica.

Neste mesmo momento iniciada a caracterizao da funo

resposta por meio de casos especcos visando a apresentao de uma descrio de

modelos mais complexos de funes resposta dieltrica a serem dadas posteriormente.

2.2

A POLARIZAO DOS MATERIAIS

Dentre os materiais disponveis para a elaborao de dispositivos eltricos

alm dos semicondutores e supercondutores, destacam-se os condutores e isolantes.
Os materiais isolantes de forma geral possuem ons ou molculas que quando expos-

19
tos a ao de um campo eltrico externo mesmo produzindo uma corrente eltrica
desprezvel sofrem pequenos deslocamentos ou reorientaes, tal efeito denominado

Polarizao e tais materiais so caracterizados como dieltricos.

Dentre os materiais dieltricos, existem aqueles formados por substncias
polares e os formados por substncias apolares.

Substncias polares so aquelas

formadas por molculas polares, ou seja, que possuem um momento de dipolo permanente. O caso mais simples de molcula polar a gua

H2 O,

a molcula de gua

formada por dois tomos de Hidrognio e um de Oxignio, devido a este ltimo

ser mais eletronegativo e das ligaes entre os tomos de Hidrognio e Oxignio
formarem um ngulo de aproximadamente

1050 ,

tal separao representa um dipolo

eltrico, por ser intrnseco diz-se que a gua possui um momento de dipolo permanente.

Outras molculas como as de Fosgnio

COCl2

e a Amnia

N H3

tambm

so exemplos de molculas polares. Substncias apolares so aquelas que no apresentam esta congurao dipolar, como exemplo, a molcula de Triuoreto de Boro

BF3 ,

nesta molcula h trs tomos de Flor e um de Boro, sendo o Flor o mais

eletronegativo, porm como a congurao da molcula trigonal planar, onde as

ligaes entre os tomos de Flor e o de Boro formam ngulos de

1200 ,

no h uma

separao de cargas congurando uma forma dipolar, sendo assim uma molcula
apolar. Nas partes (a) e (b) da Figura 2.1 so representadas as molculas de gua

H2 O

e a de Triuoreto de Boro

BF3 ,

representando uma molcula de congurao

polar e uma de congurao apolar, respectivamente.

(a)

(b)

Figura 2.1: (a) Representao da molcula de gua H2 O, molcula polar (LABFILTER.COM, 2011). (b) Representao da molcula de Triuoreto de Boro
BF3 , molcula apolar (COMMONS., 2011).
Identicando o vetor deslocamento como
para

+q 0 ,

o vetor momento de dipolo

p~

d~,

orientado na direo de

q 0

associado a cada molcula descrito pelo

20
produto

~
p~ = q 0 d.

(2.1)

Na ausncia de um campo eltrico aplicado, cada elemento de volume do dieltrico

no possui um momento de dipolo, uma vez que a soma algbrica de todas as cargas
zero (TAREEV, 1979). A aplicao de um campo eltrico provoca no dieltrico
uma reorganizao das molculas, neste caso, um elemento de volume do dieltrico
ter um momento de dipolo diferente de zero e igual a soma algbrica dos momentos
de dipolo de todas as molculas polarizadas neste elemento de volume. Se
nmero de dipolos em um volume

v ,

ento

n = N/v

representa o nmero de

dipolos por unidade de volume no material considerado, considerando um volume

V ,

tem-se

ptotal =

N
X

pi

(2.2)

i=1
onde cada

pi

pode ser diferente.

descrito abaixo

A polarizao

ento denida como o limite

N
1 X
P = lim
pi
V 0 V
i=1

(2.3)

cuja dimenso de Coulomb por metro quadrado (HAYT WILLIAM H., 1983).
Com relao ao campo eltrico aplicado a um material dieltrico, o processo
de polarizao tambm ir depender da intensidade e frequncia deste campo. De
acordo com a frequncia do campo que um determinado tipo de polarizao ir ser
predominante, pode se separar as contribuies dos tipos de polarizao em funo
da frequncia segundo a Figura 2.2.
Na Figura 2.2,

representa o tipo da polarizao predominante em um ma-

terial dieltrico em funo da frequncia. Como pode ser observado, existem vrias
faixas de frequncia em destaque, cada uma compreendendo um tipo de polarizao
em especial. Entre as frequncias

f1

f2

a polarizao predominante a dipolar, a

de interesse e que ser melhor descrita na sequncia. Entre as frequncias

ordem de

1012

1015 Hz)

f2

f3

(da

a polarizao identicada a inica, que consiste no des-

locamento mtuo dos ons que formam uma molcula heteropolar (Inica), ou seja,

21

Figura 2.2: Grco da variao da polarizao com relao a frequncia (REZENDE, 2004).
na presena do campo eltrico, os ons positivos e negativos sofrem deslocamentos
em relao uns aos outros, induzindo momentos de dipolos (HECHT, 1990).
frequncias acima de

f3

(acima de

1015 Hz)

Em

a polarizao a eletrnica, neste caso

o campo eltrico aplicado distorce a nuvem eletrnica, deslocando-a em relao aos

ncleos e assim produzindo um momento de dipolo (HECHT, 1990).
Pode ser observado que a contribuio proveniente da polarizao dipolar ocorre em frequncias mais baixas, de certa forma necessitando menos energia
para ocorrer, alm de representar a contribuio mais signicativa da polarizao no
material dieltrico, nestas frequncias o campo orienta os dipolos que compem o
material na direo em que aplicado, por este motivo a polarizao denominada
orientacional ou dipolar. Em frequncias mais elevadas, h somente a ocorrncia da
polarizao inica e eletrnica, ditas polarizaes por deslocamento, visto que nestes
processos h separao ou transporte de cargas.

2.2.1

POLARIZAO ORIENTACIONAL OU DIPOLAR

Dieltricos polares possuem uma tendncia a polarizao orientacional quando

da aplicao de um campo eltrico, a qual pode ocorrer em frequncias at da ordem de

1012 Hz.

Se considerada uma molcula dipolar e um campo eltrico aplicado

perpendicularmente a linha imaginria que liga a carga positiva a negativa do dipolo, devido a ao do campo sobre tal congurao dipolar a tendncia ocorrer
uma orientao ou deslocamento angular na direo em que o campo eltrico aplicado. sabido que uma substncia qualquer formada por molculas que esto em

22
constante movimento trmico, quando a polarizao dipolar ocorre, o movimento
associado as molculas tambm devido a estes movimentos trmicos. Desta forma
a polarizao em sua descrio completa esta diretamente ligada ao comportamento
trmico das molculas e a intensidade do campo eltrico aplicado, neste estudo no
ser considerada diretamente a contribuio dos efeitos trmicos para a polarizao, visto que para descrever estes fenmenos seriam necessrios muitas variveis e
tal problema seria extremamente complexo (BTTECHER; BORDEWIJK, 1987)
(TAREEV, 1979).
A polarizao em materiais dieltricos pode ainda ser dividida em dois casos com relao as caractersticas do campo aplicado, podendo ser dita Esttica ou
Dinmica. A Polarizao Esttica a polarizao provocada por um campo eltrico
externo constante ou que devido ao tempo que o material esta submetido aos efeitos
do campo, esta em equilbrio com o mesmo, ou seja, o campo eltrico j no causa
mais mudanas na ordem estrutural das molculas e ons do material dieltrico. A
Polarizao Dinmica por sua vez a polarizao resultante da aplicao de um
campo eltrico varivel no tempo, ou seja

E = E(t),

consequentemente a polariza-

o no estar necessariamente em equilbrio com o campo, sendo dependente do

tempo e dada por

2.3

P = P (t).

A POLARIZAO E A SUA DEPENDNCIA COM O CAMPO ELTRICO

APLICADO

Como visto anteriormente, os vrios tipos de polarizao ocorrem predominantemente em faixas de frequncias distintas.

Nesta seo ser identicada a

conexo existente entre a polarizao observada e o campo eltrico aplicado. Inicialmente o interesse descrever de forma simplicada os efeitos do campo eltrico
em um meio dieltrico, ou seja, a polarizao do dieltrico, para que posteriormente
seja feita uma descrio mais detalhada sobre este processo.
Uma vez denido o conceito de polarizao, como visto, consiste da reorganizao espacial de cargas, ou seja, do somatrio dos momentos de dipolos por
unidade de volume resultante da aplicao de um campo, pode ser ento estabelecida
a relao entre a polarizao e o campo eltrico aplicado. Para isso deve-se notar que
os movimentos de reordenao associados as partculas microscpicas, necessitam de

23
um certo tempo para que ocorram, assim se a variao do campo eltrico se der de
forma mais rpida do que a resposta do meio, ento a polarizao deste meio ser
varivel com o tempo e dependente das propriedades de interao entre o campo
aplicado e as molculas do qual o meio dieltrico formado, pois cada uma apresenta um tempo de relaxao

de resposta, estes ainda podendo variar de acordo

com as condies em que o dieltrico se encontra, bem como presso e temperatura.

Se as variaes do campo eltrico ocorrerem de forma mais lenta que o
movimento das partculas microscpicas, ento neste caso a polarizao e o campo
eltrico aplicado estaro em equilbrio em um dado instante

t,

dessa forma o estado

de polarizao do material quase esttico (BTTECHER; BORDEWIJK, 1987).

No caso de um dieltrico isotrpico linear, h uma proporcionalidade direta entre a
polarizao e o campo eltrico aplicado, fato este dado experimentalmente, podendose assim expressar

em funo do campo por meio de uma equao linear

P (t) = E(t).
Neste caso considerada a susceptibilidade eltrica

(2.4)

1 constante, porm se o interesse

fosse descrever de forma mais completa o processo, a mesma deveria ser descrita
levando-se em considerao algumas condies do material, bem como temperatura,
presso e composio, tornando a abordagem um tanto complexa.
Quando o interesse estudar as propriedades de um campo eltrico

E(t)

em um dado material, como em um dieltrico por exemplo, introduzido o conceito

de vetor deslocamento eltrico
aplicado no material.

D(t),

este por sua vez representa o campo eltrico

A relao entre o vetor deslocamento e o campo eltrico

aplicado pode ser descrita por meio da seguinte equao para o caso quase esttico

D(t) = E(t), onde = 4 + 1

e representa a permissividade eltrica

(2.5)

relacionada diretamente com a susceptibili-

dade eltrica do material. Uma discusso a respeito da permissividade

apresen-

tada na sequncia.
Em eletrosttica, a permissividade eltrica do vcuo

1 Representa

0 ,

surge como uma

o quo susceptivo um material aos efeitos de um campo eltrico, ou seja, o quo

polarizvel ele .

24
constante de proporcionalidade ao se introduzir a Lei de Coulomb entre duas cargas
eltricas no vcuo (HALLIDAY et al., 1996), que em unidades Gaussianas assumem
a forma

F~ =
onde

F~

a fora em Newtons,

0
q1

entre as cargas puntiformes

1 q1 q 2
~r
40 r3

(2.6)

a permissividade eltrica no vcuo,

e

q2

~r

a distncia

o vetor que indica a direo da fora.

Entretanto, se as cargas esto imersas em um meio material, como em um dieltrico

por exemplo, a fora de interao entre as cargas diminui e este fato acomodado

= k 0 0 .

pela denio de permissividade eltrica do meio,

A medida da constante

pode ser obtida de forma simples para campos eltricos estacionrios, uma vez que

um capacitor seja preenchido com um dado material dieltrico, a sua capacitncia

pode ser medida com o auxlio de um Capacitmetro, como

F (g)

depende da forma do capacitor, possvel determinar

k0

C = k 0 0 F (g),

onde

e consequentemente

a partir desta expresso para um dado material.

Todavia, se o campo aplicado varivel no tempo, em particular para al-

tas frequncias, no interior do capacitor (FEYNMAN; SANDS, 2008) existir alm

das caractersticas capacitivas, tambm a incluso de efeitos resistivos e indutivos,
de forma que neste caso o comportamento do capacitor mapeado pela chamada
admitncia

(ALEXANDER; SADIKU, 2003), denida por

Y =
Sendo que
e

X,

1
1
=
Z
R + iX

(2.7)

a impedncia, a qual ir apresentar componentes real e imaginria,

respectivamente. Sendo

capacitiva, por outro lado se

a resistncia e

a reatncia, se

X<0

a reatncia

X > 0, a reatncia apresenta carter indutivo.

Desta

forma, na situao mais geral possvel, a permissividade do dieltrico inserido em

um capacitor sujeito a ao de um campo varivel no tempo, a altas frequncias,
dever apresentar partes real

e imaginria

00 ,

sendo

= 0 i00
onde se espera que para um campo eltrico aplicado constante, ou seja,
tenha

00

= 0.

(2.8)

=0

se

25
Como o interesse estudar a polarizao dinmica, cuja variao do campo
eltrico se d de forma mais rpida que o tempo caracterstico dos movimentos
moleculares, ou seja, o movimento orientacional no sucientemente rpido para
acompanhar o campo. Considerando a aplicao em um material dieltrico de um
campo eltrico harmnico varivel no tempo, cuja forma representada por:

E(t) = E0 cos(t).

(2.9)

Para o caso de um dieltrico isotrpico linear, o vetor deslocamento eltrico devido

a aplicao do campo harmnico, pode ser determinado considerando a frequncia

deste campo e uma constante de atraso

representando o atraso entre a aplicao

e a resposta do meio ao campo. Neste caso pode-se escrever que

D(t) = D0 cos(t )
onde

D0

(2.10)

a variao da amplitude do sinal cossenoidal. O termo

que representa

o atraso entre a interao e a resposta do material, tambm apresenta dependncia

com a frequncia do campo aplicado. Como

= (),

a equao (2.10) pode ser

reescrita como:

D(t) = D0 cos () cos(t) + D0 sin () sin(t)

(2.11)

introduzindo a notao:

as quais,

0 ()

00 ()

cos () = 0 ()E0 /D0

(2.12)

sin () = 00 ()E0 /D0

(2.13)

representam a parte real e imaginria da permissividade em

funo da frequncia, respectivamente.

Das equaes (2.12) e (2.13), a equao

(2.11) pode ser reescrita da forma:

D(t) = 0 ()E0 cos(t) + 00 ()E0 sin(t)

(2.14)

26
Das equaes (2.12) e (2.13) tem-se que:

sin ()
00 () E0 .D0
= 0
cos ()
() E0 .D0
00
()
.
tan () = 0
()
tan () =

(2.15)

(2.16)

Das equaes (2.5) (2.16) sabe-se que:

Se considerado o vcuo, onde

E(t) = E0 eit

(2.17)

D(t) = D0 ei(t)

(2.18)

D(t) = E(t).

(2.19)

= 0 = 1

= 0 i00 , onde 00 = 0 e 0 = 0 .

(2.20)

Pode ser observado que:

tan () =

00
= 0, no
0

vcuo.

(2.21)

Como no h interao do campo com o meio, no h energia do campo sendo

cedida, assim pode ser observado que

() representa

que o atraso entre a interao

do campo com o meio nula. Devido a este fato nota-se que a componente

00 () esta

relacionada as perdas de energia do campo, tal perda diz respeito a energia cedida
pelo campo ao meio, a qual pode vir a polariz-lo, como no h meio, no caso do
vcuo,

00 = 0.

esttico, se

Em baixas frequncias, onde o processo de polarizao quasi-

= 0,

da equao (2.14) encontrado que

com as equaes (2.11) e (2.12) percebido que

conclui-se que

D(t) = 0 E0 ,

0 (0) =

comparando

e da equao (2.16)

00 (0) = 0.

Na Figura 2.3 apresentado o grco das componentes real e imaginria

da permissividade eltrica em funo da frequncia para um caso hipottico. Neste
grco possvel observar a permissividade eltrica de uma substncia polar hipottica em funo da frequncia do campo eltrico. A partir da Figura 2.3 pode ser
notado que a parte real da permissividade eltrica

superior a imaginria

porm a medida que a frequncia torna-se maior, ocorrem picos de

ocorrendo em frequncias onde a

00 ,

00 ,

picos estes,

tem forma varivel. De fato, a componente

00

27
descreve a absoro de energia do campo pelo dieltrico, como pode ser observado
na Figura 2.3 em duas regies de frequncias, ditas bandas de absoro, estes picos
de absoro podem ser identicados. A componente

0 , neste caso pode ser utilizada

para a caracterizao das propriedades ticas do material, bem como o ndice de

refrao

nr ,

uma vez que

nr 2 =

comportamentos distintos para

1 0
(
2

< 0

+
e

0 + 00 ),

que como observado apresenta

> 0 .

Figura 2.3: Grco da componente real e imaginria da permissividade

funo da frequncia (BTTECHER; BORDEWIJK, 1987).

em

O interesse deste trabalho conforme citado anteriormente a anlise do

comportamento de dieltricos em frequncias onde a polarizao existente a orientacional, visto que em frequncias mais elevadas os processos de polarizao predominantes, inica e eletrnica so de difcil caracterizao devido a complexidade
dos fenmenos envolvidos por se tratarem de processos de carcter atmico.

2.4

A FUNO RESPOSTA DIELTRICA

Em geral o comportamento da resposta dieltrica de um material a interao

com o campo aplicado ir depender alm das caractersticas do campo, das propriedades dos dipolos eltricos microscpicos que compem o material, que podem ser
permanentes ou induzidos pelo campo eltrico. Nesta seo sero descritas funes
resposta dieltrica hipotticas, descrevendo a polarizao orientacional de um meio
devido a aplicao do campo eltrico, de forma que posteriormente a utilizao de

28
modelos mais complexos se d de forma natural.

2.4.1

FUNES RESPOSTA DIELTRICAS: CASOS PARTICULARES

Considerando um determinado material dieltrico o qual est sob os efeitos

de um campo eltrico varivel no tempo descrito pela equao:

E(t) = E1 + (E2 E1 )S(t t0 )

onde

S(t t0 )

a funo degrau unitrio, sendo

ou seja, no instante de tempo

t < t0 ,

o campo atuante

t = t0

E1 .

(2.22)

quando

t0 t

tem-se o campo constante

E2

quando

t0 > t,

e para um tempo

Tal comportamento pode ser descrito por meio da

ilustrao apresentada na Figura 2.4.

Como so considerados materiais dieltricos lineares , a polarizao em um

determinado instante

t0

devido a aplicao de um campo eltrico varivel no tempo

pode ser determinada pela combinao linear das contribuies anteriores da polarizao.

Assim

P (t) = P (t0 ) + P 0 (t)

e da mesma forma

E(t) = E(t0 ) + E 0 (t),

ou

seja, o campo eltrico num dado momento pode ser descrito por meio da combinao
linear:

E(t) = E2 + E 0 (t), onde E 0 (t) = (E1 E2 )(1 S(t t0 ))

Como a polarizao dada por

P (t) = E(t),

tem-se:

P (t) = E2 + (E1 E2 )(1 S(t t0 ))

desta forma para

t < t0 ,

t t0 , S(t t0 ) = 1,

a polarizao constante e dada por

portanto

P (t) = E2 .

(2.23)

(2.24)

P (t) = E1

e para

Assim pode ser observado que a funo

(1S(tt0 )) descreve o comportamento da polarizao frente a aplicao do campo,

assim:

Fp (t t0 ) = 1 S(t t0 )
onde,

Fp

a funo resposta dieltrica para este caso hipottico.

campo eltrico determinado por

descrita pela funo

S(t t0 ),

(2.25)
Sabe-se que o

entretanto, a resposta da polarizao

Fp (t t0 ) = 1 S(t t0 ).

Esta relao sugere que ocorre

um atraso(delay ) entre a aplicao do campo e a resposta da polarizao. Este

um resultado esperado, uma vez que o efeito de polarizao deve ser precedido pela

2 Dieltricos

para os quais o princpio da superposio vlido.

29
causa, a aplicao do campo eltrico. Na Figura 2.4 pode ser observada a polarizao

P (t)

em funo do tempo, frente a aplicao de um campo da forma degrau.

Figura 2.4: Grco da polarizao observada ao campo eltrico aplicado.

Como pode ser observado na Figura 2.4, a polarizao devida ao campo

E2

no se d de forma instantnea, havendo uma defasagem

na polarizao em

relao ao campo. De igual maneira pode ser observado que para um tempo muito
grande sob os efeitos do campo a polarizao do material estar em equilbrio com
o campo, ou seja

Fp () = 0.

Se ao invs de considerada a aplicao de um campo da forma degrau fosse

um campo cuja forma descrita por uma funo de onda quadrada denida por:

E(t) = E1 S(t (t1 t)) E1 S(t t1 )

neste caso

E(t)

t < t1 t,

tais que

ser

E1

para tempos
ou

t t1 ,

tais que

t1 t t < t1

para valor de

conforme ilustrao na Figura 2.5.

Na Figura 2.5 pode-se observar que para

pois

(2.26)

S(t (t1 t)) = S(t t1 ) = 0,

diferente de zero e no caso igual a

E1

t < t1 t

de mesma forma
se

for tal que

o campo

E(t) = 0

para

t1 t t < t1 .

E(t) = 0,

t t1 ,

ser

Bem como

no caso anterior havia um campo da forma degrau a partir do qual foi denida uma

30

Figura 2.5: Grco de um campo descrito por meio de um pulso de onda

quadrada.
funo resposta

Fp (t t0 ) = 1 S(t t0 ),

de maneira semelhante, neste caso tem-se

que:

Fp (t t1 ) = 1 S(t t1 ) e Fp (t t1 + t) = 1 S(t t1 + t)
Logo como a polarizao

denida

P (t) = E(t),

(2.27)

ento temos:

P (t) = E1 (Fp (t t1 + t) + Fp (t t1 ))

(2.28)

Estes resultados podem ser expandido para uma situao envolvendo um

campo cuja forma uma srie de pulsos quadrados ocorrendo periodicamente, para
um caso deste a polarizao ser dada por:

P (t) =

n
X

E1 (Fp (t ti + t) + Fp (t ti ))

(2.29)

i=1

onde

P (t)

a combinao linear de todos os n campos

E1

o qual o meio dieltrico

foi submetido. Pode-se ainda reescrever a equao anterior como:

P (t) =

n
X
i=1

E1 t0

(Fp (t ti + t0 ) + Fp (t ti ))
t0

considerando o limite do contnuo, ou seja,

t0 0,

obtido que:


(Fp (t ti + t0 ) Fp (t ti ))
P (t) =
E(t ) lim
dt0
0
0 0
t
t

(2.30)

(2.31)

31
como

f (x + x) f (x)
df (x)
=
x0
x
dx

(2.32)

Fp (t t0 + t0 ) Fp (t t0 )
Fp (t t0 )
=

t 0
t0
t

(2.33)

lim

ento

lim
0

denindo

Fp (t t0 )
t

(2.34)

E(t0 )fp (t t0 )dt0

(2.35)

fp (t t0 ) =
conclui-se que:

P (t) =

Apesar da ltima igualdade ser o resultado de uma situao particular, ela ser
vlida para outras funes resposta na descrio da polarizao de um meio devido
a aplicao de um campo

E(t)

(BTTECHER; BORDEWIJK, 1987).

Nos captulos seguintes sero apresentados diversos modelos para a funo

resposta dieltrica

fp (tt0 ) = r propostos na literatura, tais funes visam descrever

o comportamento do meio frente a aplicao do campo.

32

3 A FUNO RESPOSTA DIELTRICA: O MODELO DE DEBYE

E SUAS EXTENSES

3.1

INTRODUO

Na ltima seo do captulo anterior foi obtida a Equao (2.35), que estabelece a relao entre a polarizao e o campo em termos da resposta do meio,
que pode ser parametrizada atravs da

fp (t t0 ) = r (t),

chamada funo resposta

dieltrica.
No decorrer dos anos muitas funes resposta que so capazes de descrever o
comportamento dieltrico de alguns materiais foram propostas na literatura, dentre
estas podem ser citados (DEBYE, 1929), (FUOSS; KIRKWOOD, 1941), (HAVRILIAK; NEGAMI, 1966), (WILLIAMS; WATTS, 1970), e (DISSADO; HILL, 1984),
na maioria das situaes estas funes foram obtidas a partir de ajustes numricos de
funes partindo de resultados experimentais. Neste Captulo sero apresentados alguns dos principais modelos propostos na literatura para a funo resposta dieltrica
e que se aplicam na descrio do comportamento dieltrico de alguns materiais.

3.2

O MODELO DE DEBYE PARA A POLARIZAO DE MEIOS DIELTRICOS

O primeiro modelo proposto para a descrio da polarizao de materiais

dieltricos foi desenvolvido por Peter Josephus Wilhelmus Debye, ganhador do prmio Nobel de Qumica em 1936.

Em Seu Livro

Polar Molecules

DEBYE (1929)

admitiu que em materiais formados por molculas contendo um momento de dipolo permanente onde as molculas se encontravam afastadas umas das outras, no
apresentavam forte interao entre os dipolos e assim poderiam ser negligenciadas.
Neste sentido Debye props que na ausncia de um campo aplicado, o processo de
relaxao dieltrica poderia ser governado por uma equao diferencial de primeira

33
ordem do tipo

dP (t)
+ cP (t) = 0.
dt

(3.1)

Esta equao uma consequncia da suposio feita em desprezar as interaes entre

os dipolos, neste caso a polarizao do meio num instante futuro
polarizao do meio no instante anterior

t,

proporcional a

ou seja

dP
P (t).
dt

(3.2)

Para que a equao (3.1) seja consistente necessrio que a constante

tenha di-

1
, onde

o tempo

menso de inverso de tempo, assim pode ser identicado que

c=

de relaxao caracterstico do dipolo. Consequentemente neste caso a soluo desta

equao assume a forma

P (t) = P0 et/

(3.3)

Na presena de um campo eltrico harmnico externo

E(t) = E0 cos(t),

processo de interesse deixa de ser a relaxao e passa a ser a polarizao induzida,

sendo descrita por

dP (t) P
0
+ = E0 cos(t)
dt

onde

(3.4)

a susceptibilidade eltrica na ausncia de um campo externo. A m de

resolver esta equao diferencial foi utilizado um artifcio desenvolvido por (FEYNMAN; SANDS, 2008), por apresentar uma abordagem mais rpida e prtica do que
os mtodos de resoluo convencionais. Considerando que
pelo equivalente complexo

P ,

pode ser representado

a equao acima assume a seguinte forma

0
dP P
+ = E0 eit .
dt

(3.5)

Como a polarizao proporcional ao campo aplicado pode-se escrever que

P = E
0 eit

(3.6)

assim substituindo a expresso acima na Equao (3.5) obtm-se

0
1 + i

(3.7)

A partir desta ltima equao pode-se identicar as componentes real

34
imaginria

00

da susceptibilidade

como sendo

0
(1 + 2 2 )
0
00 =
(1 + 2 2 )
0 =

De forma que para

= 0,

= 0 = constante.

(3.8)
(3.9)

ou seja, na ausncia de um campo aplicado

00 = 0

Um outro limite que deve ser notado consiste em assumir o

limite assinttico, ou seja

, neste caso 0 = 00 = 0.

Esta situao caracteriza

o equilbrio intermolecular, no sentido que a polarizao induzida devido a ao do

campo aplicado por si s adaptar-se-a ao campo aplicado, nesta situao

P 0.

Com a meta de efetuar a conexo entre a discusso apresentada e os resultados descritos no captulo 2, deve-se notar a existncia da seguinte relao por meio da
Transformada de Fourier entre a funo resposta dieltrica
eltrica complexa

r (t)

e a permissividade

Z
= + ( )

eit r (t0 )dt0 ,

(3.10)

0
sendo que esta relao segue a partir da equao (2.35), assumindo um campo eltrico harmnico da forma descrita na equao (3.5) (BTTECHER; BORDEWIJK,
1987). Nesta expresso,

designa a permissividade eltrica no equilbrio assint-

tico, ou seja, na situao em que a polarizao e o campo aplicado esto em equilbrio.

Nas linhas abaixo mostrado que a funo resposta dieltrica atribuda ao modelo
de Debye assume a forma

r (t) =

et/
,

(3.11)

considerando esta relao e tomando a Equao (3.10), obtem-se a seguinte expresso

para

= + ( )

1
1 + i

(3.12)

Como

= 0 i00
Podemos escrever que:

( )
(1 + 2 2 )
( )
00 =
(1 + 2 2 )
0 = +

(3.13)

(3.14)

35
possvel ainda relacionar as componentes real
bilidade

00

e imaginria da suscepti-

em funo das componentes real e imaginria da permissividade eltrica

segundo (RAJU, 2003)

0 = 0

(3.15)

00 = 00

(3.16)

Assumindo as equaes (3.15) e (3.16) pode ser vericado que a equao (3.11), de
fato representa a funo resposta dieltrica para o modelo de Debye. Se retomados
os limites discutidos, em

=0

so identicados

0 = = constante

equao (3.16), segue imediatamente a concordncia

00 = 0

00 = 0,

e da

0 = 0 = constante,

que foi o resultado que havia sido obtido anteriormente. Por outro lado, na situao
em que

ganha-se

00 = 0

0 = ,

caracterizando a situao de equilbrio

assinttico da polarizao induzida com o campo aplicado, levando a um resultado

anlogo ao obtido anteriormente, uma vez que neste caso

= constante

assim

00

= = 0.
A partir das equaes (3.8), (3.9) e das equaes (3.13) (3.16), pode ser
identicado que na teoria de Debye a funo resposta dieltrica descrita pela
equao (3.11).

Na literatura o mais usual apresentar a descrio da resposta

dieltrica em termos da equao (3.10) e efetuar o grco das componentes real

imaginria

00

da permissividade eltrica. No caso do modelo de Debye, as equaes

(3.13) e (3.14), fornecem o grco descrito na Figura 3.1.

Figura 3.1: Grcos das componentes 0 e

funo da frequncia do campo aplicado.

00

para o modelo de Debye em

O modelo de Debye capaz de descrever o comportamento da resposta

36
dieltrica de algumas substncias. Entretanto, o modelo no capaz de descrever
de forma adequada o comportamento da resposta dieltrica associado a maioria das
substncias slidas de interesse, bem como materiais polimricos e cermicas, uma
vez que estes materiais em sua maioria apresentam picos na componente imaginria
mais distribudos ou deslocados a mais altas frequncias, alm de em alguns casos
a existncia de mais de um pico, caractersticas estas no descritas pelo modelo.
Nas sees seguintes sero apresentados alguns modelos que foram propostos para
proporcionarem uma melhor descrio do comportamento dieltrico do que o modelo
de Debye e que se aplicam a alguns materiais slidos e lquidos.

Conforme sero

observados, estes modelos descrevem para alguns casos especiais o comportamento

dieltrico semelhante ao observado experimentalmente.

3.3

AS EQUAES DE COLE-COLE E COLE-DAVIDSON PARA A DESCRIO DA RELAXAO DIELTRICA

Como comentado na seo anterior, o modelo de Debye no capaz de

descrever o comportamento da relaxao observada na maioria das substncias dieltricas.

COLE; COLE (1941) e COLE; DAVIDSON (1952) buscando variaes

do modelo proposto por Debye de modo a descrever, ao menos empiricamente o

comportamento dieltrico observado em certas substncias, propuseram as seguintes expresses empricas para

= + ( )

1
(1 + (i )1 )

(3.17)

1
,
(1 + i )

(3.18)

= + ( )

onde as equaes (3.17) e (3.18) so as propostas por Cole-Cole e Cole-Davidson, respectivamente. Sendo os parmetros

0<1

com valores compreendidos nos intervalos

0 < 1.

As equaes (3.17) e (3.18) foram propostas a m de ajustarem-se ao comportamento dieltrico observado para algumas substncias, os valores dos parmetros

so escolhidos de forma a proporcionar um melhor ajuste para com os resulta-

dos experimentais das componentes real e imaginria da permissividade eltrica.

possvel ainda notar que para o modelo de Cole-Cole, quando assumido o limite em
que

=0

recuperado o modelo de Debye. De maneira semelhante para o modelo

37
de Cole-Davidson, quando o valor limite de

=1

assumido, o modelo de Debye

tambm recuperado. Como os parmetros

so nmeros fracionais, as equa-

es de Cole-Cole e Cole-Davidson so entendidas no sentido de uma distribuio de

tempos de relaxao molecular (BTTECHER; BORDEWIJK, 1987). Uma melhor
descrio de cada um destes modelos apresentada nas sees A.1 e A.2 dos anexos.
Nas Figuras 3.2 e 3.3 apresentada uma comparao entre os modelos propostos por (COLE; COLE, 1941) e (COLE; DAVIDSON, 1952), onde pode ser observado claramente as distines com relao as componentes real e imaginria. O
modelo proposto por Cole-Davidson de certa forma considera uma distribuio de
tempos de relaxao deslocada a mais altas frequncias, diferentemente do caso de
Cole-Cole onde o pico ocorre em frequncias mais baixas. Apesar de tais peculiaridades os modelos no descrevem de forma correta o comportamento da maioria dos
materiais dieltricos.

Figura 3.2: Comparativo entre os grcos da componente real da permissividade com relao a frequncia para os modelos de Cole-Cole e Cole-Davidson,
onde c = 1 103 Hz.
Para que fossem geradas as Figuras 3.2 e 3.3 foram considerados como parmetros de entrada,

= 0, 3

= 0, 5,

denciar a diferena entre os dois modelos.

estes valores foram assumidos para eviBTTECHER; BORDEWIJK (1987)

disponibilizam uma srie de valores para estes parmetros que so utilizados para
caracterizar a resposta de muitas substncias no estado lquido, como o 1-chloro-2methylpropano que bem descrito pelo modelo proposto por Cole-Davidson para

= 0, 5 T = 102, 15K e o 1-bromo-2-methyl-butano para = 0, 5 T = 116, 15K,

cabe lembrar porm que nestes materiais provavelmente o frequncia de pico

seja

38

Figura 3.3: Comparativo entre os grcos da dependncia da componente imaginria da permissividade com relao a frequncia para os modelos de ColeCole e Cole-Davidson, onde c = 1 103 Hz.
diferente daquela considerada para a comparao dos modelos.
Como possvel notar nas Figuras 3.2 e 3.3 os comportamentos dieltricos
mapeados so distintos e ambos podem ser associados a distribuies de tempos de
relaxao distintas. Assim, a comparao entre as guras reforam o comentrio feito
no incio da segunda seo de que as diferentes interaes dos dipolos moleculares
com o meio material pertencente contribuem para a denio da resposta dieltrica
do material a aplicao do campo.
Para um melhor entendimento de que os modelos discutidos no indicam
uma resposta adequada do comportamento dieltrico para a maioria dos materiais,
podem ser considerados os valores da

Sdio

temperatura de

358, 15K

tan()

tan()

para a

em funo da frequncia

tan()

em funo de

Cloreto de

segundo (HIPPEL, 1954) descrito na tabela A.1

dos Anexos. De posse destes valores da

da

em funo da frequncia do

tan(),

pde ser feito na Figura 3.4 a curva

para tais dados e na mesma gura as curvas

considerando os modelos propostos por Debye e

Cole-Cole.
Para a obteno das curvas da

tan()

Cole foi considerada a frequncia inicial de

correspondentes experimentais da
e

tan()

para os modelos de Debye e Cole-

100Hz

e a de

1000Hz

com os seus

para assim serem obtidos os parmetros

de cada um dos modelos propostos.

Com relao a curva dos dados experimentais e das curvas para a

tan()

39

Figura 3.4: Grco comparativo da tan() do Cloreto de Sdio 358, 15K

obtida experimentalmente segundo (HIPPEL, 1954), com as curvas obtidas
por meio dos modelos de Debye e Cole-Cole.
propostas pelos modelos, ca evidente que ao considerar um nico tempo de relaxao

associado ao material dieltrico, o modelo de Debye descreve que a

tan()

tem comportamento linear em funo da frequncia, o que no ocorre. No modelo

proposto por Cole-Cole a curva determinada pelos parmetros

onde ambos

so ajustados de modo a se obter um melhor ajuste aos dados experimentais, porm,

de mesma forma que no modelo de Debye, tal modelo no caracteriza materiais os
quais a

tan()

diminui com a frequncia como o caso considerado na Figura 3.4,

apesar de no modelo proposto por Cole-Cole a curva ter uma certa aproximao
com alguns dados experimentais, o seu comportamento no descreve por completo
o comportamento observado da

tan()

em funo frequncia para este material.

Das discusses anteriores surge naturalmente o questionamento sobre a aplicabilidade dos modelos de Debye e Cole-Cole para a descrio do comportamento
dieltrico de materiais dieltricos. Em estudo realizado sobre o processo de relaxao
da gua a temperaturas entre

273, 15K

308, 15K,

(BUCHNER; STAUBER, 1999)

identicaram por meio dos dados experimentais que o comportamento da permissividade real

410GHz

0 ()

e imaginria e

00 ()

com a frequncia variando de

0, 2GHz

at

apresentavam um comportamento que poderia ser mapeado por meio de

um modelo o qual considera uma sobreposio de duas equaes de Debye, ou seja,

onde:

() =

2
2
+
+
1 + i1 1 + i2

(3.19)

A considerao de uma sobreposio de duas equaes de Debye de que

40
h dois picos de absoro na faixa de frequncia observada e consequentemente dois
tempos de relaxao

associados ao material. Na Figura 3.5 so apresentados

os grcos com as componentes real e a imaginria da permissividade eltrica de

acordo com a frequncia para a gua

273, 35K,

na ilustrao os smbolos repre-

sentam os dados experimentais, a linha pontilhada a curva para o modelo de Debye

considerando um nico tempo de relaxao e a linha contnua a curva para o modelo
proposto na equao (3.19).

Figura 3.5: Grco da disperso dieltrica 0 () e o espectro de perda

da gua 273, 35K(BUCHNER; STAUBER, 1999).

00 ()

A partir da equao (3.19) e do grco da Figura 3.5 foi possvel obter a

curva da

tan()

para os dados experimentais e compar-los com a curva da

tan()

que pela equao (3.19) da forma:

tan() =
Neste caso
soro,

, 2

(3.20)

so os tempos de relaxao caractersticos aos dois picos de ab-

so a permissividade dieltrica da gua, a permissividade para

e
e

(1 + 2 2 2 )( 2 )1 + (1 + 2 1 2 )(2 )2
( 2 )(1 + 2 2 2 ) + (2 )(1 + 2 1 2 )

frequncias intermedirias entre um pico de absoro e outro e a permissividade no

equilbrio assinttico, respectivamente. Na Figura 3.6 pode ser observado o grco
da

tan()

curva da

com a frequncia dos dados experimentais obtidos pela Figura 3.5 e a

tan()

pela frequncia por meio da equao (3.20).

Neste ltimo exemplo pode ser observado que o comportamento dieltrico

da gua a baixas temperaturas pode ser mapeado por meio da equao Debye e
que o fato de no considerar uma distribuio de tempos de relaxao, pode mesmo
assim descrever o comportamento dieltrico de alguns lquidos e gases a baixas temperaturas, como observado neste exemplo.

41

Figura 3.6: Grco com os valores experimentais para a tan() obtidos da

Figura 3.5 e a curva da tan() por meio da Equao (3.20) da gua
273, 35K(BUCHNER; STAUBER, 1999), ambas em funo da frequncia.
Um ponto que deve ser frisado que estes modelos caracterizam bem algumas substncias na fase lquida, porm conforme ser discutido posteriormente,
substncias slidas como cristais, cermicas e polmeros no so descritas adequadamente por este tipo de formalismo, uma vez que podem apresentar mais do que
um pico de absoro na componente imaginria da permissividade, algo que ambos
os modelos no conseguem descrever.
No captulo seguinte so apresentados os principais aspectos do modelo proposto por MAKOSZ; URBANOWICZ (2002), o qual assume uma descrio baseada
na dinmica de um oscilador harmnico amortecido em conjunto com uma distribuio de tempos de relaxao para o comportamento dieltrico, descrevendo e
justicando a existncia de mais de um pico de absoro na componente imaginria
identicados em alguns materiais.

42

4 DINMICA DE RELAXAO EM MEIOS DIELTRICOS: UMA

APLICAO ENVOLVENDO OSCILADORES HARMNICOS

4.1

INTRODUO

Conforme discutido no captulo anterior, muitas funes resposta surgiram

ao longo dos anos com o objetivo de descrever de forma adequada o comportamento
dieltrico apresentado pelos materiais. Inicialmente com Debye, a funo assumia a
existncia de um nico tempo de relaxao

e que a resposta dos dipolos ao campo

eltrico se dava de forma idntica e sem interao entre os mesmos. Com o passar
dos anos vrias outras funes foram propostas de modo a considerar ajustes no
modelo de Debye, sob a premissa fundamental de que a dinmica de polarizao e
relaxao no era governada por um nico tempo de relaxao, devido a inuncia
entre os dipolos e a existncia de fenmenos inerentes a matria. A considerao de
uma distribuio de tempos de relaxao para a funo resposta levou a uma melhor
descrio do comportamento dieltrico observado.
Fenmenos oscilatrios so de extremo interesse em todos os campos da Engenharia e Fsica. A ttulo de exemplicao de sistemas fsicos que so governados
por uma equao do tipo oscilador harmnico amortecido e forado um circuito
RLC submetido a uma tenso peridica. Neste captulo ser explorado um modelo
para descrio da polarizao de alguns meios dieltricos baseado em uma distribuio de tempos de relaxao na dinmica de relaxao de um oscilador amortecido
sujeito a ao de uma fora harmnica.
O movimento da agulha da bssola sob o efeito da ao de um campo magntico harmnico pode ser utilizado para ilustrar o movimento orientacional de um
dipolo eltrico sujeito a ao de foras dissipativas, desta forma aproveitado os
tpicos abordados para que se promova a interpretao dos parmetros que surgem
na equao de Debye descrita no Captulo 3. Com o objetivo de ilustrar a aplicabili-

43
dade das ideias associadas as oscilaes harmnicas foradas na descrio de sistemas
mais complexos, so apresentados os aspectos gerais do modelo (MAKOSZ; URBANOWICZ, 2002), onde assumido justamente uma descrio baseada na dinmica
de um oscilador harmnico amortecido para o comportamento da polarizao orientacional de algumas substncias que apresentam propriedades dieltricas (DOFF et
al., 2011).

4.2

O OSCILADOR AMORTECIDO E FORADO REVISITADO

notada a importncia e o interesse de fenmenos oscilatrios em se tratando de sistemas fsicos envolvendo foras harmnicas. Como nestes sistemas fsicos
h dissipao de energia, a equao responsvel pela dinmica do movimento ser a
de um oscilador harmnico amortecido sujeito a uma fora externa dependente do
tempo denotada por

F (t),

dada por:

x + x + 02 x =
onde pode ser identicado que
de oscilao do sistema,
oscilador e

b
,
m0

02 =

F (t)
m0

(4.1)

c
, sendo
m0

a constante elstica da mola,

0
m0

a frequncia natural
a massa acoplada ao

o coeciente de amortecimento. A soluo geral desta equao pode

ser escrita com uma combinao linear formada pela soluo homognea
tida assumindo
externa

F (t)

F (t) = 0

e pela soluo particular

x(t)p .

como sendo harmnica, ou seja, supondo

xh (t),

ob-

Se considerada a fora

F (t) = Fo cos(t),

pode-se

obter uma forma para a soluo particular considerando o mtodo empregado por
(FEYNMAN; SANDS, 2008), substituindo na ltima expresso,
lente complexo

z(t),

xp (t) = Re[z(t)].

x(t)

pelo equiva-

sendo ento a soluo da equao particular identicada como

Neste caso, tem-se

F (t) = Fo exp (it)

e a equao (4.1) pode ser

reescrita na seguinte forma

z + z + 02 z =

F0 it
e .
m0

(4.2)

z(t) = z0 eit substituindo na equao (4.2) obtido

 
1
F0
z0 =
(4.3)
2
0
m (0 2 + i)

Propondo uma soluo da forma

44
Portanto, a soluo para a equao (4.2) pode ser escrita na forma


z(t) =

F0
m0

eit
.
(02 2 + i)

A introduo da fora harmnica externa

(4.4)

F (t) dever compensar a dissipao devido

a atuao da fora de atrito e o sistema dever oscilar harmonicamente, todavia,

esperasse que o movimento resultante esteja defasado em relao a fora harmnica
aplicada ao oscilador, uma vez que os efeitos devido a dissipao resultaro em um
atraso do movimento frente a fora aplicada.

A constante de fase

ser incorporada a soluo descrita na equao (4.4). Como a constante

escrita em termos de uma nova constante, denida segundo

z0 = Ae

pode ento

z0

pode ser

, da equao

(4.3) tem-se

(02 2 )
= A(cos() + i sin()) =
(( 2 2 )2 + ()2 )
  0

F0
i
.
2
2
2
2
((0 ) + () )
m0

Ae

(4.5)

Desta ltima equao identicado que

tan() =

(02

.
2)

(4.6)

A partir da equao (4.5) possvel determinar

amplitude

A2

|z0 |2 = A2

e o quadrado da

assume a forma

A =

F0
m0

e nalmente, a soluo particular

2

1
((02

2 )2

+ ()2 )

xp (t) = Re[z(t)]

(4.7)

pode ser escrita como

xp (t) = A() cos(t + ()).

(4.8)

Na Figura 4.1, no quadro superior direita identicado o grco da componente real de

z0 , Re[z0 ] = A cos() em funo da frequncia , no quadro principal

descrito o comportamento da componente imaginria

Im[z0 ] = A sin() em termos

da frequncia. Para obteno destes grcos foi considerada a seguinte troca de varivel

x = ln(), de modo a ser obtida uma melhor visualizao e os valores a seguir

foram os atribudos nos parmetros que surgem nestas expresses:

0 = 2[rad.s1 ]

= 2[s1 ].

F0
m0

= 1[m.s2 ],

45

Figura 4.1: Grco da componente real e imaginria de

frequncia da fora harmnica aplicada.

z0

em funo da

De modo a interpretar os grcos obtidos, ser efetuado primeiramente o

clculo da potncia mdia fornecida pela fora

F (t),

que dissipada no meio onde

o oscilador est imerso devido a presena das foras de atrito, ou seja

Z 2/

x p (t)F (t)dt
P (t) = hx p (t)F (t)i =
2 0

= A()F0 sin(),
2
como

Im[z0 ] = A() sin(),

(4.9)

a equao descrita pode ser rescrita na forma

P (t) = F0 Im[z0 ]
2

(4.10)

a qual leva a

P (t) =

2 F02
.
2m0 ((02 2 )2 + ()2 )

(4.11)

O grco descrito na Figura 4.1 do painel central representa uma gura

tpica de ressonncia, se considerada a equao (4.10) possvel vericar que a componente imaginria de

z0 , A() sin()

condio de ressonncia (

= 0 )

est associada a dissipao, uma vez que na

se tem a taxa mxima de energia sendo transfe-

rida para o oscilador e consequentemente dissipada no meio onde o oscilador est

imerso.

Em contraste, o quadro exibido no canto superior direito da Figura 4.1,

mostra como se d a defasagem do movimento em relao a fora aplicada, como

possvel vericar, a partir desta gura para frequncias maiores que a frequncia de
ressonncia,

> 0 ,

h uma inverso na fase do movimento.

46
4.3

OSCILAES AMORTECIDAS E FORADAS DA AGULHA DE UMA BSSOLA

Antes de ser apresentada uma discusso a respeito de algumas ideias associadas a dinmica do processo de relaxao em meios dieltricos, nesta seo ser
considerado o comportamento da agulha de uma bssola na presena de um campo
magntico harmnico como anlogo ao comportamento de um dipolo a aplicao de
um campo eltrico.
Na Figura 4.2, apresentada uma foto do dispositivo utilizado para aquisio do dados, consistindo de uma bssola convencional disposta em um solenoide.
A agulha da bssola se orienta inicialmente de acordo com o campo magntico da
terra, designado

B0 .

Figura 4.2: Fotograa do dispositivo composto por uma bssola e um solenoide,

utilizado para a aquisio dos dados.
No procedimento experimental descrito por (DOFF et al., 2011), o solenoide orientado perpendicularmente ao campo da terra conectado a um gerador de frequncias
produzindo um campo harmnico do tipo

B(t) = Bs cos(t), fazendo com que a agu-

lha de bssola passasse a oscilar harmonicamente em funo deste campo

B(t).

Aps

desligado o gerador, a agulha da bssola passou ento a diminuir a sua amplitude de

oscilao retornando a posio de equilbrio, caracterizada por sua orientao com
os polos magnticos da terra na ausncia de algum outro campo externo.
Com base na gravao do experimento e por meio do programa

Tracker

(BROWN, 2011) foi possvel gerar a Figura 4.3, a qual descreve o tempo de relaxao
associado a bssola 1. Na Figura 4.4, so apresentados os resultados obtidos para
quatro bssolas similares, de mesmas propores e visualmente idnticas, porm,

47
como possvel notar o tempo de relaxao obtido para as quatro bssolas no
o mesmo, uma vez que provavelmente o atrito associado ao movimento oscilatrio
de cada uma sobre seu eixo de rotao no o mesmo, tal fato ser discutido
posteriormente.

Figura 4.3: Grco do tempo de relaxao associado a bssola 1.

Figura 4.4: Grcos dos tempos de relaxao associado ao conjunto de quatro

bssolas.

48
4.4

A INTERPRETAO FSICA DOS PARMETROS DA EQUAO DE

DEBYE

Na seo 3.2, a equao (3.1) de primeira ordem, enquanto que a equao

(4.1) uma equao de segunda ordem, que como visto, rege o comportamento
de uma agulha de bssola sob a ao de um campo magntico harmnico.

Este

movimento pode ainda ser entendido como o de um dipolo magntico sujeito a

ao das mesmas foras atuantes em um oscilador harmnico amortecido e forado,
se observada a similaridade existente entre os grcos exibidos nas Figuras 3.1 e
4.1, surge o questionamento se no seria possvel descrever a polarizao de um
determinado dieltrico assumindo uma equao na forma da equao (4.1).
No tratamento clssico da interao da radiao com a matria, uma boa
discusso apresentada por REZENDE (2004), o qual assume uma interao do tipo
oscilador harmnico amortecido para a descrio da polarizao atmica induzida
frente a aplicao de um campo eltrico harmnico, de forma que ento possvel
determinar neste caso a dependncia com a frequncia para a constante dieltrica
do material

().

Com base na discusso apresentada nos dois ltimos pargrafos e

aproveitando os resultados descritos na seo 4.2, pode se fazer uma interpretao do

signicado fsico das componentes

00

da permissividade eltrica

apresentadas

na Figura 3.1.
A componente complexa

00

como j discutido anteriormente ir descrever

a absoro de energia do campo pelo dieltrico, isso pode ser facilmente percebido
comparando o pico descrito na Figura 4.1, que como visto na seo 4.2 corresponde
a situao onde se tem a mxima potncia sendo transferida pela fora externa ao
oscilador, com o pico descrito na Figura 3.1 chamado aqui de pico de absoro.
No caso da componente real

conforme j comentado no Captulo 2, poder ser

usada para a caracterizao das propriedades ticas do material, o ndice de refrao

nr ,

uma vez que

nr 2 = 21 (0 +

0 + 00 ),

comportamentos distintos para

< 0

e notadamente a componente

> 0

apresenta

Por m, deve-se notar que o equivalente da equao (4.6), obtida para a
descrio da polarizao de um meio

tan() =

00
0

(4.12)

49
pode ento ser utilizado para a caracterizao das propriedades dieltricas de um
dado material, conforme comentado no Captulo 2, uma vez que, como no caso do
oscilador a fase

ir depender das interaes dos dipolos com o meio.

O modelo de Debye fornece uma descrio adequada para o comportamento

da polarizao orientacional de muitas substncias, porm, h o conhecimento da
existncia de uma gama de materiais dieltricos que no so caracterizados apenas
por um nico tempo de relaxao como proposto por Debye. Desta forma, na seo
seguinte ser ilustrada a situao considerando um modelo para a polarizao de
certas substncias que ento baseado em uma equao do tipo oscilador harmnico
amortecido forado.

4.5

A DINMICA DE RELAXAO EM MEIOS DIELTRICOS: UM EXEMPLO ENVOLVENDO OSCILADORES HARMNICOS

No Captulo 2 foi mostrado ser possvel de descrever a polarizao de

um material dieltrico em termos de uma funo

r , denominada de funo resposta

dieltrica, que refere-se a resposta do meio frente a aplicao de um campo externo

E(t)

segundo

P (t) =

r (t t0 )E(t0 )dt0 .

(4.13)

A m de caracterizar as propriedades dieltricas de muitas substncias, vrias funes resposta foram propostas empiricamente no decorrer dos anos, tais quais
as descritas no Captulo 3. O comportamento orientacional da polarizao de muitos dieltricos na fase condensada so bem descrito por distribuies de tempos de
relaxao e muitos dos resultados obtidos com o uso de funes resposta empricas hoje so compreendidos neste contexto (BTTECHER; BORDEWIJK, 1987;
RAJU, 2003). Para ilustrar este fato, por convenincia ser assumida a descrio da
polarizao orientacional apresentada em (MAKOSZ; URBANOWICZ, 2002).
No modelo proposto por MAKOSZ; URBANOWICZ (2002), os autores assumem uma equao do tipo oscilador harmnico amortecido forado para a descrio da polarizao orientacional associada a algumas substncias, dada por:

P + P + 02 P = 0 02 E(t).

(4.14)

Esta equao pode ser resolvida empregando o mtodo apresentado na seo 4.2, de

50
forma que usando novamente a identicao

P (t) = E(t),

E(t) = E0 eit ,

0 02 (02 2 )
((02 2 )2 + ()2 )
0 02
00 =
.
((02 2 )2 + ()2 )
0 =

tem-se

(4.15)

(4.16)

Porm, ao invs de considerar uma nica constante de amortecimento para todas as

molculas os autores supem uma distribuio de constantes de amortecimento, que
resultam nas seguintes expresses para

0 =

00 =

00

bi 0 02 (02 2 )
((02 2 )2 + (i )2 )

(4.17)

bi i 0 02
((02 2 )2 + (i )2 )

(4.18)

onde bi uma constante de normalizao. Do exemplo envolvendo o oscilador harmnico foi visto que

dene o tempo de relaxao para um dado oscilador, de forma

que a distribuio

ir estar associada a uma distribuio de tempos caractersticos

de relaxao. Neste trabalho so assumidas funes de distribuio Gaussianas para

as constantes de amortecimento

i ,

com base nesta descrio os autores conseguem

ajustar o comportamento de substncias que exibem dois mximos de absoro em

00 ,

tais como o Fluorometano e o Clorometano (MAKOSZ; URBANOWICZ, 2002).

Como visto, o movimento da agulha de bssola descrita na seo 4.3 pode

ser vista como o movimento de um dipolo magntico sujeito a ao das mesmas

foras atuantes em um oscilador harmnico amortecido e forado. Devido a analogia
que pode ser feita entre os dipolos eltrico

magntico, pode-se aproveitar os

resultados descritos na seo 4.3 para ilustrar a hiptese aventada por (MAKOSZ;
URBANOWICZ, 2002).

Obviamente neste caso no poder ser considerada uma

distribuio de tempos de relaxao associada as constantes de amortecimento, visto

o pequeno nmero de medidas dispostas para as relaxaes das bssolas utilizadas.
Entretanto, pode ser ilustrado o efeito de como a suposio de uma distribuio
de tempos de relaxao modica o comportamento da funo resposta dieltrica
esperado para a polarizao de um material que descrito por este tipo de modelo,
assumindo uma mdia

h i

dos valores obtidos para os tempos de relaxao.

Na Tabela 4.1, esto apresentados os dados obtidos para as quatro bssolas

utilizadas, com base nos mesmos foi efetuado o grco da componente complexa da

51
Tabela 4.1: Resultados das medidas para de cada bssola obtidas a partir da
Figura 4.4.

bssola

ti (s)

tf (s)

(s)

7,5

30,1

22,6

6,6

34,8

28,2

5,7

37,5

31,8

5,8

27

21,2

susceptibilidade por meio da equao (4.18). Para gerar as curvas de

00

descritas

na Figura 4.5 foram considerados o tempo de relaxao de cada uma das agulhas
de bssola, o tempo de relaxao mdio e assumidas as normalizaes

a
, escolhendo o parmetro

a = 45, 2

de forma a obter

=2

0 02 = 1

para a bssola 1 .

Figura 4.5: Grco do comportamento da componente 00 , descrita na equao

(4.18), para o conjunto de dados exibido na Tabela 4.1.
O traado contnuo em vermelho exibido na Figura 4.5 corresponde a situao onde

descrito em termos do valor mdio

h i

obtido para os tempos de

relaxao, como possvel notar abaixo desta linha h dois picos de absoro que
esto ligeiramente deslocadas em relao aos dois picos de maior amplitude. A partir
deste exemplo simples possvel ento qualitativamente compreender como a suposio de uma distribuio de tempos de relaxao ento capaz de produzir mais
de um mximo de absoro para a componente

00

da susceptibilidade.

Como mostrado nesta seo possvel compreender os principais aspec-

1 Normalizao

escolhida com a nalidade da bssola 1 reproduzir as condies do oscilador

descrito na seo 4.2.

52
tos associados a modelos fenomenolgicos como o proposto por MAKOSZ; URBANOWICZ (2002) assumindo apenas alguns conhecimentos elementares. Como visto,
o movimento de relaxao da agulha de uma bssola submetida a um campo magntico harmnico

B(t)

pode ser utilizado para exemplicar o movimento orientacional

de um dipolo eltrico na presena de um campo eltrico harmnico

E(t).

Se for ima-

ginado que em uma dada substncia polar os dipolos moleculares so distribudos

em domnios, conforme a proposta apresentada por DISSADO; HILL (1984), podem
ser associadas interaes distintas entre os dipolos pertencentes a cada domnio, de
forma que se ter ento um cenrio caracterizado por uma distribuio de tempos
de relaxao. Foi ilustrado tal efeito considerando um conjunto de quatro bssolas,
as quais apresentam tempos distintos de relaxao, uma vez que cada uma naturalmente deve estar submetida a diferentes condies de interaes. Finalmente, na
situao hipottica de uma disposio de um conjunto de

n bssolas similares que-

las utilizadas para gerar a Tabela 4.1, pode-se enm vislumbrar o cenrio descrito
por MAKOSZ; URBANOWICZ (2002), onde de fato o que se tem uma distribuio
de tempos de relaxao e as componentes

00

podem ento ser descritas pelas

equaes (4.17) e (4.18).

Uma descrio mais consistente dos mecanismos de polarizao e relaxao de meios dieltricos em linhas gerais requer hipteses e teorias que evidenciem
os vrios processos e fenmenos que envolvem a polarizao e relaxao dieltrica.
O progresso mais recente no sentido de um melhor entendimento da descrio do
comportamento dieltrico destes materiais foi feito por meio do modelo de disperso
dieltrica da fase slida proposto por DISSADO; HILL (1984). No modelo proposto,
os autores assumem que o slido formado por aglomerados denominados

clusters,

que so regies espacialmente limitadas, com uma certa ordem estrutural e regularidade parcial. Partindo de uma abordagem mais crtica dos mesmos pressupostos que
Debye, os autores incluem no modelo os fenmenos envolvendo os dipolos fazendo
uso da fsica quntica e da teoria da segunda quantizao. Identicando uma funo
resposta dieltrica relacionada diretamente com a realidade fsica do material e das
interaes existentes, proporcionando uma boa caracterizao do comportamento
dieltrico observado.
Neste captulo o objetivo central do estudo do modelo proposto por MAKOSZ; URBANOWICZ (2002) foi identicar que uma distribuio de tempos de

53
relaxao esta relacionada com as vrias interaes dos dipolos com o meio material
no qual esta imerso. Como enfatizado ao longo do trabalho, a resposta dieltrica
tambm uma consequncia direta das interaes dos dipolos com o meio, de forma
que caractersticas inerentes ao meio como a sua congurao morfolgica ou estrutura da rede e a densidade so fatores essenciais e que devem ser levados em conta
na elaborao de uma descrio realstica da resposta dieltrica. Este justamente
o ponto de partida do modelo proposto por Leonard Dissado e Robert Hill, o qual
apresentado no captulo seguinte.

54

5 O MODELO DE DISSADO E HILL

5.1

INTRODUO

Desde a teoria proposta por Debye para caracterizar a polarizao e

a relaxao dieltrica de um material dieltrico sob ao de um campo eltrico,
muitos modelos surgiram com o objetivo de descrever o comportamento de tais
fenmenos.

Na grande maioria, estes modelos consistiam de correes ao modelo

proposto por Debye por meio da incluso de parmetros, de modo a proporcionar

um melhor ajuste aos dados experimentais disponveis. Entretanto, os parmetros
introduzidos nas funes respostas destes modelos no indicavam nenhuma conexo
entre o fenmeno fsico observado de (polarizao ou relaxao) com as propriedades
intrnsecas ou morfolgicas dos materiais considerados.
Em meados dos anos 80, Leonard Dissado e Robert Hill propuseram um
modelo, assumindo como premissa bsica a suposio de que materiais so formados
por regies espacialmente limitadas, denominadas

Clusters

que consistem de pe-

quenas regies limitadas associadas a uma certa ordem estrutural. Neste contexto o
modelo proposto por Dissado e Hill incorpora caractersticas morfolgicas associadas
aos materiais de interesse. Na seo introdutria foram citados diversos materiais
de interesse para a Engenharia Eltrica, em particular os materiais polimricos e cermicos, em escala macroscpica um dieltrico formado por um material polimrico
ou cermico contm um grande nmero de clusters formando uma rede cristalina
tridimensional.
No modelo proposto, Dissado e Hill assumem que a rede cristalina modelada por um arranjo tridimensional de osciladores harmnicos, de forma que neste
contexto os dipolos pertencentes a um dado cluster esto sujeitos a um potencial
de interao do tipo oscilador harmnico.

Do ponto de vista microscpico, a in-

terao da rede com os dipolos constituintes descrita pelas regras da Mecnica

55
Quntica, assumindo tal prescrio Dissado e Hill desenvolveram uma funo resposta dieltrica adequada a grande parte dos materiais dieltricos. Da mesma forma,
das suposies feitas, a partir dos parmetros da funo resposta obtida possvel
estabelecer uma relao direta com as caractersticas morfolgicas dos materiais
considerados, proporcionando uma descrio qualitativa das caractersticas fsicas
do material a partir da resposta, conforme proposto por (DISSADO; HILL, 1984).
Para esta descrio qualitativa so considerados dois limites extremos de materiais
dieltricos idealizados, o de um lquido ideal e de um cristal perfeito.

5.2

OS PRINCIPAIS ASPECTOS DO MODELO DE DISSADO E HILL

Como salientado na seo introdutria, no modelo de Dissado e Hill a principal suposio feita de que a matria formada por pequenos grupos denominados
clusters que consistem de regies espacialmente limitadas sobre a qual uma ordem
parcialmente regular se estende e onde a regularidade estrutural dos nveis de organizao morfolgicos de cada material interpretado em termos de dois extremos, o
de um lquido ideal, onde as interaes de curto alcance so fracamente acopladas e a
liberdade no movimento de transporte de dipolos no meio mximo e de um cristal
prefeito, cujas interaes de curto alcance so fortemente acopladas ao contrrio da
liberdade no movimento de transporte de dipolos que mnima, visto a estrutura
cristalina ser perfeitamente regular.
Conforme discutido nos captulos iniciais, a teoria proposta por Debye para
a descrio do comportamento dieltrico, ao contrrio da proposta por Dissado e
Hill, assumia que as unidades dipolares pertencentes ao meio dieltrico respondiam
independentemente umas das outras e de igual forma, com um mesmo tempo de
relaxao

, implicando que a relaxao dieltrica do meio era da forma et/ .

Neste

contexto, a resposta dieltrica do material a aplicao de um campo eltrico dependia

apenas das interaes entre o campo e os dipolos. Na Figura 5.1 exemplicado por
meio de bssolas uma hipottica disposio dipolar unidimensional de um material
dieltrico quando na ausncia de um campo aplicado segundo o modelo de Debye.
Na Figura 5.1, por meio de uma disposio aleatria das agulhas de bssola
indicando os dipolos do meio, pode ser ilustrada a proposta de Debye, tendo em
mente que as agulhas de bssola exibidas na Figura 5.1 representam os dipolos, que
por estarem afastados indicam interaes fracas entre si, sendo assim desprezadas e

56

Figura 5.1: Disposio dos dipolos na ausncia de um campo aplicado segundo

a teoria de Debye.
que quando da aplicao de um campo magntico

B(t)

a resposta observada inte-

rao com o campo magntico seria a mesma em cada dipolo, conforme representado
na Figura 5.2.

Figura 5.2: Comportamento dos dipolos frente a aplicao de um campo magntico B(t).
Como discutido na reviso bibliogrca e no Captulo 4, muitos autores
sugeriram que a interpretao do fenmeno de relaxao poderia ser baseada na
suposio da existncia de diferentes tempos de relaxao associado aos dipolos, para
isto, em alguns casos, uma distribuio de tempos de relaxao era considerada. A
justicativa para esta distribuio era de que cada dipolo est sujeito a diferentes
interaes, as quais tambm determinam sua dinmica de relaxao.

No entanto

as justicativas para os parmetros associados as funes resposta devido estas

distribuies no comportavam uma interpretao fsica e estrutural relacionada ao
material observado.
Ao admitir a matria condensada sendo formada por clusters, cuja disposio entendida como de uma rede tridimensional de osciladores harmnicos, Dissado
e Hill assumem que no processo de relaxao pode ser impossvel um dipolo relaxar
sem que afete o movimento dos demais dipolos em sua vizinhana. Assim, observam
que o comportamento ser de carcter intermedirio, entre de uma relaxao local e
a resposta efetiva do todo, considerando interaes que no eram levadas em conta
no modelo proposto por Debye.
Tais interaes so devido ao fato que a relaxao, denida como a reorganizao das molculas, tomos ou ons a suas orientaes ou posies relativas, so
determinadas pelo potencial local e pelas modicaes das velocidades vibracionais e
translacionais da rede, caractersticas estas determinadas pela estrutura da matria

57
atravs dos nveis de organizao de curto e longo alcance, ou seja, das interaes
intra-cluster e inter-cluster.
Na Figura 5.3 apresentado um modelo unidimensional hipottico da estrutura de um cluster segundo a teoria proposta por Dissado e Hill. Nesta gura
as bssolas e osciladores descrevem as mltiplas interaes as quais os dipolos pertencentes a um mesmo cluster esto sujeitos. Na ilustrao as agulhas de bssola
indicam os dipolos, que na ausncia de um campo aplicado tem suas posies relativas determinadas pelos movimentos dos osciladores indicados pelas molas acopladas,
que no caso representam os movimentos inerentes da rede na qual os dipolos esto
imersos.

Figura 5.3: Disposio unidimensional dos dipolos na ausncia de um campo

aplicado segundo a teoria de Dissado e Hill.
Tratando-se de um material dieltrico a sua organizao dipolar pode ser
entendida como uma disposio tridimensional semelhante quela apresentada na
Figura 5.3. Das consideraes anteriores, os autores assumem que no processo de
polarizao e relaxao os movimentos podem ser de orientao dipolar quando
ocorridos num mesmo cluster ou de transporte de cargas quando houver a interao
entre clusters vizinhos, por isso a distino entre as interaes intra-cluster e intercluster.

Desse modo, quando da aplicao de um campo eltrico, a resposta no

ser unicamente determinada pela resposta dos dipolos ao campo, como proposto
por Debye, mas tambm pelas interaes entre os dipolos e os modos de oscilao
da rede, ambas ainda sujeitas a ao da temperatura.
A partir dos limites de um lquido ideal e de um cristal perfeito onde a
resposta, a estrutura e as interaes so conhecidas, que o modelo de Dissado e
Hill entendido como de carcter morfolgico.

De acordo com a resposta diel-

trica observada, uma classicao quanto aos nveis de organizao e regularidade

da estrutura morfolgica do material podem ser feitas, consequentemente um melhor entendimento a respeito da estrutura do dieltrico em termos de sua resposta

58
dieltrica observada pode ser obtido.

5.3

A FUNO RESPOSTA DE DISSADO E HILL

No modelo proposto por Dissado e Hill, assumido a interao entre os

dipolos e os modos de oscilao da rede, que formada por um grande nmero
de clusters. Devido a considerao de mltiplas interaes, a resposta entendida
como de carcter intermedirio, no sentido que o processo de relaxao associado a
um grupo de dipolos localizados numa certa posio depende do processo de relaxao local e da resposta coletiva, necessitando assim de uma mistura completa de
deslocamentos(utuaes) com os diferentes vetores de onda

q.

Este efeito incorporado ao modelo proposto, assumindo que esta superposio denida via

aq =

eiq.l al

(5.1)

l
onde o parmetro

diz respeito ao tipo de utuao, como por exemplo relaxao

ou transporte devido a difuso trmica, que poder produzir o deslocamento de

dipolos moleculares entre clusters prximos. Desta forma, no modelo proposto por
Dissado e Hill, existem basicamente dois tipos de processo, o processo intra-cluster,
que envolve a relaxao local de dipolos devido a interao com os modos da rede, e
tambm o processo inter-cluster, que envolve o transporte de dipolos entre clusters
prximos, modicando a dinmica de relaxao dos dipolos pertencentes aos clusters
vizinhos.

De posse destas consideraes DISSADO; HILL (1984) propuseram a

seguinte equao para a evoluo dinmica de

aq (t),

XX
d[aq (t)]
= (iq q )aq (t)
VKq a0 K (t)aq (t) + q (t).
dt
0
K

(5.2)

onde o primeiro termo da direita devido a resposta dipolar, e no limite em que

interaes com a rede so suprimidas, este termo leva a resposta dieltrica prevista
pelo modelo de Debye, o segundo se deve ao potencial de interao entre os dipolos
e os modos de vibrao da rede e o ltimo termo relativo ao banho trmico.

59
Fazendo o uso da Mecnica Quntica, as interaes envolvendo os modos
de oscilao do cluster com os dipolos constituintes podem ser descritas por meio
dos operadores de criao e aniquilao, os quais tem a forma descrita abaixo para
o caso de um oscilador harmnico


 m  12 
lp
a
=
x +
2~
m

 m  12 
lp

x
al =
2~
m

(5.3)

(5.4)

a evoluo no tempo destes operadores pode ser obtida a partir da representao

de Heisenberg. Por conseguinte a equao (5.2) se torna uma equao operatorial e
pode ser escrita por meio destes operadores como

a l = (iE l )al

ll0 al0 i

l0

O operador de criao

(5.5)

l0

a l

descrito na equao acima ir atuar sobre um

estado inicialmente preparado, denotado por

0.

(Vl0 l al0 al + Vll0 al0 al )al + l0

|0i,

que representa o sistema em

t=

A evoluo do sistema com o tempo obtida atravs do clculo da funo de

correlao

C(t)

que denida segundo (DISSADO; HILL, 1984)

o
1n
ha0 (t)a0 (0)i + ha0 (t)a0 (0)i ,
2
(5.5) e (5.6), para t >> 1, possvel

C(t) =
assumindo as equaes

(5.6)
para um processo

intra-cluster escrever

C(t) = c1 ec t (t)n
sendo c1 uma constante e onde o fator

(5.7)

surge no clculo da energia E ~ necessria

para a formao de algum cluster, os clculos intermedirios esto sendo omitidos

uma vez que sairiam do escopo deste trabalho. Como comentado, o ndice

est

associado a ordem estrutural do cluster para os processos intra-cluster, isto pode

ser vericado notando que

n = E/ ,

consequentemente para meios como um lquido

ideal que tem baixa ordem estrutural, no se tem energia associada a formao de
um cluster resultando em

n = 0.

Por outro lado, para um cristal perfeito, onde

60
tem-se uma alta ordem estrutural,

n = 1.

Para processos inter-cluster o clculo da funo de correlao

P (t) anlogo,

e neste caso o resultado

P (t) = c2 (t)m

(5.8)

conforme o comentrio feito na seo anterior, o processo inter-cluster envolve o

transporte dipolar entre clusters prximos, tal processo afetado pela ordem estrutural do cluster e neste caso, tal fato levado em conta pelo fator

m.

O transporte

inter-cluster mximo para o limite em que temos um lquido ideal, j que neste
caso os dipolos esto livres para transitar de um ponto a outro, levando a

m = 1.

O outro extremo consiste da situao em que o meio corresponde a um cristal ideal,

neste caso

m = 0.

A funo resposta dieltrica no contexto do modelo proposto por Dissado e

Hill ento obtida como um valor mdio

hc (t)i atribudo a probabilidade que estes

processos ocorram no tempo, ou seja

Rt
hc (t)i = R0t
0

C(t t0 )P (t0 )dt0

P (t t0 )P (t0 )dt0

(5.9)

Aps a integrao da equao acima, a funo resposta dieltrica para o modelo de

(DISSADO; HILL, 1984) obtida no domnio do tempo

hc (t)i = k
sendo

(1 + m n) t
e (c t)n 1 F1 (1 m; 2 n; c t),
(2 n)(1 + m)

(5.10)

uma constante e 1 F1 (a; b; x) uma funo hipergeomtrica conuente, onde

so constantes,

uma funo varivel e

transformada de Fourier na funo resposta

a funo Gama. Aplicando a

hc (t)i pode-se escrever que no domnio

da frequncia, a funo que descreve a susceptibilidade eltrica dada por

() = kF (/c )

(5.11)

onde

F (/c ) =

(1 + m n)
[1 + i(/c )]n1 2 F1 (1 n, 1 m; 2 n; [1 + i(/c )]1 ),
(2 n)(m)
(5.12)

61
na qual 2 F1 (a, b; c; x) uma funo hipergeomtrica Gaussiana, na expresso descrita, os efeitos da temperatura no so consideradas diretamente na funo, porm
veremos ao longo do trabalho a dependncia dos parmetros
peratura.

m, n

com a tem-

Esta ltima expresso na equao (5.12) a funo resposta dieltrica

proposta por Dissado e Hill. Muitas aplicaes desta funo para a descrio da resposta de um meio dieltrico tem apresentado melhores ajustes aos dados experimentais, do que quando utilizadas as funes propostas por outros autores (DISSADO;
HILL, 1984).
O diferencial do modelo proposto por Dissado e Hill reside no fato que os
parmetros da funo resposta, os quais so ento associados a variaes na forma
da susceptibilidade eltrica, so parmetros que incorporam funo resposta os
efeitos das interaes intra e inter-cluster, proporcionando consequentemente uma
interpretao quanto as caractersticas fsicas e morfolgicas do material.
Conforme a discusso apresentada, verica-se que para um lquido ideal

n=0

m=1

e neste limite o modelo de Debye recuperado, uma vez que no

h interao entre os dipolos e meio material, ou seja, os modos de oscilao da

rede onde esto imersos, como no h formao de clusters devido a liberdade de
movimento e a grande distncia molecular, o transporte de dipolos ocorre de forma
ideal.

Para o caso limite de um cristal ideal, tem-se

n = 1

m = 0,

os dipolos

esto fortemente acoplados entre si e aos modos de oscilao da rede onde esto
imersos, consequentemente devido a este forte acoplamento no h transporte de
dipolos para clusters vizinhos e intuitivamente o material pode ser entendido como
sendo formado por um nico cluster.
Dadas as condies limites descritas acima, pode-se observar que os parmetros

n e m, esto diretamente associados as interaes intra-cluster e inter-cluster

respectivamente.

Consequentemente, quando

n 0

indica que os dipolos esto

fracamente acoplados aos modos de vibrao da rede, quando

n1

sugere-se um

forte acoplamento entre os dipolos e o cluster. Para o caso do parmetro

m, quando

m 1 o transporte de dipolos ocorre de forma ideal, caracterizando uma forte interao inter-clusters, no entanto quando

m0

esta interao fraca, no havendo

transporte de dipolos entre clusters vizinhos.

Para o caso de materiais reais, os parmetros
no intervalo

[0, 1],

cam compreendidos

entre os valores dos limites denidos. Os autores descrevem que

62
de forma geral lquidos e solues apresentam
plsticos, ceras e lquidos viscosos observa-se

n0

n'

1
e
2

m 1.

m'

Para udos como

1
. No caso de materiais
2

apresentando impurezas topolgicas, bem como materiais imperfeitamente cristalizados, vidros e sistemas polimricos amorfos tem-se

n1

m 0.

No captulo

seguinte, fazendo uso dos dados experimentais das componentes real e imaginria da
permissividade eltrica de alguns materiais e com base nas discusses aqui propostas,
o modelo proposto por Dissado e Hill ser utilizado em conjunto com os parmetros

de modo a descrever de forma adequada a resposta dieltrica observada para

estes materiais.

63

6 ALGUNS RESULTADOS DO MODELO DE DISSADO E HILL

6.1

INTRODUO

Ao longo deste trabalho, surgiram algumas discusses e alguns modelos

foram apresentados. De todas as discusses e modelos apresentados, o modelo proposto por Dissado e Hill mostrou-se o mais adequado para a descrio do comportamento dieltrico relacionando as peculiaridades de cada material.
Conforme discutido nas sees anteriores, a resposta dieltrica proposta por
Dissado e Hill difere das demais, no sentido que, alm de apresentar uma melhor
concordncia com os dados experimentais, os parmetros acoplados a funo resposta, responsveis pela forma da susceptibilidade, apresentam relao direta com
as caractersticas do material observado, fornecendo informaes quanto aos nveis
de organizao morfolgica do dieltrico considerado. Dos dados experimentais de
alguns materiais dieltricos a serem apresentados, das formas previstas pelo modelo
para o comportamento dieltrico destes materiais e das discusso precedentes, podem
ser relacionados e identicados alguns fatores determinantes na resposta dieltrica
observada.

6.2

OS PARMETROS DO MODELO E A DESCRIO DA RESPOSTA DIELTRICA

No trabalho publicado por (HILL, 1981), muitos materiais dieltricos de

interesse em diversas reas foram mapeados no contexto do modelo e tiveram seus
parmetros

identicados e tabelados. Neste artigo o autor analisa os dados

experimentais de uma centena de materiais e suas respectivas propriedades dieltricas. A m de identicar os parmetros

associados a cada material tabelado,

o autor primeiramente assumiu as expanses em torno de

>> 1

<< 1

na

64
equao (5.11) levando as seguintes expresses

00

() k


00

() k

m

(1n)

,
>> 1.
c

<< 1
c

(6.1)

(6.2)

Portanto, considerando os dados experimentais disponveis para um dado material

dieltrico na regio de altas frequncias,

>> c ,

e em baixas frequncias

as equaes (6.1) e (6.2) permitem a identicao dos parmetros

<< c ,

m e n da equao

(5.12). Na tabela A.2 apresentado para alguns materiais os valores dos parmetros

extrados da tabela descrita no Anexo A2, e que sero empregados neste

captulo.

Tabela 6.1: Valores dos parmetros

teriais segundo (HILL, 1981).
Material

Poliacrilato de Metila
Polipropileno
Cloroacetato de Polivinila
Estearato de butila
Estearato de butila
Triciclo-hexil carbinol
Brometo n-docosil
M.B.B.A.
Pentaclorotolueno
BaTi7MgO16
H2 O

0,74
0,37
0,60
0,56
1,0
1,0
0,47
0,85
0,87
0,68
0,78

da equao (5.12) para alguns ma-

Comentrios Referncia

0,75
0,76
0,57
0,23 p < 109Hz
0,67 p > 109Hz
0,26 < 106Hz;
T< 108K
0,37
0,27
0,36
0,45
0,24 181K

(FERRY J. D. WILLIAMS;
FITZGERALD, 1955)
(WORK R. N. MCCAMMON;
SABA, 1964)
(MEAD; FUOSS, 1941)
(DRYDEN, 1957)
(DRYDEN, 1957)
(MEAKINS, 1956)
(DRYDEN; DASGUPTA, 1955)
(AGARWAL V. K. ARORA;
MANSINGH, 1977)
(TURNEY, 1953)
(DRYDEN; WADSLEY, 1958)
(GOUGH; DAVIDSON, 1970)

Neste contexto, fazendo uso dos dados experimentais da permissividade eltrica do

P entaclorotolueno, C7 H3 Cl5

pode ser vericada a viabilidade do modelo

e a consistncia dos parmetros propostos na tabela A.2. Para esta anlise foram
utilizados os dados experimentais descritos por (TURNEY, 1953), onde o comportamento da permissividade eltrica do material foi aferida s temperaturas de

293, 15K

333, 15K

na faixa de frequncia de

50Hz

107 Hz.

246, 65K,

Na funo resposta

65
empregada para a comparao com os dados experimentais foi assumido os valores
de

m = 0, 87 e n = 0, 36 segundo A.2.

Na Figura 6.1 so apresentadas as componen-

P entaclorotolueno

tes real e imaginria do

estas componentes, neste caso

e os ajustes previstos pelo modelo para

= 2, 7.
T=246.65 K

T=246.65 K

Figura 6.1: Grcos do comportamento da componente real e imaginria da

permissividade eltrica do P entaclorotolueno temperatura de 246, 65K e os
ajustes proporcionados pela equao (5.11), onde c = 3, 2 103 Hz e k = 0, 23.
As guras e simulaes realizadas foram feitas com o auxlio dos softwares

Wolfram Mathematica 8

OriginPro 8

. Os procedimentos para a disposio

dos dados experimentais e para a realizao das simulaes em cada material so

os descritos a seguir.

Por meio do software

OriginPro 8

, os dados experimen-

tais j normalizados assumindo cada coordenada de abscissa como

com a frequncia de pico

x = ln(/c )

referente a cada temperatura do material, puderam ser

dispostos gracamente como observado nas guras. Simultaneamente por meio do

software

Wolfram Mathematica 8

e dos valores de

, m

identicados para

cada material que as simulaes das componentes real e imaginria da funo resposta descrita na equao (5.12) puderam ser realizadas e exportadas ao

OriginPro

para efeito de comparao. Desta forma o ajuste necessrio a ser feito era o da

constante

k , de modo a aproximar aos dados experimentais as curvas propostas pelo

modelo com os parmetros caractersticos, ainda nas simulaes foi assumida a troca
de varivel

ex = /c .

Em todas as guras que sero apresentadas ao longo deste

captulo, os tringulos representaro os dados experimentais e os traados contnuos

os ajustes proporcionados pelo modelo para cada material.
Na Figura 6.1 pode ser observado que o comportamento das partes, real e

66
imaginria da funo resposta prevista pelo modelo se ajustam muito bem em comparao com os dados experimentais da permissividade eltrica do

P entaclorotolueno

para a temperatura em questo. A partir do comportamento da componente imaginria deste material e por meio da expanso proposta na equao (6.1), pode-se
calcular um valor aproximado para
que a baixas frequncias, onde
e

00 = 400

no contexto do modelo utilizado. Assumindo

ln(/c ) = 6

tem-se

00 = 0, 015,

como

k = 0, 23

obtemos

m=

ln(0, 00119) ln(0, 23)

= 0, 876
6

Para as simulaes realizadas do

P entaclorotolueno

foi utilizado

(6.3)

m = 0, 87,

cabe

lembrar que as expanses so vlidas para frequncias muito baixas ou muito altas.
Nas Figuras 6.2 e 6.3 a comparao entre os dados experimentais e a previso
do modelo para o

P entaclorotolueno

so feitas para as temperaturas de

293, 15K

333, 15K.
T=293.15 K

T=293.15 K

Figura 6.2: Grcos do comportamento da componente real e imaginria da

permissividade eltrica do P entaclorotolueno temperatura de 293, 15K e os
ajustes proporcionados pela equao (5.11), onde c = 1, 2 105 Hz e k = 0, 205.
Como pode ser observado nas Figuras 6.1, 6.2 e 6.3, as curvas previstas
pelo modelo caracterizam o comportamento apresentado pela resposta dieltrica.
Na Figura 6.4 os trs comportamentos da parte real da permissividade eltrica do
material so apresentados, neste caso os dados foram normalizados com relao ao
material

293, 15K,

onde

c = 1, 2 105 Hz.

Na Figura 6.5 so apresentados o comportamento da componente imaginria

67
T=333.15 K

T=333.15 K

Figura 6.3: Grcos do comportamento da componente real e imaginria da

permissividade eltrica do P entaclorotolueno temperatura de 333, 15K e os
ajustes proporcionados pela equao (5.11), onde c = 1, 8 106 Hz e k = 0, 18.

Figura 6.4: Grco do comportamento da componente real da permissividade

eltrica do P entaclorotolueno e os ajustes proporcionados pela equao (5.11)
para as temperaturas de 246, 65K, 293, 15K e 333, 15K, em azul, vermelho
e verde, respectivamente. Os dados foram normalizadas em frequncia com
c = 1, 2 105 Hz.
e os ajustes previstos pelo modelo de Dissado e Hill referentes a perda dieltrica
do

P entaclorotolueno

para as trs temperaturas, como no caso da parte real os

dados foram normalizados em frequncia com relao ao material

293, 15K,

onde

c = 1, 2 105 Hz.
De mesma forma que na parte real, a parte imaginria para as trs temperaturas mostrou-se dependente da temperatura. Pode ser observado na Figura 6.5
que a medida que a temperatura aumenta, o deslocamento da componente imaginria com relao a frequncia aumenta, diferentemente dos respectivos valores destas

68

Figura 6.5: Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica do P entaclorotolueno e os ajustes proporcionados pela
equao (5.11) para as temperaturas de 246, 65K, 293, 15K e 333, 15K, em
azul, vermelho e verde, respectivamente. Os dados foram normalizadas com
c = 1, 2 105 Hz.
componentes, que diminuem com a temperatura.
Neste mesmo contexto, fazendo uso dos dados experimentais da permissividade eltrica do

Cloroacetato de P olivinila, (C4 H5 ClO2 )n ,

apresentados por

(MEAD; FUOSS, 1941), pode ser vericada a viabilidade do modelo e a consistncia dos parmetros propostos na tabela A.2. Nas Figuras 6.6 e 6.7 so apresentados
os dados experimentais da componente real e imaginria da permissividade eltrica

()

em funo da frequncia, variando de

339, 15K

343, 15K

60Hz

6kHz

para as temperaturas de

em comparao com a curva prevista pela equao (5.11).

Em ambas as Figuras 6.6 e 6.7 contendo os dados experimentais do

P olivinila,

Cloroacetato de

o traado contnuo representando o ajuste proporcionado pela equao

(5.11) foi realizado utilizando

m = 0, 60

n = 0, 57.

Na regio assinttica

que caracteriza o equilbrio do processo de relaxao com o campo aplicado, os dados

experimentais so consistentes com

0 = = 3, 00

em ambos os casos.

Na Figura 6.8 so apresentadas as formas dos dados experimentais e os

ajustes proporcionados pela equao (5.11) da componente real s temperaturas de

339, 15K e 343, 15K, normalizadas em c = 350Hz para as duas temperaturas.

pode ser notado, nos dois casos,

Como

339, 15K e 343, 15K o valor mximo da componente

real no mostrou-se variar signicativamente com a temperatura, diferentemente de

c ,

que como observado variou signicativamente.

69
T=339.15 K

T=339.15 K

Figura 6.6: Grcos do comportamento da componente real e imaginria da

permissividade eltrica e os ajustes proporcionados pela equao (5.11) para o
Cloroacetato de P olivinila 339, 15K, onde c = 350Hz e k = 1, 89.
T=343.15 K

T=343.15 K

Figura 6.7: Grcos do comportamento da componente real e imaginria da

permissividade eltrica e os ajustes proporcionados pela equao (5.11) para o
Cloroacetato de P olivinila 343, 15K, onde c = 865Hz e k = 1, 84.
Na Figura 6.9 so apresentadas as componentes imaginrias para as duas
temperaturas para o

Cloroacetato de P olivinila

em conjunto com os ajustes pro-

porcionados pelo modelo. Nesta gura pode ser observado uma pequena variao
quanto ao valor de pico e o deslocamento da resposta em frequncia devido a variao
de

c .
Para as duas temperaturas observadas na Figura 6.9, pode ser vericada

uma boa aproximao para a resposta dieltrica do

vista pelo modelo com os valores de

Cloroacetato de P olivinila pre-

assumidos em relao aos dados expe-

rimentais. Uma caracterstica que merece destaque no comportamento apresentado

70

Figura 6.8: Grco do comportamento da componente real da permissividade

eltrica do Cloroacetato de P olivinila e os ajustes proporcionados pela equao (5.11) para as duas temperaturas, em vermelho 339, 15K e em verde
343, 15K, normalizadas em c = 350Hz.

Figura 6.9: Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica do Cloroacetato de P olivinila e os ajustes proporcionados
pela equao (5.11) para as duas temperaturas, em vermelho 339, 15K e em
verde 343, 15K, normalizadas em c = 350Hz.
por este material a variao considervel de

com a temperatura, diferente de

k,

que apresentou certa estabilidade com a variao deste parmetro.

Outro material o qual teve seu comportamento analisado em comparao
com a forma da funo resposta proposta por Dissado e Hill foi

P olipropileno,

(C3 H6 )n , nas Figuras 6.10 e 6.11 so apresentados os dados experimentais da componente imaginria da permissividade eltrica, de
de

100Hz 20kHz para as temperaturas

285K, 290K e 295K apresentado por (WORK R. N. MCCAMMON; SABA, 1964).

Nestas guras os ajustes proporcionados pelo modelo para os dados experimentais

71
foram realizados utilizando

m = 0, 37

n = 0, 76

segundo (HILL, 1981).

Figura 6.10: Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica do P olipropileno e o ajuste proporcionado pela equao
(5.11) para a temperatura de 290K, onde c = 2 103 Hz e k = 6, 25.
Como pode ser observado na Figura 6.10 o comportamento do
temperatura de
de

290K

P olipropileno

pode ser bem descrito pelo modelo fazendo uso dos valores

sugeridos por (HILL, 1981), transcritos na tabela A.2. Uma aproximao

satisfatria tambm pode ser identicada nos grcos da Figura 6.11, na qual as
componentes imaginrias do

285K

295K,

P olipropileno

so analisadas para as temperaturas de

respectivamente.

Figura 6.11: Grcos dos comportamentos da componente imaginria da permissividade eltrica do P olipropileno e os ajustes proporcionados pela equao (5.11) para as temperaturas de 285K e 295K. Para a temperatura de 285K,
c = 400Hz e k = 6, 24. Para a temperatura de 295K, c = 7, 5 103 Hz e
k = 6, 20.
Na Figura 6.12 so apresentados os dados experimentais e os ajustes pro-

72
porcionados pelo modelo para as trs temperaturas descritas, nesta representao os
dados experimentais e os ajustes proporcionados foram normalizados em frequncia
de acordo com o material

290K.

Figura 6.12: Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica do P olipropileno e o ajuste proporcionado pela equao (5.11)
para as temperaturas de 285K, 290K e 295K, em azul, vermelho e verde, respectivamente. Os dados foram normalizados em frequncia com c = 2 103 Hz.
Da Figura 6.12 pode ser feito um comparativo com relao a resposta do

P olipropileno s variaes de temperatura e consequentemente perceber a inuncia

deste fator com relao a amplitude do pico em frequncia da parte imaginria da
permissividade eltrica.

notado tambm a ocorrncia de um deslocamento dos

dados experimentais devido ao efeito da temperatura, tal caracterstica no isolada,

como no caso do

P entaclorotolueno, Cloroacetato de P olivinila e do P olipropileno,

outros materiais apresentam comportamentos semelhantes, as quais sero discutidas

ao longo e ao nal desta seo.
O prximo material cujo comportamento foi analisado, foi o

docosil, C22 H45 Br,

para as temperaturas de

(DRYDEN; DASGUPTA, 1955).

243, 15K, 273, 15K

Brometo n

293, 15K

segundo

Foram analisados os comportamentos para este

material trs temperaturas com a frequncia variando de

1 108 Hz

4 1010 Hz.

Na Figura 6.13 descrito o comportamento apresentado pelo material

temperatura de

273, 15K

onde no ajuste proporcionado pelo modelo, conforme a

tabela A.2, so assumidos os valores de

m = 0, 47

n = 0, 37.

Como pode ser

observado nesta gura o ajuste dos dados experimentais proporcionado pelo modelo
adequado.

73
T=273.15 K

Figura 6.13: Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica temperatura de 273, 15K do Brometo n docosil e o ajuste
do modelo, para c = 5, 7 109 Hz e k = 0, 0032.
Na Figura 6.14 exposto o comportamento da componente imaginria do

Brometo n docosil para as temperaturas de 243, 15K e 293, 15K, em conjunto com
os ajustes proporcionados pela equao (5.11).

T=243.15 K

T=293.15 K

Figura 6.14: Grcos do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica s temperaturas de 243, 15K e 293, 15K para o Brometo
n docosil em conjunto com os ajustes do modelo. Para a temperatura de
243, 15K, c = 3, 9 109 Hz e k = 0, 00241. Para a temperatura de 293, 15K,
c = 6, 6 109 Hz e k = 0, 00407.
Na Figura 6.14 pode ser observado uma signicativa diferena entre os comportamentos apresentados pelo

Brometo ndocosil para temperaturas distintas.

Na

Figura 6.15 o comportamento do material s trs temperaturas descrito considerando os dados normalizados em frequncia de acordo com o material a temperatura
de

273, 15K,

onde

c = 5, 7 109 Hz.

74

Figura 6.15: Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica do Brometo n docosil e os ajustes do modelo para as
trs temperaturas, em azul 243, 15K, em vermelho 273, 15K e em verde
293, 15K, normalizadas com c = 5, 7 109 Hz.
Com base na Figura 6.15 possvel notar que no caso do

Brometo ndocosil

o valor assumido pela componente imaginria da permissividade eltrica sofre um

aumento aprecivel devido ao aumento da temperatura.
Dentre os materiais dieltricos que apresentam uma ampla aplicao na
indstria, destaca-se o Titanato de Brio,

BaT iO3 .

Com a descoberta do

BaT iO3

as cermicas dieltricas comearam a ser amplamente utilizadas e acredita-se que o

desenvolvimento de sistemas de comunicao sem o e a miniaturizao de circuitos
eletrnicos e de componentes tenha se dado graas a sua descoberta (ROY, 2002).
Vista a importncia do
componente imaginria do
e

248, 15K

BaT iO3 ,

analisamos tambm o comportamento da

BaT i7 M gO16 para as temperaturas de 213, 15K, 230, 15K

em funo da frequncia, variando de

1 105 Hz

4 107 Hz

segundo

(DRYDEN; WADSLEY, 1958). Na Figura 6.16 pode ser observado o comportamento

da componente imaginria da permissividade eltrica do material temperatura de

230, 15K

e a forma prevista pelo modelo considerando

m = 0, 68

n = 0, 45

(vide

tabela A.2).
Na Figura 6.17 o comportamento das duas componentes e os ajustes proporcionados pelo modelo para o
de

213, 15K

BaT i7 M gO16

so descritas para as temperaturas

248, 15K.

Para o caso do

BaT i7 M gO16 ,

pode ser observado das guras anteriores

que com o aumento da temperatura os valores de

tambm aumentam. Na

75
T=230.15 K

Figura 6.16: Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica para o BaT i7 M gO16 e a forma prevista pelo modelo para a
temperatura de 230, 15K, onde c = 7, 5 105 Hz e k = 2, 45.
T=248.15 K

T=213.15 K

Figura 6.17: Grcos do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica s temperaturas de 213, 15K e 248, 15K para o BaT i7 M gO16
e os ajustes do modelo. Para a temperatura de 213, 15K, c = 3, 8 105 Hz e
k = 2, 35. Para a temperatura de 248, 15K, c = 1, 45 106 Hz e k = 2, 6.
Figura 6.18 so apresentados os resultados para

00 () em funo da frequncia para

as trs temperaturas, onde os dados experimentais e os ajustes do modelo para

cada temperatura foram normalizados de acordo com o material

230, 15K,

onde

c = 7, 5 105 Hz.
A partir dos materiais analisados e dos ajustes proporcionados pelo modelo,
cou evidente a possibilidade de o comportamento dieltrico ser descrito por meio
da funo resposta descrita na equao (5.11). Outra consequncia das simulaes
realizadas a possibilidade de ser relacionada qualitativamente a forma da resposta

76

Figura 6.18: Grco do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica do BaT i7 M gO16 e os ajustes do modelo para as trs temperaturas, em azul 213, 15K, em vermelho 230, 15K e em verde 248, 15K,
normalizadas com c = 7, 5 105 Hz.
observada de acordo com os parmetros a ela associados.
observados no

P entaclorotolueno

e no

Dos comportamentos

Brometo n docosil,

associado a cada um, tiveram valores muito prximos,

0, 36

cujos valores de

0, 37

respectivamente,

as variaes na resposta observada so uma consequncia da variao de

m.

Na Figura 6.19 so apresentadas duas curvas hipotticas cujos valores de

associado a funo resposta so os mesmos e as distines nas formas observadas so

devido as variaes em

m indicando diferentes formas para a componente imaginria

da permissividade eltrica. No primeiro caso, onde

m = 0, 40

n = 0, 40,

o pico de

perda menor e ligeiramente mais distribudo se comparado ao segundo caso, onde

n = 0, 40

m = 0, 60.

Considerando as formas apresentados por estas guras para um mesmo

para valores distintos de
que o parmetro

m,

torna-se evidente a hiptese aventada pelos autores de

est associado a estrutura cristalina do material, uma vez que

estas guras apresentam a mesma forma j que o dipolos apresentam as mesmas

interaes intra-cluster. Porm possvel notar que a perda dieltrica maior para
o caso em que

m = 0, 60.

possuindo valores de

Da anlise da Figura 6.19 podemos concluir que, materiais

da mesma ordem, provavelmente apresentam organizao

estrutural semelhante, porm variaes no parmetro

indicam perdas dieltricas

diferentes, devido ao transporte de dipolos entre os clusters e caracterizando perdas

com aumento na amplitude a medida que

torna-se maior.

77

Figura 6.19: Grcos do comportamento da componente imaginria da permissividade eltrica prevista pela equao (5.11) para dois casos hipotticos
em que n = 0, 40. Em azul o comportamento previsto para m = 0, 40 e em
verde o comportamento previsto para m = 0, 60. Em ambos o valor assumido
por k foi o mesmo.
Como identicado nas simulaes envolvendo os materiais, ocorreram deslocamentos em relao a

e variaes de amplitude nas componentes

00

com o

aumento da temperatura. A partir das equaes (6.1) e (6.2), possvel escrever


ln
e


ln

ln(00 ()) ln(4k)

.
m

(6.4)

ln(00 ()) ln(4k)

.
n1

(6.5)

As expresses acima sugerem que as variaes de

com a temperatura podem estar

associadas a variaes com a temperatura nos parmetros

n,

uma vez que as

interaes entre os dipolos pertencentes a um cluster com os modos da rede e as

interaes inter-cluster de transporte de dipolos so diretamente dependentes da
temperatura.
Das discusses anteriores, um estudo quanto a forma com que estes parmetros devem variar com a temperatura

poderia ser de extrema importncia para

a descrio do comportamento dieltrico, visto que uma vez identicadas, estas formas poderiam descrever a dinmica de relaxao de dieltricos para temperaturas
distintas daquelas obtidas experimentalmente.

78

7 CONCLUSES

Desde a proposta apresentada por Debye para a caracterizao do comportamento dieltrico, muitos modelos foram propostos na literatura com o objetivo
de descrever adequadamente a resposta dieltrica de materiais, como polmeros e
cermicas, que no eram bem descritos pelo modelo proposto por Debye. Ao longo
dos captulos foram apresentados vrios modelos e suas consideraes para a descrio da resposta dieltrica, analisando os pressupostos de cada um destes modelo
pde ser constatado que resposta dieltrica uma consequncia direta tambm das
interaes dos dipolos com o meio dieltrico e no somente dipolar, sendo assim,
as caractersticas morfolgicas e densidade do meio so elementos fundamentais na
elaborao de uma descrio realstica da resposta dieltrica. Foi nesse contexto que
o modelo de Dissado e Hill foi desenvolvido e por considerar as mltiplas interaes
envolvendo os dipolos que o comportamento da maioria dos materiais, assim como
aqueles os quais foram identicados so bem descritos por meio do modelo.
Devido aos recentes progressos nas telecomunicaes e o aumento na demanda por dieltricos ressonantes DRs, os quais so peas cermicas de baixa perda
utilizadas em dispositivos de comunicao sem o (MAILADIL, 2008), a descrio adequada do comportamento dieltrico apresentado por estes e outros materiais
tornou-se indispensvel no cenrio industrial. Com base na forma das curvas para
um mesmo

n e para valores distintos de m, foi possvel notar em termos do modelo de

Dissado e Hill que materiais possuindo valores de

n da mesma ordem, provavelmente

apresentam organizao estrutural semelhante e aqueles apresentando diferentes valores no parmetro

indicam perdas dieltricas distintas, devido ao transporte de

dipolos entre os clusters, as quais so maiores e mais concentradas a medida que

torna-se maior.
Com auxlio da tabela descrita no Anexo A2 e da discusso apresentada
acima possvel ento estabelecer um critrio que permite selecionar materiais de

79
potencial interesse para a rea de eletrnica, visto que uma vez determinado os valores de

m e n, em princpio, com o auxlio da tabela A2 poderia ser possvel selecionar

materiais com propriedades dieltricas similares e que potencialmente poderiam ser

empregados pela indstria de componentes eletrnicos. Neste sentido a utilizao do
modelo proposto por Dissado e Hill torna-se uma ferramenta poderosa, no somente
por apresentar um melhor ajuste das formas propostas aos dados experimentais, mas
tambm por fornecer informaes, as quais podem ser de grande interesse, uma vez
que dizem respeito as caractersticas e comportamentos apresentados pelos materiais
observados.
A partir das simulaes realizadas notou-se a dependncia dos parmetros
associados a funo resposta da equao (5.11) com relao a temperatura, algo esperado, visto que estes parmetros so relacionados com as caractersticas intrnsecas
do material e que consequentemente modicam-se com a variao da temperatura.

7.1

SUGESTO PARA TRABALHOS FUTUROS

Considerando os dados experimentais e os ajustes proporcionados pelo modelo, cou evidente a dependncia dos parmetros associados a funo resposta com
a temperatura. Como sugesto para trabalhos futuros, est a realizao de um estudo a respeito da dependncia com a temperatura dos parmetros associados a
funo resposta de Dissado e Hill.

Visto que, uma vez identicada a forma com

que os parmetros iro depender da temperatura, poderia ser possvel determinar

a dinmica de relaxao de materiais temperaturas diferentes daquelas cujos dados experimentais j so conhecidos. Do ponto de vista para aplicaes envolvendo
materiais dieltricos estas informaes seriam de grande relevncia.
Em paralelo ao estudo da inuncia da temperatura, poderia ser realizada
uma pesquisa a respeito do comportamento dieltrico de materiais atualmente empregados na Engenharia Eltrica e na Eletrnica de modo que, as previses do comportamento dieltrico do modelo de (DISSADO; HILL, 1984) e dos estudos a serem
realizados estimem as formas das componentes real e imaginria para estes materiais em funo da frequncia e temperatura. Sob esta perspectiva, tais estimativas
poderiam proporcionar diferentes possibilidades no que diz respeito da utilizao de
materiais quando a aplicaes sob a ao da temperatura.

80
Conforme identicado na literatura especializada, atualmente a necessidade
por materiais com caractersticas e comportamentos especcos tem motivado a realizao de estudos a respeito da dopagem de materiais.
por (OGIHARA et al., 2008), a dopagem do

BaT iO3

Conforme identicado

com diferentes compostos e

em diferentes nveis de concentraes resultam em compostos cujo comportamento

dieltrico difere-se consideravelmente daquele apresentado pelo

BaT iO3

puro, um

comportamento esperado, visto que a estrutura e a disposio molecular so alteradas. Neste sentido, como o modelo proposto por Dissado e Hill entendido como
de carcter morfolgico, provavelmente a resposta dieltrica apresentada pela composio dopada poderia ser prevista, ou seja, os parmetros associados a funo
resposta poderiam apresentar uma dependncia com as caractersticas e com os diferentes nveis de concentrao de cada um dos compostos. Assim, uma vez que se
tenha mapeado o comportamento dieltrico do composto dopado,

nd

md ,

em prin-

cpio seria possvel mapear um comportamento intermedirio em relao a resposta

dieltrica apresentada pelo composto puro

np

mp .

81

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84

ANEXO A -- ANEXOS

Tabela A.1: Valores para a tan() multiplicados por 104 , em funo da frequncia em Hz (HIPPEL, 1954).

Cristais

Lithium
Fluoride
Potassium
Bromide
Sodium
Chloride
Thallium
Bromide
Cermicas
AlSiMag
A-35
AlSiMag
A-35
AlSiMag
A-196
AlSiMag
A-196
AlSiMag
228
AlSiMag
243
Steatite
Body 7292
Ceramic
NPOT96
Ceramic
N750T96
Ceramic
N1400T110
Mica e Vidro
Mycalex
400
Mykroy
Grade 8
Plsticos
Bakelite
BM-120

T oC

80
87
85
25

0 0
tan()
0 /0
tan()
0 /0
tan()
0 /0
tan()

T oC

23
85
25
81
25
85
25
25
25
25

0 /0
tan()
0 /0
tan()
0 /0
tan()
0 /0
tan()
0 /0
tan()
0 /0
tan()
0 /0
tan()
0 /0
tan()
0 /0
tan()
0 /0
tan()

T oC

25
25

0 /0
tan()
0 /0
tan()

T oC

25

0 /0
tan()

1 102 1 103 1 104 1 105 1 106 1 107 1 108 3 108 3 109 1 1010

9,11
120
4,97
16
6,35
170
31,1
1300
1x10
6,10
150
6,84
890
5,90
30
5,90
58
6,40
15,6
6,37
21
6,55
14
29,5
12
83,4
5,7
131
6,7
1x10
7,47
29
6,87
95
1x10
4,87
300

9,11
20
4,97
7
6,11
240
30,3
128
1x10
5,96
100
6,37
370
5,88
59
5,88
40
6,40
20
6,37
13,7
6,55
7
29,5
4,9
83,4
4,5
130,8
5,5
1x10
7,45
19
6,81
66
1x10
4,74
220

9,11
11
4,97
11
6,00
70
30,3
13,3
1x10
5,89
70
6,11
175
5,84
79,5
5,84
46,5
6,40
20
6,37
8,0
6,54
4,8
29,5
3,3
83,4
3,5
130,7
3,3
1x10
7,42
16
6,76
43
1x10
4,62
200

9,11
4
4,97
9
5,98
6
30,3
2
1x10
5,86
50
5,96
103
5,80
55
5,80
70,5
6,40
15,6
6,36
<9
6,53
3,9
29,5
2,5
83,4
2,5
130,5
1,4
1x10
7,40
14
6,74
31
1x10
4,50
210

9,11
<2
4,97
5
5,98
<2
30,3
1
1x10
5,84
38
5,86
77
5,70
30,5
5,70
66
6,36
12,4
6,32
3,7
6,53
4,9
29,5
1,6
83,4
2,2
130,2
3,0
1x10
7,39
13
6,73
26
1x10
4,36
280

9,11
<2
4,97
3
5,98
<2
30,3
0,4
1x10
5,80
35
5,80
50
5,65
19
5,65
40,5
6,30
11,2
6,28
3,5
6,53
5,2
29,5
1,7
83,4
2,3
130,2
5,5
1x10
7,38
13
6,73
24
1x10
4,16
350









1x10
5,75
37
5,75
50
5,60
16
5,60
24
6,20
10


6,53
6,2
29,5
2
83,4
4,6
130
7,0
1x10


6,72
25
1x10
3,95
380



4,97
2,4




3x10












6,53
6,8






3x10




3x10











3x10
5,60
41
5,50
47
5,42
18
5,42
18
5,97
13
5,88
6
6,52
9






3x10


6,68
38
3x10
3,70
438

9,11
3,3
4,97
3,5




1x10




5,24
26


5,93
19,5


6,51
10,9
28,9
20
83,4
14,6


1x10
7,12
33
6,96
48
1x10
3,68
410

10

10

10

85
A.1

A EQUAO DE COLE-COLE PARA A DESCRIO DA RELAXAO

DIELTRICA

Como comentado no captulo 3, o modelo de Debye no capaz de descrever

o comportamento da relaxao observada na maioria das substncias dieltricas.
COLE; COLE (1941) buscando variaes do modelo proposto por Debye de modo a
descrever, ao menos empiricamente o comportamento dieltrico observado em certas
substncias, propuseram a seguinte expresso emprica para

= + ( )
sendo o parmetro

1
(1 + (i )1 )

(A.1)

um valor compreendido no intervalo 0 < 1.

Esta expresso

foi proposta a m de ajustar-se ao comportamento dieltrico observado para algumas

substncias, o valor do parmetro

escolhido de forma a proporcionar o melhor

ajuste para com os resultados experimentais.

assumido o limite em que

possvel ainda notar que quando

= 0, recuperado o modelo de Debye, como o parmetro

um nmero fracional, a equao proposta por Cole-Cole entendida no sentido de

uma distribuio de tempos de relaxao molecular (BTTECHER; BORDEWIJK,
1987).

Neste ponto se torna evidente a necessidade da incorporao na funo

resposta das interaes entre os dipolos moleculares com o meio onde os quais esto
inseridos.
Neste modelo proposto por K. S. Cole e R. H. Cole para serem obtidas as

e imaginria

i 2

= i,

componentes real
pode se escrever

00

da permissividade eltrica, deve ser notado que

aps um pouco de lgebra possvel vericar que


(i )1 = ( )1 sin( ) + i cos( )
2
2
Como visto

= 0 i00

(A.2)

e considerando a equao anterior, verica-se que a compo-

nente real da permissividade assume a forma

= + 

( )(1 + sin(
) ( )1 )
2
1

1 + 2 ( )

)
sin(
2

2(1)

+ ( )

,

(A.3)

considerando um clculo similar, a seguinte expresso representa a componente ima-

86
ginria da permissividade

00

00 = 

A.2

( )(cos(
) ( )1 )
2
1 + 2 ( )1 sin(
) + ( )2(1)
2

.

(A.4)

O MODELO DE COLE-DAVIDSON

Outro exemplo de modelo proposto na literatura para a descrio do comportamento dieltrico inspirado no modelo de Debye o modelo de R. H. Cole e D.
W. Davidson, neste modelo

assume

a seguinte forma

= + ( )

1
,
(1 + i )

(A.5)

Sendo que para recuperar o modelo de Debye neste modelo basta assumir o valor
de

= 1,

onde

0 < 1.

Efetuando a mudana de varivel

tan() =

pode ser

escrito que

0 = + ( ) cos()(cos())

(A.6)

00 = ( ) sin()(cos()) .

(A.7)

De mesma forma que no modelo de Cole-Cole, no modelo de Cole-Davidson

o parmetro

um nmero fracional, assim a equao proposta tambm entendida

no sentido de uma distribuio de tempos de relaxao molecular (BTTECHER;

BORDEWIJK, 1987).

Um diferencial deste modelo consiste em representar picos

deslocados em frequncia, mesmo sendo ainda uma extenso do modelo de Debye.

87
Tabela A.2: Tabela descrita por (HILL, 1981) com algumas modicaes, apresenta os valores dos parmetros m e n da equao (5.12) para alguns materiais.
Material

Poliacetaldeido
Acrilonitrila
Polietileno
Polietileno
Polietileno
Polietileno Tereftalato
Polietileno Tereftalato
Metacrilato de Metila
Poliacrilato de Metila
Acrlico ou Polimetilmetacrilato
Acrlico ou Polimetilmetacrilato
Polimetacrilato de butilo
Policloropreno
Policloropreno
Carbonato de Polidian
Polimetacrilato de etila ou (PEMA)
Polimetacrilato de hexilo ou (PHMA)
Polimetacrilato de n-octilo
Polimetacrilato de ciclo-hexila ou
(PCHMA)
Metacrilato de poli-2-cloro-ciclo-hexila
Metacrilato de poli-4-cloro-ciclo-hexila
Acrilato de poli-4-cloro-ciclo-hexila
Polipropileno
Policarbonato de propileno
Policarbonato de propileno
Poli(xido de propileno)
Acetato de polivinila (PVA)
Acetato de polivinila (PVA)
Acetato de polivinila (PVA)
Acetato de polivinila (PVA)
Fluoreto de polivinila (PVF)
Fluoreto de polivinilideno (PVDF)
Fluoreto de polivinilideno (PVDF)
Fluoreto de polivinilideno (PVDF)
Polivinil formal
Cloroacetato de Polivinila
Cloroacetato de Polivinila
Cloro-difenil de polivinila

0,64
0,18
0,82
0,66
0,68
0,77
0,42
0,25
0,74
0,66
0,45
0,71
0,38
0,17
0,62
0,49
0,90
0,84
0,068
0,32
0,23
0,42
0,37
0,90
0,85
0,39
0,83
0,76
0,56
0,50
0,28
0,07
0,53
0,05
0,25
0,57
0,60
0,24

0,46
0,67
0,65
0,47
0,37
0,72
0,92
0,67
0,75
0,72
0,83
0,71
0,77
0,84
0,79
0,82
0,65
0,62
0,75
0,56
0,69
0,75
0,76
0,55
0,29
0,69
0,57
0,62
0,58
0,71
0,89
0,51
0,87
0,88
0,76
0,60
0,57
0,78

Comentrios

Forma amorfa
1,3<T <17,1 K Amostra
de PE1
29<T <4200 mK Amostra PE 10Ma
20<T <4200 mK Amostra PE 14
pico
pico
100<P <2950
283<T <363K

atm,

pico
pico
pico

pico
pico
Em soluo de Galva 15
Em soluo de Galva 60
pico
pico
pico

88
Tabela A.3: Tabela descrita por (HILL, 1981) com algumas modicaes, apresenta os valores dos parmetros m e n da equao (5.12) para alguns materiais.
(Continuao)
Material

Poli-y-benzil-L-glutamato
Poli-y-benzil-L-glutamato
Poli-y-benzil-L-glutamato
Estearato de Butila
Estearato de Butila
Cloreto de ciclo-hexila em poliestireno
Cloreto de ciclo-hexila em poliestireno
Anidrido Ftlico
Poliamida 610 (PA610)
Poliamida 610 (PA610)
Poliamida 610 (PA610)
P-metxi-fenil-azoxi-p-butil-benzeno
P-metxi-fenil-azoxi-p-butil-benzeno
N-heptil-bi-fenil-ciano
cido Actico
Bromobenzeno em Decalina
Clorobenzeno com Piridina
Clorobenzeno com Piridina
Cis-decalina e Clorobenzeno
Cis-decalina e Clorobenzeno
2-Metil-3-Heptanol
2-Metil-3-Heptanol
3-Metil-3-Heptanol
3-Metil-3-Heptanol
5-Metil-3-Heptanol
5-Metil-3-Heptanol
5-Metil-3-Heptanol
5-Metil-3-Heptanol
Triciclo-hexil Carbinol
Triciclo-hexil Carbinol
Neo-hexano
Glicerina
Glicerina
Mentol
2,4,6-tri-t-butilfenol
Brometo n-docosil
cido Pcrico

0,42
0,55
0,79
0,56
1,0
0,47
0,21
0,87
0,60
0,30
0,18
0,75
0,60
0,97
1,0
0,71
0,93
0,15
0,89
0,06
0,78
1,0
0,86
0,49
0,90
0,23
0,65
0,98
1,0
1,0
0,72
0,55
0,50
0,99
1,0
0,47
0,85

0,19
0,49
0,45
0,23
0,67
0,70
0,92
0,55
0,43
0,49
0,59
0,23
0,19
0,32
0,65
0,72
0,65
0,90
0,81
0,85
0,73
0,62
0,67
0,66
0,33
0,75
0,32
0,43
0,17
0,26
0,05
0,54
0,31
0,78
0,34
0,37
0,21

Comentrios

Forma slida
Em soluo de Dicloroetano
Em soluo de Dioxano
p < 109 Hz
p > 109 Hz
pico
pico
3,72wt%
T =483K (Tm =497,8K)
T =413K
T =373K
Fase Nemtica
Fase Isotrpica
Em ambas as fases; Isotrpica e Nemtica
p >109 Hz
pico , concentrao de
43,4
pico , concentrao de
43,4
pico
pico
P =2,5kb
P =4,4kb
pico
pico
pico
pico
P =3,55kb
P =1,57kb
109 < <1011 Hz;
T >176K
<106 Hz; T <108K
pico
P =3,1kb
P =4,4kb
109 < <1010 Hz;
176<T <293K

89

Tabela A.4: Tabela descrita por (HILL, 1981) com algumas modicaes, apresenta os valores dos parmetros m e n da equao (5.12) para alguns materiais.
(Continuao)
Material

Polietileno adipato (PEA)

M.B.B.A.
Estearato de Metila
Acetil-polivinila
Hidrato de pnacola
Pentaclorotolueno
Tricloroetano em Ciclohexano
Tricloroetano em Ciclohexano
Suprasil glass
Impurezas de ctions em quartzo
Monxido de Silcio/Filme Platinacermica
Silcio juno p-n
Silcio juno p-n
Tntalo anodizado
Alumnio anodizado
Tartarato de Sdio e Potssio
KD2PO4
Sulfato de Triglicina (TGS)
M.A.S.D.
AgNa(NO2)2
AgNaNO2
BaTi7MgO16

H2 O

H2 O
D2 O

Comentrios

0,06 0,91
0,85 0,27
0,57 0,53 P <2 kb; 213<T <243K
0,45 0,76 343<T <393K
0,89 0,14
0,87 0,36
0,59 0,47 Concentrao entre 1:1 a
0,8:1
0,83 0,26 Concentrao entre 0,4:1
a 0,2:1
0,15 0,69 20<T <4200mK
0,69 0,15
0,54 0,29
0,83 0,22
0,16 0,40
0,42 0,64
0,58 0,08
1,0
0,04
1,0
0,07
0,97 0,01
0,81 0,25 138<T <200K
0,90 0,32
1,0
0,17
0,68 0,45
0,96(3) 0,04(8) Seleo de valores publicados para 293K
0,78 0,24 181K
0,94 0,05 T <262,3K