TCFE07082 10 Analise Circuitos TJB

1
Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrnica
Anlise de Circuitos com

Transstores Bipolares
Teresa Mendes de Almeida
TeresaMAlmeida@ist.utl.pt
DEEC
rea Cientfica de Electrnica
T.M.Almeida
ACElectrnica
IST-DEECMaio de 2008
Matria
Transstores de juno bipolares

Circuitos amplificadores

o transstor como amplificador

modelo incremental
circuito de polarizao
circuitos seguidor de emissor e amplificador de tenso (emissor comum)
Efeito da temperatura
NPN e PNP
zonas de funcionamento
corte, zona activa, saturao
polarizao estabilizada
Fontes de corrente
Par diferencial com carga resistiva
Exemplos de aplicao
T.M.Almeida
IST-DEEC-ACElectrnica
TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares
Maio de 2008
Transstor de juno bipolar

TJB - transstor de juno bipolar

T.M.Almeida
fabricado com material semicondutor (silcio)

dispositivo com 3 terminais
NPN n
C colector
B base
p
E emissor
n
baseia-se em 2 junes PN
base-colector (BC)
PNP
p
base-emissor (BE)
n
2 tipos de transstores
p
NPN e PNP
smbolo
seta marca o terminal do emissor marca sentido da corrente
indica sentido da juno pn entre base e emissor
dispositivo no-linear usar modelo linear para analisar circuito com TJB
Maio de 2008

Transstor NPN

T.M.Almeida
Transstor PNP
constitudos por 3 regies de material semicondutor

dispostas em camadas
base tem espessura reduzida
colector e emissor so diferentes
dimenses e constituio so diferentes
funcionamento do TJB mais complexo do que considerar apenas 2 junes
(como se fossem apenas 2 dodos isolados) porque a base muito estreita
2 junes interagem ente si no so independentes
Maio de 2008

Aplicao das leis de Kirchhoff

Sentidos/polaridades convencionais das correntes/tenses

KVL tenses entre terminais (circular entre terminais)

KCL correntes a entrar/sair dos terminais (TJB visto como um n)
valores positivos quando transstor est em conduo
NPN
PNP
iB + iC = iE
vBC + vCE vBE = 0

T.M.Almeida
vEB vCB vEC = 0
PNP mesmas equaes que PNP sentidos / polaridades trocados

Maio de 2008
Regies de funcionamento do TJB

modos de funcionamento do TJB de acordo com polarizao das junes pn

polarizao directa dodo ON vD = VON
polarizao inversa dodo OFF vD < VON
Regio de
funcionamento
Juno BE
Juno BC
Aplicao
tpica
CORTE
Polarizada
inversamente
Polarizada
inversamente
Circuitos lgicos
Zona
ACTIVA
Polarizada
directamente
Polarizada
inversamente
AMPLIFICADOR
SATURAO
Polarizada
directamente
Polarizada
directamente
Circuitos lgicos
Amplificador
gerador
comandado
T.M.Almeida
Porta lgica NOR

interruptor
Maio de 2008
Corte
TJB cortado (no conduz)

NPN
2 junes inversamente polarizadas

NPN
vBE < 0
vCE > 0
PNP
vEB < 0
vEC > 0
transstor no percorrido por corrente
comporta-se como interruptor aberto
PNP
n
p
iB = iC = iE = 0
Modelo equivalente

circuito aberto entre todos os terminais

transstor no intervm no circuito onde est inserido
Na prtica considera-se o TJB cortado

vBE < VBEON
T.M.Almeida
( 0,5V 0, 7V )
Maio de 2008
Zona Activa
TJB conduz (iC > 0 e iB > 0)

vBE = VBEON ( 0,5V 0, 7V )

juno BE directamente polarizada
vCE > 2V ( tipicamente )
juno BC inversamente polarizada
corrente de colector directamente proporcional corrente de base
vBE
iC I S e
VT
iC = iB
iE = iB + iC = (1 + ) iB
iE =
Modelo equivalente
1+
iC
Ganho de corrente (hFE)

NPN:
PNP:
100 200
20 50
elevado clculo aproximado

gerador comandado
T.M.Almeida
iB<<iC iE iC
(aproximao)
Maio de 2008
Saturao
TJB conduz (iC > 0 e iB > 0)

2 junes directamente polarizadas

as tenses entre os terminais so impostas pelo transstor
vBE = VBEON
( 0,5V 0, 7V )
vCE = VCESAT
( 0,1V 0, 2V )
as correntes so determinadas pelo circuito exterior

o circuito exterior que determina se TJB est na saturao ou na zona
activa
iC calculada por anlise do circuito
iC < iB
iE = iB + iC
Modelo equivalente
B
iB
iC C
VBE ON
VCESAT
iE
T.M.Almeida
E
Maio de 2008
10
Equaes TJB

Equaes escritas para NPN

Para PNP trocar sentidos correntes / polaridades tenses
CORTE
ZONA ACTIVA
SATURAO
Junes inversamente
polarizadas
Juno BE directamente
polarizada
Junes directamente
polarizadas
Juno BC inversamente
polarizada
iE = iB + iC
iB = iC = iE = 0
vBE
vBE < VBEON
( 0,5V 0, 7V )
iC I S e
VT
iC = iB
vCE = VCESAT
( 0,1V 0, 2V )
iE = iB + iC = (1 + ) iB
vBE = VBEON
( 0,5V 0, 7V )
vBE = VBEON
T.M.Almeida
iC < iB
( 0,5V 0, 7V )
Maio de 2008
11
Exemplo de aplicao NPN

vBE = VBEON
iC = iB
i = i + i = 1 + i
)B
E B C (
Calcular tenses e correntes

hiptese: considerar TJB na zona activa
= 50
VBEON = 0, 7V
VBE = VBEON = 0, 7V
VCESAT = 0, 2V
VE = 0 VBEON = 0, 7V
IE =
n
p
VE ( 10 ) VE ( 10 )
=
= 0,93mA
RE
10k
IE
= 18, 2 A
1+
I C = I B = 0,91mA
IB =
VC = 10 RC I C = 10 5 0,91 = 5, 45V
VC > VB
BC inversamente polarizada
VCE = VC VE = 5, 45 ( 0, 7 ) = 6,15V

T.M.Almeida
>> VCESAT
confirmada a hiptese de zona activa

12
Exemplo de aplicao PNP

Maio de 2008
Calcular VC sabendo que VB=1V e VE=1,7V

Qual o ganho de corrente ?

PNP sentidos das correntes so invertidos relativamente a NPN

VEB=VEBon=0,7V considerar hiptese de zona activa
VEB = VEBON = 0, 7V
VEBON = 0, 7V
VECSAT = 0, 2V
p
n
IE =
10 VE 10 1, 7
=
= 1, 66mA
RE
5k
IB =
VB 0
1
=
= 10 A
RB
100k
I E = (1 + ) I B
IE
1 = 165
IB
I C = I E I B = 1, 65mA
VC = RC I C + ( 10 ) = 1, 75V
VB > VC
CB inversamente polarizada
VEC = VE VC = 1, 7 ( 1, 75 ) = 3, 45V
T.M.Almeida
>> VECSAT
Maio de 2008
13
Exemplo de aplicao
Calcular correntes e tenses para diferentes sinais de entrada

VIN = VB = {0V,+4V, +6V}

= 100 VBEon= 0,7V VCEsat= 0,2V
VIN = VB = +4V
hiptese: zona activa
VE = VB VBEon = 4 0, 7 = 3,3V
IE =
VE 0 3,3
=
= 1mA
RE
3,3k
I E = 0,99mA
1+
VC = 10 RC I C = 10 4, 7 0,99 = 5,3V
IC =
VC > VB
BC inversamente polarizada
I B = I E I C = 0, 01mA = 10 A
VCE = VC VE = 5,3 3,3 = 2V
T.M.Almeida
>> VCESAT
Maio de 2008
14
Exemplo de aplicao (cont.)


VIN = VB = +6V
hiptese: zona activa
VC < VB juno BC no pode estar inversamente polarizada

TJB no pode estar na zona activa
considerar hiptese de saturao e voltar a fazer os clculos

T.M.Almeida
= 100
VBEon= 0,7V
VCEsat= 0,2V
Maio de 2008
15


VIN = VB = +6V
iC < iB
iE = iB + iC
hiptese: zona de saturao
vCE = VCE
( 0,1V 0, 2V )
vBE = VBE
( 0,5V 0, 7V )
SAT
ON
= 100
VBEon= 0,7V
VCEsat= 0,2V
IC < IB confirma-se hiptese de saturao
T.M.Almeida
Maio de 2008
16


VIN = VB = 0V
T.M.Almeida
hiptese: corte
correntes so nulas
junes BE e BC inversamente polarizadas
Maio de 2008
17
Circuito inversor lgico / amplificador
Caracterstica de
transferncia
Zona
Circuito inversor lgico

IVA
ACT
TJB corte / saturao

VI nvel baixo / alto
Circuito amplificador

T.M.Almeida
vi
TJB a funcionar na zona activa

vI = VI + vi
(DC + AC)
VI circuito de polarizao
vi sinal a amplificar
TJB no pode sair da zona activa (vi pequeno)
Maio de 2008
18
Polarizao
Tenses e correntes DC para TJB ficar na ZONA ACTIVA

Circuito de polarizao
juno base-emissor directamente polarizada (VBEon 0,7V)

tenso VCE apropriada
maximizar a amplitude do sinal de sada (meio da caracterstica)
obter corrente IC pretendida
um bom circuito de polarizao deve ser insensvel a variaes dos
parmetros:
valores reais das resistncias (so diferentes dos valores nominais)
VCC
ganho de corrente, , do TJB
temperatura (IC varia com T)
RC
Exemplo de circuito de polarizao

T.M.Almeida
circuito resistivo
fonte de alimentao e resistncias
impe o ponto de funcionamento em repouso (PFR)
R1
VB
IB
IC
VC
VE
R2
RE
IE
Maio de 2008
19
O Transstor como amplificador

TJB a funcionar como amplificador

Polarizao

TJB tem de ser polarizado para funcionar na ZONA ACTIVA

estabelecer uma corrente constante (DC) no emissor (ou no colector)
corrente IE (ou IC) deve ser insensvel a variaes de temperatura e do
Anlise do circuito
DC polarizao
calcular o ponto de funcionamento em repouso (PFR)
componente AC eliminada
IC = I S e
IB =
PFR
VBE
VT
IC
IE =
1+
IC
VC = VCC RC I C
T.M.Almeida
AC amplificador
fontes DC eliminadas
Maio de 2008
20

Transcondutncia gm
vBE = VBE + vbe
iC = I S e
iC I C 1 + be
V
T
I
iC = I C + C vbe = I C + ic
VT
= IS e
VBE
VT
vbe
VT
vbe << VT
x
e 1 + x
I
ic = C vbe
VT
= IC e
vbe
VT
IC = I S e
VBE
VT
vbe = vBE
ic = iC
PFR
ic = gm vbe fonte de corrente

controlada por tenso
gm =
IC
VT
iC
I C = 1mA
g m = 40mS
VT = 25mV
tipicamente
declive da curva iC-vBE

no PFR
T.M.Almeida
vBE
VT
gm =
iC
i
C
vBE vBE
vBE
Maio de 2008
21

Resistncia entre a Base e o Emissor (olhando da base)

iB =
r =
iC
IC
I
g
1 IC
vbe = C + m vbe
VT

iB = I B + ib
vbe vBE
=
iB
ib
gm
r =
iB
gm
vBE
Resistncia entre o Emissor e a Base (olhando do emissor)

+1
+1
iC =
( IC + g m vbe )
+1
ie =
g v g m vbe
m be
iE =
re =
T.M.Almeida
iE = I E + ie
re =
vbe vBE
1
=
iE
ie
gm
1
gm
iE
vBE
Maio de 2008
22
Modelo para sinais fracos (incremental)

Circuito equivalente do TJB

modelo linear que caracteriza o funcionamento do TJB na zona activa

vlido para sinais fracos (pequenas variaes das grandezas em torno do
ponto de funcionamento em repouso)
Modelo incremental com fonte de corrente controlada por

Tenso:
Corrente:
gm =
T.M.Almeida
IC
VT
r =
gm
re =
1
gm
Modelo
mais
utilizado
Maio de 2008
Maio de 2008
23
Circuitos amplificadores
Circuito Seguidor de Emissor

obter no emissor uma rplica do sinal de entrada
ganho unitrio
impedncia de entrada elevada
impedncia de sada baixa
aplicao isolar o gerador da carga

Circuito de Emissor-comum (Amplificador de Tenso)

obter no colector uma rplica (invertida) amplificada do sinal de entrada
ganho maior do que 1 (em mdulo)
inverte o sinal de entrada
aplicao amplificar o sinal de entrada

T.M.Almeida
Maio de 2008
24
Seguidor de Emissor
Ganho de tenso unitrio

VCC
vI = VI + vi
iC
iB
+
vI
-
vO = vI VBEon
iE
RE
+
vO
-
Av =
VO = VI VBEon
vo = vi
vi
vo
Vi
vo vO vE
=
=
=1
vi vI vB
VCC
Impedncia de entrada
iC
v
RI = I
iI
iI
vI = vE = RE iE = RE ( + 1) iB = RE ( + 1) iI
RI = ( + 1) RE

T.M.Almeida

iB
iE
+
vI
-
RE
+
vO
-
RI
Maio de 2008
25
Seguidor de Emissor
Impedncia de sada
VCC
iC
eliminada entrada vI
RB resistncia devida polarizao
v
RO = O
iO = iE
iO
vO = vE = vB = RB iB
i
iB = E
+1
RO =
iB
RB
R
RB
+1
T.M.Almeida
isolar gerador de sinal (vG,RG) da carga RL
+
vO
-
RO
Aplicao isolador (buffer)

Av = 1
RI elevada
RO baixa
Maio de 2008
26
Seguidor de Emissor
iO
iE
uma possvel sequncia de passos para dimensionar o
circuito de polarizao pode ser:
1) escolher valor da corrente IC (ou ento IE)
2) escolher valor de VCE
(para se ficar a meio da caracterstica de transferncia)
3) escolher RC e RE (admitindo IE=IC)
VCC = VCE + (RC+RE) IE
4) calcular VB para garantir VBE0,7V (VBEon)
5) considerar que IR1,IR2>>IB, ou seja, IR1=IR2
6) obtm-se a equao de um divisor de tenso
VB =
R2
VCC
R1 + R2
I R1 = I R 2 =
VCC
R1 + R2
7) escolher os valores de R1 e R2 para que IR1=IR2 > 10 IB

T.M.Almeida
Este circuito
no nico.
Podem ser
usados outros
circuitos diferentes deste!
Maio de 2008
27
Amplificador de Tenso (Emissor-comum)

VCC
Amplifica (e inverte) o sinal de entrada

entrada na base
sada no colector
emissor comum entrada
e sada
RC
+
vI
-
Ganho de Tenso
Av =
vo vO
=
vi vI
vE = vB
Av =

T.M.Almeida
RC
RE
iC
iB
iE vO
RE
-
vC
vB
Av =
iE =
vE
iC
RE
vC = RC iC
vC = RC
vB
RE
ganho de tenso controlado por RC e RE
se RE=0 o ganho seria infinito Na prtica o ganho sempre finito!

1
re =
TJB tem resistncia de emissor intrnseca, re, finita!
gm
Maio de 2008
28

VCC

usar o modelo incremental do TJB para calcular Rin

B iin
+
r
ic
ib
vin
Rin =
vin vIN
=
iin iIN
vin = r ib + RE ie
( + 1) RE >> r
T.M.Almeida
iB
C
+
vI
-
ib
E
RE
-
RC
iC
iE vO
RE
-
RC
ie
Rin
ib = iin
vin = r + ( + 1) RE iin
ie = ib + ib
Rin ( + 1) RE
Rin = r + ( + 1) RE
Rin = ( + 1) RE
Maio de 2008
29

VCC
Impedncia de sada

usar o modelo incremental do TJB para calcular Rout

gerador de entrada eliminado
RC
+
vI
-
Rout =
vout = RC I RC = RC iout
iE vO
RE
v
out = RC
iout
Rout = RC

vout vOUT
=
iout iOUT
KVL r ib + RE ( ib + ib ) = 0 ib = 0
T.M.Almeida
iC
iB
Maio de 2008
30
uma possvel sequncia de passos para dimensionar o
circuito de polarizao pode ser:
1) escolher valor da corrente IC (ou ento IEIC)
2) escolher valor de VC geralmente VC = VCC / 2
(para se ficar a meio da caracterstica de transferncia)
3) calcular RC: VCC = VC - RC IC
4) calcular RE, usando o valor do ganho de tenso Av = - RC / RE
5) calcular VB para garantir VBE0,7V (VBEon): VB = VBE + REIE
6) considerar que IR1,IR2>>IB, ou seja, IR1=IR2
7) obtm-se a equao de um divisor de tenso
VB =
R2
VCC
R1 + R2
I R1 = I R 2 =
VCC
R1 + R2
8) escolher os valores de R1 e R2 para que IR1=IR2 > 10 IB

T.M.Almeida
Maio de 2008
31
Acoplamento entre amplificadores

Acoplamento AC

para no alterar a polarizao dos vrios andares amplificadores

usam-se condensadores de acoplamento entre os amplificadores
condensadores bloqueiam componente DC
em DC o condensador um circuito-aberto
deixam passar a componente varivel (AC) do sinal a amplificar
escolhem-se as capacidades dos condensadores para que nas frequncias de
interesse os condensadores correspondam a curto-circuitos (vlido em
frequncias mdias)
ZC 0
1
C
f = 10kHz
C = 150 F
ZC =
Z C = 0,106 0
T.M.Almeida
Maio de 2008
32
Dependncia da temperatura
Ganho de corrente

depende da corrente IC
aumenta com a temperatura
Tenso vBE
diminui com a temperatura
vBE VT ln
VT =
kT
q
iC
IS
I S (T )
vBE
2mV / C
T
Circuitos de polarizao estabilizada

T.M.Almeida
compensar efeitos da variao da temperatura

RE circuito de polarizao inclui resistncia ligada ao emissor
circuito integrado usar fontes de corrente (feitas com TJBs e resistncias)
Maio de 2008
33
Polarizao estabilizada
Resistncia RE
estabiliza a corrente IE quando h variao da temperatura
Quando a temperatura aumenta

vBE
2mV / C
T
vBE diminui
vBE
iC I S e
VT
iC diminui
iE iC diminui vE = RE iE diminui
VB no se altera
vBE = VB vE aumenta, contrariando o aumento inicial devido temperatura
iE iC fica estabilizada, apesar da variao da temperatura
T.M.Almeida
I R1 , I R 2 >> iB
VB
R2
VCC
R1 + R2
Maio de 2008
34
Efeito de Early
Modelo aproximado (Modelo Ebers-Moll)

TJB real

iC s depende de vBE
vBE
iC I S e
VT
iC = I S e
iC depende de vBE e de vCE

VA tenso de Early (tipicamente 50 100 V)
extrapolando as curvas, encontram-se no ponto vCE = -VA
vBE
VT
vCE
1 +
VA
Efeito de Early

iC aumenta com vCE (vBE constante)

resistncia vista do colector
no infinita
ro 1 =
T.M.Almeida
iC
vCE
VBE
IC
VA
ro =
VA
IC
ro acrescentada no
modelo incremental
Maio de 2008
35
Fonte de Corrente
Usando uma fonte de corrente ligada ao emissor

Fontes de corrente

IE fica imposta pela fonte de corrente

deixa de haver dependncia da temperatura
usadas nos circuitos de polarizao em circuito integrado
estabelecer corrente ICIE estvel
construdas com transstores e resistncias
Exemplo

T.M.Almeida
fonte de corrente simples

transstores so iguais
Q1=Q2
VBE1 = VBE2
I IREF
NPN
PNP
Maio de 2008
36
Espelho de corrente
Fonte de corrente simples espelho de corrente

Conversor V-I

obter uma fonte de corrente a partir da tenso de alimentao do CI

circuito que reproduz uma corrente (consegue espelhar uma corrente)
fonte VCC e resistncia R em srie
equivalente a fonte de corrente com
resistncia em paralelo
permite obter IREF
Conversor I-V
I C1 = I S 1e
Transstor Q1
est sempre na zona activa
est ligado como um dodo (juno BC curto-circuito)
Conversor V-I
T.M.Almeida
VBE 1
VT
VBE 2
VT
IC 2 = I S 2e
Transstor Q2
tem de estar na zona activa (tenso V tem de garantir VCE2 zona activa)
Maio de 2008
37
Espelho de corrente
Fonte de corrente espelho de corrente

I C1 = I S 1e
VBE 1
VT
IC 2 = I S 2e
VBE1 = VBE 2
I S 1 = I S 2 Q1 = Q2
VBE 2
VT
I C1 = I C 2
IB2
Clculo aproximado (anlise ideal)

I I REF
I REF I C1
VCC ( VEE ) = RI REF + VBE1 I REF =

VCC + VEE VBE1

R
escolher R para se ter a IREF desejada para a fonte de corrente
Clculo exacto (anlise real)

finito (no desprezar IB1+IB2)
I REF = I C1 + I B1 + I B 2 = I C1 +
T.M.Almeida
IC2
IB1
desprezando as correntes de base ()
I B1 + I B 2 << I C1
IC1
I C1
IC 2
I=
1
1+
I REF
= 100
I = 0,98 I REF
I I REF
100% = 2%
I REF
Maio de 2008
38
Espelho de corrente
Resistncia de sada (incremental)

substituir TJBs por modelo incremental
fontes DC (VCC e -VEE)

do ponto de vista incremental ficam ligadas massa
porque no tm componente varivel (AC)
ib1 = ib 2 = 0
Rout = r02 =
Rout
T.M.Almeida
VA
IC 2
elevada
Maio de 2008
39
Espelho de corrente mltiplo

Fonte de corrente mltipla

VBE
VT
IC = I S e
corrente de referncia espelhada vrias vezes
todos TJBs tm as bases ligadas VBEref = VBE1 = VBE2 = = VBEN
TJBs so iguais QREF = Q1 = Q2 = = QN ISref = IS1 = IS2 = = ISN
ento ICref = IC1 = IC2 = = ICN IBref = IB1 = IB2 = = IBN (IC=IB)
I REF = I Cref + I Bref + I B1 + I B 2 + ... + I BN

I Cref
I REF = I Cref + (1 + N )
I1 = I 2 = ... = I N =
1+
Bases
todas
ligadas

T.M.Almeida
1
I
N + 1 REF
quanto maior o nmero de TJBs, pior vai ser a relao IK / IREF

Maio de 2008
40
Espelho de corrente melhorado

Compensar o erro introduzido pelas correntes de base

acrescentado um transstor (Q3) fornece as correntes de base

VBE1 = VBE 2
I C1 = I C 2
I
I
=
S1 S 2
I E 3 = I B1 + I B 2
I B1 + I B 2
I B3 =
I E 3 = ( + 1) I B 3
+1
1 I C1 + I C 2
I REF = I C1 + I B 3 = I C1 +
+1
1
I=
1+
I REF

T.M.Almeida
foi possvel reduzir o erro devido s correntes de base

2 / 2 << 2 / (para =100 o erro agora -0,02%)
1
1+
( + 1)
Comparando com a fonte simples

I=
1
1+
I REF
I REF
Maio de 2008
41
Amplificador Diferencial
Circuito amplificador com 2 entradas

tem por objectivo amplificar a diferena entre os sinais de entrada
vO = GD ( v1 v2 )
v1
Sinais de entrada

T.M.Almeida
vC
vD
geralmente v1 v2
v2
v1 e v2 podem decompor-se em 2 parcelas
componente de modo comum (componente simtrica)
v +v
o que comum s 2 entradas
vC = 1 2
2
a mdia dos 2 sinais
componente diferencial (componente anti-simtrica)
vD = v1 v2
a diferena entre os 2 sinais
vD
v1 = vC + 2
v = v vD
C
2
2
Maio de 2008
42
Amplificador Diferencial
Sinal de sada (combinao linear das entradas)

Ganho de tenso
pode ser descrito como a soma de 2 parcelas (teorema da sobreposio)

vO = vO1 + vO 2
sada em funo de v1 e v2
vO = vOC + vOD
sada em funo de vC e vD
GC ganho de tenso de modo comum
calcula-se fazendo v1 = v2
v1 = v2 vD = 0 vO = GC vC
GD ganho de tenso de modo diferencial
calcula-se fazendo v1 = -v2
v1 = v2 vC = 0 vO = GD vD
vO = GC vC + GD vD
GC =
GD =
CMRR relao de rejeio do modo comum

T.M.Almeida
vO
vC
vO
vD
caso ideal GC = 0 CMRR = +

na prtica GC baixo mas GC 0 CMRR +
CMRR =
GD
GC
CMRRdB =
GD
GC
dB
Maio de 2008
43
Par diferencial
Circuito fundamental em microelectrnica

pode ser realizado com TJBs (bipolar junction transistor) ou com outro tipo
de transstores
JFET junction field-effect transistor
MOSFET metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
pode ter carga resistiva ou activa
+VCC
+VCC
resistiva Rs ligadas aos colectores
RC2
RC1
activa so usadas fontes de corrente
vO1
Aplicaes principais

T.M.Almeida
+ vO12 -
amplificao de sinais diferenciais

converso de sinais diferenciais em
v1
sinais no-diferenciais
amplificadores operacionais
andar de entrada 1 andar amplificador
circuitos lgicos (famlia lgica ECL)
vO2
v2
IEE
-VEE
Maio de 2008
44
Par Diferencial com carga resistiva

Amplificador diferencial com BJT

T.M.Almeida
+VCC
+VCC
TJBs directamente acoplados pelo emissor

RC2
RC1
transstores iguais (Q1=Q2)
vO1
Q1 e Q2 no mesmo circuito integrado
+ vO12 vO2
2 fontes de alimentao (+VCC e VEE)
fonte de corrente (IEE)
v1
v2
2 sinais de entrada (v1 e v2)
aplicados nas bases
IEE
sinal de sada (3 possibilidades)
simples no colector de Q1
-VEE
vO1 = vC1
vO1 = vC1 = VCC RC1iC1
simples no colector de Q2
vO 2 = vC 2 = VCC RC 2iC 2
vO2 = vC2
vO12 = vO1 vO 2
sada diferencial entre os colectores
vO12 = RC1iC1 + RC 2iC 2
vO12 = vO1 - vO2
Maio de 2008
45
Funcionamento em Modo Comum

Modo Comum:
v1 = v2 = vC vD = 0
+VCC
+VCC
h simetria no circuito
RC1
IEE divide-se igualmente por Q1 e Q2
vO1
+ vO12 transstores esto na zona activa
I
iE1 = iE 2 = EE
=
iC = iE
2
+1
vC
I EE
I EE I EE
iC1 = iC 2 =
=
+1 2
2
2
IEE
>> 1 1
-VEE
correntes so independentes do sinal de entrada
circuito no responde componente de modo comum das entradas
RC2
vO2
vC
RC1 = RC 2 = RC
I
vO1 = vO 2 = VCC RC EE
2
vO12 = vO1 vO 2 = 0
T.M.Almeida
vO1 = vO 2 VCC RC
I EE
2
vO12 = 0
Maio de 2008
46
Funcionamento em Modo Diferencial

Modo Diferencial: v1 = -v2 = vD/2

vC = 0
v1 = +1,5V e v2 = -1,5V
Q1est na zona activa
Q2 est cortado
toda a corrente passa em Q1
iE1 = I EE
iC1 = I EE I EE
+VCC
+VCC
h anti-simetria no circuito
vx = 0 (teorema da sobreposio)
RC2
RC1
vO1
+ vO12 -
vO2
vD
2
vO1 = VCC RC I EE VCC RC I EE

vO12 = RC I EE RC I EE
, vO 2 = VCC
IEE
-VEE
v1 = -1,5V e v2 = +1,5V
vD
2
Q1 est cortado, Q2 est na zona activa, toda corrente passa em Q2
Corrente passa em Q1 ou Q2 consoante polaridade de vD

Modo puramente diferencial (vC=0): obtm-se sada diferencial
T.M.Almeida
Maio de 2008
47
Caracterstica de Transferncia
Funcionamento em modo diferencial (v1 = -v2 = vD/2 vC = 0)

iC1 = I S 1e
vBE 1
VT
Q1 = Q2
iC1
=e
iC 2
iC 2 = I S 2 e
RC1
I S1 = I S 2 = I S
vBE 1 vBE 2
VT
=e
vO1
vD
VT
iC1 + iC 2 = I EE
iE1 + iE 2 = I EE
+VCC
+VCC
vBE 2
VT
vD
2
iC2
iC1
+ vO12 -
iE2
iE1
RC2
vO2
vD
2
IEE
iC 2 =
I EE
1+ e
iC1 =
-VEE
vD
VT
I EE
1+ e
T.M.Almeida
zona linear
|vD| < 2VT 50mV
vD
VT
Maio de 2008
48
Caracterstica de transferncia: vO12(vD)

I EE
iC1 =
v
D
VT
iC 2 =
1+ e
vO1 = VCC RC1iC1
vO1 = VCC RC1
I EE
vD
VT
1+ e
vO 2 = VCC RC 2iC 2
I EE
1+ e
vO 2 = VCC RC 2
vD
VT
I EE
1+ e
vD
VT
e x e x
RC1 = RC 2 = RC
tanh x = x x
e +e
v
v
vO12 = I EE RC tanh D vO12 I EE RC tanh D
2VT
2VT
T.M.Almeida
zona linear
|vD| < 2VT 50mV
Maio de 2008
49
Na prtica a zona linear considera-se para |vD| < 10mV

zona linear muito estreita
apenas permite a amplificao de sinais vD muito pequenos

Caracterstica de transferncia aproximada

aproximao vlida na zona linear
1
RC1 = RC 2 = RC
VCC
vO1
vO2
VCC-RCIEE/2
I EE = iE1 + iE 2 iC1 + iC 2
do ponto de vista incremental
preciso considerar re (resistncia
intrnseca vista do emissor)
V
2V
1 VT
re =
=
= T = T
g m I C I EE 2 I EE
pode
I
v
obter-se iC1 = EE + D
2 2re
T.M.Almeida
VCC-RCIEE
RCIEE
vO12
0 2VT 4VT 6VT
iC 2 =
I EE vD
2 2re
vD
RCIEE
Maio de 2008
50
Caracterstica de transferncia aproximada
I
v
vO1 = VCC RC EE + D
2 2re
I
v
vO 2 = VCC RC EE D
2 2re
vO12 =
Limites de validade da aproximao considerada

quando o par diferencial est desequilibrado
vO1
Q1 conduo, Q2 cortado
iC1 = I EE , iC 2 = 0 vD = re I EE = 2VT
RC
vD
re
VCC
vO2
VCC-RCIEE/2
Q2 conduo, Q1 cortado
iC 2 = I EE , iC1 = 0 vD = re I EE = 2VT
Como aumentar a zona linear, para

se poder amplificar sinais maiores?

T.M.Almeida
VCC-RCIEE
acrescentar resistncia em srie com o emissor

como consequncia o ganho do circuito diminui
RCIEE
vO12
0 2VT 4VT 6VT
vD
RCIEE
Maio de 2008
Par Diferencial com degenerao de emissor

Acrescentadas resistncias em srie com os emissores

considerando as equaes anteriores

basta substituir re por re+RX
Alteraes introduzidas por RX

zona linear aumenta

podem ser amplificados sinais vD de
amplitude mais elevada
distoro no sinal de sada diminui
ganho diferencial diminui (declive diminui)
impedncia de entrada aumenta
com RX
RX mais elevada
zona linear estende-se mais
i
T.M.Almeida
VT
I EE
RX
RX
IEE
sem RX
iC1
C2
Exemplo
RX = 40
vD < 20VT = 0,5V
2VT 4VT 6VT
Amplificador Operacional com BJT

51
vD
Maio de 2008
52
Exemplo: AmpOp com 4 andares de amplificao

T.M.Almeida
Q1-Q2
par diferencial
sada diferencial
Q4-Q5
par diferencial
sada simples
Q7
amplificador tenso
emissor comum
Q8
seguidor emissor
Q9,Q3,Q6
fonte de corrente
mltipla
Maio de 2008
53
Modelos Equivalentes
Sinais fortes (large signal model)

caracterstica de transferncia vo12(vD)
RCIEE
vO12
v
vO12 I EE RC tanh D
2VT
vD
0 2VT 4VT 6VT

RCIEE
Sinais fracos (small signal model)

vd = vD
vc = vC
vo1 = vO1 vo 2 = vO 2
vo12 = vO12
modelo incremental (vlido para pequenas variaes do sinal de entrada)

anlise do circuito (funcionamento dinmico linear)
TJB substitudo pelo seu modelo incremental
Fontes de tenso VCC e VEE
substitudas por curto-circuito ( massa)
Fonte de corrente IEE
fonte ideal substituda por circuito aberto (REE=+)
fonte real substituda pela sua resistncia interna (REE+)

T.M.Almeida
Maio de 2008
54
Modo Diferencial
Ganho de Modo Diferencial

definido relativamente a cada uma das sadas

v
v
v
v
v vO 2 vO12 vo12
Gd 1 = O1 = o1 Gd 2 = O 2 = o 2
Gd = O1
=
=
vD vd
vD
v D
vD
vd
vd
entrada diferencial
v1 =
VCC
VCC
RC1
RC2
vo1
Vd
2
RX
-VEE
RX
IEE,REE
v1 + v2
= 0 = vc
2
v1 v2 = vd
VCC
vo2
T.M.Almeida
vd
2
RC2
vo1
v2 =
VCC
RC1
vd
vd
2
vo2
vX=0
RX
Vd
2
RX
IEE,REE
-VEE
Maio de 2008
55
Modo Diferencial

basta fazer a anlise de um circuito de emissor comum para obter o ganho
vd
= r ib + RX ( + 1) ib
2
vo1 = RC1 ib
RC1 = RC 2 = RC
vo1
RC1
RC
Gd 1 = v = 2 r + ( + 1) R 2 R
d
X
X
RC 2
RC
G = vo 2 = +
+
d 2 vd
2 RX
2 r + ( + 1) RX
RC1
v
R
Gd = o12 =
C
vd
r + ( + 1) RX
RX
T.M.Almeida
Gd =
RC
RX
Gd 1 = Gd 2 =
RC
2 RX
Maio de 2008
56
Modo Diferencial
Quando no h degenerao de emissor (RX=0)

considera-se a resistncia intrnseca vista do emissor (re)
substituir RX por re nas equaes do ganho
I EE
VT
VT
2VT
RC
RC
G
=
R
r
=
=
d
C
Gd =
Gd 1 = Gd 2 =
e
2VT
I C I EE 2 I EE
re
2re
impedncia vista pelo gerador de tenso vd ligado entre as 2 entradas
Rid = 2 r + ( + 1) RX
Rid = 2r
( RX
= 0)
Impedncia de sada

T.M.Almeida
impedncia vista da sada simples

sada num dos colectores
impedncia vista da sada diferencial
Ros = RC
Rod = 2 RC
Maio de 2008
57
Modo Comum
Ganho de Modo Comum

definido relativamente a cada uma das sadas
Gc1 =
vO1 vo1
=
vc
vC
Gc 2 =
entrada comum
vO 2 vo 2
=
vc
vC
VCC
VCC
RC1
VCC
RC1
RC2
vo1
vO1 vO 2 vO12 vo12

=
=
vc
vC
vC
v1 v2 = 0 = vd
v1 = v2 = vc
VCC
Gc =
RC2
vo1
vo2
vo2
vc
IX=0
RX
+
RX
vc
-
T.M.Almeida
vc
RX
IEE,REE
IEE/2
2REE
IEE/2
2REE
-VEE
-VEE
RX
-VEE
Maio de 2008
58
Modo Comum
Ganho de Modo Comum

basta fazer a anlise de um circuito de emissor comum para obter o ganho
vc = r ib + ( RX + 2 REE )( + 1) ib
vo1 = RC1 ib
RC1 = RC 2 = RC
REE >> RX
Gc1 = Gc 2 =
RC1
vo1
=
vc
r + ( + 1)( RX + 2 REE )
Gc1 = Gc 2
RC
2 REE
Gc =
vo12
=0
vd
T.M.Almeida
vista pelo gerador de tenso vc

ligado s 2 entradas
Gc1 = Gc 2 =
RC
2 REE
Gc = 0
1
r + ( + 1)( RX + 2 REE )
2
Ric ( + 1) REE
Ric =
Maio de 2008
59
Relao de Rejeio de Modo Comum

CMRR sada diferencial

G
CMRR = d = +
se par diferencial for perfeitamente simtrico
Gc
I EE
Gc = 0
Gd = RC
2VT
na prtica existem sempre assimetrias CMRR finita mas muito elevada
CMRR sada num dos colectores

Gc1 = Gc 2
T.M.Almeida
Gd 1 = Gd 2 =
RC
2re
CMRR =
REE I EE
2VT
Gd 1
G
R 2r
R
REE
R I
= d 2 = C e = EE =
= EE EE
2VT I EE
2VT
Gc1
Gc 2
RC 2 REE
re
CMRR =
RC
2 REE
projecto para CMRR elevada

garantir simetria no par diferencial
fonte de corrente com resistncia interna elevada (espelho de corrente)
resistncia RX baixa (quando h degenerao do emissor)
Maio de 2008
60
Par Diferencial com Espelho de Corrente

Fonte de corrente

realizada com espelho de corrente

resistncia de sada da fonte de corrente elevada (REE = ro)
CMRR =
VCC
REE I EE
2VT
REE = ro =
VCC
RC1
VA
IC
I EE = I C = I REF
VCC
vo1
IREF
V + VEE VBEon
= CC
RREF
RC2
vo2
v1
v2
RREF
RX
V
CMRR = A
2VT
IEE
RX
REE
VA = 100V
VT = 25mV
CMRR = 2000
T.M.Almeida
CMRRdB = 66dB
-VEE
Maio de 2008

TCFE07082 10 Analise Circuitos TJB

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1

Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrnica

Anlise de Circuitos com

Transstores de juno bipolares

o transstor como amplificador

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Transstor de juno bipolar

TJB - transstor de juno bipolar

fabricado com material semicondutor (silcio)

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Transstor de juno bipolar

constitudos por 3 regies de material semicondutor

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Transstor de juno bipolar

Aplicao das leis de Kirchhoff

Sentidos/polaridades convencionais das correntes/tenses

KVL tenses entre terminais (circular entre terminais)

vBC + vCE vBE = 0

vEB vCB vEC = 0

PNP mesmas equaes que PNP sentidos / polaridades trocados

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Regies de funcionamento do TJB

modos de funcionamento do TJB de acordo com polarizao das junes pn

Porta lgica NOR

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

TJB cortado (no conduz)

2 junes inversamente polarizadas

circuito aberto entre todos os terminais

Na prtica considera-se o TJB cortado

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

TJB conduz (iC > 0 e iB > 0)

vBE = VBEON ( 0,5V 0, 7V )

Ganho de corrente (hFE)

elevado clculo aproximado

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

TJB conduz (iC > 0 e iB > 0)

2 junes directamente polarizadas

as correntes so determinadas pelo circuito exterior

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Equaes escritas para NPN

vBE < VBEON

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Exemplo de aplicao NPN

Calcular tenses e correntes

hiptese: considerar TJB na zona activa

confirmada a hiptese de zona activa

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Exemplo de aplicao PNP

Calcular VC sabendo que VB=1V e VE=1,7V

PNP sentidos das correntes so invertidos relativamente a NPN

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Calcular correntes e tenses para diferentes sinais de entrada

VIN = VB = {0V,+4V, +6V}

hiptese: zona activa

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Exemplo de aplicao (cont.)

Calcular correntes e tenses para diferentes sinais de entrada

hiptese: zona activa

VC < VB juno BC no pode estar inversamente polarizada

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Exemplo de aplicao (cont.)

Calcular correntes e tenses para diferentes sinais de entrada

TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

Exemplo de aplicao (cont.)