Gua

Introductoria
Transistores BJT

Aux. Doc. Gregory A. Molina M.

Universidad Central de Venezuela
Facultad de Ingeniera
Escuela de Ingeniera Electrica
Departamento de Electronica, Computacion y Control

Caracas, 2013

INDICE GENERAL
1. Nociones b
asicas sobre transistores BJT

1.1. Lnea de carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2. Amplificacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.1. Base com

un . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.2. Colector Com

un . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.3. Emisor com

un . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3. Ecuaciones fundamentales en DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11

1.3.1. Ejemplo resuelto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11

1.4. Terminologa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

13

1.4.1. Tipo (Type) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

13

1.4.2. Valores Maximos (Maximum Ratings)

. . . . . . . . . . . . .

13

1.4.3. Caractersticas Termicas (Thermal Characteristics) . . . . . .

14

1.4.4. Caractersticas en modo Off . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

15

1.4.5. Caractersticas en modo On . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

15

1.4.6. Caractersticas a Peque

na Se
nal (Small-Signal Characteristics)

16

1.4.7. Caractersticas de Conmutacion (Switching Characteristics)

16

2. Polarizaci
on de transistores BJT

18

2.1. Polarizacion positiva y negativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

18

2.2. Polarizacion simetrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

21

3. Modelos del transistor en presencia de se

nales

22

3.1. Zonas de operacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

22

3.2. Modelo a peque

na se
nal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

24

3.3. Modelo de amplificador completamente cargado . . . . . . . . . . . .

25

3.3.1. Impedancias en los terminales . . . . . . . . . . . . . . . . . .

28

3.3.2. Ganancias de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

28

4. Conexi
on en Cascada

30

4.1. Ejemplo con dos etapas amplificadoras . . . . . . . . . . . . . . . . .

5. Aplicaciones de los transistores BJT

32

35

5.1. Amplificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

35

5.2. Conmutacion y circuitos digitales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

36

5.2.1. Ejemplo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

36

5.3. Amplificadores de audio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

38

A. Uso de las hojas de datos

40
ii

A.1. Parametros hbridos

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

40

A.2. Parametros electricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

41

B. Determinaci
on de par
ametros h, VBE y
B.0.1. Ejemplo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

C. M
etodos de simulaci
on

43
43

47

C.1. Simuladores SPICE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

47

C.2. Limitaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

48

iii

1.

Nociones b
asicas sobre transistores BJT

La estructura mas simple del transistor es mostrada en la figura 1. Este transistor

esta compuesto por un bloque semiconductor tipo n, el cual es llamado la base del
transistor. A los lados de este bloque hay dos regiones delgadas de semiconductor
tipo p, los cuales son llamados emisor y colector. Las conexiones metalicas son
hechas en el emisor, base y colector.

Figura 1: Estructura basica de un transistor

La figura muestra una distorsion considerable de la verdadera forma de un transistor tpico. En situaciones normales la base es de pocas milesimas de pulgada de
espesor y de pocas decenas de pulgada en las otras dos direcciones. Existe una diferencia de tama
no entre el emisor y el colector; el colector es mas grande.

1.1.

Lnea de carga

Considerese un dispositivo de 2 terminales con una caracterstica V-I no lineal

como el mostrado en la figura 2a. Utilizando las leyes de Kirchhoff se obtiene la
siguiente ecuacion:
V (I) = E RI
(1)
La expresion 1 es analoga a resolver la ecuacion y(x) = mx + b cuya solucion
evidente es la interseccion de las curvas y = y(x) con y = mx + b. V (I) es la
4

V
I

V (I)

V (I)

R
I
(a)

(b)

(c)

Figura 2: Un elemento lineal y uno no lineal en serie.

caracterstica del elemento no lineal, mientras que E = V (I) + RI es una recta cuyos
puntos de corte a los ejes son los puntos A en el eje de las abscisas y el B en el eje
de las ordenadas.
V
V (I)

B
(VQ , IQ )
E

B0
A0
A
I
E
R

Figura 3: Punto de operacion.

Los puntos extremos A y B se pueden hallar de la siguiente forma:

Para I = 0 sustituyendo en 1 V = E.
Para V = 0 sustituyendo en 1 I =

E
.
R

La interseccion entre ambas curvas se conoce generalmente como punto de operacion y es denotado por (VQ , IQ ) (figura 3).
5

Suponiendo que se agregase un tercer terminal el cual controle la caracterstica

V-I del dispositivo en funcion, por ejemplo, de una corriente de control iT ; como
consecuencia se genera una familia de curvas V-I. La recta de carga se mantiene,
pues es independiente de la curva V-I del dispositivo, sin embargo la solucion (VQ , IQ )
depende del valor de iT , como se observa en la figura 4.
V

iT 4

iT 3
(VQ , IQ )

B0

iT 2
iT 1
A
I

A0

Figura 4: Variacion del punto de operacion en un dispositivo de tres terminales.

1.2.

Amplificaci
on

Los amplificadores son los bloques mas importantes en la electronica analogica.

Son dispositivos con dos terminales de entrada y dos terminales de salida. El principal
objetivo de la descripcion de un amplificador es separar sus efectos, la relacion entre
la entrada y salida, de los detalles internos del amplificador.

entrada

Amplificador

salida

Figura 5: Configuracion basica de un amplificador.

El amplificador es tratado como una caja negra descrita por un n

umero relativamente peque
no de parametros. La salida del amplificador es de alguna manera
funcion de la entrada. En el caso mas simple, la salida es una funcion lineal de la
entrada, es decir, la salida es proporcional a la entrada. El amplificador puede responder de manera diferente a entradas AC o DC, de hecho, puede que solo responda
a alguno de los dos.
La respuesta del amplificador puede ser una funcion sumamente sensible a la
frecuencia de la se
nal de entrada. Los parametros mas importantes de un amplificador
son la ganancia, su impedancia de entrada, impedancia de salida y su respuesta en
frecuencia. En el captulo 3 se discutira con mas detalle los tres primeros; El analisis
de la respuesta en frecuencia sera estudiado en un curso de Electronica II.
En los amplificadores compuestos por transistores BJT se pueden encontrar tres
configuraciones basicas: base com
un, colector com
un y emisor com
un.

1.2.1.

Base com
un

Los amplificadores de base com

un presentan un impedancia de entrada muy baja.
Por consiguiente, su uso se restringe principalmente a aplicaciones de amplificacion
de tension de se
nales de audio.
Esta configuracion presenta una resistencia de entrada muy baja, una ganancia de
corriente aproximadamente igual (pero menor) a la unidad, una ganancia de voltaje
de circuito abierto positiva y de igual magnitud que el amplificador de emisor com
un
y una impedancia de salida relativamente alta.
La configuracion de base com
un por s sola no es atractiva como amplificador
de voltaje excepto para aplicaciones especializadas. Posee un excelente desempe
no a
alta frecuencia.

VCC

RC
RB

Co
C
Ci

Rs
RL

E
Vs

RE

Figura 6: Circuito base com

un.
1.2.2.

Colector Com
un

Esta configuracion se conoce tpicamente como seguidor de emisor. Es un

circuito muy importante que encuentra aplicacion frecuente en el dise
no de amplificadores. A diferencia de los circuitos emisor com
un y base com
un, el circuito seguidor
de emisor posee una impedancia de entrada que depende de la impedancia de carga
RL y la impedancia de salida depende de la resistencia de la se
nal Rs . Por tanto, se
debe tener cuidado al caracterizar el seguidor de emisor.
La principal caracterstica de esta configuracion es su ganancia de voltaje cercana
a la unidad y su principal aplicacion es como amortiguador de voltaje para conectar
una fuente de alta resistencia a una carga de baja resistencia (por ejemplo una etapa
de salida de un amplificador de audio).

VCC

RB
C

Rs
Ci

Co

B
E

Vs

RE

RL

Figura 7: Circuito seguidor de emisor o colector com

un.
1.2.3.

Emisor com
un

Esta configuracion es la mas frecuente en los circuitos amplificadores BJT. Para

establecer una tierra de se
nal en modo AC se conecta un condensador CE . Este
condensador se requiere para proveer una impedancia muy baja a tierra (idealmente
cero, un cortocircuito). De esta manera la corriente de se
nal del emisor pasa por
CE a tierra y, por tanto, evita la resistencia de salida de la fuente de corriente I (y
cualquier otro componente de circuito que pudiera estar conectado al emisor); por
tanto CE se llama condensador de derivaci
on. Es evidente que mientras menor
sea la frecuencia de la se
nal, menos efectivo es el condensador.
Con el fin de no alterar las corrientes y voltajes de polarizacion DC, la se
nal por
amplificar, mostrada como fuente de voltaje Vs con una resistencia interna Rs , se
conecta a la base por medio de un condensador Ci denominado condensador de
acoplamiento, el cual cumple la funcion de cortocircuito perfecto a las frecuencias
de se
nal de inter
es mientras bloquea la DC. En el curso de Electronica II se
estudiara el efecto que tiene el valor de capacitancia de estos condensadores en la
respuesta el frecuencia del amplificador.
9

VCC

RC

RB

Co
C

Rs
Ci

B
RL

Vs

RE

CE

Figura 8: Circuito emisor com

un con condensador de derivacion.
VCC

RC
RB

Co
C

Rs
Ci

B
RL

Vs

RE

Figura 9: Circuito emisor com

un con resistencia de emisor.
Incluir una resistencia en la trayectoria de la se
nal entre emisor y tierra (o eliminar
el condensador CE ) puede llevar a cambios importantes en las caractersticas del
amplificador. Por tanto, el dise
nador puede utilizar el resistor como una herramienta
de dise
no efectiva para ajustar las caractersticas del amplificador a los requerimientos
10

de dise
no. Sus efectos se relacionan con la realimentacion negativa, cuyo estudio mas
detallado forma parte de los contenidos de los cursos de Electronica II y Sistemas de
Control I.

1.3.

Ecuaciones fundamentales en DC

Para el analisis y dise

no de circuitos con transistores BJT es necesario trabajar
con las siguientes ecuaciones:
IE = IB + IC
(2)
IC = IB

(3)

Donde IB , IC e IE son las corrientes de base, colector y emisor en DC. Si se asume

un valor de grande (mayor que 100) se puede suponer que:
IC IE

1.3.1.

(4)

Ejemplo resuelto

Utilizando el metodo de analisis de mallas, se obtienen las siguientes ecuaciones:

VCC = RC IC + VCE + RE IE

(5)

VCC = RB IB + VBE + RE IE

(6)

Sustituyendo 2 en 3, despejando IE en funcion de IB y sustituyendo en 6 se

obtiene el valor de IC que resulta:
IC =

VCC VBE
( + 1)RE + RB

(7)

Repitiendo el analisis aplicando la aproximacion hecha en 4:

IC0 =

VCC VBE
RE + RB
11

(8)

VCC

RC
RB
C
B
E
RE

Figura 10: Circuito con transistor npn.

Como ejemplo numerico, al asumir = 200, VCC = 12V, VBE = 0,7V, RC = 1k,
RB = 1M y RE = 100 se obtienen los siguientes valores de IC :
IC = 2,216mA IC0 = 2,215mA
Lo que representa una diferencia de aproximadamente 0,05 %. Sin embargo, aunque por motivos de simplicidad la ecuacion 4 puede ser usada, es importante recordar
que las ecuaciones que describen correctamente las relaciones entre las corrientes del
transistor son 3 y 2. Despejando VCE de la ecuacion 5 y sustituyendo los valores
numericos dados se obtiene, para cada caso:
0
VCE = 9,561V VCE
= 9,564V

Lo que equivale a un error de 0,03 %. VCE se obtuvo despejando la ecuacion

5 usando la aproximacion descrita en 4. Notese que para este caso se asumio un
= 200; si se considera un valor mas peque
no de (por ejemplo = 10, valor com
un
para un transistor en estado de saturacion) la aproximacion deja de ser valida.
12

1.4.

Terminologa

Al igual que con el resto de los componentes electronicos, una amplia variedad
de parametros puede ser usado para describir las capacidades de un transistor:

1.4.1.

Tipo (Type)

El tipo de transistor es usualmente descrito en dos partes; esta descripcion indica

el uso para el cual el transistor esta destinado (alta frecuencia, alta potencia, peque
na
se
nal, conmutacion, etc.) y su estructura, ya sea npn, pnp o alguna clase de estructura
FET (JFET, MOSFET); quizas alguna breve indicacion del proceso de fabricacion
o indicacion del tama
no y tipo de encapsulado.

1.4.2.

Valores M
aximos (Maximum Ratings)

A menudo se proporcionan varios valores maximos del dispositivo, entre ellos

estan la m
axima tensi
on colector-emisor, la tensi
on m
axima colector-base y
la m
axima tensi
on emisor-base. Estas son las tensiones maximas que el transistor
puede soportar sin comprometer su integridad fsica.
La informacion acerca de la corriente m
axima de colector soportada por el
transistor tambien se indica en la hoja de datos del fabricante del dispositivo. Rara
vez se indicara un valor maximo de la corriente de base o emisor. La disipaci
on
m
axima de potencia tambien se especifica. Frecuentemente se indican dos o mas
temperaturas y puede inclusive incluir una grafica de potencia maxima versus temperatura. Para dispositivos de alta potencia esto puede depender de la naturaleza
del disipador de calor y de las tecnicas de ventilacion usadas.

13

Figura 11: Diversos tipos de transistores de acuerdo a su encapsulado.

1.4.3.

Caractersticas T
ermicas (Thermal Characteristics)

El rango de temperaturas de operaci

on y de almacenaje da el rango de
temperaturas en el cual el transistor puede ser usado y almacenado. Puede que exista
alg
un tipo de especificacion acerca de que tanto calor pueden soportar los terminales
del dispositivo sin da
nar la union; esto es de especial interes si el transistor va a ser
soldado en el circuito.
Para los transistores usados con la finalidad de manipular potencias menores (los
transistores de baja potencia pueden manejar menos de 100mW), la informacion
acerca de la resistencia termica se especifica generalmente en la hoja de datos. El
parametro mas com
un es la resistencia t
ermica, uni
on a ambiente, el cual tiene

unidades de C/mW o C/mW y es usado para calcular el aumento de temperatura

como funcion de la potencia disipada. Para transistores de alta potencia esta informacion se expresa en terminos del calor perdido en varios tipos de disipadores de
calor solidos.

14

Figura 12: Disipador usado para transistores de potencia.

1.4.4.

Caractersticas en modo Off

Varios parametros que describen el transistor en su estado de corte son dados

en la hoja de especificaciones; entre ellos estan la tensi
on de ruptura colectoremisor, la tensi
on de ruptura colector-base y la tensi
on de ruptura emisorbase. Estos son los voltajes a los cuales las uniones se romperan. Estas tensiones son
a menudo especificadas en los valores maximos. Frecuentemente se dan tambien los
valores de la corriente de cierre de colector y la corriente de cierre de emisor.
Estas son las corrientes que fluyen en sentido inverso de las uniones polarizadas.

1.4.5.

Caractersticas en modo On

Un significante n
umero de parametros describe al transistor en la zona activa.
Entre estos estan la ganancia de corriente DC (representado por la letra griega
). Como su nombre lo indica, es medido en DC. Una especificacion completa incluye

15

los voltajes entre los varios elementos cuando el transistor es llevado a saturacion.

1.4.6.

Caractersticas a Peque
na Se
nal (Small-Signal Characteristics)

Dependiendo del uso para el cual esta destinado el transistor, puede que exista
uno o varios parametros definidos. La ganancia de corriente a peque
na se
nal es
comparable al parametro hf e . El valor y las especificaciones de prueba pueden ser o no
los mismos que para la ganancia DC. La ganancia de corriente en alta frecuencia
es el valor de hf e con especificaciones sobre los voltajes, corrientes y frecuencia a las
cuales la medicion fue hecha. Esto puede ser usado como un indicador del desempe
no
del transistor en altas frecuencias. El producto ganancia de corriente-ancho
de banda fT es otra manera de especificar las capacidades del transistor en alta
frecuencia.
Las capacitancias de entrada y capacitancias de salida son los valores de
las capacitancias parasitas entre la union base-emisor y la union base-colector. Son
necesarias para trabajar en alta frecuencia.
Finalmente, es posible que se suministre informacion mediante una figura de
ruido de alguna naturaleza, necesario en el dise
no de circuitos destinados a aplicaciones que requieren bajo ruido.

1.4.7.

Caractersticas de Conmutaci
on (Switching Characteristics)

Varios parametros se utilizan para describir como el transistor reaccionara cuando es usado en situaciones donde es conmutado entre los estados de saturacion y
corte. Entre estos estan el tiempo de retardo, el cual es una medida del tiempo
despues de que un cambio tiene lugar en la entrada del circuito transistorizado. Este
parametro esta relacionado con el tiempo que tardan las cargas en recorrer varios de
los elementos del transistor. El tiempo de alza mide la rapidez a la cual la corriente
de colector se incrementa.
16

Si el transistor es llevado de corte a saturacion y repentinamente apagado, la

corriente de colector no comienza a decrecer por un periodo de tiempo que es determinado por el tiempo que tardan las cargas almacenadas en la estructura emisor-base
en propagarse. El tiempo de almacenamiento es una medida de este tiempo. Los
transistores son raramente simetricos, pues la corriente de colector puede a menudo
incrementarse mas rapido de lo que puede decrecer y viceversa. El tiempo de cada
es una medida de la rapidez a la cual la corriente de colector decrece desde su estado
inicial hasta su estado final.

17

2.

Polarizaci
on de transistores BJT

La polarizacion de transistores se refiere a la alimentacion de los mismos para que

cumplan una determinada funcion (amplificacion, conmutacion, etc.). Un transistor
mal polarizado no logra cumplir con la funcion para la cual esta dise
nado, por lo que
se puede considerar este aspecto como vital para el correcto funcionamiento de un
circuito transistorizado.

2.1.

Polarizaci
on positiva y negativa

Esta polarizacion consiste principalmente en una fuente de tension positiva (con

referencia al terminar de tierra) conectada al transistor, cuya posicion vara dependiendo del tipo de transistor (figuras 13a y 13b).
VCC

RC
RB

RC
RB
C

C
B

RE

RE

VEE
(a) npn.

(b) pnp.

Figura 13: Polarizacion positiva.

Esta es tal vez la polarizacion mas com

un en los circuitos electronicos. Un ejemplo
18

tpico del uso de polarizaciones positivas son los circuitos digitales, los cuales manejan
una tension de 5V.
El criterio de la polarizacion consiste en hacer que el transistor funcione en la
zona lineal, por lo que se debe cumplir para la corriente de malla que entra a la
base del transistor npn (o sale del transistor pnp) que debe ser distinta de cero. Sin
embargo, se puede dar el caso de una polarizacion que cumpla con criterios distintos,
tales como el uso de las zonas de corte y saturacion, en vez de la zona lineal (circuitos
digitales, drivers de corriente, etc).
Es necesario recordar ademas que la polarizacion correcta del transistor depende
del sentido de corriente definido por la polaridad de la tension base-emisor (positiva
para npn y negativa para pnp) cuyo comportamiento recuerda al diodo (figuras 14a
y 14b. Tpicamente, para efectos de dise
no de circuitos transistorizados, la tension
base-emisor tiene como valor 0,7V. Sin embargo es imperativo obtener dicho valor
de la hoja de datos del fabricante para realizar un dise
no mas preciso.

VCC

RB

VCC

RB

B
E
RE ( + 1)

RE

(a)

(b)

Figura 14: Analoga de la polarizacion del transistor npn con un diodo.

Despejando IB en funcion de IC mediante la ecuacion 3 y sustituyendo IC por la

19

expresion obtenida de la ecuacion 7 se obtiene:

IB =

VCC VBE
( + 1)RE + RB

(9)

Lo que es similar a realizar el calculo de la corriente en la malla presente en el

circuito de la figura 14b.
La polarizacion negativa es complementaria a la anterior, tiene la misma funcion
y la principal diferencia recae en la polaridad de dicha fuente con referencia a la
tierra del circuito.
VCC
RC
RB
C

RC
RB
C

RE

RE

VEE
(a) npn.

(b) pnp.

Figura 15: Polarizacion negativa.

Observese la dualidad existente entre las figuras 13a y 13b, as como las figuras
15a y 15b.

20

2.2.

Polarizaci
on sim
etrica

La polarizacion simetrica es ampliamente usada en circuitos transistorizados destinados a aplicaciones de amplificacion de se

nales. Se trata de una combinacion de
polarizacion positiva y negativa.
Un ejemplo de aplicacion de la polarizacion con ambas fuentes, positiva y negativa, es el amplificador de potencia clase B, el cual posee dos transistores; uno
introduciendo corriente a la carga cuando la entrada es positiva y el otro extrayendo
corriente cuando la entrada es negativa, por lo que se dice que el circuito opera en
un modo de configuracion simetrica de doble efecto (push pull).
VCC

VCC

vI

vO

Co
vI

vO

RL

RL

VCC
(a) Alimentaci
on simetrica.

(b) Alimentacion asimetrica.

Figura 16: Amplificador clase B.

Sin embargo esta etapa clase B puede ser operada por una sola fuente de potencia,
en cuyo caso la carga se acopla capacitivamente.

21

3.

Modelos del transistor en presencia de se

nales

3.1.

Zonas de operaci
on

Considerese un transistor npn de una configuracion emisor com

un. Sus caractersticas (IC , VC )IB estan dadas en la figura 17 en el dominio habitual.

Figura 17: Zonas de operacion del transistor: corte, activa y saturacion.

la corriente IC entra en el colector para un transistor npn (figura 18b), el cual

limita en un cuadrante VCE > 0, IC > 0, mientras que la corriente IC sale del colector
para un pnp (figura 18a) y limita en un cuadrante VCE < 0, IC < 0 en el dominio u
til
de las curvas (IC , VCE ), tomando como referencia el sentido la corriente IC del transistor npn. Notese que las curvas para el npn (figura 19) las cuales estan contenidas
en el tercer cuadrante son simetricas con respecto al origen de coordenadas.
Se distinguen las tres regiones mas empleadas de funcionamiento:

1. Zona de corte, situada debajo de la curva (IC , VC )IB = 0: las uniones E-B y
B-C estan polarizadas en sentido inverso.
22

2. Zona activa o lineal, donde la union E-B esta polarizada en sentido directo
y B-C en sentido inverso. las curvas caractersticas tienden a ser rectas y de
pendiente variable, debido a un fenomeno conocido como efecto Early. En
esta region el transistor puede operar como amplificador.
3. Zona de de saturaci
on, cerca del eje OIC donde VCB es de signo tal que la
union B-C sea polarizada en sentido directo. En esta region y en sus vecindades
las caractersticas se acodan, lo que generara una distorsion importante para
un amplificador.
IE

IC
IE
IB

IC
IB

(a) pnp.

(b) npn.

Figura 18: Las flechas indican los verdaderos sentidos de las corrientes en funcionamiento normal.

Figura 19: Zonas de operacion del transistor pnp.

23

3.2.

Modelo a peque
na se
nal

Al trabajar con el transistor en la zona activa se acostumbra a utilizar el llamado

modelo a peque
na se
nal cuyo esquema esta compuesto de 4 elementos, denominados:
h11 , h12 , h21 y h22 :

+
e1

I1

I2

h11
h12 e2

h21 e1

h22

C
+
e2

Figura 20: Modelo simplificado del transistor a peque

na se
nal.

h11 es la impedancia de entrada, expresada en . h12 es denominada tension

de realimentacion, expresada en V, h21 es la ganancia de corriente, adimensional,
mientras que h22 es la admitancia de salida, en , Los parametros h11 , h12 , h21
y h22 se denominan generalmente hie , hre , hf e y hoe respectivamente. Para efectos
de simplificar los calculos es com
un despreciar los valores de hre y hoe , es decir, se
asume hre 0 (realimentacion de tension despreciable) y hoe 0 (admitancia de
salida despreciable, o impedancia de entrada muy grande, equivalente a un circuito
abierto).
Se verifica que la ecuacion 2 tambien se cumple para este caso. Es importante
aclarar que la ganancia de corriente descrita en la ecuacion 3 es un parametro usado
u
nicamente en regimen DC, mientras que la ganancia de corriente hf e corresponde
al modelo utilizado en presencia de se
nales. A veces, para simplificar los calculos, los
parametros hre y hoe son despreciados. El fabricante del transistor suele proporcionar
curvas correspondientes a cada parametro h en funcion de la corriente de colector IC
obtenida del punto de operacion.
24

B
+
e1

I1

I2

h21 e1

h11

C
+
e2

Figura 21: Modelo a

un mas simplificado del transistor a peque
na se
nal.
Se puede dar el caso donde existen modelos circuitales donde se hace uso de los
parametros h, un ejemplo tpico, ademas del transistor, es el caso del modelo fsico de
un motor DC. En el curso Redes Electricas III se realizara un estudio mas detallado
de las caractersticas, operaciones e interconexion de cuadripolos.

3.3.

Modelo de amplificador completamente cargado

El Amplificador Completamente Cargado (ACC) es un metodo de analisis de etapas amplificadoras, el cual se fundamenta en modelar el elemento activo de la etapa
en base a sus parametros hbridos. El ACC plantea cargar al elemento activo por
todos sus terminales con un equivalente de Thevenin, cuya solucion puede plantearse
como:

I1
V1
11 21 31
1


(10)
I2 = 12 22 32 V2

I3
V3
13 23 32
donde:
h
i

= (1 + hf e ) (1 hre ) + hoe (hie + Z1 + Z2 ) Z3 + (hie + Z1 ) (1 + hoe Z2 )
hf e hre Z2

25

11 = 1 + hoe (Z2 + Z3 )
12 = hf e hoe Z3
13 = (1 + hf e + hoe Z2 )

21 = (hre + hoe Z3 )
22 = hoe (hie + Z1 + Z3 ) hf e hre
23 = hre (1 + hf e ) hoe (hie + Z1 )

31 = hre 1 hoe Z2
32 = hf e (hre 1) hoe (hie + Z1 )
33 = (1 + hf e ) (1 hre ) + hoe (hie + Z1 + Z2 )

As entonces, si se quiere conocer la tension en el terminal 2 v2 debido a la fuente

V1 , deben apagarse las tensiones V2 y V3 (por el teorema de superposicion):
V2 = 0, V3 = 0
v2 = I2 Z2 , v2 =

12

V 1 Z2

(hf e hoe Z3 ) Z2

Av = 
(1 + hf e ) (1 hre ) + hoe (hie + Z1 + Z2 ) Z3 + (hie + Z1 ) (1 + hoe Z2 ) hf e hre Z2

Si se quiere conocer la impedancia que se ve por el terminal 1 Z11 , puede

escribirse apagando V2 , V3 y haciendo Z1 = 0:

v1 
Z11 = I1 
Z1 =0

Z11 = 11 
Z1 =0

h
i

(1 + hf e ) (1 hre ) + hoe (hie + Z2 ) Z3 + hie (1 + hoe Z2 ) hf e hre Z2
Z11 =

1 + hoe (Z2 + Z3 )
26

Z1
I1

2
v2

Z2
I2

1
v1
V2

v3 3

V1

Z3
I3
V3

Figura 22: Amplificador completamente cargado.

Es decir, Z1 1 es la impedancia equivalente de todas las impedancias conectadas
a la derecha del terminal 1, por lo tanto no se incluye Z1 y es excluida del calculo.
Si se quiere evaluar la ganancia de corriente entre los terminales 2 y 1, se tendra:
AI12 = II21
12
AI12 =
11
AI12 =

hf e hoe Z3
1 + hoe (Z2 + Z3 )

Recuerdese que el teorema de superposicion aplicado aca se refiere a la superposicion de fuentes sinusoidales (de frecuencia distinta de cero). En la practica en ning
un
momento se debera apagar la alimentacion DC de un transistor pues de hacerlo el
mismo no operara como amplificador. El concepto de superposicion esta ntimamente relacionado con la linealidad; el transistor operara de forma lineal (dentro de sus
limitaciones fsicas) si esta bien polarizado; si no esta polarizado correctamente o no
esta energizado, no operara de forma lineal y el teorema de superposicion deja de
cumplirse.

27

3.3.1.

Impedancias en los terminales

Asumiendo hre = 0 y hoe = 0:



V1 

Z11 =
=
= (1 + hf e ) Z3 + hie
I1 V2 =V3 =0,Z1 =0
11 Z1 =0



V2 
=
=
Z22 =
I2 V1 =V3 =0,Z2 =0
22 Z2 =0


V3 

hie + Z1
Z33 =
=
=


I3 V2 =V1 =0,Z3 =0
33 Z3 =0
1 + hf e
3.3.2.

(11)
(12)
(13)

Ganancias de tensi
on

Entrando por V1 :
Saliendo por colector:

12
v2 
hf e Z2
Av12 =
=
Z2 =

V1 V2 =V3 =0

(1 + hf e ) Z3 + hie + Z1
Saliendo por emisor:

v3 
13
(1 + hf e ) Z3
Av13 =
=
Z3 =

V1 V2 =V3 =0

(1 + hf e ) Z3 + hie + Z1

(14)

(15)

Entrando por V2 :
Saliendo por base:
Av21


v1 
21
=
=
Z1 = 0

V2 V1 =V3 =0

(16)

Av23


v3 
23
=
=
Z3 = 0

V2 V1 =V3 =0

(17)

Saliendo por emisor:

28

Entrando por V3 :
Saliendo por base:
Av31


v1 
Z1
31
=
Z1 =
=

V3 V1 =V2 =0

(1 + hf e ) Z3 + hie + Z1

Saliendo por colector:


v2 
hf e Z2
32
Av32 =
Z2 =
=

V3 V1 =V2 =0

(1 + hf e ) Z3 + hie + Z1

(18)

(19)

Sin duda alguna el uso de las expresiones del metodo del Amplificador Completamente Cargado facilita el calculo de la ganancia de un amplificador. Sin embargo,
el calculo de varias etapas amplificadoras conectadas en cascada hace que el metodo sea engorroso de utilizar si no se tiene un dominio considerable, por lo que es
recomendable dominar el uso del metodo circuital como herramienta adicional.

29

4.

Conexi
on en Cascada

A menudo los amplificadores compuestos por transistores necesitan cumplir con

ciertas condiciones de dise
no que son difciles de cumplir simultaneamente mediante
una sola etapa amplificadora. Para solventar esto se acostumbra a interconectar
etapas amplificadoras en cascada, que consiste en interconectar el puerto de salida
de una etapa A con el puerto de entrada de una etapa B.

entradaA

Etapa A

conexion

Etapa B

salidaB

Figura 23: Interconexion de dos etapas amplificadoras.

Para determinar el nuevo modelo equivalente, representado por el bloque C, es

necesario caracterizar las etapas amplificadoras mediante el uso del modelo a peque
na se
nal o el modelo del transistor completamente cargado, para determinar los
siguientes parametros: Zi , Zo y Av , correspondientes a la impedancia de entrada,
impedancia de salida y ganancia de tension, respectivamente. La interconexion se
muestra en la figura 25.

entradaA

Etapa C

salidaB

Figura 24: Etapa equivalente C, resultante de la interconexion de las etapas A y B.

Al analizar el circuito se observa que la impedancia de entrada de la etapa equivalente C es la impedancia de entrada de la etapa A, mientras que la impedancia de
30

salida posee el mismo valor que la impedancia de salida de la etapa B. La ganancia de

tension requiere un calculo adicional a partir del analisis circuital. Para la figura 25
se determina la ganancia de tension de la etapa B (expresada actualmente en funcion
de su entrada, es decir, la tension existente en los terminales de la impedancia ZiA )
en funcion de la tension de entrada de la etapa C (la cual coincide con la tension de
entrada de la etapa A).
ZoA

ZoB

ZiA

AVA viA

ZiB

v iA

+
AVB voA

voB

Figura 25: Diagrama circuital de la conexion de dos etapas amplificadoras.

Despejando la ganancia AVC queda:

AVC =

voB
AVA AVB ZiB
=
v iA
ZoA + ZiB

(20)

Z oB
+

viA

+
ZiA

AVC viA

voB

Figura 26: Diagrama circuital de la etapa equivalente C en funcion de los parametros

de las etapas A y B.

31

Se observa evidentemente el divisor de tension formado por las impedancias ZoA

y ZiB .

4.1.

Ejemplo con dos etapas amplificadoras

Se tienen dos etapas amplificadoras descritas por los circuitos de la figura 27.
Se desea conectar la etapa A y B en cascada. Se determinar primero el modelo
equivalente de la etapa amplificadora A:
VCC

VCC

RCA
RBA

RBB

Rs

CAB
Co

Ci
Vs

REA

REB

RL

Figura 27: Dos etapas amplificadoras BJT conectadas en cascada.

Notese en la figura 28 que los terminales VCC se han puesto a tierra, debido a que
se esta realizando analisis AC por lo que, debido al teorema de superposicion y para
efectos de analisis, las fuentes DC son apagadas. Por otro lado los condensadores
han sido reemplazados por cortocircuitos dado a que por motivos de simplificacion
se asumira que la impedancia de estos condensadores es despreciable frente a las
impedancias presentes en el circuito a la frecuencia de trabajo (tpicamente se le
denota por frecuencias medias). Para 1kHz por ejemplo, un condensador de 10F
tiene una impedancia de C = Cj = j15,92.
32

De la figura 28 y mediante el uso de las ecuaciones 11, 12 y 13 se obtiene para

ZiA , ZoA , ZiB y ZoB :


ZiA = RBA // (1 + hf eA ) REA + hieA
(21)

ZiB

ZoA = RCA //Z22 = RCA



= RBB // (1 + hf eB ) REB + hieB
ZoB = REB //

(22)
(23)

hieB + Z1
1 + hf eB

(24)

Donde Z1 es la impedancia conectada a la izquierda de la base del transistor de

la etapa B, en este caso sera la impedancia ZoA . Las ganancias de cada etapas se
calculan mediante el uso de las expresiones 14 (entrando por base y saliendo por
colector) y 15 (entrando por base y saliendo por emisor).
AVA =
AVB =

hf ea RCA
(1 + hf eA ) REA + hieA

(25)

(1 + hf eB ) REB
(1 + hf eB ) REB + hieB

(26)

Rs

Vs

RBA

RCA

RBB

REA

REB

RL

Figura 28: Analisis AC de la conexion de ambas etapas amplificadoras.

Finalmente se interconectan ambas etapas en cascada como se muestra en la

figura 25, obteniendose un modelo equivalente como el mostrado en la figura 26.
33

De aqu se tiene que:



ZiC = ZiA = RBA // (1 + hf eA ) REA + hieA
ZoC = ZoB |Z1 =RC = REB //
A

AVC =

hieB + RAC
1 + hf eB

(1 + hf eB ) REB
ZiB
hf eA RCA

(1 + hf eA ) REA + hieA (1 + hf eB ) REB + hieB ZoA + ZiB

(27)
(28)
(29)

Al sustituir RBA = 1M, RCA = 1k,REA = 100, RBB = 2M, RBE = 1k,
hf eA = hf eB = 100, hieA = hieB = 4k se tiene:
ZiC = 13,9k
ZoC = 47,17
ZoA = 1k
ZiB = 99,76k
AVA = 7,09
AVB = 0,96
AVC = 6,75
Notese que si se conectase una carga RL en la salida del amplificador, la impedancia REB equivalente cambiara a REB //RL , por lo que ademas de la atenuacion
producida por el divisor de tension formado por ZoC y RL , se produce un efecto de
carga en el propio amplificador, reflejado en la interconexion de las etapas A y B en
la modificacion de la impedancia ZiB (la cual depende de la impedancia REB ).

34

5.
5.1.

Aplicaciones de los transistores BJT

Amplificadores

Una aplicacion com

un en el uso de los transistores como amplificadores es la
construccion de los amplificadores operacionales, los cuales internamente estan compuestos por transistores dispuestos como amplificadores diferenciales y amplificadores
de corriente.

Figura 29: Diagrama esquematico de un IC LM741.

Figura 30: LM741 con encapsulado DIP8.

35

5.2.

Conmutaci
on y circuitos digitales

En las aplicaciones mas numerosas: reles, calculadoras, circuitos logicos para automatizacion, entre otras, se necesita solamente que los transistores se comporten
como interruptores respondiendo u
nicamente a dos estados y no de manera lineal
como los amplificadores. Un interruptor ideal debera tener:
Una resistencia nula en circuito cerrado.
Una resistencia infinita en circuito abierto.
Un tiempo despreciable parar cambiar del estado cerrado al estado abierto y
viceversa.
Un transistor se aproxima mucho a este interruptor ideal puesto que su resistencia
cuando esta en conduccion es mucho mas debil (en el orden de 1 a 2, dependiendo
del transistor utilizado). Un transistor tiene dos uniones, Emisor-Base y Base Colector, por lo tanto se pueden presentar tres casos dependiendo de la polarizacion seg
un
lo estudiado en la seccion 3.1.
Tabla 1: Zona de operacion de acuerdo a la polarizacion de las uniones.

Union E-B

Union B-C

Sentido inverso Sentido inverso

Sentido directo Sentido inverso
Sentido directo Sentido directo

5.2.1.

Region

Zona

I
II
III

Corte
Activa
Saturacion

Ejemplo

Se tiene un circuito digital, denominado compuerta NOT el cual invierte la logica

presente en la entrada del mismo; es decir, para una entrada logica TRUE (denotado
36

por una tension de 5 V) la salida toma un valor FALSE (denotado por una tension
de 0 V), mientras que para una entrada FALSE la salida presenta un valor TRUE.
5V
4.7k
Entrada
Salida
10k

Figura 31: Circuito correspondiente a una compuerta digital NOT.

Suponiendo que la entrada del circuito tiene un valor TRUE, el transistor de la

figura esta en la zona de corte, debido a que no existe circulacion de corriente pues
la tension E-B no es mayor a la tension mnima necesaria para activarse. Debido a
que la corriente de base es despreciable, mediante la ecuacion 3 se determina que la
corriente de colector IC es tambien cero, por tanto la tension de salida Vo es cero.
Para una entrada FALSE El transistor se encuentra en la zona de saturacion debido a que la corriente IB calculada con un correspondiente a la zona lineal generara
una tension VCE positiva o de valor absoluto mayor que la tension de alimentacion en
el transistor pnp, lo cual viola el principio de conservacion de la energa. Por tal motivo el analisis es realizado asumiendo una tension VCE de saturacion, generalmente de
valor 0,2V (dependiendo del transistor utilizado). La tension de salida es entonces la
tension de alimentacion menos la tension VCE de saturacion, resultando una tension
Vo de 4,8V, que es considerado como un valor TRUE. Los circuitos digitales poseen
un rango de valores de tension que son interpretados como un valor logico o booleano
alto (high) o verdadero (true), y rango de valores de tension interpretados como un
valor bajo (low) o falso (false).
Es importante denotar que para ambos casos la tension de salida no posee una
37

relacion lineal con la tension en la entrada; es decir, la salida presenta un valor

verdadero o alto aunque la entrada presente un valor de 0, 0,1 o 0,8V, mientras que
para valores de 5, 4,7 o 4,5V la tension de salida se mantiene en un valor interpretado
como falso. En un curso de logica digital y circuitos digitales se vera con mayor detalle
este tipo de circuitos. Com
unmente se utilizan circuitos integrados TTL (acronimo
de Transistor-Transistor Logic) los cuales poseen varias compuertas de un mismo
tipo (NOT, AND, OR, NOR, NAND, XOR, etc).
VCC

R2

R1

Entrada

R4

D2
Salida

D1
R3

Figura 32: Circuito TTL de una compuerta NOT comercial.

5.3.

Amplificadores de audio

Una aplicacion importante de los transistores es la amplificacion de se

nales de
audio. En la figura 33 se muestra un amplificador de audio de baja tension con
la mnima cantidad de componentes, mediante el uso de un circuito integrado de
encapsulado DIP8 (aproximadamente 0,9mm por 0,6mm).
38

En la figura 34 se describe el circuito interno del LM386 donde se observan las

diversas etapas amplificadoras con transistores BJT y diodos. Generalmente este tipo
de amplificadores requiere una salida con una impedancia muy baja por lo que se
implementan configuraciones similares al emisor com
un o en este caso configuraciones
mas avanzadas como un amplificador clase B o AB, mientras que la entrada es un
amplificador diferencial el cual reduce el ruido en modo com
un.

Figura 33: Diagrama circuital de un amplificador de audio con LM386.

Figura 34: Diagrama esquematico interno del IC LM386.

39

A.

Uso de las hojas de datos

Para realizar un dise

no preciso y acorde a la realidad, los fabricantes de los
transistores y diversos componentes electronicos facilitan al dise
nador unas hojas de
especificaciones conocidas como hojas de datos (datasheets) las cuales proporcionan
informacion sumamente u
til sobre las caractersticas del dispositivo as como sus
limitaciones fsicas y parametros electricos, termicos, etc.

A.1.

Par
ametros hbridos

Las hojas de datos de los transistores BJT adjuntan una serie de curvas relacionadas con los parametros hbridos hie , hre , hf e y hoe en funcion de IC . Estas curvas
son dadas generalmente en escalas logartmicas.

Figura 35: Curvas de parametros h vs IC en un transistor 2N3904.

40

Por tal motivo es indispensable, antes de dise

nar un circuito amplificador compuesto por transistores, realizar un cuidadoso analisis en la polarizacion del o de los
transistores presentes en el circuito para determinar, mediante la hoja de datos, los
parametros h necesarios para el dise
no de la etapa amplificadora en base a criterios
de dise
no.

A.2.

Par
ametros el
ectricos

Las hojas de datos tambien proporcionan parametros electricos relativos a caractersticas en modo ON y OFF. Los parametros mas importantes son la tension VCE
en saturacion y la tension VBE . Tambien se proporciona informacion sobre la ganancia de corriente en DC, conocido como y la tension colector-emisor en saturacion
VCEsat .

Figura 36: Curvas de parametros electricos tpicos vs IC en un transistor 2N3904.

41

En algunas hojas de datos se acostumbra a llamar hF E al parametro , el cual

no debe confundirse con el parametro hbrido hf e el cual es usado en el modelo a
peque
na se
nal. Estos parametros electricos son dados en tablas de valores mnimos,
tpicos y maximos, pero tambien se proporcionan mediante curvas dependientes de
la corriente de colector IC

42

B.

Determinaci
on de par
ametros h, VBE y

Existen casos donde es imperativo realizar un analisis o dise

no de un circuito
con transistores que requiera de cierto grado de exactitud, debido a que no todos los
transistores poseen los mismos parametros electricos e hbridos. Para esto es necesario
aplicar una metodologa especfica que permita el logro de este objetivo.

B.0.1.

Ejemplo

Se tiene un circuito como el de la figura 37. Se desea determinar el punto de

operacion del mismo mediante el uso de la hoja de datos y de esta manera determinar
la ganancia del amplificador. Para ello se necesitan los parametros VBE y . De la
hoja de datos (figura 36) se tiene que para valores de corriente de colector entre
0,1mA y 100mA la tension VBE presenta valores entre aproximadamente 0,6V y
0,8V, mientras que la ganancia hF E presenta valores entre aproximadamente 230 y
150, con cierta tendencia a ser constante hasta 10mA. Por lo general se asume una
temperatura ambiente de 25 C a menos que se dicte lo contrario.
9V
4,7k
100k
10F
10F
Vs

RL
10k
100

Figura 37: Analisis AC de la conexion de ambas etapas amplificadoras.

43

Tal vez la influencia de esta variacion en la tension VBE en el calculo de la corriente

IB no sea significativa comparada con la influencia que pudiera tener el parametro
(hF E ) en el calculo de la corriente de colector IC .
Para determinar la ganancia del amplificador es necesario conocer los parametros
h. Sin embargo para esto es necesario conocer el valor de IC (analisis DC solamente),
lo que tambien requiere conocer VBE y . El valor de VBE se asume 0,7V, el cual
es el valor promedio obtenido de la grafica VBE(ON ) de la figura 36. Las resistencias
de 100k, 10k y la fuente DC se pueden convertir en un equivalente de Thevenin, obteniendose VT h = 0,82V y ZT h = 9,09k. Mediante el uso de la ecuacion
9, sustituyendo VCC por VT h y RB por ZT h . De esta manera se obtiene el valor de
IB 3,67A.
Se asume un valor de de aproximadamente 230, debido a la tendencia de dicha
curva a ser constante. Puede darse el caso de una curva que posiblemente no sea
constante o no tenga tendencia a serlo, por lo que sera necesario realizar varias
iteraciones hasta obtener el valor correcto. Con el valor de se calcula IC mediante
la ecuacion 3.
Una vez obtenido el valor de corriente IC 0,843mA se determinan, mediante las
graficas proporcionadas en la hoja de datos, los valores de cada uno de los parametros hbridos (figura 35), los cuales permitiran realizar el calculo de la ganancia del
amplificador. Es importante destacar que es necesario calcular el punto de operacion
del transistor debido a que esto determina cuales seran los valores de los parametros h que influyen en las caractersticas del amplificador (impedancias, ganancia de
tension). Los valores de hie y hf e son aproximadamente 4k y 100 respectivamente.
En la figura 38 se aprecia la simulacion hecha en Micro-Cap, donde se obtuvieron
las formas de onda de las se
nales de entrada (50mV) y de salida (1,756V). La ganancia
obtenida fue de 35,12. Este valor de amplitud de tension en la salida se obtiene en un
laboratorio midiendo el terminal Vo en circuito abierto, sin conectar ninguna carga.
Al conectar la carga de 10k se obtiene una amplitud de tension de 1,19V (V en la
simulacion). por lo que se puede calcular experimentalmente la impedancia de salida
44

Figura 38: Simulacion hecha en Micro-Cap del circuito de la figura 37

definiendo la siguiente malla y despejando Zo :
Vo
AV Vs Vo
=
RL
Zo
Zo =

(AV Vs Vo ) RL
Vo

(30)
(31)

la ecuacion 30 se obtiene a partir del modelo equivalente del amplificador de la

figura 39
Cuyo resultado es 4,76k, un valor muy aproximado a 4,7k (depende de la
precision usada en el calculo). En la vida real este valor depende ademas de la
precision del instrumento de medicion y muy frecuentemente de la tolerancia de las
resistencias utilizadas (generalmente 5 % o 1 %). Los resultados teoricos obtenidos
mediante el uso de la hoja de datos son: Zi = 5,53k, Zo = 4,7k y AV = 33,33.

45

Zo
Vo

Vs

ZiA

AV vs

RL

Figura 39: Calculo de la impedancia de salida Zo

Cual es la expresion de Zi ? Que valor de Zo se obtendra si la impedancia de
carga fuese de 10, 1M o 4,7k? Que valores (de los tres obtenidos) considera
usted que permitiran medir mas facilmente o con menos errores Zo ?

46

C.
C.1.

M
etodos de simulaci
on
Simuladores SPICE

Existe una variedad de simuladores basados en SPICE. SPICE (acronimo de Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) es programa de simulacion de
proposito general para circuitos no lineales DC, calculo de transitorias no lineales y
analisis lineal AC. Los circuitos pueden contener resistencias, condensadores, inductores, inductancias mutuas, fuentes de tension y corrientes independientes, lneas de
transmision ideales o reales, interruptores, diodos, BJT, JFET, MESFET y MOSFET, entre otras. SPICE se creo en el Electrical Engineering and Computer Sciences
Department de la Universidad de California en Berkeley.
Las aplicaciones de simulacion derivados de SPICE son los mas populares. Se
obtiene un netlist describiendo los elementos del circuito (transistores, resistencias,
condensadores, etc.) y sus conexiones, traduciendose esta descripcion en ecuaciones a
resolver. Las ecuaciones generadas son ecuaciones algebraicas no lineales solucionadas
mediante metodos diversos como por ejemplo el metodo de Newton.
Entre los simuladores SPICE propietarios, algunas con versiones estudiantiles
gratuitas, estan:

OrCAD
Proteus (digital)
Micro-Cap
MultiSIM

La mayora de estas aplicaciones permiten simular tanto circuitos analogicos como

digitales. Sin embargo existen simuladores especializados en alguna de las dos ramas.
47

Entre los simuladores basados en el proyecto GNU estan:

TINA-TI
SuperSpice
Oregano
KTechLab
IRSIM
Ngspice

C.2.

Limitaciones

Es importante destacar que a pesar de la potencia de calculo de las computadoras

actuales y los simuladores (especialmente para circuitos muy grandes), no exime
de desarrollar la capacidad de analisis de circuitos mas sencillos. Sumado a esto,
los simuladores, dependiendo de las condiciones impuestas, pueden acercarse mas
o menos a la realidad del circuito. Para un analisis mas confiable es recomendable
apoyar los resultados de una simulacion con una hoja de calculo de los parametros
del circuito hechos mediante las hojas de datos de los dispositivos semiconductores
y haciendo uso de las tecnicas de analisis adquiridas en las clases de teora.

48

REFERENCIAS
Bernal, E. (1985). Desarrollo del concepto de circuito (Vol. 1).
Faissler, W. L. (1991). An introduction to modern electronics. John Wiley & Sons,
Inc.

Guillien, R. (1961). Electronique

(Vol. 1). Presses Universitaires de France.
Rivero, R. (1996). Apuntes de Electronica II. Escuela de Ingeniera Electrica F.I.U.C.V.
Streetman, B. G. (1990). Solid state electronic devices (3.a ed.). Prentice-Hall
International Editions.
T. Quarles, D. Pederson, R. Newton, A. Sangiovanni-Vincentelli and Christopher
Wayne. (s.f.). The Spice Page. Descargado de http://bwrcs.eecs.berkeley
.edu/Classes/IcBook/SPICE/

49