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un potencial mayor de energa que a la zona N. En la sgte figura del applet, se puede
observar como el polo positivo de la batera en el nodo del diodo (parte positiva) y el polo
negativo al ctodo (parte negativa).
transmisin se reduce.
El campo elctrico de la polarizacin se opone al de la unin. De esta manera se
reduce el campo elctrico de la unin y en consecuencia la barrera del potencial.
Por otro lado debemos considerar que la barrera de potencial son polarizacin es
VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin.
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables:
uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja impedancia. No se debe
confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I es la regin
de alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado apagado
al de conduccin, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin de
conmutacin, denominada Vs. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo
que la corriente que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un
nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado apagado, se disminuye la
corriente hasta la corriente de mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo
aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la
tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en
la regin I (Punto A).