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Florianpolis
2011
P857e
Vivian
Esposa, amiga e companheira.
AGRADECIMENTOS
Aos meus pais, Guarani e Nara por sempre terem me apoiado nos
estudos e acreditado na minha capacidade, pelo suporte emocional e
financeiro durante toda a minha vida e por estarem sempre presentes nos
momentos necessrios.
Ao Prof. Arnaldo Jos Perin, orientador e amigo, pela orientao,
apoio e confiana depositada em meus estudos.
Ao Prof. Claudinor Bitencourt Nascimento por sua participao
atuante como co-orientador, principalmente no incio do trabalho.
Aos Prof. Denizar Cruz Martins, por ter aceitado entrar como coorientador no momento em que se mostrou necessrio.
Ao relator da Tese, Prof. Jos Antenor Pomilio, e aos membros
das bancas examinadoras da Qualificao e Tese pela dedicao na
anlise deste trabalho, contribuindo significantemente para a concluso
do documento escrito.
Aos professores Ivo Barbi, nio Valmor Kassick, do INEP, que
nunca negaram partilhar de seu conhecimento, fazendo com que eu
pudesse crescer, tanto em minha educao como pessoa.
Ao colega e amigo de sala Andr Luiz Fuerback, que sempre
consegue tempo para compartilhar dos problemas dos colegas.
Ao Alceu, tambm colega de sala e amigo de muitas mateadas e
velejadas na Lagoa.
Aos demais colegas, tcnicos e amigos do INEP, com quem
compartilhei muitas e muitas horas de estudo e trabalho, alm de
algumas de descontrao.
Ao CNPq por ter financiado meus estudos e Universidade
Federal de Santa Catarina pelo ensino de excelente qualidade
Em especial Vivian pelo companheirismo e apoio durante estes
anos.
Por fim, no poderia deixar de agradecer Deus pelas
oportunidades e desafios.
LISTA DE FIGURAS
Fig. 1-1 - (a) Estgio de entrada de uma fonte chaveada
convencional, (b) Formas de onda de tenso e de corrente proporcional
na entrada e de tenso no capacitor de filtro. ........................................ 36
Fig. 1-2 Consumo total de energia de um tpico computador
comercial durante um ano: 354 kWh [1]. .............................................. 40
Fig. 2-1 Estrutura CFP de Dois Estgios. ................................ 46
Fig. 2-2 Retificador Boost. ...................................................... 47
Fig. 2-3 Corrente de entrada do retificador boost operando em
diferentes modos de conduo: (a) Modo de Conduo Descontnua, (b)
Modo de Conduo Crtica, (c) Modo de Conduo Contnua. ............ 47
Fig. 2-4 Concepo do boost MCD-EU: (a) Boost CFP MCD,
(b) Conversor cc-cc PWM, (c) Boost MCD-EU. .................................. 49
Fig. 2-5 (a) Conversor BIFRED, (b) Conversor BIBRED. ..... 50
Fig. 2-6 Estrutura geral do retificador Dither MCD (a)
Esquema do Circuito, (b) Formas de onda conceituais. ........................ 51
Fig. 2-7 (a) Conversor boost MCD-EU original, (b) Conversor
com interruptor magntico com N1=Np. ........................................... 52
Fig. 2-8 - CFP-EU MCD com enrolamento N1 [14]. .................. 53
Fig. 2-9 Estrutura boost-flyback proposta por Redl em 1994
[17]. ....................................................................................................... 53
Fig. 2-10 Estrutura Bi-flyback proposta por Garca em 1999
[17]. ....................................................................................................... 54
Fig. 2-11 Variao da estrutura bi-flyback proposta por
Weihong em 2003 [18].......................................................................... 54
Fig. 2-12 Estruturas propostas por: (a) Sebastin [21] e (b)
Huber [20]. ............................................................................................ 55
Fig. 2-13 Tenso de barramento para diversas tenses de
entrada em funo da potncia [7]. ....................................................... 56
Fig. 2-14 ngulo de conduo necessrio para atender a norma
IEC 61000-3-2 em funo da potncia de entrada [7]. .......................... 57
Fig. 2-15 - Circuitos CFP MCC - (a) Com indutor adicional, (b)
Com capacitor Cr adicional, (c) Com capacitor adicional..................... 58
Fig. 2-16 Estruturas propostas por Jindong com dobrador de
tenso (a)Estrutura MCD, (b) Estrutura MCC. .................................. 59
Fig. 2-17 Formas de onda da tenso e da corrente na entrada da
estrutura MCD com dobrador de Tenso. ............................................. 60
Fig. 2-18 Conversor srie-paralelo ressonante com CFP. ....... 61
Fig. 2-19 (a) Conversor de Weinberg, (b) Conversor de
Weinberg modificado. ........................................................................... 62
LISTA DE TABELAS
Tabela 2-1 - IEC 61000-3-2 Limites dos Harmnicos de Corrente
para Equipamentos Classe A. ................................................................ 45
Tabela 2-2 - IEC 61000-3-2 Limites de Harmnicos de Corrente
para Equipamentos Classe D. ................................................................ 45
LISTA DE QUADROS
Quadro 3-1 Corrente de Lin1 durante um perodo de comutao
............................................................................................................... 96
Quadro 3-2 Corrente de Lin2 durante um perodo de comutao.
............................................................................................................... 97
Quadro 3-3 Corrente de entrada durante um perodo de
comutao. ............................................................................................ 97
Quadro 3-4 Restrio de tenso dos capacitores de entrada para
o caso de conduo crtica em um dos indutores Lin. .......................... 105
Quadro 3-5 Especificaes gerais do projeto. ....................... 134
Quadro 3-6 Parmetros internos do estgio de CFP. ............. 135
Quadro 3-7 Valores dos componentes do circuito de CFP. ... 135
Quadro 3-8 Parmetros de projeto do conversor cc-cc. ......... 136
Quadro 3-9 Parmetros do capacitor de barramento. ............ 139
Quadro 4-1 Especificaes gerais do projeto. ........................ 181
Quadro 4-2 Valor dos componentes usados na simulao. .... 186
Quadro 4-3 Especificaes de projeto .................................... 206
Quadro 4-4 Valor dos componentes utilizados na simulao e
no prottipo ......................................................................................... 206
LISTA DE SMBOLOS
1. Smbolos usados em expresses matemticas
Smbolo
Significado
Unidade
Rendimento
Rad/s
Rad/s
Rad/s
CB
Capacitor do barramento CC
Ce1 / Ce2
Cf
Cin / Cin1
/ Cin2
Capacitores charge-pump
Cs
Cp
Cf1 / Cf2
Capacitores charge-pump
Cs1 / Cs2
Razo Cclica
Dr
Diodo retificador
frede
Freqncia da rede
Hz
fs
Freqncia de comutao
Hz
I0
I0
I '0
I1
In
iX
Corrente no componente X
iXef
iXpk
iXmed
Nmero complexo
LB
Indutor boost
Lf
Lin
Indutor charge-pump
Lm
Indutncia magnetizante
Lr
Indutor ressonante
Ordem da harmnica
nT
Relao de transformao
Np
Ns
Pi
Potncia de entrada
Pout
Potncia na sada
Req
Resistncia equivalente
Perodo
Tempo
tf
Tempo final
ti
Tempo inicial
trr
TS
Perodo de comutao
Tt
V0
V0
Vab
VX
VXmax
VXmin
VXpk
VXef
Vy
Z0
Significado
Capacitor
Diodo
DZ
Diodo zener
Indutor
Lamp
Lmpada
LED
Resistor
Transformador
3. Acrnimos e Abreviaturas
Smbolo
Significado
ANEEL
BIBRED
BIFRED
CA
Corrente alternada
CC
Corrente contnua
CFP
EU
Estgio nico
EMI
FD
Fator de Deslocamento
FP
Fator de Potncia
HB
Half-bridge / Meia-ponte
IEC
IEEE
INEP
MCC
MCD
MOSFET
PID
PWM
DHT
UFSC
ZVS
Nome da Unidade
Ohm
Ampre
Grau trigonomtrico
Henry
Hz
Hertz
rad/s
segundo
Volt
Watt
SUMRIO
1
Introduo Geral
35
1.1 Contextualizao e Motivao .............................................. 35
1.2 Objetivos e Metodologia ........................................................ 40
1.3 Organizao do Trabalho ..................................................... 41
2 Estado da arte da CFP aplicada a fontes de alimentao
43
2.1 Introduo .............................................................................. 43
2.2 Normas Internacionais relacionadas CFP para fontes de
alimentao...................................................................................... 44
2.3 CFP em Dois Estgios - Retificador Boost + Conversor CCCC 46
2.4 Estruturas de Estgio nico para Correo do Fator de
Potncia............................................................................................ 47
2.4.1 Boost MCD-EU (Single-Stage DCM Boost)............ 48
2.4.2 Retificador Dither ................................................. 50
2.4.3 Interruptor Magntico............................................... 52
2.4.4 Boost-flyback ........................................................... 53
2.4.5 Bi-Flyback ................................................................ 54
2.4.6 Estruturas CFP-EU MCC ......................................... 57
2.5 Estruturas Avanadas de Estgio nico para Correo do
Fator de Potncia ............................................................................ 60
2.5.7 Conversores Ressonantes com Elevado Fator de
Potncia ........................................................................................ 60
2.5.8 Estruturas Baseadas no Conversor de Weinberg ...... 61
2.5.9 Charge-Pump ............................................................ 62
2.5.10 Interleaving ............................................................. 64
2.6 Comparao Entre as Tcnicas de CFP Tendo a Faixa de
Potncia Como Parmetro ............................................................. 69
2.6.11 Faixa de potncia entre 75 e 200 W ....................... 69
2.6.12 Faixa entre 200 e 600 W ......................................... 70
2.6.13 Acima de 600 W ..................................................... 71
2.7 Concluso................................................................................ 72
3 Fonte de alimentao de estgio nico usando a estrutura serial
interleaved boost Modificada
73
3.1 Introduo .............................................................................. 73
3.2 Estruturas para Fonte de Alimentao CFP-EU ................ 75
3.3 Metodologia de Anlise da Estrutura. ................................. 78
3.4 Estrutura de CFP - Princpio de Funcionamento ............... 79
3.4.14 Etapas de Operao ................................................ 80
3.5 Equacionamento da Estrutura de CFP ................................ 86
35
1
1.1
INTRODUO GERAL
CONTEXTUALIZAO E MOTIVAO
36
D1
ls
D2
+
vin
iin
Vc
D3
CB
Conversor
CC- CC
D4
-
R0
-
(a)
Vc
iin*10
0
vin
(b)
Fig. 1-1 - (a) Estgio de entrada de uma fonte chaveada convencional, (b)
Formas de onda de tenso e de corrente proporcional na entrada e de
tenso no capacitor de filtro.
37
Como as perdas so proporcionais corrente eltrica elevada ao
quadrado, baixo fator de potncia e elevado contedo harmnico na
corrente aumentam as perdas, provocando, entre outros problemas,
sobrecargas excessivas em equipamentos, perdas adicionais em
transformadores e linhas de transmisso, mau funcionamento de
protees e mau funcionamento de equipamentos industriais devido
distoro da tenso no ponto de conexo comum (PCC) [3].
A disseminao de produtos com baixo fator de potncia se
tornou um problema para o setor eltrico, pois estes reduzem a
capacidade de transmisso de energia do sistema, alm de contribuir
para a degradao da qualidade da energia eltrica, surgindo a
necessidade da criao de normas para evitar estes problemas.
Na dcada de 1990 foram criadas normas internacionais visando
preservar a forma senoidal da tenso e a proteo dos sistemas eltricos
de corrente alternada e dos dispositivos conectados a eles contra os
efeitos prejudiciais da distoro harmnica de corrente. Nos Estados
Unidos o IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers)
anunciou a IEEE 519-1992 [4]. Na Europa, a IEC (International
Electrotechnical Commission) anunciou as normas, IEC 61000-3-4, para
equipamentos que consomem acima de 16 A, e a IEC 61000-3-2 para
equipamentos que consomem menos de 16 A [5]. Mais tarde, pases
como a Inglaterra, Japo e China adotaram medidas similares s
adotadas pela IEC.
No Brasil a Agncia Nacional de Energia Eltrica (ANEEL)
atravs dos procedimentos de distribuio de energia eltrica no sistema
eltrico nacional (PRODIST) anunciou atravs da resoluo normativa
nmero 395/2009, a qual sofreu sua primeira reviso e entrou em vigor
em 01/01/2010 apresenta no Mdulo 8 Qualidade da Energia Eltrica
[6] que: dever ser garantida a qualidade da energia eltrica mantendose a DHT da tenso abaixo de limites determinados. Em outras palavras,
a norma nacional impem limites ao PCC como a IEEE 519. No entanto
alguns setores do mercado possuem normatizao diferenciada, como
o caso dos reatores eletrnicos para alimentar as lmpadas fluorescentes
tubulares e das lmpadas fluorescentes compactas (CFL, do ingls
Compact Fluorescent Lamp) cujo padro segue o adotado pela IEC
61000-3-2 Classe C.
importante ressaltar que estes padres no se referem
diretamente correo do fator de potncia, mas esto diretamente
ligados a ele, pois definem limites mximos para a amplitude dos
harmnicos de corrente que podem ser drenados da rede eltrica.
Tese de Doutorado Ccero da Silveira Postiglione - 2011
38
Existem diversas tcnicas para corrigir o contedo harmnico da
corrente de entrada de uma fonte de alimentao, dependendo da faixa
de potncia, da variao da tenso de entrada, da resposta dinmica
desejada, da norma a atender, do custo e da forma de onda desejada para
a corrente de entrada. Estas tcnicas podem ser divididas em dois
grupos: passivas e ativas. Dentre as tcnicas passivas, podem-se destacar
os filtros passivos e a valley-fill. J as tcnicas de correo ativa so
diversas e podem ser divididas em dois grupos, as de dois estgios e as
de estgio nico.
A tcnica mais simples consiste na utilizao de filtros passivos.
Os mais comuns so do tipo LC (indutor mais capacitor) posicionados
na entrada da fonte de alimentao. Mas, existem outras configuraes
de filtros passivos, como as RC (resistor mais capacitor), que pode ser
interessante em baixas potncias [7]. No caso dos filtros LC, por
operarem na frequncia da rede (baixa frequncia), so volumosos,
pesados e ineficientes [2]. Alm disso, o custo se torna elevado em
potncias acima de 400 W, devido quantidade de material necessrio
(ferro e cobre). No caso de aplicaes embarcadas, onde o peso e o
volume so fatores importantes, estas se tornam desinteressantes em
potncias muito inferiores.
Dentre as tcnicas ativas para a CFP a mais difundida consiste na
insero de um conversor adicional que opera em conjunto com o
retificador, sendo o conversor boost o mais utilizado como estgio de
entrada, gerando um barramento CC cujo valor superior tenso de
pico da rede eltrica. Existem diferentes tcnicas com as quais o
retificador boost, como tambm conhecido, capaz de emular uma
carga resistiva, proporcionando um fator de potncia praticamente
unitrio na entrada do circuito.
Nas estruturas de dois estgios, o primeiro estgio responsvel
pela correo do fator de potncia e o segundo em converter a tenso de
sada para o valor desejado. Estas tcnicas possuem dois inconvenientes
que so: reduo do rendimento, devido energia ser processada duas
vezes, e elevado nmero de componentes, incluindo dois sistemas de
controle independentes, que elevam os custos.
Na tentativa de sanar os problemas das estruturas de dois estgios
tem-se empregado a integrao dos dois conversores em uma nica
estrutura, originando as tcnicas CFP de estgio nico (CFP-EU), que
agregam o estgio de correo do fator de potncia e o conversor cc-cc
em um nico conversor. As tcnicas mais comuns utilizadas para
conversores com CFP-EU so baseadas no conversor boost operando no
MCD (Modo de Conduo Descontnua), porm, embora sejam mais
Tese de Doutorado Ccero da Silveira Postiglione - 2011
39
simples e possuam baixo custo, muitas das estruturas desenvolvidas com
esta tcnica apresentam problemas que as tornam desinteressantes para
aplicaes acima de 100 W, principalmente devido ao baixo rendimento.
Atualmente, existe uma infinidade de tcnicas de CFP de estgio
nico [2], [10], [13] a [27] e [29] a [41], porm, no existe uma tcnica
padro a ser adotada quando se trata da faixa de potncia entre 100 W e
500 W. Alguns autores afirmam que para potncias inferiores a 100 W
pode ser mais interessante utilizar as tcnicas passivas e para potncias
superiores a 500 W recomenda-se a utilizao do retificador boost
tradicional. Porm, no existe uma soluo padro, e cada caso pode ter
uma diferente soluo. Fatores como custo, peso, volume, resposta
transitria desejada, faixa de variao da tenso da rede e qualidade da
corrente influenciam diretamente na escolha da tcnica a ser utilizada.
Alm da exigncia da correo do fator de potncia, existem
novos padres internacionais com relao eficincia dos
equipamentos, os quais tm se tornado cada vez mais restritivos. Nos
ltimos anos, os EUA, atravs do Environmental Protection Agency
(EPA) ENERGY STAR e o Estado da Califrnia, a China, a Europa, o
Canad e a Austrlia tm trabalhado juntos para explorar maneiras de
encorajar o aumento na eficincia e a reduo do consumo de energia de
produtos que so vendidos com fontes de alimentao externas.
Segundo estima o grupo de defesa ambiental Natural Resources Defence
Council (NRDC), um movimento para se melhorar a eficincia de fontes
de alimentao externas tem o potencial de poupar mais de 25 bilhes de
kWh anualmente em nvel mundial [42].
Deste modo, de suma importncia considerar a eficincia como
um importante parmetro no projeto de uma fonte de alimentao. Os
padres da ENERGY STAR exigem para fontes de alimentao
externas que a mdia dos rendimentos medidos em condies de carga
de 25 %, 50 %, 75 % e 100 % da potncia nominal, para a faixa de
potncia de 49 W a 250 W, seja superior a 84 % ou 80 % caso possua
CFP. J no caso de fontes para computador, exige-se rendimento de pelo
menos 80 % em todas as quatro condies de carga. De qualquer
maneira, obter rendimento elevado para o conversor operando com 20 %
da potncia para a qual foi projetado exige grande esforo de projeto, e
muitas estruturas usadas atualmente no so capazes de atingir tais
nveis. Alm disso, o problema se torna um grande desafio quando a
fonte deve operar no modo standby, existindo um limite mximo de
consumo de potncia nestes casos. Contudo, no o objetivo deste
trabalho estudar modos de operao para potncias to baixas, pois no
se trata do desenvolvimento de um produto.
Tese de Doutorado Ccero da Silveira Postiglione - 2011
40
1.2
OBJETIVOS E METODOLOGIA
Standby/Desligado
4 kWh/ano
Modo Sleep
3 kWh/ano
41
O estudo focado nas tcnicas de correo do fator de potncia
para converso ca-cc isolada em um nico estgio (CFP-EU), destinadas
aplicaes de baixa potncia, entre 100 W e 600 W, visando elevados
fator de potncia e rendimento, para uma ampla faixa de carga. Uma
tcnica de CFP-EU que se destaca conhecida como "Charge-Pump".
As estruturas charge-pump ganharam destaque na dcada de 1990 com
sua utilizao em reatores eletrnicos. Suas principais caractersticas
so: comutao suave, reduzido nmero de componentes e elevado fator
de potncia. Porm, tais estruturas apresentam problemas quando se
tenta variar a potncia de sada, sendo este um dos grandes desafios
deste trabalho. Esta tcnica considerada a precursora das estruturas das
fontes chaveadas propostas neste trabalho, porm no ficando os estudos
limitados a ela.
1.3
ORGANIZAO DO TRABALHO
42
garantir comutao ZVS. No segundo, utilizou-se modulao PWM
convencional.
Ambas as estruturas, do captulo trs e do captulo quatro,
permitem a implementao da funo dobrador de tenso, podendo ser
utilizadas em aplicaes com tenso de entrada universal atravs de
seletor manual ou automatizado.
Por fim, sero apresentadas as concluses, destacando os
resultados obtidos e sugestes para estudos futuros.
43
2
2.1
44
alimentao monofsicas e de baixa potncia. Por fim, ser apresentada
uma breve comparao entre as tcnicas de CFP em trs diferentes
faixas de potncia distintas, procurando justificar a escolha da melhor
tcnica a ser aplicada em cada uma delas.
2.2
45
Tabela 2-1 - IEC 61000-3-2 Limites dos Harmnicos de Corrente para
Equipamentos Classe A.
Ordem do harmnico (n) Mxima corrente permitida (A)
Harmnicas mpares
3
5
7
9
11
13
15 n 39
2,30
1,14
0,77
0,40
0,33
0,21
0,15 x 15/n
Harmnicas Pares
2
4
6
1,08
0,43
0,30
0,23 x 8/n
8 n 40
Mxima corrente
por watt (mA/W)
3,4
1,9
1,14
1,0
0,77
0,5
0,40
11
0,35
0,33
13
15 n 39
(somente mpares)
3,85/n
0,21
3,85/n
0,15 x 15/n
46
para reduzir o contedo harmnico de fontes de alimentao de at 600
W que se enquadram na Classe D necessitam de maior esforo de
filtragem para atender norma, necessitando de tcnicas mais
sofisticadas do que aquelas destinadas Classe A.
2.3
Vi
Filtro
CB
CA - CC
Conversor
CC - CC
R0
47
como desvantagem a grande ondulao na corrente do indutor de
entrada, elevada corrente no interruptor, alm de requerer maior filtro
para eliminar a interferncia eletromagntica (EMI) [13]. No MCC, o
filtro de EMI e a ondulao de corrente so reduzidos, porm a
implementao do seu controle mais complexa, pois exige sensores
para a tenso e para a corrente de entrada. O retificador boost utilizado
em aplicaes com potncias que vo desde centenas de watts at
muitos quilowatts [13], sendo uma estrutura bastante atraente e que
possui circuitos integrados (CIs) dedicados para seu controle. Por isso,
a soluo de dois estgios mais utilizada na indstria.
2.4
48
combina o conversor boost operando em MCD com outro conversor cccc de maneira que estes compartilhem os mesmos interruptores. O
interruptor do estgio de CFP e seu controle so eliminados e um nico
controlador utilizado, com a funo de regular a tenso de sada. Como
a razo cclica permanece praticamente constante durante um semiciclo
da tenso da rede, a funo CFP uma caracterstica inerente do
conversor, ou seja, ela ocorre naturalmente com o funcionamento do
circuito, no necessitando de controle para isso. Um capacitor de
armazenagem de energia (capacitor de barramento) ainda necessrio
para lidar com a diferena instantnea entre a potncia pulsante na
entrada e a potncia constante da sada. Normalmente o fator de
potncia no unitrio, mas os harmnicos da corrente de entrada so
suficientemente pequenos, de maneira que atendem aos limites
estabelecidos pela IEC 61000-3-2.
Apesar da maioria das estruturas estudadas atualmente serem
derivadas do conversor boost, outros conversores cc-cc tambm podem
ser empregados para a correo do fator de potncia, tendo sido a
maioria estudada nos anos de 1980 [10]. Inclusive, ao se imaginar uma
estrutura de estgio nico e que seja naturalmente isolada, tm-se os
conversores SEPIC e ZETA, que podem ser facilmente empregados [10],
principalmente o SEPIC devido caracterstica de fonte de corrente na
entrada, como o conversor boost. Contudo, estas estruturas apresentam
alguns problemas como elevados picos de tenso sobre os interruptores
devido s indutncias de disperso e que muitas vezes leva a um baixo
rendimento, com o uso de grampeadores de tenso dissipativos,
acentuada ondulao de 120 Hz, devido dinmica lenta para o controle
da tenso de sada, alm da conhecida dificuldade de modelagem e
controle. Alm destas, outras estruturas de conversores cc-cc
naturalmente isolados podem ser empregadas para a CFP de estgio
nico sem um barramento intermedirio, como o caso do conversor
flyback [48].
2.4.1 Boost MCD-EU (Single-Stage DCM Boost)
A Fig. 2-4 mostra como um retificador boost operando no modo
de conduo descontnua pode ser unido a um conversor cc-cc forward
para formar uma estrutura CFP-EU. Nesta estrutura, ambos os
interruptores, do estgio boost MCD e do conversor operam com razo
cclica constante, podendo ser integrados em um nico interruptor.
Tese de Doutorado Ccero da Silveira Postiglione - 2011
49
Assim, ambos os estgios operam com a mesma razo cclica e
frequncia.
Fig. 2-4 Concepo do boost MCD-EU: (a) Boost CFP MCD, (b)
Conversor cc-cc PWM, (c) Boost MCD-EU.
50
estgios. Alm disso, difcil projetar elementos magnticos timos
para uma larga faixa de variao da frequncia de comutao.
51
Como mostra a Fig. 2-6 (b), a fonte Dither introduz uma tenso
pulsante de alta frequncia, permitindo que os diodos retificadores
conduzam, mesmo quando a tenso de entrada for inferior tenso do
barramento cc. Como resultado, o intervalo de conduo da corrente de
entrada aumenta significativamente e as correntes harmnicas so
reduzidas. O conceito de retificador Dither no especifica que a razo
cclica seja constante, portanto, um conceito mais geral do que o
apresentado na seo 2.4.1[13].
52
2.4.3 Interruptor Magntico
Aplicando o conceito do retificador Dither estrutura
conceitual apresentada na Fig. 2-4 surgiram outras estruturas, as quais
foram gradativamente aperfeioadas. Podem-se citar como evoluo da
topologia conceitual as estruturas CFP-EU com interruptor magntico
- The magnetic switch (MS) S2PFC apresentado em 1995 [13].
Fig. 2-7 (a) Conversor boost MCD-EU original, (b) Conversor com
interruptor magntico com N1=Np.
53
54
2.4.5 Bi-Flyback
A estrutura proposta por Garca [18] resolve o problema da
tenso elevada no capacitor grampeando-a ao valor de pico da tenso de
entrada empregando a topologia bi-flyback, apresentada na Fig. 2-10.
Nesta topologia apenas 25 % da energia processada duas vezes,
porm, pelo menos um dos dois elementos magnticos operam em
MCD. Atualmente, existem variaes desta topologia que se apresentam
como uma boa soluo para fontes de alimentao com potncia entre
100 e 300 W, como o caso da estrutura proposta por Weihong Qiu em
2003 [19], apresentada na Fig. 2-11.
55
estruturas propostas por [20] e [21] esto apresentadas na Fig. 2-12,
juntamente com as formas de onda da tenso e da corrente drenada da
rede eltrica. Esta figura uma reproduo da apresentada em [7].
Fig. 2-12 Estruturas propostas por: (a) Sebastin [21] e (b) Huber [20].
56
57
58
mostra trs conversores CFP-EU MCC tpicos, com reduzido filtro de
EMI e eficincia maior que as estruturas CFP-EU MCD [13]. Como
nestes conversores o indutor boost opera em MCC, o mecanismo que
conforma a corrente de entrada no to simples como nas tcnicas
MCD, requerendo maior esforo de projeto.
Fig. 2-15 - Circuitos CFP MCC - (a) Com indutor adicional, (b) Com
capacitor Cr adicional, (c) Com capacitor adicional.
59
operar em MCC e passar a operar em MCD. Como resultado disso, o
conversor deixa de apresentar CFP. Isto nem sempre um problema,
porque para potncias abaixo de 50 W no h restries quanto ao FP de
uma fonte. No entanto, ao entrar no modo de conduo descontnuo, as
equaes a partir das quais o controle foi projetado no so mais vlidas.
Portanto, a tenso de sada perde a regulao e, alm disso, o sistema
pode tornar-se instvel.
60
2.5
At este ponto do trabalho foram apresentadas estruturas CFPEU com somente um interruptor, e com capacidade limitada para
conformar a corrente de entrada, de forma a torn-la senoidal. Nesta
seo sero apresentadas algumas estruturas CFP-EU mais avanadas,
que visam melhores resultados que os apresentados nas sees
anteriores, principalmente no tocante ao rendimento e qualidade da
corrente de entrada, sendo mais atrativas e competitivas em desempenho
com as de dois estgios.
2.5.7 Conversores Ressonantes com Elevado Fator de Potncia
Em 1992 foi publicado o trabalho de Michael J. Schutten,
Steigerwald e Kheraluwala [25], com o ttulo: Characteristics of Load
Resonant Converters Operated in a High-Power Factor Mode. Neste
artigo os autores mostram que os conversores srie-paralelo ressonantes,
tambm conhecidos como conversores LCC, quando operam em
frequncia superior a de ressonncia, realizam CFP inerentemente, sem
a necessidade de qualquer controle da corrente de entrada. Isto ocorre
quando o barramento cc de um conversor ressonante alimentado por
um retificador monofsico seguido de um pequeno capacitor de
barramento. Este comportamento advm da caracterstica pulsante do
Tese de Doutorado Ccero da Silveira Postiglione - 2011
61
barramento CC, juntamente com a capacidade inerente destes
conversores de elevar a tenso durante os vales da tenso CA da entrada
retificada. Sem controle ativo da corrente de entrada, o fator de potncia
depende da relao entre as frequncias de comutao e do tanque
ressonante. Com controle da corrente, pode-se atingir fator de potncia
muito prximo da unidade. A Fig. 2-18 apresenta uma estrutura tpica de
um conversor srie-paralelo ressonante em ponte completa operando
como conversor ca-cc - CFP-EU.
Os conversores srie-paralelo ressonantes quando operando como
conversores ca-cc com elevado fator de potncia podem trabalhar em
MCD, simplificando o controle, mas acarretando na necessidade de
filtros de entrada volumosos para filtrar a corrente de entrada [26], ou
pode-se optar por controles mais sofisticados, incluindo uma malha de
controle da corrente, porm, elevando o custo e a complexidade do
circuito [27].
62
D1
D2
T1
iin
S2
T2
D3
D4
CB
R0
Cf
S1
2.5.9 Charge-Pump
As estruturas charge-pump so muito utilizadas para CFP-EU em
reatores eletrnicos, tendo sido uma tcnica muito difundida no final dos
anos 90. Nestas estruturas a correo do fator de potncia ocorre devido
adio de um capacitor em um ponto estratgico do circuito, de forma
que a rede eltrica passe a fornecer energia em alta frequncia e
proporcionando uma CFP. A Fig. 2-21 apresenta a estrutura tpica de um
reator eletrnico com a topologia charge-pump.
63
64
Fig. 2-22 Conversor ca-cc com CFP do tipo charge-pump fonte de tenso.
65
Fig. 2-23 Estruturas serial interleaved boost, (a) Com Indutor nico, (b)
Com Dois Indutores.
66
Porm, a estrutura proposta por Nabae (Fig. 2-25 (a)) e a por Tao (Fig.
2-25 (b)) apresentam picos de tenso elevados nos diodos da ponte
retificadora e sobre Db1, 2, respectivamente. Isto se deve posio dos
indutores, no lado CC da estrutura. Alm disso, a estrutura de Tao
possui dois diodos adicionais, os quais elevam as perdas por conduo
do conversor. Passando estes indutores para o lado CA (Fig. 2-25 (c)),
elimina-se este problema. Esta estrutura ser tratada neste trabalho como
serial boost interleaved modificada.
67
conhecidas na literatura [11], [29], [30], [35] e [36], procurando unir as
melhores caractersticas de cada uma, porm visando sempre o menor
nmero de componentes. Apesar da estrutura apresentada ter surgido da
juno das estruturas mencionadas nestes trabalhos, verificou-se, atravs
do estudo bibliogrfico realizado, a existncia de estruturas semelhantes,
a partir das quais o circuito proposto poderia ser descrito como uma
evoluo natural. o caso das estruturas apresentadas em [2], [29] a
[34]. Seu primeiro estudo como fonte de alimentao foi apresentado
por Postiglione em [37], que gerou uma publicao nacional [38] e uma
internacional [39].
68
69
2.6
Para fins de comparao entre as tcnicas abordadas, assumir-se que a tenso de sada da fonte ter seu valor entre 12 V e 48 V e que a
tenso de entrada ser de faixa estreita (no universal). Deste modo, a
nica varivel avaliada ser a potncia do conversor. A IEC61000-3-2
aplicvel a equipamentos monofsicos com potncia de 75 W a 3.680
W. Na comparao realizada a seguir, esta faixa de potncia ser
dividida em trs intervalos: 75-200 W, 200-600 W e acima de 600 W.
2.6.11 Faixa de potncia entre 75 e 200 W
Para esta faixa de potncia as solues mais interessantes so as
mais simples: passivas e ativas de estgio nico [7]. Para fontes que se
enquadram da Classe A da IEC 61000-3-2, provavelmente a soluo
mais simples a utilizao de filtros passivos. Isto porque somente um
ou dois componentes passivos so adicionados estrutura, sendo uma
soluo bastante robusta e que no produz EMI (Interferncia
eletromagntica) adicional. Alm disso, o custo baixo e a reduo do
rendimento pode ficar em torno de 2 %, para as baixas potncias [46].
Para aplicaes abaixo de 100 W a soluo baseada no resistor ainda
mais atraente, possuindo custo inferior e reduo de rendimento por
volta de 1,6 % [7]. No entanto, em aplicaes em que peso e volume so
os fatores mais relevantes, as solues ativas de estgio nico se tornam
atraentes a partir dos 100 W, alm disso, podem ter eficincia superior
s passivas, dependendo da topologia usada. Contudo, apesar dos
circuitos serem simples e com nmero de componentes reduzido, sua
anlise e projeto so mais complexos que a dos circuitos passivos.
Em se tratando de fontes que se enquadram na Classe D, as
solues CFP-EU so as mais indicadas desde 75 W, uma vez que o
tamanho dos filtros LC passivos e seu custo so impraticveis para esta
faixa de potncia, devido s restries impostas pela norma. Neste caso,
o filtro do tipo RC inaceitvel para toda a faixa de potncia, devido
perda de rendimento que este causaria.
As estruturas ativas de dois estgios no so recomendadas para
esta faixa de potncia principalmente devido ao custo elevado. As
estruturas de dois estgios possuem dois conversores completos,
contendo dois circuitos de controle, pelo menos quatro semicondutores e
Tese de Doutorado Ccero da Silveira Postiglione - 2011
70
dois componentes magnticos de alta frequncia e dois circuitos de
proteo [7]. Alm disso, o fator de potncia unitrio no necessrio
para cumprir a norma. Portanto, esta soluo excessiva para baixas
potncias.
2.6.12 Faixa entre 200 e 600 W
Nesta faixa de potncia as trs tcnicas j discutidas podem ser
empregadas, passivas, ativas de estgio nico e de dois estgios. No
entanto, as solues de estgio nico so as mais atraentes devido ao
baixo custo e a elevada densidade de potncia.
No caso das fontes que se enquadram na Classe A, quando se
utilizam filtros passivos, medida que a potncia aumenta, o valor da
indutncia de filtragem precisa aumentar para atender aos limites
impostos pela norma. Segundo [7], necessrio utilizar ncleo de ferrosilcio com tamanho equivalente ao E42 a partir dos 300 W. A opo de
utilizar um resistor (filtro RC) nesta faixa de potncia invivel, pois
compromete significativamente o rendimento da estrutura. Segundo
[46], uma estrutura com correo ativa de estgio nico de 300 W
necessitaria utilizar dois ncleos de ferrite E20, apresentando uma
pequena vantagem em tamanho, quando comparado a um de tamanho
E42. Nesta faixa de potncia, solues de estgio nico mais avanadas
tambm so atrativas, sendo as mais recomendadas aquelas baseadas em
estrutura meia-ponte e com comutao suave dos interruptores, como
o caso das estruturas propostas por Kwon [41] e Postiglione [37],
apresentadas nas Fig. 2-28 e Fig. 2-29, respectivamente.
71
72
2.7
CONCLUSO
73
3
FONTE DE ALIMENTAO DE ESTGIO NICO
USANDO A ESTRUTURA SERIAL INTERLEAVED BOOST
MODIFICADA
3.1
INTRODUO
74
impossibilita a aproximao das correntes e tenses por trechos de retas,
e por ter-se verificado atravs de simulaes que este modo de operao
no traria benefcios em relao ao primeiro estudo no que diz respeito a
perdas no conversor.
75
D1
D2
DS1
S1
CS1
C1
CB
CA
R0
C2
D3
D4
DS2
S2
CS2
3.2
76
77
78
detalhada neste trabalho devido s suas semelhanas com a estrutura
proposta por Do e Kwon em [40] e [41]. A estrutura meia ponte
interleaved (com dois indutores) foi a escolhida para ser estudada por
apresentar a corrente de entrada no MCC, pela possibilidade de trabalhar
com potncias mais elevadas que as outras estruturas devido ao melhor
aproveitamento do transformador, menores esforos de tenso, enfim, os
mesmos critrios de escolha caso fossem conversores cc-cc
convencionais.
importante ressaltar que esta estrutura tem a capacidade de
operar como bi-volt com a adio de um interruptor e dividindo-se o
capacitor de barramento em dois, conforme apresentado na Fig. 3-5 para
a estrutura meia ponte.
3.3
79
3.4
ii (t)
+
iCf1
Cf1
iCf2
Vi(t)
Cf2
D1
D2
+ VL - i
in1
Lin1
+
- VC
f1
+ VCf2
- L
in2
iS
2 +
S2 V
S2
iLin2
- VLin2 +
D3
iS
1 +
S1 V
S1
D4
+
-
+
-
i Cs1
Cs1
iB
CB
iC
VB
-
s2
Cs2
80
81
Segunda Etapa (t0 a t0): No instante t0, quando a tenso sobre
o capacitor Cs1 atinge zero, o diodo Ds1 em antiparalelo com o
interruptor S1 passa a conduzir a corrente imposta pelo indutor Lin2, que
se desmagnetiza entregando sua energia para o capacitor de barramento
CB. Nesta etapa, tem-se a magnetizao do indutor Lin1 devido tenso
imposta pelo capacitor Cf1. A corrente de entrada se divide entre o
capacitor Cf1 e a indutncia Lin1, conforme ilustrado na Fig. 3-9. Durante
esta etapa o interruptor S1 comandado a conduzir, porm, no entra em
conduo devido ao sentido da corrente, garantindo assim a comutao
no dissipativa. Esta etapa se mantm at o instante t0 quando a
amplitude da corrente do indutor Lin1 atinge o mesmo valor da amplitude
da corrente do indutor Lin2, fazendo com que haja a inverso no sentido
da corrente no interruptor S1.
82
83
84
um caminho para a continuidade da desmagnetizao de Lin1. Esta etapa
se prolonga at o instante t3, quando a corrente no indutor Lin1 chega a
zero e est ilustrada na Fig. 3-14.
85
86
conversor no pico da tenso de entrada, quando os valores de tenso e de
corrente atingem os nveis mximos. neste ponto que ocorre a maior
transferncia de potncia da rede de alimentao para o capacitor de
barramento. Alm disso, fazendo a anlise no pico da tenso de entrada,
pode-se estend-la aplicando para o perodo da rede aplicando a lei que
rege a tenso de entrada, que funo da tenso de pico (
(3.1)
87
Como os capacitores formam um divisor de tenso, pode-se
escrever:
vCf 1 vin vCf 2
(3.2)
(3.3).
iCf 1 (t ) C f 1
se:
dvCf 1 (t )
dt
(3.3)
iCf 1 (t ) C f 1
Logo:
dvCf 2 (t )
dt
iCf 1 iCf 2
(3.4)
(3.5)
88
Primeira Etapa
A primeira etapa a ser analisada corresponde ao intervalo de t0 a
t1, que o intervalo de magnetizao do indutor Lin1, representado na
Fig. 3-19.
(3.6)
iLin 2 (t ) iCB (t )
(3.7)
(3.8)
(3.9)
(3.10)
vCf 2 (t ) vLin 2 (t ) vB (t )
(3.11)
Condies Iniciais:
89
iLin1 (t0 ) 0
iLin 2 (t0 ) I Lin 2 pk
vCf 1 (t0 ) VCf 1,0
(3.12)
Vin VB
s Lin I Lin1 ( s) Lin iLin1 (t0 ) s Lin I Lin 2 ( s ) Lin iLin 2 (t0 )
s
(3.13)
Isolando ILin2(s) em (3.13), obtm-se:
I Lin 2 (s)
Vin VB
(i (t ) iLin 2 (t0 ))
I Lin1 (s) Lin1 0
2
s Lin
s
(3.14)
ICf 1 (s) s2 Lin C f I Lin1 (s) s Lin C f I Lin1 (t0 ) vCf 1 (t0 ) C f
(3.15)
Aplicando a TL em (3.8) e isolando ICf2(s) obtm-se:
(3.16)
Substituindo (3.14), (3.15) e (3.16) em (3.6) e isolando ILin1(s)
obtm-se:
Vin vCf 1 (t0 ) vCf 2 (t0 ) 0 Vin VB 02 0
I Lin1 ( s )
s 2 0 2
s 2 0 2
2 Z0
2 Z0 s2
iLin 2 (t0 )
2
2 0 2
2 s s 0
(3.17)
Onde 0 e Z0 so definidos em (3.18) e representam a frequncia
natural do circuito e sua impedncia natural, respectivamente. Alm
destas, importante definir as relaes entre a frequncia de comutao
e a frequncia natural e, tambm, a relao entre a tenso de barramento
cc e o valor de pico da tenso da fonte de alimentao (rede eltrica),
ambas apresentadas em (3.19).
90
1
Lin C f
(3.18)
Lin
Z0
Cf
0
1
s 2 f s Lin C f
Vin pk
(3.19)
VB
iLin1 (t )
Cf 1
Vin VB 0 t
2 Z0
2 Z0
sin 0 t
iLin 2 (t0 )
1 cos 0 t
2
(3.20)
iLin 2 (t )
Cf 2
Vin VB 0 t
2 Z0
2 Z0
sin 0 t
iLin 2 (t0 )
1 cos 0 t
2
(3.21)
iin (t )
0 t
2
2 Z0
(3.23)
91
Como se pode constatar, a corrente de entrada se apresenta na
forma de rampa independente dos parmetros do circuito. Alm disso,
pode-se comprovar graficamente que se a frequncia de comutao for
maior ou igual a trs vezes a frequncia natural do circuito ( < 0,33), as
correntes iLin1(t) e iLin2(t) podem ser aproximadas por rampas. A Fig.
3-20 ilustra essa aproximao para a corrente do indutor Lin1 com 0 =
0,33 e D = 0,5.
iLin1(t)
Reta
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Tempo (t.s/2)
Fig. 3-20 Aproximao da corrente no indutor Lin1 por uma reta para 0
= 0,33.
Segunda Etapa
A prxima etapa corresponde ao intervalo de t1 a t2 em que a
corrente no indutor Lin2 igual a zero.
92
Tenses nos ramos:
(3.25)
vCf 1 (t ) vLin1 (t )
(3.26)
Condies Iniciais:
(3.27)
2 2 Z0
s
I Lin1 ( s )
iLin1 (t1 )
vCf 1 (t1 )
2
2
0
0
2
2
s
s
2
2
(3.28)
0
0
1
1
2 2 Z0
2 2 Z0
Vin
vCf 2 (t1 )
2
2
s2 0
s2 0
2
2
Aplicando a transformada inversa em (3.28):
93
A prxima etapa corresponde ao intervalo de t2 a t3 no qual ocorre
a inverso no comando dos interruptores, fazendo com que a corrente
em Lin2 cresa a partir de zero e a corrente de Lin1 decresa. No final
desta etapa a corrente de Lin1 se anula.
iLin1 (t ) iCB (t )
(3.32)
(3.33)
(3.34)
vCf 1 (t ) vLin1 (t ) vB (t )
(3.36)
Condies Iniciais:
(3.35)
(3.37)
94
ICf 2 (s) s2 Lin C f I Lin2 (s) s Lin C f I Lin2 (t2 ) vCf 2 (t2 ) C f
(3.39)
A corrente de Lin1 obtida aplicando a TL em (3.34), dada por:
I Lin1 (s)
Vin VB
(i (t ) iLin 2 (t2 ))
I Lin 2 (s) Lin1 2
2
s Lin
s
(3.40)
I Lin 2 ( s )
in
2 Z0
s 0 2
2
Vin VB 0 2 0
iLin1 (t2 ) 0 2
s 2 0 2
2 s s 2 0 2
2 Z0 s2
(3.41)
iLin1 (t )
Cf 1
iLin 2 (t )
Cf 2
(3.42)
1 cos t
0
sin 0 t
sin 0 t
(3.43)
1 cos t
0
Cf 1
sin 0 t
iLin1 (t2 )
cos 0 t
2
(3.44)
95
iin (t )
0 t
2
2 Z0
(3.45)
Corrente no n:
(3.46)
(3.47)
vCf 2 (t ) vLin 2 (t )
(3.48)
Condies Iniciais:
iLin1 (t3 ) 0
iLin 2 (t3 ) I Lin1 (t3 )
vCf 1 (t3 ) VCf 1,3
vCf 2 (t3 ) VCf 2,3
Assim:
(3.49)
96
0
s
I Lin 2 ( s )
s 0
2
iLin 2 (t3 )
1
2 Z0
s 0
2
vCf 2 (t3 )
(3.50)
2 2 Z0
2 2 Z0
Vin
vCf 1 (t3 )
2
2
0
0
2
s
s
2
2
Aplicando a transformada inversa em (3.50):
2
iLin 2 (t ) iLin 2 (t3 ) cos 0 t
2
2 Z0
(3.51)
sin
t
2
iLin1(t)
Primeira
iLin1(t)
Segunda
(t ) vCf 2(t0) VB
Cf 1 0
2 Z0
sin0 t
97
Terceira
iLin1(t)
Quarta
(t ) vCf 2(t2) VB
Cf 1 2
2 Z0
sin0 t
iLin1 (t ) 0
iLin2(t)
Primeira
iLin2 (t)
Segunda
(t ) vCf 1(t0 ) VB
Cf 2 0
2 Z0
sin0 t
iLin 2 (t ) 0
Terceira
iLin2(t)
Quarta
(t ) vCf 1(t2) VB
Cf 2 2
2 Z0
sin0 t
iin(t)
iin (t )
Segunda
iin (t )
Terceira
iLin1 (t1 )
vCf 1 (t1 ) vCf 2 (t1 ) Vin
cos 0 t
sin 0 t
2
2 2 Z0
2
2
iin (t )
Quarta
iin (t )
0 t
2
2 Z0
0 t
2
2 Z0
iLin2 (t3 )
vCf 2 (t3 ) vCf 1 (t3 ) Vin
cos 0 t
sin 0 t
2
2 2 Z0
2
2
98
Para se obter as correntes mdias instantneas, tanto dos
indutores de entrada como a prpria corrente de entrada, basta calcular
as somas das integrais em cada trecho, dentro de um perodo de
comutao, e dividir pelo perodo. Contudo, torna-se necessrio
substituir as condies iniciais dos componentes em cada uma das
etapas e neste ponto que so necessrias algumas suposies e ou
aproximaes, uma vez que as tenses sobre os capacitores de entrada
Cfi so desconhecidas e dependentes da razo cclica e da tenso de
barramento. Assim, surgiu a necessidade de se fazer uma anlise global
simplificada.
A Fig. 3-24 apresenta a corrente do indutor Lin1 para um caso
particular em que foram arbitrados valores para a razo cclica D, a
relao de tenses e a relao de frequncias , alm de considerar a
tenso sobre os capacitores Cfi constantes durante um perodo de
comutao. O valor da tenso sobre estes foi aproximado conforme
descrito na seo seguinte. Com base nesta figura, pode-se constatar
que, limitando os parmetros do circuito de maneira adequada, pode-se
garantir que a aproximao das correntes por segmentos de reta seja
adequada para representar o funcionamento do conversor.
A soluo adotada foi basear-se na anlise do retificador boost
operando no MCD [48], tambm utilizada por Wu em [32] e [33]. Na
Fig. 3-25 foram traadas as relaes volt-ampre para o indutor Lin1
sobre as formas de onda da Fig. 3-24, com os mesmos parmetros, para
fins de comparao.
99
3.6
100
mais abrangente, com equaes que contemplem uma faixa mais ampla
de funcionamento da estrutura.
VCf 1 Vin (1 D ) , VCf 2 Vin D
(3.53)
Podem-se definir as seguintes relaes de tenso:
1
Sendo:
VCf 1pk
VB
VCf 2 pk
VB
1 2
(3.54)
(3.55)
101
I Lin1pk
VCf 1
Lin
t1
I Lin 2 pk
VCf 2
Lin
t3
(3.56)
I Lin1pk (t )
t1
I Lin 2 pk
VCf 2 pk sin(t )
Lin
t3
(3.57)
Os intervalos de tempo t1 e t3 so conhecidos e dados por
(3.58), porm os intervalos de tempo t2 e t4 so desconhecidos. Mas,
como a variao de corrente nos indutores a mesma, tanto no processo
de magnetizao como no de desmagnetizao, podem-se escrever as
igualdades (3.59) e (3.61):
t1 DTs
t3 (1 D)Ts DTs
(3.58)
Substituindo as equaes das retas que representam a variao de
corrente de magnetizao e desmagnetizao de Lin1, tem-se:
t1
(3.59)
Isolando-se t2 em (3.59)
t2
t1
(3.60)
102
Realizando o mesmo procedimento de clculo anterior para o
indutor Lin2 tem-se:
VCf 2 pk sin(t )
Lin
t3
VB VCf 2 pk sin(t )
Lin
(3.61)
t4
VCf 2 pk sin(t )
VB VCf 2 pk sin(t )
t3
(3.62)
1 sin(t )
DTs
1 1 sin(t )
sin(t )
t4 2
(1 D)Ts
1 2 sin(t )
t2
(3.63)
(3.64)
103
t y =
jsin(t)
1- jsin(t)
180
t2max
1
DTs
1 1
(3.66)
1 D Ts
1
DTs
1 1
(3.68)
104
Dada a condio (3.69), deve-se determinar o que ocorre com o
intervalo de tempo t4. O valor mximo de t4 tambm ocorre no pico
da senide, logo:
t4max
Sabendo que:
2
(1 D)Ts
1 2
1 2
(3.70)
(3.71)
2 (1 D)
(3.72)
Resolvendo (3.70) obtm-se o intervalo de conduo t4 quando
a conduo crtica em Lin1.
t4
(1 D)
(1 D)Ts
1 (1 D)
(3.73)
DTs
2
(1 D)Ts
1 2
(3.75)
t2
D
DTs
1 D
(3.78)
105
Quadro 3-4 Restrio de tenso dos capacitores de entrada para o caso
de conduo crtica em um dos indutores Lin.
1
1-D
-D
2
-(1-D)
D
(1 D) ( D) (2 D 1)
2
2
(1 D) D (2 D 1)
2
2
2
(3.79)
(3.80)
VCf 1pk
VCf 2 pk
Vinpk VB (2D 1)
Vinpk
(3.81)
2
VB (2D 1)
(3.82)
(2 D 1)
2
&
(2 D 1)
2
(3.83)
1
1
D
2
2
(3.84)
106
menor a razo cclica, menor o intervalo de conduo dos indutores
dentro de um perodo de comutao.
t=
t 2 +t 4
Ts
D = 0,5
t=
t 2 +t 4
Ts
180
D = 0,1
180
Fig. 3-28 Soma dos intervalos de conduo da corrente nos indutores Lin
normalizadas em relao ao perodo de comutao em funo do ngulo da
tenso de entrada: (a) Para D = 0,5, (b) Para D = 0,1.
107
3.6.16 Corrente de entrada
(3.85)
Outra expresso que pode ser obtida, a fim de descrever a
corrente da entrada, relaciona a mdia entre a corrente que entra na fonte
de alimentao e a corrente que sai. A equao (3.86) indica este
comportamento.
iin
Lin1
(3.86)
Substituindo a equao (3.5) em (3.86), a corrente de entrada
passa a ser representada pela mdia algbrica das correntes nos
indutores de entrada do conversor, como mostra a equao (3.87).
iin
iLin1 iLin 2
2
(3.87)
1 iLin1
1 iLin1
I Lin1 pk t1 pk t2
Ts 2
Ts 2
(3.88)
108
O valor de pico da corrente dado por (3.56), t1 igual a D e
t2 dado por (3.60). Porm, neste caso utiliza-se seu valor mdio
instantneo. Logo, substituindo em (3.88), obtm-se:
VCf 1
VCf 1
1 VCf 1
I Lin1
D 2 Ts 2
D 2 Ts 2
V V
Ts 2 Lin
2 Lin
B Cf 1
(3.89)
Resolvendo (3.89), obtm-se (3.90), que representa o valor mdio
instantneo da corrente no indutor Lin1:
I Lin1
D 2 VB VCf 1
2 Lin fs VB VCf 1
(3.90)
1 iLin 2 pk
1 iLin 2 pk
t3
t4
I Lin 2
Ts 2
Ts 2
(3.91)
V V
2 Lin
Ts 2 Lin
Cf 2
B
(3.92)
Resolvendo (3.92), obtm-se (3.93), que representa o valor mdio
instantneo da corrente de Lin2.
I Lin 2
1 D
VB VCf 2
2 Lin fs VB VCf 2
(3.93)
I Lin1 I Lin 2
I in
2
(3.94)
109
V V (2 D 1)
2
V VB (2 D 1)
D 2 VB in
1 D VB in B
2
2
V VB (2 D 1)
Vin VB (2 D 1)
2 Lin fs VB in
2 Lin fs VB
2
2
I in
2
(3.95)
Sabendo que as tenses sobre os capacitores Cfi variam
senoidalmente durante um semiciclo da rede, e rearranjando os termos,
obtm-se o valor instantneo da corrente de entrada.
V V (2 D 1)
2
V VB (2 D 1)
D 2 VB sin(t ) in
1 D VB sin(t ) in B
2
2
Vin VB (2 D 1)
Vin VB (2 D 1)
2 Lin fs VB sin(t )
2 Lin fs VB sin(t )
2
2
I in (t )
2
(3.96)
Substituindo em (3.96):
2
2
(2 D 1)
(2 D 1)
D sin(t )
1 D sin(t )
2
2
iin (t )
4 Lin fs
(2 D 1)
(2 D 1)
1 sin(t )
1 sin(t )
2
2
Vin pk
(3.97)
A equao (3.97) descreve o comportamento da corrente de
entrada apenas durante o semiciclo positivo da rede eltrica, ou seja,
durante o intervalo de zero a . Como j mencionado, a tenso dos
capacitores de entrada se inverte no semiciclo negativo. Contudo, o
comportamento da estrutura simtrico e a forma de onda a mesma. A
Fig. 3-29 mostra a corrente de entrada normalizada durante um
semiciclo da tenso da rede. A Fig. 3-30 apresenta as correntes
normalizadas em cada um dos indutores Lin. notvel a diferena nas
formas de onda devido ao comando assimtrico dos interruptores, que
acaba gerando a diferena de tenso nos capacitores de entrada. Durante
o semiciclo negativo da tenso da rede, a forma de onda da corrente que
aparecia no indutor Lin1 ser idntica forma de onda da corrente de Lin2
durante o semiciclo positivo, e vice versa.
110
iin (t )
180
111
iLin1 (t )
180
iLin 2 (t )
180
iinef
iin (t ) dt
0
Vin pk
4 L in fs
Onde:
(3.98)
112
(2 D 1)
(2 D 1)
sin( t ) 2
2
2
2
(1 D )
D
dt
(2
D
1)
(2
D
1)
1 sin( t )
1 sin( t )
2
2
(3.99)
A expresso (3.98), que representa o valor eficaz da corrente de
entrada do conversor, demonstra que a corrente inversamente
proporcional frequncia de comutao, evidenciando a segunda
maneira possvel de controlar a potncia do conversor.
3.6.17 Potncia e Fator de Potncia
Pin
Vin pk 2
Vin (t ) iin (t ) d t
0
4 Lin fs
2 (3.100)
Onde
2
(2 D 1)
(2 D 1)
sin(t )
sin(t )
2
2
2
2
D
sin(t ) d t
(1 D)
(2
1)
(2
1)
1 sin(t )
1 sin(t )
2
2
(3.101)
O fator de potncia definido como a razo entre a potncia ativa
e a potncia aparente. Logo:
FP
Pin
Vinef I inef
2
2
1
(3.102)
TDH
1
1 FP 2
FP
(3.103)
113
potncia em funo de tendo a razo cclica como parmetro. A Fig.
3-32 representa a TDH em funo de tendo a razo cclica como
parmetro. Em ambas as figuras ficam evidentes as limitaes de para
uma dada razo cclica, pois, como j mencionado, as tenses mdias
instantneas nos capacitores no podem assumir valores negativos
durante o semiciclo positivo. Ou seja, as restries da inequao (3.84)
devem ser respeitadas:
114
Fator de Potncia
115
3.6.18 Caracterstica de sada
2 fs Lin
1 1 sin(t )
(3.105)
2
VCf 2 pk sin(t ) (1 D)
sin(t )
2
I Lin 2
2 fs Lin
1 2 sin(t )
O valor mdio da corrente enviada para a sada em um perodo de
comutao dado por:
pk
pk
(3.106)
I 0 CFP (t )
2 fs Lin 1 1 sin(t )
2 fs Lin
1 2 sin(t )
(3.107)
O valor mdio da corrente em um perodo da rede :
I 0CFP
I 0CFP (t )t
(3.108)
116
I 0 CFP
Vin pk
D 2 1 1 sin( t ) 2
(1 D ) 2 2 2 sin( t ) 2
2 fs Lin
0 (1 1 sin( t ))
0 (1 2 sin( t ))
(3.109)
Resolvendo (3.109) e fazendo as devidas aproximaes na
resoluo da integral chega-se (3.110).
Vin
1 2 (2 D 1)
2 (2 D 1)
I 0 CFP
D
3 (1 D )
4
2 fs Lin
2
2
(3.110)
Onde:
pk
4 2
tan 1
1 2
2
1
tan 1
2
1 2 2 2
1 2
1 1 1 12
(3.111)
2 2
(3.112)
3 2
I 0CFP
D 2 (2 D 1)
(1 D)2 (2 D 1)
3
4
2
2
(3.113)
Onde:
I 0 CFP
2 fs Lin
I 0 CFP
Vin pk
(3.114)
117
i0 CFP (t )
118
apresentadas no equacionamento detalhado da estrutura, seo 3.5,
lembrando que:
I C t
C
0
1
s 2 f s Lin C f
VC
(3.115)
(3.116)
119
circuito de CFP, compartilhando os mesmos interruptores. Em seguida,
sero apresentadas suas etapas de operao, principais formas de onda
de corrente e tenso, assim como o equacionamento necessrio para que
se possa projet-lo. A Fig. 3-36 representa o circuito esquemtico do
conversor HB-ZVS.
120
quando a energia armazenada na indutncia Lr, que pode ser a prpria
indutncia de disperso do transformador, for suficiente para efetuar a
transio de estado dos capacitores Cs1 e Cs2. Isto implica na existncia
de um limite inferior de potncia abaixo do qual a comutao ZVS deixa
de ocorrer. Contudo, existem tcnicas descritas na literatura capazes de
ampliar esta faixa de variao da potncia.
3.8
121
Segunda Etapa (t1, t2): No instante t1, quando o interruptor S1
bloqueado sob tenso nula, as tenses VCs1 e VCs2 variam de forma
linear, pois a carga/descarga destes capacitores ocorre com corrente
constante (Fig. 3-38). Ao final desta etapa a tenso em Cs2 nula e em
Cs1 VB.
122
Quarta Etapa (t3, t4): Quando a corrente em Lr atinge zero, no
instante t3, o interruptor S2 entra em conduo. A corrente no indutor Lr
passa a crescer linearmente no sentido oposto at atingir o valor -I0+iLm.
Esta etapa est ilustrada na Fig. 3-40.
Quinta Etapa (t4, t5): A quinta etapa inicia no instante t4, quando
a corrente no indutor Lr atinge I0+iLm. O interruptor S2 permanece em
conduo, possibilitando a transferncia de energia da fonte VB para a
carga. Esta etapa se encerra quando S2 comandado a bloquear, e pode
ser observada na Fig. 3-41.
123
S2. Ao final desta etapa a tenso em Cs1 nula e em Cs2 VB. Esta etapa
representada pela Fig. 3-42.
124
125
126
3.9
V '0
4 I '0 Lr f s
2 D (1 D )
VB
VB
(3.117)
I '0
Substituindo (3.118)
caracterstica de sada:
4 I '0 Lr f s
VB
em
(3.117),
(3.118)
pode-se
reescrever
q 2 D (1 D) I '0
(3.119)
127
I 0
Fig. 3-46 Caracterstica de sada do conversor HB- ZVS -PWM.
q 2 D (1 D)
(3.120)
128
Lembrando que V0 representa a tenso de sada do conversor
referida para o lado primrio do transformador, pode-se escrever a
relao de transformao conforme a equao (3.121) [51].
nT
V '0 VB
2 D (1 D) I '0
V0 V0
(3.121)
129
A Fig. 3-48 representa o circuito esquemtico equivalente do
conversor meia-ponte com comando assimtrico e a Fig. 3-49 apresenta
suas principais formas de onda envolvidas no processo de comutao.
Desprezando-se o tempo morto, os intervalos de tempo podem ser
aproximados pelas expresses:
t1 t2 DTs
(3.122)
t3 t4 (1 D)Ts
(3.123)
Os intervalos de tempo t1 e t3 so obtidos a partir do circuito
equivalente das etapas de transio linear de corrente de Lr que a
mesma corrente que circula pelo capacitor equivalente.
Assim:
2I 0Lr
(1 D)VB
2I L
t3 0 r
DVB
t1
(3.124)
(3.125)
130
t2 DTs
2 Lr I 0
(1 D)VB
(3.126)
Da mesma forma:
t4 (1 D)Ts
2 Lr I 0
DVB
(3.127)
(3.129)
131
Atravs da representao grfica das formas de onda (Fig. 3-49),
pode-se representar o valor mdio da corrente de sada no retificada
conforme (3.130).
I outmed
Ts
t2
t 4
I 0 dt
( I )dt
0
(3.130)
I 0
I Lmmed (1 2 D ) I 0 1
2 D (1 D )
(3.131)
iLm
Onde:
(1 D)VB
t2
( Lm Lr )
iLm I1 I 2
(3.132)
(3.133)
iLm
2Lr I 0
D(1 D)VB
fs( Lm Lr ) ( Lm Lr )
(3.134)
(I I )
(I I )
I 2 1 2 dt I1dt I 2 1 2 dt
0
0
0
0
t 4
t
2
(3.135)
Resolvendo (3.135), substituindo os intervalos de tempo dados
em (3.124), (3.125), (3.126) e (3.127), e substituindo (3.133), obtm-se:
t1
I Lmmed I 2 dt
t 2
I1 I 2 2 I Lmmed
(1 2 D)iLm I 0
2 D(1 D)
(3.136)
132
(1 2 D ) I 0
1
2 D (1 D )
i (1 2 D ) I 0
Lm 1
2
2 D (1 D )
I1 I Lmmed
I 2 I Lmmed
iLm
2
(3.137)
(3.138)
(1 2 D ) I 0 I 0 D (1 D )VCB
Lr I 0 (1 2 D ) I 0
1
2 D (1 D )
2 D (1 D )
2 fs ( Lr Lm ) ( Lr Lm )
(3.140)
O valor crtico da corrente da indutncia de disperso obtido
igualando-se sua energia armazenada com a energia necessria para
fazer a transio de tenso na associao paralela dos capacitores Cs1 e
Cs2, que igual a capacitncia Cseq.
Na descrio das etapas de operao no se entrou em detalhes da
comutao ZVS, que ocorre em duas etapas, sendo uma linear e outra
ressonante. Durante a etapa linear, a corrente de carga a responsvel
pela transio da tenso dos capacitores Csi, i=1,2, at que a tenso Vab
chegue zero. A partir deste instante, ocorre a etapa ressonante,
responsvel por descarregar Cseq de (1-D)VCB at zero.
Igualando-se a energia acumulada em Lr e Cseq tem-se a equao
(3.141).
1
1
2
Lr I Lr Cr 2 (Cs1 Cs 2 ) (1 D)VCB
2
2
(3.141)
I Lr Cr
Cseq
Lr
(1 D )VCB
(3.142)
133
Devido conveno de corrente adotada, a corrente crtica
negativa, portanto, deve ser menor que o valor negativo do resultado de
(3.142). Assim:
I Lr Cr
Cseq
Lr
(1 D )VCB
(3.143)
VCB D (1 D ) I 0 (2 D 1)
Lr I 0
2 D (1 D ) 1
2 fs
(3.144)
Lm Lr
C seq I 0 I 0 (2 D 1)
2 DI 0 VCB ( D 1)
Lr
2 D (1 D )
A equao (3.144) fornece um parmetro para o projeto da
indutncia magnetizante em funo da corrente de carga referida ao
primrio do transformador.
J a obteno da indutncia de disperso, na pratica, vir da
construo do transformador e depender de diversos fatores, como o
tipo de ncleo escolhido e o mtodo de enrolamento, por exemplo.
Contudo, este valor pode ser estimado. No caso de transformadores que
usam ncleos de ferrite do tipo E, possuem indutncia de disperso da
ordem de 2 a 3 % da indutncia magnetizante.
Outra maneira de se obter a indutncia de disperso estipular a
perda de razo cclica para a potncia nominal em funo do tempo
morto do circuito de bootstrap utilizado. Uma vez estipulada a perda de
razo cclica pode-se fazer uso da equao (3.118) para calcul-la. Neste
caso, quando da implementao prtica, pode-se projetar o
transformador de tal sorte a obter uma disperso prxima da calculada
ou incrementar a disperso com a adio de um pequeno indutor
externo.
PROJETO,
3.10 METODOLOGIA DE
SIMULAO E EXPERIMENTAIS
RESULTADOS
DE
134
algumas caractersticas ainda no abordadas, no desenvolvimento
terico, at o momento. Por fim, sero apresentados resultados
experimentais do conversor ca-cc, j apresentados em [45].
Quadro 3-5 Especificaes gerais do projeto.
Parmetro
Valor
Tenso de Entrada - Vi
Tenso de Sada - V0
24 Vdc 5 %
200 W
110 kHz
Norma a Atender
135
Quanto relao entre frequncias , arbitrou-se um valor
ligeiramente inferior a 0,3 de modo que resultasse em um capacitor de
valor comercial.
Colocando os valores dos parmetros internos na forma de
quadro, tem-se:
Quadro 3-6 Parmetros internos do estgio de CFP.
Parmetro Valor
0,92
D
0,4
< 0,3
O valor da indutncia Lin pode ser obtido isolando-se Lin na
equao da potncia de entrada (3.100), obtendo-se (3.145). Para
substituir a potncia de entrada deve-se supor um rendimento
aproximado para a estrutura, conforme (3.146).
Lin
Onde:
Vin pk 2
4 Pin fs
(3.145)
Pin P0
(3.146)
Assumindo um rendimento de 90 % e substituindo valores em
(3.145), obtm-se:
Lin 197 H 200 H
(3.147)
Utilizando a equao (3.116) e aproximando por 0,22, obtm-se
Cf, conforme (3.148).
Cf
1
220nF
4 f s Lin 2
2
(3.148)
Parmetro
Valor
200H
220nF
136
3.10.23 Clculo dos Componentes do Conversor CC-CC
Valor
Razo Cclica
D = 0,4
I '0 4%
Tenso de Barramento
VB = 340V
Frequncia de Comutao
fs = 110 kHz
Tenso de sada
V0 = 24V
VD = 0,6V
VB
(3.149)
Sabendo os valores de q e da tenso de barramento, obtm-se a
tenso mdia no primrio do transformador a partir da equao (3.117),
reescrita em (3.150) com os termos rearranjados.
V0 q VB 150V
(3.150)
Substituindo os devidos valores na equao (3.121), obtm-se a
relao de transformao (3.151):
Tese de Doutorado Ccero da Silveira Postiglione - 2011
137
nT
V0
150V
6,1
V0 VD 24V 0,6V
(3.151)
I0
P0 200W
8,33 A
V0
24V
I
I0 0 1,366
nT
(3.152)
(3.153)
Lr
VB I '0
4 I '0 f s
(3.154)
Lr
VB I '0
340V 0, 04
22,57 H (3.155)
4 I '0 f s 4 1,369 A 110kHz
138
O valor da indutncia do filtro de sada dado pela equao
(3.157).
L0
V0 VD 1 D
2 f s IL0
(3.157)
L0
24 0, 6 1 0, 4
53, 7 H
(3.158)
C0
IC0
8 f s V0
(3.159)
C0
0,15 8,33
11,8 F
8 110 103 5 103 24
(3.160)
RSE
V0
IC0
(3.161)
RSE 0, 096
(3.162)
Na prtica, devido corrente eficaz que os capacitores
disponveis podem suportar, o capacitor escolhido poderia ser de 680 F
/ 35 V, com RSE de 0,038 . Contudo, at o momento no foram feitas
consideraes com relao ao controle do circuito e resposta transitria.
Sabe-se, a priori, que o circuito apresenta naturalmente uma ondulao
de 120 Hz na tenso de barramento e que esta est fadada a aparecer na
tenso de sada, caso o circuito de controle no a corrija. No entanto, se
tal ondulao for corrigida, ocorrer distoro da corrente de entrada,
Tese de Doutorado Ccero da Silveira Postiglione - 2011
139
como no caso do retificador boost. Deste modo, interessante que o
capacitor de sada possua valor elevado o suficiente para garantir que a
tenso de sada no varie para fora dos limites especificados durante um
degrau de carga.
O clculo da capacitncia de sada do conversor poder depender
da resposta dinmica desejada. No momento, apenas se est interessado
em confirmar seu funcionamento esttico, de maneira a validar a
metodologia descrita.
O capacitor de barramento o elemento que realiza a juno
entre o estgio de entrada (CFP) e o de sada (conversor cc-cc), e
responsvel pela manuteno da tenso de barramento. Indiretamente,
este capacitor que determina a ondulao da tenso de sada do
conversor, pois apesar da ondulao em alta frequncia ser muito
pequena, a ondulao da tenso de barramento ser refletida na sada do
circuito, pelo menos em malha aberta. Para o clculo de sua capacitncia
necessrio estipular a ondulao de tenso permitida em seus terminais
para a frequncia de 120Hz, devida ponte retificadora. Neste caso,
utilizou-se a ondulao de projeto, apresentada no Quadro 3-5. O valor
mdio da tenso deste capacitor em regime de funcionamento, a
ondulao de tenso admitida e o valor mximo de tenso que dever
suportar, esto apresentados no Quadro 3-9.
Quadro 3-9 Parmetros do capacitor de barramento.
Parmetro
Valor
VB = 10%
VBmed = 340V
VBmax = 500V
CB
Pout
2 f rede (VB max ) 2 (VB min ) 2
(3.163)
200
2
2
0,1
0,1
2 60 340 1
340 1
2
2
72 F (3.164)
140
O capacitor escolhido para ser usado no prottipo foi de
100F/500 V. O capacitor comercial escolhido possui uma resistncia
srie equivalente (RSE) tpica de 350m.
3.10.24 Resultados de Simulao
141
vin
100
iin
vin
100
iin
Corrente (A)
142
iin()
t
143
pelo equacionamento era de 340 V, no entanto o valor mdio obtido na
simulao foi de aproximadamente 350 V, resultando numa diferena de
aproximadamente 3 %. A ondulao de baixa frequncia de ambas as
tenses ficou limitada dentro do previsto. Tambm possvel constatar
que a ondulao de baixa frequncia presente no barramento cc se
reflete na sada, com um atraso, evidenciando uma caracterstica
intrnseca ao funcionamento da estrutura.
144
A Fig. 3-56 apresenta as formas de onda da tenso dos
capacitores Cfi na frequncia da rede. Nesta possvel visualizar a
ondulao em alta frequncia presente na tenso destes. Como j
mencionado, esta ondulao em alta frequncia funo de , e possui
efeito direto sobre a tenso de barramento do circuito. Quanto menor for
o valor de maior o valor dos capacitores Cfi e menor a ondulao,
aproximando-se do equacionamento. Quanto maior o valor de ( >
0,33) maior a ondulao de tenso em alta frequncia em Cfi e o circuito
passa a se comportar de maneira diferente da equacionada. Alm da
ondulao de alta frequncia na tenso dos capacitores Cfi, possvel
observar a diferena entre as tenses de pico atingidas durante o
semiciclo positivo e negativo da tenso de entrada. Como j comentado,
so provocadas pela inverso do sentido da corrente de entrada,
juntamente com a razo cclica assimtrica, de maneira que os indutores
Lin e os capacitores Cf troquem de papel nas etapas de operao a cada
semiciclo da tenso de entrada.
Fig. 3-56 Formas de onda de tenso nos capacitores de entrada Cf1 e Cf2,
na escala de frequncia da rede eltrica e detalhe na alta frequncia
durante o pico da tenso de entrada.
190, 5V
2
2
(3.165)
145
Vin pk VB (2 D 1)
311V 350V (2 0, 4 1)
120, 5V
2
2
(3.166)
Para fins ilustrativos a Fig. 3-57 apresenta a tenso vab aplicada
aos terminais do transformador.
VCf 2 pk
146
Na Fig. 3-59 tambm possvel observar a influncia de na
tenso de barramento medida que a tenso de comutao reduzida.
Para frequncias de comutao menores que 80 kHz, > 0,3.
300
D = 0.5
250
200
D = 0.4
150
D = 0.3
100
50
D = 0.2
0
80
100
120
140
160
180
200
fs(kHz)
147
3.10.25 Estratgia de Controle
Embora a dinmica do conversor cc-cc possa ser obtida a partir de seu modelo [55][58], no se obteve o modelo do conversor de CFP de maneira matemtica. Apenas utilizou-se
de resultados de simulao para a obtenso dos tempos de resposta de ambos os circuitos,
utilizando-se uma aproximao por um modelo de segunda ordem.
148
149
150
3.10.26 Resultados Experimentais
151
simulao, a DHT da corrente de entrada ficou em 11 % e o fator de
potncia obtido foi de 0,994, atendendo com folga aos limites impostos
pela norma.
152
A Fig. 3-63 (a) apresenta as formas de onda da tenso e da
corrente de entrada para a potncia mnima atingida com o prottipo
(51,3 W), com uma frequncia de comutao de 180 kHz e razo cclica
de aproximadamente 16 %. A Fig. 3-63 (b) apresenta a anlise da
qualidade da energia drenada pela fonte nesta condio de carga. A
DHT medida para a corrente de entrada foi de 21 % e o fator de potncia
igual a 0,979, inferior ao esperado no estudo terico, porm, ainda
elevado e atendendo aos limites da IEC 61000-3-2 Classe D com folga.
153
154
confunde as correntes nos indutores, mas estas podem ser facilmente
observadas no detalhe em alta frequncia, o qual permite identificar o
valor de pico diferente, atingido pelas duas correntes.
155
156
157
158
atingida caso se estivesse variando somente a razo cclica. Com isto,
possvel utilizar interruptores e capacitores que suportem at 500 V,
com segurana.
3.11 CONCLUSO
Neste captulo foi apresentado o estudo da estrutura serial
interleaved boost modificada operando com razo cclica varivel. Este
conversor j havia sido estudado em [36] e [37], porm, operando com
razo cclica fixa e igual a 50 % e frequncia varivel. O estudo
apresentado neste trabalho visa estender o conhecimento sobre o
comportamento de tal estrutura de maneira a possibilitar identificar a
maneira mais adequada de projet-la e de control-la, para que se
obtenha elevado fator de potncia, larga faixa de variao da potncia de
sada e elevado rendimento.
No incio do captulo foram apresentadas algumas estruturas de
conversores cc-cc que podem ser agrupados estrutura de maneira a
formar um conversor ca-cc isolado de estgio nico com correo do
fator de potncia. Assim, como em [37], o conversor escolhido para ser
estudado com a estrutura foi o meia-ponte assimtrico com comutao
ZVS, por ser considerado o mais adequado para a faixa de carga de 100
W a 600 W.
159
Existe na literatura uma estrutura similar, proposta por Wu em
[32] e [33], cujo funcionamento idntico, porm, devido ao
posicionamento dos indutores, os diodos da ponte retificadora de
entrada sofrem com tenses reversas que podem ser destrutivas. Alm
disso, a metodologia simplificada proposta por Wu parte do princpio de
que ambos os indutores de entrada operam em modo de conduo crtica
durante todo o perodo da tenso da rede eltrica, generalizando esta
condio para toda a faixa de variao do parmetro , o que pode levar
a concluses erradas sobre o comportamento do circuito em certas
condies.
A metodologia apresentada mostrou-se adequada para prever o
funcionamento do conversor, o que ficou comprovado pelos resultados
de simulao e experimentais. Apesar de o estudo realizado ser vlido
para < 0,3, observou-se por simulao que quando maior e o
circuito comea a operar em modo ressonante, a tenso de barramento
pode ser limitada em valores inferiores aos obtidos com a estrutura
operando no modo linear, quando a razo cclica reduzida. Contudo,
seu equacionamento no pode ser simplificado, devendo seguir as
equaes descritas na seo 3.5 e, neste caso, necessrio determinar as
condies iniciais de tais equaes.
Com relao aos resultados experimentais, so os mesmos
apresentados em [45].
160
161
4
4.1
INTRODUO
Ns
Ns
162
163
Lin1 D1
D2
Cf1
Vin
Cin1
Cin2
D3
D4
Lin1 D1
D2
Cin1
S2
S1
CB
(b)
L0
DR1
C0
T 1 Np
Lin2
Cin2
D3
D4
Lin1 D1
D2
Cf1
S2
S1
CB
Lin2
S2
D3
D4
(c)
L0
C0
T1 Np
Cf2
R0
DR2
DR1
Lr
R0
DR2
Lr
Cf2
Cin2
C0
T1 Np
Cf1
Vin
(a)
L0
DR1
Cf2
Cin1
CB
Lr
Lin2
Vin
S1
R0
DR2
Fig. 4-2 (a) Estruturas com dois capacitores charge-pump Cin, (a)
Simtrica, (b) Simtrica com capacitores Cin conectados ao inversor, (c)
com capacitores Cin deslocados para a entrada.
164
Lin1 D1
D2
Cin1
Cf1
Vin
S1
(a)
CB
L0
DR1
Lr
C0
T1 Np
Cf2
Lin2
Cin2
D3
D4
Cin1
Lin1D1
D2
S2
S1
R0
DR2
(b)
C
B
Cf1
Vin
DR1
Lr
C0
T 1 Np
Cf2
Lin2
Cin2
D3
D4
S2
L0
R0
DR2
Fig. 4-3 Estruturas combinadas, (a) Combinao entre as Fig. 4-2 (a) e
(b), (b) Combinao entre as Fig. 4-2 (a) e (c).
Ns
Ns
165
complementar, com razo cclica fixa e igual a 50 %, com controle da
tenso de sada por meio da variao da frequncia de comutao,
denominado Mod.1; e o segundo utilizando-se a modulao PWM
convencional, a mesma utilizada no conversor meia-ponte cc-cc,
denominado Mod.2. A Fig. 4-5 ilustra as duas maneiras de comandar os
interruptores. A priori, a principal diferena entre os dois tipos de
modulao est na comutao ZVS, que est presente em uma ampla
faixa de variao de carga no Mod.1, mas que ocorre somente em
potncias prximas nominal no Mod.2.
166
ambos os casos para filtrar a componente de 100 ou 120 Hz. Deste
modo, esta soluo se enquadra na mesma categoria das solues de
CFP baseadas nos conversores flyback, SEPIC e ZETA, os quais no
apresentam um capacitor de barramento intermedirio.
O uso de um capacitor de barramento de valor reduzido
desejvel do ponto de vista econmico. Uma rpida pesquisa feita em
catlogos de revendedores demonstrou que o custo de um capacitor
eletroltico proporcional tenso que ele suporta e que, para uma
mesma tenso, os custos para capacitncias diferentes so da mesma
ordem de grandeza. Por exemplo: Um capacitor de 10 mF custa
aproximadamente 12 % a mais que um de 3,3 mF, ambos para a mesma
tenso de 35 V. Por outro lado, um capacitor de 220F / 450 V custa
mais de 2,5 vezes o valor do capacitor de 10 mF de 35 V. Desta forma,
fica demonstrado que, em solues de baixo custo, pode ser mais
interessante eliminar o capacitor eletroltico do barramento e elevar a
capacitncia de sada, de maneira a reduzir a ondulao de baixa
frequncia. Assim, o nico capacitor CB necessrio seria um capacitor
de alta frequncia, como um de polister ou polipropileno que, na
prtica, teria que ser usado de qualquer maneira em paralelo com um
capacitor eletroltico de valor elevado, para suprir os picos de corrente
em alta frequncia.
Outra vantagem desta estrutura est na facilidade de
implementao de um circuito dobrador na entrada, permitindo que se
utilize uma chave seletora para operar com tenso de entrada universal.
Para tal, basta ligar o ponto b ao ponto que liga os diodos D2 e D4, da
ponte retificadora de entrada. A Fig. 4-6 apresenta como esta ligao
pode ser feita por meio de um interruptor auxiliar. Quando o interruptor
Saux se encontra fechado, o circuito pode operar com tenso de entrada
de 127 V e quando estiver aberto, em 220 V.
167
4.2
168
169
indutor Lr fora a descarga do capacitor interno de S1, CS1, e a carga de
CS2 at o instante t1, quando a tenso de CS1 chega a zero e sobre CS2 se
iguala a VCB. Conforme Fig. 4-8.
170
171
Sexta Etapa (t5, t6): A partir do instante t4, o indutor Lin1 assume
a corrente, fornecendo energia para o capacitor Cin, fazendo com que os
dois componentes entrem em ressonncia (Fig. 4-13). Esta etapa termina
no instante t6, quando o interruptor S1 comandado a bloquear.
T1
D2
Cin
Lin1
Cf1
Vin
Cf2
S1
Lr
Lm
DS1
CS1
DS2
CS2
a
CB
Np
T1
Lin2
D3
S2
D4
Ns
172
Oitava Etapa (t7, t8): No instante t7 a tenso no capacitor Cs2
atinge zero, colocando o diodo em antiparalelo com S2 em conduo.
Durante este intervalo o interruptor S2 comandado a conduzir sob
tenso nula, mas no entra em conduo at o instante t8, quando a
corrente de Lr passa por zero, invertendo seu sentido (Fig. 4-15).
D1
T1
D2
Cin
Lin1
Cf1
S1
Lr
Vin
DS1
Cf2
Lm
a
CB
Np
DS2
T1
Lin2
D3
Ns
CS1
CS2
S2
D4
T1
D2
Cin
Lin1
Cf1
Vin
Cf2
DS1
S1
Lr
Lm
CS1
a
CB
Np
DS2
T1
Lin2
D3
Ns
CS2
S2
D4
173
D1
T1
D2
Cin
Lin1
Cf1
Vin
Cf2
S1
Lr
Lm
DS1
CS1
DS2
CS2
a
CB
Np
T1
Lin2
D3
Ns
S2
D4
174
D1
T1
D2
Cin
Lin1
Cf1
Vin
Cf2
S1
Lr
Lm
DS1
CS1
DS2
CS2
a
CB
Np
T1
Lin2
D3
Ns
S2
D4
175
176
4.3
ANLISE E EQUACIONAMENTO
177
a t5 e t10 a t11). Deste modo, podem ser aproximadas por uma corrente
constante e igual a duas vezes a corrente de entrada, facilitando o
equacionamento.
A Fig. 4-21 apresenta as convenes adotadas no
equacionamento para o sentido da corrente nos componentes e para a
polaridade das tenses.
iCin (t ) Cin
dvCin (t )
dt
(4.2)
178
t
1
iLm (t )
vLm (t ) dt iLm (t2 )
Lm 0
(4.3)
Cin
dvCin (t )
1
I Lin 2 I 0
vLm (t ) dt iLm (t2 ) 0 (4.4)
dt
Lm 0
0
s
s Lm
s
(4.5)
( I0 I Lin 2 ) I Lm (t2 )
1
(4.6)
Fazendo o mnimo mltiplo comum:
s Lm
s
( I 0 I Lin 2 ) I Lm (t2 )
Cin
Cin
1
s2
Cin Lm
(4.7)
s VCin (t2 )
VCin ( s )
(4.8)
1
Lm Cin
( I I ) I (t )
s VCin (t2 ) 0 Lin 2 Lm 2
Cin
Cin
VCin ( s )
2
2
s 0
(4.9)
(4.10)
179
VCin(s) k1
Onde:
s
k2 2 0 2
2
s 0
s 0
(4.11)
k1 VCin (t 2 )
k2
( I 0 I Lin 2 ) I Lm (t 2 )
Cin 0
(4.12)
t2 t t3 (4.13)
vCin (t )
VCB
2
t3 t t5
(4.14)
Cf1
Vin
Cf2
+
-
D1
Lin1
+ Cin
S1
Lm
+
-
I0
180
(4.15)
Assumindo que a corrente de Lin1 constante para o intervalo de
tempo compreendido por esta etapa de operao e substituindo (4.2) e
(4.3) em (4.15), obtm-se:
t
I Lin1 Cin
dvCin (t )
1
I 0
vLm (t ) dt iLm (t5 ) (4.16)
dt
Lm 0
I Lin1
I V ( s) I (t )
s Cin VCin ( s ) Cin VCin (t5 ) 0 Cin Lm 5
s
s
s Lm
s
(4.17)
Agrupando os termos:
s Lm
s
(4.18)
Substituindo (4.9) em (4.18) e fazendo as devidas manipulaes,
obtm-se (4.19).
I Lin1 I 0 I Lm (t5 )
Cin
s 2 02
s VCin (t5 )
VCin ( s)
(4.19)
VCin (s) k3
Onde:
s
k4 2 0 2
2
s 0
s 0
2
(4.20)
k3 VCin (t5 )
k4
I Lin1 I 0 I Lm (t5 )
Cin 0
(4.21)
t5 t t6 (4.22)
181
Vab
4.4
t5
t6
t3
Ts
t4
t5
2 2
DIRETIVAS DE PROJETO
Valor
Tenso de Entrada - Vi
Tenso de Sada - V0
24 Vdc 5 %
200 W
30 kHz
75 kHz
Norma a Atender
182
respectivamente. No entanto, os indutores Lin afetam diretamente a
dinmica do sistema, pois a corrente de entrada circula atravs dos
mesmos. Quanto maior suas indutncias, aproximando-os de fontes de
corrente, mais lenta a resposta dinmica do circuito perante variaes
de carga. Alm disso, assim como ocorre com o circuito do captulo 3,
se os capacitores de entrada forem muito reduzidos, os segmentos das
formas de onda das correntes deixam de ser retas e ficam cada vez mais
curvas, aproximando-se do modo ressonante, alm de surgirem outras
etapas de operao. Deste modo, deve-se encontrar um equilbrio entre
custo (tamanho dos componentes) e desempenho.
importante notar que, da maneira como as equaes foram
obtidas, considerando a ondulao da corrente dos indutores Lin1 e Lin2
desprezvel, a frequncia fundamental do circuito, 0, funo da
indutncia de magnetizao e do capacitor charge-pump, Cin, e no mais
das indutncias Lin, como ocorria no captulo trs. Assim, o parmetro ,
que define a relao entre a frequncia natural do circuito e a frequncia
de comutao, dado por (4.24). Resultados de simulao
demonstraram que influencia diretamente a tenso de barramento. No
entanto, at o momento no se obteve uma soluo analtica para
expressar VCB em funo de .
0
1
s 2 f s Lm Cin
(4.24)
Cin
(4.25)
183
6. Corrente de sada referida para o primrio do
transformador.
A equao (4.25) demonstra a dificuldade em se determinar os
parmetros do circuito, visto que as equaes so linearmente
dependentes. Neste ponto, o conhecimento prvio obtido atravs de
simulao mostrou-se de grande valia. A seguir est uma breve
descrio de como foram determinados cada um dos termos.
1 Durao do intervalo (t3-t2): Os resultados de simulao
mostraram que, para que o conversor opere da maneira descrita nas
etapas de operao, o intervalo de tempo (t3-t2) deve ser em torno de 10
% do perodo de comutao Ts.
2 Frequncia 0: A frequncia natural do circuito foi
determinada com base nos bacos das Fig. 4-25, Fig. 4-26 e Fig. 4-27,
apresentadas na seo seguinte. A partir destas figuras pode-se
determinar a melhor relao , ou pelo menos o valor mais adequado.
De posse do valor de pode-se determinar a frequncia 0 para
qualquer frequncia de comutao escolhida. O valor escolhido para a
relao de frequncias foi de = 0,75.
3 Valor da tenso sobre Cin nos instantes t2 e t3: No final da
terceira etapa a tenso de Cin grampeada em VCB/2. No instante t2,
igual mxima tenso que este ir atingir. O valor mximo da tenso
sobre o capacitor Cin pode ser obtido por inspeo das formas de onda
da Fig. 4-20, a partir das quais se pode escrever (4.26).
VCin max
VCB
V
VCin min CB VCB VCin min
2
2
(4.26)
184
corrente de carga. Contudo, diferentemente de um conversor cc-cc
convencional, com sada em corrente, em que a corrente no primrio do
transformador igual a corrente de sada I0 referida ao primrio, neste
conversor, como o capacitor de barramento foi colocado para filtrar a
tenso somente na frequncia de comutao, esta possui forte ondulao
em 120 Hz e, em consequncia disto, a corrente do indutor de sada
tambm apresenta forte ondulao, praticamente atingindo zero durante
a passagem por zero da tenso de entrada, conforme ilustrado na Fig.
4-24. Deste modo, a corrente no primrio do transformador apresenta
uma envoltria de baixa frequncia semelhante tenso retificada.
Uma aproximao grosseira para determinar o valor da corrente
que circula por L0 no instante do pico da tenso de entrada seria admitir
que a corrente iL0 possa ser representada por uma forma de onda
senoidal com valor mdio igual a I0. Esta aproximao, apesar de no
ser rigorosa, mostrou-se melhor do que uma forma de onda retificada,
devido deformao da corrente.
185
que a corrente do indutor se torna inferior corrente de carga I0, ou seja,
igual metade da corrente de pico no indutor L0.
5 Corrente do indutor Lin2: Como j foi mencionado ao longo
do texto, a ondulao da corrente dos indutores de entrada foi
desprezada e seu valor de pico igual a duas vezes a corrente de
entrada.
Com base na aproximao para o intervalo de tempo da terceira
etapa e substituindo valores, pode-se reescrever a equao (4.25)
conforme (4.27).
Cin
sin 0,1 Ts 0 (
V
0 CB VCin max
2
I 0
2iin pk I 0 )
2
cos 0,1 Ts 0
(4.27)
diLin 2 (t )
dt
(4.29)
vi (t ) 2 Lin 2
diLin 2 (t )
VCB 0
dt
(4.30)
diLin 2 (t )
iLin 2 ( t4 )
Resolvendo, obtm-se:
(t5 t4 )
Vi VCB 5
dt
2 Lin 2 t4
(4.31)
(4.32)
186
corrente, respectivamente. Pequenas variaes destes parmetros no
interferem significativamente no funcionamento do conversor. O projeto
adequado destes elementos se resume em um compromisso entre
comportamento esttico e dinmico da estrutura. Quanto maior for o
valor destes componentes, maior ser a coerncia entre as aproximaes
feitas e o comportamento do circuito. Contudo, como j comentado, os
indutores Lin ficam em srie com a corrente de entrada e quanto maiores
forem os valores destes indutores, mais lenta ser a resposta perante uma
variao de potncia, limitando a resposta dinmica do circuito. As
equaes (4.33) e (4.34) fornecem orientaes para determinar o valor
da indutncia dos indutores Lin em funo da indutncia magnetizante
do transformador, Lm, e das capacitncias de Cf em funo da
capacitncia de Cin, respectivamente.
Lin1 Lin 2 Lm
(4.33)
C f 1 C f 2 10 Cin
4.5
(4.34)
RESULTADOS DE SIMULAO
Valor
500 H, 2% de disperso
1 F
n = 6.2
500 H
12 H
1 F
100 nF
50 H
9900 F
187
Primeiramente, para sustentar algumas das declaraes feitas no
subitem anterior, no que diz respeito ao comportamento de algumas
variveis, sero apresentados os resultados de simulao para a tenso
de barramento, DHT da corrente de entrada e potncia de sada em
funo da frequncia de comutao, tendo a capacitncia Cin como
parmetro. Os demais componentes foram mantidos fixos. A Fig. 4-25
apresenta a tenso de barramento e a Fig. 4-26 a DHT da corrente de
entrada. Observando estas figuras pode-se concluir que quanto menor
for a capacitncia de Cin, maior a tenso mxima de barramento,
porm, menor a distoro da corrente de entrada. Aumentando-se a
capacitncia de Cin, reduz-se a tenso de barramento, porm a DHT da
corrente de entrada aumenta mais rapidamente com a reduo da carga
(aumento da frequncia).
188
189
190
I0
191
a tenso sobre o capacitor Cin (b). Conforme estabelecido no incio da
apresentao das etapas de operao, o funcionamento descrito s
vlido caso a tenso do capacitor Cin no chegue a zero. Porm, como se
pode observar, durante a passagem por zero da tenso de entrada a
tenso de barramento cai significativamente e a tenso em Cin acaba
chegando a zero perto destes intervalos. Deste modo, mesmo que se
estendam as equaes obtidas para o pico da tenso de entrada como
feito no captulo trs, estas equaes sero aproximaes, pois no
representam o funcionamento do conversor durante todo o intervalo de
tempo em que a tenso sobre Cin atinge zero, devido modificao das
etapas de operao.
192
4.6
RESULTADOS EXPERIMENTAIS
Com o intuito de verificar os resultados de simulao, construiuse um prottipo obedecendo s mesmas especificaes. Os valores dos
componentes so os mesmos.
A Fig. 4-33 apresenta as formas de onda da corrente e da tenso
de entrada para a potncia nominal. A Fig. 4-33(a) apresenta a corrente
de entrada sem filtro e a (b) com a adio de um pequeno filtro LC (L =
3.3 mH com ncleo E30/14 e C = 220 nF) na entrada do conversor.
193
194
195
196
suportar a corrente adicional de magnetizao. Observa-se que com as
novas tecnologias de interruptores que esto sendo disponibilizados, tais
como os transistores do tipo CoolMOS, o rendimento pode ser ainda
maior do que o obtido.
A Fig. 4-38 apresenta o detalhe da comutao na potncia
nominal para duas diferentes situaes. A primeira no instante em que a
tenso de entrada encontra-se prxima de seu valor de pico (a) e a
segunda quando a tenso de entrada se encontra prxima do cruzamento
por zero (b).
197
4.7
T1
D2
Cin
Lin1
Cf1
Vin
Cf2
S1
Lr
Lm
DS1
CS1
DS2
CS2
a
CB
Np
T1
Lin2
D3
Ns
S2
D4
198
T1
D2
Cin
Lin1
Cf1
Vin
Cf2
S1
Lr
Lm
DS1
CS1
DS2
CS2
a
CB
Np
T1
Lin2
D3
Ns
S2
D4
199
indutores Lin1 e Lin2. A corrente em Lin1 cresce e a corrente em Lin2
decresce. A derivada da corrente nos indutores depende da indutncia de
disperso dos indutores acoplados. Se a indutncia de disperso for nula,
esta etapa ocorre instantaneamente.
200
D1
T1
D2
Cin
Lin1
Cf1
Vin
Cf2
DS1
S1
Lr
Lm
a
CB
Np
DS2
T1
Lin2
D3
Ns
CS1
CS2
S2
D4
201
Dcima Etapa (t9, t10): Em t9, a corrente do indutor Lr chega a
zero, e ambos os interruptores esto bloqueados. A tenso sobre cada
um dos interruptores chega ao equilbrio terico de VB/2.
202
Dcima Terceira Etapa (t12, t13): Como ocorre durante a sexta
etapa, a tenso sobre o capacitor Cin permanece grampeada em VB/2,
no havendo variao de carga sobre o mesmo. A transio de corrente
dos indutores Lin ocorre de acordo com a variao de carga sobre CB. No
instante t11 o diodo D1 naturalmente bloqueado com a passagem da
corrente de CB por zero.
203
204
4.8
(b)
Vcom1
t0 t2
t1
(a)
Vcom1
t5
0V
0A
t0 t2 t3 t4
t1
iLm
0A
vS1
0A
iLr
0V
0V
vab
0A
0A
vCin
iLin2
I`0
iD5
iS1
iLin1
VCB/2
t6 t8 t9 t10
t7
t11
iD6
iin
Vcom2
t12
0V
0A
0A
iD5
I`0
iLm
iS1
vS1
0A
iLr
0V
0V
vab
0A
iLin2
vCin
t7 t9
t8
iD6
VCB/2
iLin1
iin
Vcom2
t14
205
206
mesmo prottipo. Portanto, no foi desenvolvida uma nova metodologia
de projeto para a obteno dos valores dos componentes do conversor
operando no Mod. 2, utilizando-se o mesmo apresentado na Seo 4.4
em ambos os casos. O nico ajuste necessrio para garantir que o
circuito operasse na potncia nominal nos dois diferentes modos foi uma
pequena modificao da frequncia de comutao nominal, que foi de
30 kHz para 28 kHz, conforme apresentado em [62].
Os quadros Quadro 4-3 e Quadro 4-4 apresentam as
especificaes do projeto (as mesmas apresentadas na seo 4.4) e os
valores dos componentes utilizados.
Quadro 4-3 Especificaes de projeto
Parmetro
Tenso de Alimentao - Vi
Tenso de Sada - V0
Mod. 1
Mod. 2
Valor
Valor do Componente
500 H, 2% de disperso
T1
Lm
1 F
n = 6.2
500 H
Lr
12 H
CB
1 F
100 nF
Cf1, Cf2
Cin
L0
C0
50 H
9900 F
207
ondulao da tenso em ambos os componentes, o que acabou gerando
um perfil diferente para a corrente de entrada em cada modo de
operao. A Fig. 4-56 apresenta resultados de simulao para a tenso e
a corrente de entrada para os dois modos de operao. A Fig. 4-57
apresenta os resultados experimentais para a tenso e a corrente de
entrada com e sem a adio de um filtro de entrada.
208
4.0
Vin/100
2.0
iin
-2.0
-4.0
25ms
30ms
35ms
(a)
40ms
45ms
50ms
40ms
45ms
50ms
4.0
Vin/100
2.0
iin
0
-2.0
-4.0
25ms
30ms
35ms
(b)
Fig. 4-56 - Resultados de simulao para a tenso de entrada Vin e corrente
de entrada iin para os dois modos de modulao: (a) Mod.1, (b) Mod. 2.
Vin
Vin
iin
iin
(a)
(c)
209
210
A Fig. 4-58 apresenta os resultados experimentais para a anlise
harmnica da corrente de entrada, juntamente com os limites impostos
pela IEC 61000-3-2 Classe D, alm de outras medies de qualidade de
energia.
211
Com a reduo da potncia de sada, a diferena entre as duas
tcnicas se torna mais evidente na corrente de entrada. No Mod. 1 ocorre
o estreitamento do intervalo de conduo da corrente com a reduo da
potncia, o mesmo no ocorre na mesma proporo quando a razo
cclica reduzida no Mod.2, distorcendo menos a corrente de entrada e
apresentando fator de potncia mais elevado, conforme mostrado nas
Fig. 4-59 e Fig. 4-60. Contudo, a reduo da razo cclica torna a
entrada em conduo dos interruptores dissipativa, o que acaba
acarretando em maiores perdas nas menores potncias para o Mod.2. A
Fig. 4-61 (a) apresenta curvas comparativas do FP para os dois modos
de operao e a Fig. 4-61 (b) para a eficincia.
212
213
CONCLUSO
214
simulaes, para desenvolver uma metodologia de projeto. Os
resultados obtidos mostraram-se coerentes com as etapas de operao
descritas.
Apesar do estudo que descreve o comportamento do conversor
dentro do perodo de comutao ter-se mostrado adequado e
comprovado, no foi possvel obter um equacionamento que descreva o
comportamento do conversor dentro de um perodo da rede eltrica, o
qual permitiria obter as curvas de fator de potncia e a caracterstica de
sada, como as apresentadas no captulo trs. Isto se deve caracterstica
de transferir energia para a sada diretamente a partir da entrada, sem um
capacitor de barramento. Deste modo, existe um intervalo prximo
passagem por zero da tenso de entrada em que o comportamento do
circuito outro, pois este no consegue transferir energia para a sada.
O conversor apresentado tem sua aplicao em fontes de baixa
potncia, at 300 W. Suas principais caractersticas so: elevado fator de
potncia, alto rendimento para larga faixa de variao de carga, alta
densidade de potncia e nmero reduzido de componentes, esperando-se
um custo reduzido. Suas principais vantagens sobre muitas solues de
estgio nico so: tenso de barramento reduzida, a possibilidade de no
se utilizar um capacitor eletroltico no barramento cc e corrente de
entrada em modo de conduo contnua. Em [63] foi apresentada uma
aplicao desta topologia como driver de LEDs de potncia para
iluminao pblica. Esta topologia especialmente interessante para
esta aplicao devido possibilidade de no se utilizar capacitores
eletrolticos, principal fator limitante da vida de drivers para LEDs cuja
vida pode chegar a 100.000 horas. Alm disso, o circuito pode ser
facilmente implementado com variao da intensidade luminosa, alm
de apresentar elevado fator de potncia e rendimento.
A principal desvantagem desta estrutura est na impossibilidade
de transferir energia para a sada durante os vales da tenso de entrada,
necessitando de capacitores de valores elevados na sada para filtrar a
ondulao de 100 Hz ou 120 Hz.
Quanto sua aplicao como fonte de alimentao em geral,
apesar da necessidade de maior capacitncia na sada, capacitores
eletrolticos de baixa tenso custam menos do que os de tenso elevada.
Contudo, em aplicaes com tenso de sada inferiores a 12 V e que
tenham forte restrio na ondulao de baixa frequncia, pode ser
necessria a utilizao de um capacitor de barramento de valor elevado.
Com relao ao mtodo de controlar a potncia, muitos autores
citam a operao com frequncia varivel (Mod. 1) como sendo uma
desvantagem. Porm, ela elimina o problema da elevao da tenso de
Tese de Doutorado Ccero da Silveira Postiglione - 2011
215
barramento com a reduo da carga, como j se havia constatado em
[37]. Alm disso, foi constatado atravs de simulaes e resultados
experimentais que, no conversor proposto, a potncia de sada
inversamente proporcional ao quadrado da frequncia de comutao, o
que permite uma larga faixa de variao de carga com uma faixa de
variao de frequncia mais estreita.
No que diz respeito aos mtodos de modulao dos interruptores,
pode-se concluir que o Mod. 1 apresenta melhor eficincia para ampla
faixa de variao de carga e que o Mod. 2 apresenta melhor fator de
potncia para variaes de carga, alm de apresentar FP prximo
unidade na potncia nominal. Vale destacar que a implementao prtica
do circuito mais simples no Mod. 2, pois pode-se utilizar qualquer CI
disponvel no mercado para a implementao da modulao PWM
convencional do conversor meia-ponte. Enquanto para a implementao
do Mod. 1 seria necessrio encontrar algum controlador que permita
variar a frequncia de comutao. No caso do prottipo implementado,
usou-se um microcontrolador para executar esta funo.
216
217
5
CONCLUSES GERAIS
218
para toda a faixa de carga. Uma aplicao interessante para esta
estrutura utiliz-la como driver para LEDs de potncia, principalmente
em iluminao pblica [63], em que a ondulao de 120 Hz tolervel,
visto que at os dias de hoje, boa parte dos reatores em funcionamento
so eletromagnticos, operando na frequncia da rede eltrica.
Os resultados experimentais da estrutura do captulo quatro
tambm mostraram-se satisfatrios do ponto de vista da correo do
fator de potncia, atendendo aos limites estabelecidos pela IEC 61000-32 Classe D, mesmo com uma DHT da corrente elevada, quando
comparada estrutura do captulo trs. O rendimento mostrou-se
elevado, prximo de 90 % para toda a faixa de carga testada. Isto
comprovou a eficcia de se utilizar a indutncia de magnetizao do
transformador no auxlio da comutao suave, pois o acrscimo da
circulao de energia reativa no aumentou significativamente as perdas
de conduo a ponto de comprometer o rendimento da estrutura.
219
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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
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Lighting applications, IECON '09. 35th Annual Conference of
the IEEE Industrial Electronics Society, pp. 3490 3493, 2009.
227
APNDICES
229
230
Netlist:
* source CIRCUITO-EPE-2007-IDEAL
D_D2
N655357 N655027 Dbreak
C_C0
N654951 N654955 0.68m
IC=24
C_C_f_1
GND1 N655287 220n
Kn_K1
L_L1 L_L3
+ L_L5 1
C_C_f_2
N655293 GND1 220n
D_D4
0 N655357 Dbreak
R_Rg1
COM1 N665067 15
C_CB_1
N655027 0 100u IC=311
R_Rg2
COM2 N656305 15
R_R10
0 N654955 10M
D_D30
0 GND1 Dbreak
L_L5
N654955 N655911 27.8mH
D_D1
N655341 N655027 Dbreak
R_R5
N6551431 N655683 0.001
D_Dr1
N655907 N655013 Dbreak
L_L6
GND1 N655589 22.5uH
L_L_in_2
N655293 N655357
200uH
C_C8
N655683 N655027 220n
L_L1
N655589 N6551431 1H
IC=0.0
X_S2
N656305 0 GND1 0
SCHEMATIC1_S2
D_D3
0 N655341 Dbreak
C_C9
0 N655683 220n
X_S1 N665067 GND1 N655027 GND1
SCHEMATIC1_S1
L_L0
N655013 N654951 50uH
D_D29
GND1 N655027 Dbreak
L_L_in_1
N655287 N655341
200uH
V_V2
COM1 GND1
+PULSE 0 15 {Tm1} 5n 5n {Tcs1} {Ts}
R_R0
N654955 N654951 2.88
D_Dr2
N655911 N655013 Dbreak
L_L3
N655907 N654955 27.8mH
V_Rede
N655287 N655293
+SIN 0 {V_rede} {F_rede} 0 0 0
V_V3
COM2 0
+PULSE 0 15 {(Tcs1)+Tm1+Tm2} 5n 5n
{Tcs2} {Ts}
.PARAM
D=0.4 Tcs1={D*Ts-Tm1}
Tcs2={(1-D)*Ts-Tm2}
Tm1=0.1u
Tm=0.3u Tm2=0.1u
+
F_rede=60 fs=110kHz Ts={1/fs}
V_rede=311
.subckt SCHEMATIC1_S2 1 2 3 4
S_S2
3 4 1 2 _S2
RS_S2
1 2 1G
.MODEL
_S2 VSWITCH Roff=1e6
Ron=0.01 Voff=0.0V Von=15V
.ends SCHEMATIC1_S2
.subckt SCHEMATIC1_S1 1 2 3 4
S_S1
3 4 1 2 _S1
RS_S1
1 2 1G
.MODEL
_S1 VSWITCH Roff=1e6
Ron=0.01 Voff=0.0V Von=15V
.ends SCHEMATIC1_S1
231
232
233
235
236
Netlist:
* source PESC-2008
Kn_K1
L_L1 L_L3
+ L_L5 1
R_R0
N662967 N662963 2.8
X_D3
0 N663293 awbmur440
PARAMS:
C_C_f_1
M N663239 1u
C_C_f_2
N663245 M 1u
C_CB_1
N662885 0 2u IC=150
X_D4
0 N663309 awbmur440
PARAMS:
R_Rg1
COM1 N6629191 15
R_R10
0 N662967 10M
L_Lm
N663541 N663837 0.5mH
L_L5
N662967 N663151 26mH
R_Rg2
COM2 N664185 15
R_R5
N663805 M 0.1
R_R18
N663837 N663805 0.1
L_Lr
GND1 N663541 12uH
L_L_in_2
N663309 N663245
500uH
L_L1
N663541 N663805 1H
IC=0.0
C_Cin
M N662885 100n
Kn_K2
L_L_in_1 L_L_in_2 0.98
R_R23
N663115 N663051 47k
L_L_in_1
N663239 N663293
500uH
M_S1
N662885 N6629191 GND1
GND1 IRF840
R_R24
N663151 N663175 33k
X_Dr
N663115 N663107 N663151
awbmur1615ct PARAMS:
C_C23
N663115 N663051 68n
V_V2
COM1 GND1
+PULSE 0 15 {Tm1} 5n 5n {Tcs1} {Ts}
M_S2
GND1 N664185 0 0 IRF840
D_D23
N663107 N663051
MUR120
R_R21
N663107 N6629890 0.05
L_L3
N663115 N662967 26mH
C_C24
N663151 N663175 68n
X_D1
N663293 N662885
awbmur440 PARAMS:
D_D24
N663107 N663175
MUR120
V_Rede
N663239 N663245
+SIN 0 {V_rede} {F_rede} 0 0 0
C_C0
N662963 N662967 10m
IC=24
V_V3
COM2 0
+PULSE 0 15 {(Tcs1)+Tm1+Tm2} 5n 5n
{Tcs2} {Ts}
X_D2
N663309 N662885
awbmur440 PARAMS:
L_L0
N6629890 N662963 50uH
.PARAM Tcs1={D*Ts-Tm1} D=0.5
Tcs2={(1-D)*Ts-Tm2} Tm1=0.6u
Tm2=0.6u Tm=0.3u
+ fs=30kHz F_rede=60 V_rede=311
Ts={1/fs}
237
Fig. D-1 - Fo
oto do prottipo doo conversor do cap
ptulo trs.
Tese de Dou
utorado Ccero daa Silveira Postiglio
one - 2011