Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
PREVIO Nro. 1
LABORATORIOS 4 Y 5 DE LA GUA
CURSO:
Laboratorio de anlisis y diseo de circuitos electrnicos
DOCENTE:
Capcha Buiza Pedro
ALUMNOS:
ML 831
LIMA PER
2015
LABORATORIO Nro. 4
DISEO Y ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR
MONO-ETAPA: CONEXIN EN CASCADA Y
AMPLIFICADOR DARLINGTON
OBJETIVOS
Disear y analizar el funcionamiento de un circuito amplificador monoetapa, haciendo uso de un transistor bipolar, teniendo en cuenta la
corriente, la ganancia de tensin e impedancia de entrada y de salida.
FUNDAMENTO TERICO
1. TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado
slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.
El transistor bipolar est compuesto por 3 terminales, llamadas base,
colector y emisor. Estos dispositivos son controlados por corriente.
ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO:
suelen
estar
1.2.
ANLISIS ESTTICO
XC=
1
=infinito
2 fc
V Th=V cc
R2
R1 + R2
Rb=R 1 / R2
Utilizando la Segunda Ley de Kirchoff:
I cq=I b H fe
Como:
V Th I cq
V Th I b R b V be I cq Re =0 .
Rb
V be I cq Re =0.
H fe
h fe
Si el
I cq=
V ThV be
Re
Mediante esta ecuacin sacamos las siguientes conclusiones, en primer
lugar la corriente del colector depende del valor de la resistencia del
emisor (tambin podemos verla como un generador de corriente). En
caso que Re sea grande la corriente del colector sera una pequea y
demostraremos ms adelante que disminuye la ganancia de tensin del
transistor.
Ahora analizaremos la malla de salida del transistor.
V cc I cq R C Rceq I cq R e=0
V ceq =V cc I cq ( RC +R e )
1.3.
ANLISIS DINMICO
XC
tendera a cero),
Dnde:
Ri
hie
Ria
Rb
con
Lo cual
Ria
Rb
hie , entonces:
Ria hie
Ro : Resistencia de salida del transistor.
R o=
1
h oe : El
hoe
Ro
con
Ro
Roa
es el
Rd , la
Rd
Rc / R l . Como
Roa
es prcticamente
Rd .
A l=
I o=I C
A is =
Io
Ib
A is =
RC
RC
=I b h fe
R C + Rl
R C +R l
A l=hfe
Io
I
Io Io Ib
=
I Ib I
Ib
Rb
=
I R b + Ri
RC
R C+ R l
A is = Ai
Rb
R b+ R i
Rd
es el paralelo entre la
V o=gm V Rd
A v=
Vo
V
Rc ) y la
A vs =
RI )
A vs =
Vo
Vs
Vo V1
Ria
=gm Rd
V1 Vs
Ria + R s
A vs = A v
Ria
R ia + R s
A V =g m R d
3.
AMPLIFICADOR MULTIETAPAS
Cuando nos referimos a un amplificador, estamos hablando de un circuito
capaz de procesar las seales de acuerdo a la naturaleza de la aplicacin. El
amplificador sabr extraer informacin de toda seal, de tal manera, que
permita mantener o mejorar las caractersticas del sensor o transductor
utilizado la nuestra aplicacin. Por ejemplo: Si la aplicacin est inmersa en
algn tipo de ruido, el amplificador no deber amplificar el ruido, es
ms, debe atenuarlo de toda la seal y/o del medio imperante.
La tarea se deber realizar sin distorsionar la seal, sin perder informacin,
ni inteligencia. Un criterio universal al plantearse el diseo de un
amplificador, consiste en, seleccionar la primera etapa de este como un pre
amplificador, es decir, como un amplificador que permita preparar
adecuadamente la fuente de seal para ser posteriormente procesada y
amplificada. Una segunda etapa, consistir netamente en obtener
amplificacin de o las variables involucradas. En muchos casos, y con el fin
de evitar niveles de saturacin, se reserva ms de una etapa para esta
tarea. Por regla general, la etapa final ser exclusivamente una etapa de
potencia. Esta etapa, es en realidad la que permite la materializacin de
nuestra aplicacin en un ambiente completamente ajeno a las pequeas
seal.
4.
CONEXIN EN CASCADA
Una conexin popular de etapas de amplificador es la conexin en
cascada. Bsicamente en cascada es una conexin en serie con la salida
de una etapa aplicada como entrada a la segunda etapa. La
A v 1=
R C / R L
Z 1=R 1 / R2 /
Y la impedancia de salida del amplificador es la de la etapa 2:
Z 2 R C / r o
5.
CONEXIN EN DARLINGTON
El transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina
dos transistores bipolares en un tndem (a veces llamado par
Darlington)
en
un
nico
dispositivo.
Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de
proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo
integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la
Darlington= 1 2 + 1+ 2
Darlington 1 2
Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de
tensin. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los
transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de
ambas tensiones base-emisor:
BE= V BE 1 +V BE 2 2V BE 1
V
MATERIALES
o
o
o
o
o
o
o
o
o
o
o
Transistores 2N2222
Transistores BC142
Transistor 2N3904
Resistencias
Capacitores
Un generador de funciones
Protoboard
Multmetro
Osciloscopio
Cables telefnicos
Fuentes de alimentacin 0 a 30v.
1kHz
Vo
Q1
2N3904
Rs
600
Vs
-50/50mV
Rc
3.3k
Re
330
Ce
1uF
2. CONEXIN EN CASCADA
Vcc 24V
R3
4.7k
C1
22uF
+
R5
150k
Q1
2N2222
R2
22k
R4
1.2k
C2
10uF
C4
22uF
+
R7
4.7k
Q2
2N2222
+
1kHz
C5
22uF
+
R1
150k
V1
-100u/100uV
R6
22k
R8
1.2k
C3
10uF
R9
10k
20V
R1
75k
2N2222
2N2222
R3
100k
1kHz
R2
12k
C3
22uF
+
+
100uF
C1
R8
15k
R9
10k
4. CONEXIN CASCODE
LABORATORIO Nro. 5
PARAMETROS Y AUTOPOLARIZACIN DEL FET
(EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO)
1. Explicar cmo se obtiene el punto Q de trabajo de la figura 1
2. Como se obtiene la curva de transferencia Io vs Vgs indicando los puntos
Io (1 / Rs ).Vgs
de operacin y las rectas de polarizacin
Obtenidas
Vgs IoRs
de
por induccin de la curva aproximar los datos de FEJFET
como son Idss y Vp.
BAT1
20V
R2
R3
420k
2.7k
CIRCUITO 2
Q1
Id = 2,41mA
2N3819
R1
180K
R4
2.7k
CIRCUITO 1
BAT2
1.5V
R9
10k
C2
0.047uF
R8
3000k
BAT3
9V
Q2
C1
0.047uF
Confirmar voltaje
2N7000
R5
R6
100k
1k
C3
100uF
confirmar voltaje
MATERIALES :
SIMULACIONES :
1. SIMULACIN DE LOS CIRCUITOS DEL LABORATORIO 4 EN
PROTEUS
BIBLIOGRAFA
[1] P. Capcha, Gua de Laboratorio de Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos,
Universidad Nacional de Ingeniera, 2015
[2] R. Boylestad, Electrnica: Teora de Circuitos, Prentice Hall, Octava Edicin,
2008.
[3] A. S. Sedra, K. Smith, Circuitos Microelectrnicos, Oxford University Press,
Cuarta Edicin, 1998.