FEBRERO 2015

Calculo de VT para transitores NMOS con diferente

longitud de compuerta (L)

Luis A. Rodrguez, Instituto Nacional de Astrofsica Optica

y Electronica (INAOE)

ResumenEl objeto de este trabajo es calcular el voltaje de

umbral (VT ) de un arreglo de transistores de tecnologa CMOS
con diferente longitud de compuerta (L) y ancho (W ) fijo, a
partir de mediciones hechas en el laboratorio.

I. D ESARROLLO
E realizo la medicion de un arreglo de seis transistores de tecnologa CMOS con W = 10m y L =
[0,35], [0,5], [1], [3], [5], y [10]m . Especficamente, se midio ID en funcion de VGS con un barrido en VDS =
[25], [50], [75], y [100]mV , de tal forma que el dispositivo
se encuentre en la region lineal (VDS < VGS VT ); en
la Figura 1, solo se muestra la grafica del transistor de
L = 0,35m. En seguida se compararon las graficas ID VGS para un VDS = 50mV con diferente L, Figura 2. Por
u ltimo, con los datos obtenidos y con un programa realizado
en IC-CAP se calculo VT para los seis transistores con distinta
L y un VDS = 50mV , a traves del metodo de maxima
transconductancia, Figura 1.

II. A N ALISIS
DE RESULTADOS
En la Figura 1 solo se ilustran las curvas de ID -VGS del
transistor de L = 0,35m para diferentes voltajes VDS . En
esta grafica se observa que un incremento en VGS , la corriente
ID aumenta, ya que el numero de electrones se eleva en el
canal. Por otro lado, al incrementar VDS , ID de igual forma
crecera hasta llegar a la region de saturacion (VDS > VGS
VT ).
En la Figura 2 se graficaron las curvas de ID -VGS de los
seis transistores para VDS = 50mV . De esta grafica puede
observarse que un incremento en L, la corriente ID decrece;
debido a que la resistencia del canal se incrementa, por lo que
la pendiente de la curva ID -VGS disminuye.
Para la obtencion de VT , se realizo un programa en ICCAP, el cual calculo la maxima transconductancia de cada
una de las curvas de la Figura 2; posteriormente se trazo una
recta tangente sobre el punto de maxima transconductancia,
con proposito de identificar el cruce de la recta tangente en el
eje de abscisas; finalmente, se obtuvo VT por medio de
1
(1)
VT = VGS VDS
2
En la grafica de la Figura 3 se muestra VT para los
seis transistores de diferente L y VDS = 50mV . De esta
grafica se observa que mientras L crece, VT disminuye; este
comportamiento se debe a la presencia del efecto de canal
corto inverso. El cual es observado en tecnologas modernas
de canal corto.

Figura 1: ID en funcion de VGS para diversos voltajes de

drenaje (VDS ) con su respectiva transconductancia y recta
tangente en el transitor de L = 0,35m.

Figura 2: ID en funcion de VGS de transistores NMOS de

W = 10m y L variable para VDS = 50mV .

Figura 3: VT de transistores NMOS en funcion de la longitud

de compuerta (L) para VDS = 50mV .