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` DEGLI STUDI DI MODENA E REGGIO EMILIA

UNIVERSITA

Dipartimento di
Scienze Fisiche, Informatiche e Matematiche
Corso di Laurea in FISICA

Tesi di Laurea

Modello tight-binding per il grafene.

Relatore:

Laureando:

Prof. Franca Manghi

Lorenzo Rossi

Anno Accademico 2014-2015

Capitolo 1

Introduzione
Nelle seguenti pagine verranno trattate le propriet`a elettroniche di cristalli esagonali bidimensionali. Il sistema cristallino in esame verr`a idealizzato descrivendolo come una matrice periodica di
atomi perfettamente localizzati, trascurando quindi le vibrazioni reticolari ed eventuali imperfezioni. Infine lintera trattazione si baser`a su una descrizione ad elettrone singolo andando a definire
le bande energetiche del solido tramite un modello ad elettroni non interagenti in cui la mutua
repulsione verr`
a tenuta in considerazione solamente tramite un campo medio.
Il cristallo reale a cui faremo riferimento sar`a il grafene, materiale costituito da un singolo foglio
di grafite avente notevoli propriet`
a elettroniche e meccaniche1 , tuttavia non tutte le propriet`a che
verranno introdotte allinterno del modello avranno uneffettiva corrispondenza nelle propriet`a sperimentalmente misurate del grafene; esso rappresenta quindi pi`
u che altro un punto di riferimento
da cui partire per studiare le propriet`a elettroniche di reticoli bidimensionali esagonali.
Il calcolo delle bande elettroniche verr`a realizzato tramite il metodo tight-binding per cui svilupperemo inizialmente tale metodo in forma generale nel capitolo 2; nel capitolo 3 i risultati generali
verranno applicati al caso di reticolo esagonale semplice, introducendo opportune ipotesi che verranno mantenute anche nei capitoli successivi. Nel capitolo 4 viene inserita allinterno del modello
una dimerizzazione e successivamente linterazione spin orbita; questultima permette di introdurre
il concetto di isolante topologico ed enunciare il rapporto tra linvariante topologico Z2 e le bande
energetiche di un sistema unidimensionale ottenuto dal precedente riducendone di una dimensione
la periodicit`
a. Infine nel capitolo 5 si ripropone lanalisi effettuata nel capitolo 4 per un sistema
leggermente diverso caratterizzato da una, cosiddetta, distorsione Kekul`e.

1 Si veda ad esempio A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov e A. K. Geim, The electronic
properties of graphene, Rev. Mod. Phys., 81, 2009, pp.109-162.

Capitolo 2

Metodo tight-binding
Il metodo tight-binding sfrutta una combinazione lineare di autostati atomici per descrivere gli
autostati dellintero cristallo. Esso fornisce buoni risultati quando la sovrapposizione tra autostati atomici di atomi vicini `e ragionevolmente piccola, permettendo di considerare gli elettroni del
cristallo localizzati in regioni prossime allatomo di appartenenza; esso prende forma quindi da un
punto di partenza diametralmente opposto a quello su cui si basa il modello ad elettrone quasi
libero.
Nello sviluppare il metodo prendiamo in considerazione un reticolo di Bravais con base. Suppo~ una loro combinazione
nendo di aver definito i vettori di base del reticolo diretto indichiamo con R
lineare intera in modo che ogni cella del reticolo sia univocamente individuata da uno di tali vettori;
siano poi ~i , con i I insieme finito di indici, i vettori della base, ovvero i vettori posizione dei
diversi siti appartenenti ad una stessa cella rispetto allorigine della cella stessa. In questo modo
~ i).
ogni atomo del cristallo `e univocamente identificabile tramite la coppia (R,
~ i) `e possibile scrivere:
Per ogni coppia (R,
r)
r, p~) + UR,i
H(~r, p~) = HR,i
~ (~
~ (~

(2.1)

dove:
H(~r, p~) `e lHamiltoniana cristallina (a elettrone singolo)
~ i)
HR,i
r, p~) `e lHamiltoniana atomica (a elettrone singolo) del sito (R,
~ (~
UR,i
r) `e la correzione che deve essere apportata al potenziale dellHamiltoniana atomica
~ (~
HR,i
r, p~) per ottenere lHamiltoniana cristallina H(~r, p~) (tale termine include quindi lintera~ (~
zione con gli altri nuclei e uninterazione media con gli elettroni appartenenti agli altri atomi
del cristallo).

r) deve risulData la simmetria traslazionale del reticolo la forma funzionale di HR,i


r, p~) e UR,i
~ (~
~ (~
~
tare indipendente da R mentre ci aspettiamo che dipende da i se il cristallo non `e monoatomico.
~ i, i un
Supponiamo poi di conoscere gli autostati delle Hamiltoniane atomiche; sia ad esempio |R,
autostato di HR,i
:
~ associato allautovalore ER,i,
~
3

2 Metodo tight-binding

~
~ i, i
HR,i
|R,
~ |R, i, i = ER,i,
~

(2.2)

data la simmetria traslazionale del reticolo ci aspettiamo che anche linsieme degli autovalori
~
{ERi
e monoatomi~ } sia indipendente da R mentre possa dipendere da i se il cristallo non `
co; analogamente ci aspettiamo che valgano le stesse propriet`a anche per la forma funzionale
~ i, i, dove con |~ri si `e indicato un autostato delloperatore posizione.
di R,i,
(~r) = h~r |R,
~
Nellipotesi in cui UR,i
r) sia grande solo nelle regioni di spazio in cui gli autostati di HR,i
r, p~)
~ (~
~ (~
~
siano prossimi ad annullarsi possiamo supporre che gli stati |R, i, i forniscano gi`a una prima
~ Tali
approssimazione di autostati dellHamiltoniana cristallina localizzati sul sito i della cella R.
stati tuttavia non soddisfano la forma prevista dal teorema di Bloch per cui anziche sviluppare
il ragionamento con essi sfruttiamo delle loro combinazioni lineari aventi la forma opportuna,
definiamo cos`:
|~k, i, i =

~ i, i
eik(R+~i ) |R,

(2.3)

~
R

per ogni vettore ~k permesso dalle condizioni periodiche al contorno allinterno della prima zona
di Brillouin1 (essendo la cardinalit`
a dellinsieme dei ~k considerati pari alla cardinalit`a dellinsieme
~
dei vettori R il numero di stati di Bloch cos` definiti `e pari al numero di stati localizzati trovati in
precedenza2 ).
Per migliorare il grado di accuratezza possiamo ora, invece di utilizzare un singolo stato |~k, i, i
per approssimare un autostato dellHamiltoniana cristallina avente la forma prevista dal teorema
di Bloch, sfruttare delle combinazioni lineari quali:
|n, ~ki =

XX
~
R

(n)
ci |~k, i, i

(2.4)

(n)

ricercando i coefficienti ci in modo tale soddisfare al meglio la relazione:


H |n, ~ki = n (~k) |n, ~ki

(2.5)

(n)

Per trovare lespressione corretta per i coefficienti ci possiamo proiettare la precedente equazione
su |~0, i, i e suddividendo opportunamente lHamiltoniana otteniamo:
h~0, i, | (H~0,i + U~0,i ) |n, ~ki = n (~k) h~0, i, |n, ~ki
da cui, sfruttando la definizione di autostato atomico, si deriva:
E~0,i, h~0, i, |n, ~ki + h~0, i, | U~0,i ) |n, ~ki = n (~k) h~0, i, |n, ~ki
espandendo quindi lo stato |n, ~ki si trova:

1 Si noti che anche supponendo gli stati |R,


~ i, i normalizzati e ortogonali per differenti, gli stati |~k, i, i non
risultano in generale normalizzati, ma di ci`
o se ne dovr`
a tenere conto solo al termine della discussione, quando
si vorranno definire autostati normalizzati dellHamiltoniana cristallina; inoltre a tale punto saranno gi`
a state
introdotte opportune ipotesi semplificatrici che permetteranno di definire agevolmente le costanti di normalizzazione
2 Si

veda ad esempio Ashcroft, Mermin Solid state physics pag. 178

X X (n) X ~ ~
~ j, i
(n (~k) E~0,i, ) h~0, i, |
ci
eik(R+~j ) |R,
j

h~0, i, | U~0,i

~
R

X X (n) X ~ ~
~ j, i = 0

c
eik(R+~j ) |R,
i

~
R

e ponendo
~ j, ) = h~0, i, |R,
~ j, i integrale di sovrapposizione
S(~0, i, ; R,
~ j, ) = h~0, i, | U~ |R,
~ j, i correzione energetica
U (~0, i, ; R,
0,i
si ottiene:

(n (~k) E~0,i,

X X (n) X ~ ~
~ j, )
c
eik(R+~j ) S(~0, i, ; R,
)
i

~
R

X X (n) X ~ ~
~ j, ) = 0

eik(R+~j ) U (~0, i, ; R,
c
i

~
R

da cui:
(n (~k) E~0,i,

X X (n)
X X (n)
)
c Z(~k; i, ; j, )
c W (~k; i, ; j, ) = 0
i

avendo posto
P
~ ~
~ j, )
Z(~k; i, ; j, ) = R~ eik(R+~j ) S(~0, i, ; R,
P
~ ~
~ j, )
W (~k; i, ; j, ) = R~ eik(R+~j ) U (~0, i, ; R,
Ci si riconduce cos` allequazione lineare omogenea:
o
X X (n) n
ci (n (~k) E~0,i, )Z(~k; i, ; j, ) W (~k; i, ; j, ) = 0
j

(2.6)

e ripetendo il ragionamento, proiettando su tutti i possibili |~0, i, i al variare di i e , otteniamo


(n)
un sistema di |{i}| |{}| equazioni lineari omogenee nelle |{j}| |{}| incognite cj . Richiedendo
la solubilit`
a di tale sistema imponendo la nullit`a del determinante della matrice dei coefficienti, si
(n)
ottengono quindi |{j}| |{}| autovalori n (~k) e, a partire dai coefficienti cj trovati, i corrispettivi
autostati |n, ~ki.

Capitolo 3

Reticolo esagonale semplice


Applichiamo ora il modello tight-binding ad un reticolo bidimensionale esagonale quale quello del
grafene. Per poter proseguire `e necessaria la conoscenza esplicita delle propriet`a cristallografiche
del reticolo, definiamo quindi nel piano una base ortonormale {~e1 , ~e2 } ed unorigine O del sistema
di riferimento. Poiche un reticolo esagonale non pu`o essere descritto con un semplice reticolo di
Bravais ma `e necessaria lintroduzione di una base biatomica1 definiamo, oltre ai vettori del reticolo
diretto, anche due opportuni vettori per individuare la posizione dei due siti atomici allinterno
della stessa cella elementare (ricordiamo tuttavia che questi due siti sono della stessa natura essendo entrambi atomi di carbonio).

~a1
1
O
2
~a2
Figura 3.1: Reticolo diretto; in rosso la cella di Wigner Seitz

Definiamo quindi i vettori di base del reticolo diretto come:






3
3
1
~
a
=
a
~a1 = a 21

2
2
2
2
{~
e1 ,~
e2 }

{~
e1 ,~
e2 }

(3.1)

dove a = |~a1 | = |~a2 | `e la distanza a secondi vicini, che nel caso del grafene risulta essere a 2,46A,
e i vettori posizione dei siti atomici come:


a
a
0 13
0 13
~2 =
(3.2)
~1 =
2
2
{~
e1 ,~
e2 }
{~
e1 ,~
e2 }
a
La distanza a primi vicini risulta quindi d = |~1 ~2 | = 1,42A.
3

1 Si

veda ad esempio Ashcroft, Mermin Solid state physics pag. 75

3 Reticolo esagonale semplice

M0K

~b1
M
K0

~b2
Figura 3.2: Reticolo reciproco; in blu la prima zona di Brillouin

Definiti i vettori di base del reticolo diretto possiamo ricavare i vettori di base del reticolo reciproco
{~b1 , ~b2 } dalle relazioni:
(
(
~b1 ~a1 = 2
~b2 ~a1 = 0
(3.3)
~b1 ~a2 = 0
~b2 ~a2 = 2
e si trova:

~b1 = 2 1
a

1
3


{~
e1 ,~
e2 }


~b2 = 2 1
a

13


{~
e1 ,~
e2 }

(3.4)

Possiamo infine definire i punti di alta simmetria del reticolo reciproco come:

= 0 0 {~e ,~e }
1

K0 =

2
a

2
a

M=
K=

2
3

2
a

M0 =

2
a


0 {~e

e2 }
1 ,~

1
2

2 3

1
3

1
3

1
3

{~
e1 ,~
e2 }

{~
e1 ,~
e2 }


{~
e1 ,~
e2 }

Possiamo ora ripartire da (2.6) introducendo ipotesi opportune in modo da rendere tale equazione,
e le altre costituenti il sistema, pi`
u maneggevoli.
Dobbiamo innanzi tutto specificare quali orbitali atomici sia sensato utilizzare per approssimare
gli autostati dellHamiltoniana cristallina, `e infatti conveniente considerare solo quegli autostati
associati ad energie prossime allenergia di Fermi del cristallo poiche sono essi a fornire il principale
contributo. Nel caso specifico del grafene `e sufficiente prendere in considerazione un solo orbitale
per sito, la configurazione elettronica del carbonio in tale reticolo prevede infatti due elettroni
fortemente localizzati nellorbitale 1s, tre elettroni impegnati nel realizzare forti legami in orbitali ibridi sp2 disposti nel piano xy a 120 luno dallaltro e infine un elettrone maggiormente
delocalizzato disposto in un orbitale pz e realizzante legami con gli atomi vicini. Solo questultimo orbitale fornir`
a quindi un contributo significativo nella definizione degli autostati cristallini
associati ad energie prossime allenergia di Fermi.
In questipotesi la (2.6) si riduce, tenendo anche conto del numero di siti per cella, a:
8

2
X

(n)

ci

n
o
(n (~k) E~0,i )Z(~k; i; j) W (~k; i, ; j) = 0

(3.5)

j=1

dove:
P
~ ~
~ j)
Z(~k; i; j) = R~ eik(R+~j ) S(~0, i; R,
P
~ ~
~ j)
W (~k; i; j) = R~ eik(R+~j ) U (~0, i; R,
E~0,i `e lenergia dellunico orbitale coinvolto del sito i; dato per`o che nel sistema in esame i
due atomi della base sono identici possiamo porre E0 = E~0,1 = E~0,2
~ j) =
Introduciamo quindi ipotesi semplificatrici anche sugli integrali di sovrapposizione S(~0, i; R,
~ j, i e sulle correzioni energetiche U (~0, i; R,
~ j) = h~0, i, | U~ |R,
~ j, i supponendo
h~0, i, ; R,
0,i
che tutti gli integrali di sovrapposizione tra autostati atomici localizzati su siti differenti siano
trascurabili:
~ j) = ~ ~ ij
S(~0, i; R,
0R
e che le uniche correzioni energetiche significative siano solo a primi vicini:
~ j) =
U (~0, i; R,
/ 0

~ j) coincidenti o primi vicini


(~0, i) (R,

In queste ipotesi2 otteniamo:


Z(~k; i; j) =

eik(R+~j ) ~0R~ ij = eik~j ij

~
R

e:
W (~k; 1; 1) =

~ ~
~
eik(R+~1 ) U (~0,1; R,1)

~
R
i~
k~
1

=e
U (~0,1; ~0,1)
X ~ ~
~
W (~k; 2; 2) =
eik(R+~2 ) U (~0,2; R,2)
~
R
i~
k~
2

=e
U (~0,2; ~0,2)
X ~ ~
~
W (~k; 1; 2) =
eik(R+~2 ) U (~0,1; R,2)
~
R
i~
k~
2

~
~
=e
[U (~0,1; ~0,2) + eik~a1 U (~0,1; ~a1 ,2) + eik~a2 U (~0,1; ~a2 ,2)]
X ~ ~
~
W (~k; 2; 1) =
eik(R+~1 ) U (~0,2; R,1)
~
R
i~
k~
1

=e

~
~
[U (~0,2; ~0,1) + eik~a1 U (~0,2; ~a1 ,1) + eik~a2 U (~0,2; ~a2 ,1)]

2 Nellipotesi fatta relativamente agli integrali di sovrapposizione risulta diretto verificare che la costante di
normalizzazione da applicare agli stati (2.3), supponendo gli autostati atomici normalizzati, `
e pari a 1~
|{R}|

3 Reticolo esagonale semplice

Data lidentica natura dei siti atomici coinvolti dobbiamo poi supporre che:
U (~0,1; ~0,1) = U (~0,2; ~0,2)
e che:
U (~0,1; ~0,2) = U (~0,1; ~a1 ,2) = U (~0,1; ~a2 ,2) =
= U (~0,2; ~0,1) = U (~0,2; ~a1 ,1) = U (~0,2; ~a2 ,1)
pertanto per semplicit`
a indichiamo i primi con t0 ed i secondi con t e riscriviamo i coefficienti
W (~k; i; j) come3 :
~
W (~k; 1; 1) = t0 eik~1
~

W (~k; 2; 2) = t0 eik~2
~
W (~k; 1; 2) = teik~2 (~k)
~
W (~k; 2; 1) = teik~1 (~k)
~

dove (~k) = [1 + eik~a1 + eik~a2 ]. In questo modo il sistema di equazioni lineari che dobbiamo
risolvere si riduce a:
!
!  
~
~
(n)
c1
0
(n (~k) E0 t0 )eik~1
teik~2 (~k)
=
(3.6)
(n)
i~
k~
1 ~
i~
k~
2
~
0
c2
te
(k)
(n (k) E0 t0 )e
~

Moltiplicando quindi la prima equazione per eik~1 e la seconda per eik~2 ci possiamo poi
ricondurre allusuale forma di un problema agli autovalori:
!
!
!
~
(n)
(n)
0
teik(~2 ~1 ) (~k)
c
c1
1
(3.7)
= (n (~k) E0 t0 ) (n)
~
(n)
c2
c2
0
teik(~2 ~1 ) (~k)
che prevede come soluzioni:
q
 (~k) E0 t0 = |t| |(~k)|2

(3.8)

dove:
|(~k)|2 = 3 + 2 cos(~k ~a1 ) + 2 cos(~k ~a2 ) + 2 cos(~k (~a1 + ~a2 ))
Ridefinendo lo zero dellenergia come E0 + t0 possiamo affermare che le due bande trovate sono
simmetriche rispetto ad esso e si annullano se e solo se |(~k)|2 = 0.
Gli unici punti in cui ci`
o accade sono4

3 Senza perdita di generalit`


a possiamo supporre t, t0 R, cos` come i termini ad essi analoghi che introdurremo
in seguito; il potenziale `
e infatti scrivibile tramite una funzione reale del vettore posizione e gli stati possono essere
scelti in modo da soddisfare alla stessa condizione; in generale inoltre ci aspettiamo che tali coefficienti siano negativi
4 Il

risultato `
e noto tuttavia una dimostrazione di questo risultato `
e presente anche nel capitolo successivo

10

K0 =

2
a

4
3


{~
e1 ,~
e2 }

K=

2  1
a 3

1
3


{~
e1 ,~
e2 }

e tutti i punti da essi raggiungibili tramite combinazioni lineari intere di vettori di base del reticolo
reciproco. In un qualunque intorno di tali punti si trova poi che:
3a2 ~ 2
3a2
(x 2 + y 2 ) + o(x 2 , y 2 )
||
|(~k)|2 =
4
4
dove ~ `e il vettore distanza (nel reticolo reciproco) da essi, e quindi la relazione di dispersione pu`
o
essere ivi approssimata tramite un andamento lineare nel modulo della distanza. Nei punti K e
K 0 si vengono cos` a delineare i cosiddetti coni di Dirac, che rappresentano la peculiarit`a delle
bande energetiche del grafene (cfr. Figura 3.3); una legge di dispersione lineare permette infatti
di trattare gli elettroni di conduzione del grafene analogamente a particelle relativistiche prive di
massa, prevedendo quindi unelevata conducibilit`a per questo materiale.

Figura 3.3: Bande energetiche del grafene; ~k [ 2


,
a
|t| = 1

2
]
a

[ 85

8
,
],
a 5 a

a = 1,

Ognuna delle due bande energetiche trovata secondo questo modello `e infatti degenere in spin
per cui, dovendo allocare due elettroni per cella, arriviamo a concludere che, nello stato di minima
energia, la banda inferiore risulta completamente occupata mentre la banda superiore risulta vuota.
Essendoci per`
o un gap nullo tra le due bande la conduzione `e possibile e si `e pertanto soliti
classificare il grafene come un semi-metallo.

11

12

Capitolo 4

Reticolo esagonale con


dimerizzazione
Partendo da un sistema analogo al precedente introduciamo una leggera variazione ipotizzando
la presenza di una piccola anisotropia nel sistema che non altera apprezzabilmente la struttura
geometrica ma influisce sui coefficienti di interazione1 . Consideriamo quindi nuovamente un reticolo
esagonale descritto dagli stessi vettori di base del reticolo diretto introdotti in (3.1):
~a1
1
O
2
~a2
Figura 4.1: Reticolo diretto; in rosso la cella di Wigner Seitz

~a1 = a

1
2

3
2


{~
e1 ,~
e2 }

~a2 = a

1
2

3
2


{~
e1 ,~
e2 }

e dagli stessi vettori posizione dei siti atomici definiti in (3.2):




a
a
0 13
0 13
~1 =
~2 =
2
2
{~
e1 ,~
e2 }
{~
e1 ,~
e2 }

(4.1)

(4.2)

e di conseguenza otteniamo anche gli stesi vettori di base del reticolo reciproco trovati in (3.4):

~b1 = 2 1
a

1
3


{~
e1 ,~
e2 }


~b2 = 2 1
a

13


{~
e1 ,~
e2 }

(4.3)

1 Cos`
come proposto da T. C. Lang, A. M. Essein, V. Gurarie and S. Wessel, Z2 topological invariants in two
dimaensions from quantum Monte Carlo Phys. Rev. B 87, 205101 (2013)

13

4 Reticolo esagonale con dimerizzazione

M 0K

~b1
M
K0

~b2
Figura 4.2: Reticolo reciproco; in blu la prima zona di Brillouin

Supponiamo per`
o ora che linterazione tra i due siti allinterno di una stessa cella sia leggermente
diversa dallinterazione che essi hanno con gli atomi di celle differenti, ad esempio in seguito ad una
leggera trazione o compressione effettuata nella direzione individuata dal vettore ~e2 ; nelle stesse
ipotesi introdotte in precedenza notiamo che questo corrisponde alla definizione di due differenti
tipologie di interazione a primi vicini, come in precedenza possiamo infatti porre:
t0 = U (~0,1; ~0,1) = U (~0,2; ~0,2)
mentre differenziamo le correzioni energetiche tra siti vicini nel seguente modo:
t0 = U (~0,1; ~0,2) = U (~0,2; ~0,1)
t = U (~0,1; ~a1 ,2) = U (~0,1; ~a2 ,2) = U (~0,2; ~a2 ,1) = U (~0,2; ~a1 ,1)
Ripercorrendo gli stessi passi compiuti in precedenza giungiamo quindi al problema agli autovalori:

!
!
!
~
(n)
(n)
eik(~2 ~1 ) f (t, t0 , ~k)
c1
c1
0 ~
= (n (t, t , k) E0 t0 ) (n)
~
(n)
c2
c2
eik(~2 ~1 ) f (t, t0 , ~k)
0
0

(4.4)

dove per`
o:
~
~
f (t, t0 , ~k) = t0 + t(eik~a1 + eik~a2 )

(4.5)

Gli autovalori risultano dunque:


q
 (t, t0 , ~k) E0 t0 = |f (t, t0 , ~k)|2
dove:


|f (t, t0 , ~k)|2 = |t|2 2 + q 2 + 2q cos(~k ~a1 ) + 2q cos(~k ~a2 ) + 2 cos(~k (~a1 + ~a2 )
avendo posto q =

(4.6)

|t0 |
|t| .

Sfruttando i valori espliciti di ~a1 e ~a2 possiamo riscrivere la (4.6) come:


!




|f (t, t0 , ~k)|2
kx a
ky 3a
kx a
2
2
= q + 4q cos
cos
+ 4 cos
|t|2
2
2
2
14

(4.7)

e sommando e sottraendo 4q cos

kx
2

possiamo arrivare a scrivere:



2


|f (t, t0 , ~k)|2
kx a
kx a
= q 2 cos
+ 4q cos
1 + cos
|t|2
2
2

!!
ky 3a
2

(4.8)

Tale forma `e utile per ricercare i valori di ~k in cui |f (t, t0 , ~k)|2 si annulla: essa `e infatti scritta come
la somma di due termini:
2
q 2 cos kx2a
che `e sempre non negativo

 

k
3a
che `e invece scritto tramite il prodotto di due fattori di cui il
4q cos kx2a 1 + cos y 2
secondo `e sempre non negativo mentre il primo ha segno dipendente da kx .
Limitandoci per`
o a considerare a kx a , scelta peraltro non restrittiva, anche il primo fattore
del secondo termine risulta non negativo e quindi, affinche |f (t, t0 , ~k)|2 si annulli, entrambi i termini
si devono annullare.
Affinche il secondo termine si annulli non `e possibile che il primo dei due fattori sia nullo altrimenti
il primo termine risulterebbe diverso da zero, pertanto si deve avere:
!
ky 3a
2
1 + cos
=0

ky =
(e repliche periodiche)
2
3a
mentre il primo termine si annulla se:


kx a
q 2 cos
=0
2

cos

kx a
2


=

q
2

Notiamo cos` che:


per q > 2 non si ha soluzione
per q = 2 si ha come soluzione kx = 0
per 1 < q < 2 si ha come soluzione 0 < kx <
per q = 1 si ha come soluzione kx =
per 0 < q < 1 si ha come soluzione

2
3a

2
3a

per q = 0 si ha come soluzione kx =

2
3a

(e opposto)

< kx <

(e opposto)

(e opposto)

(e opposto)

Possiamo dunque concludere che la modulazione dellinterazione allinterno della cella comporta
una deformazione delle bande, ed in particolar modo dei punti di contatto tra esse, fino a giungere,
per q > 2, allapertura di un gap (cfr. Figura(4.3), Figura(4.4) e Figura(4.5)).
Per q = 1, ovvero nel caso di reticolo non dimerizzato, ritroviamo il risultato riportato nella sezione
precedente: gli unici punti incui le bande
assumono il valore
dellenergia
di Fermi, arrivandosi a



1
1
2 1
2 1
0

toccare, sono i punti K = a 3


eK = a
(e tutti i punti raggiun3
3
3
{~
e1 ,~
e2 }

{~
e1 ,~
e2 }

gibili da essi tramite combinazioni lineari intere di vettori di base del reticolo reciproco e quindi
ad essi equivalenti).

15

4 Reticolo esagonale con dimerizzazione

Figura 4.3: Bande energetiche 3D per reticolo esagonale


con dimerizzazione; ~k [ 2
, 2
] [ 85
, 8 ], a = 1,
a
a
a 5 a
|t| = 1 e q = 0.2

Figura 4.4: Bande energetiche 3D per reticolo esagonale


con dimerizzazione; ~k [ 2
, 2
] [ 85
, 8 ], a = 1,
a
a
a 5 a
|t| = 1 e q = 1.7

16

4.1 Interazione spin-orbita

Per 1 < q < 2 i due punti per cella elementare del reticolo reciproco in cui si ha contatto tra le
bande si hanno in posizioni intermedie tra:
M0 =

2 
0
a

1
3

{~
e1 ,~
e2 }

K=

2  1
a 3

1
3


{~
e1 ,~
e2 }

e tra
M0 =

2 
0
a

1
3


{~
e1 ,~
e2 }

K0 =

2  1
3
a

1
3


{~
e1 ,~
e2 }

Figura 4.5: Bande energetiche 3D per reticolo esagonale


con dimerizzazione; ~k [ 2
, 2
] [ 85
, 8 ], a = 1,
a
a
a 5 a
|t| = 1 e q = 2.5

Per q = 2 i due punti per cella elementare del reticolo


reciproco
in cui le bande si toccano vengono


1
0
.
a coincidere in un unico punto dato da M 0 = 2
a
3
{~
e1 ,~
e2 }

Per q > 2, data la formazione di un gap tra le bande, il sistema perde la sua natura semi-metallica
e diviene un isolante; direttamente dalle definizioni date possiamo trovare Eg = 2(q 2)|t|.
Dalle immagini riportate in Figura(4.6) risulta infine evidente la perdita della simmetria esagonale
delle bande nel reticolo reciproco in seguito alla modulazione dellinterazione allinterno della cella;
nel caso limite q = 0 non si ha dipendenza dellenergia da ky poiche il sistema risulta costituito da
catene unidimensionali non interagenti, invece nel caso limite q + non `e pi`
u riconoscibile una
struttura esagonale data la perdita di individualit`a dei due atomi costituenti la base.

4.1

Interazione spin-orbita

Finora abbiamo trattato i livelli energetici indipendentemente dallo spin, tale scelta `e giustificata
dalla ridotta interazione spin-orbita che `e presente nel grafene. Tuttavia per una pi`
u accurata
descrizione di talune propriet`
a di questo materiale `e necessario includere anche questo fattore il
quale, come vedremo, aprir`
a un piccolo gap tra le bande. Linterazione spin-orbita permette per`
o
di definire una tipologia di materiali differenti dai comuni isolanti che prendono il nome di isolanti
17

4 Reticolo esagonale con dimerizzazione

(a) q = 0.2

(b) q = 0.44

(c) q = 0.8

(d) q = 1

(e) q = 1.4

(f) q = 1.8

Figura 4.6: Bande 2D per reticolo esagonale con dimerizzazione; ~k [ 2


,
a
|t0 |
.
|t|

2
]
a

[ 85

8
,
],
a 5 a

a = 1, |t| = 1 e

q=
Solo la banda di valenza `
e raffigurata; i colori caldi individuano i punti di massimo della banda mentre i
colori freddi i punti di minimo

18

4.1 Interazione spin-orbita

topologici.
Dobbiamo innanzi tutto definire unopportuna forma per linterazione spin-orbita ed un modello
molto utilizzato, introdotto da C. L. Kane and E. J. Mele2 , schematizza lo spin-orbita tramite
uninterazione a secondi vicini che, nella rappresentazione dellHamiltoniana tramite stati di Bloch
definiti in (2.3), comporta, supponendo il sito individuato dal vettore posizione ~rl secondo vicino
con il sito individuato da ~rj e avente il comune primo vicino in ~rm , la comparsa di un fattore
aggiuntivo:
1

itkm (1) 2

(~rm ~rl ) (~rj ~rm ) i~k(~rj ~rl )


e
|(~rm ~rl ) (~rj ~rm )|

(4.9)

nellelemento di matrice H(l, j), dove i `e lunit`a immaginaria, tkm `e un parametro reale caratteristico dellintensit`
a dellinterazione e = 21 `e la componente z dello spin. Notiamo quindi
che, dovendo rappresentare linterazione tra il momento angolare di spin ed il momento angolare
orbitale, linterazione `e direzionale, essendo il suo segno dipendente dal senso, orario o antiorario, tramite cui viene raggiunto un secondo vicino. Il segno dipende inoltre dalla componente z
dello spin per cui gli stati di base dovrebbero essere scritti tramite spinori a due componenti e
la matrice hamiltoniana risulterebbe conseguentemente di rango 4; tuttavia operando in tal modo
` quindi sufficiente
si trovano solamente due bande distinte, entrambe doppiamente degeneri. E
studiare studiare il problema per una data componente dello spin, avendo la consapevolezza che
per la componente opposta si otterrebbe un risultato analogo in cui le bande sono semplicemente
1
scambiate tra loro. Scegliamo quindi di prendere (1) 2 = 1 e continuiamo a lavorare con stati
di base ad una sola componente.
Con lintroduzione di questi termini il problema agli autovalori definito in (4.4) diviene:
!
!
!
~
(n)
(n)
g(tkm , ~k)
eik(~2 ~1 ) f (t, t0 , ~k)
c1
c
= (n (t, t0 , tkm , ~k) E0 t0 ) 1(n) (4.10)
~
(n)
c2
c2
eik(~2 ~1 ) f (t, t0 , ~k)
g(tkm , ~k)

Infatti i secondi vicini dei siti della tipologia j sono solo siti della tipologia j e quindi i termini
fuori dalla diagonale rimangono inalterati mentre i termini sulla diagonale, nulli in assenza di
spin-orbita, divengono:
h
i
~
~
~
~
~
~
H(1,1) = itkm +eik~a1 + eik~a2 + eik(~a1 +~a2 ) eik~a1 eik~a2 eik(~a1 +~a2 )
h
i
~
~
~
~
~
~
H(2,2) = itkm eik~a1 eik~a2 eik(~a1 +~a2 ) + eik~a1 + eik~a2 + eik(~a1 +~a2 )
ovvero:
h 

i
H(1,1) = g(tkm , ~k) = 2tkm sin ~k (~a1 + ~a2 ) sin(~k ~a1 ) sin(~k ~a2 )
h 

i
H(2,2) = g(tkm , ~k) = 2tkm sin ~k (~a1 + ~a2 ) sin(~k ~a1 ) sin(~k ~a2 )

2 C.

L. Kane and E. J. Mele, Quantum Spin Hall Effect in Graphene, Phys. Rev. Lett., 95, 226801 (2005)

19

4 Reticolo esagonale con dimerizzazione

Conseguentemente, risolvendo il problema agli autovalori, si trova:


q
 (t, t0 , tkm , ~k) E0 t0 = g 2 (tkm , ~k) + |f (t, t0 , ~k)|2
Conoscendo il comportamento di |f (t, t0 , ~k)|2 , `e sufficiente studiare landamento di g(tkm , ~k) per
valutare leffetto dellinterazione spin-orbita sulle bande energetiche del sistema e conseguentemente
sulla sua natura semi-metallica o isolante. Per studiare il comportamento di g(tkm , ~k) inseriamo i
valori espliciti di ~a1 e ~a2 ottenendo:
!#

"


kx a
kx a
ky 3a
g(tkm , ~k)
= 4 sin
cos
cos
tkm
2
2
2

Figura 4.7: Rappresentazione 2D della funzione |g(tkm , ~k)| relativa al contributo


13
13
energetico dovuto allinterazione spin orbita; ~k [ 13
,
] [ 13
,
],
5 a 5 a
5 a 5 a
a = 1, |tkm | = 1. I colori freddi rappresentano i punti di minimo della funzione
mentre i colori caldi rappresentano i punti di massimo.

notiamo quindi che affinche g(tkm , ~k) si annulli si deve avere:


kx = 0

(e repliche periodiche)

kx
ky =
3

(e repliche periodiche)

(4.11)

condizioni soddisfatte dai punti


M=

2  1
a 2

2 3

{~
e1 ,~
e2 }

2 
0
a

1
3

2  1
3
a

1
3

M0 =


{~
e1 ,~
e2 }

ma tuttaltro che soddisfatte dai punti


K=

2  1
a 3

1
3


{~
e1 ,~
e2 }

K0 =


{~
e1 ,~
e2 }

0
dove
anzi linterazione spin-orbita raggiunge il modulo massimo: g(tkm , K) = 3 3tkm e g(tkm , K ) =
3 3tkm (cfr. Figura(4.7)).

20

4.1 Interazione spin-orbita

Poiche gli unici punti in cui |f (t, t, ~k)|2 si annulla sono punti di massimo di |g(tkm , ~k)| possiamo
concludere che per il grafene
non dimerizzato lintroduzione dello spin-orbita comporta la formazione di un gap pari a Eg = 6 3tkm e landamento lineare delle bande in prossimit`a dei punti K e
K 0 viene leggermente deformato (cfr. Figura(4.8)). Si noti comunque che lampiezza reale del gap
`e molto ridotta e la conducibilit`
a del grafene rimane molto elevata in confronto a quella di altri
semiconduttori.

Figura 4.8: Bande energetiche 3D per grafene con interazione spin-orbita; ~k


[ 2
, 2
] [ 85
, 8 ], a = 1, |tkm | = 0.03.
a
a
a 5 a

Se poi prendiamo in considerazione il caso di grafene dimerizzato possiamo notare che per ogni
valore di q, ad eccezione di q = 2, lintroduzione dello spin orbita genera un gap: i punti in cui
|f (t, t0 , ~k)|2 si annulla non soddisfano mai le condizioni (4.11) ad eccezione del caso in cui t0 = 2t;
in tale caso infatti sappiamo che per ogni cella elementare del reticolo
reciproco
si ha un solo punto


1
2 0
0

di contatto tra le bande e questo punto coincide con M = a


(o un punto ad esso
3
{~
e1 ,~
e2 }

equivalente) il quale soddisfa anche le condizioni (4.11).


Possiamo cos` affermare che per q = 2 il sistema si comporta come un semi-metallo indipendentemente dal parametro tkm spin-orbita; questultimo gioca per`o un ruolo fondamentale nel definire
landamento delle bande: se lintensit`a dello spin-orbita `e bassa le bande presentano una notevole
curvatura in prossimit`
a dei punti di contatto (cfr. Figura(4.9)) mentre per intensit`a pi`
u elevate
esse tendono ad assumere un andamento conico simile a quello riscontrato nei punti K e K 0 nel
grafene standard (cfr. Figura(4.10)). In particolare per tkm = 43 |t| 0.433|t| e si pu`o ricavare,
in prossimit`
a dei punti M 0 una legge di dispersione lineare analoga a quella trovata in precedenza
per il grafene standard:
!

3 ~
|t|, k E0 t0 = 3a2 |t|2 (x 2 + y 2 ) + o(x 2 , y 2 ) 3a|t||~|
 t,2t,
4
dove ~ `e il vettore distanza (nel reticolo reciproco) dal punto M 0 .
Per valori di tkm prossimi a tale particolare valore la relazione di dispersione continua ad essere
approssimativamente conica in prossimit`a dei punti M 0 ma la sezione del cono risulta ellittica (cfr.
Figura(4.11))
21

4 Reticolo esagonale con dimerizzazione

Figura 4.9: Bande energetiche 3D per reticolo dimerizzato


con interazione spin-orbita; ~k [ 2
, 2
] [ 85
, 8 ],
a
a
a 5 a
a = 1, |t| = 1, q = 2, |tkm | = 0.03.

Figura 4.10: Bande energetiche 3D per reticolo dimerizzato con interazione spin-orbita; ~k [ 2
, 2
][ 58
, 8 ],
a
a
a 5 a
a = 1, |t| = 1, q = 2, |tkm | = 0.3.

22

4.1 Interazione spin-orbita

(a) q = 2, tkm = 0.3

(b) q = 2, tkm =

3
4

0.433

(c) q = 2, tkm = 0.6


Figura 4.11: Bande 2D per reticolo esagonale con dimerizzazione e interazione spin-orbita;
0
~k [ 2 , 2 ] [ 8 , 8 ], a = 1, |t| = 1 e q = |t | . Solo la banda di valenza `
e raffigurata;
a
a
5 a 5 a
|t|
i colori caldi individuano i punti di massimo della banda mentre i colori freddi i punti di
minimo

23

4 Reticolo esagonale con dimerizzazione

4.2

Caratterizzazione topologica

Nella precedente sezione `e stata introdotta linterazione spin-orbita e si `e constatato come questa,
a meno di casi limite particolari, generi un gap tra le bande energetiche del grafene, sia esso dimerizzato o non. Tuttavia il cristallo che si viene a descrivere in questo modo non `e un semplice
isolante, bens` un isolante topologico.
Questa particolare classe di materiali, attualmente alquanto studiata3 , differisce dai comuni isolanti poiche, sebbene non siano presenti stati di conduzione allinterno del cristallo (quando questo
`e trattato come un reticolo tridimensionale infinito), se si riduce la periodicit`a del reticolo di una
dimensione si vengono a formare stati di conduzioni localizzati sulle superfici. Analogamente se
lisolante topologico in questione `e costituito da un reticolo bidimensionale infinito esso non conduce, ma riducendo di una dimensione la periodicit`a del sistema, ottenendo quindi un nastro, si
vengono a definire stati di conduzione localizzati lungo i bordi.
Un isolante viene quindi classificato come isolante (topologicamente) triviale o isolante topologico
a seconda del valore assunto da un invariante topologico, solitamente indicato come Z2 , dipendente
dalla natura della struttura a bande del cristallo. Se Z2 0 (mod 2) lisolante `e triviale, se invece
Z2 1 (mod 2) lisolante `e non triviale. Il calcolo di questo invariante pu`o essere eseguito in
modi differenti4 , ma in particolare, nel caso di unHamiltoniana non interagente con simmetria di
inversione spaziale e temporale, quale quella definita in (4.10), esso pu`o essere calcolato tramite la
relazione:
(1)Z2 =

(~k)

(4.12)

~
kT RIM

ovvero tramite il prodotto degli autovalori (~k), associati agli autostati occupati dellHamiltoniana, delloperatore di inversione spaziale (detto anche operatore parit`a), calcolati nei punti
invarianti sotto loperazione di inversione temporale, ossia quei punti ~k tali da differire da ~k per
un vettore del reticolo reciproco; i punti suddetti (spesso indicati come punti TRIM, dallinglese
Time Reversal Invariant Momenta) per il sistema in esame sono:

= 0 0 {~e ,~e }
1

M=

2
a

M0 =
M 00 =

2
a
2
a

1
2

2 3

1
2

1
3


{~
e1 ,~
e2 }


{~
e1 ,~
e2 }

1
2
3


{~
e1 ,~
e2 }

mentre loperatore parit`


a, rappresentato nella base degli stati di Bloch definiti in (2.3), diviene:

3 Si veda ad esempio M. Z. Hasan and C. L. Kane, Colloquium: Topological insulators, Rev. Mod. Phys., 82
(2010) 3045-3067
4 Si veda ad esempio F. Grandi, Effetti di correlazione elettronica negli isolanti topologici, Tesi di laurea magistrale
discussa nel Dipartimento di Scienze Fisiche, Informatiche e Matematiche, Universit`
a di Modena e Reggio Emilia,
A.A. 2013-2014

24

4.2 Caratterizzazione topologica

P (~k) =

e2ik~1
0

0
~

e2ik~2

!
(4.13)

Dobbiamo quindi innanzi tutto calcolare gli autostati dellHamiltoniana nei punti TRIM. Direttamente dai risultati trovati nella sezione precedente possiamo notare che g(tkm , ~k) si annulla in
corrispondenza di tali punti e quindi lHamiltoniana assume la forma:
H(t, t , ~k) =

eik(~2 ~1 ) f (t, t0 , ~k)

~
eik(~2 ~1 ) f (t, t0 , ~k)
0

!
(4.14)

e di conseguenza gli autovettori, corrispondenti rispettivamente a + (t, t0 , ~k) e  (t, t0 , ~k) risultano:
!
(+)
1
c1 (t, t0 , ~k)
=
(+)
0 ~
c2 (t, t , k)
2

2 ~
1 )
eik(~
f (t,t0 ,~
k)
~
i
k(~

)
2
1
|e
f (t,t0 ,~
k)|

!
(4.15)

e:
!
()
1
c1 (t, t0 , ~k)
=
()
0 ~
c2 (t, t , k)
2

2 ~
1 )
eik(~
f (t,t0 ,~
k)
~ ~
2 1 ) f (t,t0 ,~
|eik(~
k)|

!
(4.16)

Calcolando poi tali autovettori nei punti TRIM si ottiene:


!
!
0
()
+2t
1 |tt0 +2t|
c1 (t, t0 , )
=
()
1
c2 (t, t0 , )
2
!
!
i 0
()
1 ei 3 t0
c1 (t, t0 , M )
3
|e
t|
=
()
c2 (t, t0 , M )
2
1
!
!
i 0
()
1 ei 3 t0
c1 (t, t0 , M 00 )
|e 3 t |
=
()
c2 (t, t0 , M 00 )
2
1

!
i 2
0
3 (t 2t)
()
1 ei 2
c1 (t, t0 , M 0 )
=
|e 3 (t0 2t)|
()
c2 (t, t0 , M 0 )
2
1

()

 
1 1
=
2 1
!


()
1 ei 3
c1 (M )
=
()
1
c2 (M )
2
!


()
1 ei 3
c1 (M 00 )

=
()
1
c2 (M 00 )
2
!


()
1 ei 3 s
c1 (t, t0 , M 0 )
=
()
1
c2 (t, t0 , M 0 )
2
c1 ()
()
c2 ()

dove s = sgn(|t0 | 2|t|).


Trovati gli autovettori della matrice hamiltoniana nei punti TRIM possiamo calcolare gli autovalori
delloperatore parit`
a a cui appartengono; in particolare, essendo sufficiente il calcolo degli autovalori
associati ai soli stati occupati, possiamo concentrarci sugli autovettori appartenenti a  ottenendo:
25

4 Reticolo esagonale con dimerizzazione


P () =


P (M ) =

ei 3
0

ei 3

()


1
0

0
1

c ()
P () 1()
c2 ()

()

c (M )
P (M ) 1()
c2 (M )


 
 
1 1
1 1 1

=
0
2 1
2 1
!
()
c ()
= (1) 1()
c2 ()
=


=

0
1

ei 3
0

ei 3

()

= (1)

00

P (M ) =

P (M ) =

ei 3

ei 3

ei 3
0

ei 3
0

c1 (M )
()
c2 (M )

! 
()
0
c1 (M 00 )
= i 3
P (M ) ()
00
e
c2 (M )

2
!

ei 3
0

 i 
 
1 ei 3
e 3
=
1
1
2

2
!
()
c1 (M 00 )
= (1) ()
c2 (M 00 )

00

()

c (M 0 )
P (M 0 ) 1()
c2 (M 0 )

ei 3
1

1
=
2

 i 
e 3
1






1 ei 3 s
1 ei 3
ei 3

=
= (s)
1
1
0
2
2
!
()
c (M 0 )
= (s) 1()
c2 (M 0 )


ei 3

Possiamo cos` concludere che che:


Y

(~k) = (1)(1)(1)(s)

~
kT RIM

pertanto:
(

s = +1 |t0 | > 2|t|


s = 1 |t0 | < 2|t|

(1)Z2 = 1 Z2 0 (mod 2)
(1)Z2 = 1 Z2 1 (mod 2)

(4.17)

Troviamo quindi che q = |t|t|| = 2 rappresenta il valore limite che sancisce il passaggio da isolante
topologico (q < 2) ad isolante triviale (q > 2) indipendentemente dal valore assunto da tkm ;
ricordiamo per`
o che `e necessario che questultimo valore sia diverso da zero affinche il sistema sia
isolante e quindi anche un isolante topologico.

4.3

Nastri

Sappiamo che la propriet`


a peculiare degli isolanti topologici bidimensionali `e la formazione di stati
conduttivi sui bordi in seguito alla riduzione di periodicit`a del cristallo in una dimensione. Andiamo dunque a definire un sistema con le stesse propriet`a del reticolo esagonale bidimensionale
26

4.3 Nastri

considerato in precedenza, questa volta per`o illimitato nella direzione x ma limitato nella direzione
y. Un sistema di questo tipo `e generalmente chiamato nastro e nel caso di un reticolo esagonale,
quale nel caso del grafene, vengono solitamente definite due tipologie di nastri (dette ad armchair
o a zigzag) a seconda della terminazione che viene realizzata (cfr. Figura(4.12)).

Figura 4.12: (a) nastro a zig zag, (b) nastro ad armchair

Possiamo estendere la formulazione del modello tight-binding definita in precedenza anche a questo sistema non illimitato prendendo ununit`a ripetitiva estesa su tutto lo spessore del nastro e
trattando quindi questultimo come un sistema unidimensionale.

~a

Figura 4.13: Nastro con dimerizzazione; evidenziata da una linea tratteggiata


rossa lunit`
a ripetitiva

Nel caso di nastro a zig zag, lunico che prenderemo in esame, il vettore di base del reticolo diretto
diviene:
~a = a~e1

(4.18)

dove a `e la distanza a secondi vicini, e conseguentemente il vettore di base del reticolo reciproco
diviene:
~b = 2 ~e1
(4.19)
a
la prima zona di Brillouin risulta quindi data dallintervallo unidimensionale [M 0 , M ] = [ a , a ].
Supponendo di considerare un nastro di spessore tale da contenere n siti nellunit`a ripetitiva e
lavorando nelle stesse ipotesi considerate sino ad ora, si arriva a dover diagonalizzare una matrice
27

4 Reticolo esagonale con dimerizzazione

n n. Appena lo spessore del nastro diviene significativo il calcolo analitico risulta improbo, `e
per`
o possibile risolvere il problema in modo numerico graficando successivamente le bande ottenute
nella prima zona di Brillouin; in questo modo sono state ottenute le bande riportate in Figura(4.14)
e Figura(4.15).

(a) q = 0.5

(b) q = 1

(c) q = 1.5

(d) q = 2.5

Figura 4.14: Bande energetiche per nastro a zig zag; 30 siti per unit`
a ripetitiva, a = 1, |t| = 1, tkm = 0 e q =

|t0 |
|t|

` quindi possibile osservare, in presenza di spin-orbita, la comparsa di stati di conduzione nel gap
E
di energie proibite agli stati di volume; tali stati sono caratterizzati da una legge di dispersione
avente un andamento lineare a bordo zona. Quando invece lo spin-orbita `e assente, o quando il
sistema 2D passa nella nella fase topologicamente triviale, la legge di dispersione per questi stati
localizzati nel gap tende ad appiattirsi.

28

4.3 Nastri

(a) q = 0.5

(b) q = 1

(c) q = 1.5

(d) q = 2.5

Figura 4.15: Bande energetiche per nastro a zig zag; 30 siti per unit`
a ripetitiva, a = 1, |t| = 1, tkm = 0.1 e q =

29

|t0 |
|t|

30

Capitolo 5

Reticolo esagonale con distorsione


Kekul`
e
Prendiamo ora in considerazione un reticolo esagonale in cui, come nel caso trattato nel capitolo
precedente, le correzioni energetiche a primi vicini non sono tutte uguali ma dipendano dal primo
vicino considerato. Consideriamo in particolare una situazione, rappresentata in Figura(5.1), in
cui il reticolo bidimensionale pu`
o essere pensato come scomposto in cluster di sei siti interagenti tra
loro. A differenza del caso precedente in cui la dimerizzazione poteva essere pensata come leffetto
di una trazione o di una compressione del sistema, una rappresentazione di questo tipo pu`o invece fornire un primo rudimentale approccio allanalisi degli effetti dellinterazione inter-elettronica,
modellizzando gli effetti di questa tramite una differenziazione tra le correzioni energetiche intra
cluster o extra cluster.

~a1
6
5
4

1
O

3
~a2

Figura 5.1: Reticolo diretto; in rosso la cella di Wigner Seitz

Lapproccio con cui affronteremo il problema `e il medesimo, andiamo quindi innanzi tutto a definire
i vettori di base del reticolo diretto notando per`o che in questo caso la cella elementare conterr`
a
sei siti atomici; i vettori di base del reticolo diretto divengono quindi:
31

5 Reticolo esagonale con distorsione Kekul`


e

~a1 = a

3
2

3
2

~a2 = a

{~
e1 ,~
e2 }

3
2

3
2


{~
e1 ,~
e2 }

(5.1)

e i vettori posizione dei siti atomici allinterno di una cella risultano:




a
a
1 13
1 13
~2 =
~1 =
2
2
{~
e1 ,~
e2 }
{~
e1 ,~
e2 }




a
a
0 23
1 13
~3 =
~4 =
2
2
{~
e1 ,~
e2 }
{~
e1 ,~
e2 }




a
a
1 13
0 23
~5 =
~6 =
2
2
{~
e1 ,~
e2 }
{~
e1 ,~
e2 }
Mediante le relazioni (3.3) troviamo poi i vettori di base del reticolo reciproco:

~b1 = 2 1
a 3

1
3


~b2 = 2 1
a 3


{~
e1 ,~
e2 }

13


{~
e1 ,~
e2 }

(5.2)

~b1

M0

K0
M 000

K 00
M

00

~b2

Figura 5.2: Reticolo reciproco; in blu la prima zona di Brillouin

e tramite essi possiamo infine definire alcuni dei punti di alta simmetria del reticolo reciproco:

= 0 0 {~e ,~e }
1

K0 =

2
a

M 000 =

2
a

1
3

3 3
1
3


{~
e1 ,~
e2 }


0 {~e

e2 }
1 ,~

32

Nelle medesime ipotesi e operando in modo analogo a quanto fatto nella sezione precedente possiamo arrivare a scrivere la matrice hamiltoniana nella base degli stati di Bloch (avendo ridefinito
opportunamente lo sero dellenergia in modo d eliminare i contributi costanti E0 + t0 ) come:

0
3 (~k)t0
itkm (~k)
1 (~k)t
itkm (~k)
5 (~k)t0
(~k)t0
0
1 (~k)t0
itkm (~k)
5 (~k)t
itkm (~k)

~
~k)
~k)t0
~k)t0
~k)t
it
(

(
0

(
it

(
k)

km
1
5
km
3
0
H(t, t , tkm , ~k) =

1 (~k)t
itkm (~k)
5 (~k)t0
0
3 (~k)t0
itkm (~k)

itkm (~k)
5 (~k)t
itkm (~k)
3 (~k)t0
0
1 (~k)t0
5 (~k)t0
itkm (~k)
3 (~k)t
itkm (~k)
1 (~k)t0
0

dove:
~

1 (~k) = eik1
~
3 (~k) = eik3
~

5 (~k) = eik5
h
i
~
~
~
(~k) = eik(~5 ~1 ) 1 + eik~a1 + eik~a2
t rappresenta linterazione a primi vicini extra cluster
t0 rappresenta linterazione a primi vicini intra cluster
tkm rappresenta linterazione spin orbita
La risoluzione analitica di questo problema agli autovalori 6 6 `e impensabile tuttavia `e possibile
utilizzare un approccio numerico calcolando le bande energetiche per differenti valori dei parametri
0
(cfr. Figura(5.3), Figura(5.4), Figura(5.5)). Si noti che per valori di q = |tt | inferiori a 1 la dispersione delle bande `e ridotta in quanto il sistema che si sta descrivendo in tale caso viene ad essere
costituito da dimeri isolati poco interagenti tra loro; se invece q > 1 la dispersione `e invece favorita.
Notando quindi che il gap minimo si ha sempre in prossimit`a del punto `e possibile restringere
unanalisi pi`
u approfondita solo a tale punto dello spazio reciproco, calcolando analiticamente
per quali valori dei parametri i gap si chiude. Calcoliamo quindi la matrice hamiltoniana in
ottenendo:

0
t0
i3tkm
t
i3tkm
t0
t0
0
t0
i3tkm
t
i3tkm

0
0

i3tkm
t
0
t
i3tkm
t

H(t, t0 , tkm , ) =
t
i3tkm
t0
0
t0
i3tkm

i3tkm
t
i3tkm
t0
0
t0
t0
i3tkm
t
i3tkm
t0
0
e da essa ricaviamo i seguenti autovalori:
(1) () = (t + 2t0 )
33

5 Reticolo esagonale con distorsione Kekul`


e

(a) q = 0.2

(b) q = 1

(c) q = 1.8
Figura 5.3: Bande energetiche per reticolo esagonale con distorsione Kekul`
e; a = 1, |t| = 1,
tkm = 0 e q =

|t0 |
|t|

34

(a) q = 0.2

(b) q = 1

(c) q = 1.8
Figura 5.4: Bande energetiche per reticolo esagonale con distorsione Kekul`
e; a = 1, |t| = 1,
tkm = 0.05 e q =

|t0 |
|t|

35

5 Reticolo esagonale con distorsione Kekul`


e

(a) q = 0.2

(b) q = 1

(c) q = 1.8
Figura 5.5: Bande energetiche per reticolo esagonale con distorsione Kekul`
e; a = 1, |t| = 1,
tkm = 0.1 e q =

|t0 |
|t|

36


(2) () = (t t0 + 3 3tkm )

(3) () = (t t0 3 3tkm )

Il gap pertanto si chiude se e solo:

t t0 + 3 3tkm = 0

t t0 3 3tkm = 0

dato che la condizione t + 2t0 = 0 `e irrealizzabile supponendo i coefficienti concordi e non entrambi
nulli. Questo risultato ci permette anche di trovare unespressione analitica per linvariante topologico Z2 , infatti, dato che il sistema in esame soddisfa anchesso le stesse simmetrie di inversione
spaziale e temporale, `e possibile calcolare questo invariante tramite gli autovalori delloperatore
parit`
a nei punti TRIM; eseguendo numericamente il calcolo si ottiene il diagramma di fase riportato in Figura(5.6).

Figura 5.6: Diagramma di fase, in ascissa il parametro tk m ed in ordinata il parametro |t0 |;


TTI `
e acronimo di Topological Trivial Insulator mentre QSHI sta per Quantum Spin Hall
Insulator, che `
e un altro nome utilizzato per indicare gli isolanti topologici bidimenionali;
|t| = 1

La transizione di fase tra isolante triviale ed isolante topologico avviene evidentemente in corrispon
denza di due rette che, sfruttando il risultato precedente, possiamo scrivere come t0 t = 3 3tkm ;
notiamo quindi che analogamente al caso di reticolo dimerizzato la transizione di fase avviene in
corrispondenza di quei valori dei parametri che portano alla chiusura del gap. Possiamo quindi
esprimere in forma sintetica il valore dellinvariante topologico Z2 per questo sistema tramite la
relazione:
nh
ih
io

(1)Z2 = sgn (t0 t) 3 3tkm (t0 t) + 3 3tkm

Conoscendo la caratterizzazione topologica del sistema possiamo osservare come questa si manifesti nelle bande di un nastro unidimensionale; come nel caso di reticolo dimerizzato andiamo a
37

5 Reticolo esagonale con distorsione Kekul`


e

~a

Figura 5.7: Nastro a zig zag con distorsione Kekul`


e; lunit`
a ripetitiva `
e evidenziata da una
linea tratteggiata rossa

considerare un nastro a zig zag quale quello raffigurato in Figura(5.7).


In questo caso, data la ridotta periodicit`
a del sistema, il vettore di base del reticolo diretto risulta
pari a:
~a = 3a~e1

(5.3)

conseguentemente il vettore di base del reticolo reciproco diviene:


~b = 2 ~e1
3a
e la prima zona di Brilluoin viene a coincidere con lintervallo [M 0 , M ] = [ 3 , 3 ].

(5.4)

Calcolando quindi numericamente le bande energetiche per questo sistema unidimensionale troviamo gli andamenti rappresentati in Figura(5.8), Figura(5.9) e Figura(5.10). Tali andamenti sono
analoghi a quelli trovati per le bande del reticolo con dimerizzazione: quando il sistema `e nella
fase topologicamente non triviale (ad esempio per (q, tkm ) = (1,0.05) e per (q, tkm ) = (1,0.1); il
caso (q, tkm ) = (1,0) `e un caso limite trovandosi (cfr. Figura(5.6))) si vengono a delineare stati di
conduzione con dispersione lineare nel gap di energie proibito agli stati di volume. Quando invece
il sistema passa nella fase topologicamente triviale questi stati di superficie tendono ad avere una
dispersione piatta.

38

(a) q = 0.2; TTI

(b) q = 1; zona di transizione

(c) q = 1.8 TTI


Figura 5.8: Bande energetiche per nastro a zig zag con distorsione Kekul`
e; 30 siti atomici
|t0 |
per unit`
a ripetitiva, a = 1, |t| = 1, tkm = 0 e q = |t|

39

5 Reticolo esagonale con distorsione Kekul`


e

(a) q = 0.2; TTI

(b) q = 1; QSHI

(c) q = 1.8; TTI


Figura 5.9: Bande energetiche per nastro a zig zag con distorsione Kekul`
e; 30 siti atomici
|t0 |
per unit`
a ripetitiva, a = 1, |t| = 1, tkm = 0.05 e q = |t|

40

(a) q = 0.2; TTI

(b) q = 1; QSHI

(c) q = 1.8; TTI


Figura 5.10: Bande energetiche per nastro a zig zag con distorsione Kekul`
e; 30 siti atomici
|t0 |
per unit`
a ripetitiva, a = 1, |t| = 1, tkm = 0.1 e q = |t|

41

42

Capitolo 6

Conclusioni
In questo lavoro, frutto del periodo di tirocinio effettuato presso il Dipartimento di Fisica dellUniversit`
a di Modena e Reggio Emilia, sono state studiate le propriet`a elettroniche di un reticolo
esagonale bidimensionale al variare dei parametri relativi allinterazione a primi vicini e allinterazione spin orbita.
Nel sistema caratterizzato da una dimerizzazione si `e studiato come questa possa influire sulla forma assunta dalla banda di conduzione e di valenza, rendendo il cristallo in esame un semimetallo
` stata quindi introdotta linterazione spin orbita, si `e studiato il suo contributo
o un isolante. E
alle bande energetiche ed `e stata effettuata la caratterizzazione topologica del sistema per capire
quando esso si trova nella fase semimetallica, di isolante triviale o di isolante topologico. Questa ha mostrato come le transizioni di fase avvengano per un ben preciso valore del rapporto
tra lintensit`
a dei legami dimerizzati e semplici, indipendentemente dallintensit`a dellinterazione
spin orbita. Quando per`
o linterazione spin-orbita `e nulla la transizione che avviene `e del tipo
semimetallo-isolante triviale, mentre in presenza di interazione spin orbita essa `e del tipo isolante
topologico-isolante triviale. Una diretta conseguenza delle transizioni di fase `e poi stata osservata
studiando le bande energetiche di un nastro unidimensionale.
Nel sistema caratterizzato da distorsione Kekul`e lanalisi riproposta ha invece mostrato un comportamento pi`
u complesso: le transizioni di fase avvengono in punti dello spazio dei parametri
dipendenti sia dal rapporto tra lintensit`a dei legami dimerizzati e semplici sia dallinterazione spin
orbita, andando a definire un diagramma di fase pi`
u ricco.
Aggiungerei infine alcune riflessioni sulla natura didattica di questa esperienza. Essa mi ha infatti
portato per la prima volta ad affrontare seriamente la lettura di riviste specialistiche e di argomenti
di cui non era affatto consolidata la padronanza, a lavorare su problemi la cui soluzione, e soprattutto il cui metodo risolutivo, non era visibile fin da principio e a prender parte ad un progetto di
ricerca pi`
u ampio di cui solo una piccola frazione mi era accessibile, con la diretta conseguenza di
dover partire da lavori gi`
a svolti e risultati gi`a ottenuti per cercare, tramite piccoli cambiamenti, di
dare, per quanto possibile, un minimo contributo. Vorrei quindi ringraziare la professoressa Franca
Manghi ed il dottor Francesco Grandi per il loro aiuto nellindicarmi i giusti modi per affrontare
queste difficolt`
a e ancor pi`
u per la grande umanit`a e cortesia mostrata.

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Bibliografia
A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov e A. K. Geim, The electronic
properties of graphene, Rev. Mod. Phys., 81, 2009, pp.109-162.
Ashcroft, Mermin Solid state physics, Saunders College Publishing (1976)
T. C. Lang, A. M. Essein, V. Gurarie and S. Wessel, Z2 topological invariants in two
dimaensions from quantum Monte Carlo Phys. Rev. B 87, 205101 (2013)
C. L. Kane and E. J. Mele, Quantum Spin Hall Effect in Graphene, Phys. Rev. Lett., 95,
226801 (2005)
M. Z. Hasan and C. L. Kane, Colloquium: Topological insulators, Rev. Mod. Phys., 82
(2010) 3045-3067
F. Grandi, Effetti di correlazione elettronica negli isolanti topologici, Tesi di laurea magistrale
discussa nel Dipartimento di Scienze Fisiche, Informatiche e Matematiche, Universit`a di
Modena e Reggio Emilia, A.A. 2013-2014

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