ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

HENRY GMEZ

CONSULTA DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

MOSFET

22-05-2014

GR3

MOSFET
Introduccin:
El MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de xido metlico) es otra
categora de transistor de efecto de campo. El MOSFET, diferente del JFET, no tiene
una estructura de unin pn; en cambio, la compuerta del MOSFET est aislada del
canal mediante una capa de bixido de silicio (SiO). Los dos tipos bsicos de
MOSFET son el enriquecimiento (E) y el de empobrecimiento (D). De los dos tipos, el
MOSFET de mejora es el ms utilizado. Debido a que ahora se utiliza silicio poli
cristalino para el material de compuerta en lugar de metal, estos dispositivos en
ocasiones se conocen como IGFET (FET de compuerta aislada).
Este dispositivo consta de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.

Estructura
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS
MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET)
El E-MOSFET opera slo en el modo de enriquecimiento y no tiene modo de
empobrecimiento. Observe en la siguiente figura que el sustrato se extiende por
completo hasta la capa de SiO. Para un dispositivo de canal n, un voltaje positivo en la
compuerta por encima de un valor de umbral induce un canal al crear una delgada
capa de cargas negativas en la regin del sustrato adyacente a la capa de SiO 2, como
muestra la siguiente figura. La conductividad del canal se incrementa al incrementarse
el voltaje de compuerta a fuente y, por lo tanto, atrae ms electrones hacia el rea del
canal. Con cualquier voltaje en la compuerta por debajo del valor de umbral, no existe
ningn canal.

A continuacin se muestra los smbolos esquemticos para el E-MOSFET:

MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET)

EL drenaje y la fuente se difunden en el material del sustrato y luego se conectan
mediante un canal angosto adyacente a la compuerta aislada. Se utilizar el
dispositivo de canal n para describir la operacin bsica. La operacin de canal p es la
misma, excepto porque las polaridades del voltaje se oponen a las del canal n.
El D-MOSFET puede ser operado en cualquiera de dos modos: el modo de
empobrecimiento o el modo enriquecimiento, por ello tambin se conoce como
MOSFET de empobrecimiento/enriquecimiento. Como la compuerta est aislada del
canal, se puede aplicar en ella un voltaje positivo o un voltaje negativo. El MOSFET de
canal n opera en el modo de empobrecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de
compuerta a fuente, y en modo de enriquecimiento cuando se aplica un voltaje positivo
de compuerta a fuente. Estos dispositivos en general se operan en el modo de
empobrecimiento.

A continuacin se muestra los smbolos esquemticos para el D-MOSFET:

Polarizacin de un MOSFET
Tres formas de polarizar un MOSFET son la polarizacin en cero, la polarizacin
mediante divisor de voltaje y la polarizacin mediante realimentacin del drenaje. La
polarizacin es importante en amplificadores FET.

Hoja de datos
A continuacin se presentara los valores ms importantes de una hoja de datos de un
MOSFET B998 de la industria Vishay Intertechnology, inc.

Aplicaciones:
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Una aplicacin mas puntual de un MOSFET es en un circuito sensor de pH. Esta

aplicacin implica instrumentacin electrnica en una planta de tratamiento de aguas
residuales. El sistema controla la cantidad de cido de reactivo base agregado al agua
residual para neutralizarla.
Hay tres circuitos sensores de pH idnticos, uno por cada una de las entradas/salidas .
El sensor de pH produce un pequeo voltaje (mV) proporcional al pH del agua en la
cual est sumergido. El sensor de pH produce un voltaje negativo si el agua est
cida, nada de voltaje si est neutra y un voltaje positivo si est bsica. La salida del
sensor se dirige a la compuerta de un circuito con MOSFET, el cual amplifica el voltaje
del sensor para que el controlador digital lo procese.

Circuito sensor de pH

Bibliografa:
FLOYD Thomas[Mxico 2008], Dispositivos Electrnicos, Perason
Education, octava edicin.
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://www.slideshare.net/JCCG_1/transistores-mosfet-configuracion-ypolarizacion
http://www.vishay.com/mosfets/