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DE ELECTRONICA III
PLANIFICACIN:
EQUIPO NECESARIO
COMPONENTES NECESARIOS
Resistencias de Watt
Capacitores a 50 V
Transistores BJT
ECUACIONES BSICAS
EXPRESION MATEMATICA
Etapa
Rin
Rout
Av
Ai
EC
Rb//r r
RC//ro
-gm(ro//Rb//RL)
- gmRin -o
EC-RE
Rb//[r + (1+o)Re]
RC
_ o + (RC//RL)
r + (1+o)Re
_ o(Rb+Rib) -o
Rb i
CC
Rb//[r + (1+o)REM]
r + (Rb//Rg)
1+o
(1+o)REM 1
r + (1+o)REM k
(1+o)(Rb+Rib)
Rb
BC
r 1
1+o gm
Rc
gm(RC//RL)
o
1+o gm
GV =AV Rin i
(Rg+Rin)
AMPLIFICADOR MULTI-ETAPA
PROCEDIMIENTO
Para la construccin de un circuito amplificador, que genere una ganancia superior a 100,
implica la necesidad de construccin ms de una etapa; un solo amplificador de abundante
ganancia es inestable, Motivo suficiente para haber tomado dicha decisin.
Un mtodo muy comn es la construccin varias etapas en cascada; dos etapas inversoras
encargadas de generar la ganancia deseada, una tercera etapa con la finalidad de obtener
una impedancia pequea a la salida y una etapa de potencia clase AB, este etapa es un
compromiso entre la eficacia de los amplificadores clase B y la eliminacin de la distorsin
de cruce de los diseos en clase A. En este trabajo se detallan los clculos hechos para el
diseo que se representa como sigue en la figura 1:
Diagramas de Bloques
Figura 1.
1. DISEO DEL AMPLIFICADOR MULTIETAPA:
Las caractersticas que fueron especificadas para el multietapa son:
Acople capacitivo
Diseo de la etapa 3:
Las caractersticas para esta etapa son las siguientes:
Ganancia de la etapa: Av 1
Voltaje base-emisor : VBE = 0.7v
Beta del dispositivo: = 250
Fuente DC dual: VCC 12v
Figura 2
= //
El diseo contina con el clculo de la resistencia de base RB, la cual posteriormente nos
permitir calcular el valor de R9 y R10. RB es el resultante del paralelo entre R1 y R2.
= %( + )
= .
Estamos en capacidad de hallar el VBB o sea la cada de tensin sobre R2. La hallamos as:
= (
+ ) + +
+
= .
Figura 5
Para la ganancia de tensin:
=
( + ). .
[ + ( + ). ].
Para la impedancia de entrada:
= (//)//[ + ( + ). ]
=
Diseo de la etapa 2:
Las caractersticas para esta etapa son las siguientes:
Ganancia de la etapa: Av = 12
Voltaje base-emisor : VBE = 0.7v
Beta del dispositivo: = 250
Fuente DC: VCC = 12v
Figura 4
Por mxima transferencia de potencia:
=
= .
Se procede a trabajar con la ecuacin de la Av de esta etapa, para ello se dibuja el modelo
de pequea seal:
Pequea Seal de la Etapa 2
Figura 5
= . + ( + )
+ ( + )
= . //
=
. //
+ ( + )
= .
= // +
= +
.
Partiendo nuevamente de la figura 4:
. = + .
=
= ( + )
+ .
Diseo de la etapa 1:
Las caractersticas para esta etapa son las siguientes:
Ganancia de la etapa: Av = 12
Voltaje base-emisor : VBE = 0.7v
Beta del dispositivo: = 250
Fuente DC: VCC = 12v
Figura 6
Por mxima transferencia de potencia:
=
= .
Se procede a trabajar con la ecuacin de la Av de esta etapa, para ello se dibuja el modelo
de pequea seal:
Pequea Seal de la Etapa 1
Figura 7
= . + ( + )
+ ( + )
= . //
=
. //
+ ( + )
= .
= // +
= +
.
Partiendo nuevamente de la figura 4:
. = + .
=
= ( + )
.
=
+ .
.
.
Capacitores de acople:
En el clculo de cada condensador debe tenerse en cuenta los siguientes aspectos:
; = .
Al siguiente que ve una impedancia baja, se le asigna la frecuencia, pero una dcada
abajo. Para el caso de este diseo, se le asigna a C1 una frecuencia de 2Hz. Su
calculo es como sigue:
. .
. .
; =
Al capacitor que falta por calcular se le asigna la frecuencia baja pero 2 dcadas
abajo, es decir que fL =0.2Hz:
. .
; =
Figura 8
Voltaje de salida
OBTENCION DE LA GANANCIA
1. Pspice / Edit simulation Setting
3. Pspice / Run
Ganancia del Multietapa
Figura 9
Circuito Multietapa con Amplificador de Potencia Clase AB
Voltaje de salida
Ganancia Total
EJECUCIN:
1. Disee un amplificador multi-etapa discreto con las siguientes caractersticas:
a) Ganancia de voltaje mayor o igual a 250 2%. (Medido a 20 kHz).
b) Manejo de seal a la salida: 12 V pico a pico. (Medido a 20 kHz).
c) Resistencia de entrada mayor o igual 100K.
d) Resistencia de salida igual a 8.
e) Punto terminal de -3dB de baja frecuencia menor o igual a 40Hz (fL40Hz).
f) Punto terminal de -3dB de alta frecuencia mayor o igual 40Khz (fh40KHz).
g) Respuesta en la banda de paso mximamente plana.
h) El amplificador debe estar compensado con respecto a variaciones de
temperatura.
i) Fuentes de alimentacin de 12v.
2. Elabore, siga y desarrolle, la simulacin que demuestre que se cumplen con cada uno de
las especificaciones anteriores. Deber entregarse un archivo para cada uno de los tems
anteriores (Las simulaciones solo se aceptan en ORCAD).
3. Realice un proyecto de diseo que incluya:
a) Incluya los clculos realizados para cumplir los parmetros del punto No 1
b) Tabla con los valores esperados para los parmetros exigidos.
c) Circuito diseado con valores de voltajes y corrientes de polarizacin.
d) Procedimiento para medir las caractersticas solicitadas en el punto N 1.
e) Hojas de especificaciones de los dispositivos semiconductores utilizados,
justificando su escogencia.
EVALUACIN:
CONCLUSIONES