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1. RESUMO................................................................................................................
2. INTRODUO TERICA..................................................................................
3. OBJETIVOS..........................................................................................................
4. MATERIAIS E MTODOS...................................................................................
5. RESULTADOS E DISCUSSES..........................................................................
6. CONCLUSES......................................................................................................
7. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS.................................................................
1. RESUMO
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2. INTRODUO TERICA
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3. OBJETIVOS
Entender o funcionamento e propriedades do diodo e realizar o levantamento de
sua curva caracterstica.
5. RESULTADOS E DISCUSSES
5.1. Curva Vd x Id do diodo:
Vd = 0.554V
Primeiramente montamos o circuito do Diodo Polarizado Diretamente,
Figura.1(no laboratrio) e Figura.2(no multisim). Variamos a fonte de tenso CC de 0,1V
a 12V e encontramos valores de tenso e corrente no diodo (Vd e Id). Pudemos analisar
que os valores da simulao e do laboratrio esto aproximados.
Teoricamente dizemos que caso Vd > V1, Vd deve ser igual a V1 e Id deve ser
zero, j que o circuito estaria aberto, o diodo no est polarizado. Mas como podemos
observar na Tabela.1, na Tabela.2 e na Tabela.3, isto no ocorre. E no est correto dizer
que Id=0 (quando Vd>V1), j que, na verdade a corrente sempre existe, mesmo que seja
mnima, mas para facilitar nos clculos consideramos Id = 0.
Quando Vd = 0.554V dizemos que o Diodo comea a conduzir, ou seja, a corrente
deixa de ser muito baixa (ou zero, na teoria) e comea a se normalizar/ elevar, isto ,
permite que passe corrente nos demais componentes do circuito.
J quando Vd < V1, observamos, que mesmo assumindo nos clculos que Vd
igual a 0.554V(como, no modelo simplificado do diodo), Vd aumenta aos poucos at que
ele atinja seu nvel de saturao e assim no funcione mais corretamente.
Figura.1 : Circuito I
Medido
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V1[V]
Simulado
Medido
0.1
0.15
0.2
0.21
0.3
0.28
0.4
0.37
0.5
0.45
Vd[V]
Simulado
Medido
0.0999
0
0.1995
0
Id[mA]
Simulado
55.511[nA]
499.6[nA]
V1[V]
Simulado
Medido
0.6
0.55
0.7
0.56
0.8
0.57
1
0.59
2
0.64
Vd[V]
Simulado
Medido
0.4665
0.11
0.4883
0.18
0.5042
0.27
0.5265
0.42
0.579
1.36
Id[mA]
Simulado
0.1335
0.2117
0.2958
0.4736
1.421
12
V1[V]
Simulado
Medido
3
0.68
5
0.72
10
0.76
12
0.78
Vd[V]
Simulado
Medido
0.6044
2.32
0.6339
4.28
0.673
9.16
0.6834
11.17
Id[mA]
Simulado
2.396
4.366
9.328
11.319
-8
-10
V1[V]
Simulado
Medido
-1
-1.066
-2
-2.018
-5
-5.045
-8
-8.037
-10
-10.057
Vd[V]
Simulado
Medido
-0.999
0
-2
0
-5
0
-8
0
-10
0
Id[mA]
Simulado
0.0004
0.0008
0.0017
Figura.4 : Circuito II
Figura.6 : Curva Vd x Id
6. CONCLUSO
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7. BIBLIOGRAFIA
DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE CIRCUITOS, ed. 3 - ROBERT L.
BOYLESTAD e LOUIS NASHELSKY - Pearson, 2009.
MICROELETRNICA, ed. 5 - SEDRA E SMITH - Pearson, 2012.