Tema 5: Transistores de efecto campo FET

(Field effect transistor, FET)

INTRODUCCIN

Son dispositivos de estado slido

Tienen tres o cuatro terminales
Es el campo elctrico el que controla el flujo de cargas
El flujo de portadores es de un nico tipo ( o electrones huecos)
Pueden funcionar en diferentes regiones de polarizacin
Segn en que regin de polarizacin se encuentren, funcionan como:
Resistencias controladas por tensin
Amplificadores de corriente tensin
Fuentes de corriente
Interruptores lgicos y de potencia

Lus M. Gutirrez

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CLASIFICACIN

El transistor de efecto de campo de unin o JFET

MESFETs ( efecto de campo de unin metal semiconductor)
JFET
JFET de canal N
JFET de canal P
El transistor MOSFET
Mosfet de acumulacin
Mosfet de deplexin

Lus M. Gutirrez

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Estructura interna de un JFET
Canal P

El transistor de efecto de campo de unin

(JFET: junction field-effect transsitor) de
canal
N
consiste
en
un
canal
semiconductor de tipo N con contactos
hmicos en cada extremo , llamados
drenador y fuente ( surtidor).

Canal N

G
N

P
N

D
G

G - Puerta (GATE)

G
S

A los lados del canal hay regiones de

material semiconductor tipo P
Conectadas elctricamente entre si y al
terminal denominado puerta.
La unin PN entre puerta y el canal es
similar a la unin PN de un diodo.
En las aplicaciones normales , esta unin
debe estar polarizada inversamente.

D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
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Funcionamiento de un JFET de canal N (I)
Unin GS polarizada inversamente
La IG es prcticamente cero

Rin prcticamente infinito

Canal
P

USG
Zona de
transicin

N
S

Se forma una zona de transicin libre de

portadores de carga
La seccin del canal depende de la
tensin USG
Si se introduce una cierta tensin D-S la
corriente ID por el canal depender de USG

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Funcionamiento de un JFET de canal N (II)

Cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal, decimos que ocurre un fenmeno llamado
de estrangulamiento.
La tensin de estrangulamiento Vto (VP) es valor necesario de la tensin puerta - canal para que
desaparezca el canal conductor
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Funcionamiento de un JFET de canal N (III). Curva caracterstica
Supongamos vGS=0V, a medida que aumenta vDS aumenta iD. Para valores pequeos
de vDS , iD es proporcional. Para valores mayores de vDS , iD es aumenta cada vez mas
lentamente. Esto es debido a que el extremo del canal mas prximo al drenador se halla
polarizado en inversa a causa de la fuente de tensin vDS.

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Funcionamiento de un JFET de canal N (IV). Curva caracterstica
Al aumentar vDS , la zona de deplexin se hace mas ancha, lo que provoca que la resistencia
del canal se incremente. Tras alcanzar la tensin de estrangulamiento, la corriente del
drenador se hace casi constante para posteriores incrementos de vDS.
El flujo de corriente provoca una cada de
tensin
a lo largo del canal
( especialmente en en extremo del
drenador, donde el canal es muy
estrecho). Por tanto la tensin entre el
canal y la puerta vara a lo largo de todo
el canal.
En el extremo del canal correspondiente al
drenador :

vGD vGS vDS

En el extremo correspondiente a la fuente ,
la polarizacin es vGS

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Funcionamiento de un JFET de canal N (V). Curva caracterstica
Para valores negativos de vGS , la unin puerta-canal est polarizada en inversa incluso para
vDS =0V. As la resistencia inicial de canal es elevada. Para valores pequeos de vDS , el FET
se comporta como una resistencia situada entre drenador y fuente. Adems, el valor de la
resistencia est controlado por vGS . Si vGS es menor que la de estrangulamiento, la
resistencia se convierte en un circuito abierto y decimos que el dispositivo est en corte.

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Funcionamiento de un JFET de canal N (VI). Curva caracterstica

El J-FET es un dispositivo de tres estados:

Zona de corte si : vGS<vP
entonces: ID=IS=0

Zona de conduccin: vGS

Zona hmica si : VD VG VP VDG VP

VP
Zona activa si : VD VG VP VDG VP

El lmite entre la zona hmica y la activa viene marcada en viene marcada por la
igualdad VDG=-VP
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Funcionamiento de un JFET de canal N (VI). Curva caracterstica

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Polarizacin. Regin hmica y Regin activa
Cuando se polariza el JFET la regin hmica, ste es equivalente a una resistencia. Si se
polariza en la regin activa, se comporta como una fuente de corriente.
Zona resistiva
Zona de fuente de corriente

ID (mA)

UGS=0V
30
20

UGS1=-2V

10

UGS2=-4V
2

Caracterstica real

UDS (V)

ID
UGS

Caracterstica
linealizada

UGS1
UGS2
VP

UDS
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Curva de transconductancia
Es la grfica de ID en funcin de VGS. A partir de los valores de ID y VGS de cada una de
las curvas del drenador se puede obtener la curva de transconductancia. La curva no
es lineal porque la corriente aumenta rpidamente cuando VGS se aproxima a cero. Los
puntos extremos de la curva son VGS(off) e IDSS. La ecuacin de esa grfica es:

iDS

v
I D SS 1 GS
V
GSoff

IDSS = Corriente de saturacin entre D y S con la tensin VGS = 0.

VGSoff = Voltaje que produce la oclusin o cierre del canal.

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Polarizacin del JFET. Polarizacin fija o de compuerta
Polarizacin en la regin hmica

La tensin de puerta negativa produce una corriente de

drenador menor que IDSS
Es la polarizacin mas inestable, ( fig. b), p.e si
las caractersticas de JFET dicen que su VGS(off)
vara entre -2 y -8V. Para una misma
polarizacin obtenemos dos Q muy diferentes

VD VDD I D RD I D ( sat )

VDD

RD

Para garantizar que estamos en la regin hmica

basta con garantizar que VGS =0V e ID(SAT) << IDSS

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Polarizacin del JFET. Autopolarizacin
Polarizacin en la regin Activa
Como VG=0V
A esta ecuacin se le conoce
como ecuacin de la recta de
polarizacin. Esta recta tiene
pendiente negativa y pasa por
el origen, como se observa en
la siguiente figura:

VGS RS I DS 0

VGS I DS RS

3
La recta 1 representa una RS pequea y proporciona un
elevado valor de , ideal para una buena ganancia de
corriente, la desventaja es la inestabilidad debido a los
cambios en los parmetros del JFEt, como puede
observarse.
La recta 2 ofrece las mejores condiciones tales que no
compromete la inestabilidad y los valores de
transconductancia, es decir, no se sacrifican una u
otra.
La recta 3 produce buena estabilidad del punto de
operacin, sin embargo produce valores de bajos que
se traducen en una baja ganancia de corriente.
Lus M. Gutirrez

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Polarizacin del JFET. Autopolarizacin
Polarizacin en la regin Activa

Recta de carga
VDD I DS RD vDS I DS RS I DS

VDD vDS
RD RS

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Polarizacin del JFET. Divisor de tensin
Polarizacin en la regin Activa

VS VG VGS
Como VGS es negativa, la tensin de la fuente
ser ligeramente mayor que la de la puerta

I DS

VG VGS
RS

; VG

R2
VDD
R1 R2

Esta ecuacin representa la ecuacin de la recta de

polarizacin. Esta ecuacin puede escribirse como:

I DS

VGS VG

RS
RS

Es una recta con pendiente negativa y con la

ordenada en el origen a G como se observa

RS
en la figura

Lus M. Gutirrez

Tema 5: Transistores de efecto campo FET. JFET

Polarizacin del JFET. Divisor de tensin
Polarizacin en la regin Activa

VS VG VGS

Cuando la tensin de puerta es grande, las variaciones de VGS de un JFET se pueden despreciar.
Idealmente, la corriente del drenador es igual a la tensin de la puerta dividida entre la resistencia
de la fuente.
En consecuencia, la corriente de drenador es casi constante para cualquier JFET ( fig. b)
El punto Q debe encontrarse en la regin activa ( VDS debe ser mayor que ID RDS ( regin hmica) y
menor que VDD ( regin de corte)( fig. c)

Ejemplo: Dibujar la recta de carga y calcular el punto Q utilizando el mtodo ideal

Lus M. Gutirrez

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Polarizacin del JFET. Dos alimentaciones
Polarizacin en la regin Activa
ID

VSS VGS VSS

RS
RS

Se desprecia VGS haciendo mucho mayor VSS

Idealmente corriente drenador igual a tensin alimentacin de
la fuente dividida entre la resistencia de la fuente.

Polarizacin mediante fuente de corriente

El transistor aplica una corriente
fija al JFET

ID

VEE VBE
RE

Lus M. Gutirrez

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Polarizacin del JFET. Resumen

Lus M. Gutirrez

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Polarizacin del JFET. Resumen

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Funcionamiento en conmutacin del JFET:
R
D

ID
UGS(B)

ID
V
C
C

U
D
S

U
G
S
A

UGS(A)
UDS

UGS

Aplicando una onda cuadrada en

los terminales UGS se puede
conseguir que el JFET acte como
un interruptor

UDS
VCC

A
B

Lus M. Gutirrez

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Funcionamiento resistencia controlada por tensin:
Cuando trabaja el JFET en regin hmica, normalmente VGS=0V para garantizar saturacin fuerte
Existe una excepcin, un JFET puede trabajar en la regin hmica
con valores de VGS comprendidos entre 0 y VGS(off). En este caso
puede comportarse como una resistencia controlada por tensin
Caracterstica de salida del 2N5951 cerca del origen con VDS menor de 100 mV
En esta zona, la baja resistencia de pequea seal rds se define como

rds

VDS
ID

Para VGS =0V, la resistencia es mnima e igual a RDS

Cuando VGS

rds

Lus M. Gutirrez