CONDUCTIVIDAD ELECTRICA

Para representar el movimiento de los electrones a travs de los materiales metlicos se han
desarrollado 2 grandes teoras. En la primera se asume que los enlaces interatmicos del
material son enlaces inicos, por lo que a cada ncleo le sobran electrones, lo cual a su vez
permite el flujo de los mismos cuando se aplica una carga.

Imagen 1. Representacin inica.

Por otra parte se tiene la teora de la nube de electrones, en la cual se dice que los electrones
flotan libremente entre los ncleos de los tomos que conforman el material, y que lo hacen
siguiendo un flujo de una forma errtica y descontrolada. Como el flujo de electrones supone
una corriente elctrica, y esta solo se hace presente cuando se aplica una carga, o una
diferencia de voltaje sobre el material, se pudo concluir que dicha corriente no puede ser
determinada prcticamente debido a que los electrones van y vienen, y no siguen una direccin
especfica, lo cual no supone una corriente neta.

Imagen 2. Representacin de nube de electrones.

Por lo anteriormente mencionado es que la conduccin de los materiales metlicos obedece la
ley de Ohm, la cual relaciona la resistencia (R) al flujo de corriente propia del material, con la
corriente (I) o flujo neto de electrones que viajan a lo largo del material, y la carga o tensin
(voltaje) aplicada sobre el mismo (V).

Ecuacin 1. Ley de Ohm.

Como se trata de establecer un flujo de electrones sobre el material, ciertamente el tamao del
mismo afectar dicho flujo, ya que entre ms grande sea el material, mayor ser el nmero de
electrones que habr que mover en la misma direccin para generar corriente elctrica. La
principal aplicacin de esto se encuentra en el clculo de la energa perdida en la transmisin
de corriente a travs de un tendido elctrico.

Figura 3. Representacin de un segmento de cable al que se le aplica una carga elctrica.

Ecuacin 2. Resistividad elctrica de un material.

En la ecuacin 2 se relacionan o resistividad elctrica, la cual depende meramente de la

composicin del material, con la longitud l del material, y el rea A de la seccin

transversal. Despejando a de la ecuacin 2, se tiene que:

El *m corresponde a las unidades de medida que le corresponden a la resistividad

elctrica en el Sistema Internacional. As mismo se tiene el concepto de conductividad

elctrica, el cual es solo el inverso multiplicativo de la resistividad elctrica, y cuyas
unidades estn dadas como se muestra a continuacin.

Ecuacin 3. Conductividad elctrica.

La conductividad es uno de los datos ms usados a nivel de ingeniera para determinar qu tipo
de material se debe emplear en una aplicacin determinada. Cabe mencionar que las
ecuaciones anteriormente descritas slo se aplican para cables, y pierden completamente su
validez cuando se trabaja con slidos de formas irregulares. Cuando se trabajan con slidos de
formas irregulares, se suele emplear la forma microscpica de la ley de Ohm.

Ecuacin 4. Forma microscpica de la ley de Ohm.

Donde J es la densidad de la corriente, y E la intensidad del campo elctrico, y en ambos casos
se trata de valores vectoriales.
Hay factores externos, e internos que afectan la conduccin del material. Por ejemplo, si el
material se calienta, los electrones se agitarn, y comenzaran a moverse cada vez de forma
ms errtica dentro del material, por lo que ser ms difcil hacer que la mayor parte de ellos se
desplacen en la misma direccin generando un flujo de corriente, lo cual en palabras ms
sencillas hace que sea ms difcil generar un flujo de corriente dentro del material, lo cual a su
vez implica una mayor Resistencia por parte del material. Esto se puede apreciar claramente
en la Figura 4.
As mismo se sabe que las impurezas dentro del material impiden el flujo continuo de
electrones, ya que se comportan como pequeos obstculos para los electrones. Vindolo de
esta forma, entre mayor sea la cantidad de impurezas, mayor ser la cantidad de obstculos
que los electrones se encuentren en su recorrido, lo que ciertamente disminuye el trnsito de
los mismos. Esto quiere decir que entre mayor sea el nmero de impurezas presentes en los
materiales metlicos, mayor ser la resistividad del mismo. En la figura 5 se muestra un
ejemplo de esto.

Figura 4. Efecto de la temperatura sobre la resistividad de distintos materiales.

Figura 5. Resistividad del cobre a temperatura ambiente, con la presencia de distintas

impurezas.
De lo anterior se puede decir que la resistividad en un material depende principalmente de dos
factores. El primero es un factor residual, que depende meramente de la constitucin qumica
del material y de las impurezas que hay presentes en el mismo. esta es una resistividad
residual, y depende del material como tal. Y la segunda, es la resistividad trmica, la cual vara
con la temperatura a la que se somete el material.

Ecuacin 5. Resistividad de un material.

Con esto ya se puede generar un modelo grfico que representa la resistividad de una pieza
metlica que cumpla con la ley de Ohm, y que de manera general ser similar a la imagen
mostrada en la figura 6.

Figura 6. Modelo real de resistividad contra temperatura.

Modelos de bandas de energa

En los enlaces atmicos del estado slido existen electrones que intervienen en el proceso de
conduccin de corriente. La cantidad de los electrones que pueden intervenir est determinada
tanto por la estructura atmica como por la energa interna del material. La explicacin de este
fenmeno se da gracias al modelo bandas de energa o bandas electrnicas. Como ya se
conoce, cada elemento qumico de la tabla peridica est identificada por una configuracin
electrnica descrita por el diagrama de Moeller, que se aprecia en la Imagen 7. En este se ven
los niveles de energa identificados por enteros y subniveles de energa nombrados s, p, d y f.
Dependiendo de la cantidad de electrones que posee un tomo del elemento, se llena de
acuerdo al orden que se ve en la Imagen, en donde el subnivel s solo puede contener 2
electrones, el p 6, d 10 y f 5 electrones, subiendo la energa cada vez que se llena un subnivel.

Imagen 7. Diagrama de Moeller. (http://quimicalibre.com/diagrama-de-moller-o-regla-de-lluvia/)

Se conocen como electrones de valencia a los electrones que se encuentran en el mayor nivel
de energa, y estos son los responsables de los enlaces interatmicos.
El modelo de las bandas se basa en estos niveles de energa y de los enlaces interatmicos.
Una explicacin sencilla sera pensar en los tomos como esferas rodeadas de los orbitales de
energa.

Imagen 8. Enlaces atmicos y formacin de bandas.

Cuando unimos dos tomos, los niveles ms altos de energa en donde estn los electrones se
encuentran y forman un orbital ms grande en donde los electrones pueden moverse, como se
muestra en la Imagen 8.b). Ahora pensemos en un nmero N de tomos con igual nivel
energtico. Se ver una nube de electrones pasando del orbital de un tomo al de otro y al de
otro como en la figura 8.c). Aparte de verse como electrones compartidos de todos con todos,

se puede observar que los niveles energticos van creando bandas de electrones, como se
observa en la Imagen 9.

Imagen 9. Formacin de bandas. (Donald R. Askeland. The science and engineering of

materials. 6th Ed.)
Al crearse estas bandas, los electrones contiguos afectan la energa que se posee, y entre ms
cerca mayor es el impacto en el cambio energtico. Al tener un nmero muy grande de
electrones, se puede desarrollar un diagrama de la energa de cada nivel dependiente de la
distancia interatmica, como se muestra en la Imagen 10.

Imagen 10. Diagrama Energia vs. Espacio interatmico (Introduccin a la Ciencia e Ingeniera
de los materiales, William D. Callister.Editorial Revert.)
Se generan los modelos de bandas de energa tomando en cuenta la energa que poseen los
orbitales cuando los tomos se tienen un espacio interatmico de equilibro, que se muestra en
la figura. Este espacio interatmico es el que se presenta cuando las fuerzas de atraccin y
repulsin entre varios tomos debido a la carga negativa de los electrones y la carga positiva
de los ncleos en su suma neta son igual a cero. En el diagrama de energa contra

espaciamiento interatmico se representa como una lnea vertical. Los modelos que se
generan son los que se ven en la Imagen 11.

Imagen 11. Modelos de bandas (Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los materiales,

William D. Callister.Editorial Revert)
Para que exista una conduccin, se tiene que llegar a un nivel de energa que est total o
parcialmente vaco llamada banda de conduccin, en donde los electrones dados por la
banda de valencia se pueden mover libremente. Para que esto se pueda dar, se tienen que
superar cualquier brecha de energa (espacio en donde no existe ninguna banda ya que no
hay electrones que puedan alcanzar ese nivel energtico) y superar la Energa Formi. La
energa Formi es el nivel de energa ms alto que se alcanza en el cero absoluto (0 Kelvin de
temperatura).
En el primer modelo, las bandas de estados llenos estn ocupadas parcialmente (menos de 2
para s, menos de 6 para p, etc.). Las bandas de estados vacos estn formadas por los
electrones que faltan para llenar el subnivel, como se ve en la Imagen 12. Este modelo se
presenta en los materiales conductores, ya que para pasar los electrones desde la banda de
estados llenos a la banda de estados vacos y superar la energa Formi, no se requiere mucha
energa. No es necesario llegar a una banda vaca para que exista la conduccin en este
primer modelo. Un ejemplo de esto es el sodio, el cual tiene una configuracin electrnica de
1s2 2s2 2p6 3s1. El subnivel 3s est parcialmente ocupado, y es posible el movimiento de
electrones a travs de la banda de estados vacos.

Imagen 12. Diagrama Energa vs. Distancia interatmica sodio (Donald R. Askeland. The
science and engineering of materials. 6th Ed.)
En el segundo modelo se ve que existe un solapamiento entre la banda llena o de valencia
(BV) y la banda vaca o conductora (BC). En la Imagen 13 se puede observar cmo se
presenta este fenmeno en el diagrama de energa contra espaciamiento. Para superar la
energa Fermi y para transportar electrones de la BV a la BC no se requiere proporcionar
mucha energa al sistema, por lo que se comporta como un material conductor. Un ejemplo es
el magnesio que tiene una configuracin electrnica 1s2 2s2 2p6 3s2, en donde su ltimo nivel
energtico esta totalmente lleno y el siguiente nivel energtico se encuentra muy cerca.

Imagen 13. Diagrama Energa vs. Distancia interatmica magnesio. (Donald R. Askeland. The
science and engineering of materials. 6th Ed.)
Los modelos tercer y cuarto poseen una brecha de energa entre la banda de valencia y la
banda de conduccin. Dependiendo de la amplitud de esta brecha se puede clasificar a un

material como semiconductor o aislante. Si se trata de un material semiconductor la brecha es

ms pequea, por lo tanto se requiere menos energa para superarla. Esta energa puede ser
suministrada por el calor, diferencias de potencial, presiones, etc. Si la brecha energtica es
muy grande la energa necesaria para superarla es muy alta, por lo que en condiciones
normales se puede considerar como un aislante, es decir que opone mucha resistencia al flujo
de corriente.
En la Imagen 14 se presenta el diagrama Energa contra espaciamiento del carbono es
estructura de diamante, que se comporta como un aislante ya que presenta una brecha
energtica muy alta.

Imagen 14. Diagrama Energa vs. Distanciainteratmicaa diamante. (Donald R. Askeland. The
science and engineering of materials. 6th Ed.)

CONCLUSIONES
El caos resultante de tantos electrones libres dentro de los materiales metlicos, es el que
permite que la conduccin de una corriente a travs de los mismos se logre de una manera tan
eficiente, ya que a diferencia de otros materiales, en los materiales metlicos no es necesario
romper con enlaces para hacer que se muevan los electrones en una direccin dada.
As mismo un caos excesivo, como el provocado por el aumento de la temperatura contribuye
en una disminucin de la conductividad de los mismos, ya que los electrones que se mueven
muy errticamente pueden interrumpir el flujo de la corriente, al cerrarle el paso a los
electrones que se mueven con el flujo. En este caso, a mayor temperatura, mayor resistividad
del material.
Este mismo caso se presenta cuando se tienen impurezas dentro del material, ya que estas
impurezas pueden atraer o repeler los electrones, lo cual a su vez implica una prdida de la
movilidad de los mismos, lo que supone que se debe usar una mayor cantidad de energa para
establecer el flujo, y por lo tanto el material poseer una mayor resistividad.
Modelo

Tipo de material

Caractersticas

Conductor

- Bandas conductoras
(Libres) justo encima d la
energa Fermi
- Paso de electrones de
V.B a C.B

Semiconductor

- Brecha de energa
pequeo
- Conductividad debida a
huecos
en
V.B
y
electrones en C.B (por
encima de T = 0 K

Aislante

- Brecha de energa
grande
- No se pueden excitar
los electrones

BIBLIOGRAFIA

Colaboradores de Wikipedia. Configuracin electrnica [en lnea]. Wikipedia, La

enciclopedia libre, 2012 [fecha de consulta: 29 de octubre del 2012].
Donald R. Askeland. The science and engineering of materials. 6th Ed.
Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los materiales, William D. Callister.Editorial
Revert.
Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales. William F. Smith 3ra Ed.
Colaboradores de Wikipedia. Enlace metlico [en lnea]. Wikipedia, La enciclopedia
Libre, 2012 [fecha de consulta: 28 de octubre de 2012]
johamflores.blogspot.com/2010/05/el-enlace-quimico.html