Cap 1 e

TEORA de los CAMPOS ELECTROMAGNTICOS
CAPTULO 1
ELECTROSTTICA
Reedicin: Ing. Susana Bellagamba

Escuela de Ingeniera Elctrica
FCEIA
2010
CAMPO ELECTROSTTICO
CAPTULO 1
CONTENIDO
1.1
Ecuaciones de Maxwell
1.1.1 Generalidades
1.1.2 Sistema de ecuaciones de Maxwell Comentarios a las ecuaciones.
1.1.3 Ecuaciones de Laplace y Poisson
1.1.4 Teorema de Earnshaw
1.1.5 Condiciones de contorno en Electrosttica
1.2
Condensadores- Descarga en Aislantes- Mapeo de Campo
1.2.1 Capacidad de conductores Definicin Propiedades
1.2.2 Descarga en aislantes Ruptura dielctrica Efecto corona
1.2.3 Lneas de campo y equipotenciales. Mapeo de campo
1.3
Solucin de las Ecuaciones de Laplace y Poisson
1.3.1 Problemas de contorno en el campo Electrosttico
1.3.2 Teorema de Helmholtz
1.3.3 Campo creado por una distribucin de cargas
1.3.4 Mtodos de solucin de la ecuacin de Poisson
1.3.5 Mtodo de las imgenes
1.3.6 Mtodos numricos
1.4
1.4.1
1.4.2
1.4.3
1.4.4
1.4.5
Coeficientes Caractersticos
Fundamentos
Coeficientes de potencial
Sistemas cerrados
Coeficientes de capacidad
Apantallamiento
1.5
Energa del Campo Elctrico y Esfuerzos
1.5.1 Energa del campo elctrico
1.5.2 Energa de campo y trabajo mecnico
1.5.3 Teorema de Thomson
1.5.4 Fuerzas mecnicas en un sistema de conductores
1.5.5 Energa y esfuerzos en funcin de los coeficientes caractersticos
1.5.6 Fuerzas mecnicas en el campo elctrico. Estados de tensin de Maxwell.
APNDICE A1
A1.0 ngulo Slido
A1.1 Fundamentos Matemticos
A1.2 Mtodos Numricos
A1.3 Esfuerzo Normal a una Lnea de Campo
BIBLIOGRAFA
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CAPITULO 1 ELECTROSTTICA
1.1 ECUACIONES DE MAXWELL
1.1.1 Generalidades
1.1.1.1 Introduccin
A pesar de que la concepcin filosfica mecanicista vigente en la poca de Maxwell es
tericamente criticable, el sistema de ecuaciones diferenciales que lleva su nombre conduce a
resultados analticos que una vez integrados, son perfectamente verificables desde el punto de
vista experimental.
Por tal motivo, en este curso se aceptarn las ecuaciones de Maxwell como postulados a partir
de los cuales deduciremos las leyes particulares que rigen el campo electromagntico.
Podra argumentarse, con fundamento, que muchos problemas prcticos pueden ser resueltos
en forma ms sencilla haciendo uso de las leyes ms antiguas y simples, sin necesidad de
recurrir a una formulacin tan general. Sin embargo, las ecuaciones de Maxwell permitieron
predecir fenmenos no observados experimentalmente y que las leyes particulares ms
antiguas no permitan inferir, como es el caso de la existencia de las
ondas
electromagnticas.
1.1.1.2 Regmenes
El estudio del campo electromagntico puede dividirse en dos reas segn sea el estado de
rgimen de los sistemas a analizar.
Se estudiarn dos regmenes bien diferenciados:
Rgimen estacionario : donde las magnitudes son invariantes en el tiempo
Rgimen variable : con magnitudes variables en el tiempo
Dentro del rgimen variable podemos diferenciar dos casos:
Rgimen cuasi-estacionario o lentamente variable
Rgimen rpidamente variable
Segn sea el rgimen considerado los fenmenos dominantes se irn modificando y con ellos
las hiptesis simplificatorias y/o aproximaciones a tener presentes.
En efecto, por ejemplo, en rgimen estacionario y en ausencia de conduccin de corriente, es
posible estudiar el campo elctrico y el campo magntico como entes aislados. En cambio, en
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regmenes variables, el campo electromagntico constituye una unidad, y como tal debe ser
abordado.
1.1.1.3 Caractersticas de los Medios
En general, el mtodo a aplicar en la resolucin de un problema es funcin de las
caractersticas del medio que configura la regin en estudio.
A tal fin, definiremos la terminologa a utilizar en adelante para clasificar los medios segn su
comportamiento.
Se tiene asi:
Medio homogneo: es aquel en el cual sus caractersticas son invariantes con la
posicin. Por el contrario, un medio ser no-homogneo cuando sus propiedades varen
de un punto a otro del mismo.
Si simbolizamos con a la propiedad en cuestin y con a una coordenada genrica,
matemticamente ser:
Medio homogneo:
Medio no- homogneo:
=0 ,
0 , para algn
En particular, un mismo medio puede comportarse como homogneo para una cierta propiedad
fsica y como no-homogneo para otras. Por ejemplo: si una regin del espacio est constituida
por cobre y aire; desde el punto de vista de la conductividad elctrica es una regin nohomognea; mientras que desde el punto de vista magntico es prcticamente homognea.
Medio istropo: es aquel cuyo comportamiento es independiente de la direccin de la
excitacin que se le aplique. Expresado en lenguaje vectorial, hay colinealidad entre
excitacin (E) y respuesta (R) o sea :
=
con nmero real
Por contraposicin, si no existe isotropa, el medio es anistropo. Entonces ser:

=
con : matriz
o bien:
= 0 +
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donde es un aporte propio del material hacia el efecto final.

En algunos medios la anisotropa es tan marcada que slo cumple con la funcin a que se
destina cuando la excitacin se aplica en la direccin preferencial.
Valgan como ejemplos: un aislante formado por capas de papel yuxtapuestas embebidas en un
aglomerante, cuyas propiedades varan sustancialmente segn el campo elctrico sea en la
direccin tangencial a las capas u ortogonal a ellas y una chapa de material magntico de
grano orientado. En ambos casos, si no se respeta la direccin preferencial, puede decirse que
no se aprovechan sus propiedades.
Medio lineal: es aquel en el cual sus caractersticas no varan con la magnitud de la
excitacin. Matemticamente esto puede expresarse diciendo que la relacin entre
excitacin (E) y respuesta (R) es lineal:
=
con constante
Por contraposicin, si no existe linealidad, el medio es anmalo o alineal. En ese caso:

=
funcin no lineal
o sea que la caracterstica es:

=
Los medios lineales se caracterizan por verificar el principio de superposicin
Cabe hacer notar que los medios lineales se comportan como tales dentro de un cierto rango
de valores de la excitacin; fuera del mismo la anomala se hace presente.
En nuestros estudios aceptaremos operar dentro del rango de excitaciones para el cual el
medio se comporta como lineal, salvo indicacin en contrario.
1.1.2
Sistema de Ecuaciones de Maxwell
1.1.2.1 Presentacin
El sistema de ecuaciones de Maxwell es un sistema de ecuaciones diferenciales, vectoriales,
lineales, no homogneas y acopladas.
En su forma puntual tenemos:
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= =
M1
= = 0
(M 2)
= =
= = +
(M 3)
(M 4)
donde corresponde a la densidad volumtrica de cargas libres (reales) y a la densidad de

corriente de conduccin.
Este sistema de ecuaciones define en forma puntual, diferencial o microscpica, el
comportamiento del campo electromagntico de medios en reposo y de sistemas aislados de
otras formas de energa.
En forma integral o macroscpica, dichas ecuaciones son:
= 0
=
donde se ha indicado con c a la superficie cerrada que envuelve el volumen V y con a la

lnea cerrada perimetral a , como se indica en las figuras 1.1.1a y b.
V = c
V
Fig. 1.1.1.a
Fig. 1.1.1.b
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Por ello es que se ha utilizado la notacin

(c) y
para el flujo a travs de una superficie cerrada
para la circuitacin a lo largo de una lnea cerrada ().
Es importante
tener presente
que
las ecuaciones de
Maxwell
no incluyen las
transformaciones energticas que ocurren en las fuentes, tal como se las concibe en teora
de Circuitos.
1.1.2.2 Relaciones Complementarias a las Ecuaciones de Maxwell
Dado que el sistema de ecuaciones de Maxwell vincula parmetros caractersticos del campo
elctrico ( ; ) con parmetros propios del campo magntico
, se impone la
necesidad de fijar relaciones entre los parmetros de un mismo campo.

Para medios istropos es:
= = 0
= = 0
(1.1.1)
donde es:
: permitividad dielctrica absoluta del aislante
: permeabilidad magntica absoluta del material magntico
0 : permitividad dielctrica del aire o vaco
0 : permeabilidad magntica del aire o vaco
constantes que toman los valores:
0 = 8,85 1012
0 = 4 107
y donde r
=
109
36
r son caractersticas del medio denominadas:
r : permitividad relativa
r : permeabilidad relativa
Por ejemplo, para el aire es:
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r = 1
r = 1
entonces:
= 0
= 0
(1.1.2)
Para medios anistropos tenemos:
= 0 +
= 0 +
(1.1.3)
denominndose:
Cb
m2
P en
en
Wb
m2
Tambin puede escribirse
= 0 +
donde es la magnetizacin y se mide en
Obviamente las expresiones (1.1.1) y (1.1.2) son casos particulares de (1.1.3).

En efecto, aplicando las expresiones generales (1.1.3) para el caso de medios istropos,
resulta:
= 1 0
= 1 0
con
=
=
1
1
denominndose :

Complementariamente, se tiene el vnculo de la llamada Ley de Ohm puntual; que en
ausencia de fuentes, y para medios istropos es:
=
(1.1.4)
donde recibe el nombre de conductividad elctrica, y su inversa , el de resistividad elctrica.

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1.1.2.3 Comentarios a la Primera Ecuacin

La ecuacin (M-1) puede inducirse de la Ley de Gauss para medios polarizados, segn la cual
el flujo del vector desplazamiento a travs de cualquier superficie cerrada que envuelva un
recinto V es numricamente igual a la carga elctrica contenida en V. Es decir:
= =
A partir de ah, aplicando el teorema de la divergencia, se puede obtener la primera ecuacin.

De la primera ecuacin surge que las cargas elctricas son fuentes o sumideros (segn su
signo) de las lneas de campo.
1.1.2.4 Comentarios a la Segunda Ecuacin
En lo que hace a la ecuacin (M-2), ella puede inferirse de la definicin de la induccin a
partir de la bobina exploradora.
En efecto, como el flujo es una funcin exclusiva del contorno, pero independiente de la forma
de la superficie que se subtiende, fijadas convenciones de signo resulta:
= 0
de donde, por el teorema de la divergencia, se puede obtener la segunda ecuacin de

Maxwell.
La expresin (M-2) pone de manifiesto la ausencia de fuentes y sumideros para las lneas de
campo magntico. Es decir: se trata de un campo solenoidal.
1.1.2.5 Comentarios a la Tercera Ecuacin
La ecuacin (M-3) puede surgir de la ley general de la induccin de Faraday:
=
unida a la definicin de f.e.m.:

=
y a la de flujo concatenado:
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Reuniendo estas expresiones y haciendo uso del teorema de Stokes, aceptando a inmvil
respecto al campo y en ausencia de fuentes (transformaciones energticas), se puede
obtener la tercera ecuacin de Maxwell.
Esta ecuacin pone en evidencia la afirmacin de que las ecuaciones de Maxwell
corresponden a medios en reposo. En efecto, para aceptar que:
Es menester que permanezca fijo respecto al campo, pues en caso contrario ya se ver que
existe un trmino complementario.
1.1.2.6 Comentarios a la cuarta ecuacin
La ecuacin (M-4) merece un anlisis ms prolijo que las anteriores.
Desde el punto de vista matemtico, de la ley de Ampere-Maxwell (o de la corriente total) para
rgimen estacionario:
= =
=
(i)
surge la expresin puntual:

=
(ii)
donde, aplicando divergencia, se tiene:

= = 0
(iii)
que se anula por propiedad vectorial, ya que toda divergencia de un rotor es nula.
La expresin (iii) es la expresin puntual de la primera ley de Kirchhoff para rgimen
estacionario.
Entonces, as como para regmenes no- estacionarios es, en general:
0
(iv)
la expresin (ii) resulta inadecuada para dichos regmenes, como puede comprobarse
experimentalmente.
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En efecto, imaginemos un circuito en rgimen variable donde exista un condensador, tal como
se muestra en la figura 1.1.2
Uf
Fig. 1.1.2
Considerada una lnea que envuelve al conductor, es posible subtender desde ella dos tipos
de superficies. Una, como 1, que intercepte al conductor, de modo que enlazar corriente de
conduccin . Y otra, como 2, que atraviese el condensador, de modo que no enlazar
corriente de conduccin. Como es la misma, el campo no puede variar, quedando as
evidenciada la falta de validez de (i) para un rgimen variable. Por ende, fallar (ii).
La idea genial de Maxwell fue admitir que no solamente las corrientes elctricas de conduccin
generan campo magntico. En efecto, del principio de conservacin de cargas:
qsal + qenc = constante
(1.1.5)
con: qenc : carga encerrada en el recinto V

qsal : carga emergente del recinto V a travs de su manto
derivando con respecto al tiempo se tiene:
+
= 0
que, recordando las definiciones de corriente elctrica a travs de una superficie y de densidad
de corriente, conduce a:
+
= 0
que es la ley de conservacin de las cargas en forma integral.

Y como el recinto V est inmvil, operando se obtiene:
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(1.1.6)
= 0
que es la ley de conservacin de la carga en forma puntual.

Aplicando la ecuacin (M-1):
=
y operando, se concluye que es:
(1.1.7)
= 0
que es la expresin general de la primera ley de Kirchhoff en forma puntual, y donde para
diferenciarlas se denomina:

( )
De la expresin (1.1.7) surge la idea de suponer que las variaciones de (o sea del propio
campo elctrico) generan, tambin, campo magntico.
Entonces, reemplazando por
en la ley de la corriente total (i) o en su forma
diferencial (ii) se tiene la cuarta ecuacin de Maxwell:
= = +
(M 4)
Entonces la incongruencia matemtica entre (iii) y (iv) queda salvada, porque aplicando
divergencia a (M-4) se tiene 1.1.7.
Tambin queda salvada la incongruencia del ejemplo de figura 1.1.2. En efecto, las superficies
1 y 2 encierran un volumen, de modo que ser:
1 2 = V
Por lo tanto, cumple con la forma integral de (1.1.7):
= 0 =
+
V
(1.1.8)
De aqu, tomando sobre un determinado sentido de circulacin y asociando a 1 y 2

normales concordantes con el sentido sobre , resulta:
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+
1
+
2
(v)
Comparando (v) con fig.1.1.2. se tiene:
1.1.2.7 Ecuaciones de Maxwell en Rgimen Estacionario

De acuerdo a la clasificacin efectuada oportunamente, comenzaremos con el tratamiento de
los sistemas en rgimen estacionario.
Del sistema de ecuaciones de Maxwell se modifican slo dos, las indicadas con (M-3) y (M-4),
quedando:
= =
= = 0
(1.1.9)
= = 0
= =
que complementaremos con los vnculos entre y ; y ; y .

El sistema de ecuaciones (1.1.9) en ausencia de corrientes de conduccin ( nulo ), trasunta la
independencia del campo elctrico respecto del campo magntico y viceversa.
Por tal motivo continuaremos en el presente captulo con el tratamiento de la Electrosttica,
para la cual resulta:
= =
= = 0
1.1.3. Ecuaciones de Laplace y Poisson
La ecuacin :
= 0
(i)
del sistema (1.1.9) implica matemticamente que el vector deriva de un potencial escalar ,
es decir, el campo elctrico en rgimen estacionario es conservativo.
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Por convencin de signos definiremos:

= =
(ii)
Reuniendo la primera ecuacin del sistema (1.1.9) con el vnculo entre y para medios
istropos, es:
= = 0
para el caso particular de medios homogneos es:
= div D = 0 div
(iii)
Reuniendo (ii) y (iii) se tiene:

div grad = 2 =
(1.1.10)
que se denomina ecuacin de Poisson.

Con anterioridad, trabajando en el vaco y en ausencia de cargas libres, o sea para:
r = 1
=0
Laplace obtuvo la ecuacin que lleva su nombre:
(1.1.11)
2 = 0
Comparando (1.1.10) y (1.1.11) se observa que la ecuacin de Laplace es un caso particular

de la de Poisson.
Integrando las ecuaciones de Laplace o Poisson es posible conocer
la configuracin del
campo elctrico (ya sea lneas de campo o superficies equipotenciales) con slo fijar las
condiciones de borde del problema. Sin embargo, dicho procedimiento analtico es, en general,
dificultoso. De all que se vern mtodos ms sencillos para abordar algunos problemas.
1.1.4. Teorema de Earnshaw
En un campo electrosttico laplaciano no existen puntos de equilibrio estable.
En principio, para que exista equilibrio, dado que es:
F = q E = q
Se impone la necesidad de cumplir con:
= 0
O sea lo que en Matemtica se entiende por punto estacionario que puede derivar en tres
alternativas: extremo (mximo o mnimo), punto de ensilladura, o funcin constante.
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Recordemos, tambin de Matemtica, que para que exista extremo es condicin necesaria que
las derivadas segundas dobles sean no nulas y de mismo signo, (determinante Hessiano
estrictamente positivo).
Pero si el campo es laplaciano cumple con:
2 = 2 + 2 + 2 = 0
(i)
lo que permite afirmar que no verifica con la condicin necesaria de extremo porque la
expresin (i) para ser satisfecha obliga a la diferencia de signos entre, al menos, dos de las
derivadas segundas, excluida la alternativa trivial de anulacin de las tres derivadas segundas
(por imponer ausencia de campo)
En consecuencia, todo punto de equilibrio ( matemticamente: punto estacionario ) es inestable
(matemticamente y genricamente: punto de ensilladura).
Como ejemplo considrese el campo creado por dos cargas puntuales iguales de valor q,
colocadas en los puntos A y B, como se muestra en figura 1.1.3
y
B
fig. 1.1.3
Por condiciones geomtricas basta estudiar lo que ocurre en un plano, dado que rotando el
mismo alrededor del eje que une las cargas, se puede analizar el comportamiento en el
espacio.
Obviamente, el punto de equilibrio es M, punto medio entre las cargas.
Analicemos qu ocurre cuando se coloca una carga de prueba q0 en el punto M.
Veremos que segn sea la relacin de signos entre las cargas q y la de prueba q 0 se
modifica la direccin de inestabilidad.
Sea primero:
sg q0 = sg q
(ii)
En ese caso, si se considera un desplazamiento virtual de q0 sobre el eje x hacia el punto A

crece la fuerza de rechazo debida a la carga en A y disminuye la fuerza debida a la carga en B,
y la carga de prueba tiende a volver a la posicin M de equilibrio. Lo mismo si desplazamos la
carga de prueba hacia el punto B.
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En cambio, si se considera un desplazamiento virtual de la carga de prueba segn el eje y,

tanto hacia arriba como hacia abajo, la resultante de las fuerzas de rechazo tiene una
componente segn y que tiende a alejar a q 0 de la posicin M de equilibrio.
En sntesis, la direccin de inestabilidad para la condicin (ii) est dada por el eje y.
Si :
sg q0 = - sg q
(iii)
procediendo de la misma manera se puede concluir que se invierten las direcciones de

estabilidad e inestabilidad respecto al caso anterior.
1.1.5. Condiciones de Contorno en Electrosttica
1.1.5.1 Leyes
Cuando existe una superficie interfase entre dos regiones de propiedades dielctricas
diferentes, la aplicacin de las leyes del campo elctrico lleva a que se establezcan relaciones
entre las componentes de los campos a travs de la interfase.
Nos proponemos entonces hallar la relacin existente entre los parmetros determinantes del
campo elctrico ( y ) a uno y otro lado de la superficie de separacin entre dos medios de
distinta permitividad ( 1 y 2 ), segn se ve en figura 1.1.4
fig. 1.1.4
Esta relacin puede obtenerse a partir de las expresiones integrales de las ecuaciones de
Maxwell en rgimen estacionario referidas al campo elctrico. Es decir:
= 0
(i)
(ii)
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A tal fin consideremos un tubo de flujo de seccin transversal diferencial que atraviese la
superficie mencionada alrededor del punto donde se quieren obtener las llamadas condiciones
de contorno.
Con las hiptesis anteriores la porcin
considerada de superficie de separacin
;
;
puede reemplazarse por su plano tangente,
1
2
y las lneas de campo por su recta tangente,

como se muestra en figura 1.1.5.
1
2
1
cada medio en s mismo, traducida en la
; ;
colinealidad entre y i = 1,2.
1Fig. 1.1.5
1
;
1
; con su correspondiente
En la figura 1.1.6.a se ha definido un camino =1
sentido de
es:
;
recorrido para la aplicacin de (i) donde aceptamos que
1
1 + 2 = h
(iii)
;
1
; la expresin (ii). En
mientras que en figura 1.1.6.b se ha definido un recinto V al cual aplicarle
En dicha figura se destaca la isotropa de
particular, V puede pensarse como un prisma de profundidad diferencial ortogonal al plano de

la fig.1.1.6.b.
Aplicando (i) a la figura 1.1.6.a se tiene:
1 + 2 + = 0
(iv)
donde T es el valor de la circulacin a lo largo de los laterales .
1
;
1
h/2
1
;
1
2
;
1
;
1
1
;
2 1
2
;
;
;
;
;
1
;
1
Fig. 1.1.6.a
Fig. 1.1.6.b
1
1 ;
1
1
;
aportes
; valor T es un infinitsimo frente a los otros
1;
Dicho
por dosrazones.
La primera est
;
1
1
; medio
dada por la expresin (iii). La segunda porque en cada

el recorrido de 1 y de 2 se hace
1
1
1 ;
;
1
;
;
; ELECTROMAGNTICOS
1
TEORA de los CAMPOS
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1
;
1
;
1
;
1
1
;
;
;
1
h/2
1
;
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en sentidos opuestos y la variacin de dentro de cada material es despreciable, a causa de

ser h muy pequeo.
Entonces, en (iv) resulta:
1 = 2
(1.1.12)
que tambin se enuncia como:

(1.1.13)
1 = 2
Donde es:
1 = 1 = 1 1
2 = 2 = 2 2
Otra forma de escribir (1.1.12) y (1.1.13) es:
2 1 = 0
(1.1.14)
De modo que podemos afirmar la continuidad de las componentes tangenciales del campo
elctrico a uno y otro lado de la superficie de separacin de ambos medios.
Si en lugar de la expresin integral (i), se aplica su forma diferencial:
= 0
se puede afirmar la existencia de un potencial escalar tal que:
=
de modo que la existencia de un gradiente habla de la existencia de las derivadas y por ende
de la continuidad de . De modo que las expresiones (1.1.12), (1.1.13) y (1.1.14) pueden
reemplazarse por:
1
= 2
Donde
(1.1.15)
es el valor del potencial, en el medio de permitividad j , tomado como lmite
sobre la superficie de separacin. Es decir: el potencial electrosttico es continuo a uno y otro

lado de la superficie de separacin de ambos medios.
Aplicando (ii) al volumen V de la figura 1.1.6.b. se tiene que solamente hay flujo a travs de las
caras ortogonales al campo, dado que las restantes son paralelas. Si suponemos que existe
una distribucin superficial de cargas en la superficie de separacin, resulta:
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1 1 + 2 2 =
es decir:
( cos 1 ) 1 + ( cos 2 ) 2 =
(v)
donde dA es el rea de la interseccin de V con la superficie de separacin.

Como es:
1 = 1 1 = 1
2 = 2 2 = 2
en (v) se tiene:
2 1 =
(1.1.16)
o bien:
2 1 =
(1.1.17)
De modo que se puede afirmar que: adoptando como normal positiva la orientada desde el
medio de permitividad 1 hacia el de 2, la diferencia entre las normales del vector
desplazamiento es numricamente igual a la densidad de carga entrampada entre ambos
medios, cumpliendo matemticamente con (1.1.16) o ( 1.1.17).
Se tienen as las Condiciones de Contorno o Condiciones de Frontera para la Electrosttica
en su forma general:
2 = 1
(1.1.18)
2 1 =
o bien :
2 1 = 0
(1.1.19)
2 1 =
1.1.5.2 Casos particulares de las Condiciones de Contorno
a) Carga libre nula en la superficie de separacin
Si
=0
las expresiones (1.1.18) se reducen a :

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2 = 1 =
(1.1.20)
2 = 1 =
que expresan la continuidad de la componente tangencial del campo elctrico y de la

componente normal del vector desplazamiento
a uno y otro lado de la superficie de
separacin entre ambos medios.

En este caso es posible hallar un vnculo simple entre los ngulos 1 y 2 en funcin de las
permitividades absolutas 1 y 2 o de las relativas r1 y r2, como se analiza en figura 1.1.7.
1
2
; 2
Fig. 1.1.7
En efecto, dado que es:
1 = 1 1
2 = 2 2
al ser
1 = 2
1 = 2
resulta el siguiente sistema de ecuaciones:
1 1 = 2 2
1 1 = 2 2
dividiendo la primera ecuacin por la segunda obtenemos:
1 1
2 2
=
1 1 1
2 2 2
es decir:
1
1
1 =
2
1
2
(1.1.21)
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Obtenindose la relacin:
1
1
1
=
=
2
2
2
(1.1.22)
vlido en ausencia de cargas en la superficie de separacin.

b) Superficie de separacin conductor- aislador
Se analizar el comportamiento del campo a uno y otro lado de la superficie de separacin
entre un conductor y un aislador, tomndolo como caso lmite de las condiciones de contorno
entre dos dielctricos. Para ello, deber tenerse en cuenta que en el interior del conductor no
puede existir campo elctrico en condiciones electrostticas. En consecuencia, si el medio 1
es el medio conductor y el 2 el aislador, como se indica en la figura 1.1.8, se tiene:
1 = 0
1 = 0
conductor
2
De donde (1.1.18) toma la forma particular:
Fig. 1.1.8
1 = 2 = 0
2 =
( 1.1.23)
1 = 0
Es importante destacar que la anulacin de la componente tangencial del campo elctrico en el
medio aislador implica la ortogonalidad de y en ese medio, respecto a la superficie de
separacin.
Entonces se tiene:
2 =
2
2 =
=
0 2
0 2
(1.1.24)
para la convencin de signos de figura 1.1.8.
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.2
CONDENSADORES, DESCARGA en AISLANTES y MAPEO de CAMPO
1.2.1 Capacidad de Conductores

La capacidad de un cuerpo conductor es una medida de la facilidad que tiene para acumular
carga elctrica.
La capacidad C se define como el cociente entre la carga neta acumulada en el conductor y el
potencial al que se halla: =
Para el clculo de la capacidad de sistemas con geometras sencillas y con variacin de la

composicin del dielctrico, se aplicar:
Ley de Gauss:
= =
la definicin de diferencia de potencial:
= =
la relacin para medios istropos entre y :
= = 0
y las condiciones de contorno:

2 = 1
2 1 =
Teniendo en cuenta lo anterior se puede obtener, por ejemplo, la capacidad de una esfera de
radio a con respecto al infinito
= 4a
1.2.1.1 Capacidad de un Condensador

Un condensador o capacitor es un sistema de dos conductores A y B, cargados con Q y
-Q respectivamente. Definimos la capacidad del condensador como:
=
(1.2.1)
donde es la ddp entre los dos conductores, es decir = .

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CAMPO ELECTROSTTICO
Entonces, en forma general, podemos definir la capacidad de un condensador como:
(1.2.2)
La capacidad depende nicamente de la geometra de los conductores y de las caractersticas

de los dielctricos.
1.2.1.2 Capacidad de algunos condensadores de geometra sencilla
1 - Condensador de placas planas de rea A y separacin d
0r
d
Fig. 1.2.1
2 Condensador esfrico de radios a y b
0r
a
= 4 0
b
Fig. 1.2.2
3 Condensador cilndrico de radios a y b y longitud L con L a, b
0 r
a
2 0 r
b
L
Fig. 1.2.3
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.2.2. DESCARGA EN AISLANTES

Dado que los materiales dielctricos se caracterizan por no tener cargas libres, la respuesta a
la aplicacin de un campo elctrico es la orientacin de los dipolos en el seno del material.
Si el campo aplicado crece, la polarizacin tambin crece, pero no en forma proporcional.
Al aumentar el campo, se alcanza un valor que se conoce como CAMPO DE RUPTURA
DIELCTRICA o GRADIENTE DISRUPTIVO, para el que las fuerzas de cohesin no pueden
mantener juntas las cargas y el tomo se ioniza por desprendimiento de electrones,
producindose carga cuasi libre que se mueve como por un conductor.
Estos electrones se aceleran en presencia del campo elctrico constituyendo una corriente
elctrica.
Estas corrientes pueden ser muy intensas y destructivas y pueden ir desde mA a miles de
Amperes, segn los casos, circulando a travs de la recientemente formada regin conductora,
producindose lo que se conoce como DESCARGAS PARCIALES.
Si la conduccin se produce en un gas ionizado (PLASMA), esta conduccin posterior a la
ruptura se conoce como ARCO o CHISPA.
Si el fenmeno se produce en las lneas de alta tensin, debido a las caractersticas del campo
se forma una corona de aire ionizado que aumenta el radio efectivo de conduccin de la lnea,
fenmeno conocido como EFECTO CORONA.
Esto va acompaado de un ruido sibilante y desprendimiento de ozono y trae como
consecuencia el aumento de las prdidas de la lnea.
Cuando el efecto corona se produce en presencia de humedad, tambin puede deteriorar los
conductores debido a la formacin de cido nitroso.
Fig. 1.2.4 Descarga en aisladores
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.2.2.1. Campo de Ruptura

El campo de ruptura Er es la intensidad de campo elctrico que hace que un material
aislador(o dielctrico) se convierta en conductor.
A menudo la ruptura dielctrica es seguida por la circulacin de una corriente elctrica (de
miliamperes a millones de amperes, segn las circunstancias) a travs de la recientemente
formada regin conductora. Si la conduccin se produce en un gas ionizado (plasma) esta
conduccin posterior a la ruptura se conoce como arco o chispa.
A continuacin se presentan algunas caractersticas de la ruptura dielctrica en distintos casos
de inters en la ingeniera de alta tensin.
Gases (Er < 25 MV/m) El aire atmosfrico es el material gaseoso dielctrico ms usado. Otros
gases de uso comn en ingeniera de alta tensin son el dixido de carbono, el nitrgeno y el
hexafloruro de azufre. El oxgeno en el aire y el flor en el azufre del hexafloruro son
importantes porque atrapan fcilmente electrones libres, que son los agentes que inician una
ruptura dielctrica. Los materiales gaseosos pueden repararse por s mismos luego de un
evento de ruptura dielctrica. Esto significa que el material puede recuperar sus propiedades
aislantes.
Esta habilidad se ve disminuida por la presencia de contaminantes, que pudieron haberse
formado en un evento previo de ruptura o por exposicin a humedad u otras sustancias.
Lquidos (Er < 100 MV/m) Los lquidos proveen refrigeracin adems de aislacin elctrica,
como en el caso del aceite de los transformadores de potencia.
Como los gases, los lquidos se pueden recuperar, pero la influencia de los contaminantes es
en ellos generalmente mayor que en los gases. Se ha usado agua deionizada y una gran
variedad de aceites orgnicos y minerales como dielctricos lquidos en sistemas de alta
tensin.
Tambin se usan las propiedades dielctricas de alimentos lquidos en la pasteurizacin por
campos pulsados y en los hornos de microondas. El agua deionizada se usa por su gran
permitividad relativa (alrededor de 80), mientras que los aceites tienen permitividades relativas
menores (alrededor de 3).
El aceite de castor es un aceite dielctrico muy comn. En el pasado se usaron aceites con
compuestos de la familia de los bifenilos policlorados (polychlorinated biphenyls - PCB's), por
su propiedad de lquido resistente al fuego, pero se ha encontrado que son muy txicos y no
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CAMPO ELECTROSTTICO
biodegradables, por lo que existen reglamentaciones muy estrictas que prohiben el uso de PCB
en instalaciones elctricas.
Slidos (Er < 200 MV/m) Las rupturas superficiales pueden ser autorrecuperables, pero en
muchas ocasiones se produce un dao permanente en forma de carbonizacin u oxidacin de
canales en la superficie, que constituyen caminos de baja impedancia. La ruptura en el seno de
un material slido es habitualmente destructiva. Un dielctrico slido muy usado es la resina
epoxi depositada en estado lquido bajo condiciones de vaco para impedir la formacin de
burbujas (donde el campo elctrico es mayor que en el dielctrico, facilitando la ruptura), que
se deja endurecer antes de someterse a tensin.
La ruptura dielctrica es generalmente una situacin no deseada que puede generar daos y
problemas de inmensa magnitud econmica. Por ello es de mxima importancia el correcto
diseo de los aisladores, separadores y sistemas de descarga a tierra en las instalaciones
elctricas, dado que, adems del peligro de destruccin de la instalacin y/o dispositivos y
aparatos conectados a ella, existe el peligro de incendio y la formacin de reacciones qumicas
txicas o contaminantes.
La siguiente tabla presenta los campos de ruptura de algunas sustancias:
Permitividad relativa
Er (MV/m)
2,1
10
1200
7,5
12
Aceite de petrleo
2,1
12
Aceite mineral
2,2
15
Poliestireno
2,7
20
Bakelita
25
Vidrio (Placa)
30
Cuarzo fundido
40
2,2
40
Papel impregnado
50
Mica
200
Sustancia
Aire (a presin atmosfrica)
Parafina
Titanato de bario (Ba Ti O3)
Acetato de celulosa
Polietileno
Tabla 1
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1.2.2.2. Tensin Mxima Aplicable a un Condensador de Placas Planas

Sea un condensador de placas planas paralelas de rea A y separacin h, con h menor
dimensin de A, sometido a una ddp U , como se muestra en la figura 1.2.5
0
Consideremos primero que el dielctrico entre placas es aire,
cuyo valor de ruptura dielctrica es Edisr aire = 3 MV/m

El campo elctrico en un condensador plano es:
=
Fig. 1.2.5
Para que el campo en el aislante no supere el valor de campo de ruptura debe ser:
,
, ,
(1.2.3)
Supongamos ahora que se llena totalmente el espacio entre placas con un vidrio de r = 5,6 y
cuyo campo de ruptura es Edisr vidrio = 14 MV/m
Para que el campo elctrico en el vidrio no supere su valor de disrupcin, debe ser:
,
, ,
(1.2.4)
Como:
, < ,
< ,
(1.2.5)
Es decir, cambiando el aire por un aislante de mayor permitividad, se puede aplicar una tensin
ms elevada sin que el capacitor llegue a condiciones disruptivas.
Pero qu pasa si por un defecto en el proceso de llenado del aislante, queda entrampada una
pelcula de aire de espesor a paralela a la placa del condensador, tal como se indica en la
figura 1.2.6.
Sea b= h a = h b = h ( 1 - )
0rv
U
a
Aplicando condiciones de contorno en la superficie de separacin

entre aire y vidrio, se tiene:
Dvidrio = Daire 0 rv Evidrio = 0 Eaire
Fig. 1.2.6
con 1
La diferencia de potencial U puede calcularse como:
Ufall = Eaire . a + Evidrio . b = Eaire . h ( 1 - ) + Evidrio . h
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Es decir:
= 1 +
1+
O bien:
= 1 + =
1+
De donde podemos explicitar el campo elctrico en el aire y en el vidrio, que resultan:

=
(1.2.6)
1
1 1
(1.2.7)
1
1 1
Como r v 1, el campo elctrico en el aire es mayor que el campo en el vidrio, y como el

campo disruptivo del aire es menor que el campo disruptivo del vidrio, al aumentar la ddp
aplicada, el medio que alcanzar primero su gradiente disruptivo es el aire.
Este, entonces, es el campo que nos fija el valor lmite de tensin aplicable al capacitor.
Si imponemos:
=
1
1 1
mx
1 1
ser:
Dado que r v 1 y que 0 1, resulta:
(1.2.8)
0 < 1
1
<1
Y entonces, comparando (1.2.3), (1.2.4) y (1.2.8) resulta:

mx < <
(1.2.9)
Es decir, el defecto de la pelcula de aire en el espacio entre placas, lleva al capacitor a

condiciones ms desfavorables que cuando se usa slo aire como aislante.
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1.2.2.3. Efecto Corona

Muchos efectos de inters tecnolgico estn ligados a la ruptura dielctrica del aire u otros
gases debido a campos entre cuerpos conductores. Hay cuatro tipos de descarga gaseosa:
descarga luminiscente, corona, chispas y arcos. Estas descargas se dan tanto en corriente
continua (CC) como en corriente alterna (CA).
Un arco se produce a bajas tensiones y altas corrientes (la soldadura de arco emplea fuentes
de alrededor de 10 V y 10 kA) generando un alto calentamiento. La chispa ocurre en el caso
inverso, es decir, altas tensiones y bajas corrientes, como en algunos casos de ESD. Un caso
que no cae fcilmente dentro de esta clasificacin es el rayo, donde la tensin y la corriente
son ambas grandes.
La descarga luminiscente se produce en situaciones de alta presin (o muy alto campo)
cuando los electrones reciben suficiente energa para emitir radiacin luminosa en sus choques
con tomos o molculas del gas en el que se hallan.
La corona es una descarga incipiente, que se produce cuando hay una ruptura dielctrica
localizada debido a un campo que supera slo localmente al campo de ruptura del gas. El
resto de la regin presenta campos que no superan el valor crtico y no se produce entonces un
arco o chispa.
El valor del campo al cual comienza a observarse el fenmeno (luminiscencia, interferencia de
RF, ruido audible) se denomina campo de incepcin. La presencia sobre la superficie de los
conductores de pequeas protuberancias, como gotas de agua, copos de nieve, insectos o los
bordes levantados de los hilos o hebras en un cable multifilar producen fuertes campos locales
que pueden superar el campo de incepcin an cuando en la mayor parte de la superficie del
conductor el campo sea menor.
En el aire este campo depende de la rugosidad de la superficie conductora y de las condiciones
de presin y temperatura:
Para alambres o cables debe multiplicarse por un factor de rugosidad:
= 1 para alambres pulidos;
= 0.98 a 0.93 para alambres rugosos, sucios o gastados;
= 0.87 a 0.83 para cables armados (formados por un determinado nmero de alambres)
El valor del campo debe multiplicarse por el factor de densidad del aire:
3.92 p /T donde p es la presin en cm Hg y T la temperatura en K.0
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CAMPO ELECTROSTTICO
El efecto corona en sistemas de potencia produce prdidas de energa debido a la energa

que el campo cede a los iones y electrones en movimiento, genera ruido audible e
interferencia, especialmente en seales de radios de AM y TV de aire. En la figura 1.2.7 se
muestran algunos puntos de corona luminiscente sobre los cables de un haz de alta tensin.
Fig. 1.2.7
Las prdidas aumentan con la frecuencia del campo, de manera que son mayores para
armnicas o transitorios en la lnea.
Cuando el campo aumenta lo suficiente para producir el salto de la chispa o el arco,
habitualmente la corona precede a la chispa. Esto tambin ocurre en la cada de rayos.
El efecto corona tambin crea iones en las cercanas de las instalaciones y estos iones tienen
efectos trmicos, corrosivos y oxidativos sobre los materiales de las instalaciones, efectos
que pueden llegar a deteriorar la capacidad de aislacin de los materiales produciendo
defectos ms importantes.
Por otra parte, el efecto corona tiene aplicaciones industriales:
Dispositivos generadores de ozono utilizados por sus efectos bactericida, fungicida y
oxidativo en limpieza de aire, agua, instrumentos quirrgicos, preservacin de
alimentos, etc.
Precipitadores electrostticos (ESP) para remover partculas de polvo o materiales no
deseados del ambiente en sistemas de control de polucin, etc.
Tratamiento de recubrimientos plsticos o de papel para modificar las propiedades de
rugosidad y triboelctricas, tratamientos para impresin, mejora de adherencia de
polmeros, etc.
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1.2.2.4. Efecto corona en un capacitor cilndrico

Consideremos un condensador cilndrico de radios interior r0 y exterior R0 y longitud L,
cuyo dielctrico es aire, y con una ddp aplicada U, como muestra la figura 1.2.8.
0
r0
U
R0
L
Fig. 1.2.8
El campo elctrico entre placas es:
1
20
con su valor mximo en el conductor de radio menor, como se muestra en la figura 1.2.9
=
1
20 0
La ddp entre armaduras es:
=
=0
0
=
ln
2
= 0 =00=
1
20 0
De manera que el campo mximo puede ser expresado como:

=
=0
0 0
0
En condiciones normales de trabajo, ese valor de campo mximo debe estar por debajo del
valor de ruptura dielctrica del aire. Es decir la tensin mxima aplicable al capacitor ser:

. 0 .
0
0
Si por algn motivo la tensin aumenta, tambin

aumentar el valor de campo mximo, pudiendo
E
Edisr
Emax
superar el valor de campo disruptivo del aire.

Como se observa en la figura, todos los puntos
entre r0 y rc se van a encontrar en condiciones
disruptivas, no as los puntos entre rc y R0, de
manera que hay una corona de aire ionizado
Emin
r0 rc
R0
Fig. 1.2.9
rodeando al conductor interior.

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CAMPO ELECTROSTTICO
1.2.3
LNEAS DE CAMPO y EQUIPOTENCIALES. MAPEO de CAMPO
1.2.3.1 Introduccin
Por definicin, lnea de campo es aqulla cuya tangente geomtrica indica punto a punto la
direccin y sentido del campo elctrico. Entonces si es:
dl : elemento de arco de la lnea de campo
(i)
E : intensidad de campo en cada punto

resulta la condicin :
dl E 0
o bien :
(ii)
dl E ya que E es colineal con dl
expresin esta ltima en la cual el parmetro resulta de caracterstica diferencial.

Indicando para un sistema de coordenadas cartesianas ortogonales:
dl dx ex dy ey dz ez
E E x ex E y ey Ez ez
las expresiones ( i ) y ( ii ) conducen a :
dx dy dz
Ex E y
Ez
( 1.2.10)
que constituyen un sistema de ecuaciones diferenciales que, tericamente, dan solucin al

problema. Sin embargo, la integracin de (1.2.10), an para casos sencillos, resulta muy
dificultosa.
Por tal motivo, en general, se recurre a otros mtodos para la bsqueda de las lneas de campo.
Entre ellos pueden mencionarse:
a) Suponer conocida la ecuacin de la lnea de campo y, a partir de sus propiedades fsicas,
obtener propiedades geomtricas que finalmente permiten deducir la expresin de la
lnea de campo.
b) De la ecuacin de las superficies equipotenciales del sistema obtener, como problema de
trayectorias ortogonales, las lneas de campo.
c) Aplicar conjuntamente la ley de Gauss y el principio de superposicin.
En lo que sigue veremos ejemplos que ilustran las anteriores afirmaciones.
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.2.3.2
Par de cargas iguales y par de cargas opuestas
Deduciremos simultneamente las expresiones de ambos casos. La base ser el par de

cargas opuestas de la figura 1.2.10 y por simple cambio de signos (que se indicarn en
ese caso en la parte superior) tendremos el par de cargas iguales de la figura 1.2.11.
Ep
En
rn
rp
p
-q
+q
-a
x
a
Fig. 1.2.10
-q
"
'
P
r
-a
Fig. 1.2.11
-q
Dada la simetra de revolucin del ejemplo, bastar estudiar el problema en un plano. En ese
caso la ecuacin (1.2.10) se reduce a:
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CAMPO ELECTROSTTICO
dx
dy
Ex
Ey
de donde
y'
dy E y
dx
Ex
En figura 1.2.10 se tiene:
q
E x
4 0
q
E y
4 0
cos p
cos n
rp2
rn2
sen p sen
n
2
2
rp
rn
mientras que en figura 1.2.11 es :
q
E x
4 0
q
E y
4
cos
cos
r 2
r" 2
sen sen
r 2
r" 2
Sus expresiones en coordenadas cartesianas son:
q
E x
4 0
E y 4
0
x a
x a
3
2 2
x a
3
2 2
x a
x a
y
3
2 2
x a
3
2 2
resultando para ( i ):
y y
x a y
x ax a y
2
3
2 2
3
2 2
x a y
x a x a y
3
2 2
3
2 2
que es la ecuacin diferencial de la lnea de campo buscada en coordenadas x,y.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Para proceder a su integracin introduciremos un par de variables auxiliares. Sean stas:
x a
u y
v x a
y
Entonces, la ecuacin diferencial en el nuevo sistema de variables queda:
y,
1 u
v 1 u
2
3
2
3
2
1 v
u 1 v
3
2
3
2
o bien :
1 u 2 32
1
1 v 2
,
y
1 u 2 32
u v
2
1 v
De las nuevas variables se pueden obtener las originales segn:
uv
x a u v
y 2 a 1
uv
n dx1 , dx 2 ,.....,dx n
df f a n
de donde sus diferenciales son :
dv du
dy 2 a
u v 2
dx 2 a u dv v du
u v 2
df fx dx fy dy
Luego, la derivada resulta:
du
dv du
dy
dv
du
dx u dv v du
uv
dv
1
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CAMPO ELECTROSTTICO
Comparando ambas expresiones de la derivada se tiene la ecuacin diferencial en las variables

u, v :
3
2
1u
du

1 v2
dv
du
3
2
1 u 2
la cual resulta a variables separadas, segn:
dv
3
2
1 v 2
Para proceder a su integracin recordemos que:
d
1 2
3
2
u
1
2
1 u 2
1 v 2
1
2
de donde resulta :
constante
que en coordenadas cartesianas conduce a:
x a
x a
1
2
x a
x a
1
2
(1.2.11)
Como vemos, su integracin ha sido dificultosa. Por lo tanto, en un ejemplo ms complejo (como
el caso de un conjunto finito de cargas puntuales cualesquiera alineadas) es de esperar mayor
grado de dificultad.
1.2.3.3 Caso particular: la ecuacin para puntos alejados
Para puntos suficientemente alejados:
x a
y a
(i)
el par de cargas puntuales iguales puede reemplazarse (con buena aproximacin) por una carga
doble ubicada en el punto medio entre ambas. En ese caso, las lneas de campo son rayos que
parten de ese punto medio. Su ecuacin es, entonces:
= k1
(ii)
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CAMPO ELECTROSTTICO
En cambio, el par de cargas puntuales opuestas (dipolo) tiene por ecuacin aproximadamente:
= k1 sen2
(iii)
siendo en (ii) y (iii) :
arc tg
y
x
(iv)
Se puede comprobar que la expresin 1.2.11 con las condiciones (i) conduce a las aproximantes
(ii) y (iii) para uno y otro caso.
1.2.3.4 - Nmero finito de cargas puntuales alineadas
Sea el caso de un conjunto de n cargas puntuales alineadas sobre un eje, sumergidas en un
medio homogneo. Como pretendemos resolverlo por la aplicacin simultnea del principio de
superposicin y del teorema de Gauss, resolveremos previamente un problema simple.
Sea una carga puntual de carga q y calculemos el flujo del vector E a travs de una superficie
definida por un ngulo slido de revolucin.
Dado que para este problema solamente tenemos la carga q, fuera de ella ser:
div E = 0
con lo cual la superficie puede ser cualquiera que tenga un contorno subtendido sobre el ngulo
slido. Entonces, por simplicidad, adoptaremos como superficie de clculo el casquete que
resulta de intersecar una superficie esfrica de radio con la superficie cnica con apertura
como ngulo geomtrico, de forma que conduzca al ngulo slido deseado, tal como se muestra
en la figura 1.2.12
Fig. 1.2.12
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CAMPO ELECTROSTTICO
Dada la configuracin particular del campo (simetra central) y sabiendo que a toda la esfera le
corresponde un ngulo slido 4 y un flujo1:
e 4
E
q
0 r
por simple proporcin resulta:
q
0 r
y como el vnculo entre ngulo slido y apertura del cono es:
2 1 cos
E
1 cos
2
resulta:
q
0 r
(i)
Retornemos al ejemplo original de n cargas puntuales alineadas que se muestra en la figura

1.2.13
n1
k
q1
q2
qk
n2 Referencia de ngulos
B
qm-1
qm
qn
Fig. 1.2.13
Sea un segmento AB sobre una lnea de campo. Por rotacin de AB alrededor del eje sostn
de las cargas se generar una superficie de revolucin , comprendida entre los planos y
que es el lugar geomtrico de las lneas de campo. Por lo tanto, el flujo elctrico a travs de
ellas es nulo.
La justificacin del valor del ngulo slido puede ser consultada en el Apndice A1.0
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CAMPO ELECTROSTTICO
Por principio de superposicin el flujo del campo resultante de todas las cargas es calculable
como la suma de los flujos de cada carga:
E ,k 0
(ii)
k 1
A su vez, el flujo elctrico de una carga genrica q k a travs de la superficie de revolucin

es calculable como la diferencia entre los flujos asociados a los ngulos slidos cnicos de
aperturas k y k , respectivamente. Es decir:
E ,K = E ,k k
E ,k k
(iii)
De (i), y (iii) se tiene:
E ,k
qk
cos k cos k
2 0 r
(iv)
Finalmente, de (ii) y (iv) se sigue que es:

n
k 1
"
q k cos k
q k cos k
'
k 1
Como y son planos genricos, para cualquier plano asociado a un ngulo slido de
apertura k (para cada carga), vale :
n
q k cos k
constante
(1.2.12)
k 1
que es la ecuacin buscada.

Obviamente, la constante de (1.2.12) identifica la lnea de campo elegida.
Para determinar el valor de esta constante es necesario definir la lnea de campo correspondiente.
Ello puede hacerse (entre otras maneras) fijando:
Pag 38 de 126
CAMPO ELECTROSTTICO
a)
un punto de paso
b)
el ngulo de partida desde una carga, o el ngulo de llegada a la misma.
1.2.3.5 - La ecuacin aplicada al ejemplo del par de cargas

Para el caso de un par de cargas, la ecuacin general queda reducida a:
q cos n + q cos p = C*
= q C1 = cte
+ q cos n + q cos p = C**
para dos cargas opuestas
= q C2 = cte
para dos cargas iguales
y
P
rn
q
rp
p
+q
-a
Fig. 1.2.14
-q
Como en la figura es:
cos n =
x a
x a
cos p =
1
2
1
2
x a
x a
resulta:
Pag 39 de 126
CAMPO ELECTROSTTICO
x a
x a
1
2
x a
x a
1
2
x a
x a
1
2
1
2
x a
x a
C1
C2
que coincide con lo anteriormente obtenido.

Veamos cmo se puede determinar la constante fijando el ngulo de partida de la lnea de
campo desde una de las cargas.
Sea el caso del par de cargas opuestas y busquemos la ecuacin de la lnea de campo que al
partir de la carga positiva forma con el eje un ngulo .
P Punto de paso de la lnea
-q
n
n
+q
Fig. 1.2.15
Como sobre +q es:
resulta :
p q
n q 0
1 + cos =
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CAMPO ELECTROSTTICO
de donde, finalmente, es:

cos p cos n = 1 + cos
x a
x a
1
2
x a
x a
1
2
= 1 cos
1.2.3.6- Nmero finito de conductores filiformes paralelos cargados

Sea una familia de n conductores filiformes paralelos de longitud infinita, cargados con
densidades lineales uniformes, sumergidos en un medio istropo y homogneo.
Como pretendemos resolverlo por la aplicacin simultnea del principio de superposicin y del
teorema de Gauss, analizaremos previamente un ejemplo sencillo.
Sea un hilo cargado con una densidad lineal uniforme y calculemos el flujo del vector E a
travs de una superficie cilndrica de generatriz de longitud unitaria definida por un diedro de
apertura , como se muestra en la figura 1.2.16
Fig. 1.2.16
Dado que fuera del hilo es:
div E = 0
cualquier superficie subtendida sobre el diedro de apertura poseer el mismo flujo. Por tal
motivo, elegiremos aquella forma de superficie cilndrica circular, centrada con el hilo.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Dada la simetra cilndrica del sistema y puesto que para la apertura total ( = 2 ) el flujo del
vector E es:
E 2
0 r
por proporcionalidad resulta:
2 0 r
(i)
Retomemos el caso de la familia de hilos cargados uniformemente con densidades lineales k.
Sea un segmento AB sobre una lnea de campo, tal como se indica en la figura 1.2.17. Por
traslacin de una generatriz de longitud unitaria que se apoya en AB y se mantiene paralela a
los hilos cargados se tiene una superficie que es el lugar geomtrico de lneas de campo .Por
lo tanto, el flujo a travs de ella es nulo.
n
Referencia de ngulos
k
k
k
lnea de campo
A
Fig.1.2.17
Aplicando el principio de superposicin es:
E ,k 0
Fig. 1.2.8
(ii)
k 1
donde k es el flujo correspondiente a la lnea de densidad de carga k a travs de .

Reuniendo (i) y (ii) es:
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CAMPO ELECTROSTTICO
n
k (
- k ) = 0
k 1
de donde resulta:
n
k 1
k k
k 1
Como los puntos A y B que definen los ngulos k y k son genricos, para un punto
cualquiera de ngulo k sobre la misma lnea de campo ser:
n
k = constante
(1.2.13)
k 1
Obviamente, la constante introducida en (1.2.13) depende de la lnea de campo elegida.

1.2.3.7- Caso particular: par de hilos paralelos
Sean dos conductores filiformes paralelos de longitud indefinida aislados del resto del sistema y
sometidos a una dada ddp U0 entre ellos. As las cosas, se los puede suponer sede de cargas
opuestas de densidades lineales + y - , como muestra la figura 1.2.18.
y
P
-a
+a
Fig. 1.2.18
Por (1.2.13) para el caso particular mencionado es:
( p - n ) = constante
(i)
Observando la figura 1.2.18 es fcil deducir que (i) se transforma en:

p-n= =K
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CAMPO ELECTROSTTICO
o sea :
tg p n
tg p tg n
1 tg p tg n
(ii)
Pasando a coordenadas cartesianas segn la figura 1.2.18 es:
y
y
x a
x a
y
y
1
x a x a
K 1 = a / K
de donde se obtiene
x2 + ( y K1)2 = ( a2 + K12 )
(1.2.14)
que corresponde a una familia de circunferencias con sus centros sobre el eje y con
ordenadas:
yC = K 1
y radio :
C =
a K1
Obviamente, todas las lneas de campo parten de la lnea de carga positiva y llegan a la
negativa, de forma que el sentido de la lnea de campo cambia bruscamente al llegar a las
lneas cargadas,como se muestra en la figura 1.2.19..
Fig. 1.2.19
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.3 SOLUCIN DE LAS ECUACIONES DE LAPLACE Y POISSON

1.3.1 Problemas de Contorno en el Campo Electrosttico
Recordemos que un problema de contorno queda definido por:
Una regin de solucin
Una ecuacin diferencial ( en este caso la de Poisson)
Condiciones de contorno o de borde
Es decir, que ser necesario conocer la distribucin de cargas en la regin de solucin y los
valores del potencial o de la componente normal del campo en la frontera.
1.3.1.1 Problemas de Dirichlet y de von Neumann
Conocido el valor de 2 de un recinto volumtrico, la familia de soluciones que satisfacen la
ecuacin puede ser infinita. De all que es necesario fijar valores en el contorno (manto de la
regin).
En particular consideraremos dos tipos de problemas:
Problema de Dirichlet: se conoce el valor de en el manto, es decir:

=
2 =
(1.3.1)
Problema de von Neumann: se conoce el valor de la derivada normal de en el

manto, es decir:
2 =

(1.3.2)

1.3.1.2 Soluciones de los Problemas de Dirichlet y von Neumann:

El problema de contorno de Dirichlet tiene solucin nica, mientras que el problema de von
Neumann presenta una familia de soluciones que difieren solamente en una constante. Esto
ltimo es un inconveniente fcilmente salvable, porque fijado un potencial de referencia queda
eliminada la indeterminacin2.
La justificacin del teorema de unicidad puede ser consultada en el Apndice A1.1
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.3.2. Teorema de Helmholtz

El teorema de Helmholtz permite afirmar que si de un campo vectorial se conoce su rotor y su
divergencia en un recinto volumtrico V simplemente conexo, y adems se conoce su
proyeccin sobre la normal a la superficie en el manto (V), dicho campo vectorial queda
unvocamente definido.
Entonces si es conocido:
=
(1.A.5)
entonces es nico 3.
1.3.3. Campo Creado por una Distribucin de Cargas
y
dV
Consideremos una regin del espacio V con

como se muestra en figura 1.3.1.
una distribucin de cargas volumtricas ,
Supngase fijado el potencial de referencia en

x
z
el infinito, es decir = 0 en V
Fig. 1.3.1
Se tiene as un problema de Dirichlet:
2 =
= 0
(1.3.3)
que ya sabemos, tiene solucin nica.

Para obtener dicha solucin sin resolver explcitamente la ecuacin diferencial, nos vamos a
valer de la ley de Gauss y del principio de superposicin.
El campo elctrico de una carga puntual q colocada en es:
La justificacin del teorema de Helmholtz puede ser consultada en el Apndice A1.1
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CAMPO ELECTROSTTICO
1
( )
4 2
Integrando y tomando = 0 es:

=
1
( )
4
Entonces, si consideramos una carga volumtrica , para un elemento de volumen dV

alrededor de es:
=
y por linealidad es:
=
1 ( )
1
=
4
4

y por superposicin es:
1
4
(1.3.4)
que es la llamada integral de Poisson y es la solucin buscada.

Finalmente, si se tiene un nmero finito de cargas puntuales , una distribucin filiforme
, una superficial y una volumtrica , por superposicin ser:
1
=
4
=1
(1.3.5)
Visto entonces que gracias a la unicidad de solucin de los problemas de Dirichlet y von
Neumann para la ecuacin de Poisson, si por algn mtodo es posible conocer una solucin
que cumpla con ellos, sta es la solucin buscada, y dado la dificultad que significa resolver
matemticamente dichos problemas, es que se recurre a una cierta cantidad de mtodos que,
soslayando la resolucin matemtica estricta, permiten obtener la respuesta para una cierta
cantidad de problemas de concreto inters tcnico.
1.3.4. Mtodos de Solucin de la Ecuacin de Poisson
Los sistemas fsicos pueden ser agrupados en dos grandes grupos: discretos y continuos.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Sistemas discretos nmero finito de parmetros modelo matemtico: sistema de ecuaciones algebraicas
Sistemas continuos nmero infinito de parmetros modelo matemtico: ecuacin diferencial + condiciones de
borde
Modelizacin de Fenmenos Fsicos
Sistemas Continuos (Campos)
Nmero Infinito de Parmetros
Modelo Ecuacin Diferencial Condiciones de Borde
Mtodos Analticos
Mtodos No Analticos
Fourier
Imgenes
Grficos
Experimentales
Aproximantes: MDF
MEF
SOLUCIN
Como vemos en el cuadro, la solucin de la ecuacin de Poisson puede obtenerse a travs de:
Mtodos analticos
Mtodo de Fourier: consiste en suponer que la solucin es una combinacin lineal de

productos de funciones de cada una de las coordenadas, transformando as la
ecuacin diferencial con derivadas parciales en un sistema de ecuaciones diferenciales
ordinarias, y el problema de contorno con derivadas parciales en un sistema de
problemas de contorno y/o valores iniciales con derivadas ordinarias.
Mtodo de las imgenes: consiste en obtener configuraciones en las que la

incorporacin de cargas ficticias o cargas imgenes en la regin exterior a aquella
que se quiere estudiar, permite hacer cumplir las condiciones de contorno del
problema.
Mtodos no analticos
Mtodos grficos: Mtodo de los Cuadrados Curvilneos: consiste en aprovechar
ciertas propiedades geomtricas del problema para resolver grficamente por iteracin
a travs de sucesivos mapeos del campo en la regin
Mtodos numricos: consiste en establecer hiptesis aproximadas de la solucin, para
acercarse gradualmente a ella por iteracin operando con sus valores numricos. El uso
de mtodos computacionales permite soluciones que, si bien son aproximadas, brindan
riqueza de informacin y rapidez en su obtencin.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Mtodo de las Diferencias Finitas (MDF)
Mtodo de los Elementos Finitos (MEF)
Mtodos Experimentales: gracias a la similitud entre las ecuaciones diferenciales que

rigen diversos problemas, se puede simular la situacin y por mediciones concretas
obtener la solucin del problema equivalente, para luego transferirla al problema objeto
de estudio. Se tiene as, por ejemplo, la denominada Cuba Electroltica.
1.3.5. Mtodo de las Imgenes
1.3.5.1. Fundamento
El punto de partida de este procedimiento es la unicidad de solucin de las ecuaciones de
Laplace y Poisson con condiciones de contorno tipo Dirichlet o von Neumann.
Conocida la distribucin de cargas en el interior de una regin y los valores del potencial o
del campo en su contorno, este mtodo propone adicionar cargas ficticias en el exterior de la
regin, con lo cual no se altera la distribucin de cargas, es decir, no se altera la ecuacin
diferencial en el interior de , tales que hagan cumplir los valores de potencial o campo en el
contorno.
La limitacin para la aplicacin del mtodo es que la eleccin de las cargas ficticias
complementarias y su ubicacin se basa nicamente en la intuicin, no existiendo leyes
generales para su determinacin. Este hecho reduce sensiblemente la cantidad de casos en
que se aplica esta tcnica.
Es muy importante destacar que las cargas complementarias o imgenes deben ser
exteriores a la regin en estudio, a fin de no modificar las ecuaciones de Laplace y Poisson,
porque todo modelo que necesita transgredir este criterio para cumplir con los valores en el
contorno, no es solucin del problema propuesto.
Si interesa conocer la solucin en todo el espacio, para satisfacer lo anterior se hace necesario
subdividir el espacio total en regiones parciales y adjudicarle a cada una de ellas un modelo
que cumpla con el criterio enunciado.
1.3.5.2. Carga frente a un Plano Conductor Infinito
Estudio del modelo
Sea el caso de una carga puntual colocada a una distancia h frente a un plano
conductor equipotencial infinito, tal como muestra la figura 1.3.2.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Sabemos que un par de cargas puntuales opuestas,

tomando al infinito como referencia ( = 0) presenta,
por
0 r
q
conductor
razones
de
simetra,
como
superficie
equipotencial nula, al plano equidistante entre ambas.
Entonces, el modelo vlido para la regin que

contiene a la carga real es el indicado en la
figura1.3.3.
Obviamente, no interesa obtener un modelo vlido
para el resto del espacio, porque sabemos que por
efecto pantalla el semiespacio donde no hay carga
resulta equipotencial con el plano conductor.
Fig. 1.3.2
VALE
El modelo ilustrado en la figura 1.3.3 justifica

la
denominacin
de
mtodo
de
0 r
las
imgenes dado a este procedimiento. En

este ejemplo tan sencillo es posible, incluso,
justificar analticamente la eleccin de la
N0 VALE
0 r
h
r1
-q
r2
carga imagen complementaria.

En efecto, por superposicin, el potencial en
un punto P resulta la suma del creado por
Fig. 1.3.3
la carga real ms el complementario (comp) creado por la o las cargas ficticias. Es decir:
=
4 0
1
+
1
y si, en particular, se ubica a P sobre el plano equipotencial, P P0 debe ser:

0 = 0
indicando con r0 al valor de r1 correspondiente a P0, se tiene:
0 =
4 0
1
0
que corresponde al potencial creado en P 0 por una carga puntual opuesta a la real y ubicada a
la misma distancia, pero fuera del semiespacio en estudio, o sea: en el punto imagen de la
carga real tal como se observa en figura 1.3.3. Con ello queda justificado el modelo de dicha
figura.
Entonces, de acuerdo a la notacin de figura 1.3.4, es:
=
4 0
1
1
1
2
(1.3.6)
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CAMPO ELECTROSTTICO
con r1 r2
VALE
0 r
N0 VALE
0 r
r1
r2
q
z
-q
-h
Fig. 1.3.4
Como el problema goza de simetra de revolucin, un punto cualquiera queda definido en

coordenadas cilndricas (, , z) siendo la solucin independiente del ngulo . As, el potencial
ser entonces:
, =
4 0
2 +
1
2 2
2 + +
1
2 2
(1.3.7)
expresin vlida para : z 0
Clculo de la carga inducida
La presencia de la carga q frente al plano conductor () induce en el mismo cargas

superficiales de signo opuesto.
La distribucin de cargas superficiales inducidas () es calculable en funcin del modelo de
figura 1.3.4 y de las condiciones de contorno entre aislador y conductor, de acuerdo a la figura
1.3.5, segn:
ind = Dnz=0 = 0 r Ez( z=0)
(i)
donde la componente Ez , que es la nica del campo elctrico sobre la superficie de

separacin, se obtiene por superposicin de los campos de la carga real y la ficticia, tal como
se ve en figura 1.3.5.
-q
-h
Fig. 1.3.5
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CAMPO ELECTROSTTICO
Como
Ez = - 2 Eq cos
(ii)
Reuniendo (i) y (ii) se tiene:

=
1
2 0 3
0 =
(1.3.8)
2 + 2
Si se representa en funcin de se tiene una grfica como la indicada en figura 1.3.6.
- ind
q
h
Fig. 1.3.6.b
Fig. 1.3.6.a
La densidad de carga inducida es negativa y tiene un valor mximo para = 0 (en el origen de
coordenadas) igual a :
, =
1
2 2
y decae a medida que nos alejamos del origen, como se muestra en las figuras 1.3.6 a y b.
La carga total inducida es:
=
donde la integral se extiende a toda la superficie del plano interfase.

Como depende solamente de la distancia desde el origen de coordenadas, se puede dividir
el plano en anillos de radio y espesor d, donde es constante.
El rea de un anillo diferencial vale:
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CAMPO ELECTROSTTICO
= 2
resultando entonces:
2
=0
obtenindose as:
=
=0
2 + 2
3
2
(1.3.9)
Esta expresin pone en evidencia que todas

las lneas de campo que parten de la q
(supuesta positiva)
terminan en el plano
conductor, salvo la lnea lmite que emerge de
q con la direccin del eje z, como se muestra

en la figura1.3.7
Fig. 1.3.7
1.3.5.3. Hilo Filiforme frente a Plano Conductor Infinito

Consideremos el caso de una lnea uniformemente cargada con densidad lineal , colocada
paralelamente a un plano conductor infinito, a una distancia h del mismo, tal como se muestra
en figura 1.3.8.
Sabemos que un par de hilos con cargas lineales
0 r
conductor
opuestas, presenta, por razones de simetra, como

superficie equipotencial nula, al plano equidistante
entra ambos. Entonces, el modelo vlido para la

regin que contiene a la carga real es el indicado en
la figura1.3.9.
Obviamente, no interesa obtener un modelo vlido
para el resto del espacio, porque sabemos que por
efecto pantalla, el semiespacio donde no hay carga
Fig. 1.3.8
resulta equipotencial con el plano conductor.
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CAMPO ELECTROSTTICO
x
VALE
N0 VALE
0 r
z
0 r
r1
r2
P
Fig. 1.3.9
El potencial en el punto P es:
, =
ln
4 0
2 + +
2 +
(1.3.10)
Cabe notar que se ha adoptado el eje x en lugar de dado la configuracin de repeticin en

planos paralelos.
Carga superficial inducida
La distribucin de cargas superficiales inducidas () es calculable en funcin del modelo de

figura 1.3.9 y de las condiciones de contorno entre aislador y conductor, de acuerdo a la figura
1.3.10.
x
Entonces:
ind = Dnz=0 = 0 r Ez( z=0)
(i)
donde la componente Ez , que es la nica del

campo elctrico sobre la superficie de
separacin, se obtiene por superposicin de
los campos de la lnea real y la ficticia, tal
Ez = - 2 E cos
como se ve en figura 1.3.10.

Como
(ii)
-h
Fig. 1.3.10
Reuniendo (i) y (ii) se tiene:

=
2
+ 2
(1.3.11)
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CAMPO ELECTROSTTICO
Finalmente, consideremos una franja del plano conductor de ancho unitario en el sentido del
tercer eje coordenado y pero ilimitada en el sentido del eje x, como se muestra en la figura
1.3.11, que nos permitir calcular la carga lineal inducida.
dS = 1m. dx
1m
dS
+ 2
(1.3.12)
Fig. 1.3.11
mereciendo en este caso comentarios similares al ejemplo anterior.
1.3.5.4. Ejemplos con Diedros
Sea el caso de una lnea cargada frente a un diedro recto conductor, como muestra la figura
1.3.12.
Dado que los planos que forman el diedro llegan al infinito, debern ser equipotenciales con el
mismo, es decir, de potencial nulo (adoptando = 0).
2
a
b
1
Fig. 1.3.12
El modelo que cumple con las condiciones de contorno se muestra en la figura 1.3.13.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Obviamente,
(real)
este
modelo
es
vlido
nicamente en el cuadrante que contiene a

(real). En los tres cuadrantes restantes, el
No Vale
efecto pantalla nos permite afirmar que el
Vale
-a
a
No Vale
potencial es nulo.
Este modelo cumple con las condiciones de
No Vale
contorno del problema.

En efecto, el par de hilos y - ubicados en
-b
(a,b) y (a,-b) respectivamente, fija potencial

nulo sobre el plano 1, al igual que el par de
Fig. 1.3.13
hilos y - ubicados en (-a,-b) y (-a, b).
En cambio, el par de hilos y - ubicados en (a,b) y (-a,b) y el par y - ubicados en
(-a,-b)
y (a,-b) determinan potencial cero sobre el plano 2.

En consecuencia, el conjunto de cuatro hilos de la figura 1.3.13 fija potencial nulo sobre ambos
planos, que es lo buscado.
1.3.5.5. Limitaciones al mtodo
No siempre es posible hallar un sistema de cargas ficticias que haga cumplir las condiciones de
contorno.
Sea por ejemplo una carga puntual colocada en la bisectriz de un diedro equipotencial obtuso
de apertura = 2 /3, como se indica en la figura 1.3.14.
Para que el plano 1 mantenga el potencial
cero, es necesario colocar la imagen q en el
punto P1, segn se muestra en la fig. 1.3.15, lo

cual es determinante para que el plano 2 tenga
un potencial no nulo, por estar la carga imagen
contenida en el mismo. Lo mismo ocurre con la

imagen q colocada en P2 para hacer que 2
tenga potencial cero, ya que esta ltima queda
Fig. 1.3.14
contenida en el plano 1.
Pag 56 de 126
CAMPO ELECTROSTTICO
2
q (real)
-q
P2
Fig. 1.3.15
-q
P1
Queda as evidenciado que no todo problema puede ser resuelto por este mtodo.
Los valores de apertura de diedros resolubles por este procedimiento quedan limitados a la
familia definida por la expresin:
(1.3.13)
de donde se sigue que es:

Es decir, la tcnica es aplicable al plano (caso de degeneracin del diedro para n = 1) y ciertos
ngulos agudos, pero a ninguno obtuso.
Es importante destacar que se tendr en total un nmero de 2n -1 cargas imgenes, ubicadas
todas equidistantes del vrtice del diedro. De ellas, n son de carga -q y n-1 de carga q,
completando la paridad con la propia carga real.
1.3.5.6. Ejemplos con prismas rectos
Sea una carga puntual encerrada en un prisma recto de longitud ilimitada, formado por tres
planos equipotenciales, como indica la figura 1.3.16.
2
q
1
Fig. 1.3.16
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CAMPO ELECTROSTTICO
Para hacer cumplir las condiciones de contorno se debern agregar cargas ficticias que hagan
equipotenciales cada uno de los tres diedros formados.
Este hecho, y segn la expresin 1.3.13, limita los posibles valores de aperturas de los diedros
a: =
= 1,2,3
Pero, por propiedades de ngulos internos de un tringulo es:

1 + 2 + 3 =
En consecuencia, vemos que la condicin buscada es:
1
1
1
+
+
= 1
1 2 3
(1.3.14)
1 ; 2 ; 3
Analizando la ecuacin 1.3.14, se puede obtener una terna de valores (1 ; 2 ; 3 ) que sea
solucin. La rotacin de los mismos conduce luego a configuraciones equivalentes.
Si se adopta 1 = 1
segn (1.3.14) debe ser: 2 = 3
Esto es:
1 =
2 = 3 = 0
que corresponde a la degeneracin en un par de planos paralelos , como se muestra en figura

1.3.17
2 = 0
1 =
3 = 0
Fig. 1.3.17
Si se adopta 1 = 2
segn (1.3.14) debe ser:
2 = 2 ; 3
2 = 3 ; 3 = 6
2 = 4 ; 3 = 4
Esto es:
1 =
2
1 =
2
1 =
2 =
3
2 =
4
2 =
3 = 0
3 =
6
3 =
4
que corresponde a los siguientes casos, como se muestra en figura 1.3.18

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CAMPO ELECTROSTTICO
2 =
1 =
2 =
3 = 0
1 =
3 =
2 =
1 =
3 =
Fig. 1.3.18
Por ltimo, si se adopta 1 = 3
Esto es:
1 = 2 = 3 =
segn (1.3.14) debe ser:
que corresponde al prisma de figura 1.3.19

2 =
1 =
3 =
Fig. 1.3.19
En el caso de prismas de cuatro caras, la condicin 1.3.13
=
= 1,2,3,4
sumada a la propiedad de suma de los ngulos internos de un cuadriltero:

1 + 2 + 3 + 4 = 2
permite concluir que debe ser:
1
1
1
1
+
+
+
= 2
1 2 3
4
1 ; 2 ; 3 ; 4
(1.3.15)
ecuacin que admite como nica solucin no degenerada a:

1 = 2 = 3 = 4 = 2
a la cual corresponden las siguientes aperturas de diedros en el prisma:
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CAMPO ELECTROSTTICO
1 = 2 = 3 = 4 =
Que es el caso que ilustra la figura 1.3.20

2 =
3 =
4 =
1 =
Fig. 1.3.20
Las soluciones para los prismas rectos conducen a un nmero infinito de imgenes.
En ese caso, las soluciones se obtendrn, en su forma exacta, sumando la serie resultante de
los aportes de la carga real y las infinitas imgenes. En caso de pretender conocer una
solucin aproximada, bastar seleccionar un nmero finito de aportes que proporcionarn una
aproximacin a la solucin buscada.
1.3.5.7. Reflexin sobre la superficie de separacin de dos medios dielctricos (r1 r2)
Consideremos el caso de una carga puntual colocada frente al plano de separacin de dos
medios de permitividades distintas, como muestra la figura 1.3.21.
1
z
q
h
Fig.1.3.21
Planteado as el problema, nos proponemos buscar los modelos que permitan determinar el
campo elctrico en todo el espacio.
Denominemos 1 al medio de permitividad 1 y 2 al de 2 . Evidentemente, si es posible
conseguir un modelo tal que colocando cargas ficticias en el medio 2 haga cumplir las
condiciones de contorno en la superficie de separacin, el mismo solamente valdr para el
medio 1, por transgredir la ecuacin de Poisson en el medio 2. Entonces se hace necesario
generar otro modelo, colocando cargas ficticias en el medio 1, que haga cumplir las
condiciones de contorno y permita calcular el campo en el medio 2, nica regin donde tendr
validez.
Se proponen entonces los modelos de la figura1.3.22, de los cuales el (a) es vlido en el medio
1 y el (b) en el medio 2.
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CAMPO ELECTROSTTICO
1
z
2
q1
1
r1
-h
q2
h
2
r2
P1
P2
VALE
NO VALE
Fig.1.3.22.a
NO VALE
VALE
Fig.1.3.22.b
A continuacin determinaremos que es posible con estos modelos elegir cargas ficticias q1 y q2
que hagan cumplir las condiciones de borde en la superficie de separacin de los medios.
Si bien dichas condiciones, en ausencia de cargas libres en la superficie de separacin,
corresponden a la continuidad de las componentes tangenciales del campo elctrico y de las
componentes normales del vector desplazamiento, para justificar el mtodo adoptado
sustituiremos la continuidad de la componente tangencial del campo por la continuidad del
potencial, quedando:
(1 )
=0
1 (1 )
= (2 )
=0
=0
= 2 (2 )
(1.3.16)
=0
Donde debe tenerse en cuenta que al ser z = 0, debe ser P 1 P2 , un punto genrico sobre la
superficie de separacin.
Planteado as el problema, es posible justificar la solucin propuesta a travs del teorema de
unicidad.
En efecto, ya no se trata de un problema de Dirichlet o de von Neumann para la ecuacin de
Poisson, sino de una combinacin de ambos.
El razonamiento consiste en aceptar que existen q 1 y q2 de forma que permitan calcular el
potencial para un modelo e imponer que lo cumpla el otro, con lo cual se tiene un problema de
Dirichlet, y calcular la componente normal del vector desplazamiento en el segundo modelo e
imponerle dicho valor al primero, con lo cual se tiene un problema de von Neumann sin
constante de integracin, pues se conoce el potencial en el infinito dado que lo tomaremos
como referencia.
La solucin consiste entonces en calcular, si existen, los valores de q 1 y q2 que hacen posible el
procedimiento anterior.
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De acuerdo a la figura 1.3.22, se tiene:
1 =
1
4 1
1
+
2 =
1
2
4 2 2
z 0
(i)
z 0
y como sobre la superficie de separacin es:

(ii)
r r1 r2 r0
si introducimos (i) y (ii) en (1.3.16) se tiene la relacin:
2
+ 1
= 1 2
(iii)
Las componentes normales, de acuerdo a la figura 1.3.22, resultan:

1 =
2
1
4 1
1
cos 2 cos 1
2
1
2
=
cos 2
4 2 2 2
z 0
(iv)
z 0
Y como sobre la superficie de separacin es:

(v)
1 2 0
Teniendo en cuenta (iv), (v) y (ii) en la segunda condicin de (1.3.14) se tiene la relacin:
1
= 2
(vi)
Reuniendo (iii) y (vi) queda el sistema de ecuaciones algebraicas lineales:

1 2 2 1 = 2
(1.3.17)
2 + 1 =
Cuyo determinante es:
= 1 + 2 > 0
De modo que podemos afirmar que siempre admite solucin.
Resolviendo resultan:
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1 =
2 =
1 2
1 + 2
(1.3.18)
2 2
1 + 2
Con lo cual se tiene que los modelos propuestos en figura 1.3.22 son vlidos.
En las expresiones (1.3.18) se puede observar que siempre es:
2 =
para todos los valores fsicamente vlidos
En cambio, el signo de q1 es funcin de la relacin entre los valores de 1 y 2.

Si 1 2
1 =
Si 1 2
1 =
Con lo cual podemos formarnos una idea de la configuracin del campo.

Si
1 2
las lneas de campo que parten de q y q1 se dirigen todas al infinito, mientras el
campo creado por q2 es radial. Entonces, para q positivo, tenemos lneas de campo cuya forma
aproximada se muestra en la figura 1.3.23
1 2
q
h
Fig.1.3.23
En cambio, si 1 2, las lneas de campo que parten de q irn algunas a terminar en q1 y
otras al infinito, ya que q q1 . Entonces las lneas de campo toman aproximadamente el
aspecto de la figura 1.3.24, suponiendo nuevamente para q el signo positivo.
2 1
q
h
Fig.1.3.24
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CAMPO ELECTROSTTICO
Es til observar que los modelos propuestos en la figura 1.3.22 son los ms naturales e
intuitivos, pero como en el medio 2 no existe carga real, es posible modificar la permitividad
asignada a dicho medio en el modelo propuesto, obtenindose as una alternativa a la anterio r
que es la representada en la figura 1.3.25, tambin vlida para el problema de figura 1.3.21.
1
1
z
q
1
Type equation here. Type equation here.
1
-h
q1 h
r
r1
1
z
2
2
r2
P1
P2
VALE
NO VALE
NO VALE
Fig.1.3.25.a
VALE
Fig.1.3.25b
En este caso, obviamente, se modificar el valor de la carga ficticia 2 respecto de q2, no

ocurriendo lo mismo con 1 respecto de q1.
En este caso los valores de dichas cargas son:
1 =
2 =
1 2
= 1
1 + 2
(1.3.19)
2 1
1
=
1 + 2
2 2
Notemos que para un medio homogneo (1 = 2) se tiene, como debe ser, 1 = 0 y 2 = ,

tanto en el modelo de figura 1.3.22 como en el de figura 1.3.25.
Si deseamos obtener la modelizacin vlida para una carga frente a un plano conductor
ilimitado como caso particular de lo realizado para dos medios de distinta permitividad, ser
conveniente el anlisis con el modelo de figura 1.3.25, ya que para respetar la situacin de
campo elctrico nulo dentro del conductor, estando la carga en el medio de permitividad 1, se
deber hacer tender 2 , lo que lleva a tener:
1 2 =
2 2 = 0
Ntese, sin embargo, que este ltimo problema es mucho ms sencillo de analizar utilizando el
modelo de figura 1.3.3, y segn lo desarrollado en el pargrafo 1.3.5.2.
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.3.5.8. Esfera conductora en el campo de una carga puntual

Sea una carga puntual q a una distancia h del centro de una esfera conductora de radio a
que se encuentra al potencial de tierra, situacin que se muestra en la figura 1.3.26.
a
q
Fig. 1.3.26
Si recordamos que la superficie equipotencial de potencial nulo respecto al infinito para dos
cargas puntuales de signos opuestos y distinto valor absoluto es una esfera cuyo centro se
halla en el eje que une las cargas y es tal que envuelve a la carga de menor valor absoluto,
resulta natural proponer como modelo para resolver el problema en el exterior de la esfera al
que se ilustra en la figura 1.3.27, no siendo necesario un anlisis para el interior de la esfera,
ya que siendo la misma conductora resulta equipotencial.
y
P
r
-q
0
q
x
h
No vale
Vale
Fig. 1.3.27
El clculo de y surge de imponer la condicin de contorno de Dirichlet, es decir, potencial
nulo sobre la superficie de la esfera puesta a tierra.
En efecto, el potencial correspondiente al par de cargas q y - q es:
1
4 0
4 0
con P punto no interior a la esfera. Para el caso particular del punto P 1 sobre la superficie de la
esfera, debe ser:
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(P1) = 0
0 0 = 0
Y entonces
con
0 =
+ 2 + 2
0 =
+ 2 + 2
Operando resulta:
2
1 2
2
2
+ +
2 2 2
+
1 2
2
1 2
Que es la ecuacin algebraica de una superficie esfrica de centro C y radio con:

2
1 2
;0
2 2 2
+
1 2
2
1 2
Que se caracteriza por tener potencial nulo respecto al infinito.

Imponiendo la condicin de que C coincida con el origen de coordenadas, y que valga a,
estaremos en condiciones de calcular y .
Es decir:
2 = 0
2 2 2
= 2
1 2
De las soluciones, debemos tomar las que cumplen con las condiciones iniciales del problema,
y descartar las soluciones que son extraas al problema original, obtenindose entonces:
=
(1.3.20)
Es til destacar que los valores de y pueden obtenerse fcilmente imponiendo potencial
nulo en dos puntos particulares, P 1 y P2 sobre la superficie de la esfera.
En efecto, si :
1 = , 0
2 = , 0
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Planteando
1 = 2 = 0
Resulta el siguiente sistema de ecuaciones:
= 0
+ + = 0
Que conduce directamente a las soluciones (1.3.20).
1.3.5.9. Esfera aislada y descargada
Se tiene una esfera de radio a aislada y descargada y se la coloca en la proximidad de una
carga puntual q. La presencia de la carga inducir en la esfera una distribucin de cargas
(con resultado neutro nulo) y har que la esfera adquiera un potencial no nulo respecto del
infinito.
La solucin consiste en considerar la superposicin de tres cargas puntuales, el par ( q ; - q )
que mantiene el potencial nulo sobre la superficie esfrica, ms una carga puntual q ubicada
en el centro de la esfera, que mantiene la carga neta nula en la misma y hace que el manto sea
equipotencial.
De esta manera, con el conjunto de esas tres cargas, se cumple con Gauss para una superficie
esfrica que envuelve la esfera de radio a y se mantiene dicha esfera conductora
equipotencial, tal como se muestra en la figura 1.3.28.
y
0
q
-a
-q
No vale
Vale
Fig. 1.3.28
1.3.5.9. Otros casos con esferas
a) Esfera aislada y con carga neta q1
El modelo que permite resolver el problema consiste en tres cargas puntuales ubicadas tal
como se muestra en la figura 1.3.29, y con los valores de 1.3.20.
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y
0
-a
q2
0
-q
No vale
Vale
Fig. 1.3.29
Para cumplir con Gauss sobre el manto de la esfera debe ser:
(1.3.21)
2 = 1 +
b) Esfera que se encuentra a un potencial 1 respecto de tierra.

En este caso, la esfera tiene una capacidad con respecto al infinito dada por la expresin:
C1 = 4 0 r a
y en consecuencia, tendr una carga inicial, q0 = 1 C1
Al aproximarse la carga puntual q, para mantener fijo el potencial 1 adems de -q se

debe agregar en el centro de la esfera una carga puntual q 2 cuyo valor debe ser:
q2 = 4 0 r a 1
As, el par (q ; q) da potencial nulo sobre la superficie esfrica, y al superponer el potencial
creado por q2, mantenemos la condicin inicial 1= cte sobre la esfera. La carga de la esfera se
modifica siendo:
q1 = (4 0 r a 1) - q q0
1.3.6. MTODOS NUMRICOS

Son aquellos en los que se resuelve la ecuacin diferencial por aproximaciones sobre regiones
cada vez ms pequeas, hasta obtener una solucin con la exactitud deseada.
1.3.6.1. Mtodo de las Diferencias Finitas (MDF)
El mtodo de las diferencias finitas es una tcnica numrica simple, de utilidad para resolver
problemas de contorno cuya geometra es relativamente sencilla.
Una solucin de diferencias finitas de la ecuacin de Poisson / Laplace se obtiene en tres pasos:
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Divisin del recinto de integracin o regin de solucin en una malla, grilla o cuadrcula
de nodos, generalmente de lado fijo h.
Aproximacin de la ecuacin diferencial y las condiciones de borde por medio de un

conjunto de ecuaciones algebraicas lineales llamadas ecuaciones en diferencia en puntos
de la cuadrcula dentro de la regin.
Resolucin de este conjunto de ecuaciones algebraicas4.
1.3.6.2. Mtodo de los Elementos Finitos (MEF)

Cuando el recinto de integracin es de forma compleja no es fcil representarlo con una red de
puntos de cuadrcula. En estos casos el mtodo que mejor se adapta es el de los Elementos
Finitos (EF), que tiene su origen en el campo del anlisis estructural.
Este mtodo constituye un mtodo numrico destinado a
resolver mediante ecuaciones
matriciales, las ecuaciones diferenciales que se plantean en sistemas discretos (estructuras) o

continuos (campos).
Actualmente, se considera
al Mtodo de las
Diferencias Finitas como una subclase del
Mtodo de los Elementos Finitos y de hecho se puede demostrar [Silvester-Chari] que el

mtodo EF se reduce a DF cuando las mallas son regulares.
Para sistemas continuos, el mtodo
consiste en discretizar el dominio de
inters en
Elementos Finitos y resolver, mediante una funcin de prueba o de aproximacin, la ecuacin

que rige el sistema en cada elemento finito para luego sumar todas las soluciones.
El anlisis de un problema a travs del MEF tiene entonces cuatro pasos:
Discretizacin de la regin de solucin en un nmero finito de subregiones o elementos.
Generacin de las ecuaciones que describen el potencial y/o el campo dentro de un
elemento finito cualquiera.
Ensamblado de todos los elementos a travs del planteo de las ecuaciones que dan las
condiciones de ajuste de las soluciones en las superficies frontera entre los mismos.
Resolucin del sistema de ecuaciones algebraicas resultante5.
La justificacin y aplicacin del MDF puede ser consultado en el Apndice A1.2

La justificacin y aplicacin del MEF puede ser consultado en el Apndice A1.2
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1.4. COEFICIENTES CARACTERSTICOS

1.4.1. Fundamentos: Teorema de reciprocidad de Green
El teorema de reciprocidad de Green permite afirmar que en todo sistema lineal de conductores
aislados, el potencial que toma uno de ellos ((1)k) cuando se coloca una nica carga en otro
(q(1)h) es numricamente igual al potencial que adquiere este ltimo ((2)h) cuando la carga se
traslada al primero (q(2)k).
1.4.2. Coeficientes de Potencial
En un sistema lineal donde hay un conjunto de conductores en un medio dielctrico donde no
hay cargas libres, la relacin entre potenciales y cargas de los conductores del sistema es solo
funcin de la geometra del sistema y de las caractersticas del medio.
Para obtener estos coeficientes caractersticos vamos a tener en cuenta:
1-
Linealidad del medio
2-
Validez del principio de superposicin ( derivado del punto anterior)
3-
Potencial en un punto originado por una distribucin superficial de cargas.
4-
Proporcionalidad entre densidad de carga y carga total en un conductor
Recordemos que para un sistema de n conductores cargados con j :
1
=
4 0
=1
Adems sabemos que la densidad de carga en cada punto puede pensarse como la suma
algebraica de las densidades de carga creadas por cada una de las cargas (m) sobre los n
conductores del sistema :
( )
=
=1
si tenemos en cuenta la proporcionalidad mencionada:
( ) = ( )
( )
reuniendo las anteriores obtenemos:

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CAMPO ELECTROSTTICO
( )
( )
=1
reemplazando en la expresin del potencial obtenemos:
1
=
4 0
=1
=1 ( )
( )
que por propiedad de sumas puede escribirse:
1
4 0
( )
=1
=1
( )

Expresin en la cual lo encerrado entre llaves es una funcin exclusivamente de la geometra y

de las propiedades dielctricas del sistema e independiente del estado de carga.
La expresin encerrada entre llaves es un coeficiente funcin del punto en el cual se calcula el
potencial del conductor m a cuya carga se asocia. Entonces:
( ) .
=1
Si en particular el punto se toma sobre uno de los conductores, el k, el potencial resulta

independiente de la eleccin del punto sobre el mismo, por ser una equipotencial, por lo tanto:
. ( )
=1
Donde, conocida la funcin de cada subndice, podemos suprimir la notacin del parntesis,
quedando:
(1.4.1)
.
=1
Siendo posible escribir una ecuacin del tipo (1.4.1) para cada conductor, resulta un sistema
normal n x n, de aspecto:
con j = 1,2,.n
( 1.4.2)
=1
donde los coeficientes pjm se denominan coeficientes de potencial.

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1.4.2.1 Notacin matricial

Si indicamos con un vector columna a los potenciales:
1
2
Con otro vector columna a las cargas:
1
2
y con una matriz cuadrada a los coeficientes de potencial:
11
21
12
22
1
2
El sistema de ecuaciones (1.4.2) toma la forma matricial:

= P Q
(1.4.3)
Dado que los coeficientes de potencial son independientes del estado de carga de cada
conductor, para determinar su valor y propiedades es posible considerar estados particulares
de carga del sistema de forma de poner en evidencia la incidencia de cada coeficiente en
particular.
Entonces, si se desea determinar el valor del coeficiente p jh bastar considerar cargado slo
el conductor h, en cuyo caso el potencial del j es:
j = pj h qh
por lo tanto, si qh es unitaria el potencial j ser numricamente igual al coeficiente de potencial
pj h deseado.
1.4.2.2 Propiedades de los coeficientes de potencial

La matriz P es simtrica
Por el teorema de reciprocidad de Green es fcil ver que :
p j h = ph j
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Los coeficientes de potencial son todos positivos y en cada fila o columna el mayor es el
elemento correspondiente a la diagonal principal.
En efecto, consideremos un sistema de n conductores donde slo el conductor h tiene
carga positiva, es decir:
al infinito
qh 0
qj = 0 j h
h +
el potencial del conductor j resulta:
+ j
j = pj h qh
como solo en h hay carga neta, las lneas de campo que
+ j+1
al infinito
parten del conductor h terminarn en el infinito, aunque

algunas de ellas pasen por las cargas inducidas en el
resto de los conductores, como se ve en la figura 1.4.1
al infinito
Fig. 1.4.1
Fijado como referencia el potencial del infinito, = 0, se puede ver que el potencial es
mximo sobre h e ir disminuyendo hacia el infinito, o sea:
0
j h
jh
de donde por ser qh positivo es:
j
qh
h
qh
Concluyndose entonces:
0 pjh
phh
jh
(1.4.4)
1.4.2.3. Propiedad del determinante de la matriz P

Se puede demostrar que el determinante de la matriz P de los coeficientes de potencial es
positivo, o sea que la matriz P es regular.
Veamos dos casos particulares. Primero, si el sistema consta de un nico conductor ( n = 1)
es:
det P = p11 0
por propiedad de los coeficientes de potencial.
A continuacin, veamos que ocurre si el sistema est formado por dos conductores ( n = 2 )
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CAMPO ELECTROSTTICO
det P =
p11
p21
p12
p22 = p11 . p22 - p12 . p21 0
por propiedad de los coeficientes de potencial.

Aplicando induccin completa esta propiedad puede generalizarse para cualquier nmero de
conductores.
Entonces en P:
pjh 0
todos los coeficientes de P son positivos
pjh = phj
la matriz P es simtrica
phh pjh
la matriz P es diagonal-dominante
1.4.3 Sistemas cerrados

1.4.3.1 Definicin
Definiremos como sistema cerrado a aquel en el cual, considerando dimensiones finitas, todas
las lneas de campo comienzan y terminan en el propio sistema. Como consecuencia de esta
definicin debe necesariamente tener un manto.
De la propia definicin surge que para todo sistema cerrado la suma de todas las cargas es
nula:
= 0
=0
Donde, como se observa en la figura 1.4.2, reservaremos el subndice 0 para el manto.
1
2
n
0
Fig. 1.4.2
Observando la figura 1.4.2 se sigue que para que el sistema en cuestin sea cerrado debe
quedar circunscripto a V (interior de la lnea punteada). Obviamente, cuando el interruptor K
est abierto y el manto posee carga no nula, el manto tendr un potencial distinto al del infinito.
Debe tenerse presente que el par de cargas opuestas no constituye un sistema cerrado, a
pesar de tener carga neta nula, por no ser finito.
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De la definicin de sistema cerrado aqu expuesta, que no es la nica, se infiere que un cable
subterrneo con cubierta conductora es un sistema cerrado y en cambio una lnea area no lo
es.
1.4.3.2 Coeficientes de potencial de los sistemas cerrados

Considerando ahora un sistema cerrado, y asignando el subndice cero al conductor manto, el
sistema de ecuaciones de coeficientes de potencial toma el aspecto:
= 0,1,2,3 . ,
=0
Considerando el caso particular de asignar potencial nulo al manto (por ejemplo cerrando el
interruptor K en la fig. 1.4.2) y cargar slo el conductor k resulta:
0 = 0
qk 0
qi = 0
i0; ik
q0 = - qk
de donde la primera ecuacin del sistema se reduce a:
0 = 0 = ( p0k - p00 ) qk
por lo cual debe ser:
p0k = p00
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es decir:
Todos los coeficientes de potencial vinculados al manto son iguales entre si e iguales al
coeficiente propio del manto
1.4.4 Coeficientes de capacidad

En virtud de que la matriz de coeficientes de potencial P es regular, existe su matriz inversa P-1.
Por lo tanto, premultiplicando por P-1 a ambos miembros de 1.4.3 se tiene:
P-1 . = P-1 . P Q
o sea:
Q = P-1
Llamando con C a P-1 se tiene el sistema de ecuaciones escrito en forma matricial:
Q = C.
(1.4.5)
donde indicando los elementos de C segn:

C =
resulta explicitando el nuevo sistema de ecuaciones segn:
h = 1,2,3, ,n
( 1.4.6)
=1
Los coeficientes que forman la matriz C reciben el nombre de genrico de coeficientes de

capacidad aunque dadas sus propiedades caractersticas se los suele distinguir segn:
chh : coeficientes de capacidad (propiamente dichos, si h=k)
chk : coeficientes de induccin ( si h k)
Como los coeficientes de capacidad pueden ser calculados a partir de los coeficientes de
potencial (ignorando el estado de carga), y estos ltimos son independientes del estado de
carga, los coeficientes de capacidad son independientes del estado de carga del sistema,
bajo las hiptesis de comportamiento lineal del mismo.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Entonces:
Los coeficientes de capacidad son funcin exclusiva de la geometra y de las propiedades
dielctricas de los componentes del sistema.
1.4.4.1 Propiedades de los coeficientes de capacidad

La matriz C es simtrica ya que se obtiene al invertir la matriz P (simtrica)
Entonces:
chk = ckh
(1.4.7)
es decir: la propiedad de reciprocidad se extiende a los coeficientes de induccin.

En cuanto al signo, es el elemento distintivo entre los coeficientes de capacidad y de induccin.
En efecto, si en un sistema de n conductores imponemos a uno de ellos un potencial positivo
y colocamos todos los restantes al potencial de referencia (el infinito), como se observa en
figura 1.4.3, entonces:
j 0
(i)
i = 0
ij
j+1
j-1
resulta el sistema de ecuaciones:
qh = chj j
(ii)
j+ 2
n
h= 1,2,..,n
o bien:
chj =
Fig. 1.4.3
(iii)
h= 1,2,..,n
Como por convencin de referencia de potenciales para j 0 es qj 0 resulta:
Cj j 0
En cambio, como para qj 0 resulta que las cargas inducidas en los otros conductores son
negativas (qi 0, i j ) se tiene:
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Cj i 0
i j
Para visualizar esto ltimo bastar recordar que para la situacin de cargas de la figura, todas
las lneas de campo que parten del conductor j mueren en los restantes conductores del
sistema o en el infinito.
Entonces se tiene:
los coeficientes de capacidad son positivos.
los coeficientes de induccin son negativos.
Si sumamos miembro a miembro en (ii) se tiene:
(iv)
=1
=1
que para la situacin de cargas particular dada por la figura 1.4.3 cumple con:
(v)
0
=1
porque:
o bien todas las lneas que salen del conductor j terminan en los otros conductores del
sistema, en cuyo caso la suma de las cargas inducidas en ellos es igual a -qj
o hay algn conjunto de lneas de campo que va al infinito, y entonces all existir una
carga
negativa. Si esto ocurre, el valor absoluto de la suma de cargas inducidas
(negativas) en los conductores del sistema debe ser menor que q j.

Entonces, reuniendo (iv) y (v) se tiene:
0
=1
(1.4.8)
y dados los signos de los coeficientes:
(1.4.9)
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.4.4.2. Interpretacin fsica

En trminos de los coeficientes de capacidad y/o potencial, la capacidad entre dos conductores
puede hallarse a partir de las ecuaciones lineales (1.4.2) con q 1 = q y q2 = -q, obtenindose en
ese caso:
=
1
11 + 22 2 12
2
11 22 12
11 + 22 2 12
Los coeficientes de capacidad se utilizan para determinar la capacidad de cada par en

sistemas de mltiples conductores y para hallar capacidades parsitas.
1.4.5 Apantallamiento
1.4.5.1 Definicin
Denominaremos efecto de apantallamiento al que efecta un conductor, que llamaremos
pantalla, cuando envuelve totalmente a otro u otros conductores.
En la figura 1.4.4 se observa un ejemplo de apantallamiento.
K+2
1
K+3
K
K+1
Fig. 1.4.4
Por razones de simplicidad matemtica, y sin perder generalidad, consideraremos el caso

particular mostrado en la figura 1.4.5, en que una nica pantalla, el conductor 2, envuelve a
un nico conductor apantallado, el 1.
3
1
2
h
n
Fig. 1.4.5
1.4.5.2 Propiedad de los coeficientes de potencial
Sea el sistema de ecuaciones (1.4.2) aplicado al caso particular de figura 1.4.5.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Impongamos la siguiente situacin de cargas particular: consideremos descargado el conductor

apantallado y los dems con cargas arbitrarias:
q1 = 0
(i)
q2 ; q3 ; .; qn
por no haber carga en el conductor apantallado, no habr campo en el interior del conductor
pantalla. Luego ambos conductores estarn a un mismo potencial:
(ii)
1 = 2
Aplicando (i) a las dos primeras ecuaciones del sistema (1.4.2) se tiene:
1 =
1 .
=2
(iii)
2 =
2 .
=2
restando miembro a miembro en (iii) y teniendo presente (ii) se sigue que es:
(iv)
( 1 2 ) = 0
=2
Pero dado que las cargas de los conductores 2, 3, hasta n son libres (arbitrarias) la
expresin (iv) se debe cumplir para todo juego de valores de cargas q i , con i = 2,3,..n.
Por lo tanto, debe ser:
p1i p2i = 0
i = 2,3,,n
o sea:
p1i = p2i
i = 2,3,,n
(1.4.10)
El coeficiente de potencial asociado al conductor apantallado y uno cualquiera exterior es el

mismo que asocia al conductor pantalla y dicho conductor exterior.
1.4.5.3 Propiedades de los coeficientes de capacidad

a) Anlisis de los coeficientes de induccin entre conductor apantallado y conductor exterior
genrico, es decir c1h con h 2 en fig. 1.4.5.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Sea el sistema general de ecuaciones (1.4.6) e impongamos la situacin particular de carga en

que el conductor apantallado se halla descargado, el conductor pantalla puesto a potencial de
referencia y los restantes conductores con potenciales libres, arbitrarios.
Se tiene as el sistema de fig. 1.4.6
3
1
2
h
donde es:
q1 = 0
2 = 0
(i)
3 ; 4 ; .; h ; ; n libres
Fig. 1.4.6
Si no existe carga en 1, no hay campo en el interior de 2, y por ende, ambos conductores
son equipotenciales entre si. Luego:
1 = 2 = 0
(ii)
Entonces la primera ecuacin de 1.4.6 se reduce a:
0 = 1 =
1 .
=3
Condicin que se debe cumplir independientemente del valor que tomen los potenciales 3 ; 4 ;
.; h ; ; n . Por lo tanto, debe ser:
c1h = 0
h = 3,4,,n
(1.4. 11)
Todos los coeficientes de induccin que vinculan al conductor apantallado con los exteriores
son nulos
b) Anlisis del coeficiente de capacidad del conductor apantallado, c 11 en la disposicin de

figura 1.4.5.
Para ello ubiquemos una carga no nula en el conductor apantallado y coloquemos todos los
conductores exteriores y el conductor pantalla al potencial de referencia, tal como se muestra
en figura 1.4.7.
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CAMPO ELECTROSTTICO
3
1
donde es:
h
q1 0
j = 0
j = 2,3,.h,..,n
(iii)
Fig. 1.4.7
Dado que toda lnea de campo que parte de 1 termina en 2 (o viceversa), se tiene que:
q1 + q2 = 0
(iv)
Aplicando (iii) a las dos primeras ecuaciones del sistema (1.4.6) resulta:
q1 = c11 1
(v)
q2 = c21 1
donde, obviamente, 1 es el nico potencial no nulo.
Finalmente, sumando miembro a miembro las ecuaciones (v) y teniendo presente (iv) resulta:
0 = ( c11 + c21 ) 1
(vi)
y como en fig. 1.4.7 el potencial 1 debe ser no nulo, se tiene:

c11 + c21 = 0
o bien:
c11 = - c21
El coeficiente de capacidad del conductor apantallado es opuesto al coeficiente de induccin

entre conductor pantalla y conductor apantallado
1.5. ENERGA DEL CAMPO ELCTRICO Y ESFUERZOS

1.5.1 Energa del Campo Elctrico
1.5.1.1 Expresin en Funcin de Cargas y Potenciales
Es posible realizar un anlisis del campo elctrico desde el punto de vista energtico teniendo
en cuenta que, debido a las fuerzas coulombianas de repulsin entre cargas de mismo signo,
es necesario realizar un trabajo exterior para armar una determinada configuracin de cargas
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CAMPO ELECTROSTTICO
separadas por distancias finitas. Este trabajo que se realiza sobre el sistema permanece en l
como energa potencial.
El trabajo necesario para crear un sistema de cargas se evala trayendo una a una las cargas
desde el infinito hasta su posicin final en forma cuasi esttica, es decir, a velocidad
constante.
Consideremos un sistema de N cargas puntuales qi situadas en las posiciones ri, como se
muestra en figura 1.5.1. Originalmente consideramos a las cargas situadas en el infinito y
separadas entre s distancias infinitas. Se pueden despreciar entonces las interacciones
elctricas entre las cargas. Este es el estado de energa nula.
Construimos ahora el sistema trayendo a las cargas una a una desde el infinito a su posicin
final. Primero traemos la carga q1. Como las otras cargas estn infinitamente alejadas, no
ejercen fuerzas de interaccin sobre q1 y no se requiere trabajo alguno para llevarla a su
posicin final:
q1
W1 = 0
r12
r1
q2
r2
O
Fig. 1.5.1
Ahora traemos a q2 desde el infinito hasta su posicin final r2 a lo largo de la curva . Como
ahora aparece sobre q2 la fuerza ejercida por q1, para que el traslado sea "cuasi-esttico",
debemos agregar punto a punto de la trayectoria una fuerza exterior que equilibre a la fuerza
1 ejercida por q1. Por lo tanto, si adoptamos como referencia de potenciales el infinito,
realizamos un trabajo:
2 =
= 2
1 = 2
1 = 2 2 = 2 2
(1.5.1)
Es decir, que el trabajo realizado para mover una carga puntual desde el infinito hasta un punto
P es numricamente igual al valor de la carga que se traslada multiplicado por el potencial en el
punto P debido a las restantes cargas del sistema.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Se puede extender este concepto a una distribucin continua de carga , como tambin a una
distribucin superficial .
Consideremos entonces una distribucin de cargas y con su correspondiente potencial
, a la que llegamos, en forma lineal, partiendo de cargas y potencial nulo, hasta su condicin
final, pasando por , y (para 0 1) haciendo variar desde cero (situacin
inicial) hasta la unidad (situacin final). Para ello, consideraremos que se incrementa
progresivamente.
Recordemos tambin que bajo la condicin de linealidad, si a una carga q en un punto Q le
corresponde un potencial en el punto P, a una carga q en el punto Q le corresponder
en P.
Incrementemos la carga en el punto Q trayendo d y d desde el infinito. Entonces el
incremento de energa por unidad de volumen ser, de acuerdo a 1.5.1:
( d ) .
(i)
y por unidad de superficie:

( d ) .
(ii)
por lo que el incremento de energa total es:

=
O sea:
=
(iii)
Entonces, haciendo variar desde cero hasta la unidad se tendr la energa final:
1
(iv)
=0
porque la energa inicial era nula por hiptesis.

Se obtiene entonces:
=
1
2
(1.5.2)
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.5.1.2 . Casos Particulares

a)
Supongamos que la superficie sea el manto de V:
=V
constituido, a su vez, por una regin V0 a la cual se le han quitado n huecos, como se muestra
en la figura 1.5.2.
V0
V1
V2
V
Vn
Vi
Fig. 1.5.2
de modo que:
=1
(v)
= 0
=1
Con la salvedad de que las normales son salientes de V.

Entonces, la expresin de la energa toma el aspecto:
b)
1
+
2
1
+
2
(vi)
=1
En particular, si V0 lo constituyen los puntos al infinito, se tiene:
c)
1
=
2
1
=
2
1
+
2
(vii)
=1
Si adems, V invade todo el espacio, no existirn los huecos V j , o sea:

=
1
2
(1.5.3)
siendo en este caso la energa por unidad de volumen:

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CAMPO ELECTROSTTICO
(1.5.4)
expresin no nula slo en los puntos donde es distinta de cero.
1.5.1.3. Energa de un Sistema de Conductores

Si en la geometra de figura 1.5.2, los huecos V j y la regin exterior a V0, cuyos mantos
constituyen , son conductores, es decir, equipotenciales, resulta:
() = j (constante)
Vj
(j= 0, 1, 2, ,n)
con lo cual la expresin (vi) toma el aspecto:
1
=
2
1
+
2 0
1
+
2
=1
y como es:
=

que corresponde a la carga total del conductor V j , ubicada totalmente sobre el Vj , queda
finalmente:
1
=
2
1
1
+
0 0 +
2
2
(1.5.5)
=1
que en el caso de considerar todo el espacio, V0 , se reduce a :
1
=
2
1
+
2
(1.5.6)
=1
Si el espacio entre conductores est exento de cargas libres:

() = 0
queda:
=
1
2
(1.5.7)
=1
Que es la energa de un sistema de conductores cargados bajo las hiptesis de considerar:
Todo el espacio, o bien que un conductor envuelva a todos los dems.
El espacio dielctrico libre de cargas.
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.5.1.4. Energa en Funcin de los Parmetros

Consideremos la expresin general 1.4.2 de la energa:
=
1
2
(i)
y llamemos con al primer trmino, es decir:

=
1
2
(ii)
Dado que es:

=
y como :
= +
se obtiene:
=
y como es:
=
se tiene:
(iii)
= +
Entonces, reuniendo (ii) y (iii), el trmino toma la forma:
=
1
2
1
2
aplicando el teorema de la divergencia se obtiene:

=
1
2
1
2
o bien:

1
+
2
2
(iv)
Por lo tanto, la expresin (i) de la energa toma la forma:

=

1
+
2
2
1
2
(v)
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CAMPO ELECTROSTTICO
Consideremos, ahora, que es el propio manto de V. Entonces, la (v) se reduce a:

1
+
2
2
(vi)
A partir de ello, supongamos que V tiene la geometra de fig.1.4.2, con lo cual (vi) se
transforma en:
=

1
+
2
2
=0
(vii)
En el caso particular de que todos los V j sean conductores, en todos ellos vale por condicin de
contorno del campo electrosttico:
+ = 0
tal como se analiza en la figura 1.5.3
2 1 =
medio1 (Aislador)
Vj
Medio 2 (conductor)
2 = 0
+ = 0
Fig. 1.5.3
obtenindose en ese caso:

(1.5.8)
si el medio que constituye el recinto V es istropo:

=
= 0
resulta:
=
1
2
(1.5.9)
Si adems, dicho medio es homogneo, es:
(1.5.10)
Si en (1.5.8) consideramos la energa por unidad de volumen, tenemos:

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CAMPO ELECTROSTTICO
(1.5.11)
expresin que ser distinta de cero en todo punto donde exista campo.
Como valores no nulos de campo en un punto no exigen valores no nulos de en dicho
punto, es que las expresiones (1.5.4) y (1.5.11) pueden no coincidir, y s deben ser iguales
(1.5.3) y (1.5.8).
1.5.2. Energa de Campo y Trabajo Mecnico
Cuando un sistema evoluciona de un estado a otro, modifica su energa. Al evolucionar,
desarrolla trabajo mecnico. Cual es la relacin entre la modificacin de energa y el trabajo
mecnico desarrollado?
Se tienen, fundamentalmente, dos alternativas. Una de ellas corresponde a carga constante, o
sea, conductores aislados entre s y del exterior y la otra a potenciales constantes, es decir,
manteniendo los conductores conectados a sus fuentes.
En el caso de carga constante (sistema aislado), al evolucionar el sistema y desarrollar un
trabajo mecnico, solamente puede modificarse la energa del campo elctrico, de modo que,
por principio de conservacin de la energa ser:
= + = = 0
de donde:
= = =
(1.5.12)
por lo cual, el trabajo mecnico de las fuerzas ponderomotrices se efecta a expensas de la

energa del campo elctrico.
Si cualquier sistema es dejado evolucionar libremente, desarrolla trabajo mecnico positivo.
Por ende, un sistema aislado disminuir, en ese caso, su energa de campo elctrico, de forma
que, mientras sus vnculos se lo permitan, evolucionar hasta alcanzar su situacin de mnima
energa de campo.
Sea ahora un sistema de conductores que evoluciona a potenciales constantes.
Para que ello ocurra, ser necesario fijar los potenciales, por ejemplo, utilizando fuentes de
f.e.m fija.
Por lo tanto, las modificaciones de carga inherentes a la evolucin exigen un intercambio de
energa entre fuentes y sistema, de forma que:
= = = + =
(i)
Para incrementar en dqj la carga de un conductor manteniendo su potencial fijo en j, la

fuente exterior debe suministrar una energa de valor:
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CAMPO ELECTROSTTICO
, = =
por lo cual, para todo el sistema, resulta:
= =
(ii)
=1
Dado que la energa de campo es:

=
1
2

=1
su modificacin a potenciales constantes es:
1
= =
2
(iii)
=1
Comparando las expresiones (i), (ii) y (iii) se concluye que es:

= = = =
1
=
2
(1.5.13)
En consecuencia, a potenciales constantes, la energa proveniente de las fuentes se equiparte

entre trabajo mecnico e incremento de energa del campo elctrico.
Por lo tanto, si el sistema a potenciales fijos se deja evolucionar libremente, como desarrolla
trabajo mecnico positivo tiende a incrementar su energa de campo elctrico, de forma que
mientras sus vnculos se lo permitan lo har hasta alcanzar una situacin de mxima energa.
Adems, un sistema dejado evolucionar libremente a cargas o a potenciales constantes a partir
de un cierto estado de equilibrio, inicia su evolucin de la misma manera.
Luego:
= = =
en t = t inic
(iv)
en t = t inic
(v)
de donde:
= = =
1.5.2.1. Ejemplo
Sea el sistema constituido por dos placas planas paralelas de reas enfrentadas con
dimensiones dominantes frente a su separacin a los fines de despreciar los efectos de borde.
Asumamos que una placa est fija y la otra se puede desplazar conservndose paralela a si
misma, como muestra la figura 1.5.4.
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CAMPO ELECTROSTTICO
S
+
U0
x
fija
mvil
Fig. 1.5.4
Sea x0 la separacin inicial y A el rea de las placas. Asumamos que la diferencia de
potencial entre ellas es U0.
Si una vez cargado el condensador, con x fijado en x 0, se abre el interruptor S, el sistema
evolucionar a carga constante; en cambio, si se conserva cerrado S, el sistema evolucionar
a potencial constante.
Tanto para carga constante como para potencial constante, sabemos que dejada libre una
placa, sta tiende a aproximarse a la otra, luego ser:
< 0
(vi)
Para carga constante, la energa es:
1 02
2
(vii)
donde C es la capacidad entre placas para una separacin x y q 0 es la carga inicial del
condensador dada por:
0 = 0 0
(viii)
donde C0 es la capacidad correspondiente a una separacin inicial x 0.

De (vii) y para una separacin genrica se tiene:
= =
1 02
2 2
(ix)
y como es:
= 0
resulta:
= 0
=
2
(x)
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CAMPO ELECTROSTTICO
De (ix) y (x) se tiene:

= =
1 02
2
(xi)
De modo que de (vi) y (xi) se tiene que es:

(1.5.14)
= < 0
como afirmramos anteriormente al decir que evolucionando de por s a carga constante, el

sistema busca un mnimo de energa.
Para potenciales fijos, la energa es:
1
02
2
=
Luego:
= =
1 2

2 0
Donde recordando (x) se concluye que es:

= =
1 2
0
2
(xii)
Por lo tanto, de (vi) y (xii) se tiene que es:

(1.5.15)
= > 0
tal como ya afirmramos al decir que evolucionando de por s a potenciales fijos, el sistema
busca un mximo de energa.
Si particularizamos (xi) y (xii) para el inicio de la evolucin, es decir para x= x0, por (viii) resulta:
= = = =
0 0
2
0
verificndose entonces (iv) y (v).

1.5.3. Teorema de Thomson. Enunciado
Dado un conjunto de conductores aislados entre si y del exterior, en equilibrio electrosttico y
situados en el seno de un dielctrico homogneo, istropo y lineal, la distribucin de las
densidades superficiales de cargas en los conductores es tal que la energa total del sistema
resulta mnima.
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.5.4. Fuerzas Mecnicas en un Sistema de Conductores

Sea un sistema con k grados de libertad. En consecuencia, la posicin de cada conductor
quedar definida a travs de k parmetros.
Indicando con a un parmetro posicional genrico, el trabajo mecnico de las fuerzas es:
(1.5.16)
=1
Donde Fj es la componente de fuerza generalizada segn la direccin del versor ,

correspondiente al parmetro posicional j.
Dado que el trabajo mecnico en un sistema a cargas constantes se efecta a expensas de la
energa del campo elctrico, es:
= =
(1.5.17)
En cambio, en un sistema a potenciales constantes, le energa de las fuentes se equiparte

entre trabajo mecnico e incremento de energa de campo, por lo cual:
= =
(1.5.18)
1.5.4.1. Comentario sobre Fuerzas Generalizadas

Recordemos que en la expresin (1.5.16) pueden presentarse los siguientes casos:
Cada coordenada j es de tipo cartesiano, correspondiente a un corrimiento. En ese

caso la fuerza generalizada es una fuerza propiamente dicha =
Cada coordenada j es de tipo angular, es decir, las condiciones de vnculo slo

permiten giros alrededor de ejes.

En tales casos la fuerza generalizada es una cupla =
Cada coordenada j es de tipo volumtrico, correspondiente a una expansin. En ese

caso la fuerza generalizada es una presin =
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.5.5. Energa y Esfuerzos en funcin de los Coeficientes Caractersticos

Sea un sistema de n conductores cargados en un espacio dielctrico sin carga. Sabemos por
(1.5.7) que la energa del conjunto es:
1
2
(i)
=1
Pero teniendo en cuenta que:
(ii)

=1
De (i) y (ii) resulta:
1
2
(1.5.19)
=1 =1
En un sistema que evoluciona a cargas constantes, en (1.5.19) los nicos parmetros que
varan con la coordenada generalizada son los coeficientes . Entonces como:
= =
(iii)
Reuniendo (1.5.19) y (iii) se obtiene:
1
= =
2
=1 =1
(1.5.20)
Si, en cambio, utilizamos los coeficientes de capacidad, por (1.4.6) es:
(iv)
.
=1
De modo que reuniendo (i) y (iv) se tiene:

=
1
2
(1.5.21)
=1 =1
En un sistema que evoluciona a potenciales constantes, en (1.5.21) los nicos parmetros que
varan con la coordenada generalizada son los coeficientes .
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CAMPO ELECTROSTTICO
Como:
= =
(v)
reuniendo (1.5.21) y (v) obtenemos:
1
= =
2
=1 =1
(1.5.22)
1.5.6. Fuerzas mecnicas en el campo elctrico

1.5.6.1. Fuerzas sobre la superficie de un conductor. Presin electrosttica
Un cuerpo uniformemente neutro, que desde el punto de vista elctrico es aquel en el cual la
carga elctrica neta es nula y el centro equivalente de todas las cargas positivas coincide con
el de todas las negativas, deja de serlo al estar sumergido en un campo elctrico exterior (an
conservando su carga neta nula) o al ser cargado.
En un conductor que ha dejado de ser uniformemente neutro las fuerzas coulombianas
empujan las cargas hacia el exterior del cuerpo, de forma que en un tiempo muy breve se
alcanza el estado de equilibrio, para el cual las cargas se acomodan en la superficie del
conductor. Se obtiene as lo que se denomina una distribucin superficial de carga elctrica.
Sin embargo, lo que se tiene en realidad es una distribucin volumtrica alojada en una capa
superficial de espesor no conocido exactamente, que por ser tan pequea (del orden de pocos
A) termina por ser asociada a una distribucin superficial.
Sea el espesor de esa capa de carga volumtrica en un punto de la superficie, situacin que
se muestra en la figura 1.5.5.a y 1.5.5.b
Conductor
Conductor
()
Aislador
Aislador
=
Fig. 1.5.5.a
Fig. 1.5.5.b
En virtud del pequeo espesor de frente a las dems dimensiones del conductor, se puede
aceptar que las variaciones de la densidad volumtrica de carga segn la direccin normal a la
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CAMPO ELECTROSTTICO
superficie lmite conductor/aislador son predominantes frente a las variaciones segn esa
superficie.
Entonces se tiene:
(i)
= ()
De manera que, segn la figura 1.5.5.b es:
= 0
<0
0 < <
pero adems, podemos pensar en una carga superficial equivalente que, al tener en cuenta
la expresin (i) ser:

=0
Analicemos qu ocurre con el campo elctrico en esa zona. Si se toma un volumen V como el
indicado en la figura 1.5.6, aplicando el teorema de Gauss a una superficie que envuelve a una
pequea porcin de capa perifrica, se tiene:
Conductor capa superficial
Aislador
=0
0 =
ya que = 0 en la cara interior del conductor

Entonces, en el dielctrico ser:
Fig. 1.5.6
= =
Como consecuencia de las hiptesis anteriores, se puede considerar que el campo vara con
continuidad desde = 0 = 0 hasta
= =
Si el campo vara con continuidad, la permitividad de esa capa superficial debe ser 0
Si
=
0 = ()

() = 0
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CAMPO ELECTROSTTICO
Si evaluamos el esfuerzo sobre cada elemento de volumen de esa capa perifrica obtenemos:
=
= =
= ()
Como :
=
=
Si consideramos el esfuerzo por unidad de rea
=
= 0
que evaluado en todo el espesor da la denominada presin electrosttica de valor:
=0
1

2 0
2 2 0
1

2
2 0
Como =
=
2
2
=0
se tiene:
1
2
0 2 =
2
2 0
(1.5.23)
1.5.6.2. Estados de Tensin de Maxwell

En una concepcin mecanicista no es posible interpretar las acciones dinmicas existentes
entre cuerpos cargados elctricamente como acciones a distancia, hecho que llevara a
considerar a los campos como medios transmisores de dichos esfuerzos o tensiones.
M. Faraday concibi que los esfuerzos entre los cuerpos cargados se transmitan a travs del
medio, introduciendo el concepto de ter, como consecuencia de estar dicho medio sometido
a un cierto estado de tensin, comportndose el ter, para estos efectos, como un medio
elstico.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Bajo este enfoque del problema, Maxwell formula matemticamente el modelo que permite
calcular los valores del estado de tensin del ter, y a partir de ello, las acciones dinmicas
entre cuerpos cargados.
Debemos tener en cuenta que el nico hecho fsico que subyace debajo de este planteo es la
ley de Coulomb, siendo el resto de la discusin una cuestin puramente matemtica.
Para visualizar esta concepcin del problema, tomemos una porcin V del medio definida por
un tubo de flujo intersectado por dos superficies equipotenciales, tal como se muestra en la
figura 1.5.7.
Como las lneas de campo parten de cargas
positivas y concluyen en cargas negativas, entre

principio y fin de una lnea de campo debe existir un
esfuerzo resultante de atraccin, como se indica en

la figura 1.5.7.
2
Esto, en principio, indicara que la porcin V sufre

1
esfuerzos de compresin, segn la direccin de las

lneas de campo.
Fig. 1.5.7
Al ser aislado, V debe reaccionar tendiendo a expandirse con esfuerzos que deben ser
opuestos a los anteriores, independientemente del sentido del campo, situacin graficada en la
figura 1.5.8.
2
1
Fig. 1.5.8
De acuerdo con la teora de los medios elsticos, la fuerza total que acta sobre un volumen
dado puede considerarse transmitida a travs de la superficie que limita dicho volumen, lo que
lleva a la necesidad de trabajar con los esfuerzos sobre las superficies que limitan a V.
De acuerdo a lo desarrollado en Energa de Campo, en el pargrafo 1.5.4.1, la fuerza por
unidad de rea (presin) es numricamente igual a la energa por unidad de volumen, ya que:
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CAMPO ELECTROSTTICO
= =
=
En un medio istropo y homogneo, esta energa por unidad de volumen toma el valor:
=
1
2
2
Con = 0
Es decir que en figura 1.5.8 tendremos que:
=
1
2
2
Con = 0
Si se calculan los esfuerzos sobre cada superficie definida por la interseccin entre tubo de
flujo y equipotencial, las resultantes son distintas, ya que los campos lo son.
En consecuencia, como la porcin aislada debe estar en equilibrio, se hace necesaria la
presencia de esfuerzos normales fn a la direccin de la lnea de campo, tal como se muestra
en la figura 1.5.9.
1
Fig. 1.5.9
Estos esfuerzos normales resultan de compresin y numricamente iguales a f t 6
Es decir:
=
1
2
2
Con = 0
H. Poincar, en su obra Electricit et Optique demostr que si esto fuera cierto, en ausencia
de campo el medio considerado elstico, liberado, se expandira ocupando todo el espacio, lo
cual es un absurdo.
La justificacin del valor de fn puede ser consultada en el Apndice A1.3
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CAMPO ELECTROSTTICO
1.5.6.3. Esfuerzos sobre la Superficie de Separacin entre Dielctricos

Sea entonces la superficie de separacin entre dos medios de distinta permitividad.
Nos proponemos calcular el esfuerzo al que se halla sometida bajo la accin de un campo
elctrico, aplicando los conceptos de los estados de tensin de Maxwell.
Consideremos un tubo de flujo de seccin transversal diferencial que incide sobre la superficie
de separacin, que, en virtud de la hiptesis anterior (dimensin diferencial), puede ser
reemplazada por su plano tangente, como muestra la figura 1.5.10.
1
1
S
2
2 2
Fig. 1.5.10
Considerado el recinto volumtrico definido por el tubo de flujo al ser intersectado por un par de
planos ortogonales a la lnea de campo, se tienen, de acuerdo a Maxwell, los esfuerzos de
1
figura 1.5.11.
1
1
1
2
2
2
2
Fig. 1.5.11
Adems, como todos los esfuerzos concurren a un punto, se tienen las fuerzas indicadas en la
figura 1.5.12
1
1
2
2
Fig. 1.5.12
Pag 100 de 126
CAMPO ELECTROSTTICO
El valor de cada esfuerzo total se obtiene como el producto entre la correspondiente tensin de
Maxwell y el rea transversal respectiva.
Tenemos entonces:
1
1 =
2
2 1 1
cos 1
2 =
1
2
2 2 2
cos 2
1 =
1
2
2 1 1
sen 1
(i)
1
2
sen 2
2 2 2
Si descomponemos todas las fuerzas segn un par de direcciones, una tangencial y otra
normal a la superficie de separacin, se tienen los esfuerzos de figura 1.5.13.
2 =
Fig. 1.5.13
Entonces se tiene en cada medio:
1 = 1 cos 1 1 sen 1
2 = 2 cos 2 2 sen 2
(ii)
1 = 1 sen 1 + 1 cos 1
2 = 2 sen 2 + 2 cos 2
O bien:
1 =
1
2
2 1 1
cos2 1 sen2 1 S
2 =
1
2
2 2 2
cos2 2 sen2 2 S
1
1 =
2
2 1 1
(iii)
2 1 cos 1 S
1
2 2 2 cos 2 S
2 2 2
2 =
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CAMPO ELECTROSTTICO
Si tenemos en cuenta que podemos descomponer el campo segn las direcciones normal y
tangencial de figura 1.5.13, se tiene que:
1 cos 1 = 1
2 cos 2 = 2
1 sen 1 = 1
2 sen 2 = 2
de donde resulta:
1
1
2
2
= 1 1
1
2
2 =
1
2
2 2
2 2 2
1
S =
2
2
1
2
1 1
S
1
1
2
2
2
2
2 2
S
2
S =
(iv)
1 = 1 1 1 S = 1 1 S
2 = 2 2 2 S = 2 2 S
Teniendo en cuenta las condiciones de borde entre ambos medios, en ausencia de cargas
libres, se tiene:
1 = 2 =
1 = 2 =
Y entonces, en (iv) obtenemos:
1 =
1
2
2
1 2
1
2 =
1
2
2
2 2
2
(iv)
1 = S = 2
Ahora bien, de figura 1.5.13 vemos que:
= 2 1
(v)
= 2 1
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CAMPO ELECTROSTTICO
Entonces, teniendo en cuenta (v) en (iv) obtenemos:
1
1
1
2
+ 1 2 2 S
2
2
1
(1.5.24)
= 0
expresin que puede ser escrita como:
1
2
2 1
D2n
+ 2 S
1 2
(1.5.25)
= 0
En consecuencia, la resultante final es normal a la superficie de separacin y su valor por
unidad de rea es:
, =
1
=
2
S
2 1
D2n
+ 2
1 2
(1.5.26)
Si es : 1 2 resulta , 0
Si es : 2 1 resulta , 0
Es decir, se puede concluir que el esfuerzo sobre la superficie de separacin entre dos
dielctricos libre de carga, es normal a dicha superficie y se dirige desde el medio de mayor
permitividad hacia el de menor permitividad.
Esto tambin puede expresarse diciendo que el esfuerzo normal es tal que el medio de mayor
permitividad tiende a introducirse en el de menor permitividad.
Obsrvese que esta conclusin es independiente del sentido del campo e incluso es vlida
tanto para campos normales, tangenciales u oblicuos a la superficie de separacin.
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CAMPO ELECTROSTTICO
APENDICE A1
A1.0 ngulo Slido: Definicin
Si sobre la superficie de una esfera con centro en O y radio R, se considera una curva
cerrada que encierra el rea S, y un cono con vrtice en O cuyas generatrices pasan por los
puntos de , el cociente entre el rea S y el cuadrado del radio R, es el ngulo slido del cono
S
R
Supongamos un cono de revolucin de apertura

da
R
rea del casquete S :

rea del anillo dAanillo = 2 y da
donde
da = R d
y = R sen
dAanillo = 2 R2 sen d
rea ( ) = S =
S
R
0 2 R
sen d = 2 R2
= 2 ( 1 - cos )
cos
= 2 R2 ( 1 - cos )
(A1.0.1)
ngulo slido correspondiente a una esfera :

=
esfera = 2
( 1 cos ) = 2 1 1 = 4
(A1.0.2)
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CAMPO ELECTROSTTICO
A1.1 Fundamentos matemticos

Lemas de Green:
Son expresiones matemticas derivadas del teorema de la divergencia que son de utilidad para
el anlisis de problemas de potencial y de radiacin.
Primer lema de Green:
Si y son dos campos escalares continuos hasta sus segundas derivadas parciales en un
recinto volumtrico V, entonces:
2 +
(A1.1.1)
Segundo lema de Green:

Si y son dos campos escalares continuos hasta sus segundas derivadas parciales en un
recinto volumtrico V, entonces:
2 2
(A1.1.2)
Unicidad de Solucin del Problema de Dirichlet

Objetivo: Demostrar que el problema de contorno de Dirichlet tiene solucin nica y que el
problema de contorno de Von Neumann presenta una familia de soluciones que difieren
solamente en una constante. Esto ltimo es un inconveniente fcilmente salvable, ya que fijado
un potencial de referencia queda eliminada la indeterminacin.
Para demostrar estas afirmaciones supongamos que conocemos dos soluciones (1 y 2)del
problema de contorno. Entonces 1 y 2 han de cumplir con la ecuacin de Poisson:
2 1 =
2 2 =
(i)
Y si se trata de un problema de Dirichlet, con los valores de en el contorno:

1 = ;
2 =
en V
(ii)
Mientras que si se trata de un problema de Von Neumann lo harn con la derivada normal:
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CAMPO ELECTROSTTICO
1
=
2
=
(iii)
A los efectos de la demostracin construyamos la funcin auxiliar:

= 1 - 2
en V V
(iv)
tal que resultar en (i) , (ii) y (iii)

2 = 0
PD
= 0

(v)
= 0
= 0
PVN
segn se trate de uno u otro problema.

Ahora bien, del primer lema de Green, para el caso particular de :
= =
Toma el aspecto:
2 +
vi
Ya sea PD o PVN, el laplaciano de se anula y recordando que es:

=
la (vi) se reduce a:
vii
Pero tanto las condiciones de contorno del PD como del PVN anulan al segundo miembro de
(vii), y entonces:
= 0
que para gradientes seccionalmente continuos impone que sea:

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CAMPO ELECTROSTTICO
o sea :
= 1 2 =
(viii)
Entonces, si se trata de un problema de Dirichlet, por (v) es:

= 0
de donde la constante de (viii) es nula, resultando:

1 2
(A1.1.3)
Es decir, la solucin de un problema de Dirichlet es nica.

Mientras que si se trata de un problema de Von Neumann, no se conoce el valor de en el
contorno y de (viii) se tiene:
1 = 2 +
(A1.1.4)
Pero, fijado el potencial de un punto del sistema, que se tomar como referencia, queda fijado
el valor de la constante K en (A1.1.4).
Cabe observar que si V es todo el espacio (V ) como y
son nulas en el manto, en
nada se altera la demostracin.

Teorema de Helmholtz
Si un campo vectorial es tal que es solenoidal, es decir:
= 0
(ix)
para una regin V simplemente conexa, es posible obtener otro campo vectorial , llamado
potencial vectorial, tal que es:
=
(x)
y del que sabemos que no es nico.

Sin embargo, el teorema de Helmholtz permite afirmar que si de un campo vectorial se
conoce su rotor y su divergencia en un recinto volumtrico V simplemente conexo, y adems se
conoce su proyeccin sobre la normal a la superficie en el manto (V), dicho campo vectorial
queda unvocamente definido.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Entonces si es conocido:
=
(A1.1.5)
entonces es nico.
Es obvio que, dado que es:
0 = =
Cualquiera sea , se impone que no puede ser cualquier campo vectorial, sino que para que
el problema tenga sentido, es necesario que sea solenoidal, es decir, que cumpla con (ix).
Para demostrarlo, consideremos que existen dos campos ( 1 y 2 ) que satisfacen (A1.1.5).
Entonces, si se construye
= 1 2
(xi)
Se tendr que es:

= 0
= 0
= 0
(xii)
Ahora bien, por ser irrotacional en un recinto simplemente conexo, es un campo de

gradientes, o sea:
=
(xiii)
De donde en (xii) se tiene:

= 2 = 0

PVN
=0
(xiv)
Se tiene as, en (xiv) un problema de Von Neumann, que sabemos admite solucin nica, a
menos de una constante aditiva. Luego, visto que la solucin idnticamente nula cumple con
(xiv), la solucin ser:
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CAMPO ELECTROSTTICO
(xv)
O sea:
0
(xvi)
Uniendo (xi), (xiii) y (xvi) se concluye que es:

1 2
(A1.1.6)
O sea que planteado (A1.1.5), por este teorema, ese problema de contorno admite solucin
nica.
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CAMPO ELECTROSTTICO
A1.2 Mtodos Numricos

Mtodo de las Diferencias Finitas
El mtodo de las diferencias finitas es una tcnica numrica simple de utilidad para resolver
problemas de contorno cuya geometra es relativamente sencilla.
Recordemos que un problema de contorno queda unvocamente definido por:
Una ecuacin diferencial parcial como la de Laplace o Poisson.
Una regin de solucin.
Condiciones en la frontera, iniciales o ambas.
Una solucin de diferencias finitas de la ecuacin de Poisson o Laplace se obtiene en tres

pasos:
Divisin del recinto de integracin o regin de solucin en una malla, grilla o cuadrcula
de nodos, generalmente de lado fijo h.
Aproximacin de la ecuacin diferencial y las condiciones de borde por medio de un

conjunto de ecuaciones algebraicas lineales llamadas ecuaciones en diferencia en
puntos de la cuadrcula dentro de la regin.
Resolucin de este conjunto de ecuaciones algebraicas.
Determinacin del Potencial en una regin conocido su Valor en la Frontera

Paso 1: Mallado de la regin de solucin
La regin de solucin se divide en mallas
1
rectangulares o cuadradas con puntos de
i j+1
cuadrcula o nodos, segn se muestra en la
i-1, j
figura A1.2.1. Un nodo en la frontera, cuyo

potencial es conocido o est especificado, se
i, j
llaman nodos libres.
llama nodo fijo, en tanto que los puntos dentro

de la regin, con potencial desconocido, se
i+1, j
i, j-1
h
Fig. A1.2.1
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CAMPO ELECTROSTTICO
Paso 2: Obtencin de la ecuacin aproximante

El objetivo es tratar de obtener la aproximacin de diferencias finitas de la ecuacin diferencial
de Laplace o Poisson y utilizarla para obtener los valores de potencial en todos los nodos
libres.
Tenemos entonces que:
2 r
si la regin est libre de cargas se transforma en:
2 r 0
Si el problema es bidimensional:
2 2
0
x2 y2
(A1.2.1)
El mtodo consiste en reemplazar las derivadas por una representacin de diferencias finitas
en trminos de los potenciales en los nodos de la malla.
1
Tomemos los cuatro nodos alrededor del nodo

identificado con 0, como se muestra en figura A1.2.2.
A partir de la definicin de derivada, tenemos:
4 0
0 2
4 2
Fig. A1.2.2
x 2
x 4
x 0
De manera que:
4 0
x 0
0 2
h
4 2 2 0
h2
De la misma forma:
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CAMPO ELECTROSTTICO
1
h
y 1
y 3
y
2
1 3
h
y 0
De manera que:
1 0
0 3
h
y 0
1 3 2 0
h2
Que reemplazadas en la ecuacin de Laplace:
4 2 2 0
h2
4 2 1 3 4 0
h2
1 3 2 0
h2
De donde podemos obtener:
0 1 1 2 3 4
4
(A1.2.2.)
Esta ecuacin es una aproximacin de diferencias finitas de cinco nodos del potencial para el
punto central de una malla o grilla cuadrada, y nos permite expresar el potencial de ese nodo
en funcin de los potenciales de los nodos que lo rodean.
Esta ecuacin pone en evidencia claramente la propiedad de valor promedio de la ecuacin de
Laplace, ya que la misma puede interpretarse como un medio diferencial de enunciar que el
potencial en un punto especfico equivale al promedio del potencial en los puntos adyacentes.
Paso 3: Resolucin de las ecuaciones algebraicas.
Para obtener la solucin de la ecuacin anterior pueden aplicarse diferentes mtodos, pero los
ms sencillos son:
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CAMPO ELECTROSTTICO
Resolucin directa o mtodo de la matriz en banda
Resolucin iterativa o mtodo de iteracin
Mtodo de iteracin
Se calcula el potencial en cada nodo en la n-sima iteracin en funcin de los valores del
potencial en los puntos adyacentes hallados en la iteracin previa.
Este mtodo se conoce como relajacin y en l la solucin generalmente converge lentamente
a su valor final.
La diferencia entre dos iteraciones sucesivas se denomina residuo, y debera tender a cero
cuando el clculo haya obtenido la convergencia.
Procedimiento:
Para comenzar, se asigna al potencial en los nodos libres un valor inicial CERO o cualquier
otro VALOR RAZONABLE estimado; sin alterar en ningn momento el valor del potencial en los
nodos fijos.
Aplicando la ecuacin en diferencia, y siguiendo un orden preestablecido (comenzando arriba
de izquierda a derecha y luego hacia abajo nuevamente de izquierda a derecha) se calculan los
valores de potencial de todos los nodos libres.
Los valores obtenidos no son exactos, sino meramente aproximativos.
Para obtener valores ms exactos, se vuelve a repetir el procedimiento recalculando los
valores de todos los nodos libres.
La modificacin iterativa o reiterada del valor de potencial en cada nodo libre prosigue hasta
alcanzar el grado de precisin fijada o hasta que dos valores sucesivos en cada nodo sean
satisfactoriamente cercanos.
Ejemplo de aplicacin
Considrese una regin cuadrada con fronteras conductoras como indica la figura A1.2.3.
El problema es bidimensional y el esquema es una seccin transversal de la configuracin
fsica.
Para resolver por iteracin se subdividi la regin en una grilla de diecisis cuadrados,
quedando definidos as nueve nodos libres.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Estimacin de valores iniciales:
Brecha
infinitesimal
En el centro de la figura, nodo 5, se
Brecha
infinitesimal
V= 100 V
puede considerar que V5 es:
V5
1
100 0 0 0 25 V
4
Se puede estimar ahora el potencial

en
los
centros
de
los
cuatro
V= 0 V
cuadrados
tomando
de
el
doble
promedio
tamao,
de
los
potenciales en los cuatro vrtices

(slo
se
aplica
este
V= 0 V
promedio
diagonal para estimaciones iniciales)

y adoptando el valor 50 V para la
brecha infinitesimal:
V= 0 V
Fig. A1.2.3.
V1
1
50 100 25 0 43,75 V 43,8 V
4
V3 V1
V7
por simetra
1
0 25 0 0 6,25 V 6,2 V
4
V9 V7
por simetra
Ahora se puede obtener el potencial en los cuatro puntos restantes aplicando la ecuacin de
diferencia directamente. Ser entonces:
V2
1
43,8 100 43,8 25 53,15 V 53,2 V
4
V4
1
43,8 25 6,2 0 18,75 V 18,8 V
4
V6 V4
V8
por simetra
1
25 6,2 0 6,2 9,35 V 9,4 V
4
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CAMPO ELECTROSTTICO
Se estar entonces en condiciones de llevar a cabo el recorrido inicial para obtener un conjunto
corregido de valores de potencial, comenzando en el vrtice superior izquierdo y avanzando a
travs de la lnea hacia la derecha, y luego descendiendo a la segunda lnea y avanzando
nuevamente de izquierda a derecha.
Los potenciales de los nodos libres cambian segn:
V1
1
100 53,2 18,8 0 43,00 V
4
V3 V1
por simetra
V2
1
100 43,0 25 43,0 52,75 V 52,8 V
4
V4
1
43,0 25 6,2 0 18,55 V 18,6 V
4
V6 V4
por simetra
V5
1
52,8 18,6 9,4 18,6 24,85 V 24,8 V
4
V7
1
18,6 9,4 0 0 7,0 V
4
V9 V7
V8
por simetra
1
24,8 7,0 0 7,0 9,7 V
4
Ahora se deben repetir los recorridos hasta que el valor en cada nodo no muestre cambio,
siendo este ltimo el valor de potencial asignado a ese punto. En este ejemplo esta
convergencia se logra con solo cuatro iteraciones.
Los valores de cada uno de los recorridos se muestran en la figura A1.2.4, siendo el valor final
de cada nodo el que aparece en la parte inferior de cada columna.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Brecha infinitesimal
V= 0 V
Brecha infinitesimal
V= 100 V
43,8 V
53,2 V
43,8 V
43,0 V
42,6 V
42,8 V
52,8 V
52,5 V
52,6 V
43,0 V
42,6 V
42,8 V
42,8
V
52,6 V
42,8 V
18,8 V
18,6 V
18,6 V
18,7 V
18,7 V
25 V
24,8 V
24,8 V
25,0 V
25,0 V
8
18,8 V
18,6 V
18,6 V
18,7 V
18,7
V
6,2 V
9,4 V
7,0 V
7,1 V
7,1 V
9,7 V
9,8 V
9,8 V
7,0 V
7,1 V
7,1 V
7,1 V
9,8 V
7,1 V
V= 0 V
6,2 V
V= 0 V
Fig. A1.2.4
Valores de estimaciones iniciales
Valores finales de potencial en cada nodo
Mtodo de los Elementos Finitos
Cuando el recinto de integracin es de forma compleja no es fcil representarlo con una red de
puntos de cuadrcula. En estos casos el mtodo que mejor se adapta es el de los Elementos
Finitos (EF), que tiene su origen en el campo del anlisis estructural.
Este mtodo constituye un mtodo numrico destinado a resolver mediante ecuaciones
matriciales las ecuaciones diferenciales que se plantean en sistemas discretos (estructuras) o
continuos (campos).
Actualmente, se considera al Mtodo de las Diferencias Finitas como una subclase del
Mtodo de los Elementos Finitos y de hecho se puede demostrar [Silvester-Chari] que el
mtodo EF se reduce a DF cuando las mallas son regulares.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Para sistemas continuos, el mtodo
consiste en discretizar el dominio de
inters en
Elementos Finitos y resolver, mediante una funcin de prueba o de aproximacin, la ecuacin

que rige el sistema en cada elemento finito para luego sumar todas las soluciones.
El anlisis de un problema a travs del mtodo de los elementos finitos tiene entonces cuatro
pasos:
Discretizacin de la regin de solucin en un nmero finito de subregiones o elementos.
Deduccin de las ecuaciones que describen el potencial y/o el campo dentro de un

elemento finito cualquiera.
Planteo de las ecuaciones que dan las condiciones de ajuste de las soluciones en las
superficies frontera entre elementos.
Resolucin de las ecuaciones algebraicas planteadas.
Paso1 - Discretizacin de la regin de solucin

Los contornos de la regin pueden ser irregulares.
Se divide el recinto de integracin en un nmero de elementos finitos no empalmados entre s,
sin solapamientos ni exclusiones.
La forma de los elementos puede ser cualquiera, aunque es habitual usar tringulos. Los EF
sern tan chicos como lo considere el programador. Cuanto ms vara el potencial, ms
pequeos deben ser los elementos finitos.
Frontera aproximada
El valor aproximado del potencial dentro de
En la figura se dividi el recinto en ocho

tringulos, quedando definidos nueve nodos.
un elemento dado, el n-simo ser ~n x, y .

Por superposicin, el valor aproximado del
potencial dentro del recinto ser:

N
~ x , y ~n x , y
(A1.2.3)
n 1
donde N es el nmero de elementos finitos

5
Frontera real
en que se ha dividido la regin.

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CAMPO ELECTROSTTICO
La forma ms comn de aproximacin del potencial dentro de un elemento es la aproximacin

polinomial
~n (x,y) = a + bx + cy
(A1.2.4)
Cabe notar que esta aproximacin lineal del potencial dentro del elemento triangular, equivale
a suponer que el campo elctrico es uniforme dentro del mismo, es decir:
En ( x, y) ~n ( x, y)
be
c ey
Paso 2 - Aproximacin en cada elemento

Ecuaciones de la solucin en cada elemento
Consideremos un elemento triangular n representativo como el de la figura. En el mismo se
identificarn sus tres nodos propios con los nmeros 1, 2 y 3 que se asignarn a cada vrtice
del tringulo siguiendo el sentido antihorario.
~n3 x3, y3
2 n2
x2, y2
n
x1, y1
~n1
Los potenciales ~n (x,y) pueden ser escritos en forma matricial segn:
a

~n (x,y) = 1 x y b
c
Y en particular para los vrtices1, 2, y 3 del elemento, esta ecuacin queda:
~ n1
1 x1
~ 1 x
2
n2
~ n3
1 x3
y1
y2
y3
a
b

c
(A1.2.5)
De donde se pueden determinar los coeficientes a, b y c:
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CAMPO ELECTROSTTICO
a 1 x1
b 1 x
2

c 1 x3
y1
y 2
y3
~ n1
~ 1
n2 2 A
~ n3
x2 y3 x3 y2
y y
2
3
x3 x2
x3 y1 x1 y3 x1 y2 x2 y1 ~ n1
y3 y1
y1 y2 ~ n 2
x1 x3
x2 x1 ~ n3
Donde A es el rea del elemento, ya que:

1 x1
2A = 1 x 2
1 x3
y1
y 2 = (x1 y2 x2y1) + (x3 y1 x1y3) + (x2 y3 x3y2) =
y 3
2A = ( x2 - x1 ) ( y3 - y1 ) ( x3 -x1 ) ( y 2 -y1 )
El valor de A es positivo si se numeran los nodos del elemento en el sentido antihorario.
Reemplazando los coeficientes en la ecuacin matricial (6) se
obtiene el potencial
(aproximado) en cualquier punto dentro del elemento en funcin de los potenciales de sus
vrtices:
x2 y3 x3 y2
~
1
n (x,y) = 1 x y
y 2 y3
2A
x3 x2
x3 y1 x1 y3 x1 y2 x2 y1 ~ n1
y3 y1
y1 y2 ~ n 2
x1 x3
x2 x1 ~ n3
Que puede ser escrita como:

3
~n (x,y) = i x, y ~n i
ecuacin MEF
i 1
Donde:
1 x , y
1
2A
x2 y3 x3 y2 y2 y3 x x3 x2 y
x , y
1
2A
x3 y1 x1 y3 y3 y1 x x1 x3 y
3 x , y
1
2A
x y
1 2
(A1.2.6 )
x2 y1 y1 y 2 x x2 x1 y
Estas funciones i son funciones de interpolacin lineal, y se llaman funciones de forma del
elemento n . Poseen las siguientes propiedades:
1
0
i xi , y i
i j
i j
x , y 1
i
i 1
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CAMPO ELECTROSTTICO
El paso siguiente es determinar los potenciales de los nodos de los EF dentro del recinto, para
lo cual hay que fijar un criterio de buena aproximacin.
Se pueden aplicar principios variacionales (Rayleigh-Ritz) o mtodos residuales como el
Mtodo de los Residuos Ponderados con la metodologa de Galerkin.
Clculo de los potenciales de los nodos por el mtodo variacional
El mtodo de Rayleigh-Ritz es un mtodo variacional en el cual se establece la equivalencia
entre la solucin del problema diferencial y la funcin que optimiza un funcional.
Introducimos la fsica del problema a travs de consideraciones energticas: de las infinitas
soluciones posibles a un problema de potencial debe seleccionarse aquella que hace mnima la
energa del campo.
~
Para calcular los i de los nodos del tringulo vamos a pedir que la energa dentro del EF sea
mnima, es decir, vamos a elegir la solucin de potenciales ~1 , ~2 , ~3 que haga mnima la
energa dentro del EF y luego, dentro de todo el recinto de clculo.
Recordando que la energa del campo elctrico es:
We
1
2
dV
Si consideramos una regin de solucin bidimensional sin carga (s = 0) la energa por unidad
de longitud axial asociada al elemento e est dada por:
We
1
2
(A1.2.7 )
dS
Se
por otro lado, sabemos que, en simetras plano-paralelas:

E E 2
(A1.2.8)
reemplazando [ A1.2.8 ] en [A1.2.7 ] nos queda:

We f ~n x, y
Usando la ecuacin MEF :
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CAMPO ELECTROSTTICO
~ ~
i 1

i x , y

i 1
i x , y
i 1
j 1
~ ~
i
Siendo entonces:
We
1
2
~ ~
Se
i 1
j dS
j 1
1
e T C e
2
Donde e es el vector de potenciales de los vrtices (nodos) del elemento e es decir:

~e1
e ~e 2
~e3
e T
~e1 ~e 2 ~e3
Y C es una matriz de coeficientes C
i, j
j dS
( A1.2.9 )
Se
La matriz C es la matriz de coeficientes de elementos o matriz de rigidez.

El coeficiente Ci,j de la matriz de rigidez puede considerarse como el acoplador entre los nodos
i y j y su valor se obtiene a partir de su definicin (A1.2.9 ).
Clculo de los potenciales de los nodos por el Mtodo de los Residuos Ponderados
El mtodo de Galerkin o de los residuos ponderados consiste en minimizar en el dominio de
estudio, la integral del error que se obtiene al reemplazar la solucin exacta por una funcin de
ensayo convenientemente elegida.
Supongamos que ~ es una solucin aproximada de la ecuacin diferencial.
Vamos a introducir el residuo o error R que se comete al aproximar por ~ en el recinto de
solucin .
R ~
Vamos a imponer que:
Wl
dS
~
W dS
l
con l 1; 2 ; N
Es decir, estamos sumando con algn peso Wl los errores en e igualndolos a cero.
En el mtodo de Galerkin, la funcin de pesos es seleccionada para que represente de la
forma ms exacta la funcin empleada.
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CAMPO ELECTROSTTICO
Por ltimo queda la reunin de todos los elementos y la resolucin del sistema de ecuaciones
para hallar la solucin en todo el recinto.
Paso 3- Reunin de todos los elementos
Habiendo considerado un elemento representativo, el paso siguiente es reunir todos los
elementos en la regin de solucin.
Se obtendr as una matriz de coeficientes global o general, en la que se tendrn en cuenta
las matrices de coeficientes de los elementos particulares.
Esta matriz C tiene las siguientes propiedades:
Es simtrica ( C i, j ) = ( C j, i ), al igual que la matriz de coeficientes de los elementos.
Es una matriz escasa en banda( tiene muchos ceros, y los elementos que no son ceros se
agrupan en torno de la diagonal principal)
Paso 4 - Resolucin de las ecuaciones resultantes
Se aplican los mismos mtodos de resolucin que en el mtodo de las diferencias finitas, por
ejemplo el mtodo de iteracin.
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CAMPO ELECTROSTTICO
A.1.3 Esfuerzo Normal a una Lnea de Campo

Sea un punto P del espacio por el que pasa una lnea de campo elctrico.
Consideremos un tubo de flujo que la contenga e intersectemos el tubo con dos superficies
equipotenciales.
Queda as definido un recinto volumtrico V que envuelve al punto P, tal como se muestra en la
figura A1.3.1
Fig. A1.3.1
A los efectos de obtener propiedades locales rodearemos al punto P con un recinto de
dimensione diferenciales. Por simple razn de comodidad de clculo adoptaremos para el tubo
de flujo seccin transversal circular, que, para separacin diferencial entre equipotenciales,
puede considerarse que conserva la forma.
En razn de las dimensiones, las superficies equipotenciales pueden reemplazarse por
casquetes esfricos equivalentes, o bien, si se prescinde de la ortogonalidad entre lneas de
campo y superficies equipotenciales, por los planos tangentes correspondientes, tal como se ve
en la figura A1.3.2.
2
1
2
P
Fig. A1.3.2
Para el modelo sugerido el tubo de flujo toma la forma de un tronco de cono, cuyas bases
tienen reas S1 y S2 , de radios r1 y r2 respectivamente.
Independientemente del sentido del campo, consideremos:
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CAMPO ELECTROSTTICO
S1 S2
r1 r2
Siendo r2 = r1 + h tg
Sobre cada cara actan esfuerzos por unidad de rea, tangenciales a la lnea de campo de
valor:
=
1
2
2
Con = 0 , j = 1,2
Donde E1 y E2 se vinculan entre si, por tratarse de un tubo de flujo, segn:
E1 S1 = E2 S2
En consecuencia, los esfuerzos totales sobre cada porcin definida en las superficies
equipotenciales son:
= =
1
2
2
= 1,2
Quedando como resultante en la direccin de la tangente a la lnea de campo:

= 1 2 = =
1
12 1
2
1
2
>0
segn el sentido indicado en la figura A1.3.3.
Fig. A1.3.3
Para mantener el equilibrio de la porcin aislada, deben considerarse acciones normales a las
lneas de campo que, de acuerdo a la figura A1.3.3, deben ser de compresin. Sea
fn su valor por unidad de rea. La componente de la fuerza fn sobre toda la superficie lateral
segn la direccin de la lnea de campo, vale:
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CAMPO ELECTROSTTICO
= =
Por lo tanto, el equilibrio del sistema impone:

=
Es decir:
1
2 2 1

1
=
12
2
Dado que es:

2
=
= 2
1 + 2
2
cos
Se tiene:
1
12
2
1
2
2 1

y como es:
2 1 =
1
2
= 2
resulta:
1
1 2
2
En consecuencia, tomando lmite cerrando V sobre P se tiene:

lim
1
2
2
donde E = E (P)
es decir, resulta numricamente igual a ft.
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CAMPO ELECTROSTTICO
BIBLIOGRAFA
Kraus Fleisch Electromagnetismo con Aplicaciones
5ta Edicin - 1999
John D. Kraus Electromagnetismo 1era edicin - 1960

M. Sadiku Elementos de Electromagnetismo 3era Edicin - 2003
E.M. Pugh y E. W. Pugh Fundamentos de Electricidad y Magnetismo 1965
M. Zahn Teora Electromagntica 1991
A. V. Netushil - K.M. Polivanov Principios de Electrotecnia 1965
D. K. Cheng Fundamentos de Electromagnetismo para Ingeniera 1997
J. R Reitz - F.J.Milford Fundamentos de la Teora Electromagntica 4ta edicin 1996
F. Sesma Mtodos Computacionales Apuntes de Ctedra - 2000
Pag 126 de 126

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TEORA de los CAMPOS ELECTROMAGNTICOS

Reedicin: Ing. Susana Bellagamba

TEORA de los CAMPOS ELECTROMAGNTICOS

Medio no- homogneo:

con nmero real

Por contraposicin, si no existe isotropa, el medio es anistropo. Entonces ser:

donde es un aporte propio del material hacia el efecto final.

Por contraposicin, si no existe linealidad, el medio es anmalo o alineal. En ese caso:

o sea que la caracterstica es:

Sistema de Ecuaciones de Maxwell

TEORA de los CAMPOS ELECTROMAGNTICOS

donde corresponde a la densidad volumtrica de cargas libres (reales) y a la densidad de

donde se ha indicado con c a la superficie cerrada que envuelve el volumen V y con a la

Por ello es que se ha utilizado la notacin

para el flujo a travs de una superficie cerrada

para la circuitacin a lo largo de una lnea cerrada ().

necesidad de fijar relaciones entre los parmetros de un mismo campo.

r son caractersticas del medio denominadas:

Para medios anistropos tenemos:

Tambin puede escribirse

donde es la magnetizacin y se mide en

Obviamente las expresiones (1.1.1) y (1.1.2) son casos particulares de (1.1.3).

donde recibe el nombre de conductividad elctrica, y su inversa , el de resistividad elctrica.

1.1.2.3 Comentarios a la Primera Ecuacin

A partir de ah, aplicando el teorema de la divergencia, se puede obtener la primera ecuacin.

de donde, por el teorema de la divergencia, se puede obtener la segunda ecuacin de

unida a la definicin de f.e.m.:

surge la expresin puntual:

donde, aplicando divergencia, se tiene:

con: qenc : carga encerrada en el recinto V

que es la ley de conservacin de las cargas en forma integral.

que es la ley de conservacin de la carga en forma puntual.

en la ley de la corriente total (i) o en su forma

diferencial (ii) se tiene la cuarta ecuacin de Maxwell:

De aqu, tomando sobre un determinado sentido de circulacin y asociando a 1 y 2

Comparando (v) con fig.1.1.2. se tiene:

1.1.2.7 Ecuaciones de Maxwell en Rgimen Estacionario

que complementaremos con los vnculos entre y ; y ; y .

Por convencin de signos definiremos:

Reuniendo (ii) y (iii) se tiene:

que se denomina ecuacin de Poisson.

Comparando (1.1.10) y (1.1.11) se observa que la ecuacin de Laplace es un caso particular

TEORA de los CAMPOS ELECTROMAGNTICOS

En ese caso, si se considera un desplazamiento virtual de q0 sobre el eje x hacia el punto A

En cambio, si se considera un desplazamiento virtual de la carga de prueba segn el eje y,

procediendo de la misma manera se puede concluir que se invierten las direcciones de

TEORA de los CAMPOS ELECTROMAGNTICOS

considerada de superficie de separacin

puede reemplazarse por su plano tangente,

y las lneas de campo por su recta tangente,

particular, V puede pensarse como un prisma de profundidad diferencial ortogonal al plano de

donde T es el valor de la circulacin a lo largo de los laterales .

dada por la expresin (iii). La segunda porque en cada

en sentidos opuestos y la variacin de dentro de cada material es despreciable, a causa de

que tambin se enuncia como:

sobre la superficie de separacin. Es decir: el potencial electrosttico es continuo a uno y otro

donde dA es el rea de la interseccin de V con la superficie de separacin.

las expresiones (1.1.18) se reducen a :

que expresan la continuidad de la componente tangencial del campo elctrico y de la

a uno y otro lado de la superficie de

separacin entre ambos medios.

resulta el siguiente sistema de ecuaciones:

vlido en ausencia de cargas en la superficie de separacin.