Recopilacion Texto Electronica

Texto de Electrnica I (ETN 503)
Pg. 1
ELECTRNICA BSICA I (ETN 503)
Objetivos
El nfasis en el curso es el aprendizaje de conceptos bsicos de los dispositivos de estado
slido de Diodos, Transistores y Circuitos Integrados que permitan desarrollar la teora y el diseo
de amplificadores, tomando en cuenta las respuestas en frecuencia, mejoramientos de parmetros
aplicando realimentacin, tendiente a las aplicaciones cada vez mas frecuentes de los Circuitos
Integrados.
Temas:
I
DIODO EN LOS CIRCUITOS
II
TRANSISTORES EN LOS CIRCUITOS
III
AMPLIFICADORES
IV
AMPLIFICADORES REALIMENTADOS
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
VI
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
VII
APLICACIONES CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
VIII
FILTROS ACTIVOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Ingeniera Electrnica U.M.S.A.
Ing. David Molina Muoz
Pg. 2
PROGRAMA
ELECTRNICA BSICA I (ETN 503)
1.- DIODO EN LOS CIRCUITOS

Introduccin a los semiconductores
Diodos de unin, la ecuacin del diodo, polarizacin directa e inversa
Caractersticas V-I de los diodos
Linealizacin de las caractersticas por tramos, rectas de carga esttica y dinmica
Circuitos con diodos, fijadores, recortadores, funciones de transferencia, etc.
Circuitos convertidores de alterna en continua, rectificadores de media onda, onda completa,
multiplicadores de tensin
Diodo Zener, reguladores de tensin
2.- TRANSISTORES EN LOS CIRCUITOS
Transistores bipolares, unipolares
Caractersticas V-I de los transistores, ecuaciones de los transistores, zonas de trabajo,

condiciones de polarizacin en diferentes zonas de trabajo, topologas de utilizacin. Base
Comn, Emisor Comn, Colector Comn, Compuerta Comn, Fuente Comn, Drenador Comn.
Variacin de los parmetros y hojas tcnicas del fabricante de los transistores bipolar y unipolar
Circuitos con transistores bipolares y unipolares, con tensiones y corrientes de continua y alterna,
rectas de carga de continua y alterna, circuitos de continua y alterna, principio de superposicin
Polarizacin del transistor bipolar, estabilizacin del punto de trabajo, polarizacin fija,
polarizacin colector a base, Auto polarizacin, tcnicas de compensacin
Polarizacin del transistor unipolar (FET, MOSFET)
Diseo de circuitos de polarizacin
Pg. 3
3.- AMPLIFICADORES
Circuitos equivalentes de los transistores, determinacin de parmetros (hbridos, giacoleto, etc.),
variacin de parmetros, ecuaciones de transformacin de parmetros en las topologas: Base
Comn, Emisor Comn, Colector Comn, Compuerta Comn, Fuente Comn, Drenador Comn
Diseo de amplificadores de una etapa
Acoplamiento de amplificadores, de alterna, de continua
Amplificadores con acoplamiento de alterna en las topologas: Base Comn, Emisor Comn,
Colector Comn, Compuerta Comn, Fuente Comn, Drenador Comn
Amplificadores con acoplamiento de continua, cascodo, darlington, diferencial
Diseo de amplificadores multietapa
4.- AMPLIFICADORES REALIMENTADOS

Fundamentos de la Realimentacin
Condiciones ideales de los amplificadores
topologas de los circuitos realimentados, ecuaciones de la realimentacin en diferentes
topologas
Amplificadores realimentados, ecuaciones caractersticas, Ganancia de tensin; ganancia de
corriente; impedancia de salida; impendancia de entrada, frecuencia de corte inferior, frecuencia
de corte superior
Diseo de amplificadores realimentados
5.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Amplificadores de potencia caractersticas generales, clasificacin de los amplificadores
Amplificadores de potencia clase A, tipos de acoplamiento, ecuaciones caractersticas, potencia
de entrada, potencia de salida, potencia disipada, rendimiento, factor de mrito, seleccin del
transistor
Amplificadores de potencia clase B, tipos de acoplamiento, amplificadores de tensin (AV),
Amplificadores de corriente (AI), Amplificadores de transconductancia (AG)
Pg. 4
6.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES

El amplificador operacional (AO), especificaciones ideales del AO, circuito bsico del AO,
etapas de un AO, hojas tcnicas del fabricante de los AO
Amplificador separador, amplificador inversor, amplificador no inversor.
Comparadores de tensin, limitadores, amplificadores con histresis.
Amplificador sumador, restador, sumador generalizado, detector de cruce por cero con histresis,
detectores de nivel de voltaje con histresis, detector de nivel de voltaje con ajuste independiente
de histresis y voltaje central.
Amplificadores integrador, derivador, integrador y derivador compensado.
Amplificadores logartmicos, antilogartmicos, logaritmo y antilogaritmo compensado.
Amplificador de producto, cociente, exponencial.
Diseo de amplificadores con AO.
7.- APLICACIONES CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Amplificador bsico de puente, diferentes aplicaciones.
Amplificador de instrumentacin.
Amplificadores de deteccin y medicin con AO.
Generadores de onda senoidal.
Generadores de onda cuadrada. Multivibrador de oscilacin libre.
Generador de onda triangular, diente de sierra.
Convertidores de tensin a corriente con carga flotante

Conversin de corriente a tensin
Convertidores de temperatura a voltaje
Desfasador, convertidor fase-amplitud
Convertidor de impedancias negativas
Inversor de impedancia positiva o girador
Convertidores de impedancias positivas
Pg. 5
8.- FILTROS ACTIVOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Definiciones bsicas de filtros, ventajas de los filtros activos, limitaciones
Filtros activos pasa bajo, pasa alto, pasa banda, rechaza banda.
Filtros activos de primer orden, pasa bajo, pasa alto, pasa banda, rechaza banda.
Filtros activos de segundo orden, pasa bajo, pasa alto, pasa banda, rechaza banda.
Filtros activos de orden superior, Filtros en cascada
BIBLIOGRAFA
1. Electrnica integrada
Millman y Halkias
2. Circuitos electrnicos discretos e integrados
Schilling Belove
3. Ingeniera electrnica
Giaccoleto
4. Coleccin SEEC
Addler, Gray, Searly, Thornton
5. Principios de electrnica
Gray, Searly
6. Electrnica teora de circuitos
Robert Boylestad,Louis Nashelsky
7. Anlisis y diseo de circuitos electrnicos
Donald A Neamen
8. Diseo electrnico circuitos y sistemas
Savant, Roden, Carpenter
9. Circuitos con amplificadores operacionales
Berlin
10.El amplificador operacional y sus aplicaciones Marchais

11.Operational amplifiers design and applications Huelsman
12.Amplificadores operacionales
Nacional
Pg. 6
CAPTULO I
DIODOS EN LOS CIRCUITOS
1. INTRODUCCIN
1.1 Elementos Slidos
Un elemento slido , como su nombre lo indica, es simplemente un cuerpo rgido.
Elctricamente los elementos slidos se clasifican por su resistividad, cuya expresin
matemtica es:
r=R
A
l
Tambin, por su diagrama de bandas , se clasifican en conductores, semiconductores y

aisladores.
Un material c onductor es aquel que permite el paso de la corriente elctrica. Un ejemplo de
este tipo de material es el cobre (Cu) con una resistividad de 10-6 [W cm].
Un material no conductor o aislante , es aquel que no permite el paso de la corriente
elctrica. Un ejemplo de este material es la mica, con una resistividad de 1012 [W cm].
El material semiconductor ser tratado especialmente en el acpite que sigue.
1.2 Material Semiconductor

Un material semiconductor , es un material que conduce la corriente elctrica nicamente
bajo ciertas condiciones. Ejemplos de materiales semiconductores son el Silicio (Si) con una
resistividad de 50*103 [W cm] y el germanio (Ge) con una resistividad de 50 [W cm]. Estos
materiales, por su estado de pureza se denominan Elementos Sem iconductores Intrnsecos .
Pg. 7
1.2.1 Estructura Bsica

Los semiconductores, esquemticamente, poseen dos bandas denominadas de valencia y de
conduccin ; entre ambas bandas existe una regin llamada Banda Prohibida , existe tambin un
nivel llamado nivel de Fermi , que debe ser vencido para que el material se haga conductor.
Si se aaden elementos donadores, a travs de un dopaje, el material pasa a ser de tipo N,

normalmente se aaden Arsnico, Fsforo, Antimonio; en una cantidad de 1 en 106 , con esto, el
nivel de Fermi se recorre hacia la banda de conduccin, 0.01 eV para el germanio y 0.05 eV para el
silicio.
Si se aaden elementos aceptores, o se quitan portadores, nace el material tipo P, para que
esto ocurra, normalmente se aaden Boro, Galio, Indio; logrndose as el desplazamiento del nivel
de Fermi hacia la banda de valencia.
Estos dos tipos de materiales, tipo P y tipo N, se denominan materiales semiconductores

extrnsecos , debido a que ya no son puros, sino ya presentan dopajes.
Pg. 8
2. DIODOS
2.1 Juntura PN NP
Es la unin de dos semiconductores Tipo P y Tipo N, ya sea dicha juntura de silicio o
germanio.
En el semiconductor tipo P se tiene dos tipos de portadores: los huecos llamados portadores
mayoritarios y los electrones , llamados portadores m inoritarios .
En el semiconductor tipo N se tienen tambin portadores mayoritarios y minoritarios, slo
que en este material, los portadores mayoritarios son los electrones y los portadores minoritarios
son los huecos , es decir, de manera inversa al semiconductor de tipo P.
Cuando se realiza la unin de ambos materiales se produce la juntura PN y los niveles de

Fermi deben igualarse en ambos sistemas, dando origen a una corriente de recombinacin y otra de
generacin que en el equilibrio deben ser cero, as mismo se crea una barrera de energa potencial en
la unin.
I r = I rp + I rn
I g = I gp + I gn (depende de la temperatura) I g = I s
I rp = I gn
I + I rn = I gp + I gn
I rn = I gn rp
I r = I g \ I r - I g = 0
Pg. 9
2.2 Smbolo Elctrico del Diodo

En el diodo, el material semiconductor tipo P se denomina nodo y el material
semiconductor tipo N se denomina ctodo; el smbolo elctrico del diodo es el siguiente:
Como puede verse, el nodo es el borne positivo del componente y el ctodo es el borne
negativo del componente.
2.3 Ecuacin del Diodo

Se puede demostrar que si Iro representa el nmero de portadores que inician el camino a
travs de la unin, el nmero real de portadores que sobrepasan la barrera (Ir ) est dado por:
-
I r = I ro e
VB
kT
q
Donde: VB : Altura de la barrera en V en condiciones de equilibrio (Voltaje de arranque)

q: Carga del electrn=1.602*10-19
k: Constante de Boltzman=1.38*10-16
T: Temperatura absoluta en o K
Si no se aplica tensin externa a la unin , se tiene:

Ir = Ig
-
\ I g = I ro e
VB
kT
q
Si se aplica cierta tensin externa, se presentan dos casos de polarizacin: la polarizacin

directa y la polarizacin inversa.
Pg. 10
Polarizacin Directa
Un diodo se polariza directamente cuando el borne positivo (nodo) se conecta al terminal
positivo de una fuente y el borne negativo (Ctodo) al terminal negativo de la misma fuente. En
estas condiciones el diodo se comporta idealmente como un cortocircuito .
Del circuito se tiene:

-
( VB - V )
kT
q
I r = I ro e
-
VB
kT
q
I r = I ro e e
123
V
kT
q
Ig
Ir = Ige
V
kT
q
La corriente neta en la unin es

I = Ir - Ig
I = Ige
V
kT
q
- Ig
V
kT
I = I s e q - 1 con I s = I g (1)
Si e
V
kT
q
>> 1 se tiene:
I = Ise
V
kT
q
(2)
Pg. 11
Polarizacin inversa
Un diodo se polariza inversamente cuando el borne positivo (nodo) se conecta al terminal
negativo de una fuente y el borne negativo (Ctodo) al terminal positivo de la misma fuente. En
estas condiciones el diodo se comporta idealmente como un circuito abierto .
Del circuito se tiene:

-
( VB + V )
kT
q
I r = I ro e
-
VB
kT
q
I r = I ro e e
123
V
kT
q
Ig
-
Ir = Ige
V
kT
q
La corriente neta en la unin es

I = Ir - Ig
-
I = Ige
V
kT
q
- Ig
V
- kT
I = I s e q - 1 con I s = I g (3)
Si e
V
kT
q
<< 1 se tiene:
I = -I s (4)
Pg. 12
2.4 Caractersticas de Tensin y Corriente

De las ecuaciones (1) y (2) para el caso de polarizacin directa y de las ecuaciones (3) y (4)
para el caso de la polarizacin inversa, se determina la siguiente curva caracterstica:
Existen algunas diferencias entre los diodos de silicio y germanio, tales como su voltaje de
arranque Vg y sus corrientes inversas de saturacin, tal como se muestra en la siguiente grfica:
Donde:VgSi=0.6 [V] (Voltaje de arranque de un diodo de silicio)

VgGe=0.2 [V] (Voltaje de arranque de un diodo de germanio)
Pg. 13
Adems IS no es independiente de la temperatura: I ST2 = I ST1 e k (T2 -T1 )

Tampoco es independiente la tensin sobre el diodo: VDT2 =VDT1-k(T2 -T1 ).
En un diodo de Germanio, Ico se eleva en un 8% por cada grado centgrado, y en un diodo de
silicio, este mismo parmetro se eleva en un 6% por cada grado centgrado, por la tanto se puede
concluir que en cualquier diodo, Ico se eleva en un 7% por cada grado centgrado.
De las caractersticas de tensin y corriente del diodo, se pueden ver dos zonas perfectamente
definidas que dan lugar a distintas aplicaciones del diodo. Existe una relacin interesante entre la
resistencia (incremental ac) de un diodo polarizado directamente y su corriente esttica:
V
kT
I = I S e q - 1
La conductancia dinmica para un punto especfico de funcionamiento se define:

V
kT
q
gf =
De la ecuacin (2): I = I S e
1
I
I I S e
=
@
=
kT
rf V V
q
V
kT
q
kT
kT
q
\ rf =
rf =
I
qI
A temperatura ambiente (T=300o K) se sabe que kT/q=26mV, entonces:
rf =
26mV
I
En condiciones de polarizacin directa, esta resistencia es muy pequea, en cambio, para

polarizacin inversa, esta resistencia es muy grande dado que la corriente es del orden de los micro
amperios para diodos de germanio y del orden de los nano amperios para diodos de silicio, se puede
considerar que esta resistencia es infinita .
Pg. 14
2.5 Variacin de las Caractersticas con la Temperatura

Las caractersticas V/I varan con la temperatura, esto es posible de visualizar mediante la
ecuacin de corrientes del diodo. Se llega a demostrar que en polarizacin directa la tensin de
arranque disminuye en 2.5mV/o C por cada grado centgrado de aumento de temperatura; en la
polarizacin inversa se demuestra que IS aumenta , es decir, se duplica por cada 10o C de aumento de
temperatura.
La tensin de ruptura en la polarizacin inversa, se mantiene constante para grandes
variaciones de corriente por dos mecanismos:
Por incremento de campo elctrico (Efecto Zener).
Por ruptura por avalancha (Emisin secundaria).
2.6 Circuito Equivalente del Diodo en Rgimen de Corriente Continua

El diodo presenta los siguientes dos modelos tanto para polarizacin directa como inversa:
En polarizacin directa , el diodo presenta el siguiente circuito equivalente:
Donde: Rf es la resistencia dinmica del diodo.

En polarizacin inversa , el diodo presente el siguiente circuito equivalente:
Donde IS es la corriente inversa de saturacin, siendo esta la nica corriente que circula por
el diodo, porque este idealmente es un circuito abierto.
Pg. 15
2.6 Linealizacin de las Caractersticas por Tramos

Muchos circuitos equivalentes tiles para diodos se obtienen aproximando las caractersticas
V-I por segmentos. Esta aproximacin se conoce como mtodo de anlisis lineal por tramos .
La curva es representada por cuatro segmentos rectilneos; las regiones I y II corresponden a

las caractersticas en polarizacin directa y las regiones III y IV corresponden a las caractersticas
en polarizacin inversa .
El anlisis se lo realiza por regiones o tramos:
Regin I: Para 1<V<3 y rf1 =DV/DI=25W
Regin II: Es la recta horizontal (de o a 1 V), no transmite corriente hasta que la tensin excede 1V.
Pg. 16
Combinando los circuitos para ambas regiones se tiene:
Regin III: Para 10<V<0 se tiene rf2=DV/DI=1KW
Regin IV: rf3=DV/DI=2/70kW
Uniendo todos los tramos resulta:
Pg. 17
Ejemplo.- Hallar, utilizando circuitos lineales por tramos, la solucin simultanea de los ecuaciones:
y=x2 0<x<2
y=x
0<x<2
Solucin:
y i[mA ]
x V[V]
dy
m1 =
=0
dx
dy
m2 =
= 2x x =1 = 2
dx
dy
m3 =
= 2x x = 2 = 4
dx
Circuito:
r1 =
1
= 500
m2
r2 =
1
= 500 500 = 250
m4
Solucin simultnea:
y=x
(recta)
Variando
V = V1
1
= 1k
m
i = i1 \
y=
V = V1 ( x )
V = V1 = 1[V ] i = i1 = 1[mA ]
y=x
y=x2
Pg. 18
2.7 Circuito Equivalente del Diodo en Rgimen de Corriente Alterna

Cuando se hace funcionar al diodo bajo el rgimen de corriente alterna, aparecen otras
caractersticas tales como el voltaje de juntura (Vj), la capacidad de difusin (CD), la capacidad de
transicin (CT ), el voltaje de contacto V y el factor g dado por el fabricante; adems de las
caractersticas estudiadas en el rgimen de corriente continua.
Existen tres modelos de diodo en rgimen de corriente alterna: un modelo para frecuencias
medias, un modelo para frecuencias altas y un modelo general.
Circuito equivalente para frecuencias medias

El modelo de diodo para frecuencias medias es el siguiente:
Circuito equivalente para frecuencias altas

El modelo de diodo para frecuencias altas es el siguiente:
Pg. 19
Circuito equivalente general

El modelo general de diodo es el siguiente:
Las ecuaciones que gobiernan estos modelos del diodo son:
I = IS e
Vj
-1
q
T = 25 o C
kT
Vj : Voltaje de juntura
=
Vj = V - rs I
Para V < 0 I = IS e (V - rs I ) - 1 + g L V
j=

(V3 - V2 )ln I 2 - (V2 - V1 )ln I3
I1
I2
rS =

(I3 - I 2 )ln I 2 - (I 2 - I1 )ln I3
I1
I2
I
ln 2
I1
j=
(V2 - V1 ) - rS (I 2 - I1 )
I S = I1e
CT =
para
- j ( V1 - rS I1 )
= I 2e
1< < 2
- j ( V2 - rS I 2 )
= I 3e
- j ( V3 - rS I 3 )
C To
1 - V
V
Si 4 = Difusin doble
Ge 1 = Arsnico de galio
V = Voltaje de contacto
Pg. 20
Los parmetros de los circuitos de modelos del diodo, vienen dados por:
1 + ( )2
e
g j = j (I + I S )
2
1 + ( )2
e
C D = j (I + I S )
2
2
Vn2 = 4KTrS f
+ 1
1
2
- 1
I n2 = 4KTg j f
I fn2 =
2qI 2 f
Qf f
Donde: CT = Capacidad de transicin, aparece en el momento en que se cambia la polaridad.

CD = Capacidad de Difusin, aparece cuando no se ha alcanzado el voltaje de arranque.
CP = Capacitancia parsita, ocasionada por la juntura.
LS = Efectos inductivos en el diodo.
Vn = Voltaje de arranque = Vj
RS = Resistencia dinmica.
g = Factor dado por el fabricante.

Lj = Resistencia de juntura.
Pg. 21
Datos tcnicos de los diodos 1N4007 y AAZ15.-
DIODO
MATERIAL
IS [A]
rs [W ]
1N4007
Si 4
1.19*10-11
1.35
5.54*10-2
AAZ15
Ge 1
4.36*10-6
1.86
1.1
DIODO
g L [1/W ]
CTo [pF]
V [V]
1N4007
3*10-10
23
0.45
AAZ15
8*10-8
4.2
0.01
0.5
DIODO
Cp [pF]
tff [ns]
trr [ns]
Vb en IRB
[V,m A]
IF (max)
PD(max)
Rq jc
[K/watt]
1N4007
0.24
3.9
1000,10
75
AAZ15
0.3
350
75,12
0.14
0.13
450
Comentarios: Subminiatura; propsitos generales; gold, Bonded
Pg. 22
Capacitncia de transicin o de difusin
Xc =
1
2f
Cuando el diodo est polarizado inversamente, aparece la capacitancia de transicin CT o de

vaciamiento.
Cuando el diodo est polarizado directamente, aparece la capacitancia de difusin o de

almacenamiento.
Tiempo de recuperacin en sentido inverso trr
Pg. 23
3. APLICACIONES DE LOS DIODOS EN LOS CIRCUITOS

3.1 Circuitos Cortadores
Se utiliza el diodo en dos alternativas, fijando niveles mximos y/o fijando niveles mnimos,
de la seal de salida, tomando como referencia una tensin previamente fijada.
3.1.1 Circuito Fijador a Nivel Mximo

Ejemplo.-
La salida del circuito se denomina Vo

Si Vi > V D esta polarizado directamente. (D es cortocicuito). Vo =V.
Si Vi < V D esta polarizado inversamente. (D es circuito abierto). Vo =Vi.
Curva de transferencia:
Seales de entrada y salida:
Pg. 24
Un circuito alternativo para lograr la misma respuesta es:
Si Vi > V D esta polarizado inversamente. (D es circuito abierto). Vo =Vi.

Si Vi < V D esta polarizado directamente. (D es corto circuito). Vo =V.
3.1.2 Circuito Fijador a Nivel Mnimo

Ejemplo.-
La salida del circuito se denomina Vo

Si Vi > V D esta polarizado inversamente. (D ca). Vo =Vi.
Si Vi < V D esta polarizado directamente. (D cc). Vo =V.
Pg. 25
Un circuito alternativo para obtener la misma respuesta es:
Si Vi > V D esta polarizado directamente. (D cc). Vo =Vi.

Si Vi < V D esta polarizado inversamente. (D ca). Vo =V.
3.1.3 Circuitos Conformadores de Onda

Utilizando diodos se puede implementar un circuito que en un curva caracterstica (V-I)
simule una funcin matemtica.
Por ejemplo, veamos un circuito que simule la ecuacin:
x = y2
Este se realiza por tramos, por ejemplo supongamos cuatro tramos; el circuito de anlisis es
el siguiente:
A
G=
1
R
Pg. 26
Se debe obtener la relacin entre Vi e ii.

Cuando Vi < V D1, D2 y D3 estan polarizados inversamente. (Circuito abierto).
\ii = GVi , esto es vlido desde Vi = 0 a Vi = V, con ii = GV (I).
Cuando V < Vi < 2V D1 se polariza directamente (corto circuito), D2 y D3 estn
polarizados inversamente. (Circuito abierto).
En el nudo A:
i i = I1 + I 2
I1 = GVi
I 2 = 2G (Vi - V )
(1)
i = GVi + 2G (Vi - V )
(2) i
i i = 3GVi - 2GV (4 )
(3)
En base a la ecuacin (4) se realiza el siguiente anlisis:

a) Si Vi = V
ii = 3GVi 2GVi
ii = GVi ii = GV (II)
b) Si Vi = 2V
ii = 3GVi 2GVi/2
ii = 2GVi ii = 4GV (III)
Cuando 2V < Vi < 3V D1 y D2 se polarizan directamente (Cortocircuito) y D3 se

polariza inversamente (Circuito abierto).
En el nudo B:
(1)
(2) i i = GVi + 2G (Vi - V ) + 2G (Vi - 2V )
I1 = GVi
(5)
I 2 = 2G (Vi - V ) (3) i i = 5GVi - 6GV
I 3 = 2G (Vi - 2V ) (4 )
i i = I1 + I 2 + I 3
Pg. 27
En base a la ecuacin (5) se hace el siguiente anlisis:

a) Si Vi = 2V
ii = 5GVi 6GVi/2
ii = 2GVi ii = 4GV (IV)
b) Si Vi = 3V
ii = 5GVi 6GVi/3
ii = 3GVi ii = 9GV (V)
Cuando 3V < Vi D1, D2 y D3 se polarizan directamente (Cortocircuito).

En el nudo C:
i i = I1 + I 2 + I 3 + I 4
I1 = GVi
I 2 = 2G (Vi - V )
I 3 = 2G (Vi - 2V )
I 3 = 2G (Vi - 3V )
(1)
(2)
i
(3) i
(4)
(5)
= GVi + 2G (Vi - V ) + 2G (Vi - 2V ) + 2G (Vi - 3V )

(6)
i i = 7GVi - 12GV
En base a la ecuacin (6) se hace el siguiente anlisis:

a) Si Vi = 3V
ii = 7GVi 12GVi/3
ii = 3GVi ii = 9GV (VI)
b) Si Vi = 4V
ii = 7GVi 12GVi/4
ii = 4GVi ii = 16GV (VII)
Tomando en cuenta las ecuaciones coincidentes en un punto para Vi :
I II ii = GV para Vi = V
III IV ii = 4GV para Vi = 2V
V VI ii = 9GV para Vi = 3V
VII ii = 16GV para Vi = 4V
Pg. 28
La ecuacin genrica es:

V
i i = GV i
V
Graficando resulta:
3.1.4 Fijador de Voltaje
F = (R d + R s )C
R d = Resistenci a del diodo
R s = Resistenci a de la fuente
\ F
Pg. 29
Vs>0 D conduce, C Carga a Vp Vo @0

Vs<0 D no conduce, Vo=-2Vp =Vi-Vp =-Vp -Vp =-2Vp
3.1.5 Fijador de Tensin Negativa
Vs>VB D Conduce, C carga a Vp -VB; con VB=VB+Vg

Vs<VB D no Conduce, C se descarga por tL = RRC ; para evitar media distorsin: tL>>T/2
dV = Voltaje de descarga VB =
Rd
V
Rd + Rs
Pg. 30
El voltaje carga es t=Rdc el cual es rpida.
3.1.6 Conversin de Onda Triangular a Senoidal

El siguiente circuito, convierte una onda triangular en una onda senoidal en siete segmentos
con un error de 2% por distorsin de armnicos.
q1
300
q2
q3 q4
550 750 900
Pg. 31
La onda senoidal a inscribirse en la triangular debe cumplir:
Vsm =
1 VTmax
90 o sen 1
Donde: VTm : Voltaje pico de la onda triangular = 15

Vsm : Voltaje pico de la onda senoidal = 10
La pendiente de cada segmento : S =
Vsm sen i
Ro
=
VT ( i )
R + Ro
Ro = Resistencia paralelo de cada segmento: R o =
Vsm sen i
S
=
1 - S VT ( i ) - Vsm sen i
Para este ejemplo, Vo = 5V, q1 = 30o , R2 = 8.1 R, D2 conduce.

Para el segundo tramo: D3 conduce, Vo = 8.19V, q2 = 55o , R3 = 5.85 R; R3 R2 =3.4R.
D4 conduce con Vo = 9.66V, q3 = 75o , R4 = 5.57 R, el cuarto y segmento final.
3.1.7 Discriminador de Ondas
Donde: Vc = Tensiones de comando.

Vs = Seal a discriminar.
1)
Si en A=+Vc
B=-Vc
D1, D2, D3, D4 estn polarizados directamente, el potencial de P1 es igual al potencial de

P2, esto sucede durante el tiempo Tc, por lo que Vo =Vs.
2)
Si en A=-Vc
B=+Vc
Pg. 32
D1, D2, D3, D4 estn polarizados inversamente, los diodos son circuitos abiertos, esto
sucede durante el tiempo Tn , por lo que Vo =0.
3.2 Rectificadores
Los diodos se pueden utilizar para la conversin de seales AC con valor medio nulo, en
seales DC.
Existen Dos clases de rectificadores: el rectificador de media onda y el rectificador de onda
completa, llamados as debido a la forma de onda que se presenta en su salida.
3.2.1 Caractersticas de los Rectificadores

Todo rectificador, posee las siguientes caractersticas:
a) Corriente y tensin DC.

b) Potencia disipada por la carga Pcc (Salida).
c) Potencia suministrada Pac (Entrada. Del transformador).
d) Rendimiento n.
e) Factor de ripple o rizado.
f) Tensin de pico inverso.
g) Regulacin.
Pg. 33
3.2.2 Rectificador de Media Onda
Seal de entrada: Vi = Vm sene

El valor medio de esta seal peridica es CERO.
Del circuito:
Vi = Vd + Vo
con Vd = irf
Vo = iR L
Vi = irf + iR L i =
Vi
rf + R L
Reemplazando Vi :
i=
Vm
sen t
rf + R L
de la figura de ondas resulta:

1) i =
Vm
Vm
sen t = I m
sen t en 0 wt p
rf + R L
rf + R L
2) i = 0 en p wt 2p
Pg. 34
Esto se repite en forma peridica, la tensin de Vo tiene la misma forma de onda que la
corriente i.
Por la forma de onda, la ecuacin del inciso 1) tiene valor medio distinto de cero.
Haciendo el desarrollo de la onda segn la Serie de Fourier, se tiene:
Vo =
Vm Vm
2V
2V
+
sen t - m cos2 t - m cos4 t -
2
3
15
El primer trmino es la componente de valor medio o componente de continua.

Ahora determinaremos las caractersticas o especificaciones del rectificador de onda media:
1 Corriente y Tensin DC
2
I cc =
1
1
1
i(t )d t =
I m sen t d t +
I m sen t d t
2 0
2 0
2
144
42444
3
0
Donde: I m =
Vm
rf + R L
I cc
1
=
I m sen tdt
2 0
I cc = -
Im
I
cos t = - m cos
{ - cos0
{
2
2 -1
1
0
I cc =
Im
I cc =
Vm
(rf + R L )
Vcc = I cc R L
Vcc =
Vcc =
Im
RL
Vm
RL
(rf + R L )
Pg. 35
2 Potencia de corriente continua suministrada a la carga

2
Pcc = Vcc I cc = I cc
RL
Pcc =
Vm2
2 (rf + R L )
RL
3 Potencia total de entrada al circuito
Pca = I ef2 (rf + R L )

2
I ef =
Pero sen 2 t =
1 2
i (t )d t =
2 0
1
I 2m sen 2 tdt
2 0
1 1
- cos2 t y los lmites de integracin se reducen al intervalo de 0 a p,
2 2
entonces:
I ef =
1 2 1 1
2
I m - cos2 tdt d t
2 0 2 2
2
I ef =
I 2m 1
1
d t - cos2 td (2 t )
2 0 2
4
0
I ef =
I 2m t
2 2
1
- sen2 t =
4
0
Pca =
I ef =
I 2m 1
1
- sen0
- sen2
{
1
2
3
2 2 4 0
4 0
Im
2
I 2m
I 2m
(rf + R L ) Pca =
(rf + R L )
2
4
4(rf + R L )
Pca =
Vm2
4(rf + R L )
Pg. 36
4 Rendimiento o eficiencia de Rectificacin
P
Potencia de salida
100% = cc 100%
Potencia de entrada
Pac
Vm2
Como Pcc =
y
Pac =
2 (rf + R L )
RL
Vm2
4(rf + R L )
Vm2
RL
2
2 (rf + R L )
RL
4
=
100% = 2
100%
2
Vm
(rf + R L )
4(rf + R L )
\
40.6
% Si RL>>rf rf / RL0; \ = 40.6%
rf
1+
RL
5 Factor de Ripple (Rizado o zumbido)
FR =
Valor eficaz de las componentes de alterna en la carga

Valor medio en la carga
En ambos casos se refiere a la seal de salida.
FR =
I ef
V
% = ef %
I cc
Vcc
En la resistencia de carga RL, circula una corriente continua, superpuesta con una
componente de alterna i por lo que:
i=Icc + i
Nos interesa el valor eficaz de i:
i = i-Icc
Donde: i = Corriente de alterna entregada en el secundario del transformador.
Icc = Componente continua o valor medio de la seal.
i = Componente de alterna de la seal en la carga.
Pg. 37
De la definicin de valor eficaz:
I ef =
I ef =
I ef =
1
2
1
2
1
2
(i) d(t )
0
(i - I ) d(t )
cc
(i
2
- 2iI cc + I cc
d(t )
De la ecuacin se ve que:
2
I ef =
1 2
i d(t )
2 0
2
I cc =
1
id (t )
2 0
2
2
\ I ef = I ef2 - 2I cc
+ I cc
2
I ef = I ef2 - I cc
\ FR =
2
I ef2 - I cc
I cc
I ef =
FR =
I ef2
-1
2
I cc
Im
2
I 2m
4 -1 =
I 2m
4
(1.57 )2 - 1
FR = 1.21
Este resultado nos indica que la componente de ALTERNA es MAYOR que la de

CONTINUA.
Pg. 38
6 Tensin de pico inverso (VIP)

Es la tensin que se presenta en el diodo cuando est polarizado inversamente.
VIP = Vm
7 Regulacin
Reg (% ) =
Tensin sin carga - Tensin a plena carga

100%
Tensin a plena carga
Se refiere a valores en la salida.

Tensin sin carga =
Vm
Tensin a plena carga =
Vm R L
rf + R L
Vm Vm R L
rf + R L
Reg (% ) =
Vm R L
rf + R L
Reg(% ) =
rf
100%
RL
La regulacin ptima se da cuando Reg0
3.2.3 Rectificador de Onda Completa con Dos Diodos
Pg. 39
El transformador con derivacin central, nos proporciona dos seales de tensin desfasadas
en 180o , como se aprecia en el diagrama de seales, razn por la cual, este rectificador tambin
recibe el nombre de rectificador Bifsico.
Vi = Vm sen t
Vi = irf + iR L
i=
donde: I m =
Vi
Vm
=
sen t
rf + R L rf + R L
Vm
r f + RL
Del diagrama de ondas resulta:

1) i = I m sen t para 0 t
2) i = I m sen t para
t 2
La corriente en la carga tendr la misma forma de onda que la tensin en la carga, por lo que
la corriente en la carga tendr la forma de las ecuaciones 1) y 2).
Haciendo un desarrollo en serie de Fourier de la forma de onda resulta:
V=
2Vm 4Vm
4V
4V
cos2 t - m cos4 t - m cos6 t -
3
15
35
El primer trmino es la componente de continua y es el doble que en el caso del rectificador

de media onda.
Pg. 40
1 Corriente y Tensin DC
2
1
1
1
I cc =
i(t )d( t ) =
I m sen t d( t ) + I m sen t d ( t )
2 0
2 0
I cc =
2I m
o I cc =
2Vm
RL
(rf + R L )
Vcc = I cc R L
Vcc =
Vcc =
2I m
RL
2Vm
RL
(rf + R L )
2 Potencia de corriente continua suministrada a la carga

Pcc = Vcc I cc = I cc2 R L
Pcc =
Vm2
4
RL
2 (rf + R L )2
Por lo que se ve que es cuatro veces superior que el rectificador de media onda.
3 Potencia total de entrada al circuito

Pac = I ef2 (rf + R L )
como I ef =
2
I
1 2
i (t )d(t ) = m
2 0
2
Pac =
Pac =
I 2m
(rf + R L )
2
Vm2
2(rf + R L )
Pg. 41
4 Rendimiento o eficiencia de rectificacin
Vm2
4
RL
2 (rf + R L )2
Pcc
=
100% =
Pac
Vm2
2(rf + R L )
=
81.2
%
rf
1+
RL
5 Factor de Ripple (rizado o zumbido)
FR =
I 2m
2 -1
4I 2m
2
FR = 0.48
6 Tensin de pico inverso (VIP)

Del circuito se ve que: VIP = 2Vm
3.2.4 Rectificador de Onda Completa Tipo Puente

Este rectificador, es tambin monofsico y todas las ecuaciones para el clculo de sus
caractersticas o especificaciones del rectificador bifsico o de dos diodos son vlidas para este, con
excepcin del voltaje de pico inverso PIV que resulta ser la mitad del anterior.
PIV = Vm
Pg. 42
3.3 Circuito Doblador de Corriente

Existen aplicaciones de circuitos con diodos que permiten obtener tensiones mayores que las
de entrada.
Vi = Vm sen t
1. Durante el semiciclo positivo:
D1 se polariza directamente.
D2 se polariza inversamente.
\C1 se carga a Vm VC1 = Vm
2.- Durante el semiciclo negativo:
D2 se polariza directamente.
D1 de polariza inversamente.
\C2 se carga a Vm VC2 = Vm
Pg. 43
3.- La tensin sobre la carga RL, Vdc es prcticamente la suma de los voltajes sobre los
condensadores:
Vdc = VC1 + VC2

Vdc = Vm + Vm
Vdc = 2Vm
4. FILTROS PARA RECTIFICADORES

4.1 Filtro RC
4.1.1 Filtro RC para Rectificador de Media Onda
1
1
j C
Von =
VLn =
VLn
1
1 + j RC
+R
j C
1
Von =
VLn
2
1 + (n o RC )
Si RC =
100
o
Von @
R >> R L
VLn
100n
Pg. 44
1 1
2
2
Si la salida VLn = VLm + cos t + cos2 t cos4 t
2
3
15
Por superposicin:
1
2
1
1
Von = VLm +
cos o t +
cos2 o t cos4 o
300
3000
200
Tensin de ondulacin:
1
1
1
Vr = VLm
cos o t +
cos2 o t cos4 o t +
300
3000
200
Vref
1 2
(
)
(
)
=
V
t
d
t
r
o
o
2
0
VLm
2
1
2
(200)
1
2
(300 )
VLm
280
Vref
=
@ 0.011 = FR
VLdc 280
4.1.2 Filtro para Rectificador de Onda Completa

4
2 4
VL = VLm + cos2 o t cos4 o t +

15
3
4VLm 1
1
Si o RC = 10 Vr =
sene sen4e +
3 200
2000
V
Vref = Lm
210
V
FR = ref = 0.0024
VLdc
Regulacin =
Tensin en vacio - Tensin a plena carga

Tensin a plena carga
Pg. 45
4.2 Filtro LR para Rectificador de Onda Completa
Determinacin de los parmetros para onda completa.-
2 4
cos2n t
v = V -
n =1 (2n + 1)(2n - 1)
i=
2V 4V
cos(2 t )
R 3 R 2 + 4 2 L2
tg =
Considerando la segunda armnica

2
2 L
i = corriente instantanea en la carga
R
FR = r =
2
1
3 4 2 L2
1 +
R2
Pg. 46
4.3 Filtro Capacitivo
V =
I t
C
Vdc
R
= 2 f
I=
Dt = Tiempo de descarga
DV = Voltaje de ripple, aproximadamente triangular.
FR =
Para media onda: t =
=
Vdc R C
To
1
1
; fo =
t =
=
2
To
2f o o
Para onda completa: t =
To
1
1
t =
=
=
4 4f o
4f o 2 o
Pg. 47
5. DIODOS ZENER
5.1 Regulador con Diodo Zener
En RS se incluye la resistencia interna ( Ri ) de la fuente y RS , este resistor se pone para

limitar la corriente D.C. en el diodo, para evitar una disipacin excesiva de potencia y para
estabilizar V0 frente a variaciones de Vi .
Como v0 representa la variacin de V0 , esta componente de alterna debe ser pequea y se
debe obtener en funcin de RS , rz , RL ; por lo que definimos el factor de estabilizacin K S .
KS =
V0
Vi
Del circuito V0 :
V0 = ii
rz + RL
rZ RL
r + RL
Vi = ii RS + z
r
R
Z L
Por lo tanto:
rz + RL
rZ RL
KS =
r + RL
ii RS + z
rZ RL
ii
rz + RL
rZ RL
KS =
r + RL
RS + z
rZ RL
De la ecuacin K S se deduce que V0 ser reducida si RS es grande frente a
rz + RL
, as
rZ RL
mismo rZ < RL ; por lo tanto:

KS =
rZ
RS
Pg. 48
Para tener un buen factor de estabilizacin, se debe seleccionar un RS con valor grande y rz
con valor pequeo.
En el circuito de a.c. se deduce la impedancia de salida Z 0 como el cociente entre V0 e ii
resultando:
Z0 =
v0
Rr
= S Z
ii RS + rz
Por lo tanto: Z 0 @ rZ
5.2 Diseo de regulador con diodo Zener

El problema se reduce a establecer una cierta tensin de salida y mantenerla dentro de ciertos
lmites, no obstante la variacin de la tensin de lnea (a.c.) y la carga RL , los datos de los que se
parte son:
*
Vi min = V - V im
Vi max = V + V im
Las exigencias de la corriente de carga:
I L min
I L max
Y las tensiones de salida:
V o min
V o max
El problema consiste en especificar Y

determinar R s .
,V
Y la disipacin de potencia P
Pg. 49
Las peores condiciones en el regulador se dan en los siguientes circuitos:
Del circuito A resulta:
Vi min = I Rs + V o min
Como
I = Iz min + I Lmax
Resulta:
Vi min = (Iz min + I Lmax) Rs + V o min

Pg. 50
Del circuito
Iz min = V o min
Vz
rz
De la ecuacin uno
V o min = Vi min - (Iz min + I Lmax) Rs
V o min = Vi min - (V o min - Vz + I Lmax) Rs

rz
V o min rz = Vi min rz - V o min Rs + Vz Rs - I Lmax rz Rs
V o min (rz + Rs) = Vi min rz + Vz Rs - I Lmax rz Rs

Rs + rz
Rs
V o min = Vi min + rz
(Vz - I Lmax rz )
1 + Rs
rz
Realizamos las mismas operaciones en el circuito B obteniendoce:
Rs

V o max = Vi max + rz
Pg. 51
(Vz - I Lmin rz )
1 + Rs
rz
Restando la ecuacin A de B resulta:
V o max - V o min = Vi max - Vi min + Rs (I Lmax - I Lmin )
1 + Rs
rz
En la ecuacin C se obtiene dos incognitas Rs y rz para resolver de la ecuacin 1

despejamos Rs resultando:
Rs = V i min - V o min
I Zmin + I Lmax
En esta ecuacin se adopta I Zmin = 1 m A o el 10% de I Lmax la que sea mayor por
lo que con la ecuacin D se puede calcular el valor de Rs , luego de la ecuacin C se
despeja rz resultando:
Rz =
Rs
Vi max - Vi min + Rs(I Lmax - I Lmin ) - 1
V o max - V o min
Con la ecuacin E se calcula rz

Pg. 52
Con la ecuacin I Zmin del circuito A se calcula V z

V o min = I Zmin rz + V z
V z = V o min - I Zmin rz
La mxima disipacin en el Zener ocurrir si se elimina la carga e IL = 0

Pzmax =Izmax2 z + Izmax Vz
Para calcular Izmax se hace en el circuito B RL =
Izmax = Vimax Vz
Rs + rz
Por lo tanto :
Pzmax = Vimax Vz
(Vimax Vz rz + Vz)
R s + rz
R s + rz
Regulador bsico
Dz = 1 N 4733 o similar
I Lmin + Izmax = ILmax + I zmin = I = cte
V imin = Vz + R min (ILmax + I zmin)
V imax = Vz + R max (ILmin + I zmax)
Normalmente I zmax = 2 a 3 veces ILmax; I zmin = 10 % ILmax
Definanse K1 = V
imin
K2 = V imax

Vi
Pg. 53
Vi
Por lo tanto V in = Vz ( ILmin + I zmax) - (ILmax + I zmin) .

K1(ILmin + I zmax) - K2(ILmax + I zmin)
Variacin 10 %
min=
K1 = 0.9
K2 = 1.1
K 1 V i - Vz
(ILmax + I zmin)
max=
K 2 V i - Vz
(ILmin + I zmax)
P zmax = I zmax2 Vz
PARAMETROS BSICOS DEL FOTO DETECTOR

Se divide en :
1.- Detector trmico; la radiacin es absorbida y transformada en calor.
2.- Detectores cunticos, que responden a los fotones incidentes
a)
b)
incidente
Fotocuantivo cuando los fotones liberan electrones del espn

Fotoconductivos es la conductividad del fotosensor que basa en la luz
i)
Fotoconductores intrnsecos fotoreceptores
ii)
Fotoconductores dopados fotodiodos

c)
Pg. 54
Fotovoltaicos que generan una tensin al incidir la luz
ejm: clulas
solares
Fotoconductores de una pieza

Para liberar un fotn se requiere de 0.2 a 3 ev dependiendo del material.
Una radiacin de 4000 a 60000 amstrogns
ejm: foto conductores C.d.s
Fotodetectores
Materiales
Nombre
Simbolo
Interna de energia
Pg. 55
A 300 K en ev
Sulfuro de cadmio
Cds
2.4
Arseniuro de galio
GaAs
1.4
Silicio
Si
1.1
Germanio
Ge
0.7
Arseniuro de indio
InAs
0.43
En el caso del aire n1 = 1 entonces Sen q C = 1/ n2

Ejm: diodo led GaAs n = 3 .4 Para q > 17 no sale la luz del cristal receptor
Io = Int. De luz incidente
Pg. 56
A = Coeficiente de abstraccin critico

X = Distorcin reconocido en el material
DIODOS EN SERIE
Determinar Vo e Io del siguiente circuito en serie:
Si rf 1 + rf 2 << 5.6 KW
ID = 12 1
mA.
= 1.96 mA.
5.6
Vo = 12 1 = 11 v .
ID = Is ( e KV
/ TK
1)
K = 11.600/n n = 1 Ge
n = 2 Si
1/ rf = d ID . = Isk eKV TK
dV
TK
Is =corriente de saturacin
Tk = Tc = 273
Pg. 57
rf = 26 mv.
ID
DIODOS EN PARALELO
Determinar Vo, Ii, ID e IDZ de la configuracin paralelo
Vo =0.7 V
I = ID1 + ID2
I = 10 - 0.7 = 28.18 mA
0.33 K
Si D1 = D2
ID1 = ID2 = I/2 = 14.09mA
Determine la forma de onda de salida para la red de la figura y calcule :
a) Tensin dc de salida.
b) Corriente dc de salida.
c) Potencia de entrada al circuito.
d) Potencia de salida del circuito.
e) Rendimiento.
f) Voltaje de Riple eficaz de salida.
g) Tensin inversa de cresta de cada diodo.
Pg. 58
Si D1 conduce, entonces D2 no conduce.
a) Vdc = 2Vm = 10
= 3.18 V ; Vom = 5 V
b) IDC = Vdc =
3.18
2K
c) Vin = 10;
mA
2
Vef = 10
2
Pac = Vef 2 / R
R = 4 K // 2K

d) Po = V dc * I DC = (3.18)2
Pg. 59
mW
= P dc x 100%
P ac
f) V ref = Vo
2
h)PIV = Vom = 5 V.
EJEMPLO
a)
Determinar el rango de Rc e Ic para que V RC sea constante e igual a 10 v.
b)
Determinar la potencia mxima del diodo como regulador
a) RLmin = Rs Vz = 10
Vi Vz
K = 250
50-10
I Lmax = Vz / RLmin = 40 mA
( considerando que Izmin = 0 )

VRS = 50 10 = 40
Izmin + IL min = IR
Pg. 60
= 40 mA
I Lmin = 40 32 = 8 mA
R Lmax = Vz / ILmin = 1.25 K
c)
Pzn = Vz Izm = 320 mW
DIODO ZENER
1N961
voltaje zener corriente de impedancia corriente voltaje de corriente de

Vz nominal
prueba Izt dinmica
inversa
(V)
( mA)
(mA)
(A)
10
12.5
700
10
prueba
( VR )
7.2
regulador
(mA)
32
Vz = 10 +- 20 % = 8 a 12 V diodo al 20%
Tc =
Vz
Pg. 61
% /C
Vz ( T1 T0)
Ejemplo : Determinar el voltaje nominal del diodo Zener 1N961 a T = 100C
Vz = (0.072)(10)(100-25) = 0.54 V
100
Vz = VZT + Vz = 10.54 V
APLICACIONES DIODO ZENER
Vi fijo RL variable
VL = Vz = Vi Rs
RL min = Rs Vz
Rs + RL
Esto es D Izmin RL ILmax D casi conduce
Vi Vz
ILmax = Vz
RL
Cuando D Izmax RL ILmin D conduce

VRs = Vi Vz
Pg. 62
Irs = VRs/ Rs
Iz = IR - IL
ILmax = IR - I zmin
RLmax = Vz / ILmin
RL fijo , Vi variable
Si D, I zmin
VL = Vz = RL Vi
RL + Rs
Vimin = ( RL + Rs ) Vz
RL
Vi es max si I zmin ; D conduce :
Izmin = I R IL
IRmax = Izmin + IL
Vimax = VRsmax + Vz = IRmax Rs + Vz
Ejemplo : Determine el margen de valores de Vi que mantiene en estado de

conduccin el diodo zener
Vimin = (1.2 + 0.22 ) 20 = 23.67 V

1.2 K
IL = 20 = 16.67 mA
1.2 K
Pg. 63
IR max = Izmin + IL = 76.67 mA
Vimax = 0.22 K x 76.67m + 20 = 36.87 V
DIODO CONECTADO ESPALDA ESPALDA
VZ1 = VZ2 = 10 V
Ciclo positivo DZ1 conduce polarizacin directa
DZ2 conduce polarizacin inversa (avalancha)
Ciclo negativo DZ1 conduce polarizacin inversa (avalancha)
DZ2 conduce polarizacin directa
DIODOS VARACTORES (VARICAP)
CT = f (voltaje inverso aplicado a la juntura p-n)

Wd = Ancho regin de raciamiento
CT = A
= permitividad
Wd
CT =
Pg. 64
A = rea de la unin p-n

K
r = Cte. del semiconductor
(VT + Vr)n
VT = Potencial de contacto.
Vr = Voltaje de polarizacin aplicada.
= 1/2 diodos unin de aleacin
= 1/3 diodos unin de difusin
diodos BB 19 Varactor VHF/FM

Smbolo
caracteristicas
VR
Voltaje de ruptura
IR
corriente inversa
MIN
TIPO MAX unidad Condicin de prueba
30
IR = 100A
10
80
nA
VR = 28 V
0.1
0.5
VR = 28 V TA =60C
Capacitancia
4.3
29
6.0
pf
VR=25 V; f = 1M
C3/C25
Razn de capac.
5.0
5.7
6.5
pf
VR=3/25 V; f = 1M
Factor de merito
Rs
Resistencia serie
0.35
C= 10 pF ; f=600M
Ls
Inductancia serie
2.5
nH
1.5 mm
1.4
GHz
VR=25 V
fo
Frecuencia de
resonancia
150
V R=3 V; f = 1M
FOTODIODOS
Unin polarizada inversamente
= c/f
Pg. 65
c = 3 x 108 m/s
= (mts)
f = (Hz)
Diodo Emisor de Luz = LED

Es una unin por polarizacin directamente.
Se generan fotones enriquesidos las uniones con otros materiales

TERMISTOR
Resistencia con coeficiente negativo no es un diodo de unin y se construye de
SiGe con mezcla de oxidos de cobalto o niquel.
CIRCUITO DE POLARIZACIN DIRECTA
Pg. 66
I = Is (e V/KT/q 1)
I
= Is e
V/KT/q
= gf
KT/q
rf = V = KT / q
I
tambin I = Is e V/KT/q
Para T = 300K
rf = 25 mV
I
CIRCUITO DE POLARIZACIN INVERSA
Perforacin del diodo denominado roptura por avalancha

CAPACIDAD DE TRANSMICIN DE LA UNIN
Pg. 67
R1 sube para limitar la corriente por el diodo D.

R1 alto para zener alto Q.
La regin vaca es un aislador perfecto ya que esta hace de portador de carga, por
lo cual puede considerarse sin dielectrico de un condensador. Las regiones que limitan la
regin vaca tienen buena conductancia debido a la presencia de portadores de carga, por
lo que pueden ser comparadas a las placas de un condensador; luego el ancho de la
regin vaca con el voltaje inverso por lo tanto se tiene un capacitor que se vaca con la
tensin.
Lp =
2( 0 V)
q NA ( 1+ NA )
ND
Ln =
2( 0 V)
q ND ( 1+ NA )
ND
L = - 2 ( 0 V)
o
ancho de la carga espacial
l=
2( 0 V) ( 1 +
ND
1 )
NA
Pg. 68
Cj = - d Q = - d Q - dl
dV
dl
dv
1 )]-1/2 2 ( 1 + 1 )
dl = - [ 2 ( o V)( 1 +
dv
ND
NA
ND NA
Q = q NA lP por lo tanto Q = q l NA ND
NA + ND
Entonces:
dQ
= q NA ND
dl
NA + ND
por lo tanto
Cj =
2 (o V) ( 1 +
q
ND
1 )
NA
V = Potencia aplicada
o= Potencia de contacto
Diodo varactor

Cj 1
Pg. 69
3 < Cj< 100 pF diodos tipo aleacin
V1/2
Cj< 1 pF puntas de contacto
Capacidad de difusin
Supongamos que en un diodo se tiene el material p mas dopado que el n si
polarizamos directamente los huecos se difunden hacia el material n antes de
recombinarse con los electrones, por lo tanto ahora se polariza inversamente.
Se ve que I no cae directamente a Is si no que debe existir un intercambio

comprensible para llegar a Is..
En el instante en que se aplica polarizacin inversa la regin n es rica en agujeros
inyectados por la regin p, los cuales deben ser arrastrados retrocediendo para difundirse
a travs de la unin antes que I llegue a Is por lo tanto la regin n momentaneamente
aparece como un depsito de huecos por lo que este efecto puede ser considerado un
condensador llamado capacidad de difusin.
Circuito equivalente del diodo:
Rf
KTq
= resistencia de difusin o directa.
I
RL = Resistencia de perdida
En polarizacin directa Cd >> Cj : RL >> rf
En polarizacin inversa Cj >> Cd en inversa RL
Polarizacin directa
Pg. 70
polarizacin inversa
rB = rD + rN
APLICACIN A ELECTRNICA LINEAL (RECTIFICACIN)
Caractersticas de los rectificadores
Pg. 71
CIRCUITOS RECTIFICADORES
A)
Circuito rectificador de media onda.
Por Fuorier:
Vo(t) = a0/2 +
ao = 2/T Vo(t)dt
an cos(nt) + bnsen(nt)
an = 1/T Vo(t) cos(nt)dt
bn = 1/T Vo(t) sen(nt)dt
por lo tanto:
Vo = Vm [1/n + sent 2/ cos2nt

]
Pg. 72
(2n+1)(2n-1)
Valor medio = Vo(t) = 1/T Vo(t) dt = a0 /2
Por lo tanto
Mximo valor dc. = Vo(t) = Vdc = Vm/
Factor de forma F = VoRms = Vm/2

VDC
Por lo tanto: F = /2
Eficiencia del rectificador:
Pdc = Vdc2/RL
r = Pdc
Pac = Virms2/RL
Pac
r = Vdc2 = Vm2/ 2 = 4
Virms2
(Vm2/2)2
r = 40.5 %
Ejemplos
1)
Pg. 73
Ei = Avpp; f = 1 KHz
Potencial de contacto V 21 = VT Ln NA ND
Ni2
Para si
i = 1.5 x 1010cm -3
NA =ND = 5 x 1015cm -3
VT = KT = 25.9 mV
qc
Vo = 659 mV
T = 300K
VDsi (0.5 a 0.75)V

Par Ge: i = 2.5 x 1010cm -3
NA =ND = 4.4 x 1015cm -3
Vo = 268 mV
T = 300K
Vo Ge(0.2 a 0.3)V
Polarizacin directa I = Is(e V/KT/q 1)

VT = KT/q = 25.9 mV
Is nA Si
A Ge
Pg. 74
Si Is = 10 nA
Rf = V
I
KT/q = 25mV
I
T = 300K
I = 5 mA
por lo tanto
rf = 5
Vd = 0.7 V
eo= ei = 1 Vpp
2) Si la seal alterna ei = 0.1 cos ot
a)
Hallar el punto de reposo del diodo y la corriente del diodo.
b)
Continuar la recta de carga de corriente alterna,
c)
Determinar la resistencia dinmica del diodo
d)
Calcular VL
IDQ = 1.5 mA
VDQ = 1V
Pg. 75
iD = 2x 10-2 VD2
rf = 2.5
VD
VD < 0
1.5
VL = 0 cos 0t
150
150 +100
PROBLEMA FIJADOR DE TENSIN
t=0
Vo =10
C descargado
Rf
D conduce
= 5V
Pg. 76
Rf + Rs
Rf = Rs
T= 0 C carga
c = ( Rs + Rf) = 200seg
T = 200 seg
e i = 5 ( 1 e T/2) = 4 V
por lo tanto Vo = 5eT/2 = 3 V
por lo tanto R>>Rs
t = T/2
Vo = - 4V
= C(R + Rs) = 10000 seg > T/2

Vc = 4V
ei = 0 D no conduce
t = T ei = 10V D conduce
Vo = 3V
Vo = 3 e T/2 = 1.8V
Por lo tanto Vc = -6.4 V
Circuito bsico de un diodo capacitivo
Receptor sintonizado por medio de un diodo varactor

Una variacin de lo anterior
Pg. 77
FIJADOR DE TENSION
Determinar Vo para la entrada indicada:
Sol. t1 = 0.5 ms. t2 = 1ms.

Se analiza en t1 < t < t2 donde Vi = -20 v. Por lo tanto D conduce
-20 + Vc 5 = 0 entonces Vc = 25 v. Entonces Vo = 5v.

En t2 < t < t3 Vi = 10 v. Entonces D no conduce Vo = 35 v.
Pg. 78
t = Rc = 10 ms.
Tiempo de descarga total = 50 ms. = 5t >> T/2 entonces la salida permanece
identica
Pg. 79
PROBLEMA.- en un circuito rectificador de onda completa con filtro RC se usa para

suministrar una tensin DC; Edc a una resistencia RL ; con un filtro de capacitancia C
Calcular:
a)
La corriente ac en el diodo.
b)
La tensin de salida sobre e C.
c)
El valor Edc en la salida del filtro
d)
La variacin de la tensin de rizado.
e)
Factor de rizado
f)
La I b max en el diodo.
Sol.-
Si conducen D1 o D2
Pg. 80
ib = iR + iC
iR = ec /RL
ec = Em sen t
ic = C d ec
dt
ib = Em sen t + Em c cos t
RL
Pero si tg = RLC
sen = C
Ib = RC [ Em cos t
E m sen t]
C
cos = 1/RL
(RC) 2 + 1
(RC)2 + 1

Ib = E
( RLC)2 +1
Pg. 81
sen ( t + )
RL
= tg-1 RL C
En 2
1 +
> ic = - iR
C dec + ec = 0
dt
sol.ec = Ae-t/RC
si t = 2 ec = Em sen 2 con lo cual
ec = Em sen2
e-(t 2)/WRC
en t = + 1
+1
D2
Em sen2 e-( t 2)/RC = Em sen 1

Sen 1 = sen 2 e-( t 2)/RC
Pero = tg -1 RC = tg-1(-RC) = 2
ib = Em
( RC) 2+1 sen (2 t ) 1 t 2
R
E
dc
= 1/ Em sen t d t + 1/ Emsen 2 e (t
- 2)
d t
RC
Edc = Em
(RC) 2 + 1 ( 1 cos (1 2 )
Pero si RC >> 1 1 2 0
ib max = Em
( RC)2 +1
Em C
Pg. 82
d ec =
dt
ER
1 + 2
1 dq
; dq
C dt
dt
= Idc
ER = ( + 1 2) Idc
C
valor eficaz de la onda triangular
Eac = ER = ( + 1 2) Idc
2 3
2 3 C
F.R. = Eac = - + 1 2
Edc
2 3 C
Ejemplo .- Determinar Edc. PIV, Ibmax, FR para

R = 100 K; C = 100f f= 50 Hz
RC = 3140
> Edc = Em =
Pg. 83
2 200 = 280 V
PIV = 560 V
FR =
2 3 RC
FR = 29 x 10 -3
Eef = 280 x 29 x 10 -3
Eef = 81 mV =
ER
2 3
ER = 280.26 mVpp rizada
ibmax =
EmRC
R
ibmax = 8.7 A
ejemplo .- Hallar Edc , PIV, Ibmax , F.R.
Pg. 84
RC = 324.7
E1 max = 2 x50 = 70.5
E2max = 2 x 200 = 280
= RC = 1.035 seg
Ecdesc = 280 e t/1.035 = 280 e -10-2/1035
= 70.5 V no conduce D1
Edc = Emax = 280

PIV D! = 250 2 = 560
Ibmax D2 = RC Em
R
280 x 324
mA
22

I
max D1
F.R. =
Pg. 85
=0
Eef
Edc
= 0.0056
2 3 (324.7)
Ejemplo.-
Pg. 86
Ejemplo ,. Determinar la tensin de salida eo para los siguientes circuitos, como

vara eo si carga RL.
a)
e o = 2 Em
doblador de tensin
b)
eo = 2Em
Pg. 87
doblador de tensin
c) multiplicardor de tensin
Tema N 2
Pg. 88
FUENTES DE ALIMENTACIN
2.1 INTRODUCCIN
Electricidad
control
Electrnica
reles
dispositivos electrnicos
2.2 DIAGRAMA EM BLOQUES DE UNA FUENTE DE ALIMENTACIN
Rectificador filtro regulador carga

Pg. 89
FURNTE DE ALIMENTACIN no regulada

Transformador
Rect. m. o.
R.T.P.
o. c.
Pg. 90
Idc = 0.827 Vm/R
Vdc = 0.827 Vm =1.117 Vef
Vdc = 1.117 Vrms
Ief = 0.838 Em/R
Vrms= Vm/ 3
3 I ef rms = Idc
PIV = 3 Em
Filtro FR =
Filtro RC media onda
RC
Filtro LR
FR =
R
3L 2
doblador
Pg. 91
Reguladores
C. FILTRO CON CAPACITOR
v = Vm (1 e t/)
v
Vdc t
= RC

v = Vdc
Pg. 92
= t
v = Idc t
Idc = Vdc
t = tiempo de escoya
t = T = 1/f = 2/
(media onda)
Por lo tanto v = vdc *
R
FR = v
Vdc
2
RC
t = T/2 = 1/ 2f = /
( onda completa )
Por lo tanto
FR =
RC
D. FILTRO CON CONDUCTANCIA
v = Vm [ 2/ 4/ cos 2n t
sen L
(2n+1)(2n-1)
considerando solo el segundo armnico)
ZL
si
i = 2Vm - 4 Vm cos (2 t )
Pg. 93
3 (R2 + 4 2L2)1/2
i = valor instantneo de la corriente en la carga A
FACTOR DE RIZADO FR
FR =
vac rms
vdc
Vorms = Vac rms2 + Vac2
FR = Vo rms2 + Vac2
por lo tanto Vac rms2 = Vorms2 Vdc2
Vdc
(Vorms)2 - 1
Vdc
FR = F2 1 = ( /2)2 -1
FR = 1.21
Pg. 94
B. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
PIV = 2 Em
vot = Vm [ 2/ 4/ cos 2nt ]
(2n+1)(2n-1)
PIV = Em
r =Vdc2 = (V m/ )2 = 8/2 = 0.81

Vrms2 (Vm/ 2)2
F = Vo rms = Vm/ 2
= /2 2 =1.11

Vdc
Pg. 95
2Vm/
FR = F2 -1 = 48%
RECTIFICACIN DE POTENCIA
Aplicaciones:
Instalaciones electroqumicas, regulacin de velde motores de CC, equipos de
soldadura, equipos de calentamiento inductivo y capacitivo, equipos para carga de batera.
Rectificacin monofsico, bifsico, trifsico, etc.
Rectificador n fsico de media onda.
M = n de fase :
Vm = valor medio de la tensin de carga.

Vfm = valor mximo de la tensin de fase.
Vf
= valor instantneo de la face.
Rectificador trifsico de media onda
Rectificador hexafsico de media onda.

Pg. 96
Rectificador trifsico de onda completa puente trifsico.
ANALISIS DE LOS CIRCUITOS CON DIODOS
1.0
introduccin a los diodos: El diodo es el mas sencillo de los dispositivos no
lineales, producindose en una amplia variedad, utilizado en varias ramas de la
tecnologa. Los cuales incluyen diodos el vaco, a gas, diodos rectificadores metlicos,
semiconductores, tunel , etc.
Estudiando el diodo de unin

Se estudiar sus caractersticas, tcnicas grficas, para proporcionar una visin del
funcionamiento del circuito. Las tcnicas grficas incluye anlisis con cc y ca.
1.1 Propiedades no lineales el diodo ideal
Pg. 97
Para un diodo ideal se caracterstica es:
Vo > 0
io
Vo < 0
i0
Vo = 0
Vo = Vi
EJEMPLO 1.1 1rectificador de media onda. Una de las principales aplicaciones

del diodo es la produccin de una tensin continua a partir de una fuente de alimentacin
de corriente alterna, proceso llamado rectificacin. Un subproducto a veces til de la
rectificacin, consiste es sealar de frecuencias que son mltiples integrales de la
frecuencia de alimentacin.
Ri = 1
RL= 9
a) La tensin se la fuente es senoidal Vi = Vin cos ot donde Vin = 10 V

Hallar y dibujar la forma de onda de la tensin de carga.
Hallar su valor medio (cc.)
b) repetir (a) si vi = -5 +10 cos ot
sol) a) Vi = id ri + VD +iDRL
i D = ri VD =
Vin
cos ot
Vi > 0

ri +RL
Pg. 98
ri + RL
Vi< 0
VL = RL iD
RL
Vin cos ot
Vi > 0
ri +RL
0
Vi< 0
VLdc = 1/T Vi d ( ot) = VLm = 9/ = 2.86 V
VL(t)= VLm ( 1/ + cos ot
+ 2/3 cos2 ot
- 2/15 cos 4 ot
+ ...)
O sea el diodo a generado lo continuo mas una serie de armnicos, luego pasa a
eliminar estas se requiere un filtro.
En el circuito un filtro RC pasa bajos si se ajusta tal que RC = 100/o y si R>>RL

entonces la amplitud de la tensin de salida Vo a la frecuencia no
Von=
VLm
1+ (n oRc )2
para VL2 = 2 VLm =

3
VLm
n> 1
100 n
Vo = VL Xc
Xc + R
utilizando el principio de superposicin, la tensin de salida ser:
Vr = VLm ( 1/200sen ot
+ 2/300 sen2 ot + ...)
Pg. 99
La relacin entre el valor eficaz de la tensin de ondulacin y la tensin continua es

una medida de al eficacia del filtro en la separacin de la tensin atena de los armnicos.
Par el filtro RC del ejemplo.
(vr)rs = [ 1/2 [ Vr( ot)]2d ( ot)]1/2

= VLm/ 2 1/(200)2 + 1/ (300)2+ .....
(vr)rms
/280
VLm/280
0.011
VLdc
b) Si Vi = 0
- 5 + 10 cos ot = 0
cos ot1 = 0.5

ot1 =+- /3
Ejemplo 1.1-2
Rectificador de onda completa. La tensin de ondulaciones en el rectificador de
media onda se debe principalmente a la componente de la seal de frecuencia
fundamental o . El rectificador de onda completa de una tensin en la carga que tiene
una modulacin cuya frecuencia menor es 2 o y adems la componente de cc es el
doble. Este tipo de circuito, es el mas eficiente para la produccin de tensin continua con
pequea ondulacin.
6.- Cuanto marcar un voltmetro de dc conectado a travs de los terminales de

salida
7.- Dibujar un circuito lineal equivalente por tramos para el diodo de las figura.
Pg.
100
2.4 Anlisis de los circuitos simples con diodos

Recta de carga de corriente continua
Circuito rectificador de media onda con diodo real.

El mtodo se base en:
1.- El comportamiento del diodo esta completamente determinado a bajas
frecuencias por su caracterstica de r que generalmente existe en forma grfica en las
especificaciones de los fabricantes.
2.- Los otros elementos del circuito, siendo lineales pueden ser reemplazados por el
equivalente Thevening unidos en los terminales del diodo.
Elemento no lineal
iD = f(vD)

Equivalente de Thevening.
Pg.
101
V D = v t - i D RT
Solucin grfica
Ejemplo VT = 1.5 V
V D = 0.7 V
Si
RT = 50
iD = 15mA (Q1)
id = 40 mA
VT = 2 con Rt cte
Si VT = Vm sen t
VTm = 1.5 v
Pg.
102
2.5 ANLISIS DE SEAL DEBIL CONCEPTO DE RESISTENCIA DINMICA

La variacin total cresta a cresta (excursin) de la seal de corriente alterna es a
menudo en una pequea fraccin de la corriente continua, de de aqu el nombre de seal
dbil, utilizandose mtodos grficos.
Del ejemplo
VT = Vdc +Vi > VDC + Vi sen t
Donde Vin << VDC
Debido que se realiza un ajuste lineal. Las variables asociadas con los ejes sern:
Corriente : id = iD IDQ
Tensin :
Vd = VD - VDQ
Resistencia dinmica
rd =
Pg.
103
vD
iD
Calculo de rd
iD = Io (evD/26mv/C - 1 )
rd =
vD
iD
( Io e vD/26mV)-1 = 26 mV
26 mV
()
Io eVD/26mV
Ejemplo.-Hllese utilizando circuitos lineales por tramos la solucin simultanea de

las ecuaciones.

Y = X2
0<X<2
Y=X
0<X<2
Pg.
104
Ejemplo.- Utilizar el resultado anterior par resolver

dx + x2 = f(x)
dt
con x(o) = o y f(t) = 4
Anlisis de seal dbil recta de carga de c.a.
Vx = 1.5 V
R1 = 90
Vm = 20 mV
RL = 200
ri
C = 100 F
= 10
= 104 rad/seg
Pg.
105
a) La recta de carga continua

m = -1/(ri +R2 )
b) Recta de carga de alterna
m = - 1/(ri + R1 | R L)
P(IQ,VQ)
Por lo tanto
I - IQ = m
V - VQ
a) mcc = - 1/100 = - 10 -2
recta de carga cc Vdc = Idc (ri +R1) + VD
vd = 1.5 V
si idc = 0
id = 15 mA si vd = 0
b) mac = - 0.016
I - IQ = m
si I = 0
V =1.215
V - VQ

Anlisis de seal intensa - distorsin y desplazamiento del punto
Pg.
106
iD =
VD < 0
VD
0<VD<1
2VD-1
1< VD
a) continua
b)
Pg.
107
1.- Para calcular el valor medio de la distorsin Id

a) Suponer Id1 = IdQ (atenuacin de distorsin)
b) Hallar la forma de onda iD1 a partir de la caracterstica de Vi
c) Para calcular el valor medio de la distorsin Id
Id 2 = 1/T iD(t)dt = 1.88/2 = 0.94 A
Si Id2
Id1
Id = id2
Pero si Id2 Id1
2.43 Un diodo zener tiene una cada de tensin fija de 18 V mientras iZ se

mantenga entre 200 mA y 2 A.
a) Hallar ri de modo que VL se mantenga en el valor de 18 V mientras Vdc puede
variar de 25 a 28 V.
b) Hallar la potencia mxima disipada por el diodo
Pg.
108
2.44 Para regular la tensin aplicada a un resistor de carga variable se

utiliza un diodo zener de 10v. La tensin de entrada Vi vara entre 10 y 85 mA. La
corriente mnima de el zener es de 15mA
a) Calcular el valor mximo de Vi
b) Calcular la potencia mxima disipada por el diodo zener utilizando este valor de
vi
2.45 La tensin de una fuente de alimentacin no regulada vara entre 20 y 25 V y
la impedancia interna de la fuente es de 10 un diodo zener de 10 V debe regular esta
tensin para su utilizacin en un magnetfono. El magnetfono absorve 30mA mientras
graba y 50mA mientras reproduce
El diodo zener tiene una resistencia de 10 para una corriente zener de 30 mA. El
codo de la caracterstica zener se representa a 10mA.
El diodo puede disipar una potencia mxima de 800 mw.
a)
Hallar ri de modo que el diodo regule continuamente.
b)
Hallar el valor de cresta mxima de la modulacin de salida.
Circuito rectificador
Vdc = Vm/
Idc = 2Vm/RL
Idc = Vm/R L
Idc = Vm/R L
Filtrado
Pg.
109
Vi = Vm sen t
v = Vm(1- e-T/RLC)
v = Vm T
RLC
Ejemplo.f= 60 Hz; Vo = 12 V con carga que consume 10mA rizado pico a pico inferior al
0.1% de tensin continua de salida, es decir que sea menor a 12 mV valor del filtro.
RL = 12/10mA = 1200
F = 2 / = 1/f =16.7 mseg.
Rizado relativo <10-3(0.1%)
RLC = 16.7
= 103 T
C = 1.4x10-2 F
Intensidad mxima en el diodo ipp = IL 2

2V/Vm
WAT = 2V
= 2x10-3 = 4.5x10-2 = 2.6
Vm
= 10-3
iDp = 10mA * 2 /4.5x10-2 =1.4 A
Vm
Pg.
110
FUENTES DE ALIMENTACIN
Tipos bsicos de reguladores
Si RL
Rv
IL
Eo
Eo
IL Eo
compenzacin
Rv
IRv
I1
Rv usese un TR
IRS = cte Ein ERS = cte
Si Rs
Rv utiliza diodo zener
IL Eo
Rv IL
Eo
Estudio y diseo de fuente de alimentacin con semiconductor estabilizado mediante diodo

zener
Circuito con diodo zener
Pg.
111
Anlisis en ac.
K = Factor de regulacin = eo/ei =RL | r z / RL| r z + Rs

RL >> rz
K = rz /Rs
K = Rs rz buena estabilizacin
Anlisis en dc
IL
Eo a travs de Zo que ve IL
Zo = - eo/IL = - Rs rz /Rs + rz
Rz << Rs
IL
Eo
Ejemplo.- Estimar la tensin dc de salida y el rizado de salida si hay 2 v de rizado

en 36 V dc de lnea. Determinar tambin la Z de salida del regulador y la potencia nominal
en el diodo zener. Estimar la corriente mxima que puede dar el regulador en que
condiciones de carga disipa el diodo la potencia mxima supongase rz = 10 ; VBD = 8V.
Pg.
112
Aplicando Thevening en X-Y
Eo = 8 + (12-8 )
10
= 8.19 V
10+200
corriente zener esttica es:
Iz = 8.19 - 8 = 19mA
10
Potencia disipada del zener es Pz = Iz VBD + Iz 2rz = 156mW
ILmax = Ein - VBD = 46.5 mA = 36 -8
Rs
entrega una tensin = VBD ; Iz = 0
0.6 K
cuando el zener se apaga
Pg.
113
Corriente de carga permisible < 46.5 mA

Rizado es: eo = rz ein
= 0.033 V = 33 mV
Rz + Rs
Zo = rz = 10
Diodo zener disipa mxima potencia si t < = 0
Pz max = VBDIzmax+ Iz 2 maxrz
Izmax = 36 8 = 46mA
600+10
Pzmax = 8(46mA)+ (46mA)210 = 387 mW
Problema estimar el rizado de:
rz1 = rz2 = 10
Rs1 = rs2 =500
solucin 400 V rizado
Diseo de reguladores
v
1.- suponer Izmin = 10%ILmax
Pmin = Einmax Eo max

Izmax + ILmin

2.- Rs = Ein min Eo min
Ilminrz )
Izmin+ IL
Eomax = Ein max +(Rs /rz )(VBD
Pg.
114
1+ Rs /rz
max
3.- rz =
Rs
Ein max - Einmin + Rs (ILmax ILmin) - 1
Eomax - Eomin
4.- VBD = Eomin Izminrz
Eomin = Eimin + RS/rz (VBD ILmax Vz )
1 + Rs /rz
5.-
Pzmax = I2zmax rz + Izmax VBD
6.-
Izmax = Einmax VBD (Einmax VBD rz + VBD)

RS+rz
R s + rz
Ejemplo una fuente dc sin regulador con 9 de resistencia interna produce una
salida (incluyendo el rizado) que esta entre 20 y 30V se desea utilizar esta alimentacin es
unin de un regulador zener de modo que la salida regulada se mantenga entre 8 y 8.4 V
no obstante variacin en la carga entre o y 100mA y fluctuaciones en la entrada.
Determinar las elementos del circuito y especificar las caractersticas del zener.
Solucin
Ein max = 30
Eo max =8.4
ILmax = 0.1
Ein min = 20
Eo min = 8
ILmin = 0
Izmin = 10% ILmax = 0.01 A

Rs = 109
VBD = 8 V
rz = 2.13
Pz max = 1.6 W
Iz max = 0.19 A
Rsmin = 30 8.4
Pg.
115
Izmax + 0
Rsmax = 20 8
= 109
0.1 + 0.01
Vz = 2.13
VBD = 8 V
Iz
= 0.19 A
Pz = 1.6 W
Problema 17
Tipos bsicos de reguladores
Regulador de tipo serie

IL debido RL
Si Rv eRV
Regulador de tipo paralelo
Eo pero IL
Eo
tendencia Eo pero Rv se deriva corriente
compensara el Eo
por Rv
RV ( se simula usando un transistor)

E
in
IRp = cte es decir

IRlmin = IRLmin + IRV max
- IRi Ri = Eo seria cte
Rv ( se simula con un TR o un diodo)
Pg.
116
Regulador bsico con zener
Aproximacin por tramos
v
El circuito en que incremental total es
Ri + Rs = Rs limitar corriente por el diodo dc estabilizar Eo debido a variaciones en

Ein
es = rizado Ks = factor de estabilizacin = eo / ein = rz | RL
Rs + rz | RL
eo / ei < 1 si Rs << rz y rz tambin RL
generalmente RL>> rz
circuito para analizar
Ks = rz / Rs
Eo para
IL
Pg.
117
Zo = eo/ iL = - Rs rz
Rs + rz
rz << Rs
Zo
El signo menor
- rz
I L Eo
Un factor comn sea hacer Ks y Zo con rz
circuito incremental para analizar temp.
eT = Tc T
Tc = coeficiente de temp. De Vz en % Vz en C
T = cambio de temperatura c
si Tc > 0 eT> 0 para T>0 eT
Tc < 0
Vz
T < 0 e T < 0 Vz
Pg.
118
Ejemplo.- dado el circuito de la figura, calcular la mxima variacin de

tensin sobre la carga y la potencia que debe disipar el diodo en la peor condicin de los
casos que se detallan a continuacin tensin de entrada nominal y variacin de la misma
del 10% es mas y menor y cargado con RL, 2RL y RL. Indicar si todos los casos son
posibles y si no lo son justificarlos.
DATOS
Ep = 15 +- 10% V
RL = 18
E2 = 5 V
Pdz= 0.5 Watt
R = 30
rz = 10
SOL.-
Clculo de la tensin dc de salida

Aplicando Thevenin en a-b
Vab =
RL
15 V
RL + 30
= 5.624 V ; RL = 18 Zab = 11.25

8.18182 V ; RL = 36
Zab =
16.3636
1.95652 V ; 1/4RL = 4.5 Zab = 3.91304

Zab = RL | 30 = RL 30
Pg.
119
30 + RL
Eo = 5 + ( Vab Vz ) rz
Rz + Zab
6.2069 ; 2RL = 36
Eo = 5 + ( Vab 5 ) 10
10
5.29412 ; RL = 18
2.8125 ; RL = 4.5
+ Zab
corriente zener nominal (esttica es)
Iz = Eo Vz
Rz
Iz = E o 5
29.412 mA; RL = 18
20.690mA; 2RL= 36
-218.750mA;1/4 RL = 4.5
10
potencia de disipacin del zener es:
Pz = Iz Vz + I2z rz
Pz = 5 Iz + 10 I2z
155.756 mW ; RL = 18
479.11 mW ; 2RL = 36
615.234 mW ; RL = 4.5
No regulada para RL . Regulacin es crtica en RL la corriente mxima que puede

entregar el regulador regulndola es la que se tiene la corriente en RL que hace que la
tensin a circuito abierto que ve el zener < Vz .
Es decir zener se apaga Voc = V BD e Iz = 0

Voc = E on Rs ILmax = Vz
Pg.
120
ILmax = Ein Vz = 333.333 mA

Rs

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TRANSISTORES EN LOS CIRCUITOS

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2.- TRANSISTORES EN LOS CIRCUITOS

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2.2 Smbolo Elctrico del Diodo

2.3 Ecuacin del Diodo

Donde: VB : Altura de la barrera en V en condiciones de equilibrio (Voltaje de arranque)

Si no se aplica tensin externa a la unin , se tiene: