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EL DIODO
Un diodo es la unin de dos zonas de material semiconductor, una de tipo N y la otra de tipo P, entre
las dos se forma una zona llamada de agotamiento (Z.A.) donde es mnima o nula la presencia de
portadores de carga. Tanto en la zona P como en la zona N existen portadores de carga minoritarios
del signo contrario. A la zona P se le llama nodo (A) y a la zona N se
le llama ctodo (K).
POLARIZACIN DE UN DIODO
Un diodo trabaja unido a un circuito elctrico el cual le aplica un voltaje. Se presentan dos
posibilidades:
POLARIZACIN DIRECTA
El voltaje positivo aplicado al nodo empuja los huecos hacia la zona de agotamiento, lo mismo hace
el voltaje negativo sobre los electrones del ctodo. Cuando el voltaje es pequeo y va aumentando la
zona de agotamiento se va estrechando al llegar a un valor llamado voltaje de umbral la zona de
agotamiento desaparece y los huecos y electrones se recombinan y el circuito externo empieza a
aportar huecos a la zona P y electrones a la zona N apareciendo una corriente elctrica a travs del
diodo,
se
dice
que
el
diodo
est
en
conduccin.
El voltaje umbral es 0.2 voltios para germanio y 0.6 voltios para silicio. La corriente del diodo en
conduccin crece fuertemente con un crecimiento pequeo del voltaje (dcimas de voltio). Se
considera entonces para un diodo de silicio siempre que est en conduccin su voltaje es de 0.7
voltios.
POLARIZACIN INVERSA
El voltaje negativo aplicado al nodo atrae los huecos y el voltaje positivo aplicado al ctodo atrae los
electrones por lo que la zona de agotamiento se ensancha, sobre los portadores minoritarios ocurre el
fenmeno contrario, stos hacen recombinacin y forman una corriente muy pequea (nA a A) que
en el caso prctico se considera nula. Se dice entonces que el diodo se comporta como un interruptor
abierto.
La grfica muestra la
variacin de la corriente
en funcin del voltaje
aplicado
al
diodo
indicando
el
comportamiento tanto en
polarizacin directa como
en inversa.
PRUEBA DE UN DIODO
Con un multmetro anlogo un diodo se prueba en la escala de resistencia, colocando la punta roja (+)
al nodo y la punta negra (-) al ctodo debe marcar un valor pequeo de resistencia (<200) y al
conectar al contrario debe marcar un valor grande (>1M) en la escala ms alta (R*1k). Con un
multmetro digital en directo debe marcar el voltaje de umbral (0.5 a 0.7v para silicio) y en inverso
debe marcar circuito abierto indicado en la mayora de multmetros con una "1" a la izquierda del
display.
POTENCIA DE UN DIODO
Cuando un diodo conduce igual que una resistencia disipa potencia que se convierte en calor y eleva la
temperatura del diodo, si la temperatura sube por encima de unos 300C la estructura del
semiconductor se agrieta y el diodo se daa ("quema"). La disipacin de potencia: PD = VD*ID se
debe mantener por debajo de un lmite que depende del tamao del diodo y su estado de disipacin
de calor. En directo entonces se tiene un valor mximo de corriente:
Para diodos rectificadores en inverso el lmite est dado por el voltaje avalancha que se llama
entonces voltaje pico reverso VRP , por ser normalmente mayor a 100v la corriente de avalancha para
llegar al lmite de potencia es tan pequea que se puede decir que instantneamente sube la
temperatura y el diodo se quema. Para diodos Zener en zona de avalancha se tendr un mximo de
corriente:
ELECCIN DE UN DIODO
Los diodos vienen identificados por referencias que cambian de un fabricante a otro, pero una
referencia de un fabricante es equivalente a una referencia en cada uno de los otros fabricantes. Los
fabricantes editan manuales con diferentes niveles de informacin sobre cada una de las referencias
producidas y se tienen se tienen las guas maestras de reemplazo que sirven para conocer las
referencias equivalentes. En Colombia el mercado se gua principalmente por Master Replacement
Guide de ECG Semiconductors.
Para seleccionar un diodo se deben conocer mnimo los siguientes datos:
Corriente que va a conducir (pico o promedio), voltaje inverso a que va a estar sometido, frecuencia
de las seales; con estos valores usando las tablas del manual ECG se podr escoger una referencia
adecuada que soporte las condiciones de trabajo. En altas frecuencias se deben escoger diodos Fast
SW y en casos donde se requiere que un diodo pase muy rpido de corte a conduccin se deben usar
diodos Fast Recovery.
Para mirar los voltajes y corrientes en el diodo examinamos dos circuitos bsicos a continuacin.
Como se aplica la polaridad positiva de la fuente al nodo y negativa a travs de la resistencia al
ctodo, el diodo es polarizado en directo, entonces: VD =
0.7v VR = VF - VD = VF - 0.7 VF I VF/R
Para obtener una onda rectificada negativa se coloca el diodo en sentido contrario.
Para una fuente de 60Hz en la resistencia la seal de voltaje tiene una frecuencia de 120Hz.
Estos circuitos se aplican en alimentacin de motores DC, pero no dan seales adecuadas para
alimentacin de circuitos electrnicos, se aade un condensador como filtro.
VF2)
Ejemplo: VF1 = 15v VF2 = 30v R = 1k
Por la polaridad de las fuentes VA = -15v y VB = -30v, como el ms negativo es VB, conduce el diodo
D2.
VR VB = -VF2 = -30v
Para el diodo D1: VD1 = VC - VA = (-30v) - (-15v) = -15v por lo tanto est en inverso.
CONEXIN ANTIPARALELO
Se usa para recortar en dos niveles, uno positivo y el otro negativo.
Sea una fuente senoidal de 10VP, R = 200, RC=1Ky un diodo Zener de 6v, cual ser la corriente pico
en el diodo.
Sea un circuito que consume 10mA a 5v, con una fuente de V F = 8v, cul es el valor de R adecuado?
Supongamos que disponemos de un diodo de V Z = 5V a 1/2w. Su corriente mxima es:
IDmax = 0.5v/5v = 0.1A, escogemos una corriente menor para funcionamiento: I Z = 10mA, entonces R
= (8v - 5v)/(10mA + 10mA) = 3v/20mA = 150
Para circuitos que consumen alta corriente se usa regulacin en conjunto de un diodo Zener y un
transistor en ese caso el voltaje en el circuito es V Z - 07v.
REFERENCIA DE VOLTAJE
Los diodos Zener son construidos de manera que V Z es muy exacto y se mantiene constante para
diferentes valores de IZ, esto permite que un Zener se use en electrnica como referencia de voltaje
para diferentes aplicaciones.
LECCION 1 TRANSISTOR
La palabra Transistor viene de Transfer Resistor o resistencia de transferencia, es un elemento que se
comporta como una resistencia variable que depende de una seal elctrica de control, entonces al
cambiar el valor de la seal de control cambia la cantidad de corriente que pasa por el transistor.
Hay dos clases principales de transistores: Bipolares (BJT) y de efecto de campo (FET).
En los transistores BJT la seal de control es una corriente y en los FET es un voltaje.
Clases de transistores:
a. NPN
BIPOLA
R
b. PNP
FET
Corriente
Canal N
MOSFET
Enriquecimiento
(Enhancement)
Canal N
Empobrecimiento
(Depletion)
Canal N
FET
TRANSISTO
R
FET
Especiales
Canal P
Canal P
Canal P
TRANSISTORES BIPOLARES
Estn constituidos por tres capas de semiconductor que se llaman emisor (E), base (B) y colector (C),
en el transistor NPN la base es semiconductor P, el emisor y el colector de semiconductor N, en el
transistor PNP es lo contrario.
Para que un transistor bipolar funcione se debe "polarizar" que consiste en colocar fuentes de voltaje y
resistencia que coloquen el diodo base emisor en directo (|VBE|=0.7) y que el diodo base colector est
en inverso.
Hay varias formas de polarizar un transistor, los ms usados son fija, divisor de voltaje, realimentacin
por colector, realimentacin por emisor, seguidor emisor, etc., estos circuitos se indican en la Tabla No.
1.
El
= IC / IB
Conceptualmente se dice que el transistor se comporta como una
fuente de corriente controlada por corriente, es decir, una fuente de
corriente que no es de valor fijo, vara produciendo ms o menos
corriente en la medida que hay ms o menos corriente en la base.
Como en el transistor no se acumula carga toda la corriente que
entra a l debe salir, entonces:
IE = IC + IB = ( +1) IB
Si >> 1 IE IC
Tabla 1: Anlisis DC de Polarizacin de Transistores Bipolares
Configuracin
IB = (VCC - 0.7)/RB
IE IC = * IB
VCE = VCC - IC*RC
VRC = IC*RC
VE = 0
VB = 0.7v
VC = VCE
Mtodo aproximado
(RE >10R2)
VB = (R2*VCC)/(R1 +R2)
VE=VB-0.7
IE IC = VE/RE
IB = IC/
VRC = IC * RC
VCE = VCC - IC (RC+ RE)
VC = VE + VCE
IB = VCC - 0.7
RB+(+1) RB
IE IC = * I B
V E = R E - IE
VCE = Vcc - IC*(RC + RE)
VB = VE +0.7v
VC = VCE +VE
IB = IC/
VCE = VC
El proceso de anlisis es primero calcular la corriente de base usando las Leyes de Ohm y Kirchhoff,
luego se calcula IC e IE y con estos datos los voltajes de colector (Vc) y emisor (VE).
Ejemplo: Cuales son los voltajes y corrientes en el siguiente circuito de polarizacin fija:
RB= 200K RC = 1K
Se analiza la malla de entrada
LVK = Vcc - VRB - VBE = 0
VRB = Vcc - VBE
VRB = 10v -0.7v = 9.3v
IB = IRB = (9.3v / 200K)
= 46.5 A
Se calculan corrientes
de colector y emisor:
IC = * IB = 100*46.5 A= 4.65 mA
IE IC = 4.65 mA
Se analiza la malla de salida:
PT = VCE * IC
Esta tiene un valor lmite indicado por los fabricante para cada
referencia en los manuales de especificaciones. Los datos de
potencia lmite dependen que se pueda mantener los
transistores a bajas temperaturas, esto se logra ensamblando
disparadores de aletas a los transistores, los disipadores se
especifican
por
su
resistencia
trmica
= (T / P) (c/w) que depende de su forma, nmero de aletas,
tamao y color. Los transistores traen encapsulados especiales
para unirlos a los disipadores, por ejemplo los encapsulados T0-22 y T0-3.
La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados lgicos, all se
mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en otro campo se aplican para
activar y desactivar rels, en este caso como la carga es inductiva (bobina del rel) al pasar el
transistor de saturacin a corte se presenta la "patada inductiva" que al ser repetitiva quema el
transistor se debe hacer una proteccin con un diodo en una aplicacin llamada diodo volante.
TIPO
JFET
Con polarizacin fija
CONFIGURACIN
ECUACIONES
PERTINENTES
VGSQ = - VGG
VDS = VDD - IDRS
SOLUCIN
GRFICA
JFET
Con autopolarizacin
JFET
Con polarizacin
mediante divisor de
voltaje
VGSQ = - IDRS
VDS =VDD - ID(RD + RS)
VG = R2 VDD/(R1 + R2)
VGS = VG - IDRS
VDS =VDD - ID(RD + RS)
VGSQ = 0 V
JFET
(VGSQ = 0 V)
IDQ = Iss
VGSQ = -IDRS
VD = VDD
JFET
(RD = 0 )
VS = IDRS
VDS =VDD - IDRS
MOSFET
De tipo decremental
(todas las configuraciones
arriba de los casos
positivos donde = +
voltaje) polarizacin Fija
VGSQ = + VGG
VDS = VDD - IDRS
VG = R2 VDD/(R1 + R2)
MOSFET
de tipo decremental
polarizacin mediante
divisor de voltaje
VGS = VG - ISRS
VDS =VDD - ID(RD + RS)
MOSFET
de tipo incremental
configuracin por
retroalimentacin
VGSQ = VDS
MOSFET
de tipo incremental
Polarizacin mediante
divisor de voltaje
VG = R2 VDD/(R1 + R2)
VGS = VG - IDRS
CONFIGURACIN
Zp
Alta (10 M)
= RG
Zo
Av = Vo/Vi
Media (2 K)
Media (-10)
=RD || rd
RD
-gm RD
(rd 10RD)
(rd 10RD)
Alta (10 M)
Media (2 K)
Media (-10)
= RG
=RD || rd
RD
-gm RD
(rd 10RD)
(rd 10RD)
Alta (10 M)
Media (2 )
Media (-2)
= RG
- gmRs/(1 +
gmRs)
(rd
10(RD+Rs))
(rd 10(RD+Rs))
Alta (10 M)
Media (2 K)
Media (-10)
= R1 || R2
=RD || rd
RD
-gm RD
(rd 10RD)
(rd 10RD)
Alta (10 M)
Baja (100 k)
Baja (<1)
= RG
= rd || RS ||
1/gm
= gm(rd || RS)/(1
+ gm(rd || RS))
RS || 1/gm
gmRS/(1 +
gmRS)
(rd 10RS)
(rd 10RS)
Media (2 K)
Media (+10)
Baja (1 k)
= RD || rd
RD
(rd 10RD)
RS || 1/gm
= (gmRD +
(RD/rd))/(1+
(RD/rd))
gmRD
(rd 10RD)
(rd 10RD)
Media (1 k)
Media (2 K)
Media (-10)
= (RF + rd || RD)/
(1+gm(rd || RD))
= RF || rd || RD
= - gm (RF || rd
|| RD)
RF/(1+gmRD)
RD
(RF rd 10RD)
- gmRD
(RF rd 10RD)
Media (1 M)
Media (2 K)
Media (-10)
= R1 || R2
=RD || rd
RD
-gm RD
(rd 10RD)
(rd 10RD)