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MOSFET:
es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el tr
ansistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgico
s o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro t
iempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados
en transistores MOSFET
BJT:
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN m
uy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales
IGBT:
es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor cont
rolado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caracters
ticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacida
d de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinand
o una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo