Transistores Bipolares de Juno

(BJT)

O nome transistor vem

da frase transferring
an electrical signal
across a resistor

TE214 Fundamentos da Eletrnica

Engenharia Eltrica

Plano de Aula

Contextualizao
Objetivo
Definies e Estrutura
Caractersticas Tenso-Corrente
Modos de Operao
Aplicaes Bsicas
Concluses

Contextualizao
Onde os transistores bipolares so usados?

Veja mais exemplos em: www.nxp.com bipolar

transistors application notes

Objetivo

Questes Chave

Viso geral sobre os transistores bipolares

Qual a estrutura de um transistor bipolar?

Compreender seus diferentes modos de

operao

Como uma transistor de juno bipolar opera?

Conhecer algumas aplicaes bsicas

Definies

O BJT um dispositivo de 3 terminais

Quais so as principais dependncias das

correntes de terminal de um BJT no regime ativo
direto?

Estrutura

Por enquanto suficiente dizer que a estrutura mostrada na figura

anterior no simtrica.

As regies n e p so diferentes tanto geometricamente quanto em

termos de concentrao de dopagem.

Por exemplo, a concentrao de dopagem no coletor, base e

emissor devem ser 1015, 1017 e 1019 respectivamente.

Portanto, o comportamento do dispositivo no eletricamente

simtrico e as duas terminaes no podem ser permutados.

Dois tipos diferentes: npn e pnp.

Os smbolos do BJT e seus diagramas de bloco correspondentes:

Os BJTs tem 2 junes (fronteira entre as regies n e p).

Atividade Extra-Classe: Ler sobre a estrutura do BJT. Sedra, Cap.5,

Sec. 5.1 a 5.3 / Boylestad Cap.3, Sec. 3.1 a 3.3

Estrutura

Modos de Operao

Como cada juno possui dois modos de polarizao (direta ou

reversa), o BJT com suas duas junes tm 4 modos possveis de
operao.
Ativa Direta: dispositivo tem boa
isolao e alto ganho regime mais
til;
Saturao: dispositivo no tem
isolao e inundado com
portadores minoritrios). Leva tempo
para sair da saturao evitar!
Ativa Reversa: ganho baixo pouco
til;
Corte: corrente desprezvel: quase
um circuito aberto til;

Operao no Modo Ativo Direto

Considerando o circuito abaixo:
A juno Base-Emissor (B-E)
polarizada diretamente
A juno Base-Coletor (B-C)
polarizada reversamente.
A corrente atravs da juno
B-E est relacionada a
tenso B-E por:
iE I S (eVBE

VT

1)

Operao no Modo Ativo Direto

Operao no Modo Ativo Direto

Operao no Modo Ativo Direto

Devido as grandes diferenas de dopagem das regies

do emissor e da base, os eltrons injetados na regio da
base (da regio do emissor) resulta na corrente do
emissor (iE).

A tenso entre dois terminais controla a

corrente atravs do terceiro terminal.

Alm disso o nmero de eltrons injetados na regio do

coletor diretamente relacionado aos eltrons injetados
na regio de base a partir da regio do emissor.

Este o princpio bsico do BJT!

(efeito transistor)!

Portanto, a corrente de coletor est relacionada a

corrente do emissor que conseqentemente uma
funo da tenso B-E.

Operao no Modo Ativo Direto

iC controlada por vBE, independente de vBC

Operao no Modo Ativo Direto

A corrente de coletor e a corrente de base esto

relacionadas por:

e equivalentemente

iC iB

e aplicando a LCK obtemos:

iE iC iB

Ento, das equaes anteriores, o relacionamento entre

as correntes de emissor e base:
iE (1 )iB

depende da largura da regio

da base e das dopagens
relativas das regies da base e
do emissor.

iC

iE

chamada de e iE pode ser escrita como:

v BE
I
iE S e VT

Para transistores de interesse, = 100 que corresponde a = 0.99 e

iC iE
A frao

BJTs estado-da-arte atuais: iC ~ 0,1 1mA, ~ 50 300.

difcil de controlar rigorosamente. Tcnicas de projeto de circuito

so necessrias para insensitividade variaes em .

Operao no Modo Ativo Direto

Modelo de circuito equivalente

Caractersticas Tenso-Corrente
Trs tipos diferentes de tenses envolvidas na
descrio de transistores e circuitos. So elas:
Tenses das fontes de alimentao:VCC e VBB
Tenses nos terminais dos transistores:VC , VB e VE
Tenses atravs das junes: VBE , VCE e VCB

Operao no Modo Ativo Direto

A direo das correntes e as polaridades das
tenses para NPN e PNP.

Caractersticas Tenso-Corrente
Os 3 terminais dos transistores e as duas junes,
apresentam mltiplos regimes de operao
Para distinguir estes regimes, temos que olhar as
caractersticas tenso-corrente do dispositivo.
A caracterstica mais importante do BJT a o traado da
corrente de coletor (IC) versus a tenso coletor emissor
(VCE), para vrios valores da corrente de base IB.

Caractersticas Tenso-Corrente
Curva caracterstica qualitativa do BJT.
O grfico indica as 4 regies de operao: saturao,
corte, ativa e ruptura.

Aplicaes do BJT
Como Chave
Se a tenso vi for menor que a tenso necessria para
polarizao direta da juno EB, ento IB=0 e o
transistor est na regio de corte e IC=0. Como IC=0, a
queda de tenso sobre RC 0 e ento Vo=VCC .

Caractersticas Tenso-Corrente

Regio de Corte (cutoff):

juno Base-Emissor
polarizada reversamente. No
h fluxo de corrente.

Regio de Saturao: juno

Base-Emissor polarizada
diretamente, juno ColetorBase polarizada
diretamente.IC atinge o
mximo, que independente
de IB e . Sem controle. VCE <
VBE

Regio Ativa: juno BaseEmissor diretamente

polarizada, juno ColetorBase polarizada reversamente.
Controle, IC = IB . VBE < VCE <
VCC

Regio de Ruptura
(Breakdown): IC e VCE
excedem as especificaes.
Dano ao transistor.

Aplicaes do BJT
Como Chave (cont.)
Se a tenso vi aumenta de modo que a tenso VBE polariza
diretamente a juno BE, o transistor ligar e

IB

vi VBE
RB

Uma vez ligado, ainda no

sabemos se ele est operando
na regio ativa ou saturao

Aplicaes do BJT

Aplicaes do BJT

Como Chave (cont.)

Como Chave (cont.)

Entretanto, aplicando LTK no lao C-E, temos:

ou

VCC I C RC VCE 0

Equao da linha de carga:

VCE VCC I C RC

VCE VCC I C RC
A equao acima a equao
da linha de carga para este
circuito.
Note que VCE = Vo

Aplicaes do BJT

Aplicaes do BJT

Lgica Digital

Exerccio: Lgica Digital

Circuito inversor bsico

Para o circuito abaixo, complete a tabela lgica
Se a tenso vi for zero (baixa) o
transistor est na regio de
corte, a corrente IC=0 e a tenso
Vo=VCC (alta).
Por outro lado, se a tenso vi for
alta, igual a VCC, por exemplo, o
transistor levado a saturao e
a sada igual a VCE(sat) que
baixa.

Este circuito a base para

construirmos qualquer
outra operao lgica.

V1

V2

Alto

Baixo

Baixo

Alto

Baixo

Baixo

Alto

Alto

Vo

Aplicaes do BJT
Como Amplificador

Aplicaes do BJT
Como Amplificador (cont.)
Curva de transferncia de tenso

O circuito inversor bsico tambm forma

o circuito amplificador bsico.
A curva de transferncia de tenso
(tenso de sada em funo da tenso
de entrada) a caracterizao
fundamental de um amplificador

Aplicaes do BJT
Como Amplificador (cont.)
Curva de transferncia de tenso

Note a grande inclinao da

curva no modo ativo.
Uma pequena mudana na
tenso de entrada vi induz uma
grande mudana na tenso de
sada Vo uma amplificao.

Principais Concluses
O emissor injeta eltrons na base
O coletor coleta eltrons da base
A base injeta lacunas no emissor
IC controlada por VBE, independente de VBC (efeito
transistor)
Modo Ativo Direto: mais til, dispositivo tem ganho e
isolao.
Saturao: dispositivo inundado com portadores
minoritrios. No til.
Corte: dispositivo aberto. til.

Referncias
SEDRA, A. S. e SMITH, K. C., Microeletrnica, 5a.
Edio, Makron Books, 2005.
BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY, L., Dispositivos
Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 6a. Edio, Editora
PHB, 1998.

Prxima Aula
Circuitos para polarizao de BJTs
Anlise DC