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1 Historia
3 Caractersticas
4 Enlaces externos
[editar] Historia
Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT).
Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 80's.
modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el
mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento
entre el canal y la puerta:
. La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o
del silicio policristalino.
[editar] Caractersticas
Es menos ruidoso.